JP4796343B2 - 液晶光学素子及びそれを用いたカメラ、光学的ピックアップ装置 - Google Patents
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Description
るようにし、隣り合うセグメント電極は、前記第1透明基板からの高さ位置が異なっており、該隣り合うセグメント電極のうち、液晶層側に位置するセグメント電極に接続されたコンタクト電極は、第1及び第2透明基板の対向方向に切断した場合の断面で見たとき、接続先のセグメント電極の縁部よりも内側で該セグメント電極に接続されていることを特徴とするものである。
コンタクトホールの開口面積は、第1の透明電極層部に設けられた配線電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールの開口面積よりも1.4倍以上大きいことが好ましい。
図1〜5は、本発明の第1実施形態に係る液晶光学素子を示す図である。
透明電極層40との間には第1の絶縁層44が設けられ、第2の透明電極層40と第3の透明電極層38との間には第2の絶縁層46が設けられている。
なお、同心円状のセグメント電極の数は所望のレンズ要求された特性、収差補正素子の要求された特性に合わせて設定すればよい。
図2(a)が第3の透明電極層38に形成された電極、図2(b)が第2の透明電極層40に形成された電極、図2(c)が第1の透明電極層42に形成された電極を示している。
応する配線電極24、同心円状のセグメント電極20に対応する配線電極30を図示している。
図6は、本発明の第2実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
図6(a)において、第1の透明電極層に配置された配線電極24の上部には、第1の絶縁層44が設けられ、第2の透明電極層に配置された同心円状のセグメント電極16の上部及び同心円状のセグメント電極間には第2の絶縁層46が設けられ、最上層には第3の透明電極層に配置された同心円状のセグメント電極14,18が配置され、配線電極24と同心円状のセグメント電極14とのコンタクト部には透明導電体70が形成されている。
(a)においては、同心円状のセグメント電極14,16,18が透明基板10,12の対向方向に投影したとき、P1〜P4で接して見えるように構成したが、図6(b)においては図示したL1の幅だけ同心円状のセグメント電極14,16L,18が重なるよう同心円状のセグメント電極16Lの幅を大きくしている。
図7は本発明の第3実施形態に係る液晶光学素子の製造プロセスを示す工程図である。
効果と直接には関係ないので、適宜定めることができる。
図8は本発明の第4実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
図9は本発明の第5実施形態に係る液晶光学素子を示す平面図であり、コンタクト部の配置を表している図である。
図10は本発明の第6実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
図11は本発明の第7実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
図12は本発明の第8実施形態に係る液晶光学素子を示す平面図である。
図13は本発明の第9実施形態に係る液晶光学素子を示す図である。
図14本発明の第10実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
図15は、本発明の第11実施形態に係る液晶光学素子を示す断面図である。
液晶光学素子を用いたため、収差補正エラーを除去することができ、青色レーザーを用いた高密度記憶媒体の光ピックアップ装置として実用レベルの品質とすることができる。
Claims (15)
- 対向配置された第1及び第2透明基板と、前記第1透明基板上に設けられ同心円状に配列した複数のセグメント電極と、前記第1及び第2透明基板間に挟持された液晶層と、を有する液晶光学素子において、
前記セグメント電極と前記第1透明基板との間に形成され、前記セグメント電極の各々に電気的に接続された複数の配線電極と、
前記セグメント電極と、その各々に対応する前記配線電極とに接続されたコンタクト電極と、を有し、
前記第1透明基板上に、第1の透明電極層と、該第1の透明電極層の上部に第2の透明電極層と、該第2の透明電極層の上部に第3の透明電極層と、を設け、
隣り合う前記同心円状のセグメント電極の一方を前記第2の透明電極層に、他方を前記第3の透明電極層に設け、
さらに、前記第1の透明電極層に前記配線電極を設け、対応する前記同心円状のセグメント電極と、前記コンタクト電極によって電気的接続を取るようにし、
隣り合う前記セグメント電極は、前記第1透明基板からの高さ位置が異なっており、
該隣り合う前記セグメント電極のうち、前記液晶層側に位置する前記セグメント電極に接続された前記コンタクト電極は、前記第1及び第2透明基板の対向方向に切断した場合の断面で見たとき、接続先の前記セグメント電極の縁部よりも内側で該セグメント電極に接続されていることを特徴とする液晶光学素子。 - 各同心円状のセグメント電極間には絶縁層が設けられ、該絶縁層の前記対向方向の厚さは前記同心円状のセグメント電極の前記対向方向の厚さよりも2倍以上大きいことを特徴とする請求項1記載の液晶光学素子。
- 隣り合う前記同心円状のセグメント電極のうち少なくとも一方の同心円状のセグメント電極上には絶縁物が設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶光学素子。
- 前記隣り合う同心円状のセグメント電極を蒸着による製膜方法よって一度に形成したことを特徴とする請求項1〜3いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記蒸着による製膜方法は、スパッタリング蒸着、真空蒸着であることを特徴とする請求項4記載の液晶光学素子。
- 前記同心円状のセグメント電極の前記第1基板からの高さ位置は、中心の電極から周辺の電極になるにしたがって高くもしくは低くなっていることを特徴とする請求項1〜5いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記コンタクト電極は、前記対向方向から見たとき、平面的にはランダムに配置されていることを特徴とする請求項1〜6いずれか一項記載の液晶光学素子。
- ポリッシュ法を用い、前記コンタクト電極における前記セグメント電極との接続面を平坦にしたことを特徴とする請求項1〜7いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記絶縁層をプラスチックフィルムで形成したことを特徴とする請求項3〜8いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記第1及び第2透明基板の少なくとも一方を概略円形としたことを特徴とする請求項1〜9いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記第1透明基板は位置合わせマークを有し、該位置合わせマークを前記複数の透明電極層及び複数の前記絶縁層のうち少なくとも2つ以上を用いて同一位置に同一形状で形成したことを特徴とする請求項3〜10いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記液晶層側に位置する前記セグメント電極をマスクとして、その隣の前記セグメント電極上の絶縁膜を除去したことを特徴とする請求項1、2、4〜11のいずれか一項記載の液晶光学素子。
- 前記第2の透明電極層部に設けられた前記セグメント電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールの開口面積は、前記第1の透明電極層部に設けられた前記配線電極上の絶縁層に形成されたコンタクトホールの開口面積よりも1.4倍以上大きいことを特徴とする請求項1〜12いずれか一項記載の液晶光学素子。
- 請求項1〜13いずれか一項に記載の液晶光学素子をレンズとして用いたことを特徴とするカメラ。
- 請求項1〜13いずれか一項に記載の液晶光学素子を備えたことを特徴とする光学的ピックアップ装置。
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