JP4792147B2 - 反射型マスクブランクス及び反射型マスク - Google Patents
反射型マスクブランクス及び反射型マスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP4792147B2 JP4792147B2 JP2007241562A JP2007241562A JP4792147B2 JP 4792147 B2 JP4792147 B2 JP 4792147B2 JP 2007241562 A JP2007241562 A JP 2007241562A JP 2007241562 A JP2007241562 A JP 2007241562A JP 4792147 B2 JP4792147 B2 JP 4792147B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pattern
- absorber
- absorber layer
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007241562A JP4792147B2 (ja) | 2007-09-18 | 2007-09-18 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007241562A JP4792147B2 (ja) | 2007-09-18 | 2007-09-18 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002195458A Division JP4212025B2 (ja) | 2002-07-04 | 2002-07-04 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007335908A JP2007335908A (ja) | 2007-12-27 |
| JP2007335908A5 JP2007335908A5 (enExample) | 2010-03-25 |
| JP4792147B2 true JP4792147B2 (ja) | 2011-10-12 |
Family
ID=38935010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007241562A Expired - Lifetime JP4792147B2 (ja) | 2007-09-18 | 2007-09-18 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4792147B2 (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009210802A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| WO2009116348A1 (ja) | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP2009252788A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP5067483B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| WO2010007955A1 (ja) * | 2008-07-14 | 2010-01-21 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク |
| WO2010074125A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
| JP5549264B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2014-07-16 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク、その製造方法、並びに検査方法 |
| JP5590113B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-17 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
| JP5594106B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2014-09-24 | 大日本印刷株式会社 | 反射型マスクおよびその製造方法 |
| JP5881633B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2016-03-09 | 株式会社東芝 | Euv露光用の光反射型フォトマスク及びマスクブランク、並びに半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000058830A (ja) * | 1998-05-28 | 2000-02-25 | Texas Instr Inc <Ti> | 反射防止構造体とその製造法 |
| US6316167B1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof |
| US6890448B2 (en) * | 1999-06-11 | 2005-05-10 | Shipley Company, L.L.C. | Antireflective hard mask compositions |
| JP2001110709A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡及び露光装置ならびに集積回路の製造方法。 |
| JP2001176788A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-06-29 | Hitachi Ltd | パターン形成方法および半導体装置 |
| JP4397496B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2010-01-13 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 反射型露光マスクおよびeuv露光装置 |
| JP2001326173A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | パターン形成方法 |
| JP3441711B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2003-09-02 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
| JP2002246299A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 |
| JP2003133205A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型マスク、反射型マスク製造方法及び反射型マスク洗浄方法 |
-
2007
- 2007-09-18 JP JP2007241562A patent/JP4792147B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007335908A (ja) | 2007-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4212025B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 | |
| JP4792147B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク | |
| KR101707591B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 | |
| JP4163038B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体の製造方法 | |
| US8709685B2 (en) | Reflective mask blank and method of manufacturing a reflective mask | |
| US20110281207A1 (en) | Reflective mask blank and method of manufacturing a reflective mask | |
| WO2003085709A9 (fr) | Ebauche de masque de type reflechissant et masque de type reflechissant et leurs procedes de production | |
| US8021807B2 (en) | Reflective mask blank and method of producing the same, and method of producing a reflective mask | |
| JP2021105727A (ja) | 反射型マスク、並びに反射型マスクブランク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4926521B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| TWI518445B (zh) | A reflective mask substrate and a method of manufacturing the same, and a reflection type mask | |
| JP4535270B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| US20100084375A1 (en) | Method of producing a reflective mask | |
| JP5018212B2 (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| JP5009590B2 (ja) | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 | |
| JP2004281967A (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク | |
| JP4541654B2 (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
| JP2005037798A (ja) | 反射型マスクブランクス及びその製造方法、反射型マスク、並びに反射多層膜付き基板及びその製造方法 | |
| JP2008078551A (ja) | 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク並びに半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100816 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110724 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4792147 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |