JP4786590B2 - Semiconductor device transfer device - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置の搬送装置に関する。 The present invention relates to a transport device for a semiconductor device.
電子部品等の半導体装置の初期不良を顕在化し、初期故障品の除去を行うためのスクリーニング試験の一種であるバーンイン(Burn-In)試験を行う装置として、バーンイン装置が知られている。このバーンイン装置は半導体テスト装置の一種であり、被試験デバイス(Device Under Test)である半導体装置を複数装着したバーンインボードをバーンイン装置内に収納し、半導体装置に、電圧を印加して電気的ストレスを与えるとともに、恒温槽内部の空気を加熱して所定の温度の熱ストレスを与えることにより、初期不良を顕在化させる。また、このバーンイン試験においては、半導体装置に動作用の電源や信号を供給して、半導体装置の動作テストを行い、各半導体装置が正常に動作しているかどうかを試す試験を行う。 2. Description of the Related Art A burn-in apparatus is known as an apparatus for performing a burn-in test, which is a kind of screening test for revealing an initial failure of a semiconductor device such as an electronic component and removing an initial failure product. This burn-in device is a type of semiconductor test device. A burn-in board with a plurality of semiconductor devices, which are devices under test, is housed in the burn-in device, and voltage is applied to the semiconductor device to apply electrical stress. In addition to heating the air inside the thermostatic chamber and applying a thermal stress at a predetermined temperature, the initial failure becomes obvious. Further, in this burn-in test, an operation power supply and a signal are supplied to the semiconductor device, an operation test of the semiconductor device is performed, and a test is performed to check whether each semiconductor device is operating normally.
このようなバーンイン装置では、数時間から数十時間に亘る長時間のバーンイン試験が行われることから、試験効率を向上させるために、複数の半導体装置を1枚のバーンインボードに挿入するとともに、このバーンインボードを複数毎、バーンイン装置に収納して、バーンイン試験を行うのが一般的である。 In such a burn-in apparatus, since a long-time burn-in test is performed for several hours to several tens of hours, a plurality of semiconductor devices are inserted into one burn-in board in order to improve test efficiency. In general, a plurality of burn-in boards are stored in a burn-in apparatus and a burn-in test is performed.
バーンインボードには数多くの半導体装置を装着することから、人手を介さずに、トレイ上の半導体装置をバーンインボードに装着したり、装着されている半導体装置を抜去したりする搬送装置が広く用いられている。このような作業を行う半導体装置の搬送装置は、インサーター/アンインサーターとも呼ばれ、半導体装置をインサートする際には、トレイ上に並べられた半導体装置をピックアップ装置でピックアップし、バーンインボードのソケットに挿入する作業を、すべてのソケットに半導体装置が挿入されるまで繰り返す。また、半導体装置をアンインサートする際には、バーンインボードのソケットに挿入されている半導体装置をピックアップ装置で抜去し、トレイ上に載置する作業を、すべてのソケットから半導体装置が抜去されるまで繰り返す。 Since many semiconductor devices are mounted on the burn-in board, a transfer device is widely used for mounting the semiconductor device on the tray on the burn-in board or removing the mounted semiconductor device without human intervention. ing. A semiconductor device carrying device that performs such work is also called an inserter / uninserter. When inserting a semiconductor device, the semiconductor device arranged on the tray is picked up by the pickup device, and the burn-in board socket is inserted. The operation of inserting into the socket is repeated until the semiconductor devices are inserted into all the sockets. Also, when uninserting a semiconductor device, the semiconductor device inserted in the socket of the burn-in board is removed with a pickup device and placed on the tray until the semiconductor device is removed from all sockets. repeat.
しかし、ピックアップ装置で半導体装置をピックアップしたり、挿入したりする際に、静電気が発生し、この静電気が半導体装置に蓄積される。すなわち、剥離帯電、衝突帯電、摩擦帯電などの接触帯電により発生した静電気が、半導体装置に蓄積されていく。特に、バーンインボードのソケットには、一般に、半導体装置の装着を確実なもににするための開閉機構のある爪部が設けられており、この爪部の開閉機構が開閉することによっても、摩擦帯電により静電気が発生し、半導体装置が帯電する。 However, static electricity is generated when the semiconductor device is picked up or inserted by the pickup device, and this static electricity is accumulated in the semiconductor device. That is, static electricity generated by contact charging such as peeling charging, collision charging, friction charging, and the like is accumulated in the semiconductor device. In particular, the burn-in board socket is generally provided with a claw portion having an opening / closing mechanism for ensuring the mounting of the semiconductor device. The opening / closing mechanism of the claw portion also opens and closes the friction. Static electricity is generated by charging, and the semiconductor device is charged.
この帯電した半導体装置が装着されたバーンインボードを、グランド電位にあるバーンインボード用の台車に挿入したり、バーンイン装置のスロットに挿入したりすると、半導体装置に溜まった静電気が一気に放電し、半導体装置を損傷させてしまう恐れがある。 When the burn-in board with this charged semiconductor device is inserted into a burn-in board cart at a ground potential or into a slot of the burn-in device, static electricity accumulated in the semiconductor device is discharged at once, and the semiconductor device May be damaged.
このような静電気による半導体装置の損傷を防止するため、特開平7−58184号公報(特許文献1)では、ピックアップ装置でピックアップされた半導体装置に、搬送アームの内部から半導体装置の静電気を除去するためのイオンを送り込む技術を開示している。しかし、このような手法では、搬送アームの構造が複雑になり、可動部の多い搬送アームの性質上、好ましくない。また、搬送アームの製造コストの増大も招いてしまう。 In order to prevent such damage to the semiconductor device due to static electricity, Japanese Patent Laid-Open No. 7-58184 (Patent Document 1) removes the static electricity of the semiconductor device from the inside of the transfer arm to the semiconductor device picked up by the pickup device. A technique for feeding ions for the purpose is disclosed. However, such a method is not preferable because the structure of the transfer arm is complicated and the transfer arm has many movable parts. In addition, the manufacturing cost of the transfer arm is increased.
また、特開2001−44089号公報(特許文献2)では、クリーンルームの上部に軟X線照射装置を設け、このクリーンルーム内にある半導体ウエハの静電気を除去する技術を開示している。しかし、大きな容積のある空間の上部に軟X線照射装置を設けるだけでは、十分な静電気除去効果を発揮することは期待できない。
そこで本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、比較的簡単な構成で十分な静電気除去効果を発揮できる半導体装置の搬送装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a transport device for a semiconductor device that can exhibit a sufficient static electricity removing effect with a relatively simple configuration.
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の搬送装置は、
マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置の装着用ボードに対する搬送を行うためのピックアップ装置と、
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, a transport device for a semiconductor device according to the present invention includes:
A pick-up device for transporting the picked-up semiconductor device to the mounting board through the mount opening;
An ionizer for supplying static-removing ions to the mount opening, an ion generator for generating the static-removing ions, and an air delivery pipe for delivering air to the ion generator An ionizer that mixes the ions for removing static electricity generated by the ion generator into the air delivered from the air delivery pipe unit and sends out the ions from the ion generator,
It is characterized by providing.
この場合、前記イオン生成部の空気送出方向側には、前記イオン生成部から送出された空気を排出するための排出口の形成された、排出口形成部が設けられるようにしてもよい。 In this case, a discharge port forming portion in which a discharge port for discharging the air sent from the ion generation unit is formed may be provided on the air sending direction side of the ion generation unit.
この場合、前記排出口形成部は、前記マウント開口部の形状に合致するように、前記マウント開口部の周囲に配設されているようにしてもよい。 In this case, the discharge port forming portion may be disposed around the mount opening so as to match the shape of the mount opening.
或いは、前記排出口形成部は、前記マウント開口部の1つの辺に沿って、直線的に配設されるようにしてもよい。 Alternatively, the discharge port forming part may be arranged linearly along one side of the mount opening.
また、前記イオン生成部の空気送出方向側にある前記イオン生成部の開口が、前記静電気除去用のイオンの混入された空気を前記マウント開口部に排出するための排出口として機能するように構成されるようにしてもよい。 Further, the opening of the ion generating unit on the air sending direction side of the ion generating unit functions as a discharge port for discharging air mixed with ions for removing static electricity to the mount opening. You may be made to do.
また、前記排出口は、前記イオン生成部から送出された空気が、装着用ボードに向けて排出されるように配置されるようにしてもよい。 Further, the discharge port may be arranged so that the air sent from the ion generation unit is discharged toward the mounting board.
また、前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、ピックアップした半導体装置を装着用ボードに装着する処理を行うようにしてもよい。 The pick-up device may perform a process of mounting the picked-up semiconductor device on a mounting board through the mount opening.
また、前記ピックアップ装置は、前記マウント開口部を介して、装着用ボードに装着されている半導体装置をピックアップして抜去する処理を行うようにしてもよい。 Further, the pickup device may perform a process of picking up and removing the semiconductor device mounted on the mounting board through the mount opening.
また、半導体装置の搬送装置は、前記イオン生成部に電源を供給する電源ラインをさらに備えており、
前記イオン生成部は、前記電源ラインから供給された電源を、前記イオン生成部に設けられた放電針に供給することにより、前記静電気除去用のイオンを生成するようにしてもよい。
The transport device for a semiconductor device further includes a power line for supplying power to the ion generation unit,
The ion generation unit may generate the static elimination ions by supplying power supplied from the power supply line to a discharge needle provided in the ion generation unit.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の技術的範囲を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the embodiments described below do not limit the technical scope of the present invention.
〔第1実施形態〕
図1は、第1実施形態に係る半導体装置の搬送装置10を用いて、半導体装置をバーンインボードBIBに装着する処理を説明するブロック図である。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a block diagram illustrating a process of mounting a semiconductor device on a burn-in board BIB using the
この図1に示すように、バーンインボードBIBに装着すべき被試験デイバスである半導体装置DUTが、トレイ20に並べられている。このトレイ20の上には、任意の個数の半導体装置DUTが並べられる。
As shown in FIG. 1, semiconductor devices DUT, which are devices under test to be mounted on the burn-in board BIB, are arranged on the
半導体装置DUTが並べられたトレイ20は、載置台30の上に載置される。この載置台30は、載置台30の基本的部分を構成する本体部32と、本体部32の上面側を覆う導電マット34とを備えて構成されている。この導電マット34は、高い抵抗値を有する導電性のマットであり、例えば本実施形態では、1MΩから10MΩの抵抗値を有している。本体部32は、グランド接地されている。したがって、トレイ20に並べられた半導体装置DUTが帯電していたとしても、高い抵抗の導電マット34を介して、徐々に放電されることとなる。
The
半導体装置DUTが並べられたトレイ20は、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置10内に搬入される。半導体装置の搬送装置10では、ICハンドリング装置に設けられたピックアップ装置により、トレイ20から半導体装置DUTがピックアップされ、バーンインボードBIBのソケットに挿入される。この半導体装置DUTのピックアップや挿入作業時に発生する静電気による帯電を除去するため、半導体装置の搬送装置10内には、イオナイザー40が設けられている。
The
イオナイザー40は、イオンを発生する装置であり、一般的には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプと、プライスイオンとマイナスイオンのうちの一方のイオンを発生するタイプとがある。どちらのタイプのイオナイザーを用いるかは、発生する主たる静電気がプラスであるのかマイナスであるのか等に基づいて、任意に選択可能である。但し、一般的には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプの方が使い勝手がよいと考えられていることから、本実施形態では、イオナイザー40には、プラスイオンとマイナスイオンの双方を発生するタイプを用いている。イオナイザー40が生成したイオンは、バーンインボードBIB上の半導体装置DUTに供給される。このため、イオナイザー40が供給したイオンにより、帯電した半導体装置DUTが徐々に放電されて、中和されるようになっている。
The
半導体装置の搬送装置10は、バーンインボードBIBのすべてのソケットに半導体装置DUTを装着し終えると、このバーンインボードBIBをキャリアラックCRのスロットに挿入する。一般に、キャリアラックCR内には複数のバーンインボードBIBを収納することが可能であるので、半導体装置の搬送装置10は、キャリアラックCRのすべてのスロットにバーンインボードBIBを挿入し終えるまで、トレイ20からの半導体装置DUTのピックアップと、ピックアップした半導体装置DUTのバーンインボードBIBのソケットへの装着と、キャリアラックCRのスロットへのバーンインボードBIBの挿入とを繰り返す。
When the semiconductor
すべてのスロットにバーンインボードBIBが挿入されたキャリアラックCRは、台車50を用いて、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置10から搬出される。搬出されたキャリアラックCRは、バーンイン装置に搬入されて、バーンイン装置内でバーンイン試験が行われる。
The carrier rack CR in which the burn-in board BIB is inserted into all the slots is carried out of the
図2は、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置10を用いて、半導体装置DUTをバーンインボードBIBから抜去する処理を説明するブロック図である。半導体装置DUTを抜去する際の動作は、基本的に、上述した半導体装置DUTを装着する際の動作の逆手順となる。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a process of removing the semiconductor device DUT from the burn-in board BIB using the semiconductor
図2に示すように、バーンイン装置におけるバーンイン試験の完了した半導体装置DUTは、キャリアラックCRを乗せた台車50を用いて、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置10内に搬入される。
As shown in FIG. 2, the semiconductor device DUT in which the burn-in test in the burn-in device has been completed is carried out automatically or manually by a machine using a
半導体装置の搬送装置10は、キャリアラックCRのスロットからバーンインボードBIBを取り出す。ICハンドリング装置のピックアップ装置は、バーンインボードBIBのソケットから半導体装置DUTをピックアップし、トレイ20に並べていく。半導体装置DUTを並べ終えたトレイ20は、機械により自動的に、又は、人手により、半導体装置の搬送装置10から搬出され、載置台30の上に載置される。
The semiconductor
ICハンドリング装置のピックアップ装置が、バーンインボードBIBのソケットから半導体装置DUTをピックアップする際にも、静電気が発生し、半導体装置DUTが帯電する可能性があるが、イオナイザー40から送出されるイオンにより、このピックアップの際に発生した静電気の除去が行われる。 When the pickup device of the IC handling device picks up the semiconductor device DUT from the socket of the burn-in board BIB, static electricity may be generated and the semiconductor device DUT may be charged. Static electricity generated during the pickup is removed.
図3は、図1及び図2に示した半導体装置の搬送装置10の構成の一例を説明するレイアウト図である。この図3に示すように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置10は、トレイ搬送部60とハンドリング部70とバーンインボードエレベータ部80とを備えて構成されている。
FIG. 3 is a layout diagram illustrating an example of the configuration of the
トレイ搬送部60は、半導体装置DUTが並べられたトレイ20を搬送するための装置である。半導体装置DUTをバーンインボードBIBに装着する際には、半導体装置DUTの並べられたトレイ20を搬入し、ハンドリング部70に送り出す。
The
ハンドリング部70には、ICハンドリング装置72が設けられている。ICハンドリング装置72は、X軸方向(図の左右方向)に自在に移動する移動プレート74と、この移動プレート74に設けられて、半導体装置DUTのピックアップを行うピックアップ装置76、78を備えている。ピックアップ装置76、78は、Y軸方向(図の奥行き方向)とZ軸方向(図の上下方向)に自在に移動可能である。
The
ピックアップ装置76、78の下側には、それぞれ、半導体装置DUTを吸引してピックアップするための吸引部90、92が設けられている。吸引部90、92の個数は任意であるが、複数の吸引部90、92を設けることにより、同時に複数の半導体装置DUTをピックアップすることができるようになる。
Under the
なお、本実施形態では、ピックアップ装置76、78は、半導体装置DUTを空気で吸引することによりピックアップする機構であるが、これと異なる機構で半導体装置DUTをピックアップするようにしてもよい。
In the present embodiment, the
2つのピックアップ装置76、78のうちピックアップ装置76は、トレイ20に並んだ半導体装置DUTをピックアップして、中継台座100に並べる操作を行う。中継台座100は、トレイ20からピックアップした半導体装置DUTを一時的に並べておくための台座である。
Of the two
より具体的には、移動プレート74がX軸方向に移動し、ピックアップ装置76がY軸方向に移動することにより、ピックアップすべきトレイ20上の半導体装置DUTの位置に、ピックアップ装置76の吸引部90の位置を合わせる。そして、ピックアップ装置76がZ軸方向下方に移動し、吸引部90がトレイ20上の半導体装置DUTを吸引してピックアップした後、ピックアップ装置76がZ軸方向上方に移動する。
More specifically, when the moving
このようにピックアップ装置76が半導体装置DUTをピックアップして保持した状態で、再び、移動プレート74をX軸方向に移動し、ピックアップ装置76をY軸方向に移動することにより、保持している半導体装置DUTの位置を、中継台座100の並べるべき位置に合わせる。そして、ピックアップ装置76がZ軸方向下方に移動し、吸引部90が半導体装置DUTの吸引を停止することにより、半導体装置DUTを中継台座100に載置する。半導体装置DUTをリリースしたピックアップ装置76は、Z軸方向上方に移動する。このような動作により、トレイ20から中継台座100への半導体装置DUTの搬送が完了する。
With the
半導体装置の搬送装置10の搬送基板110には、マウント開口部120が形成されている。本実施形態においては、搬送基板110上に、上述したトレイ20や中継台座100が載置される。また、本実施形態においては、ハンドリング部70における搬送基板10の上側に半導体装置DUTの搬送機構が形成されており、搬送基板110の下側にバーンインボードBIBの搬送機構が形成されている。
A
バーンインボードBIBの搬送機構は、マウント開口部120の下方位置に、半導体装置DUTが装着されるべきバーンインボードBIBが位置するように、バーンインボードBIBを搬送制御する。すなわち、バーンインボードBIBの搬送機構は、半導体装置DUTが装着されるべきバーンインボードBIBを、X軸方向、Y軸方向、Z軸方向に移動し、バーンインボードBIBの搬送処理を行う。
The transport mechanism of the burn-in board BIB controls the transport of the burn-in board BIB so that the burn-in board BIB on which the semiconductor device DUT is to be mounted is positioned below the
図4は、本実施形態に係るマウント開口部120近傍を上から見た状態を示す図面図であり、図5は、本実施形態に係るマウント開口部120近傍の部分的な断面図である。 4 is a drawing showing a state in which the vicinity of the mount opening 120 according to the present embodiment is viewed from above, and FIG. 5 is a partial cross-sectional view of the vicinity of the mount opening 120 according to the present embodiment.
これら図4及び図5を用いて半導体装置DUTの装着動作を詳しく説明する。まず、マウント開口部120の下側には、バーンインボードBIBが搬送されて、所定の位置で静止する。この静止したバーンインボードBIBのソケットSKTに、ピックアップ装置78が半導体装置DUTを装着する。
The mounting operation of the semiconductor device DUT will be described in detail with reference to FIGS. First, the burn-in board BIB is conveyed below the
具体的には、移動プレート74がX軸方向に移動し、ピックアップ装置76がY軸方向に移動することにより、中継台座100上のピックアップすべき半導体装置DUTの位置に、ピックアップ装置78の吸引部92の位置を合わせる。そして、ピックアップ装置78がZ軸方向下方に移動し、吸引部92が中継台座100から半導体装置DUTを吸引してピックアップした後、ピックアップ装置78がZ軸方向上方に移動する。
Specifically, when the moving
このように半導体装置DUTをピックアップして保持した状態で、再び、移動プレート74をX軸方向に移動し、ピックアップ装置78をY軸方向に移動することにより、保持している半導体装置DUTの位置を、装着すべきバーンインボードBIBのソケットSKTの位置に合わせる。そして、ピックアップ装置78がZ軸方向下方に移動し、吸引部92が半導体装置DUTの吸引を停止し、ソケットSKTに半導体装置DUTを挿入することにより、半導体装置DUTがバーンインボードBIBのソケットSKTに装着される。このような動作により、中継台座100からバーンインボードBIBのソケットSKTへの半導体装置DUTの装着が完了する。
With the semiconductor device DUT picked up and held in this way, the moving
すべてのソケットSKTに半導体装置DUTが装着されたバーンインボードBIBは、バーンインボードエレベータ部80に搬出される。バーンインボードエレベータ部80では、キャリアラックCRがZ軸方向に移動し、ハンドリング部70から搬出されたバーンインボードBIBを、キャリアラックCRの空きスロットに挿入する。すべてのスロットにバーンインボードBIBが挿入されたキャリアラックCRは、バーンインボードエレベータ部80から搬出され、バーンイン装置でバーンイン試験が行われる。
The burn-in board BIB in which the semiconductor device DUT is mounted in all the sockets SKT is carried out to the burn-in
バーンインボードBIBに半導体装置DUTをインサートする際の動作は以上の通りであるが、バーンインボードBIBから半導体装置DUTをアンインサートする際の動作は、上述した動作と反対の動作により実現される。 The operation at the time of inserting the semiconductor device DUT into the burn-in board BIB is as described above, but the operation at the time of uninserting the semiconductor device DUT from the burn-in board BIB is realized by an operation opposite to the operation described above.
すなわち、バーンインボードエレベータ部80に、バーンイン装置からキャリアラックCRが搬入される。このキャリアラックCRのスロットには、バーンイン試験の終了した半導体装置DUTをソケットSKTに装着したバーンインボードBIBが挿入されている。
That is, the carrier rack CR is carried into the burn-in
キャリアラックCRのスロットから取り出されたバーンインボードBIBは、ハンドリング部70に搬入され、搬送装置10のマウント開口部120の下方位置で静止する。そして、マウント開口部120を介して、ピックアップ装置78がバーンインボードBIBのソケットSKTから半導体装置DUTを順番に抜去し、中継台座100上に載置する。
The burn-in board BIB taken out from the slot of the carrier rack CR is carried into the
中継台座100に載置された半導体装置DUTは、ピックアップ装置76がピックアップし、トレイ20に並べる。バーンイン試験の完了した半導体装置DUTが並べられたトレイ20は、ハンドリング部70からトレイ搬送部60に搬送され、トレイ搬送部60から、半導体装置の搬送装置10の外部に搬出される。
The semiconductor device DUT placed on the
また、上述したように、本実施形態における半導体装置の搬送装置10には、マウント開口部120に静電気除去用のイオンを含む空気を送り込むイオナイザー40が設けられている。イオナイザー40は、コントロールユニット42と、イオン生成部44と、排出口形成部46とを備えている。本実施形態においては、イオン生成部44は、マウント開口部120の近傍に設置されており、コントロールユニット42はマウント開口部120から離れた任意に箇所に設置されている。
In addition, as described above, the
コントロールユニット42は、イオナイザー40が生成するイオンの量や空気を送り出す量の制御などを行う。コントロールユニット42とイオン生成部44との間には、空気配送配管部47Aと、電源ライン47Bとが配設されている。
The
空気配送配管部47Aは、コントロールユニット42から送り出された空気をイオン生成部44に配送する。本実施形態では、空気配送配管部47Aで配送する空気は、この半導体装置の搬送装置10の外部から供給された空気の圧力をコントロールユニット42が調整することにより生成されている。すなわち、この半導体装置の搬送装置10が設置された工場等に設けられている圧縮空気の配管から、コントロールユニット42が空気の要求を受け、圧力調整をした上で、イオン生成部44に配送している。
The air
但し、この半導体装置の搬送装置10が設置された場所に、圧縮空気の配管が無い場合等には、コントロールユニット42にエアコンプレッサを内蔵して、必要な圧力の空気をコントロールユニット42からイオン生成部44に送り出すようにしてもよい。
However, if there is no compressed air piping at the place where the
また、コントロールユニット42は、電源ライン47Bを介して、イオン生成部44に電源を供給している。コントロールユニット42が電源ライン47Bを介して供給する電源は、上述したように、イオナイザー40のタイプにより、交流電源の場合と、直流電源の場合とがある。いずれのタイプであっても、コントロールユニット42は、電源ライン47Bを介して供給する電源の制御をすることにより、イオン生成部44で生成するイオンの量の制御を行う。
In addition, the
図6は、本実施形態に係るイオン生成部44の近傍の構造を説明するための拡大断面図である。この図6に示すように、イオン生成部44には、イオンを発生する放電針47Cが設けられている。この放電針47Cには、電源ライン47Bから電源が供給され、この供給された電源により、静電気除去用のイオンを発生する。放電針47Cで発生したイオンは、空気配送配管部47Aにより配送された空気に混入され、排出口形成部46に送り出される。なお、この図6では、放電針47Cが1つだけ設けられているが、イオン生成部44に設ける放電針47Cの数は任意に変更可能である。
FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view for explaining the structure in the vicinity of the
また、一般的には、空気配送配管部47Aとイオン生成部44の構成部材は、グランドに接続されている。このように構成部材がグランドに接続されている場合には、放電針47Cで発生したイオンがイオン生成部44の構成部材に吸着してしまわないようにするために、放電針47Cの向きや位置を調整したり、放電針47C周囲の風量や風向を調整したりすることが望ましい。
In general, the constituent members of the
イオン生成部44の空気送出方向側に設けられた排出口形成部46は、平面視矩形状に形成されたマウント開口部120の形状に合致するように、その周囲を囲って配設される。すなわち、イオナイザー配管部44の排出口形成部46は、矩形状に屈曲して形成され、マウント開口部120内側に配設される。
The discharge
この排出口形成部46には、マウント開口部120の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出するための排出口48が形成されている。排出口形成部46に形成する排出口48の数は任意であるが、複数の排出口48を形成することにより、マウント開口部120近傍に満遍なく静電気除去用のイオンを分布させることが可能になる。
The discharge
また、本実施形態では、この排出口形成部46の排出口48は、斜め下向きに形成されている。これにより、排出口48から排出されたイオンを含む空気が、効率的にバーンインボードBIBの近傍に供給されるようになる。
Moreover, in this embodiment, the
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置10によれば、イオナイザー40を設け、このイオナイザー40のイオン生成部44をマウント開口部120の近傍に設置するとともに、このイオン生成部44にコントロールユニット42から空気と電源を供給することとした。このため、イオン生成部44で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット42から配送された空気に混入して、マウント開口部120に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードBIBに供給することができ、半導体装置DUTやソケットSKTに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置DUTやソケットSKTの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
As described above, according to the
また、イオンを生成するイオン生成部44と、その制御を行うコントロールユニット42とを、離れて配設することができるので、半導体装置の搬送装置10内におけるレイアウトの自由度を格段に高めることができる。
In addition, since the
〔第2実施形態〕
第2実施形態は、上述した第1実施形態における排出口形成部46の形状に変更を加えたものである。すなわち、上述した第1実施形態では、イオナイザー40の排出口形成部46を矩形状に形成したため、排出口形成部46内の屈曲部で空気の流れに乱れが生じ、イオン生成部44で生成されたイオンが中和してしまう恐れがある。すなわち、配管内の乱流により、プラスイオンとマイナスイオンが中和してしまい、排出口形成部46の先端部に設けられた排出口48から送出される空気には、十分なイオンが含まれていない恐れもある。そこで、本実施形態では、排出口形成部46を直線的な形状にし、排出口形成部46内で生じる乱流を可能な限り少なくしている。以下、上述した第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Second Embodiment]
In the second embodiment, the shape of the discharge
図7は、第2実施形態に係る半導体装置の搬送装置10におけるマウント開口部120近傍を上から見た平面図を示しており、上述した第1実施形態の図4に対応する図である。図8は、図4のマウント開口部120近傍の部分的な断面図であり、上述した第1実施形態の図5に対応する図である。
FIG. 7 is a plan view of the vicinity of the mount opening 120 in the
これら図7及び図8に示すように、本実施形態に係るイオナイザー40の排出口形成部46は、直線的に形成されている。すなわち、少なくとも排出口形成部46には、屈曲部が形成されていない。このため、排出口形成部46内を流れるイオンを含む空気に乱流が生じるのを避けることができる
この排出口形成部46には、マウント開口部120の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出するための排出口48が形成されている。すなわち、マウント開口部120の開口方向に向けて、マウント開口部120の一辺に沿った位置から、イオンを含む空気が排出される。排出口形成部46に形成する排出口48の数は任意であるが、複数の排出口48を形成することにより、マウント開口部120近傍に満遍なく静電気除去用のイオンを分布させることが可能になる。
As shown in FIGS. 7 and 8, the discharge
また、本実施形態では、この排出口形成部46の排出口48は、斜め下向きに形成されている。これにより、排出口48から排出されたイオンを含む空気が、効率的にバーンインボードBIBの近傍に供給されるようになる。
Moreover, in this embodiment, the
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置10によっても、イオン生成部44で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット42から配送された空気に混入して、マウント開口部120に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードBIBに供給することができ、半導体装置DUTやソケットSKTに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置DUTやソケットSKTの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
As described above, the
また、イオナイザー40の排出口形成部46を直線形状に構成することとしたので、排出口形成部46内で空気の流れが乱れないようにすることができ、空気の流れが乱れることによりイオン中和してしまうのを、極力回避することができる。
Further, since the discharge
〔第3実施形態〕
第3実施形態は、上述した第1実施形態における排出口形成部46を省いて、イオナイザー40に排出口形成部46を設けないようにしたものである。以下、上述した第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Third Embodiment]
In the third embodiment, the discharge
図9は、第3実施形態に係る半導体装置の搬送装置10におけるマウント開口部120近傍を上から見た平面図を示しており、上述した第1実施形態の図4に対応する図である。図10は、図4のマウント開口部120近傍の部分的な断面図であり、上述した第1実施形態の図5に対応する図である。
FIG. 9 is a plan view of the vicinity of the mount opening 120 in the
これら図9及び図10に示すように、本実施形態に係るイオナイザー40には、排出口形成部46が設けられていない。すなわち、本実施形態では、イオン生成部44の空気送出方向側にある配管の開口そのものが、イオンを含む空気を排出する排出口130を構成している。
As shown in FIGS. 9 and 10, the
排出口130は、マウント開口部120の内側方向に向けて、イオンを含む空気を排出する。また、本実施形態では、この排出口120は、斜め下向きに空気を排出するように形成されている。
The
本実施形態では、排出口130は1個であるが、マウント開口部120の中央部分に向けて空気を排出することから、イオンを含む空気はマウント開口部120に全体的に拡散し、均一化されてバーンインボードBIBの近傍に供給される。
In the present embodiment, the number of the
以上のように、本実施形態に係る半導体装置の搬送装置10によっても、イオン生成部44で生成された静電気除去用のイオンを、コントロールユニット42から配送された空気に混入して、マウント開口部120に効率的に排出することができる。したがって、静電気除去用のイオンを効率的にバーンインボードBIBに供給することができ、半導体装置DUTやソケットSKTに発生した静電気を効果的に除去することができる。すなわち、静電気が発生しやすい半導体装置DUTやソケットSKTの部分に、静電気除去用のイオンを集中させ、効果的に静電気除去を行うことができるようになる。
As described above, the
また、イオン生成部44の空気排出方向側に排出口形成部46を設けないこととしたので、空気配送配管部47Aからイオン生成部44に続く整った空気の流れのまま、イオンを含む空気をマウント開口部120に排出することができる。このため、空気の流れが乱れることにより、イオン中和してしまうのを、極力回避することができる。
In addition, since the discharge
なお、本発明は上記実施形態に限定されず種々に変形可能である。例えば、上述した実施形態では、半導体装置の搬送装置10は、半導体装置DUTをバーンインボードBIBに装着する処理と、半導体装置DUTをバーンインボードBIBから抜去する処理の双方を行う例を説明したが、どちらか一方の処理だけをする半導体装置の搬送装置についても、本発明を適用することができる。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible. For example, in the above-described embodiment, the semiconductor
また、上述した実施形態に係る半導体装置の搬送装置10では、1つのマウント開口部120を介して、半導体装置DUTのバーンインボードBIBへの装着と抜去を行うこととしたが、半導体装置DUTの装着と抜去を異なるマウント開口部で行うようにしてもよい。例えば、搬送基板110に半導体装置DUTの装着用の第1のマウント開口部と、半導体装置DUTの抜去用の第2のマウント開口部とを設けるようにしてもよい。
In the semiconductor
また、上述した実施形態に係る半導体装置の搬送装置10では、2つのピックアップ装置76、78を用いて、半導体装置DUTの装着と抜去を行うようにしたが、ピックアップ装置の数は任意である。例えば、1つのピックアップ装置で半導体装置DUTのバーンインボードBIBへの装着を行うようにし、且つ、その1つのピックアップ装置で半導体装置DUTのバーンインボードBIBからの抜去を行うようにしてもよい。
In the semiconductor
また、上述した実施形態では、半導体装置DUTを装着する装着用ボードの一例として、バーンインボードBIBを例に本発明を説明したが、バーンインボードBIB以外の装着用ボードに半導体装置DUTの装着や抜去を行う半導体装置の搬送装置についても、本発明を適用することができる。 In the above-described embodiment, the present invention has been described by taking the burn-in board BIB as an example of the mounting board for mounting the semiconductor device DUT. However, the mounting and removal of the semiconductor device DUT on the mounting board other than the burn-in board BIB is described. The present invention can also be applied to a transfer device of a semiconductor device that performs the above.
また、上述した実施形態では、半導体装置の搬送装置がインサーター/アンインサーターである場合を例に説明したが、半導体装置の搬送装置には、IC自動挿抜装置、インサーター/ソーター、ローダー/アンローダーなど、半導体装置を搬送する様々な装置が含まれる。 In the above-described embodiment, the case where the semiconductor device transport device is an inserter / uninserter has been described as an example. However, the semiconductor device transport device includes an IC automatic insertion / removal device, an inserter / sorter, a loader / unloader. Various devices for transporting semiconductor devices, such as loaders, are included.
また、上述した実施形態では、1つのコントロールユニット42に、1つのイオン生成部44を接続することとしたが、1つのコントロールユニット42に、複数のイオン生成部44を接続し、1つのコントロールユニット42で複数のイオン生成部44の制御を行うようにすることもできる。この場合、増設したイオン生成部44は、例えば、トレイ20上に並べられた半導体装置DUTに、静電気除去用のイオンを供給するように配置してもよい。
In the above-described embodiment, one
10 半導体装置の搬送装置
20 トレイ
30 載置台
40 イオナイザー
42 コントロールユニット
44 イオン生成部
46 排出口形成部
47A 空気配送配管部
47B 電源ライン
47C 放電針
48 排出口
50 台車
BIB バーンインボード
CR キャリアラック
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えており、
前記イオナイザーは、前記イオン生成部で生成するイオンの量を制御し、且つ、前記空気配送配管部を介して配送する空気の量を制御するコントロールユニットを、さらに備えており、
前記コントロールユニットは、前記空気配送配管部を介して前記イオン生成部に空気を配送することにより、前記マウント開口部から離れた任意の箇所に設置可能になり、
前記イオナイザーにおける前記イオン生成部の空気送出方向側には、前記イオン生成部から送出された空気を排出するための排出口が複数形成された、排出口形成部が設けられており、
前記排出口形成部は、前記マウント開口部の形状に合致するように、前記マウント開口部の周囲に配設されている、
ことを特徴とする半導体装置の搬送装置。 A pickup device that performs a process of mounting the picked-up semiconductor device on the mounting board and a process of picking up and removing the semiconductor device mounted on the mounting board through the mount opening ;
An ionizer for supplying static-removing ions to the mount opening, an ion generator for generating the static-removing ions, and an air delivery pipe for delivering air to the ion generator An ionizer that mixes the ions for removing static electricity generated by the ion generator into the air delivered from the air delivery pipe unit and sends out the ions from the ion generator,
Equipped with a,
The ionizer further includes a control unit that controls the amount of ions generated by the ion generation unit and controls the amount of air delivered through the air delivery piping unit,
The control unit can be installed at any location away from the mount opening by delivering air to the ion generator via the air delivery pipe.
On the air delivery direction side of the ion generator in the ionizer, there is provided a discharge port forming portion in which a plurality of discharge ports for discharging the air sent from the ion generator is formed,
The discharge port forming portion is disposed around the mount opening so as to match the shape of the mount opening.
Conveying apparatus wherein a and this.
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えており、
前記イオナイザーは、前記イオン生成部で生成するイオンの量を制御し、且つ、前記空気配送配管部を介して配送する空気の量を制御するコントロールユニットを、さらに備えており、
前記コントロールユニットは、前記空気配送配管部を介して前記イオン生成部に空気を配送することにより、前記マウント開口部から離れた任意の箇所に設置可能になり、
前記イオナイザーにおける前記イオン生成部の空気送出方向側には、前記イオン生成部から送出された空気を排出するための排出口が複数形成された、排出口形成部が設けられており、
前記排出口形成部は、前記マウント開口部の1つの辺に沿って、直線的に配設されている、ことを特徴とする半導体装置の搬送装置。 A pickup device that performs a process of mounting the picked-up semiconductor device on the mounting board and a process of picking up and removing the semiconductor device mounted on the mounting board through the mount opening;
An ionizer for supplying static-removing ions to the mount opening, an ion generator for generating the static-removing ions, and an air delivery pipe for delivering air to the ion generator An ionizer that mixes the ions for removing static electricity generated by the ion generator into the air delivered from the air delivery pipe unit and sends out the ions from the ion generator,
With
The ionizer further includes a control unit that controls the amount of ions generated by the ion generation unit and controls the amount of air delivered through the air delivery piping unit,
The control unit can be installed at any location away from the mount opening by delivering air to the ion generator via the air delivery pipe.
On the air delivery direction side of the ion generator in the ionizer, there is provided a discharge port forming portion in which a plurality of discharge ports for discharging the air sent from the ion generator is formed,
The discharge port forming portion, along said mounting opening one side of, and is linearly disposed, that the transport device of the semi-conductor device you characterized.
前記マウント開口部に静電気除去用のイオンを供給するためのイオナイザーであって、前記静電気除去用のイオンを生成するイオン生成部と、前記イオン生成部に空気を配送するための空気配送配管部とを有し、前記空気配送配管部から配送された空気に前記イオン生成部で生成された前記静電気除去用のイオンを混入して前記イオン生成部から送出する、イオナイザーと、
を備えており、
前記イオナイザーは、前記イオン生成部で生成するイオンの量を制御し、且つ、前記空気配送配管部を介して配送する空気の量を制御するコントロールユニットを、さらに備えており、
前記コントロールユニットは、前記空気配送配管部を介して前記イオン生成部に空気を配送することにより、前記マウント開口部から離れた任意の箇所に設置可能になり、
前記イオン生成部の空気送出方向側にある前記イオン生成部の開口が、前記静電気除去用のイオンの混入された空気を前記マウント開口部に排出するための排出口として機能するように構成されている、ことを特徴とする半導体装置の搬送装置。 A pickup device that performs a process of mounting the picked-up semiconductor device on the mounting board and a process of picking up and removing the semiconductor device mounted on the mounting board through the mount opening;
An ionizer for supplying static-removing ions to the mount opening, an ion generator for generating the static-removing ions, and an air delivery pipe for delivering air to the ion generator An ionizer that mixes the ions for removing static electricity generated by the ion generator into the air delivered from the air delivery pipe unit and sends out the ions from the ion generator,
With
The ionizer further includes a control unit that controls the amount of ions generated by the ion generation unit and controls the amount of air delivered through the air delivery piping unit,
The control unit can be installed at any location away from the mount opening by delivering air to the ion generator via the air delivery pipe.
The opening of the ion generation unit on the air delivery direction side of the ion generation unit is configured to function as a discharge port for discharging air mixed with ions for removing static electricity to the mount opening. It is, conveying apparatus of a semi-conductor device you wherein a.
前記イオン生成部は、前記電源ラインから供給された電源を、前記イオン生成部に設けられた放電針に供給することにより、前記静電気除去用のイオンを生成する、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体装置の搬送装置。 A power line for supplying power to the ion generator;
The ion generation unit generates the static electricity removing ions by supplying power supplied from the power supply line to a discharge needle provided in the ion generation unit.
Conveying apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that.
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