JP4789841B2 - 金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法及び同膜の成膜装置 - Google Patents
金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法及び同膜の成膜装置 Download PDFInfo
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Description
Nb−チタン酸化物の形成する方法として、一般的に、PLD法(パルスレーザー蒸着法)やNb−チタン酸化物焼結体ターゲットを用いたRF反応性スパッタリングが用いられている。
スパッタリングは蒸着に比べ、一般的に高速、且つ、安定な成膜が可能であるため、大型基材であっても、膜厚、膜質分布の確保に有利である。
しかしながら、一般的な金属ターゲットのDCマグネトロンスパッタリングでは、高速、且つ、安定な成膜が可能であるが、誘電体を含む焼結体ターゲットの場合、電荷蓄積を起こし、異常放電を発生するリスクがある。また、O2を含む反応性スパッタリングの場合、非エロージョン部に誘電膜が着膜し、電荷の蓄積が発生し、異常放電を発生させるリスクがある。
このため、RFスパッタリングが利用されているが、パワー効率が悪いために成膜速度が低いことが問題となっていた。
本発明の金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法は、請求項1に記載の通り、真空チャンバ内に、前記真空チャンバの内周面に対向して基材を移動させるための基材回動手段と、前記真空チャンバの内周面側に、第1の成膜領域と、第2の成膜領域と、酸化領域とを個別に設け、前記真空チャンバ内の真空度を1×10 −5 Pa〜1×10 −3 Paとし、前記基材回動手段の回転速度を101rpm〜250rpmとし、前記第1の成膜領域において、金属ターゲットを用いて、電圧300V〜1000V及び周波数20kHz〜100kHzの条件でACスパッタリングを行い、前記第2の成膜領域において、TiOx(xは2未満とする。以下同じ。)ターゲットを用いて、電圧200V〜800Vの条件でDCスパッタリングを行い、前記基材上に金属とチタン酸化物の混合膜を成膜し、前記酸化領域において、2000W以下の条件で酸化プラズマ源を用いて前記TiOx膜を酸化することを特徴とする。
また、請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載の金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法において、前記金属のターゲットは、Nb、Ta、V、Cr、Mo、W、Zr、Ti、Hf及びFeの遷移金属から選択された少なくとも1種の元素を含有すること特徴とする。
また、請求項3に記載の本発明は、請求項1又は2に記載の金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法において、前記混合膜を形成した前記基材に、アニール処理することを特徴とする。
第1の成膜領域においては、金属ターゲットをスパッタリングできるものであれば特にスパッタリングの方式を限定するものではない。
また、第2の成膜領域においては、チタン酸化物をスパッタリングするものであるが、その方式についても、Ti又はTiOxと酸素ガスを含有する反応ガスとの反応性スパッタリングを含み、以下に説明するスパッタリングを採用することができる。
尚、本明細書において、「領域」とは、明確に区画されたものを意味するものではなく、任意の処理を行うことができる空間を意味するものとする。
図1に示す装置30では、真空チャンバ1の略中央部には、基材回動手段として、回転自在の円筒ドラム2が配置され、その周面には、図示しないが、基材を支持するための基材ホルダが設けられている。円筒ドラム2の回転方向には、金属ターゲットをスパッタリングする領域として第1の成膜領域3、チタンやチタン酸化物(TiOx)をスパッタリングするための第2の成膜領域4及び酸化プラズマ源5を備えた酸化領域6が形成されている。
第1の成膜領域3は、成膜手段として、2台の電極からなるスパッタリングカソード7,7、AC電源8、ポンプ等を備えたAr等の反応ガス導入系9及びターゲット10,10と円筒ドラム2の間を遮断するためのシャッター11を備えている。
第1の成膜領域3において使用するターゲット10,10としては、Nb等の金属を挙げることができる。
第2の成膜領域4は、成膜手段として、スパッタリングカソード12、DC電源14、ガス導入系15及び及びターゲット13と円筒ドラム2の間を遮断するためのシャッター16を備えている。また、ターゲット13としてはTiOxを使用する。
この装置構成により、基材上の金属とチタン酸化物の混合膜は、大気開放することなく連続的に、加熱領域20にてアニール処理を行うことができる。
これにより、形成された混合膜の抵抗を下げることができる。
この装置構成により、仕込み取り出し室23から基材を入れ、搬送室21から装置30にまで基材を運び、基材上に金属とチタン酸化物の混合膜を成膜した後、成膜された基材を搬送室21を介して加熱室22まで運び、アニール処理を行う。処理された基材は、搬送室21を介して仕込取出室23まで搬送される。
これにより、成膜された基材は、大気に曝されることなく、アニール処理を行うことができる。
また、以下の条件に関しても、特に制限をするものではないが、一例を挙げるとすると下記の通りとなる。
第1の成膜領域3におけるスパッタリングの条件は、電圧を300V〜1000V程度とし、周波数を20kHz〜100kHz程度とすることができる。また、第2の成膜領域4におけるスパッタリングの条件は、RFスパッタリングの場合、電圧を50V〜500V程度とすることができる。また、ACスパッタリングの場合、電圧を300V〜1000V程度とすることができる。また、DCスパッタリングの場合、電圧は200V〜800V程度とすることができる。
また、酸化領域6において、酸化プラズマ源の電力は2000W以下程度、圧力は0.5Pa程度とすることができる。
上記図1に示す構成の装置により、Nbとチタン酸化物とをスパッタリングして薄膜を形成した。
成膜条件は、下記の通りとした。
基材は、100mm×300mm×0.7mmのガラス板を使用し、真空チャンバ2内の真空度を1.0×10-5Paとし、円筒ドラム2の回転速度を200rpmとした。第1の成膜領域3においては、放電電圧を500〜600V、周波数40kHzとして、NbターゲットをACスパッタリングした。第2の成膜領域においては、電圧を350V〜500V程度として、TiOx(X=1.986)をDCスパッタリングした。酸化領域においては、圧力を0.5Pa程度として電力1400Wとして酸化プラズマ源による酸化を行った。
成膜されたTiO2膜のシート抵抗分布は図5に示す通りとなった。基材の長手方向において、膜厚分布及びシート抵抗は均一であることが確認できた。
組成比Nb6.0%−TiO2ターゲットを、従来のRFスパッタリングによりスパッタリングしてNb6.0%−TiO2膜を形成した。
同膜のシート抵抗分布は図6に示す通りとなった。基材の長手方向において、比較的均一な膜厚分布であるにもかかわらず、グラフの両端部においてシート抵抗の増加が確認されている。また、膜組成や比抵抗は、Ar+O2圧力や残留不純物ガスレベルの変動により顕著に変化するため、再現性よく常に均一な面抵抗及び面抵抗分布を確保することはできなかった。
尚、比較例1では、RFスパッタリングを行っているため、実施例1のDCスパッタリングの場合と比べてパワー効率が悪く、成膜速度が遅いという欠点があった。
2 円筒ドラム
3 第1の成膜領域
4 第2の成膜領域
5 酸化プラズマ源
6 酸化領域
7 スパッタリングカソード(第1の成膜領域)
8 AC電源
9 Arガス導入系(第1の成膜領域)
10 ターゲット(第1の成膜領域)
11 シャッター(第1の成膜領域)
12 スパッタリングカソード(第2の成膜領域)
13 ターゲット(第2の成膜領域)
14 DC電源
15 Arガス導入系(第2の成膜領域)
16 シャッター(第2の成膜領域)
17 AC電源
18 スパッタリングカソード
19 ターゲット
20 加熱領域
21 搬送室
22 加熱室
23 仕込取出室
30 装置
Claims (3)
- 真空チャンバ内に、
前記真空チャンバの内周面に対向して基材を移動させるための基材回動手段と、
前記真空チャンバの内周面側に、第1の成膜領域と、第2の成膜領域と、酸化領域とを個別に設け、
前記真空チャンバ内の真空度を1×10 −5 Pa〜1×10 −3 Paとし、
前記基材回動手段の回転速度を101rpm〜250rpmとし、
前記第1の成膜領域において、金属ターゲットを用いて、電圧300V〜1000V及び周波数20kHz〜100kHzの条件でACスパッタリングを行い、
前記第2の成膜領域において、TiOx(xは2未満とする。以下同じ。)ターゲットを用いて、電圧200V〜800Vの条件でDCスパッタリングを行い、
前記基材上に金属とチタン酸化物の混合膜を成膜し、
前記酸化領域において、2000W以下の条件で酸化プラズマ源を用いて前記TiOx膜を酸化することを特徴とする金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法。 - 前記金属のターゲットは、Nb、Ta、V、Cr、Mo、W、Zr、Ti、Hf及びFeの遷移金属から選択された少なくとも1種の元素を含有すること特徴とする請求項1に記載の金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法。
- 前記混合膜を形成した前記基材に、アニール処理することを特徴とする請求項1又は2に記載の金属とチタン酸化物の混合膜の成膜方法。
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