JP4786914B2 - Composite wiring board structure - Google Patents

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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Description

本発明は、マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体に関するものである。   The present invention relates to a composite wiring board structure that can be mounted on a mother board.

近年、パーソナルコンピュータ、デジタル家電などの電気製品分野や、自動車分野などにおいては、製品の小型化、高機能化、高付加価値化が益々進んでいる。それに伴い、この種の製品における重要な電気的部品であるマザーボードの小型化や高密度化が望まれており、マザーボード上に実装される各種部品の小型化も同様に望まれている。このような部品としては、ICチップ等の電子部品を実装するための基板を挙げることができる(例えば、特許文献1参照)。ここで、特許文献1は、機械的強度が高いリジッド基板に接着剤を介してフレキシブル基板を貼り付けた、いわゆるリジッド・フレキ基板となっている。このリジッド・フレキ基板のフレキシブル基板側にはICチップが実装されている。
特開2004−187202号公報(図4など)
In recent years, in the field of electrical products such as personal computers and digital home appliances, and in the field of automobiles, the miniaturization, high functionality, and high added value of products have been increasing. Accordingly, miniaturization and high density of the mother board, which is an important electrical component in this type of product, are desired, and miniaturization of various components mounted on the motherboard is also desired. An example of such a component is a substrate for mounting an electronic component such as an IC chip (see, for example, Patent Document 1). Here, Patent Document 1 is a so-called rigid / flexible substrate in which a flexible substrate is attached to a rigid substrate having high mechanical strength via an adhesive. An IC chip is mounted on the flexible substrate side of the rigid flexible substrate.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-187202 (FIG. 4 etc.)

ところで、上記従来のリジッド・フレキ基板を例えばマザーボード上に実装する場合には、以下のような問題が生じる。即ち、リジッド基板をマザーボード上に実装する際には一般にはんだが使用されるが、はんだが溶融温度から常温に冷却される際には、リジッド基板とマザーボードとの熱膨張係数差に起因して実装部分に熱応力が発生する。そして、大きな熱応力が、リジッド基板とマザーボードとの界面等に作用することで、リジッド基板とマザーボードとの接合部分にクラック等が生じるおそれがある。それゆえ、リジッド基板とマザーボードとの間に高い接続信頼性を付与できなくなるという問題がある。しかも、近年ではリジッド基板が大型化する傾向にあるため、さらに大きな熱応力がリジッド基板とマザーボードとの界面等に作用することで、リジッド基板とマザーボードとの接合部分にクラックがいっそう発生しやすくなることが予想される。   By the way, when the conventional rigid-flex board is mounted on, for example, a mother board, the following problems occur. In other words, solder is generally used when mounting a rigid board on a motherboard, but when the solder is cooled from the melting temperature to room temperature, it is mounted due to the difference in thermal expansion coefficient between the rigid board and the motherboard. Thermal stress is generated in the part. And a big thermal stress acts on the interface etc. of a rigid board | substrate and a motherboard, and there exists a possibility that a crack etc. may arise in the junction part of a rigid board | substrate and a motherboard. Therefore, there is a problem that high connection reliability cannot be imparted between the rigid board and the motherboard. Moreover, in recent years, the size of the rigid substrate tends to increase, so that even greater thermal stress acts on the interface between the rigid substrate and the motherboard, and cracks are more likely to occur at the joint between the rigid substrate and the motherboard. It is expected that.

また、上記従来のリジッド・フレキ基板のフレキシブル基板上にICチップを実装する場合には、以下のような問題が生じる。即ち、ICチップをフレキシブル基板上に実装する際にも一般にはんだが使用されるが、はんだが溶融温度から常温に冷却される際に、ICチップとフレキシブル基板との熱膨張係数差に起因して熱応力が発生する。また、最近ではICチップの外形サイズが大きくなる傾向にあるが、チップサイズが大型化すると、大きな熱応力がICチップとフレキシブル基板との界面等に作用することで、チップ接合部分にクラック等が生じるおそれがある。それゆえ、リジッド・フレキ基板に必要とされる所定の信頼性を付与できなくなるという問題がある。さらに、ICチップにおける層間絶縁膜としてポーラスシリカ等のような低誘電体材料(いわゆるLow−K材)を採用した場合には、ICチップが脆くなってクラックがいっそう発生しやすくなることが予想される。   Further, when an IC chip is mounted on the flexible substrate of the conventional rigid / flexible substrate, the following problems occur. That is, solder is generally used also when mounting an IC chip on a flexible substrate, but when the solder is cooled from the melting temperature to room temperature, it is caused by the difference in thermal expansion coefficient between the IC chip and the flexible substrate. Thermal stress is generated. In addition, recently, the outer size of the IC chip tends to increase. However, when the chip size increases, a large thermal stress acts on the interface between the IC chip and the flexible substrate, so that cracks or the like are generated in the chip bonding portion. May occur. Therefore, there is a problem that the predetermined reliability required for the rigid-flexible substrate cannot be provided. Furthermore, when a low dielectric material (so-called Low-K material) such as porous silica is used as an interlayer insulating film in an IC chip, it is expected that the IC chip becomes brittle and cracks are more likely to occur. The

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性に優れた複合配線基板構造体を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a composite wiring board structure excellent in connection reliability.

そして、上記課題を解決するための手段(手段1)としては、マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、第1主面及び第2主面を有し、内部に電子部品が埋設されるリジッド基板と、前記リジッド基板の前記第1主面側に接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、前記リジッド基板の前記第2主面に接合するとともに前記電子部品に臨む接着シートと、前記リジッド基板の前記第2主面側に前記接着シートを介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板とを備え、前記リジッド基板がセラミック配線基板であるとともに、前記接着シートが耐熱性の熱可塑性樹脂によって形成され、前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする複合配線基板構造体がある。 As a means (means 1) for solving the above problems, a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard has a first main surface and a second main surface, and an electronic component is embedded therein. A rigid substrate, a first resin substrate bonded to the first main surface side of the rigid substrate and provided with an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected, and bonded to the second main surface of the rigid substrate In addition, a plurality of adhesive sheets facing the electronic component and a plurality of terminals that are joined to the second main surface side of the rigid substrate via the adhesive sheet and can be connected to a plurality of terminals of the motherboard on the non-joint surface side. A second resin substrate having external connection terminals projecting thereon, the rigid substrate is a ceramic wiring substrate, the adhesive sheet is formed of a heat-resistant thermoplastic resin, and the first resin substrate A composite wiring board structure having a Young's modulus smaller than that of the rigid substrate and a Young's modulus of the second resin substrate being smaller than that of the first resin substrate. There is.

従って、この複合配線基板構造体の場合、リジッド基板とマザーボードとの間に、リジッド基板及び第1樹脂基板よりもヤング率が小さい第2樹脂基板が介在されている。このような第2樹脂基板は、剛性が低いため、マザーボードが平面方向に熱膨張または熱収縮したときでもあっても、それに追従して弾性的にひずむ(変形する)ことができる。ゆえに、リジッド基板とマザーボードとの間に大きな熱応力が作用しなくなる。よって、たとえリジッド基板が大型であったとしても、クラック等が起こりにくい。ゆえに、複合配線基板構造体におけるリジッド基板とマザーボードとの接合部分に所定の信頼性が付与される。   Therefore, in the case of this composite wiring board structure, the second resin substrate having a Young's modulus smaller than that of the rigid substrate and the first resin substrate is interposed between the rigid substrate and the mother board. Since such a second resin substrate has low rigidity, even when the mother board is thermally expanded or contracted in the plane direction, it can be elastically distorted (deformed) following it. Therefore, a large thermal stress does not act between the rigid board and the motherboard. Therefore, even if the rigid substrate is large, cracks and the like hardly occur. Therefore, predetermined reliability is given to the joint portion between the rigid board and the mother board in the composite wiring board structure.

前記リジッド基板のヤング率は15GPa以上に設定され、前記第1樹脂基板のヤング率は1GPa以上10GPa未満に設定されることが好適である。この場合、前記第2樹脂基板のヤング率は、前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定され、具体的には1MPa以上1GPa未満に設定されることが好ましい。その理由は、ヤング率が1GPa以上であると、剛性が十分に低いとはいえず、熱応力の影響を軽減する効果が確実に得られない可能性があるからである。一方、ヤング率が1MPa未満であると、第2樹脂基板の製造時に材料の選定が困難になったり、製造が困難になったりするおそれがある。   The Young's modulus of the rigid substrate is preferably set to 15 GPa or more, and the Young's modulus of the first resin substrate is preferably set to 1 GPa or more and less than 10 GPa. In this case, the Young's modulus of the second resin substrate is set to be smaller than the Young's modulus of the first resin substrate, and specifically, preferably set to 1 MPa or more and less than 1 GPa. The reason is that if the Young's modulus is 1 GPa or more, the rigidity cannot be said to be sufficiently low, and the effect of reducing the influence of thermal stress may not be obtained with certainty. On the other hand, if the Young's modulus is less than 1 MPa, it may be difficult to select a material during manufacture of the second resin substrate, or manufacture may be difficult.

ここで「ヤング率」とは、例えばJIS R 1602に規定する弾性率試験方法による測定値をいい、より具体的には超音波パルス法による測定値をいう。超音波パルス法では、超音波パルスが試験片を伝播するときの速度に基づいて動的弾性率を測定する。   Here, “Young's modulus” refers to a measured value obtained by, for example, an elastic modulus test method defined in JIS R 1602, and more specifically, a measured value obtained by an ultrasonic pulse method. In the ultrasonic pulse method, the dynamic elastic modulus is measured based on the speed at which the ultrasonic pulse propagates through the test piece.

また、上記課題を解決するための他の手段(手段2)としては、マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、第1主面及び第2主面を有し、内部に電子部品が埋設されるリジッド基板と、前記リジッド基板の前記第1主面側に接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、前記リジッド基板の前記第2主面に接合するとともに前記電子部品に臨む接着シートと、前記リジッド基板の前記第2主面側に前記接着シートを介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板とを備え、前記リジッド基板がセラミック配線基板であるとともに、前記接着シートが耐熱性の熱可塑性樹脂によって形成され、前記第1樹脂基板の平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定され、前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されていることを特徴とする複合配線基板構造体がある。 Further, as another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, in a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard, the composite wiring board structure has a first main surface and a second main surface, and an electronic component is contained inside. An embedded rigid substrate, a first resin substrate bonded to the first main surface side of the rigid substrate and having an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected, and the second main surface of the rigid substrate And an adhesive sheet that faces the electronic component and is joined to the second main surface side of the rigid substrate via the adhesive sheet, and can be connected to a plurality of terminals of the motherboard on the non-joint surface side A plurality of external connection terminals projecting from the second resin substrate, the rigid substrate is a ceramic wiring substrate, the adhesive sheet is formed of a heat-resistant thermoplastic resin, and the first resin substrate The coefficient of thermal expansion in the plane direction is set to 30 ppm / ° C. or less, the Young's modulus of the first resin substrate is smaller than the Young's modulus of the rigid substrate, and the Young's modulus of the second resin substrate is smaller than that of the first resin substrate. There is a composite wiring board structure characterized by being set to be smaller than Young's modulus.

従って、この複合配線基板構造体の場合、平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定された第1樹脂基板がリジッド基板上に接合されている。この第1樹脂基板は熱膨張係数が比較的小さいので、素子搭載部に半導体回路素子を接続した場合には、その半導体回路素子との熱膨張係数差を小さくすることができる。このため、半導体回路素子に直接大きな熱応力が作用しなくなる。よって、たとえ半導体回路素子が大型で発熱量が多いものであったとしても、クラック等が起こりにくい。ゆえに、複合配線基板構造体における半導体回路素子の接合部分に所定の信頼性が付与される。   Therefore, in the case of this composite wiring board structure, the first resin substrate whose coefficient of thermal expansion in the plane direction is set to 30 ppm / ° C. or less is bonded onto the rigid substrate. Since the first resin substrate has a relatively small thermal expansion coefficient, when a semiconductor circuit element is connected to the element mounting portion, the difference in thermal expansion coefficient with the semiconductor circuit element can be reduced. For this reason, a large thermal stress does not act directly on the semiconductor circuit element. Therefore, even if the semiconductor circuit element is large and generates a large amount of heat, cracks and the like are unlikely to occur. Therefore, predetermined reliability is given to the joint portion of the semiconductor circuit element in the composite wiring board structure.

また、前記第1樹脂基板の平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定さ、前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されていこのため、半導体回路素子に大きな熱応力が作用しなくなるだけでなく、リジッド基板とマザーボードとの間にも大きな熱応力が作用しなくなる。よって、いっそう接続信頼性に優れた複合配線基板構造体とすることができる。 Further, the thermal expansion coefficient in the plane direction of the first resin substrate is set below 30 ppm / ° C., the first resin substrate Young's modulus is smaller than the Young's modulus of the rigid substrate, the Young's of the second resin substrate the rate is it is configured to be smaller than the Young's modulus of the first resin substrate. For this reason , not only a large thermal stress does not act on the semiconductor circuit element, but also a large thermal stress does not act between the rigid substrate and the mother board. Therefore, it can be set as the composite wiring board structure excellent in connection reliability.

手段1、手段2にかかる複合配線基板構造体が実装されるマザーボードの形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。前記マザーボードとしては、例えば、樹脂製のもの、セラミック製のもの、金属製のものなどが挙げられる。特に、前記マザーボードは、コスト性の観点から樹脂製であることが好ましい。   The material for forming the motherboard on which the composite wiring board structure according to the means 1 and the means 2 is mounted is not particularly limited and can be appropriately selected in consideration of cost, workability, insulation, mechanical strength, and the like. . Examples of the mother board include a resin one, a ceramic one, and a metal one. In particular, the mother board is preferably made of resin from the viewpoint of cost.

手段1、手段2にかかる複合配線基板構造体に実装されるべき半導体回路素子とは、半導体集積回路素子のほか、半導体製造プロセスで製造されたMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子等が挙げられる。半導体集積回路素子の例としては、熱膨張係数が2.6ppm/℃程度のシリコンからなる半導体集積回路チップ(ICチップ)などを挙げることができる。また、MEMS素子とは、半導体IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術により製造される微細回路素子をいい、通常シリコンを主体とするものである。さらに、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術により製造されるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ及び制御回路を集積化した微細システムの総称である。なお、前記半導体回路素子の大きさ及び形状は特に限定されず、例えば一辺の大きさが10mm以上であってもよい。このような大型の半導体回路素子になると、発熱量も増大しやすく熱応力の影響も次第に大きくなるため、本願発明の課題が発生しやすくなり、とりわけ手段2等の構成を採用することが有意義となる。また、前記半導体回路素子は、ポーラスな層を表層部に有していることがよい。このような半導体回路素子の場合、脆いポーラス層にクラックが起こりやすく、本願発明の課題が発生しやすくなる。この場合についても手段2等の構成を採用することが有意義となる。   Examples of the semiconductor circuit element to be mounted on the composite wiring board structure according to the means 1 and 2 include a semiconductor integrated circuit element, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) element manufactured by a semiconductor manufacturing process, and the like. Examples of the semiconductor integrated circuit element include a semiconductor integrated circuit chip (IC chip) made of silicon having a thermal expansion coefficient of about 2.6 ppm / ° C. The MEMS element refers to a fine circuit element manufactured by a micromachining technique based on a semiconductor IC manufacturing process, and is usually composed mainly of silicon. Furthermore, MEMS is a general term for a micro system in which micro-sized sensors, actuators, and control circuits manufactured by a micromachining technology based on an IC manufacturing process are integrated. The size and shape of the semiconductor circuit element are not particularly limited, and for example, the size of one side may be 10 mm or more. In such a large-sized semiconductor circuit element, the amount of heat generation tends to increase and the influence of thermal stress gradually increases, so the problem of the present invention is likely to occur, and it is particularly meaningful to adopt the configuration of the means 2 and the like. Become. The semiconductor circuit element preferably has a porous layer in a surface layer portion. In the case of such a semiconductor circuit element, cracks are likely to occur in the brittle porous layer, and the problem of the present invention is likely to occur. Also in this case, it is meaningful to adopt the configuration of the means 2 or the like.

前記リジッド基板としては、平面方向(XY方向)における熱膨張係数が12ppm/℃以下に設定されているものが使用されることが好ましい。このようにすることで、リジッド基板と半導体回路素子との熱膨張係数差を小さくすることができるため、リジッド基板と半導体回路素子との間に作用する熱応力をよりいっそう小さくすることができる。ゆえに、複合配線基板構造体におけるリジッド基板と半導体回路素子との接合部分の信頼性がより高くなる。   As the rigid substrate, it is preferable to use a substrate whose coefficient of thermal expansion in the plane direction (XY direction) is set to 12 ppm / ° C. or less. By doing so, the difference in thermal expansion coefficient between the rigid substrate and the semiconductor circuit element can be reduced, so that the thermal stress acting between the rigid substrate and the semiconductor circuit element can be further reduced. Therefore, the reliability of the joint portion between the rigid board and the semiconductor circuit element in the composite wiring board structure is further increased.

なお、リジッド基板は、配線層などが設けられたリジッド配線基板であ。このため、配線層を有しない単なる基板である場合に比べて、内部に回路を構成すること等が可能となり、付加価値を高めることができ。また、平面方向における熱膨張係数が12ppm/℃以下であって、ヤング率が15GPa以上であって、セラミック配線基板であるという条件を満たしていれば、リジッド基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。なお、前記リジッド基板は、セラミック配線基板であ。セラミックは剛性に優れるため、複合配線基板構造体の機械的強度を高くすることができ。また、セラミックは放熱性に優れるため、複合配線基板構造体に発熱部品を実装した場合であっても、その熱を効率よく放散することができ。しかも、セラミック材料は一般的に金属や樹脂に比べて熱膨張係数が低いため、リジッド基板の材料として好である。前記セラミック配線基板の具体例としては、例えば、アルミナ配線基板、窒化アルミニウム配線基板、ベリリア配線基板、ガラスセラミック配線基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる配線基板などがあるが、これらに限ることはない。 Incidentally, the rigid substrate, Ru rigid wiring board der the like wiring layer is provided. Therefore, compared to the case not having a mere substrate a wiring layer, it is possible such as to constitute a circuit therein, Ru can be provided with a higher added value. Also, there is less thermal expansion coefficient of 12 ppm / ° C. in the planar direction, the Young's modulus I der least 15 GPa, if they meet the condition that Ru ceramic wiring substrate der, especially material for forming the rigid board Limited However, it can be appropriately selected in consideration of cost, workability, insulation, mechanical strength, and the like . Incidentally, the rigid substrate, Ru ceramic wiring substrate der. Ceramic is excellent in rigidity, Ru can be higher mechanical strength of the composite wiring board structure. Further, since the ceramic has excellent heat dissipation, even when mounting the heat generating component to the interconnect board structure, Ru can dissipate the heat efficiently. Moreover, the ceramic material for generally lower thermal expansion coefficient than the metal and a resin, a good suitable as the material of the rigid substrate. Specific examples of the ceramic wiring board include, but are not limited to, an alumina wiring board, an aluminum nitride wiring board, a beryllia wiring board, a glass ceramic wiring board, and a wiring board made of a low-temperature fired material such as crystallized glass. There is nothing.

ここで「熱膨張係数」とは、一般的に室温〜ガラス転移温度(Tg)の間のTMA(熱機械分析装置)にて測定した値のことをいう。「TMA」とは、熱機械的分析をいい、例えばJPCA−BU01に規定されるものをいう。   Here, “thermal expansion coefficient” generally refers to a value measured by TMA (thermomechanical analyzer) between room temperature and glass transition temperature (Tg). “TMA” refers to thermomechanical analysis, such as that defined in JPCA-BU01.

また、前記リジッド配線基板は、前記半導体回路素子の動作性向上に関与する受動部品を有することが好ましく、例えば半導体回路素子に供給すべき電源を安定化させるための受動部品を有することが好ましい。この種の受動部品の具体例としては、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、コイルなどを挙げることができる。ここに列挙した受動部品は、リジッド配線基板の表面に実装されていてもよく、内蔵されていてもよい。また、リジッド配線基板は、前記半導体回路素子の動作性向上に関与する受動部品としての「機能」を有していてもよく、例えば半導体回路素子に供給すべき電源を安定化させるための受動部品としての「機能」を有していてもよい。その具体例を挙げると、リジッド配線基板自体がかかる受動部品の機能(例えばキャパシタ機能)を有したものとして成立していてもよい。   The rigid wiring board preferably has passive components involved in improving the operability of the semiconductor circuit element. For example, the rigid wiring board preferably has passive components for stabilizing the power to be supplied to the semiconductor circuit element. Specific examples of this type of passive component include a diode, a resistor, an inductor, a capacitor, and a coil. The passive components listed here may be mounted on the surface of the rigid wiring board or may be built in. The rigid wiring board may have a “function” as a passive component involved in improving the operability of the semiconductor circuit element. For example, a passive component for stabilizing a power supply to be supplied to the semiconductor circuit element It may have a “function”. As a specific example, the rigid wiring board itself may be established as having such a passive component function (for example, a capacitor function).

なお、前記第1樹脂基板においては、前記リジッド基板との非接合面側に、半導体回路素子がフリップチップ接続可能な素子搭載部が設定されている。この構成の利点は、例えば第1樹脂基板が低剛性であったとしても、リジッド基板が高剛性であることから接続信頼性を維持しやすくなることである。なお、このような素子搭載部は、第1樹脂基板上に1つのみ設定されていてもよいが、複数設定されていてもよい。また、平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下の樹脂であるという条件を満たしていれば、第1樹脂基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。   In the first resin substrate, an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be flip-chip connected is set on the non-joint surface side with the rigid substrate. An advantage of this configuration is that, for example, even if the first resin substrate has low rigidity, the rigid reliability of the rigid substrate makes it easy to maintain connection reliability. Note that only one such element mounting portion may be set on the first resin substrate, but a plurality of element mounting portions may be set. In addition, the material for forming the first resin substrate is not particularly limited as long as it satisfies the condition that the coefficient of thermal expansion in the plane direction is 30 ppm / ° C. or less, and the cost, workability, insulation, mechanical properties are not particularly limited. It can be appropriately selected in consideration of strength and the like.

前記第1樹脂基板は、樹脂材料を主体として構成されたフレキシブル配線基板であることが好ましい。このような配線基板であれば、微細な配線層を比較的簡単にかつ正確に形成することができ、端子数の非常に多い半導体回路素子をフリップチップ実装可能な素子搭載部を容易に形成することができる。即ち、このような配線基板は半導体回路素子実装用の基板として適している。また、比較的薄く形成できるため、複合配線基板構造体を厚み方向(Z方向)に小型化することができる。さらに、リジッド基板がセラミック基板であることから、それよりも大きく形成しやすいため、セラミック基板から張り出させてその張り出し部分にさらに別の構造物を実装することもできる。加えて、張り出し部分を所定箇所で折り曲げて使用することもできる。 The first resin substrate is preferably a flexible wiring substrate mainly composed of a resin material. With such a wiring board, a fine wiring layer can be formed relatively easily and accurately, and an element mounting portion on which a semiconductor circuit element having a very large number of terminals can be flip-chip mounted is easily formed. be able to. That is, such a wiring board is suitable as a board for mounting a semiconductor circuit element. Moreover, since it can be formed relatively thin, the composite wiring board structure can be downsized in the thickness direction (Z direction). Furthermore, since the rigid substrate is a ceramic substrate, it can be easily formed larger than that. Therefore, another structure can be mounted on the projecting portion by projecting from the ceramic substrate. In addition, the overhanging portion can be bent at a predetermined location for use.

第1樹脂基板の具体例としては、PI樹脂(ポリイミド樹脂)基板、EP樹脂(エポキシ樹脂)基板、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)基板、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。   Specific examples of the first resin substrate include a PI resin (polyimide resin) substrate, an EP resin (epoxy resin) substrate, a BT resin (bismaleimide-triazine resin) substrate, and a PPE resin (polyphenylene ether resin) substrate. In addition, a substrate made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Alternatively, a substrate made of a resin-resin composite material obtained by impregnating a thermosetting resin such as an epoxy resin with a three-dimensional network fluorine-based resin base material such as continuous porous PTFE may be used.

また、前記第1樹脂基板であるフレキシブル配線基板は、前記リジッド基板の平面方向に張り出した部分を有し、その張り出した部分には複数種類の電子部品を含んで構成された回路からなる機能モジュールとして成立するモジュール配線基板が1つまたは2つ以上接合されていてもよい。このような構成であると、1つのシステム化された複合配線基板構造体(いわゆるシステム・イン・パッケージ:SIP)を実現しやすくなり、付加価値も高くなる。なお、機能モジュールは、MEMS等の機能部材を含むことも可能である。機能モジュールの具体例としては、無線通信機能を有するRFモジュールや、電源電圧を制御する機能などを有する電源モジュールなどを挙げることができる。機能モジュールを構成する電子部品の具体例としては、チップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップキャパシタ、チップコイル、MEMS素子などがある。これらの電子部品は基本的に能動部品であっても受動部品であってもよく、モジュールが実現すべき機能の内容に応じて適宜選択される。なお、モジュール配線基板は、フレキシブル配線基板における屈曲予定箇所を避けて接合されていることがよい。このように構成すれば、たとえフレキシブル配線基板を屈曲させて使用するような場合であっても、機能モジュールの接合箇所に大きな変形が生じるような事態を回避でき、当該箇所の接続信頼性の低下を防止することができる。   In addition, the flexible wiring board as the first resin substrate has a portion protruding in the planar direction of the rigid substrate, and the protruding module includes a circuit configured to include a plurality of types of electronic components. One or two or more module wiring boards may be joined. With such a configuration, it becomes easy to realize one systemized composite wiring board structure (so-called system-in-package: SIP), and the added value is also increased. The functional module can also include a functional member such as MEMS. Specific examples of the functional module include an RF module having a wireless communication function, a power supply module having a function of controlling a power supply voltage, and the like. Specific examples of the electronic components constituting the functional module include a chip transistor, a chip diode, a chip resistor, a chip capacitor, a chip coil, and a MEMS element. These electronic components may basically be active components or passive components, and are appropriately selected according to the contents of functions to be realized by the module. In addition, it is preferable that the module wiring board is bonded so as to avoid a planned bending portion in the flexible wiring board. With this configuration, even when the flexible wiring board is bent and used, it is possible to avoid a situation in which a large deformation occurs at the joint portion of the functional module, and the connection reliability of the portion is reduced. Can be prevented.

また、前記第2樹脂基板は、樹脂材料を主体として構成されているという条件を満たしていればよく、使用する樹脂材料の種類等は特に限定されない。   The second resin substrate only needs to satisfy the condition that the second resin substrate is mainly composed of a resin material, and the type of the resin material to be used is not particularly limited.

第2樹脂基板の具体例としては、EP樹脂(エポキシ樹脂)基板、PI樹脂(ポリイミド樹脂)基板、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)基板、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。   Specific examples of the second resin substrate include an EP resin (epoxy resin) substrate, a PI resin (polyimide resin) substrate, a BT resin (bismaleimide-triazine resin) substrate, and a PPE resin (polyphenylene ether resin) substrate. In addition, a substrate made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Alternatively, a substrate made of a resin-resin composite material obtained by impregnating a thermosetting resin such as an epoxy resin with a three-dimensional network fluorine-based resin base material such as continuous porous PTFE may be used.

なお、前記第1樹脂基板は、その内部に前記リジッド基板の導体部に対して電気的に接続される導体部を有し、前記第2樹脂基板は、その内部に前記リジッド基板の導体部と前記複数の外部接続端子とを電気的に接続する導体部を有することが好ましい。このようにすれば、第1樹脂基板−リジッド基板−第2樹脂基板−マザーボード間での確実な導通を図ることができる。これら導体部は、例えば導電性金属により形成される。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される1種または2種以上の金属を挙げることができる。2種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。2種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ(例えば、Sn−Ag系はんだ、Sn−Ag−Cu系はんだ、Sn−Ag−Bi系はんだ、Sn−Ag−Bi−Cu系はんだ、Sn−Zn系はんだ、Sn−Zn−Bi系はんだ等)を用いても勿論よい。   The first resin substrate has a conductor portion electrically connected to a conductor portion of the rigid substrate therein, and the second resin substrate includes a conductor portion of the rigid substrate therein. It is preferable to have a conductor portion that electrically connects the plurality of external connection terminals. In this way, reliable conduction between the first resin substrate, the rigid substrate, the second resin substrate, and the mother board can be achieved. These conductor portions are formed of, for example, a conductive metal. Although it does not specifically limit as said conductive metal, For example, 1 type, or 2 or more types of metals selected from copper, gold | metal | money, silver, platinum, palladium, nickel, tin, lead, titanium, tungsten, molybdenum, tantalum, niobium etc. Can be mentioned. Examples of the conductive metal composed of two or more metals include solder that is an alloy of tin and lead. Lead-free solder (for example, Sn-Ag solder, Sn-Ag-Cu solder, Sn-Ag-Bi solder, Sn-Ag-Bi-Cu solder) as a conductive metal composed of two or more metals Of course, Sn—Zn solder, Sn—Zn—Bi solder, etc.) may be used.

手段1,手段2に記載の複合配線基板構造体を比較的簡単にかつ確実に製造するための好ましい方法(手段3)としては、前記リジッド基板、前記第1樹脂基板及び前記第2樹脂基板を個別に作製する個別作製工程と、前記リジッド基板の前記第1主面側に前記第1樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第1樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第1主面側接合工程と、前記リジッド基板の前記第2主面側に前記第2樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第2樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第2主面側接合工程とを含むことを特徴とする複合配線基板構造体の製造方法がある。   As a preferable method (means 3) for relatively easily and reliably manufacturing the composite wiring board structure described in means 1 and means 2, the rigid substrate, the first resin substrate, and the second resin substrate are used. An individual manufacturing step of individually manufacturing and joining the first resin substrate to the first main surface side of the rigid substrate, and at that time, the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the first resin substrate are mutually connected A first main surface side joining step for electrical connection, and joining the second resin substrate to the second main surface side of the rigid substrate, and at that time, the conductor portion of the rigid substrate and the second resin substrate And a second principal surface side joining step for electrically connecting the conductor portions to each other.

以下、手段3に記載の複合配線基板構造体の製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the composite wiring board structure described in the means 3 will be described.

まず、個別作製工程を実施して、リジッド基板、第1樹脂基板及び第2樹脂基板を個別に作製する。   First, an individual manufacturing process is performed to individually manufacture a rigid substrate, a first resin substrate, and a second resin substrate.

個別作製工程におけるリジッド基板の作製は、従来周知の手法に従って行われる。例えば、リジッド基板がセラミック基板であるような場合には、リジッド基板用基材であるセラミックグリーンシートを用意し、そのセラミックグリーンシートの所定位置に、両面を貫通するビア孔を形成する。さらに、各ビア孔内に、金属を含む導電性ペーストを充填して導体部を形成するとともに、必要に応じてシート表面にも導電性ペーストを印刷する。そして、所定温度で焼成することにより、セラミック及び金属を焼結させて所定のセラミック基板とする。なお、セラミック多層基板の場合には、例えば導電性ペーストの充填・印刷を行ったセラミックグリーンシートを複数枚積層して圧着した後、焼成を行うようにする。   The production of the rigid substrate in the individual production process is performed according to a conventionally known method. For example, when the rigid substrate is a ceramic substrate, a ceramic green sheet as a rigid substrate base material is prepared, and via holes penetrating both surfaces are formed at predetermined positions of the ceramic green sheet. Furthermore, each via hole is filled with a conductive paste containing metal to form a conductor portion, and if necessary, the conductive paste is also printed on the sheet surface. Then, by firing at a predetermined temperature, the ceramic and the metal are sintered to obtain a predetermined ceramic substrate. In the case of a ceramic multilayer substrate, for example, a plurality of ceramic green sheets filled and printed with a conductive paste are stacked and pressure-bonded, and then fired.

個別作製工程における第1樹脂基板の作製も第2樹脂基板の作製も、基本的には従来周知の手法に従って行われる。具体的にいうと、例えば、片面または両面に銅箔を有する銅張積層板を基材とし、その両面を貫通するビア孔を形成する。さらに、各ビア孔内に導電性金属ペーストの充填または銅めっき等の手法により導体部を形成した後、表面の銅箔をエッチングして配線層などをパターニングする。   The production of the first resin substrate and the production of the second resin substrate in the individual production process are basically performed according to conventionally known methods. Specifically, for example, a copper-clad laminate having a copper foil on one side or both sides is used as a base material, and via holes penetrating both sides are formed. Further, after a conductor portion is formed in each via hole by a method such as filling with a conductive metal paste or copper plating, the copper foil on the surface is etched to pattern a wiring layer or the like.

なお、第2樹脂基板については下記のようにして作製してもよい。例えば、第2樹脂基板用基材に対して孔あけ加工を行い、第2樹脂基板用基材を貫通するビア孔を所定位置にあらかじめ形成するビア孔形成工程を行う。そして、ビア孔内に導体部となる材料を充填する充填工程を行った後、第2樹脂基板用基材に配線層を形成する配線層形成工程を行う。なお、配線層形成工程を最初に行い、次にビア孔形成工程を行った後、充填工程を行うようにしてもよい。   The second resin substrate may be manufactured as follows. For example, a drilling process is performed on the second resin substrate base material, and a via hole forming step is performed in which a via hole penetrating the second resin substrate base material is formed in advance at a predetermined position. And after performing the filling process which fills the material used as a conductor part in a via hole, the wiring layer formation process which forms a wiring layer in the base material for 2nd resin substrates is performed. Note that the filling step may be performed after the wiring layer forming step is performed first and then the via hole forming step is performed.

また、第2樹脂基板を作製する際において、配線層を多層化するようにしてもよい。例えば、配線層が形成された第2樹脂基板用基材に対して新たに第2樹脂基板用基材を積層する積層工程を行った後、積層した第2樹脂基板用基材に対してビア孔形成工程及び充填工程を行うようにする。つまり、積層工程、ビア孔形成工程及び充填工程を繰り返すことにより、配線層を多層化するようにしてもよい。   Further, when the second resin substrate is manufactured, the wiring layer may be multilayered. For example, after performing a laminating process of newly laminating the second resin substrate base material on the second resin substrate base material on which the wiring layer is formed, vias are formed on the laminated second resin substrate base material. A hole forming step and a filling step are performed. That is, the wiring layer may be multilayered by repeating the lamination process, the via hole forming process, and the filling process.

第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施する前には、電気検査工程を実施し、リジッド基板、第1樹脂基板及び第2樹脂基板の電気検査を個別に行っておくことが好ましい。このようにすれば、接合前に不良品を発見してそれを事前に除去することができるため、電気検査に合格したリジッド基板、第1樹脂基板及び第2樹脂基板のみを接合して複合配線基板構造体を構成することができる。従って、複合配線基板構造体が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。   Before performing the first main surface side bonding step and the second main surface side bonding step, the electric inspection step is performed, and the electric inspection of the rigid substrate, the first resin substrate, and the second resin substrate is individually performed. It is preferable. In this way, since defective products can be found and removed in advance before bonding, only the rigid board, the first resin board, and the second resin board that have passed the electrical inspection are bonded to form a composite wiring. A substrate structure can be constructed. Therefore, the probability that the composite wiring board structure becomes a defective product is reduced, leading to an improvement in yield.

次に、第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施する。この場合、第1主面側接合工程後に第2主面側接合工程を実施してもよく、第2主面側接合工程後に第1主面側接合工程を実施してもよいが、両接合工程を同時に実施することがよい。同時に接合すれば工数が少なくなり、生産効率の向上及び製造コストの低減が達成しやすくなるからである。   Next, a 1st main surface side joining process and a 2nd main surface side joining process are implemented. In this case, the second main surface side bonding step may be performed after the first main surface side bonding step, and the first main surface side bonding step may be performed after the second main surface side bonding step. It is preferable to carry out the steps simultaneously. This is because the number of man-hours can be reduced if the bonding is performed at the same time, and it becomes easy to achieve improvement in production efficiency and reduction in manufacturing cost.

第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施する場合には、あらかじめ所定の位置決め工程を実施することが好ましい。即ち、第1主面側接合工程においては、リジッド基板が第1主面側に有する複数の導体部と、第1樹脂基板の有する複数の導体部とを対応させて配置する。また、第2主面側接合工程においては、リジッド基板が第2主面側に有する複数の導体部と、第2樹脂基板の有する複数の導体部とを対応させて配置する。   When the first main surface side joining step and the second main surface side joining step are performed, it is preferable to perform a predetermined positioning step in advance. That is, in the first main surface side joining step, the plurality of conductor portions that the rigid substrate has on the first main surface side and the plurality of conductor portions that the first resin substrate has are arranged in correspondence with each other. Further, in the second main surface side joining step, the plurality of conductor portions that the rigid substrate has on the second main surface side and the plurality of conductor portions that the second resin substrate has are arranged in correspondence with each other.

第1主面側接合工程では、リジッド基板と第1樹脂基板との界面に必要に応じて接着材を配置して積層する。接着材を配置した場合、前記リジッド基板の導体部と前記第1樹脂基板の導体部とが前記接着材の導体部を介して配置される。そして、この状態で例えば加熱を行いながら積層方向に押圧力を加える。その結果、リジッド基板の第1主面側と第1樹脂基板とが接合される。また、第2主面側接合工程では、リジッド基板と第2樹脂基板との界面に必要に応じて接着材を配置して積層する。接着材を配置した場合、前記リジッド基板の導体部と前記第2樹脂基板の導体部とが前記接着材の導体部を介して配置される。そして、この状態で例えば加熱を行いながら積層方向に押圧力を加える。その結果、リジッド基板の第2主面側と第2樹脂基板とが接合される。なお、このときの加熱温度は、基板材料として使用する樹脂の種類、使用する接着材の種類、接着材の硬化度などに応じて適宜設定される。   In the first main surface side bonding step, an adhesive is disposed and laminated as necessary at the interface between the rigid substrate and the first resin substrate. When the adhesive is disposed, the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the first resin substrate are disposed via the conductor portion of the adhesive material. In this state, for example, a pressing force is applied in the stacking direction while heating. As a result, the first main surface side of the rigid substrate and the first resin substrate are bonded. Further, in the second main surface side bonding step, an adhesive is disposed and laminated as necessary at the interface between the rigid substrate and the second resin substrate. When the adhesive is disposed, the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the second resin substrate are disposed via the conductor portion of the adhesive material. In this state, for example, a pressing force is applied in the stacking direction while heating. As a result, the second main surface side of the rigid substrate and the second resin substrate are bonded. The heating temperature at this time is appropriately set according to the type of resin used as the substrate material, the type of adhesive used, the degree of cure of the adhesive, and the like.

この場合において好適な接着材としては、例えば絶縁性接着樹脂材料を用いて構成された接着シートを挙げることができる。また、接着シートにおける絶縁性接着材料としては、例えば液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどが好適である。このような耐熱性の材料を使用すれば、高温での接続信頼性などに優れた複合配線基板構造体を実現しやすくなるからである。なお、前記接着シートはその表裏を導通させる導体部を有していることがよい。その理由は、接着シート内に導通部があると、それを介してリジッド基板の導体部及び第1樹脂基板(または第2樹脂基板)の導体部とを確実に接続しやすくなるからである。具体的には、前記接着シートは、シート第1主面と、シート第2主面と、前記シート第1主面側及び前記シート第2主面側を連通させるビア孔内に設けられた導体柱とを有していることが好ましい。   In this case, as a suitable adhesive material, for example, an adhesive sheet formed using an insulating adhesive resin material can be exemplified. Moreover, as the insulating adhesive material in the adhesive sheet, for example, liquid crystal polymer, thermoplastic polyimide, polyetheretherketone, and the like are suitable. By using such a heat resistant material, it becomes easy to realize a composite wiring board structure excellent in connection reliability at a high temperature. In addition, it is preferable that the said adhesive sheet has a conductor part which conducts the front and back. The reason is that if there is a conducting portion in the adhesive sheet, it becomes easy to reliably connect the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the first resin substrate (or the second resin substrate) through the conductive portion. Specifically, the adhesive sheet includes a sheet first main surface, a sheet second main surface, and a conductor provided in a via hole that communicates the sheet first main surface side and the sheet second main surface side. It is preferable to have a pillar.

[第1実施形態] [First Embodiment]

以下、本発明を具体化した第1実施形態を図1〜図6に基づき詳細に説明する。図1は、セラミック配線基板(リジッド基板)31、フレキシブル配線基板(第1樹脂基板)51及び樹脂配線基板(第2樹脂基板)41などからなる本実施形態の複合配線基板構造体11を示す概略断面図である。図2は、複合配線基板構造体11の構成を示す分解断面図である。図3〜図5は、接着シート61,71を作製するときの状態を示す概略断面図である。図6は、セラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41を互いに接合するときの様子を示す概略断面図である。   Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic diagram showing a composite wiring board structure 11 of this embodiment including a ceramic wiring board (rigid board) 31, a flexible wiring board (first resin board) 51, a resin wiring board (second resin board) 41, and the like. It is sectional drawing. FIG. 2 is an exploded cross-sectional view showing the configuration of the composite wiring board structure 11. 3 to 5 are schematic cross-sectional views showing a state when the adhesive sheets 61 and 71 are produced. FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the ceramic wiring board 31, the flexible wiring board 51, and the resin wiring board 41 are joined together.

図1に示されるように、本実施形態の複合配線基板構造体11は、マザーボード81上に実装可能になっており、セラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41からなるBGA(ボールグリッドアレイ)である。なお、複合配線基板構造体11の形態は、BGAのみに限定されず、例えばLGA(ランドグリッドアレイ)やPGA(ピングリッドアレイ)等であってもよい。なお、本実施形態におけるマザーボード81はエポキシ樹脂とガラス繊維とからなる、いわゆるガラスエポキシ基板であって、その平面方向における熱膨張係数は約16ppm/℃である。   As shown in FIG. 1, the composite wiring board structure 11 of the present embodiment can be mounted on a motherboard 81, and is a BGA (ball ball) composed of a ceramic wiring board 31, a flexible wiring board 51, and a resin wiring board 41. Grid array). The form of the composite wiring board structure 11 is not limited to BGA alone, and may be, for example, LGA (land grid array), PGA (pin grid array), or the like. The motherboard 81 in the present embodiment is a so-called glass epoxy substrate made of epoxy resin and glass fiber, and has a thermal expansion coefficient of about 16 ppm / ° C. in the plane direction.

図1,図2に示されるセラミック配線基板31は、上面32(第1主面)及び下面33(第2主面)を有している。セラミック配線基板31は、複数のセラミック層30と複数の配線層(図示略)とを交互に積層した構造を有している。また、セラミック配線基板31には、上面32及び下面33を貫通する複数のビア孔34が格子状に形成されている。そして、かかるビア孔34内には、タングステンを主材料とするビア導体35(導体部)が設けられている。各ビア導体35の上端面にはタングステンからなる上側端子電極36が設けられ、各ビア導体35の下端面にはタングステンからなる下側端子電極37が設けられている。なお、本実施形態において、セラミック配線基板31はアルミナ焼結体により形成された基板である。セラミック配線基板31の平面方向における熱膨張係数は約7.6ppm/℃、ヤング率は約310GPaである。   1 and 2 has an upper surface 32 (first main surface) and a lower surface 33 (second main surface). The ceramic wiring board 31 has a structure in which a plurality of ceramic layers 30 and a plurality of wiring layers (not shown) are alternately stacked. In addition, a plurality of via holes 34 penetrating the upper surface 32 and the lower surface 33 are formed in the ceramic wiring substrate 31 in a lattice shape. In the via hole 34, a via conductor 35 (conductor portion) mainly made of tungsten is provided. An upper terminal electrode 36 made of tungsten is provided on the upper end surface of each via conductor 35, and a lower terminal electrode 37 made of tungsten is provided on the lower end surface of each via conductor 35. In the present embodiment, the ceramic wiring substrate 31 is a substrate formed of an alumina sintered body. The thermal expansion coefficient in the plane direction of the ceramic wiring substrate 31 is about 7.6 ppm / ° C., and the Young's modulus is about 310 GPa.

図1に示されるように、本実施形態のセラミック配線基板31には、下面33にて開口する略矩形状の凹部が形成されている。この凹部内の奥側には、板状をなすキャパシタ131(受動部品)が配置されている。このキャパシタ131は、接着剤により凹部内に固定されている。キャパシタ131の図示しないビア導体は、セラミック配線基板31における電源用のビア導体と電気的に接続されている。このキャパシタ131は、ノイズを除去してICチップ21に供給すべき電源を安定化させる機能を有している。また、凹部の開口部付近には、板状をなすメモリIC132が接着剤により固定されている。メモリIC132の図示しない接続端子は、セラミック配線基板31におけるビア導体と電気的に接続されている。このようにすれば、メモリIC132と、複合配線基板構造体11の上面に搭載されたICチップ21とを繋ぐ配線長が短縮されるため、高速でデータの伝送を行うのに好適となる。   As shown in FIG. 1, the ceramic wiring substrate 31 of the present embodiment is formed with a substantially rectangular recess opening at the lower surface 33. A plate-like capacitor 131 (passive component) is disposed on the back side in the recess. The capacitor 131 is fixed in the recess by an adhesive. A via conductor (not shown) of the capacitor 131 is electrically connected to a power supply via conductor in the ceramic wiring substrate 31. The capacitor 131 has a function of stabilizing the power to be supplied to the IC chip 21 by removing noise. A plate-shaped memory IC 132 is fixed near the opening of the recess by an adhesive. A connection terminal (not shown) of the memory IC 132 is electrically connected to a via conductor in the ceramic wiring substrate 31. In this way, the wiring length connecting the memory IC 132 and the IC chip 21 mounted on the upper surface of the composite wiring board structure 11 is shortened, which is suitable for high-speed data transmission.

図1,図2に示されるように、前記フレキシブル配線基板51は、厚さ20μm程度の耐熱性ポリイミドを主体として形成された樹脂製基板からなる。本実施形態において、かかる樹脂製基板の平面方向における熱膨張係数は約17ppm/℃、ヤング率は約6.5GPaである。即ち、フレキシブル配線基板51の平面方向における熱膨張係数は、セラミック配線基板31の平面方向における熱膨張係数よりも大きな値となっている。つまり、本実施形態のフレキシブル配線基板51は、セラミック配線基板31よりも高い熱膨張性を有している。フレキシブル配線基板51のヤング率は、セラミック配線基板31のヤング率よりもかなり低くなっている。よって、本実施形態のセラミック配線基板31は、極めて高い剛性を有している。   As shown in FIGS. 1 and 2, the flexible wiring substrate 51 is made of a resin substrate formed mainly of heat-resistant polyimide having a thickness of about 20 μm. In this embodiment, the thermal expansion coefficient in the plane direction of the resin substrate is about 17 ppm / ° C., and the Young's modulus is about 6.5 GPa. That is, the thermal expansion coefficient in the planar direction of the flexible wiring board 51 is larger than the thermal expansion coefficient in the planar direction of the ceramic wiring board 31. That is, the flexible wiring board 51 of this embodiment has a higher thermal expansion than the ceramic wiring board 31. The Young's modulus of the flexible wiring board 51 is considerably lower than the Young's modulus of the ceramic wiring board 31. Therefore, the ceramic wiring board 31 of this embodiment has extremely high rigidity.

また、フレキシブル配線基板51は、上面52及び下面53を有している。フレキシブル配線基板51には、上面52及び下面53を貫通する複数のビア導体57(導体部)が設けられている。各ビア導体57の上端面には上面側配線層54が設けられ、各ビア導体57の下端面には下面側配線層55が設けられている。なお、便宜上図示していないが、フレキシブル配線基板51の上面52側及び下面53側はカバーレイによって覆われている。また、フレキシブル配線基板51は、接着シート61(接着材)を介してセラミック配線基板31の上面32側に接合されている。   The flexible wiring board 51 has an upper surface 52 and a lower surface 53. The flexible wiring substrate 51 is provided with a plurality of via conductors 57 (conductor portions) that penetrate the upper surface 52 and the lower surface 53. An upper surface side wiring layer 54 is provided on the upper end surface of each via conductor 57, and a lower surface side wiring layer 55 is provided on the lower end surface of each via conductor 57. Although not shown for convenience, the upper surface 52 side and the lower surface 53 side of the flexible wiring substrate 51 are covered with a coverlay. The flexible wiring board 51 is bonded to the upper surface 32 side of the ceramic wiring board 31 via an adhesive sheet 61 (adhesive).

接着シート61は、耐熱性の熱可塑性樹脂(本実施形態ではPEEK:ポリエーテルエーテルケトン)より形成されている。接着シート61を構成するシート本体63は、上面64及び下面65を有している。また、接着シート61には、上面64及び下面65を貫通する複数の貫通孔66(図4参照)が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔66内には、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストの充填により形成された導体部62が設けられている。図1に示されるように、各導体部62の上端面はフレキシブル配線基板51の下面側配線層55に電気的に接続され、各導体部62の下端面はセラミック配線基板31の前記上側端子電極36に電気的に接続されている。これにより、各ビア導体57は、セラミック配線基板31の前記ビア導体35に対して電気的に接続される。   The adhesive sheet 61 is formed of a heat-resistant thermoplastic resin (PEEK: polyetheretherketone in this embodiment). The sheet main body 63 constituting the adhesive sheet 61 has an upper surface 64 and a lower surface 65. The adhesive sheet 61 is formed with a plurality of through holes 66 (see FIG. 4) penetrating the upper surface 64 and the lower surface 65 in a lattice shape. And in this through-hole 66, the conductor part 62 formed by the filling of the electrically conductive paste containing the copper powder which coat | covered silver on the surface is provided. As shown in FIG. 1, the upper end surface of each conductor portion 62 is electrically connected to the lower surface side wiring layer 55 of the flexible wiring substrate 51, and the lower end surface of each conductor portion 62 is the upper terminal electrode of the ceramic wiring substrate 31. 36 is electrically connected. As a result, each via conductor 57 is electrically connected to the via conductor 35 of the ceramic wiring substrate 31.

また、フレキシブル配線基板51の上面52側における所定領域(具体的にはセラミック配線基板31の反対側となる領域)には、上面側配線層54の一部である複数のフリップチップ接続パッドが配置された素子搭載部56が設定されている。このような素子搭載部56には、MPUとしての機能を有するICチップ21(半導体回路素子)がフリップチップ実装されている。本実施形態のICチップ21は、縦12.0mm×横10.0mm×厚さ0.7mmの矩形平板状であって、熱膨張係数が2.6ppm/℃程度のシリコンからなる。かかるICチップ21の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ICチップ21の下面側には、複数のバンプ状の面接続端子22が格子状に設けられている。各面接続端子22は、フレキシブル配線基板51の前記上面側配線層54(即ちフリップチップ接続パッド)に電気的に接続されている。これにより、各面接続端子22は、前記接着シート61を介してセラミック配線基板31側の上側端子電極36に接続される。なお、フレキシブル配線基板51においては、素子搭載部56を中心としてその周囲にファンアウトする複数の微細な上面側配線層54がパターン形成されている。また、前記素子搭載部56には、メモリなどの電子部品がさらに実装されていてもよい。   Further, a plurality of flip chip connection pads which are a part of the upper surface side wiring layer 54 are arranged in a predetermined region on the upper surface 52 side of the flexible wiring substrate 51 (specifically, a region opposite to the ceramic wiring substrate 31). The element mounting portion 56 is set. An IC chip 21 (semiconductor circuit element) having a function as an MPU is flip-chip mounted on such an element mounting portion 56. The IC chip 21 of the present embodiment is a rectangular flat plate having a length of 12.0 mm, a width of 10.0 mm, and a thickness of 0.7 mm, and is made of silicon having a thermal expansion coefficient of about 2.6 ppm / ° C. Circuit elements (not shown) are formed on the lower surface layer of the IC chip 21. A plurality of bump-shaped surface connection terminals 22 are provided in a lattice pattern on the lower surface side of the IC chip 21. Each surface connection terminal 22 is electrically connected to the upper surface side wiring layer 54 (that is, flip chip connection pad) of the flexible wiring substrate 51. Accordingly, each surface connection terminal 22 is connected to the upper terminal electrode 36 on the ceramic wiring substrate 31 side via the adhesive sheet 61. In the flexible wiring board 51, a plurality of fine upper surface side wiring layers 54 fanned out around the element mounting portion 56 are patterned. In addition, an electronic component such as a memory may be further mounted on the element mounting portion 56.

さらに、フレキシブル配線基板51は、セラミック配線基板31の平面方向に張り出した部分(張出部58)を有している。この張出部58には、モジュール配線基板91が接合されている。本実施形態において、モジュール配線基板91は、電源電圧を制御する機能を有する電源モジュール(機能モジュール)として成立している。この電源モジュールは、複数種類の電子部品92を含んで構成された回路からなっている。詳述すると、モジュール配線基板91は、上面93及び下面94を有する基板本体95を有している。本実施形態においてこの基板本体95は、エポキシ樹脂からなる樹脂製基板である。基板本体95には、モジュール配線基板91の厚さ方向に延びる複数のビア孔(貫通孔)が格子状に形成されており、それらビア孔内に銅めっきからなる導体柱96が設けられている。上面93において各々の導体柱96の上端面がある位置には、上面側パッド97が配置されている。各上面側パッド97は、電子部品92側に設けられたバンプ状の面接続端子98に対して接続されている。なお、電子部品92は、チップトランジスタやチップ抵抗などの部品である。一方、各々の導体柱96の下端部は、略半球状をした下面側はんだバンプ99となっている。これらの下面側はんだバンプ99は下面94から突出しており、フレキシブル配線基板51側の上面側配線層54に対して接続されている。   Furthermore, the flexible wiring substrate 51 has a portion (a protruding portion 58) that extends in the planar direction of the ceramic wiring substrate 31. The module wiring board 91 is bonded to the overhanging portion 58. In the present embodiment, the module wiring board 91 is established as a power supply module (functional module) having a function of controlling the power supply voltage. This power supply module is composed of a circuit including a plurality of types of electronic components 92. More specifically, the module wiring board 91 has a board body 95 having an upper surface 93 and a lower surface 94. In the present embodiment, the substrate body 95 is a resin substrate made of an epoxy resin. A plurality of via holes (through holes) extending in the thickness direction of the module wiring substrate 91 are formed in the substrate body 95 in a lattice shape, and conductor columns 96 made of copper plating are provided in the via holes. . An upper surface side pad 97 is disposed at a position where the upper end surface of each conductor pillar 96 exists on the upper surface 93. Each upper surface side pad 97 is connected to a bump-shaped surface connection terminal 98 provided on the electronic component 92 side. The electronic component 92 is a component such as a chip transistor or a chip resistor. On the other hand, the lower end portion of each conductor column 96 is a lower side solder bump 99 having a substantially hemispherical shape. These lower surface side solder bumps 99 protrude from the lower surface 94 and are connected to the upper surface side wiring layer 54 on the flexible wiring substrate 51 side.

その結果、上面側パッド97〜導体柱96〜下面側はんだバンプ99という経路(またはこれと逆の経路)を経て電流が流れるようになっている。従って、このような構造の複合配線基板構造体11では、モジュール配線基板91の導体柱96を介して、フレキシブル配線基板51側と電子部品92側とが電気的に接続される。ゆえに、モジュール配線基板91を介して、フレキシブル配線基板51−電子部品92間で信号の入出力が行われるようになっている。   As a result, the current flows through a path (or a path opposite to this) from the upper surface side pad 97 to the conductor pillar 96 to the lower surface side solder bump 99. Therefore, in the composite wiring board structure 11 having such a structure, the flexible wiring board 51 side and the electronic component 92 side are electrically connected via the conductor pillar 96 of the module wiring board 91. Therefore, signal input / output is performed between the flexible wiring board 51 and the electronic component 92 via the module wiring board 91.

図1,図2に示されるように、前記樹脂配線基板41は、上面42(接合面)及び下面43(非接合面)を有する矩形平板状の部材からなり、1層の樹脂絶縁層44を有している。本実施形態の場合、具体的にはエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させてなる絶縁基材により樹脂絶縁層44が形成されている。かかる樹脂絶縁層44(樹脂配線基板41)のヤング率は約0.5GPaである。即ち、樹脂配線基板41のヤング率は、フレキシブル配線基板51のヤング率(約6.5GPa)よりも小さくなるように設定されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the resin wiring board 41 is formed of a rectangular flat plate-shaped member having an upper surface 42 (bonding surface) and a lower surface 43 (non-bonding surface). Have. In the case of this embodiment, specifically, the resin insulating layer 44 is formed of an insulating base material obtained by impregnating a glass cloth with an epoxy resin. The Young's modulus of the resin insulating layer 44 (resin wiring board 41) is about 0.5 GPa. That is, the Young's modulus of the resin wiring board 41 is set to be smaller than the Young's modulus (about 6.5 GPa) of the flexible wiring board 51.

また、樹脂配線基板41は、接着シート71(接着材)を介して前記セラミック配線基板31の下面33側に接合されている。接着シート71は、前記接着シート61と同じ材料にて形成されている。接着シート71を構成するシート本体73は、上面74及び下面75を有している。また、接着シート71には、上面74及び下面75を貫通する複数の貫通孔76(図4参照)が格子状に形成されている。そして、かかる貫通孔76内には、前記導体部62と同じ材料からなる導体部72が設けられている。図1に示されるように、各導体部72の上端面はセラミック配線基板31の前記下側端子電極37に電気的に接続されている。   The resin wiring board 41 is bonded to the lower surface 33 side of the ceramic wiring board 31 via an adhesive sheet 71 (adhesive). The adhesive sheet 71 is formed of the same material as the adhesive sheet 61. A sheet main body 73 constituting the adhesive sheet 71 has an upper surface 74 and a lower surface 75. The adhesive sheet 71 is formed with a plurality of through holes 76 (see FIG. 4) penetrating the upper surface 74 and the lower surface 75 in a lattice shape. A conductor portion 72 made of the same material as the conductor portion 62 is provided in the through hole 76. As shown in FIG. 1, the upper end surface of each conductor portion 72 is electrically connected to the lower terminal electrode 37 of the ceramic wiring substrate 31.

樹脂配線基板41の上面42には、セラミック配線基板31側との電気的な接続を図るための複数の面接続パッド46が格子状に形成されている。各面接続パッド46は、セラミック配線基板31が有する前記各ビア孔34の位置に対応している。これらの面接続パッド46は、接着シート71の導体部72を介してセラミック配線基板31の下側端子電極37に接続されている。一方、樹脂配線基板41の下面43には、前記マザーボード81の複数の端子82との電気的な接続を図るための複数の面接続パッド47(外部接続端子)が格子状に突設されている。面接続パッド47の表面上には、90Pb/10Snという組成の錫鉛はんだからなる基板側はんだバンプ49が設けられている。また、樹脂絶縁層44にはビア導体48(導体部)が設けられていて、これらのビア導体48を介して、面接続パッド46及び面接続パッド47が相互に電気的に接続されている。それとともに、ビア導体48は、セラミック配線基板31のビア導体35と面接続パッド47とを電気的に接続するようになっている。   On the upper surface 42 of the resin wiring substrate 41, a plurality of surface connection pads 46 for electrical connection with the ceramic wiring substrate 31 are formed in a lattice shape. Each surface connection pad 46 corresponds to the position of each via hole 34 provided in the ceramic wiring substrate 31. These surface connection pads 46 are connected to the lower terminal electrode 37 of the ceramic wiring substrate 31 through the conductor portion 72 of the adhesive sheet 71. On the other hand, on the lower surface 43 of the resin wiring substrate 41, a plurality of surface connection pads 47 (external connection terminals) for electrical connection with the plurality of terminals 82 of the mother board 81 are provided in a grid pattern. . On the surface of the surface connection pad 47, substrate-side solder bumps 49 made of tin-lead solder having a composition of 90Pb / 10Sn are provided. The resin insulating layer 44 is provided with via conductors 48 (conductor portions), and the surface connection pads 46 and the surface connection pads 47 are electrically connected to each other through the via conductors 48. At the same time, the via conductor 48 is configured to electrically connect the via conductor 35 of the ceramic wiring substrate 31 and the surface connection pad 47.

従って、このような構造の複合配線基板構造体11では、フレキシブル配線基板51のビア導体57は、下面側配線層55、接着シート61の導体部62及び上側端子電極36を介して、セラミック配線基板31のビア導体35に電気的に接続されている。さらに、セラミック配線基板31のビア導体35は、下側端子電極37、接着シート71の導体部72及び面接続パッド46を介して、樹脂配線基板41のビア導体48に電気的に接続されている。そして、素子搭載部56にICチップ21を実装した場合には、ICチップ21の面接続端子22が、上面側配線層54(フリップチップ接続パッド)を介して、フレキシブル配線基板51のビア導体57に電気的に接続される。ゆえに、セラミック配線基板31を介して、樹脂配線基板41−ICチップ21間で信号の入出力が行われるとともに、ICチップ21をMPUとして動作させるための電源が供給されるようになっている。   Therefore, in the composite wiring board structure 11 having such a structure, the via conductor 57 of the flexible wiring board 51 is connected to the ceramic wiring board via the lower surface side wiring layer 55, the conductor portion 62 of the adhesive sheet 61 and the upper terminal electrode 36. 31 via conductors 35 are electrically connected. Further, the via conductor 35 of the ceramic wiring board 31 is electrically connected to the via conductor 48 of the resin wiring board 41 through the lower terminal electrode 37, the conductor portion 72 of the adhesive sheet 71 and the surface connection pad 46. . When the IC chip 21 is mounted on the element mounting portion 56, the surface connection terminal 22 of the IC chip 21 is connected to the via conductor 57 of the flexible wiring board 51 via the upper surface side wiring layer 54 (flip chip connection pad). Is electrically connected. Therefore, signals are input / output between the resin wiring board 41 and the IC chip 21 via the ceramic wiring board 31, and power for operating the IC chip 21 as an MPU is supplied.

次に、上記の複合配線基板構造体11を製造する手順について説明する。   Next, a procedure for manufacturing the composite wiring board structure 11 will be described.

まず、個別作製工程を実施して、セラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41を個別に作製する。個別作製工程におけるセラミック配線基板31の作製は、従来周知の手法によって行われる。例えば、周知のセラミックグリーンシート形成技術によって、アルミナグリーンシートを複数枚作製する。そして、各グリーンシートの所定位置に、表裏両面を貫通するビア孔をパンチング等により形成する。さらに、各グリーンシートのビア孔内にタングステンペーストを充填して、後にビア導体35となるペースト充填層を形成しておく。そして、これらのグリーンシートを積層、圧着した後、還元雰囲気中にて所定温度で焼成(同時焼成)を行って、アルミナとタングステンペーストとを焼結させる。その結果、ビア導体35を有する複数のセラミック層30の積層体が作製される。さらに、各ビア導体35の両端面に対してタングステンペーストを印刷し、上側端子電極36及び下側端子電極37を形成する。その結果、図2に示すセラミック配線基板31が完成する。   First, an individual manufacturing process is performed to individually manufacture the ceramic wiring board 31, the flexible wiring board 51, and the resin wiring board 41. Fabrication of the ceramic wiring board 31 in the individual fabrication process is performed by a conventionally known method. For example, a plurality of alumina green sheets are produced by a known ceramic green sheet forming technique. And the via hole which penetrates both front and back surfaces is formed by punching etc. in the predetermined position of each green sheet. Furthermore, a tungsten paste is filled into the via hole of each green sheet to form a paste filling layer that will later become the via conductor 35. Then, after laminating and pressure-bonding these green sheets, firing (simultaneous firing) is performed at a predetermined temperature in a reducing atmosphere to sinter alumina and tungsten paste. As a result, a laminate of a plurality of ceramic layers 30 having via conductors 35 is produced. Further, tungsten paste is printed on both end faces of each via conductor 35 to form the upper terminal electrode 36 and the lower terminal electrode 37. As a result, the ceramic wiring board 31 shown in FIG. 2 is completed.

また、個別作製工程におけるフレキシブル配線基板51の作製も、基本的には従来周知の手法によって行われる。即ち、銅張積層板に対してメカニカルドリル、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通するビア孔(図示略)を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでビア孔内にビア導体57を形成する。さらに、銅張積層板の両面のエッチングを行って上面側配線層54及び下面側配線層55を形成する。その結果、フレキシブル配線基板51を得る。   In addition, the flexible wiring board 51 in the individual manufacturing process is basically manufactured by a conventionally known method. That is, a drilling process is performed on the copper-clad laminate using a mechanical drill, a YAG laser, or a carbon dioxide gas laser, and via holes (not shown) penetrating the copper-clad laminate are formed in advance at predetermined positions. And the via conductor 57 is formed in a via hole by performing electroless copper plating and electrolytic copper plating according to a conventionally known method. Further, the upper surface side wiring layer 54 and the lower surface side wiring layer 55 are formed by etching both surfaces of the copper clad laminate. As a result, the flexible wiring board 51 is obtained.

さらに、個別作製工程における樹脂配線基板41の作製も、基本的には従来周知の手法によって行われる。即ち、銅張積層板に対してメカニカルドリルを用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通するビア孔(図示略)を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、銅張積層板に対してYAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行うことで、ビア孔を形成してもよい(ビア孔形成工程)。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、ビア孔内にビア導体48を形成する(充填工程)。さらに、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って面接続パッド46,47を例えばサブトラクティブ法によって形成する。具体的には、無電解銅めっきの後、この無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施す。さらにドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行うことにより、ドライフィルムを所定パターンに形成する。この状態で、不要な電解銅めっき層、無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その後、ドライフィルムを剥離することにより、樹脂配線基板41を得る。なお、面接続パッド46,47を、セミアディティブ法によって形成してもよい。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層及び銅箔をエッチングで除去する。その結果、樹脂配線基板41を得る。   Further, the production of the resin wiring board 41 in the individual production process is basically performed by a conventionally known method. That is, drilling is performed on the copper clad laminate using a mechanical drill, and via holes (not shown) penetrating the copper clad laminate are formed in advance at predetermined positions. In addition, you may form a via hole by performing a laser drilling process with respect to a copper clad laminated board using a YAG laser or a carbon dioxide gas laser (via hole formation process). Then, electroless copper plating and electrolytic copper plating are performed according to a conventionally known method to form a via conductor 48 in the via hole (filling step). Further, the copper foils on both sides of the copper clad laminate are etched to form the surface connection pads 46 and 47 by, for example, a subtractive method. Specifically, after the electroless copper plating, electrolytic copper plating is performed using the electroless copper plating layer as a common electrode. Further, the dry film is laminated, and the dry film is exposed and developed to form a dry film in a predetermined pattern. In this state, unnecessary electrolytic copper plating layer, electroless copper plating layer and copper foil are removed by etching. Then, the resin wiring board 41 is obtained by peeling the dry film. The surface connection pads 46 and 47 may be formed by a semi-additive method. Specifically, after electroless copper plating, exposure and development are performed to form a predetermined pattern of plating resist. In this state, after electrolytic copper plating is performed using the electroless copper plating layer as a common electrode, the resist is first dissolved and removed, and unnecessary electroless copper plating layer and copper foil are removed by etching. As a result, a resin wiring substrate 41 is obtained.

また、下記の要領で接着シート61(または接着シート71)を作製する(接着シート作製工程)。具体的には、所定の大きさに切断された接着性有機材料シート60(図3参照)に対してメカニカルドリル、YAGレーザー、COレーザー、パンチング装置等を用いて孔あけ加工を行い、接着性有機材料シート60を貫通する貫通孔66(または貫通孔76)を所定位置にあらかじめ形成しておく(図4参照)。なお、本実施形態のパンチング装置のパンチピンは、120μmの直径を有している。また、貫通孔66(または貫通孔76)は、上側開口部の直径が約117μmとなり、下側開口部の直径が約113μmとなる。次に、従来周知の印刷法により、導電ペーストを貫通孔66(または貫通孔76)に充填し導体部62(または導体部72)を形成する。具体的には、接着性有機材料シート60を支持台(図示略)に載置する。次に、貫通孔66(または貫通孔76)に対応した位置に開口部を有する印刷マスクを用い、印圧を2kgf/cm、印刷スピードを50mm/secに設定して、表面に銀をコートした銅粉を含む導電ペーストを印刷し、ペースト充填層を形成する。そして、印刷装置から取り外した後、導電ペースト加熱して溶剤等を蒸発させ、固形化させる。次いで、100℃程度の温度で約30分間加熱して仮硬化を行う。これにより導電ペーストからなる導体部62(または導体部72)が少しだけ硬化し、接着シート61(接着シート71)が完成する。その結果、貫通孔66(または貫通孔76)内に導体部62(または導体部72)が形成される。このとき、導体部62(導体部72)の先端部分が、接着性有機材料シート60の上面から約20μmだけ突出する(図5参照)。このような構造の利点は、例えば先端部分がフラットである場合に比べて他基板の導体部との接合強度が高くなり、接続信頼性の向上が図りやすいことにある。 Moreover, the adhesive sheet 61 (or adhesive sheet 71) is produced in the following manner (adhesive sheet production process). Specifically, the adhesive organic material sheet 60 (see FIG. 3) cut to a predetermined size is punched using a mechanical drill, YAG laser, CO 2 laser, punching device, etc. A through-hole 66 (or through-hole 76) penetrating the conductive organic material sheet 60 is formed in advance at a predetermined position (see FIG. 4). In addition, the punch pin of the punching apparatus of this embodiment has a diameter of 120 μm. The through hole 66 (or the through hole 76) has an upper opening with a diameter of about 117 μm and a lower opening with a diameter of about 113 μm. Next, the conductive paste is filled into the through-hole 66 (or the through-hole 76) by a conventionally known printing method to form the conductor portion 62 (or the conductor portion 72). Specifically, the adhesive organic material sheet 60 is placed on a support base (not shown). Next, a printing mask having an opening at a position corresponding to the through hole 66 (or the through hole 76) is used, the printing pressure is set to 2 kgf / cm 2 , the printing speed is set to 50 mm / sec, and the surface is coated with silver. The conductive paste containing the copper powder is printed to form a paste filling layer. And after removing from a printing apparatus, a conductive paste is heated and a solvent etc. are evaporated and it solidifies. Next, temporary curing is performed by heating at a temperature of about 100 ° C. for about 30 minutes. Thereby, the conductor part 62 (or conductor part 72) which consists of electrically conductive paste hardens | cures a little, and the adhesive sheet 61 (adhesive sheet 71) is completed. As a result, the conductor portion 62 (or the conductor portion 72) is formed in the through hole 66 (or the through hole 76). At this time, the tip end portion of the conductor portion 62 (conductor portion 72) protrudes from the upper surface of the adhesive organic material sheet 60 by about 20 μm (see FIG. 5). The advantage of such a structure is that, for example, the bonding strength with the conductor portion of the other substrate is higher than when the tip portion is flat, and the connection reliability is easily improved.

次に、電気検査工程を実施し、完成したセラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41の電気検査を個別に行う。なお、本実施形態における電気検査としては、インサーキットテスタを用いて行う一般的なインサーキットテストを行っている。さらに、完成したセラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41に対し、この時点で併せて外観検査を個別に行ってもよい。このとき、不良品を発見した場合には、その不良品を事前に除去する。そして、電気検査や外観検査に合格したセラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41のみを用いて位置決め工程以降の工程を行う。従って、複合配線基板構造体11が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上につながる。   Next, an electrical inspection process is performed, and electrical inspections of the completed ceramic wiring substrate 31, flexible wiring substrate 51, and resin wiring substrate 41 are performed individually. As an electrical test in this embodiment, a general in-circuit test is performed using an in-circuit tester. Furthermore, you may perform an external appearance test | inspection separately with respect to the completed ceramic wiring board 31, the flexible wiring board 51, and the resin wiring board 41 at this time. At this time, if a defective product is found, the defective product is removed in advance. And the process after a positioning process is performed only using the ceramic wiring board 31, the flexible wiring board 51, and the resin wiring board 41 which passed the electrical inspection and the external appearance inspection. Therefore, the probability that the composite wiring board structure 11 becomes a defective product is reduced, leading to an improvement in yield.

そして、位置決め工程では、まず、平板状の下治具101上に、フレキシブル配線基板51を載置する。この場合、フレキシブル配線基板51の外周部分には、下治具101に突設された複数の位置決めピン105が挿通される。これにより、フレキシブル配線基板51の平面方向への位置ずれが防止される。次に、フレキシブル配線基板51上に、接着シート61、セラミック配線基板31、接着シート71、樹脂配線基板41を順番に載置する。そして、下治具101の上にスペーサ102を載置する。なお、スペーサ102の板厚は、接着シート61、セラミック配線基板31、接着シート71及び樹脂配線基板41からなる積層部の高さと略等しくなっている。また、スペーサ102には複数の位置決めピン105が挿通されている。このため、接着シート61、セラミック配線基板31、接着シート71及び樹脂配線基板41の平面方向への位置ずれが防止される。その後、樹脂配線基板41上及びスペーサ102上に平板状の上治具104を載置する(図6参照)。   In the positioning step, first, the flexible wiring board 51 is placed on the flat lower jig 101. In this case, a plurality of positioning pins 105 projecting from the lower jig 101 are inserted into the outer peripheral portion of the flexible wiring board 51. Thereby, the position shift to the plane direction of the flexible wiring board 51 is prevented. Next, the adhesive sheet 61, the ceramic wiring board 31, the adhesive sheet 71, and the resin wiring board 41 are placed on the flexible wiring board 51 in order. Then, the spacer 102 is placed on the lower jig 101. Note that the plate thickness of the spacer 102 is substantially equal to the height of the laminated portion including the adhesive sheet 61, the ceramic wiring substrate 31, the adhesive sheet 71, and the resin wiring substrate 41. A plurality of positioning pins 105 are inserted through the spacer 102. For this reason, the position shift to the plane direction of the adhesive sheet 61, the ceramic wiring board 31, the adhesive sheet 71, and the resin wiring board 41 is prevented. Thereafter, the flat upper jig 104 is placed on the resin wiring board 41 and the spacer 102 (see FIG. 6).

そして次に、下記の要領で第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を同時に実施する。本実施形態において具体的には、20Torr(≒2666Pa)以下の真空下で260℃以上の温度となるように加熱を行いながら積層方向に押圧力(4MPa)を加える(真空熱プレス)。これに伴い、セラミック配線基板31がフレキシブル配線基板51側に押圧されるとともに、熱により接着シート61の可塑性が大きくなる。そして、このような状態の接着シート61を介して、セラミック配線基板31の上面32側にフレキシブル配線基板51が接合される。この際、セラミック配線基板31のビア導体35とフレキシブル配線基板51のビア導体57とが、接着シート61の導体部62を介して互いに電気的に接続される。即ち、フレキシブル配線基板51に対するセラミック配線基板31の接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。また、樹脂配線基板41がセラミック配線基板31側に押圧されるとともに、熱により接着シート71の可塑性が大きくなる。そして、このような状態の接着シート71を介して、セラミック配線基板31の下面33側に樹脂配線基板41が接合される。この際、セラミック配線基板31のビア導体35と樹脂配線基板41のビア導体48とが、接着シート71の導体部72を介して互いに電気的に接続される。即ち、セラミック配線基板31に対する樹脂配線基板41の接合は真空雰囲気下での接合となるため、エアの巻き込みによるボイドの発生を効果的に抑制できる。   Next, the first main surface side joining step and the second main surface side joining step are simultaneously performed in the following manner. Specifically, in this embodiment, a pressing force (4 MPa) is applied in the laminating direction while heating to a temperature of 260 ° C. or higher under a vacuum of 20 Torr (≈2666 Pa) or less (vacuum hot press). Accordingly, the ceramic wiring board 31 is pressed toward the flexible wiring board 51 and the plasticity of the adhesive sheet 61 is increased by heat. The flexible wiring board 51 is bonded to the upper surface 32 side of the ceramic wiring board 31 through the adhesive sheet 61 in such a state. At this time, the via conductor 35 of the ceramic wiring board 31 and the via conductor 57 of the flexible wiring board 51 are electrically connected to each other via the conductor portion 62 of the adhesive sheet 61. That is, since the bonding of the ceramic wiring substrate 31 to the flexible wiring substrate 51 is performed in a vacuum atmosphere, generation of voids due to air entrainment can be effectively suppressed. Further, the resin wiring board 41 is pressed toward the ceramic wiring board 31 and the plasticity of the adhesive sheet 71 is increased by heat. The resin wiring board 41 is bonded to the lower surface 33 side of the ceramic wiring board 31 through the adhesive sheet 71 in such a state. At this time, the via conductor 35 of the ceramic wiring board 31 and the via conductor 48 of the resin wiring board 41 are electrically connected to each other via the conductor portion 72 of the adhesive sheet 71. That is, since the bonding of the resin wiring substrate 41 to the ceramic wiring substrate 31 is performed in a vacuum atmosphere, generation of voids due to air entrainment can be effectively suppressed.

なお、上記の上治具104は、同上治具104の下面側に、クッション材103を貼り付けた構造となっている。従って、樹脂配線基板41の下面43に突出する面接続パッド47は、弾性体であるクッション材103に接触するようになっている。このとき、クッション材103は弾性変形してセラミック配線基板31側の凹凸形状に追従する。これにより、セラミック配線基板31に対して均等に押圧力を付加することができる。なお、上記のような治具を用いて位置決めを行う代わりに、基板などの位置を検出する画像認識装置を有する、いわゆるダイマウンタ装置を用いて位置決めを行うことも可能である。   The upper jig 104 has a structure in which a cushion material 103 is attached to the lower surface side of the upper jig 104. Therefore, the surface connection pads 47 protruding from the lower surface 43 of the resin wiring board 41 come into contact with the cushion material 103 which is an elastic body. At this time, the cushion material 103 is elastically deformed to follow the uneven shape on the ceramic wiring substrate 31 side. Thereby, a pressing force can be applied evenly to the ceramic wiring substrate 31. In addition, it is also possible to perform positioning using what is called a die mounter apparatus which has an image recognition apparatus which detects the position of a board | substrate etc. instead of performing positioning using the above jig | tools.

次に、樹脂配線基板41の下面43に対するはんだペースト印刷を行い、基板側はんだバンプ49を形成する。このようにすれば、第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施する際に基板側はんだバンプ49が邪魔にならなくて済む。また、前記接合工程後に基板側はんだバンプ形成を行うと、前記接合工程前に基板側はんだバンプ形成を行う場合とは異なり、基板側はんだバンプ49が260℃以上の高温に遭遇しにくくなる。従って、必ずしも高融点はんだを選択しなくてもよくなり、はんだ材料の選択の自由度が大きくなる。   Next, solder paste printing is performed on the lower surface 43 of the resin wiring board 41 to form board-side solder bumps 49. In this way, the board-side solder bumps 49 do not have to be in the way when performing the first main surface side bonding step and the second main surface side bonding step. In addition, when the substrate-side solder bumps are formed after the bonding step, unlike the case where the substrate-side solder bumps are formed before the bonding step, the substrate-side solder bumps 49 are less likely to encounter a high temperature of 260 ° C. or higher. Therefore, it is not always necessary to select a high melting point solder, and the degree of freedom in selecting a solder material is increased.

もっとも、前記樹脂配線基板41を作製する工程を行う時点で、基板側はんだバンプ49を同時に形成し、その後で第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施するようにしてもよい。このようにすれば、電気検査工程にて樹脂配線基板41を検査する際に、基板側はんだバンプ49も含めて検査できるため、基板側はんだバンプ49に不良が生じた状態で複合配線基板構造体11が製造されることを防止できる。   However, at the time of performing the step of manufacturing the resin wiring board 41, the board-side solder bumps 49 are formed at the same time, and then the first main surface side bonding step and the second main surface side bonding step are performed. Good. In this way, when the resin wiring board 41 is inspected in the electrical inspection process, it can be inspected including the board-side solder bumps 49, so that the composite wiring board structure is in a state where the board-side solder bumps 49 are defective. 11 can be prevented from being manufactured.

また、フレキシブル配線基板51の張出部58における所定箇所にモジュール配線基板91を載置する。このとき、モジュール配線基板91側の下面側はんだバンプ99と、フレキシブル配線基板51側の上面側配線層54とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各下面側はんだバンプ99をリフローすることにより、下面側はんだバンプ99と上面側配線層54とを接合する。その結果、図1に示す複合配線基板構造体11が完成する。   In addition, the module wiring board 91 is placed at a predetermined location in the overhanging portion 58 of the flexible wiring board 51. At this time, the lower surface side solder bump 99 on the module wiring board 91 side and the upper surface side wiring layer 54 on the flexible wiring board 51 side are aligned. Then, by heating and reflowing each lower surface side solder bump 99, the lower surface side solder bump 99 and the upper surface side wiring layer 54 are joined. As a result, the composite wiring board structure 11 shown in FIG. 1 is completed.

その後、フレキシブル配線基板51の素子搭載部56にICチップ21を載置する。このとき、ICチップ21側の面接続端子22と、フレキシブル配線基板51側の上面側配線層54とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各面接続端子22をリフローすることにより、面接続端子22と上面側配線層54とを接合する。するとこの段階で、複数の機能が集積してシステム化された複合配線基板構造体11(いわゆるシステム・イン・パッケージ:SIP)が完成する。   Thereafter, the IC chip 21 is mounted on the element mounting portion 56 of the flexible wiring board 51. At this time, the surface connection terminals 22 on the IC chip 21 side and the upper surface side wiring layer 54 on the flexible wiring board 51 side are aligned. And by heating and reflowing each surface connection terminal 22, the surface connection terminal 22 and the upper surface side wiring layer 54 are joined. At this stage, a composite wiring board structure 11 (so-called system in package: SIP) in which a plurality of functions are integrated and systematized is completed.

さらに、樹脂配線基板41側の基板側はんだバンプ49と、マザーボード81側の端子82とを位置合わせして、マザーボード81上に複合配線基板構造体11を載置する。そして、加熱して各基板側はんだバンプ49をリフローすることにより、基板側はんだバンプ49と端子82とを接合する。これにより、複合配線基板構造体11がマザーボード81上に搭載される。なお、複合配線基板構造体11をマザーボード81上に搭載した後で、ICチップ21を載置するようにしてもよい。   Further, the board-side solder bumps 49 on the resin wiring board 41 side and the terminals 82 on the mother board 81 side are aligned, and the composite wiring board structure 11 is placed on the mother board 81. The substrate-side solder bumps 49 and the terminals 82 are joined by heating and reflowing the substrate-side solder bumps 49. Thereby, the composite wiring board structure 11 is mounted on the mother board 81. The IC chip 21 may be mounted after the composite wiring board structure 11 is mounted on the mother board 81.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.

(1)本実施形態の複合配線基板構造体11は、セラミック配線基板31とマザーボード81との間に、セラミック配線基板31及びフレキシブル配線基板51よりもヤング率が小さい樹脂配線基板41が介在されている。即ち、樹脂配線基板41は剛性が低くなっている。このため、マザーボード81が平面方向に熱膨張または熱収縮したときでも、それに追従して樹脂配線基板41が弾性的にひずむ(変形する)ことができる。ゆえに、セラミック配線基板31とマザーボード81との間に大きな熱応力が作用しなくなる。よって、たとえセラミック配線基板31が大型であったとしても、クラック等が起こりにくい。ゆえに、複合配線基板構造体11におけるセラミック配線基板31とマザーボード81との接合部分に所定の信頼性が付与される。   (1) In the composite wiring board structure 11 of this embodiment, a resin wiring board 41 having a Young's modulus smaller than that of the ceramic wiring board 31 and the flexible wiring board 51 is interposed between the ceramic wiring board 31 and the motherboard 81. Yes. That is, the resin wiring board 41 has low rigidity. For this reason, even when the motherboard 81 is thermally expanded or contracted in the plane direction, the resin wiring board 41 can be elastically distorted (deformed) following that. Therefore, a large thermal stress does not act between the ceramic wiring board 31 and the mother board 81. Therefore, even if the ceramic wiring board 31 is large, cracks and the like are unlikely to occur. Therefore, predetermined reliability is imparted to the joint portion between the ceramic wiring board 31 and the mother board 81 in the composite wiring board structure 11.

(2)本実施形態では、平面方向における熱膨張係数が約17ppm/℃に設定されたフレキシブル配線基板51がセラミック配線基板31上に接合されている。即ち、このフレキシブル配線基板51は熱膨張係数が比較的小さいので、フレキシブル配線基板51と同様に熱膨張係数が比較的小さいICチップ21を素子搭載部56に接続した場合には、そのICチップ21との熱膨張係数差を小さくすることができる。このため、ICチップ21に直接大きな熱応力が作用しなくなる。よって、たとえICチップ21が大型で発熱量が多いものであったとしても、クラック等が起こりにくい。ゆえに、複合配線基板構造体11におけるICチップ21の接合部分に所定の信頼性が付与される。   (2) In the present embodiment, the flexible wiring board 51 whose thermal expansion coefficient in the plane direction is set to about 17 ppm / ° C. is bonded onto the ceramic wiring board 31. That is, since the flexible wiring board 51 has a relatively small coefficient of thermal expansion, when the IC chip 21 having a relatively small coefficient of thermal expansion is connected to the element mounting portion 56 like the flexible wiring board 51, the IC chip 21 And the difference in thermal expansion coefficient can be reduced. For this reason, a large thermal stress does not directly act on the IC chip 21. Therefore, even if the IC chip 21 is large and generates a large amount of heat, cracks and the like are unlikely to occur. Therefore, predetermined reliability is imparted to the joint portion of the IC chip 21 in the composite wiring board structure 11.

(3)本実施形態の製造方法によれば、セラミック配線基板31、フレキシブル配線基板51及び樹脂配線基板41を個別に作製し、さらにその電気検査を個別に行うことを特徴とする。このようにすれば、接合前に不良品を発見してそれを事前に除去することができ、複合配線基板構造体11が不良品となる確率が低くなり、歩留まりの向上を達成しやすくなる。また、セラミック配線基板31とフレキシブル配線基板51とを接合する第1主面側接合工程、及び、セラミック配線基板31と樹脂配線基板41とを接合する第2主面側接合工程を同時に行っているため、工数が少なくなり、確実に低コスト化を達成することができる。また、フレキシブル配線基板51の素子搭載部56にICチップ21を実装する前の時点で第1主面側接合工程及び第2主面側接合工程を実施しているため、上治具104の荷重がICチップ21に加わることがない。ゆえに、ICチップ21のクラックの発生を確実に防止することができる。
[第2実施形態]
(3) According to the manufacturing method of the present embodiment, the ceramic wiring board 31, the flexible wiring board 51, and the resin wiring board 41 are individually manufactured, and the electrical inspection is individually performed. In this way, it is possible to find a defective product before joining and remove it in advance, and the probability that the composite wiring board structure 11 becomes a defective product becomes low, and it becomes easy to achieve an improvement in yield. Moreover, the 1st main surface side joining process which joins the ceramic wiring board 31 and the flexible wiring board 51, and the 2nd main surface side joining process which joins the ceramic wiring board 31 and the resin wiring board 41 are performed simultaneously. Therefore, the number of man-hours is reduced, and it is possible to reliably achieve cost reduction. In addition, since the first main surface side bonding step and the second main surface side bonding step are performed before the IC chip 21 is mounted on the element mounting portion 56 of the flexible wiring substrate 51, the load of the upper jig 104 Is not added to the IC chip 21. Therefore, the occurrence of cracks in the IC chip 21 can be reliably prevented.
[Second Embodiment]

次に、図7に基づき第2実施形態について説明する。本実施形態の樹脂配線基板111は、多数の樹脂絶縁層44と多数の配線層112とを交互に積層した構造を有しており、第1実施形態の樹脂配線基板41とは構造が若干異なっている。このため、樹脂配線基板111を作製する工程も、前記第1実施形態の樹脂配線基板41を作製する工程とは若干異なっている。   Next, a second embodiment will be described based on FIG. The resin wiring board 111 of the present embodiment has a structure in which a large number of resin insulating layers 44 and a large number of wiring layers 112 are alternately stacked, and the structure is slightly different from the resin wiring board 41 of the first embodiment. ing. For this reason, the process of manufacturing the resin wiring board 111 is also slightly different from the process of manufacturing the resin wiring board 41 of the first embodiment.

即ち、樹脂配線基板111を作成する工程では、ビア導体48が形成された銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って配線層112を形成し(配線層形成工程)、最下層の樹脂絶縁層44及び配線層112を得る。   That is, in the step of forming the resin wiring substrate 111, the copper layer on both sides of the copper clad laminate on which the via conductor 48 is formed is etched to form the wiring layer 112 (wiring layer forming step), and the lowermost layer resin The insulating layer 44 and the wiring layer 112 are obtained.

次に、最下層の樹脂絶縁層44に対して新たに樹脂層を積層する積層工程を行う。その後、積層した樹脂層にビア孔を形成するビア孔形成工程を行い、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行ってビア孔内にビア導体48を形成する充填工程を行う。さらに、樹脂層の上面の銅めっきのエッチングを行って配線層112を形成する配線層形成工程を行い、次層の樹脂絶縁層44及び配線層112を得る。   Next, a laminating process for newly laminating a resin layer on the lowermost resin insulating layer 44 is performed. Thereafter, a via hole forming step for forming a via hole in the laminated resin layer is performed, and a filling step for forming a via conductor 48 in the via hole by performing electroless copper plating and electrolytic copper plating is performed. Further, a wiring layer forming step of forming the wiring layer 112 by performing copper plating etching on the upper surface of the resin layer is performed to obtain the resin insulating layer 44 and the wiring layer 112 as the next layers.

その後、積層工程−ビア孔形成工程−充填工程−配線層形成工程を繰り返すことにより、樹脂絶縁層44と配線層112とが交互に積層されていく。その結果、本実施形態の樹脂配線基板111が作製される。このようにすれば、樹脂絶縁層44と配線層112が単層である場合に比べて、内部に複雑な回路を構成することが可能となるため、付加価値を高めることができる。なお、積層工程−配線層形成工程を繰り返して樹脂絶縁層44と配線層112とを交互に積層した後、ビア孔形成工程及び充填工程を行ってビア導体48を形成してもよい。   Thereafter, the resin insulating layers 44 and the wiring layers 112 are alternately stacked by repeating the stacking process-via hole forming process-filling process-wiring layer forming process. As a result, the resin wiring substrate 111 of this embodiment is manufactured. In this way, compared to the case where the resin insulating layer 44 and the wiring layer 112 are single layers, it is possible to configure a complicated circuit inside, so that the added value can be increased. Note that the via conductor 48 may be formed by performing a via hole forming step and a filling step after alternately laminating the resin insulating layers 44 and the wiring layers 112 by repeating the lamination step-wiring layer forming step.

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows.

・例えば、以下のような手順で上記第1実施形態の樹脂配線基板41を作製することも可能である。まず、銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って面接続パッド46,47を例えばサブトラクティブ法によって形成する。次に、銅張積層板に対して孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通するビア孔を所定位置に形成し、ビア孔内に導電性樹脂を充填する。   -For example, the resin wiring board 41 of the first embodiment can be manufactured by the following procedure. First, the copper foils on both sides of the copper clad laminate are etched to form the surface connection pads 46 and 47 by, for example, a subtractive method. Next, a hole-drilling process is performed on the copper-clad laminate, a via hole penetrating the copper-clad laminate is formed at a predetermined position, and a conductive resin is filled in the via hole.

・上記各実施形態では、フレキシブル配線基板51の張出部58にモジュール配線基板91が接合されていたが、モジュール配線基板91は接合されていなくてもよい。また、モジュール配線基板91とは別の構造物がそこに接合されていてもよい。例えば、フレキシブル配線基板51の上面52に形成された上面側配線層54に、例えばチップコンデンサ等のような電子部品を実装してもよい。   In each of the above embodiments, the module wiring board 91 is bonded to the overhanging portion 58 of the flexible wiring board 51, but the module wiring board 91 may not be bonded. Further, a structure different from the module wiring board 91 may be bonded thereto. For example, an electronic component such as a chip capacitor may be mounted on the upper surface side wiring layer 54 formed on the upper surface 52 of the flexible wiring substrate 51.

・上記各実施形態では、セラミック配線基板31とフレキシブル配線基板51とが接着シート61を介して接合され、セラミック配線基板31と樹脂配線基板41とが接着シート71を介して接合されていた。しかし、接着シート61,71の代わりに導電性接着剤を用いることにより、セラミック配線基板31とフレキシブル配線基板51とを接合し、セラミック配線基板31と樹脂配線基板41とを接合してもよい。   In each of the above embodiments, the ceramic wiring board 31 and the flexible wiring board 51 are joined via the adhesive sheet 61, and the ceramic wiring board 31 and the resin wiring board 41 are joined via the adhesive sheet 71. However, by using a conductive adhesive instead of the adhesive sheets 61 and 71, the ceramic wiring board 31 and the flexible wiring board 51 may be joined, and the ceramic wiring board 31 and the resin wiring board 41 may be joined.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、第1主面及び第2主面を有するリジッド基板と、前記リジッド基板の前記第1主面側に接着材を介して接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、前記リジッド基板の前記第2主面側に接着材を介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板とを備え、前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定され、前記第1樹脂基板は、前記接着材の導体部を介して、前記リジッド基板の導体部に対して電気的に接続される導体部を内部に有し、前記第2樹脂基板は、前記接着材の導体部を介して、前記リジッド基板の導体部と前記複数の外部接続端子とを電気的に接続する導体部を内部に有することを特徴とする複合配線基板構造体。   (1) In a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard, a rigid substrate having a first main surface and a second main surface is bonded to the first main surface side of the rigid substrate via an adhesive, A first resin substrate on which an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected is set, and a plurality of terminals of the motherboard are bonded to the second main surface side of the rigid substrate via an adhesive, and on the non-bonded surface side A second resin substrate having a plurality of external connection terminals connectable to the first resin substrate, the Young's modulus of the first resin substrate being smaller than the Young's modulus of the rigid substrate, The first resin substrate is electrically connected to the conductor portion of the rigid substrate via the conductor portion of the adhesive. Has a conductor part inside, The second resin substrate includes a conductor portion for electrically connecting the conductor portion of the rigid substrate and the plurality of external connection terminals via the conductor portion of the adhesive. Board structure.

(2)マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、第1主面及び第2主面を有するリジッド基板と、前記リジッド基板の前記第1主面側に接着材を介して接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、前記リジッド基板の前記第2主面側に接着材を介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板とを備え、前記第1樹脂基板の平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定され、前記第1樹脂基板は、前記接着材の導体部を介して、前記リジッド基板の導体部に対して電気的に接続される導体部を内部に有し、前記第2樹脂基板は、前記接着材の導体部を介して、前記リジッド基板の導体部と前記複数の外部接続端子とを電気的に接続する導体部を内部に有することを特徴とする複合配線基板構造体。   (2) In a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard, a rigid substrate having a first main surface and a second main surface is bonded to the first main surface side of the rigid substrate via an adhesive, A first resin substrate on which an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected is set, and a plurality of terminals of the motherboard are bonded to the second main surface side of the rigid substrate via an adhesive, and on the non-bonded surface side A second resin substrate having a plurality of external connection terminals connectable to the first resin substrate, the first resin substrate having a coefficient of thermal expansion in the plane direction of 30 ppm / ° C. or less, and the first resin substrate Has a conductor portion electrically connected to the conductor portion of the rigid board through the conductor portion of the adhesive material, and the second resin substrate passes through the conductor portion of the adhesive material. A conductor portion of the rigid substrate and the Interconnect board structure characterized by having a conductor portion for electrically connecting the external connection terminals having therein.

(3)リジッド基板、半導体回路素子が接続可能な第1樹脂基板、及びマザーボードに対して接続可能な第2樹脂基板とを備え、前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されている複合配線基板構造体の製造方法であって、前記リジッド基板、前記第1樹脂基板及び前記第2樹脂基板を個別に作製する個別作製工程と、前記リジッド基板の前記第1主面側に前記第1樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第1樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第1主面側接合工程と、前記リジッド基板の前記第2主面側に前記第2樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第2樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第2主面側接合工程とを含むことを特徴とする複合配線基板構造体の製造方法。   (3) A rigid substrate, a first resin substrate connectable to a semiconductor circuit element, and a second resin substrate connectable to a mother board, wherein the Young's modulus of the first resin substrate is greater than the Young's modulus of the rigid substrate. And a manufacturing method of a composite wiring board structure in which a Young's modulus of the second resin substrate is set to be smaller than a Young's modulus of the first resin substrate, the rigid substrate, the first resin An individual manufacturing step of individually manufacturing the substrate and the second resin substrate, and joining the first resin substrate to the first main surface side of the rigid substrate, and at that time, the conductor portion of the rigid substrate and the second resin substrate A first main surface side joining step for electrically connecting the conductor portions of one resin substrate to each other; and joining the second resin substrate to the second main surface side of the rigid substrate, and at the same time, Method for manufacturing a composite wiring board structure, characterized in that it comprises a second main surface side bonding step of connecting the conductor portions and the conductor portion of the second resin substrate of the substrate electrically to each other.

(4)リジッド基板、半導体回路素子が接続可能な第1樹脂基板、及びマザーボードに対して接続可能な第2樹脂基板とを備え、前記第1樹脂基板の平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定されている複合配線基板構造体の製造方法であって、前記リジッド基板、前記第1樹脂基板及び前記第2樹脂基板を個別に作製する個別作製工程と、前記リジッド基板の前記第1主面側に前記第1樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第1樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第1主面側接合工程と、前記リジッド基板の前記第2主面側に前記第2樹脂基板を接合するととともに、その際に前記リジッド基板の導体部及び前記第2樹脂基板の導体部を互いに電気的に接続する第2主面側接合工程とを含むことを特徴とする複合配線基板構造体の製造方法。   (4) A rigid substrate, a first resin substrate that can be connected to a semiconductor circuit element, and a second resin substrate that can be connected to a motherboard, and a thermal expansion coefficient in the plane direction of the first resin substrate is 30 ppm / ° C. A method for manufacturing a composite wiring board structure set as follows, wherein the rigid substrate, the first resin substrate, and the second resin substrate are individually manufactured, and the first of the rigid substrate A first main surface side bonding step of bonding the first resin substrate to the main surface side and electrically connecting the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the first resin substrate to each other; and the rigid The second resin substrate is joined to the second principal surface side of the substrate, and at that time, the conductor portion of the rigid substrate and the conductor portion of the second resin substrate are electrically connected to each other. Method for manufacturing a composite wiring board structure which comprises a step.

(5)前記第1主面側接合工程と前記第2主面側接合工程とが同時に実施されることを特徴とする上記(3)または(4)記載の複合配線基板構造体の製造方法。   (5) The method for manufacturing a composite wiring board structure according to (3) or (4), wherein the first main surface side bonding step and the second main surface side bonding step are performed simultaneously.

(6)前記個別作製工程における前記第2樹脂基板の作製は、第2樹脂基板用基材に対して孔あけ加工を行い、前記第2樹脂基板用基材を貫通するビア孔を所定位置にあらかじめ形成するビア孔形成工程と、前記ビア孔内に導体部となる材料を充填する充填工程と、前記第2樹脂基板用基材に配線層を形成する配線層形成工程とを含むことを特徴とする上記(3)または(4)記載の複合配線基板構造体の製造方法。   (6) The production of the second resin substrate in the individual production process is performed by drilling the base material for the second resin substrate, and setting the via hole penetrating the base material for the second resin substrate at a predetermined position. Including a via hole forming step formed in advance, a filling step of filling the via hole with a material to be a conductor portion, and a wiring layer forming step of forming a wiring layer on the second resin substrate base material. The manufacturing method of the composite wiring board structure according to the above (3) or (4).

(7)前記個別作製工程における前記第2樹脂基板の作製において、配線層が形成された第2樹脂基板用基材に対して新たに第2樹脂基板用基材を積層する積層工程と、積層された第2樹脂基板用基材に対して孔あけ加工を行い、前記第2樹脂基板用基材を貫通するビア孔を所定位置にあらかじめ形成するビア孔形成工程と、前記ビア孔内に導体部となる材料を充填する充填工程とを繰り返すことにより、前記配線層を多層化することを特徴とする上記(3)または(4)記載の複合配線基板構造体の製造方法。   (7) In the production of the second resin substrate in the individual production step, a lamination step of newly laminating the second resin substrate base material on the second resin substrate base material on which the wiring layer is formed, and lamination A via hole is formed in the second resin substrate base material, and a via hole penetrating the second resin substrate base material is formed in advance at a predetermined position; and a conductor is formed in the via hole. The method for manufacturing a composite wiring board structure according to (3) or (4), wherein the wiring layer is multilayered by repeating a filling step of filling a material to be a part.

(8)前記第1主面側接合工程が実施される前に、前記リジッド基板が前記第1主面側に有する複数の導体部と、前記第1樹脂基板の有する複数の導体部とを対応させて配置するとともに、前記第2主面側接合工程が実施される前に、前記リジッド基板が前記第2主面側に有する複数の導体部と、前記第2樹脂基板の有する複数の導体部とを対応させて配置する位置決め工程を実施することを特徴とする上記(3)または(4)記載の複合配線基板構造体の製造方法。   (8) Before the first main surface side joining step is performed, the plurality of conductor portions that the rigid substrate has on the first main surface side and the plurality of conductor portions that the first resin substrate has And the plurality of conductor portions of the rigid substrate on the second principal surface side and the plurality of conductor portions of the second resin substrate before the second principal surface side joining step is performed. A method for manufacturing a composite wiring board structure according to (3) or (4) above, wherein a positioning step of arranging them in correspondence with each other is performed.

第1実施形態において、セラミック配線基板(リジッド基板)、フレキシブル配線基板(第1樹脂基板)及び樹脂配線基板(第2樹脂基板)などからなる複合配線基板構造体を示す概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view showing a composite wiring board structure including a ceramic wiring board (rigid board), a flexible wiring board (first resin board), a resin wiring board (second resin board), and the like in the first embodiment. 複合配線基板構造体の構成を示す分解断面図。The exploded sectional view showing the composition of a composite wiring board structure. 接着シートの作製過程において、接着性有機材料シートを示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows an adhesive organic material sheet in the preparation process of an adhesive sheet. 接着シートの作製過程において、接着性有機材料シートに貫通孔を形成する工程を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the process of forming a through-hole in an adhesive organic material sheet in the preparation process of an adhesive sheet. 接着シートの作製過程において、貫通孔内に導体部を形成する工程を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the process of forming a conductor part in a through-hole in the preparation process of an adhesive sheet. 複合配線基板構造体の製造過程において、セラミック配線基板、フレキシブル配線基板及び樹脂配線基板を互いに接合するときの様子を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows a mode when a ceramic wiring board, a flexible wiring board, and a resin wiring board are mutually joined in the manufacture process of a composite wiring board structure. 第2実施形態における複合配線基板構造体を示す部分概略断面図。The partial schematic sectional drawing which shows the composite wiring board structure in 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

11…複合配線基板構造体
21…半導体回路素子としてのICチップ
31…リジッド基板としてのセラミック配線基板
32…第1主面としての上面
33…第2主面としての下面
35…リジッド基板の導体部としてのビア導体
41…第2樹脂基板としての樹脂配線基板
43…非接合面としての下面
47…外部接続端子としての面接続パッド
48…第2樹脂基板の導体部としてのビア導体
51…第1樹脂基板としてのフレキシブル配線基板
56…素子搭載部
57…第1樹脂基板の導体部としてのビア導体
58…張り出した部分である張出部
81…マザーボード
82…端子
91…モジュール配線基板
92…電子部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Composite wiring board structure 21 ... IC chip 31 as a semiconductor circuit element ... Ceramic wiring board 32 as a rigid board ... Upper surface 33 as a first main surface ... Lower surface 35 as a second main surface ... Conductor portion of a rigid substrate Via conductor 41 as a second resin substrate 43 as a second resin substrate Lower surface 47 as a non-joint surface Surface connection pad 48 as an external connection terminal Via conductor 51 as a conductor part of the second resin substrate First Flexible wiring board 56 as a resin substrate ... Element mounting portion 57 ... Via conductor 58 as a conductor portion of the first resin substrate ... Overhang portion 81 that is an overhang portion ... Motherboard 82 ... Terminal 91 ... Module wiring substrate 92 ... Electronic component

Claims (7)

マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、
第1主面及び第2主面を有し、内部に電子部品が埋設されるリジッド基板と、
前記リジッド基板の前記第1主面側に接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、
前記リジッド基板の前記第2主面に接合するとともに前記電子部品に臨む接着シートと、
前記リジッド基板の前記第2主面側に前記接着シートを介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板と
を備え、
前記リジッド基板がセラミック配線基板であるとともに、前記接着シートが耐熱性の熱可塑性樹脂によって形成され、
前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されている
ことを特徴とする複合配線基板構造体。
In a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard,
A rigid substrate having a first main surface and a second main surface, in which an electronic component is embedded;
A first resin substrate that is bonded to the first main surface side of the rigid substrate and in which an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected is set;
An adhesive sheet that joins the second main surface of the rigid substrate and faces the electronic component;
A second resin that is bonded to the second main surface side of the rigid substrate via the adhesive sheet, and has a plurality of external connection terminals that can be connected to the plurality of terminals of the motherboard on the non-bonding surface side. A substrate,
The rigid substrate is a ceramic wiring substrate, and the adhesive sheet is formed of a heat-resistant thermoplastic resin,
The Young's modulus of the first resin substrate is set to be smaller than the Young's modulus of the rigid substrate, and the Young's modulus of the second resin substrate is set to be smaller than the Young's modulus of the first resin substrate. A composite wiring board structure.
マザーボード上に実装可能な複合配線基板構造体において、
第1主面及び第2主面を有し、内部に電子部品が埋設されるリジッド基板と、
前記リジッド基板の前記第1主面側に接合され、半導体回路素子が接続可能な素子搭載部が設定された第1樹脂基板と、
前記リジッド基板の前記第2主面に接合するとともに前記電子部品に臨む接着シートと、
前記リジッド基板の前記第2主面側に前記接着シートを介して接合され、非接合面側に前記マザーボードの複数の端子に対して接続可能な複数の外部接続端子が突設された第2樹脂基板と
を備え、
前記リジッド基板がセラミック配線基板であるとともに、前記接着シートが耐熱性の熱可塑性樹脂によって形成され、
前記第1樹脂基板の平面方向における熱膨張係数が30ppm/℃以下に設定され、
前記第1樹脂基板のヤング率が前記リジッド基板のヤング率よりも小さく、前記第2樹脂基板のヤング率が前記第1樹脂基板のヤング率よりも小さくなるように設定されている
ことを特徴とする複合配線基板構造体。
In a composite wiring board structure that can be mounted on a motherboard,
A rigid substrate having a first main surface and a second main surface, in which an electronic component is embedded;
A first resin substrate that is bonded to the first main surface side of the rigid substrate and in which an element mounting portion to which a semiconductor circuit element can be connected is set;
An adhesive sheet that joins the second main surface of the rigid substrate and faces the electronic component;
A second resin that is bonded to the second main surface side of the rigid substrate via the adhesive sheet, and has a plurality of external connection terminals that can be connected to the plurality of terminals of the motherboard on the non-bonding surface side. A substrate,
The rigid substrate is a ceramic wiring substrate, and the adhesive sheet is formed of a heat-resistant thermoplastic resin,
The coefficient of thermal expansion in the plane direction of the first resin substrate is set to 30 ppm / ° C. or less,
The Young's modulus of the first resin substrate is set to be smaller than the Young's modulus of the rigid substrate, and the Young's modulus of the second resin substrate is set to be smaller than the Young's modulus of the first resin substrate. A composite wiring board structure.
前記リジッド基板のヤング率は15GPa以上に設定され、前記第1樹脂基板のヤング率は1GPa以上10GPa未満に設定され、前記第2樹脂基板のヤング率は1MPa以上1GPa未満に設定されていることを特徴とする請求項1または2に記載の複合配線基板構造体。   The Young's modulus of the rigid substrate is set to 15 GPa or more, the Young's modulus of the first resin substrate is set to 1 GPa or more and less than 10 GPa, and the Young's modulus of the second resin substrate is set to 1 MPa or more and less than 1 GPa. The composite wiring board structure according to claim 1 or 2, characterized in that: 前記リジッド基板は、平面方向における熱膨張係数が12ppm/℃以下に設定されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の複合配線基板構造体。   4. The composite wiring board structure according to claim 1, wherein the rigid substrate has a coefficient of thermal expansion in a plane direction set to 12 ppm / ° C. or less. 5. 前記第1樹脂基板は、フレキシブル配線基板であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の複合配線基板構造体。   5. The composite wiring board structure according to claim 1, wherein the first resin substrate is a flexible wiring board. 6. 前記第1樹脂基板は、その内部に前記リジッド基板の導体部に対して電気的に接続される導体部を有し、前記第2樹脂基板は、その内部に前記リジッド基板の導体部と前記複数の外部接続端子とを電気的に接続する導体部を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の複合配線基板構造体。   The first resin substrate has a conductor portion electrically connected to a conductor portion of the rigid substrate therein, and the second resin substrate includes the conductor portion of the rigid substrate and the plurality of conductor portions in the inside thereof. 6. The composite wiring board structure according to claim 1, further comprising a conductor portion that electrically connects the external connection terminal. 前記第1樹脂基板であるフレキシブル配線基板は、前記リジッド基板の平面方向に張り出した部分を有し、その張り出した部分には複数種類の電子部品を含んで構成された回路からなる機能モジュールとして成立するモジュール配線基板が接合されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の複合配線基板構造体。   The flexible wiring board which is the first resin substrate has a portion protruding in the plane direction of the rigid substrate, and the protruding portion is formed as a functional module including a circuit including a plurality of types of electronic components. 7. The composite wiring board structure according to claim 1, wherein a module wiring board to be joined is bonded.
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