JP4784851B2 - 集積回路の製造中に光学的に蓄積電荷を消去する方法及び装置 - Google Patents
集積回路の製造中に光学的に蓄積電荷を消去する方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4784851B2 JP4784851B2 JP2003550278A JP2003550278A JP4784851B2 JP 4784851 B2 JP4784851 B2 JP 4784851B2 JP 2003550278 A JP2003550278 A JP 2003550278A JP 2003550278 A JP2003550278 A JP 2003550278A JP 4784851 B2 JP4784851 B2 JP 4784851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate electrode
- radiation pattern
- floating gate
- integrated circuit
- broadband radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 67
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 30
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001404 mediated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000008672 reprogramming Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66825—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a floating gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28158—Making the insulator
- H01L21/28167—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation
- H01L21/28176—Making the insulator on single crystalline silicon, e.g. using a liquid, i.e. chemical oxidation with a treatment, e.g. annealing, after the formation of the definitive gate conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
本発明は、一般的には、集積回路の製造方法および装置に関し、より詳しくは、集積回路デバイスの製造中に発生する蓄積電荷を光学的に除去または低減するための製造方法および装置に関する。
産業分野において、不揮発性メモリ（non-volatile memory：ＮＶＭ）アレイを使用した多様な集積回路が提案または使用されている。一般に、不揮発性メモリアレイは、浮遊ゲート技術に基づいている。浮遊ゲート技術は、電荷を保存または除去できる導電性の浮遊ゲートに酸化膜または誘電体膜を通じて電荷を転送することに関する技術である。浮遊ゲート技術を使用した不揮発性メモリアレイの一例として、読出し、消去、および書込みすなわちプログラムが可能なＥＰＲＯＭ（erasable programmable read-only memory）が挙げられる。ＥＰＲＯＭでは、通常、浮遊ゲート型電界効果トランジスタが使用され、このトランジスタは浮遊ゲート上の電荷の有無に基づく二値状態を有する。データは、浮遊ゲートへの電荷、例えば電子の保存によって、不揮発性メモリデバイスに保存される。
多種多様なＥＰＲＯＭが市販されているが、従来、最も基本的な形態のＥＰＲＯＭは、電気的にプログラムされ、紫外線の照射によって消去されるものである。この種のＥＰＲＯＭは、通常、紫外線消去型ＥＰＲＯＭ（ultraviolet erasable programmable read-only memory：ＵＶＥＰＲＯＭ）と呼ばれる。ＵＶＥＰＲＯＭは、そのトランジスタに、ゲートに正電位をかけながらドレイン−ソース間に高電流を通電することによってプログラムすることができる。ゲート上の正電位によって、ドレインからソースへのチャネル電流から高エネルギー電子（ホットエレクトロン）が引き寄せられ、それらの電子は浮遊ゲートに飛躍または注入されて浮遊ゲート上に捕獲される。この技術に基づいたＵＶＥＰＲＯＭは、その電荷が光学的に消去されるように設計されており、これによって、再プログラムが必要な場合には、デバイスに紫外線を照射することによって、保存された電荷を消去することができる。
ＵＶＥＰＲＯＭの例を図１に示す。このデバイス１０には、ｎ型基板１６上に形成されたソース領域１２とドレイン領域１４が含まれる。ゲート酸化膜１８は、基板表面のソース領域１２とドレイン領域１４との間に形成されるチャネルの上に形成される。ｐ型ポリシリコン等からなる浮遊ゲート電極２０は、通常、ゲート酸化膜１８上に配置されている。ＵＶＥＰＲＯＭは、その電荷が光学的に消去されるように設計されているため、製造工程の間に発生する蓄積電荷は、その製造工程の間に紫外線を照射することによって除去することができる。
ＥＰＲＯＭの他の形態は、電気的に消去可能なＥＰＲＯＭであり、ＥＥＰＲＲＯＭ（electrically erasable programmable read-only memory）またはＥ２ＰＲＯＭと呼ばれる。ＥＥＰＲＯＭは、通常、ファウラー−ノルトハイム（Fowler-Nordheim）トンネリングとして知られる現象によって、電気的にプログラムおよび消去される。このデバイスは、動作時に光学的に消去されるようには設計されていない。その結果、集積回路の製造中に危険な電荷の蓄積が発生する可能性がある。
ＥＰＲＯＭのさらに別の形態は、フラッシュＥＰＲＯＭであり、このデバイスは、ホットエレクトロンを使用してプログラムされ、ファウラー−ノルトハイムトンネリング現象を使用して消去される。フラッシュＥＰＲＯＭは、一度にまたはバルクモードで消去することができ、アレイ中のすべてのセルまたはアレイの一部を、ファウラー−ノルトハイムトンネリングを使用して同時に消去することができる。フラッシュＥＰＲＯＭは、通常、フラッシュセルまたはフラッシュデバイスと呼ばれる。ＥＥＰＲＯＭと同様に、フラッシュＥＰＲＯＭデバイスの製造中に発生する蓄積電荷は、光学的に消去されるようには設計されていない。図２に示すように、ＥＥＰＲＯＭまたはフラッシュＥＰＲＯＭは、通常、浮遊ゲート上に配置された導電性ゲート膜２２をさらに備えている。
集積回路の製造中に、ＥＰＲＯＭデバイスの浮遊ゲート上や集積回路の他の領域などに望ましくない蓄積電荷が発生することが知られている。この蓄積電荷によって、高電圧が発生し、蓄積電荷を除去または中和しない場合には、回路の電気的な損傷の原因となる。電荷の蓄積は、集積回路の製造において一般的な多くの製造工程の１つまたは複数で容易に発生し得る。例えば、電荷の蓄積は、アニール工程の間、金属のアッシングまたはエッチング工程の間、ヴィアおよびパッドの形成工程の後等で発生する。集積回路には、通常、３〜５層の導電性金属膜が使用されており、その製造工程には、電荷の蓄積の原因となり得る工程が約５〜７工程含まれるため、デバイスの製造中に蓄積電荷を消去することは重要である。
現在の集積回路製造工程において、特に、上述したＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを使用する集積回路では、その製造中に発生する蓄積電荷を消去することに努力が傾注されている。蓄積電荷を有効に消去するのに必要な電圧を印加するために、電気プローブを使用して一時的に回路に接続することができる。しかしながら、この方法は時間がかかり、大量生産のために実用的ではない。電気プローブの使用による消去時間は、通常、ウエハ当たり約１０分を超え、特定の回路設計によってはウエハ当たり１時間を超える場合もある。
従来、蓄積電荷は、集積回路への狭帯域放射源からの照射によっても除去されてきた。現在の電荷除去工程では、波長約２５４ｎｍ付近に狭帯域スペクトルを生成する有電極水銀ランプが使用されている。水銀ランプは高エネルギー光子を放出し、この高エネルギー光子は集積回路の積層構造を通じて伝播し、蓄積された電子または存在している他の電荷を励起する。これらの励起された電子は、それまで電子および他の電荷を閉じ込めていたエネルギー障壁を克服し、電子と正孔または集積回路内の正電荷との間で再結合が生じる。狭帯域ＵＶ光の照射によって、集積回路の他の領域上の電荷の移動性も増大する。
ＵＶＥＰＲＯＭでは、このタイプのデバイスが元来動作時における光学的消去用に構成されているため、狭帯域放射源からの照射によって電荷を除去することは有効であると考えられる。浮遊ゲート上に配置された酸化膜または誘電体膜は、水銀ランプから放射される波長約２５４ｎｍの狭帯域放射に対して透明である。
しかしながら、狭帯域放射源を使用した現在の方法は、浮遊ゲート電極上に導電性（例えば、金属）ゲート膜を含むデバイス（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ等）、または、浮遊ゲート型メモリセル上に多くの金属配線層を含むデバイスのような他のタイプの集積回路デバイスにおける蓄積電荷の除去に対して有効ではない。図２に示すように、導電性ゲート膜２２の存在によって、下層の浮遊ゲート膜２０への入射放射光の到達が遮蔽され、その消去効率が大幅に低減する。その結果、現在の照射装置では、蓄積電荷を低減するために、長い照射時間（例えば、特定のＩＣ設計によっては約１〜２時間以上）を要する。
照射時間は、（他の要因と共に）光源の強度に直接的に依存する。照射装置に使用されている現在の光源の強度は、例えば、平均で１平方センチメートル当たり約３０ミリワット（３０ｍＷ／ｃｍ2）が限度であり、ランプが新品の場合、最大で約６０ｍＷ／ｃｍ2である。さらに、使用される狭帯域光源は、離散的な狭いスペクトル線からなる放射信号を生成し、各スペクトル線における総出力強度は低い。先行技術における光源の出力スペクトルは、ある程度変化させることはできるものの、それによって生じるスペクトル線は、約２５４ｎｍの主放射以外は、それほど大きなパワーまたは出力強度を有してない。
蓄積電荷を低減するために使用される現在の光源は、内部電極の使用を含む電球技術に基づいている。内部電極を使用する電球の強度は、電球の有効寿命に亘って顕著に悪化することが知られている。ユーザーは、交換費用を最小限に抑えるために、電球を交換する前に、その強度が新品の状態と比較して５０％程度低下するまで使用する場合が多い。その結果、時間の経過と共に電球が劣化するにしたがって、処理量の低下が生じる。先行技術における電球を使用することに由来する他の問題には、ランプの冷却時間が長い（最大で数時間）ことが含まれ、それによって、電球を交換するために、電球が冷却するための長い装置停止時間を要することが多い。加えて、この種の電球は、消灯後に再点灯する場合に高い故障率を示す。その結果、多くの集積回路製造業者は、通常、不使用時にも電球を消灯しないため、電球の動作寿命に深刻な影響を及ぼすと共に、その動作コストが増大する。
先行技術における光源を使用することの非効率性に加えて、現在の照射装置は比較的大きな設置面積を要する。さらに、この照射装置では、通常、装置内にウエハを手作業でロードする必要がある。この工程は、通常、製造工程において手作業での取扱いを要する残された唯一の工程である。手作業での取扱いは、ウエハの損壊または損傷（例えば、スクラッチ）が発生する可能性があり、必要な労働力投資が増大し、ウエハの汚染が生じる可能性があり、また、自動ウエハトラッキングを備えることが容易ではないため、著しく不利となる。
集積回路、特に、不揮発性メモリデバイスを使用する集積回路において、その製造中に蓄積電荷を低減するための改善された方法に対する要求があることは明らかである。高度な設計基準では、集積回路を製造するために使用されるパターンはさらに縮小されている。同時に、金属配線層がさらに追加され、その金属配線同士は、最小線幅と空間寸法も縮小されているため、互いに近接している。これらの結果、所定の狭帯域波長光をＩＣ構造に透過させて制御工程の間に発生する蓄積電荷を消去することは、より困難になってきている。
本明細書には、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を除去するための方法および装置が開示されている。
１つの態様では、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減する方法は、広帯域放射パターンを、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射することを含んでいる。
１つの態様では、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減する方法は、広帯域放射パターンを、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射することを含んでいる。
別の態様では、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減する方法は、浮遊ゲート電極を含む集積回路を処理室に配置する工程と、広帯域放射パターンを、浮遊ゲート電極上の蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射する工程とを含んでいる。
好ましくは、前記広帯域放射パターンは、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの約２８０ｎｍよりも短い波長を含むものである。
上述した特徴およびその他の特徴は、図面および以下の詳細な説明によって例示される。なお、図面を参照する際に、同様の構成要素には同様の符号を使用する。
集積回路の製造中に蓄積電荷を低減する方法は、その蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で、広帯域放射源から集積回路に照射することを含む。好適な実施形態では、この方法は、不揮発性メモリを使用する集積回路の製造中に使用される。この方法は、製造工程の様々な段階で実施することができるが、好ましくは、プラズマアッシングまたはエッチング工程の後、アニール工程、ヴィアおよびパッドの形成工程の後等のような、電荷の蓄積の原因となることが知られている工程の間に実施される。この方法は、好ましくは、少なくとも１つの導電層を形成した後に使用される。
理論によって限定することを意図するものではないが、上述した工程のような特定の工程は、電荷の蓄積の原因となることが知られている。導電性金属膜のパターン形成は、通常、プラズマを媒介とするエッチング工程を含み、この工程では、混合ガスがエネルギー源に曝されて絶縁破壊され、プラズマが発生する。プラズマには、励起原子、ラディカル、イオン、電子、および光子を含む反応性化学種が含まれている。これらの化学種は、それらの濃度およびエネルギーレベルに応じて、様々なレベルで集積回路内に電荷を蓄積する可能性がある。
本明細書において、「広帯域」放射源という用語は、約１０ナノメートル（ｎｍ）よりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの波長帯域を有する放射源を意味し、この半値全幅は、好ましくは約１５ｎｍよりも大きく、さらに好ましくは２０ｎｍよりも大きい。本明細書において、半値全幅（full-width half-maximum：ＦＷＨＭ）は、波長プロファイルがそのピークすなわち最大値の半分に低下した位置での波長プロファイルの幅として定義される。
図３に、集積回路の製造中に蓄積電荷を低減するのに適した例示的な照射装置１００を示す。照射装置１００は、通常、処理室１１２と放射源室１１３を含む。処理室１１２はチャック１１４を含み、このチャック上にはウエハ１１６が配置される。チャック１１４または処理室１１２については、処理中にウエハを加熱するための熱源（図示せず）を備えるように変更することも任意に選択できる。そのような加熱方法の一例は、加熱チャックである。照射装置１００は、さらに、放射源１１８、および放射源１１８とチャック１１４との間に配置されたプレート１２０を含む。導管１２２は、処理室１１２をパージするために処理室１１２と流体連通状態で配置され、処理室１１２内の圧力を調整すること等が実施される。照射装置１００は、ウエハ表面への均一な照射のために、マシュー（Matthews）等に付与された米国特許第４，８８５，０４７号に記載された構造的特徴のような他の特徴を備えていてもよく、この特許の全体は、参考として本明細書に含まれる。ウエハ表面に対して均一に照射することによって、不揮発性メモリアレイを有するウエハのすべての領域における蓄積電荷を確実に低減するために、過剰に照射する必要性が低減し、処理量が増大する。
プレート１２０は、処理中のウエハ１１６から放射源１１８を分離する機能を果す。有利なことに、プレート１２０の使用によって、放射源１１８からのウエハ１１６に対する粒子汚染がなくなり、放射源１１８を処理室１１２から分離して個別に操作することが可能となり、さらに、放射源と図示しないマイクロ波空洞（これが存在する場合）とを冷却するためのガスを使用することが可能となる。このプレートによって、光源の動作に干渉することなく、処理室での使用のために特別に選択された処理用ガスを使用することも可能となる。これによって、導管を放射源室１１３および処理室１１２と流体連通状態で配置することができ、この導管は、以下に詳述するように放射源室および処理室内の吸収性の雰囲気をパージするために使用される。
プレート１２０は、好ましくは、動作環境において劣化しない材料から形成される。好ましくは、プレート１２０は、蓄積電荷を低減するための所望の放射に対してほぼ透明な光学透過率を有する石英から形成される。材料が上記特性を有する限り、石英以外の材料を使用することもできる。例えば、電荷の消去のために、２２０ｎｍを下回る波長を有する放射をウエハに照射することが好ましい。このような石英材料の一例は、ニュージャージー州ウェストベルリン（West Berlin, NJ）のダイナシル・コーポレーション（Dynasil Corporation）から「Ｄｙｎａｓｉｌ １０００」という商品名で市販されている。プレート１２０は、処理室１１２内に従来の取付け手段によって取付けられ、この手段には、適切なスペーサが含まれていてもよい。好ましくは、プレート１２０およびチャック１１４は円盤状をなし、処理されるウエハ１１６の形状と合同である。放射源１１８は、好ましくは２８０ｎｍよりも短い少なくとも１つの波長を有する広帯域放射パターンを放射し、この波長は、さらに好ましくは約１８０ｎｍから約２８０ｎｍ、さらに好ましくは約１８０ｎｍから約２５０ｎｍである。少なくとも１つの好適な波長は、約１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有し、この半値全幅は、さらに好ましくは２０ｎｍよりも大きい。
好適な実施形態では、放射源１１８は、マイクロ波駆動式無電極電球とセグメント化リフレクタを使用して、ウエハに対してほぼ均一な広帯域放射パターンを照射する。適切なマイクロ波駆動式無電極電球は、ウッド（Wood）等に付与され米国特許第５，５４１，４７５号に開示されている。特に良好に動作することが分かっているマイクロ波駆動方式無電極電球の例は、メリーランド州ロックビル（Rockville, Maryland）のアクセリス・テクノロジーズ社（Axcelis Technologies, Inc.）から「ＨＬ Ｂｕｌｂ」（部品番号２０３６６２）という商品名で市販されている。図４に、この広帯域紫外線放射源によって生成されるスペクトルが示されており、２８０ｎｍの下側に強いスペクトル成分が存在することが分かる。
本方法には、処理室１１２にウエハ１１６をロードする工程と、放射源１１８によって放射される広帯域放射パターンをウエハ１１６に照射する工程が含まれる。好ましくは、処理室１１２は、自動化されたウエハ操作に対応するように構成されており、手作業によるウエハ１１６の取扱いを不要とするものである。好適な実施形態では、本方法には、１つまたは複数の不活性ガスで処理室１１２をパージして処理室１１２内の空気を除去する工程と、次いで、広帯域放射パターンをウエハ１１６に照射する工程が含まれる。処理から空気をパージするために適切な不活性ガスには、窒素、アルゴン、ヘリウム、およびこれらのガスの少なくとも１つを含む組合せ等が含まれるが、これに限定されるものではない。
空気には約２１％の酸素が含まれている。酸素は、約２００ｎｍよりも短い波長の放射を吸収して、反応生成物、とりわけオゾンを生成することが知られている。オゾンによる吸収は２５０ｎｍ付近から始まってそれ以下の波長にまで続くため、オゾンの生成によって波長吸収は悪化する。その結果、処理効率が低減する。ウエハ１１６に広帯域放射パターンを照射する前に処理室１１２および放射源室１１３をパージすることにより波長吸収が低減し、その結果処理効率が増大する。
集積回路に広帯域放射を照射することには多くの利点がある。例えば、干渉による強め合いおよび弱め合いが最小限に抑えられる。干渉は、集積回路中の個々の膜の膜厚が波長の整数倍または半整数倍である場合に発生し、より下側の層に透過する放射照度が高過ぎるかまたは低過ぎることの原因となり得る。単一波長を使用する狭帯域放射源では、干渉の作用によって、蓄積電荷を低減することに対するその波長の効果が大幅に制限されて低下する。これに対して、広帯域放射では、干渉による影響のない、すなわち、所定の膜厚での強め合いや弱め合いのない複数の波長からなる広帯域放射パターンを使用しているため、広帯域放射による干渉作用は最小化される。さらに、広帯域放射を使用することによって、様々なサイズの構造物に対して、広帯域放射中の種々の波長の少なくともいくつかは影を作らずにその構造物の回りに回折するため、通常メモリアレイが配置されている積層構造の底にまで確実に透過する。加えて、ウエハに対して比較的短い波長、すなわち２８０ｎｍよりも短い波長を照射することによって、処理効率が大幅に増大することが分かった。短波長では、より長い波長の場合よりも光子のエネルギーが高く、したがって、電荷に対してより大きなエネルギーを与えることができる。これによって、電荷（例えば、電子）は、その電荷の蓄積に特徴的なエネルギー障壁をより効果的に克服することができる。
本実施例では、「ＦＵＳＩＯＮ ＰＳ３」照射装置により生成された広帯域放射パターンがウエハに照射された。この照射装置は「ＨＬ Ｂｕｌｂ」を備えており、生成されたスペクトルパターンは、図４に示されている。「ＦＵＳＩＯＮ ＰＳ３」照射装置は、メリーランド州ロックビル（Rockville, MD）のアクセリス・テクノロジーズ社（Axcelis Technologies, Inc.）から市販されている。各ウエハには、電気プローブによって事前に帯電状態にプログラムされた不揮発性メモリ（ＮＶＭ、またはフラッシュ）構造体を含むいくつかのダイが含まれている。不揮発性メモリ構造体は、２５０ｎｍ設計基準に基づいて浮遊ゲート電極上に配置された導電性ゲートを含む。マイクロ波回路中のマグネトロンに供給される電力は４５００ワット（Ｗ）、マイクロ波回路から電球への伝達効率は約６７％であった（すなわち、約３０００Ｗが電球に伝達された）。
種々のウエハセットに対して照射時間を変化させ、ゲート上の電荷を時間の関数としてプロットした。蓄積された電荷による電圧は、プログラムされた状態の値が“１”となるように規格化されている。許容限度は、許容可能な“消去”状態に関する製造業者の仕様に従って、規格化されたプログラム状態に対するパーセンテージとして予め設定されており、図５では上側の水平破線として示されている。図５は、不揮発性メモリの帯電状態を、広帯域放射源による照射時間の関数として示したグラフである。
この結果から明らかなように、不揮発性メモリ構造体に対して、保存された電荷の許容レベルまでの低減は１分未満で生じており、処理量と蓄積電荷の低減効率に関して大きな商用的利点があることが示された。また、照射時間の延長部分と、蓄積電荷の低減を許容限度内に維持することに対するその影響から分かるように、プロセスウインドウは安定している。すなわち、過剰照射または過剰消去は問題ではない。ここで、浮遊ゲートから光学的に帯電状態を完全に除去することはできないことに注意する必要がある。蓄積電荷をゼロに低減するには、電気プローブ等の使用による電気的入力を要する。しかし、このような低電圧レベルの帯電状態（図５に示す上限）は、“消去状態”、または、さらに詳細には“電気的消去状態”に対する“ＵＶ消去状態”として、許容可能である。前述したように、電気プローブの使用による蓄積電荷の低減は、時間がかかり過ぎるために生産上の実施に対して実用的ではない。
以上、本発明を例示的な実施形態を参照して説明してきたが、当業者であれば、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更および構成要素のその同等物との置き換えが可能であることは理解されるであろう。例えば、ＥＥＰＲＯＭアレイを例として説明したが、本発明は、セル中で浮遊ゲートが使用されている他の不揮発性メモリアレイに対して同等の適切性をもって適用され、メモリ以外の集積回路または集積回路のメモリ以外の部分に対しても適用される。加えて、本発明の基本的範囲を逸脱することなく、本発明の教示に従った特定の状況または材料に適合するように多くの修正をすることができる。したがって、本発明は、本発明を実施するための考え得る最良の態様として開示された特定の実施形態に限定されるものではなく、添付された請求項の範囲に含まれるすべての実施形態を含むものである。
Claims (24)
- 浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および浮遊ゲート電極と導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜からなる浮遊ゲート構造体を有する集積回路の製造中に蓄積電荷を除去するための方法であって、
広帯域放射パターンを、集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射し、前記広帯域放射パターンは、少なくとも１つの２８０ｎｍよりも短い波長を含み、かつ１０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする方法。 - 前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する少なくとも１つの１８０ｎｍから２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンは、マイクロ波駆動式無電極電球から発生することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- ウエハを加熱することを含む請求項１に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンを前記集積回路に照射することは、前記集積回路中に少なくとも１つの導電層を形成した後に実施することを特徴とする請求項１に記載の方法。
- 浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および浮遊ゲート電極と導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜からなる浮遊ゲート構造体を有する集積回路の製造中に浮遊ゲート電極上の蓄積電荷を低減する方法であって、
浮遊ゲート電極を含む集積回路を処理室に配置する工程と、
広帯域放射パターンを、浮遊ゲート電極上の蓄積電荷を低減するために有効な強度および照射時間で当該集積回路に照射する工程と、
を含み、
前記広帯域放射パターンは、少なくとも１つの２８０ｎｍよりも短い波長を含み、かつ１０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする方法。 - 前記広帯域放射パターンを集積回路に照射する工程は、さらに、前記放射パターンが通過する雰囲気を不活性ガスでパージする工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、およびこれらの不活性ガスの少なくとも１つを含む組合せからなるグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンは、１５ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 前記広帯域放射パターンは、マイクロ波駆動式無電極電球から発生することを特徴とする請求項７に記載の方法。
- 浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および浮遊ゲート電極と導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜からなる浮遊ゲート構造体を有する集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
１８０ｎｍから２８０ｎｍの範囲の波長を含み、かつ１０ｎｍよりも大きな半値全幅を含む広帯域放射パターンを放射するために適した光源を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ１８０ｎｍから２８０ｎｍの波長を透過する透過プレートと、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
- 前記広帯域放射パターンは、少なくとも１つの１８０ｎｍから２５０ｎｍの波長を含むことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
- 前記光源は、マイクロ波駆動式無電極電球を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
- 前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム、アルゴン、およびこれらの不活性ガスの少なくとも１つを含む組合せからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
- 前記支持体または前記処理室は、処理中に基板の温度を上昇させるために適していることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
- 前記プレートは、石英から製造されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
- 前記処理室には空気が存在しないことを特徴とする請求項１４に記載の装置。
- 浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および浮遊ゲート電極と導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜からなる浮遊ゲート構造体を有する集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
１８０ｎｍから２８０ｎｍの範囲の複数の波長を含みかつ少なくとも１つのピーク波長が１０ｎｍよりも大きな半値全幅を有する広帯域放射パターンを放射するマイクロ波駆動式無電極電球を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ１８０ｎｍから２８０ｎｍの波長に対して透過的なプレートと、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記半値全幅は、２０ｎｍよりも大きいことを特徴とする請求項２１に記載の装置。
- 浮遊ゲート電極、導電性ゲート電極、および浮遊ゲート電極と導電性ゲート電極との間に介在する絶縁膜からなる浮遊ゲート構造体を有する集積回路の製造中に発生する蓄積電荷を消去するための装置であって、
１９０ｎｍから２４０ｎｍに渡り、かつ１０ｎｍよりも大きな半値全幅を含むガウス型の広帯域放射パターンを放射するマイクロ波駆動式無電極電球を備える放射源室と、
支持体、不活性ガスが導通するガス吸気口、およびガス排気口を備える処理室と、
前記放射源室と前記処理室との間に介在しかつ前記広帯域放射パターンに対して透過的なプレートと、
を含むことを特徴とする装置。 - 前記広帯域放射パターンは、２０ｎｍよりも大きい半値全幅を含むことを特徴とする請求項２３に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/000,772 | 2001-11-30 | ||
| US10/000,772 US6605484B2 (en) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit |
| PCT/US2002/038310 WO2003049182A2 (en) | 2001-11-30 | 2002-12-02 | Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005512324A JP2005512324A (ja) | 2005-04-28 |
| JP2005512324A5 JP2005512324A5 (ja) | 2005-12-22 |
| JP4784851B2 true JP4784851B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=21692962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003550278A Expired - Fee Related JP4784851B2 (ja) | 2001-11-30 | 2002-12-02 | 集積回路の製造中に光学的に蓄積電荷を消去する方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6605484B2 (ja) |
| EP (1) | EP1451868A2 (ja) |
| JP (1) | JP4784851B2 (ja) |
| KR (1) | KR20040068925A (ja) |
| CN (2) | CN100336205C (ja) |
| AU (1) | AU2002346599A1 (ja) |
| WO (1) | WO2003049182A2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787484B2 (en) * | 2002-12-17 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method of reducing visible light induced arcing in a semiconductor wafer manufacturing process |
| US20050250346A1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-11-10 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for post deposition treatment of low k dielectric materials |
| US20060249175A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | High efficiency UV curing system |
| US20060251827A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-09 | Applied Materials, Inc. | Tandem uv chamber for curing dielectric materials |
| CN103364706B (zh) * | 2013-07-26 | 2017-03-08 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 验收测试装置及一次性可编程器件的验收测试方法 |
| CN103820772B (zh) * | 2014-02-12 | 2016-07-06 | 清华大学 | 去除pecvd装置的电荷的系统及其控制方法 |
| US9576801B2 (en) * | 2014-12-01 | 2017-02-21 | Qualcomm Incorporated | High dielectric constant/metal gate (HK/MG) compatible floating gate (FG)/ferroelectric dipole non-volatile memory |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09199460A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JPH09251936A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Orc Mfg Co Ltd | ワークの電荷の消去中和装置およびその方法 |
| US5712715A (en) * | 1992-12-23 | 1998-01-27 | Lucent Technologies Inc. | Optical transmission system with spatially-varying Bragg reflector |
| WO1999054926A1 (en) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Applied Materials, Inc. | Improved endpoint detection for semiconductor processes |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US541475A (en) * | 1895-06-25 | Crank-planer | ||
| US4179627A (en) * | 1977-06-10 | 1979-12-18 | Tom Swift Enterprises, Inc. | Electrical apparatus |
| US4452843A (en) * | 1980-05-30 | 1984-06-05 | Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh. | Security paper |
| US4665426A (en) * | 1985-02-01 | 1987-05-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | EPROM with ultraviolet radiation transparent silicon nitride passivation layer |
| US4885047A (en) | 1986-08-11 | 1989-12-05 | Fusion Systems Corporation | Apparatus for photoresist stripping |
| JPH01310577A (ja) | 1988-06-08 | 1989-12-14 | Seiko Instr Inc | 半導体不揮発性メモリ |
| JPH04152519A (ja) * | 1990-10-16 | 1992-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5170091A (en) * | 1990-12-10 | 1992-12-08 | Ultraviolet Energy Generators, Inc. | Linear ultraviolet flash lamp with self-replenishing cathode |
| US5117312A (en) * | 1991-01-04 | 1992-05-26 | Fusion Systems Corporation | Apparatus including concave reflectors and a line of optical fibers |
| CA2144978A1 (en) * | 1992-09-30 | 1994-04-14 | Fusion Lighting, Inc. | Electrodeless lamp with bulb rotation |
| US5541475A (en) | 1993-04-16 | 1996-07-30 | Fusion Lighting, Inc. | Electrodeless lamp with profiled wall thickness |
| FR2707796B1 (fr) * | 1993-06-30 | 1995-10-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Procédé de gravure sous plasma d'une couche conductrice sur une tranche de silicium avec interposition d'une couche isolante mince. |
| US5530247A (en) * | 1994-08-05 | 1996-06-25 | Trw Inc. | Millimeter wave imager device using pyroelectric effect |
| US5587330A (en) * | 1994-10-20 | 1996-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US5633424A (en) * | 1994-12-29 | 1997-05-27 | Graves; Clinton G. | Device and methods for plasma sterilization |
| US5656521A (en) * | 1995-01-12 | 1997-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of erasing UPROM transistors |
| US5648669A (en) * | 1995-05-26 | 1997-07-15 | Cypress Semiconductor | High speed flash memory cell structure and method |
| DE69620199D1 (de) * | 1996-12-16 | 2002-05-02 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Herstellung nichtflüchtiger Speicherzellen mit floating Gates |
| US6369420B1 (en) * | 1998-07-02 | 2002-04-09 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby |
| US6091652A (en) * | 1998-12-11 | 2000-07-18 | Lsi Logic Corporation | Testing semiconductor devices for data retention |
| US6207989B1 (en) | 1999-03-16 | 2001-03-27 | Vantis Corporation | Non-volatile memory device having a high-reliability composite insulation layer |
| US6350651B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-02-26 | Intel Corporation | Method for making flash memory with UV opaque passivation layer |
| US6350699B1 (en) * | 2000-05-30 | 2002-02-26 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for anisotropic plasma etching using non-chlorofluorocarbon, fluorine-based chemistry |
-
2001
- 2001-11-30 US US10/000,772 patent/US6605484B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-02 AU AU2002346599A patent/AU2002346599A1/en not_active Abandoned
- 2002-12-02 CN CNB028237765A patent/CN100336205C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-02 EP EP02784670A patent/EP1451868A2/en not_active Withdrawn
- 2002-12-02 WO PCT/US2002/038310 patent/WO2003049182A2/en active Application Filing
- 2002-12-02 CN CNB2007101287719A patent/CN100565807C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-02 JP JP2003550278A patent/JP4784851B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-02 KR KR10-2004-7008048A patent/KR20040068925A/ko not_active Application Discontinuation
-
2003
- 2003-02-18 US US10/248,779 patent/US6803319B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5712715A (en) * | 1992-12-23 | 1998-01-27 | Lucent Technologies Inc. | Optical transmission system with spatially-varying Bragg reflector |
| JPH09199460A (ja) * | 1996-01-22 | 1997-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JPH09251936A (ja) * | 1996-03-14 | 1997-09-22 | Orc Mfg Co Ltd | ワークの電荷の消去中和装置およびその方法 |
| WO1999054926A1 (en) * | 1998-04-17 | 1999-10-28 | Applied Materials, Inc. | Improved endpoint detection for semiconductor processes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005512324A (ja) | 2005-04-28 |
| KR20040068925A (ko) | 2004-08-02 |
| US20030104644A1 (en) | 2003-06-05 |
| US20030180976A1 (en) | 2003-09-25 |
| CN100336205C (zh) | 2007-09-05 |
| AU2002346599A1 (en) | 2003-06-17 |
| EP1451868A2 (en) | 2004-09-01 |
| CN1596467A (zh) | 2005-03-16 |
| WO2003049182A2 (en) | 2003-06-12 |
| CN100565807C (zh) | 2009-12-02 |
| CN101145520A (zh) | 2008-03-19 |
| US6803319B2 (en) | 2004-10-12 |
| US6605484B2 (en) | 2003-08-12 |
| WO2003049182A3 (en) | 2003-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5496512B2 (ja) | 誘電体膜を硬化させる多段階システム及び方法 | |
| TWI431689B (zh) | 介電膜之硬化方法 | |
| CN100514545C (zh) | 闪光灯退火装置 | |
| US20050156286A1 (en) | Method for improving a physical property defect value of a gate dielectric | |
| TWI544292B (zh) | 減少光阻特徵的表面粗糙度的方法以及調整圖案化光阻特徵的粗糙度的方法 | |
| JP4784851B2 (ja) | 集積回路の製造中に光学的に蓄積電荷を消去する方法及び装置 | |
| US7068926B2 (en) | Heat treatment apparatus of light-emission type and method of cleaning same | |
| JP4437641B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| US6842582B2 (en) | Light heating apparatus and method therefor | |
| US20210051771A1 (en) | Heat treatment apparatus of light irradiation type and method for cleaning heat treatment apparatus | |
| KR102052276B1 (ko) | 파티클 제거 방법 및 열처리 장치 | |
| TW202013533A (zh) | 熱處理方法 | |
| JP2005512324A5 (ja) | ||
| KR100935401B1 (ko) | 자외선을 이용하는 기판세정장치 및 이의 구동방법 | |
| US6128232A (en) | Method for erasing a non-volatile memory array | |
| JP6683578B2 (ja) | 基板処理方法 | |
| JP2020150098A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH09251936A (ja) | ワークの電荷の消去中和装置およびその方法 | |
| JPH04307734A (ja) | アッシング装置 | |
| JPH0515058B2 (ja) | ||
| JP2002158203A (ja) | 基板の紫外線処理方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051005 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090826 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091125 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100616 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100915 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101013 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110502 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110601 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110630 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |