JP4797669B2 - マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズの製造方法、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロレンズアレイの製造方法、マイクロレンズの製造方法、及び表示装置の製造方法に関するものである。

屈折率と比重が異なる導電性液体と絶縁性液体を絶縁性の保持手段に収納し、導電性液体と保持手段の間に電位差を発生させることにより、導電性液体と保持手段の間の表面張力を変化させ、これにより導電性液体と絶縁性液体の界面を曲面としてレンズ作用を持たせ、電位差を変化させることによりこのレンズの焦点距離を可変にした可変焦点液体レンズは、新しい方式の可変焦点レンズとして注目を集めており、その概要が、フィリップス社のインターネットホームページ「http://www.philips.co.jp/about/news/section-13914/article-2631.html」に紹介されている。

又、このようなマイクロレンズを、マイクロレンズアレイとして使用して、表示装置を構成することが、特開２０００−３５６７５０号公報に記載されている。
特開２０００−３５６７５０号公報 http://www.philips.co.jp/about/news/section-13914/article-2631.html

しかしながら、これらマイクロレンズアレイ、マイクロレンズ、及び表示装置の効率的な製造方法については、これらいずれの文献にも記載されていなかった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、マイクロレンズアレイ、マイクロレンズ、及び表示装置の効率的な製造方法を提供することを課題とする。

前記課題を解決するための第１の手段は、以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法である。

(1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
(2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
(3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
(4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
(5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
(6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
(7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記第１電極が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
(8)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
(9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
(10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程
前記課題を解決するための第２の手段は、以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。

(1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
(2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
(3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
(4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
(5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
(6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
(7)前記導電性基板に、透明絶縁体を接合する工程
(8)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板、前記透明絶縁体に切り込みを入れて切断し、個々の前記導電性基板に形成された穴を有する個体に分割する工程
(9)前記分割された個体の前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
(10)前記分割された個体の前記活性層の残った部分に、透明絶縁体を接着する工程
前記課題を解決するための第３の手段は、以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。

(1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
(2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
(3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
(4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
(5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
(6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
(7)前記導電性基板に、第１の透明絶縁体を接合する工程
(8)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
(9)前記活性層の残った部分に、第２の透明絶縁体を接着する工程
(10)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板、前記第１の透明絶縁体、前記第２の透明絶縁体に切り込みを入れて切断し、マイクロレンズに分割する工程
前記課題を解決するための第４の手段は、以下の工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。

(1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
(2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
(3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
(4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
(5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
(6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
(7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記電極（第１電極）が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
(8)切断装置により、前記活性層、絶縁層、導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
(9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
(10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）と、アレイ状の遮光膜が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程
前記課題を解決するための第５の手段は、以下の工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法である。

(1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
(2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
(3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
(4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
(5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
(6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
(7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記第１電極が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
(8)切断装置により、前記活性層、絶縁層、導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
(9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
(10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）と、アレイ状のピンホールを有する遮光膜が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程

本発明によれば、マイクロレンズアレイ、マイクロレンズ、及び表示装置の効率的な製造方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図１Ａ、図１Ｂは、本発明の実施の形態の例であるマイクロレンズアレイの製造方法を説明するための図である。まず、シリコン基板１の上に絶縁層であるSiＯ_２層２が形成され、さらにその上に活性層であるシリコン層３が形成されたＳＯＩ基板を用意する（ａ）。例えばシリコン基板１の厚さは625μｍ、SiＯ_２層２の厚さは１μｍ、シリコン層３の厚さは５μｍとする。シリコン基板１やシリコン層３の代わりに他の物質を使用してもよいが、いずれも電界が加えられる程度に抵抗が小さいもの（１Ω・ｃｍ程度以下）であることが好ましい。

続いて、シリコン層３の上にレジスト４を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、レジスト４に円形穴をアレイ状に空けるために、円形穴部分のレジスト４を除去する（ｂ）。そして、残ったレジスト４をマスクとしてシリコン層３をエッチングして、円形穴に相当する部分のシリコン層３を円柱状に除去する（ｃ）。そして、この状態で残ったレジスト４を除去する。

続いて、残ったシリコン層３とむき出しになったSiＯ_２層２の表面に新しいレジスト４を塗布し、フォトリソグラフィ工程により、このレジスト４の、SiＯ_２層２の上に塗布されている部分のうち、シリコン層３に開けられた円形穴と中心を同じくし、かつ、シリコン層３に設けられた円形穴よりも小さい円形穴に対応する部分のレジスト４を除去する（ｄ）。そして、残ったレジスト４をマスクとしてSiＯ_２層２をエッチングして、円形穴に相当する部分のSiＯ_２層２を円柱状に除去する（ｅ）。次に、SiＯ_２層２に設けられた円形穴でむき出しになったシリコン基板１を、ドライエッチングにより除去し、シリコン基板１に円柱状の穴を開ける（ｆ）。ドライエッチングの性質により、この穴は、先に行くほど半径が小さくなることもあるが、これは問題とならない。

続いて、シリコン基板１の、SiＯ_２層２が形成されている面と逆の面に、透明絶縁体であるパイレックス（登録商標）ガラス５を陽極接合により接合する。パイレックス（登録商標）ガラスの代わりに石英等、他の透明絶縁体を使用することができる。又、接合の方法は陽極接合に限らず、接着剤を用いた接合でもよい。パイレックス（登録商標）ガラス５のシリコン基板１に接合される表面には、予め電極６とそれに至る配線（図示せず）が導電性薄膜で形成されている。電極６や配線の形成方法としては、例えばパイレックス（登録商標）ガラス５の表面に導電性薄膜を蒸着等により成膜し、エッチングにより所定パターンとする方法が採用できる。

続いて、ダイシングソー等の切断装置により、切り込み７を格子状に入れ、シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３を複数の部分に分離する。このとき、切り込み７はパイレックス（登録商標）ガラス５の一部にまで到達させることにより、シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３を完全に部分に分離することが好ましい。

この状態を図２に示す。図２において（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３が格子状の切り込み７によって囲まれた部分に分けられ、各部分にひとつずつ穴が形成されている。この各部分が、それぞれ一つのマイクロレンズを構成するようになる。図１Ｂに戻って、続いて、シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された円柱状の穴の中に、ディスペンサを用いて、非導電性液体８（例えば油）と導電性液体９（例えば水）を充填する。非導電性液体８の比重は導電性液体９の比重より大きいものとする。又、後にこれらの液体が密閉され、空気等が入らないようにするために、導電性液体９が穴から溢れるような状態に充填する（ｈ）。

最後に、透明絶縁体であるパイレックス（登録商標）ガラス１０を被せて接着し、非導電性液体８と導電性液体９を密閉状態とする（ｉ）。パイレックス（登録商標）ガラス１０の代わりに石英等の透明絶縁体を用いることができる。パイレックス（登録商標）ガラス１０のシリコン層３と接触する側の表面には電極１１が導電性薄膜により形成されている。この電極１１は、シリコン層３に接触するようになっており、かつ、光路となるシリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された穴の部分には形成されていない（導電性薄膜に、円形の穴が空いている）。なお、電極１１として、導電性接着剤を使用すれば、他に接着剤を必要としない。

これにより、マイクロレンズアレイが完成する。電極６は、図１における格子状の切り込み７に囲まれた部分によって構成される個々のマイクロレンズに対して１個ずつ形成されており、電極１１は、全てのマイクロレンズに対して共通電極を構成している。よって、電極１１と各電極６との間にかける電圧を個々に調整することにより、個々のマイクロレンズの焦点距離を調整することができる。

以下、本発明の実施の形態の例である表示装置の製造方法を説明するが、この製造方法は、前記実施の形態のマイクロレンズアレイの製造方法とは、図１Ａ、図１Ｂに示したうち、（ａ）〜（ｇ）の工程が同じであり、（ｉ）の工程が異なるだけなので、異なる（ｉ）の工程に対応する工程のみを説明し、残りの部分については説明を省略する。

図３は、図１Ｂの（ｉ）の工程に代わる部分を示す図である。（ｉ’）においては、パイレックス（登録商標）ガラス１０の電極１１が形成されている面と反対の面（同じ面であっても差し支えない）に、遮光膜１２が形成されている点のみが、図１Ｂの（ｉ）と異なっている。この遮光膜１２は、例えば金属薄膜を蒸着してパターニングすることにより形成される。遮光膜１２が形成される位置は、各マイクロレンズの光軸を中心とした所定の範囲である。

電極６にかける電圧を変化させ、図３（ｉ’）の下側から入射する光線が、遮光膜１２上に集光されるようにすると、光が遮られる。又、電極６に電圧を印加しないようにすると、光は拡散されたまま透過するので、大部分の光が透過することになる。よって、遮光膜１２の大きさは、マイクロレンズで光を集光できる範囲をカバーする大きさ以上であればよく、この範囲であれば、できるだけ小さいことが好ましい。

図３（ｉ”）においては、パイレックス（登録商標）ガラス１０の電極１１が形成されている面と反対の面（同じ面であっても差し支えない）に、遮光膜１２が一面に形成されており、マイクロレンズの光軸に相当する位置にピンホール１３が形成されている点が、（ｉ’）と異なる。この場合は、電極６にかける電圧を変化させ、図３（ｉ”）の下側から入射する光線が、ピンホール１３上に集光されるようにすると、光がピンホール１３を通り抜けて透過する。又、電極６に電圧を印加しないようにすると、光は拡散されたままとなり、大部分の光が遮光膜１２で遮光される。よって、ピンホール１３の大きさは、マイクロレンズで光を集光できる範囲をカバーする大きさ以上であればよく、この範囲であれば、できるだけ小さいことが好ましい。

以下、本発明の実施の形態の例であるマイクロレンズの製造方法の第１の例について説明するが、この製造方法は、前記実施の形態のマイクロレンズアレイの製造方法とは、図１Ａ、図１Ｂに示したうち、（ａ）〜（ｇ）の工程が同じであり、それ以後の工程が異なるのみであるので、（ａ）〜（ｇ）の工程を行ったものとして、その後の工程について、図４を用いて説明する。

図４において、図１Ｂ（ｇ）の工程の後、シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された円柱状の穴の中に、ディスペンサを用いて、非導電性液体８（例えば油）と導電性液体９（例えば水）を充填する。非導電性液体８の比重は導電性液体９の比重より大きいものとする。又、後にこれらの液体が密閉され、空気等が入らないようにするために、導電性液体９が穴から溢れるような状態に充填する（ｊ）。

次に、透明絶縁体であるパイレックス（登録商標）ガラス１０を被せて接着し、非導電性液体８と導電性液体９を密閉状態とする（ｋ）。パイレックス（登録商標）ガラス１０の代わりに石英等の透明絶縁体を用いることができる。パイレックス（登録商標）ガラス１０のシリコン層３と接触する側の表面には電極１１が導電性薄膜により形成されている。この電極１１は、シリコン層３に接触するようになっており、かつ、光路となるシリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された穴の部分には形成されていない（導電性薄膜に、円形の穴が空いている）。電極１１として導電性接着剤を用いれば他に接着剤を必要としない。

最後に、このようにして形成されたものを、ダイシングソー等の切断装置により格子状に切断して、一つのブロックに光路となるシリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された一つの穴の部分が含まれるようにすれば、これら個々のブロックがマイクロレンズとなる（ｌ）。電極６と電極１１の間に印加する電圧を変えることにより、マイクロレンズの焦点距離を変化させることができる。

以下、本発明の実施の形態の例であるマイクロレンズの製造方法の第２の例について説明するが、この製造方法は、マイクロレンズアレイの製造方法とは、図１Ａ、図１Ｂに示したうち、（ａ）〜（ｇ）の工程が同じであり、それ以後の工程が異なるのみであるので、（ａ）〜（ｇ）の工程を行ったものとして、その後の工程について、図５を用いて説明する。

図５において、図１Ｂ（ｇ）の工程の後、ダイシングソー等の切断装置により格子状に切断して、一つのブロックに光路となるシリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された一つの穴の部分が含まれるようにする。これら個々のブロックが後にマイクロレンズとなる。続いて、シリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された円柱状の穴の中に、ディスペンサを用いて、非導電性液体８（例えば油）と導電性液体９（例えば水）を充填する。非導電性液体８の比重は導電性液体９の比重より大きいものとする。又、後にこれらの液体が密閉され、空気等が入らないようにするために、導電性液体９が穴から溢れるような状態に充填する（ｍ）。

最後に、個々のブロックに、透明絶縁体であるパイレックス（登録商標）ガラス１０を被せて接着し、非導電性液体８と導電性液体９を密閉状態とする（ｎ）。パイレックス（登録商標）ガラス１０の代わりに石英等の透明絶縁体を用いることができる。パイレックス（登録商標）ガラス１０のシリコン層３と接触する側の表面には電極１１が導電性薄膜により形成されている。この電極１１は、シリコン層３に接触するようになっており、かつ、光路となるシリコン基板１、SiＯ_２層２、シリコン層３に形成された穴の部分には形成されていない（導電性薄膜に、円形の穴が空いている）。電極１１として導電性接着剤を使用すれば、他に接着剤を必要としない。

これにより、マイクロレンズアレイが完成する。電極６と電極１１の間に印加する電圧を変えることにより、マイクロレンズの焦点距離を変化させることができる。

なお、図４（ｌ）と図５（ｎ）のマイクロレンズにおいては、焦点距離を変化させるために電圧を印加する際に、切断により露出しているシリコン基板１の切断面とシリコン層３の切断面に直接、電圧を印加してもよい。このように電圧を印加する場合は、パイレックス（登録商標）ガラス５、１０に電極６、１１を設けなくてよい。

本発明の実施の形態の例であるマイクロレンズアレイの製造方法を説明するための図である。 本発明の実施の形態の例であるマイクロレンズアレイの製造方法を説明するための図である。 ダイシングソー等の切断装置により、切り込みを格子状に入れた状態を示す図である。 本発明の実施の形態である表示装置を製造する工程の一部を示す図である。 本発明の実施の形態であるマイクロレンズを製造する工程の一部を示す図である。 本発明の実施の形態であるマイクロレンズを製造する工程の一部を示す図である。

符号の説明

１…シリコン基板、２…SiＯ_２層、３…シリコン層、４…レジスト、５…パイレックス（登録商標）ガラス、６…電極、７…切り込み、８…非導電性液体、９…導電性液体、１０…パイレックス（登録商標）ガラス、１１…電極、１２…遮光膜、１３…ピンホール

Claims (5)

1. 以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
   (1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
   (2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
   (3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
   (4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
   (5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
   (6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
   (7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記第１電極が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
   (8)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
   (9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
   (10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程
2. 以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
   (1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
   (2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
   (3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
   (4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
   (5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
   (6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
   (7)前記導電性基板に、透明絶縁体を接合する工程
   (8)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板、前記透明絶縁体に切り込みを入れて切断し、個々の前記導電性基板に形成された穴を有する個体に分割する工程
   (9)前記分割された個体の前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
   (10)前記分割された個体の前記活性層の残った部分に、透明絶縁体を接着する工程
3. 以下の工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
   (1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
   (2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
   (3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
   (4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
   (5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
   (6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
   (7)前記導電性基板に、第１の透明絶縁体を接合する工程
   (8)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
   (9)前記活性層の残った部分に、第２の透明絶縁体を接着する工程
   (10)切断装置により、前記活性層、前記絶縁層、前記導電性基板、前記第１の透明絶縁体、前記第２の透明絶縁体に切り込みを入れて切断し、マイクロレンズに分割する工程
4. 以下の工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
   (1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
   (2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
   (3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
   (4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
   (5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
   (6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
   (7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記電極（第１電極）が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
   (8)切断装置により、前記活性層、絶縁層、導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
   (9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
   (10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）と、アレイ状の遮光膜が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程
5. 以下の工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
   (1)導電性基板の上に絶縁層を形成し、さらにその上に活性層を形成した基板を用意する工程
   (2)前記活性層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記レジストにアレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）を設けるために、円形穴部分の前記レジストを除去する工程
   (3)残った前記レジストをマスクとして、前記活性層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第１の円形穴）部分の前記活性層を除去する工程
   (4)残ったレジストを除去し、残った前記活性層と前記絶縁層の上に新しいレジストを塗布し、フォトリソグラフィ工程により、前記絶縁層の上に塗布された新しいレジストに、アレイ状に形成された、前記第１の円形穴と中心を同じくし、前記第１の円形穴より小さい半径をもつ円形穴（第２の円形穴）を設けるために、当該円形穴部分の前記新しいレジストを除去する工程
   (5)残った前記レジストをマスクとして、前記絶縁層をエッチングし、アレイ状に形成された円形穴（第２の円形穴）部分の前記絶縁層を除去する工程
   (6)前記絶縁層が除去された部分の前記導電性基板を、エッチングし、前記導電性基板に、アレイ状の円形穴を形成する工程
   (7)前記導電性基板に、表面に導電性薄膜からなるアレイ状に配列された電極（第１電極）と配線が形成された透明絶縁体を接合し、前記第１電極が前記導電性基板の残った部分に接触するようにする工程
   (8)切断装置により、前記活性層、絶縁層、導電性基板に切り込みを入れて分割し、前記導電性基板に設けられた前記複数の穴を個々の穴に分離する工程
   (9)前記導電性基板に形成された穴に、屈折率と比重が異なる導電性液体と非導電性液体を満たす工程
   (10)前記活性層の残った部分に、表面に導電性薄膜からなる電極（第２電極）と、アレイ状のピンホールを有する遮光膜が形成された透明絶縁体を接着し、前記残った活性層と前記第２電極が接触するようにする工程

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