JPH09251936A

JPH09251936A - ワークの電荷の消去中和装置およびその方法

Info

Publication number: JPH09251936A
Application number: JP8057765A
Authority: JP
Inventors: Norio Hashimoto; 本典夫橋
Original assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Orc Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-03-14
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 1997-09-22
Anticipated expiration: 2016-03-14
Also published as: JP3872535B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の装置では、表面の帯電エネルギーは消去
できるが、半導体メモリの浮遊ゲートに帯電した電子の
消去ができなかった。また、ＥＰＲＯＭのように透明窓
から半導体メモリの浮遊ゲートの帯電したエネルギーを
消去する手段もあるが、消去時間が２〜３時間かかっ
た。プローブによる浮遊ゲート内の帯電エネルギー消去
方法では、表面に接触して行うため、傷を付けたり破損
の原因を与えるなどの問題があった。【解決手段】ワークの収納部２と、この収納部のワーク
を取り出し移動させる受渡機構４と、この受渡機構で受
け渡されるワークを載置し搬送する搬送機構７と、前記
搬送機構上のワークに所定波長の紫外線を照射する放電
灯８と、前記放電灯の点灯中に上昇するワークの温度を
制御するワークの冷却機構９、１０とを備え、前記放電
灯の点灯中に、搬送機構を作動させワークの照射位置を
少なくとも１回以上変える半導体記憶素子のワークの電
荷の消去中和装置として構成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、Ｄ−ＲＡＭ，Ｅ
ＰＲＯＭ，ＥＥＰＲＯＭなどの半導体記憶素子、およ
び、ＰＮ接合ダイオード、トランジスタ、ＩＣなどの半
導体のワークの検査工程を含む製造工程で、検査のため
の外部からの接触あるいは摩擦などで帯電する電荷の消
去中和装置に係り、特に、製造工程の所定位置で、無接
触で、かつ、短時間で処理することが可能で、電場によ
り付着する不純物による障害や、放電障害を防止するこ
とができるワークの電荷の消去中和装置およびその方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体を使用したＥＰＲＯＭ
（erasable and programmable read on-ly memory ）な
どの記憶回路は、浮遊ゲートに電子の注入あるいは注入
した電子の消去を行うことによりデータの書き込みおよ
び消去を行うことが知られている。このＥＰＲＯＭは、
完成したチップに窓が形成されており、必要に応じて低
圧水銀灯などにより所定波長の紫外線を、その窓からＥ
ＰＲＯＭに照射し、電子の消去を行っている。前記電子
の消去作業時間は、２時間前後かかっているのが現状で
ある。

【０００３】前記ＥＰＲＯＭから発展した技術としてＥ
ＥＰＲＯＭと、記憶容量が大きい新たなメモリとして不
揮発性メモリが台頭している。この不揮発性メモリは、
トンネル効果を利用したトンネル酸化膜（結晶膜あるい
は障壁膜）や、そのトンネル膜を酸化膜と窒化膜の２層
構造としたメモリ素子や、酸化膜の代わりに強誘電体膜
を用い、自発分極などの分極効果を利用した強誘電体メ
モリなどが発表されている。

【０００４】上記のメモリは記憶容量が大きく、集積密
度が大きくなると、極めて微細加工技術を必要とし、形
成されるＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）も、０．２８
５μｍ〜０．２５μｍと極めて小さな寸法のものも発表
されている。そのため、製造工程間で導通検査が行われ
る度合いが多くなっている。

【０００５】この導通検査は、プローブをワークに接触
させ回路部分の導通の検査を行うことになるが、この導
通検査の際に、その検査部分に電子を蓄積させることに
なる。そのため、その検査部分に蓄積された電子を消去
するために、蓄積電子消去用のプローブを用いて行うこ
とも知られている。

【０００６】なお、微細加工技術の向上に伴って様々な
問題も発生し、その一つに静電気の帯電現象がある。こ
の静電気は、数百から数千ボルトに達し、静電気力によ
り浮遊粒子の吸引を引き起こし、回路などにその浮遊粒
子を付着させたり、静電気力によりメモリ内蓄積電子と
呼応し放電障害による破損などの内部回路破壊を引き起
こす。そのため、ウエハに帯電した帯電エネルギーによ
る問題を解決するため中和電荷発生手段を備える装置な
どの技術が提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
記憶素子の製造工程では以下のような問題が存在してい
た。

【０００８】中和電荷発生手段等を備える装置で
は、半導体などの表面に帯電した帯電エネルギーは消去
できるが、イオンは電子と比較して重く、電子速度に追
いつけないため、半導体記憶素子や半導体の内部に蓄積
した電荷、例えば浮遊ゲートの障壁膜（酸化膜あるいは
結晶膜）内に蓄積した電子の消去ができなかった。ま
た、ワーク内に電場が発生するため、不純物を引き寄せ
ることがあり、この不純物による不具合が起こることも
あった。

【０００９】ＥＰＲＯＭのように透明窓を設け、所
定波長の紫外線の照射により、半導体記憶素子の浮遊ゲ
ート内に蓄積したエネルギーを消去する手段もあるが、
消去時間が２時間前後という長い時間がかかっていた。

【００１０】半導体記憶素子および半導体などの内
部に蓄積した電荷を短時間で消去するため、大容量低圧
放電灯を使用することも考えられるが、半導体記憶素子
自体を加熱することとなり、その熱に伴う結晶（酸化膜
あるいは結晶膜）の激しい分子運動が障害となる。その
ため、紫外線照射により蓄積した電子を短時間で消去す
ることが適切にできなかった。

【００１１】プローブによる浮遊ゲート内の蓄積エ
ネルギー消去方法では、半導体記憶素子の表面に接触し
て行うため、そのプローブが接触した部分を傷つけた
り、半導体記憶素子表面を破損することで、浮遊ゲート
側にも悪影響を与える可能性があった。また、検査後の
プローブによる電荷の消去を行う場合、一箇所について
２秒間程度の時間がかかるとすると、６４Ｋビットの半
導体素子の検査では３６時間かかることになった。その
ため、検査工程後の電荷消去作業の簡易化や省力化およ
び高速化が求められていた。

【００１２】プローブを使用しない信号の直接測定
であるＤＣテストなども知られているが、ワーク内に電
荷が蓄積され、検査工程の後工程である切断工程などの
際に、放電破壊を起こし、ワークの歩留りの低下を招い
ていた。

【００１３】この発明は、前述の問題点を解決すべく創
案されたもので、半導体記憶素子および半導体などのワ
ークにに蓄積したエネルギーを無接触で短時間で消去で
き、電場を消去中和することで、電場に引き寄せられる
不純物を防ぐと共に、放電破壊などが起きないように
し、また、ワークに帯電する摩擦電気をも消去中和する
ことが可能なワークの電荷の消去中和装置およびその方
法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、この発明は、半導体記憶素子および半導体などのワ
ークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消
去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を
照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワーク
を冷却する冷却機構とからなるワークの電荷の消去中和
装置として構成した。

【００１５】また、半導体記憶素子および半導体などの
ワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の
消去中和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線
を照射する放電灯と、この放電灯により照射されたワー
クを冷却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備
え、前記ワークに照射される光量分布の強弱により、前
記搬送機構によりワークの照射位置を変えるワークの電
荷の消去中和装置として構成した。

【００１６】さらに、半導体記憶素子および半導体など
のワークが、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷
の消去中和装置であって、前記ワークを収納する収納部
と、この収納部のワークを保持して取り出し処理室内に
移動させる受渡機構と、この受渡機構で受け渡されるワ
ークを載置し所定位置まで搬送する搬送機構と、前記搬
送機構上のワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯
と、前記放電灯の点灯照射中に上昇するワークの温度を
制御する冷却機構とから構成され、前記放電灯の点灯照
射中に、搬送機構を作動させワークの照射位置を少なく
とも１回以上変えるワークの電荷の消去中和装置として
構成した。

【００１７】そして、前記ワークの冷却機構は、そのワ
ークの表面側を冷却する空冷冷却機構からなり、前記空
冷冷却機構は、ワークに空冷気体を送る給気部と、前記
給気部から送られた空冷気体の温度を検知する温度検知
手段と、前記給気部から送られワークの熱を奪った空冷
気体を排出する排出部とを有する前記ワークの電荷の消
去中和装置として構成した。

【００１８】また、前記ワークの冷却機構は、そのワー
クの裏面側に当接して冷却する液冷冷却機構からなり、
前記液冷冷却機構は、ワークの裏面側に当接する当接冷
却槽と、この当接冷却槽内に冷却液を循環させる循環部
と、前記冷却液の循環路内に設けた冷却液の温度検知手
段とからなる前記ワークの電荷の消去中和装置。

【００１９】さらに、前記ワークの冷却機構は、そのワ
ークの裏面側を冷却する液冷冷却機構とからなり、前記
液冷冷却機構は、ワークの裏面側に当接する当接冷却槽
と、この当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記
当接冷却槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部
と、前記冷却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有
する前記ワークの電荷の消去中和装置として構成した。

【００２０】そして、前記搬送機構は、ワークを移動可
能に載置する載置部と、この載置部を制御して駆動する
駆動機構とからなり、液冷冷却機構の当接冷却槽を、前
記載置部に昇降駆動部を介して当接離間自在に設けた前
記ワークの電荷の消去中和装置として構成した。

【００２１】また、前記放電灯は、その放電管の電極側
に設けたランプベースと、このランンプベースに設けた
放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、ラン
プベースに設けた冷却通路に空冷気体を吹きつける吹付
ノズルと、前記空冷気体を供給する供給部と、前記冷却
通路に設けた温度検知手段とからなる前記ワークの電荷
の消去中和装置として構成した。

【００２２】さらに、前記放電灯は、その放電管の電極
側に設けたランプベースと、このランンプベースに設け
た放電灯冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、前
記ランプベースに当接する冷却槽と、この冷却槽に冷却
液を循環させる冷却液の循環部と、前記冷却液の流路内
に設けた温度検知手段とを有する前記ワークの電荷の消
去中和装置として構成した。

【００２３】そして、前記ワークの近傍で同高さレベル
位置に温度検知手段を設け、前記放電灯に設けた冷却機
構の温度検知手段および、前記ワークの温度検知手段と
を接続する制御機構とを備え、前記放電灯の点灯照射中
に前記温度検知手段からの温度情報が所定温度の範囲に
なるように各冷却機構の作動制御を行う前記ワークの電
荷の消去中和装置として構成した。

【００２４】一方、半導体記憶素子および半導体などの
ウエハ（ワーク）であって、ウエハ製造工程と、ウエハ
処理工程と、組立工程および検査工程により形成され、
前記ウエハ処理工程は、薄膜形成工程と、酸化工程と、
ドーピング工程と、アニール工程と、レジスト処理工程
と、露光工程と、エッチング工程と、洗浄および乾燥工
程とから構成され、これらウエハ処理工程の所定の工程
前または工程後で前記ウエハに帯電した電荷を、所定波
長の紫外線を照射すると共に、照射中のウエハの温度を
所定温度に制御することで中和するワークの電荷の消去
中和方法として構成した。

【００２５】また、前記ウエハ処理工程の各工程で帯電
した電荷を消去する中和方法において、ウエハを搬送機
構により所定位置に搬送する搬送工程と、この搬送工程
により搬送されたウエハの上面および下面を冷却すると
共に、ウエハに所定波長の紫外線を照射する光照射工程
と、この光照射工程中に前記搬送機構を作動させウエハ
に照射される積算光量を均等にするウエハ移動工程とか
らなるワークの電荷の消去中和方法として構成した。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
図面に基づいて説明する。図１は、ワーク内電荷消去中
和装置の要部を示す縦断面図、図２はワーク内電荷消去
中和装置の平断面図、図３は搬送機構の作動状態を示す
側面図、図４は放電灯の冷却機構の要部を示す斜視図、
図５は各冷却機構を温度制御を行う制御機構の原理図、
図６は紫外線照射中のワークの作動状態を示す原理図、
図７はウエハ製造工程を示すブロック図、図８は浮遊ゲ
ート内部の構造を示す原理図、図９はワーク内電荷消去
中和装置の応用例を示す斜視図、図１０は他の形態を示
すワーク内電荷消去中和装置の構成を表す原理図、図１
１は他の形態を示すワーク内電荷消去中和装置の構成を
示す原理図である。

【００２７】図１および図２で示すように、ワーク内電
荷消去中和装置１は、半導体記憶回路を有するウエハ
（以下ワークという）Ｗの収納部としての収納カセット
２と、この収納カセット２を所定位置に移動する駆動部
３と、前記収納カセット２内のワークＷを取り出し受け
渡す受渡機構としてのハンドラ４およびその駆動部５
と、前記ハンドラ４から受け取ったワークを載置して搬
送する搬送機構７と、この搬送機構７を収納設置してい
る処理室６と、この処理室６内に設け、前記搬送機構７
上の配置した所定波長の紫外線を照射する放電灯８と、
前記ワークの冷却機構としての空冷冷却機構９および液
冷冷却機構１０などを備えている。

【００２８】図１で示すように、前記収納カセット２
は、ワークＷを一枚一枚高さ方向に収納する収納棚２ａ
を備えており、後述するハンドラ４の載置保持部４ａが
進入できる間隔を開けてその収納棚２ａが設けられてい
る。この収納カセット２は、支持部２ｂを介して駆動部
３に支持されている。前記収納カセット２の駆動部３
は、前記支持部２ｂを上下の所定位置に移動自在に支持
する上下移動部３ａと、この上下移動部３ａを保持し左
右方向に移動する左右移動部３ｂとから構成されてい
る。なお、図２で示すように、収納棚２ａは、ハンドラ
４の載置保持部４ａがワークＷを保持した状態で上昇で
きるように、切欠部分を形成すると都合が良い。また、
収納カセット２は、支持部２ｂに着脱自在に支持するよ
うにしても構わない。

【００２９】図１で示すように、前記上下移動部３ａ
は、送りネジ３ａ₁と、この送りネジを回動させる回動
部３ａ₂と、この回動部３ａ₂を駆動制御する駆動制御
部（図示せず）などから構成されている。また、前記左
右移動部３ｂは、シリンダ装置や送りネジ機構が用いら
れ、前記上下移動部３ａを保持した状態で、所定位置に
移動自在に駆動制御部を介して移動制御されている。

【００３０】図１および図２で示すように、ハンドラ４
は、ワークＷを真空吸着して保持する吸着穴４ｄを有す
る載置保持部４ａと、この載置保持部４ａを水平方向に
前後移動させる移動アーム４ｂと、この移動アーム４ｂ
を回動自在に支持する回動支持部４ｃとから構成されて
いる。そして前記ハンドラ４を駆動する駆動部５は、前
記ハンドラ４を上下方向に移動させる昇降部５ａと、こ
の昇降部５ａを保持し左右方向に移動する左右移動部５
ｂとから構成されている。

【００３１】前記ハンドラ４の昇降部５ａは、図１で示
すように、シリンダ装置５ａ₁と、このシリンダ装置５
ａ₁を制御する駆動制御部（図示せず）とから構成され
ている。また、前記昇降部５ａを左右方向に移動させる
左右移動部５ｂは、図２で示すように、送りネジ５ｂ₁
と、この送りネジ５ｂ₁を回動させる移動部５ｂ₂と、
この移動部５ｂ₂を駆動制御する駆動制御部（図示せ
ず）などから構成されている。

【００３２】図１で示すように、処理室６は、ワークＷ
の搬入口６ａに設けたシャッタ機構６ｂと、ワークＷの
搬出口６ｃに設けたシャッタ機構６ｄと、処理室６内を
冷却する冷却機構９などを備えている。前記シャッタ機
構６ｂ，６ｄは、放電灯８が点灯照射中に外部に紫外線
が漏れないような紫外線遮断部材で形成されたシャッタ
６ｅ，６ｆを有しており、これらシャッタ６ｅ，６ｆ
は、紫外線を遮断し内部が視認できるようなシートを貼
付した透明プラスチックや硝子などであっても構わな
い。

【００３３】図１および図３で示すように、前記搬送機
構７は、ワークを載置する載置部としての無端ベルト７
ａ，７ａと、この無端ベルト７ａ，７ａを駆動させる駆
動機構７Ａとを備えている。前記駆動機構７Ａは、前記
無端ベルト７ａ，７ａを所定の張力を掛けた状態で係合
する駆動プーリ７ｂおよび従動プーリ７ｃと、前記駆動
プーリ７ｂに掛け渡した駆動ベルト７ｄと、この駆動ベ
ルト７ｄを駆動する駆動モータ７ｅとから構成されてい
る。そして、前記ハンドラ４により無端ベルト７ａ，７
ａ上に載置されたワークＷを所定位置まで送ることがで
きるように制御駆動される構成としている。

【００３４】また、前記搬送機構７の無端ベルト７ａ，
７ａの下側には、図３で示すように、液冷冷却機構とし
ての冷却機構１０が設置されている。この冷却機構１０
は、無端ベルト７ａ，７ａが停止している際にその無端
ベルト７ａ、７ａに当接する当接冷却槽１０ａと、この
当接冷却槽１０ａを昇降駆動させる昇降駆動部１０ｂ
と、前記当接冷却槽１０ａに冷却液を供給する供給部１
０ｃと、当接冷却槽１０ａの冷却液を排出する排出部１
０ｄと、前記冷却液の濾過および循環を行う循環部１０
ｅと、前記当接冷却槽１０ａ内の冷却水の温度を検知す
る温度検知手段としての温度センサ１０ｆ（図５参照）
とから構成されている。

【００３５】なお、前記当接冷却槽１０ａは、無端ベル
ト７ａ，７ａの当接位置に、凹溝を形成し、その当接冷
却槽１０ａが無端ベルト７ａ，７ａに当接する際、前記
凹溝内にその無端ベルト７ａ，７ａを入り込ませる構成
としても良い。

【００３６】図２および図４で示すように、前記放電灯
８は、ワークＷの搬送方向に直交する方向に設置され、
その放電管８ａをＵ字形に構成し、その放電灯８の電極
側に設けたランプベース８Ａと、前記ランプベース８Ａ
に設けた第１冷却機構１１および第２冷却機構１２とを
有している。なお、前記放電灯８の放電管８ａは、その
放電管８ａ、８ａの間よりその直径が大きくなるように
形成されていると都合が良い。

【００３７】図４で示すように、放電灯８の電極側には
ランプベース８Ａが、一方と他方の支持金具８ｂ，８ｃ
により構成されている。前記一方の支持金具８ｂは、放
電灯８の両放電管８ａの円周形状に沿って凹状の当接部
８ｂ₁，８ｂ₁を形成した肉厚の金属から構成され、前
記当接部８ｂ₁，８ｂ₁の間に他方の支持金具８ｂの止
付部８ｂ₂などを有している。

【００３８】また、他方の支持金具８ｃは、ほぼ断面ハ
ット状に形成され、前記一方の支持金具８ｂ₁の当接部
分に当接支持する当接支持部８ｃ₁と、この当接支持部
８ｃ ₁の両端から立ち上げて形成した立上部８ｃ₂、８
ｃ₂と、これら立上部８ｃ₂、８ｃ₂の下端を折り曲げ
形成した下端板部８ｃ₃、８ｃ₃と、前記当接支持部８
ｃ₁の所定位置に設けた温度検知手段取付部（温度セン
サ１１ｃの位置）とから構成されている。

【００３９】そして、前記両立上部８ｃ₂、８ｃ₂およ
び下端板部８ｃ₃、８ｃ₃とにより放電管８ａ，８ａの
間に凹状の後述する第１冷却機構１１の冷却流路を形成
し、その冷却流路の位置に温度検知手段としての温度セ
ンサ１１ｃが設置されている。

【００４０】図４および図５で示すように、前記放電灯
第１冷却機構１１は、前記当接支持部８ｃ₁および立上
部８ｃ₂、８ｃ₂により形成される冷却流路内に空冷気
体を吹き付ける吹付ノズル１１ａと、この吹付ノズル１
１ａに空冷気体を送る送風装置１１ｂとから構成されて
いる。そして、前記温度センサ１１ｃは、前記送風装置
１１ｂを駆動制御する中央制御部１８に接続されてい
る。

【００４１】また、前記第２冷却機構１２は、一方の支
持金具８ｂに当接して設けた冷却槽１２ａと、この冷却
槽１２ａに冷却液を供給する供給部としての供給パイプ
１２ｂと、前記冷却槽１２ａ内の冷却液を排出する排出
部としての排出パイプ１２ｃと、前記冷却液を循環させ
るポンプやフィルタなどを有する循環部１２ｄとから構
成されている。さらに、前記冷却機構１２の冷却槽１２
ａ内に設けた温度検出手段としての温度センサ１２ｅと
を有している。そして、前記温度センサ１２ｅは、前記
循環部１２ｄを駆動制御する中央制御部１８（図５参
照）に接続されている。

【００４２】図１で示すように、処理室６内の冷却機構
９は、処理室６の上部に設けた吸気部９ａと、この吸気
部９ａから吸気された空気を除塵するフィルタ９ｂと、
このフィルタ９ｂから送られてきた空気が処理室６内に
分散して送配される仕切り板９ｃと、前記処理室内の床
部側に設けた排出穴を有する排出部９ｄと、この排出部
９ｄ内に排出された空気を外部に送る排出パイプ９ｅと
から構成されている。

【００４３】なお、前記吸気部９ａから吸気される空冷
気体は、クリーンルーム内の空気を使用しても良く、さ
らに、前記吸気部９ａに図５で示すように、送付パイプ
９ｆを接続して空冷気体である窒素ガスを処理室６内に
供給する構成としても良い。また、前記仕切り板９ｃ
は、所定波長の紫外線を反射する反射面を備える構成と
すると都合が良い。

【００４４】また、図５で示すように、前記冷却機構９
は、前記吸気部９ａを駆動する送風駆動部９ｇと、処理
室６内の所定位置に温度検出手段としての温度センサ９
Ｂと、積算光量計の受光センサーとを有している。そし
て、前記温度センサ９Ｂおよび受光センサーは、その送
付駆動部９ｇを制御する中央制御部１８に接続されてい
る。なお、温度センサ９Ｂおよび受光センサーは、ワー
クＷと同一高さに配置されると都合が良い。

【００４５】図５で示すように、前記中央制御部１８
は、メモリ、演算部および制御部などを有しており、前
記積算光量計の受光センサーや各温度センサ９Ｂ，１０
ｆ，１１ｃ，１２ｅからの検知温度を認識して各冷却機
構９、１０、１１、１２の駆動部９ｇ、１０ｅ，１１
ｂ，１２ｄを適正に駆動制御している。

【００４６】なお、図５で示すように、前記搬送機構７
側に設けた冷却機構１０の当接冷却槽１０ａと、処理室
６内の冷却機構９により、放電灯８の点灯照射中に無端
ベルト７ａ、７ａ上のワークＷが１００°Ｃ以下の所定
温度まで調整されることが望ましい。

【００４７】さらに、図５で示すように、前記放電灯８
は、２５３．７ｎｍの紫外線を照射できるように管内温
度を調整している。例えば、管内温度を４０°Ｃ前後に
設定すると、２５３．７ｎｍの紫外線が効率良く照射で
きるのであれば、第１および第２冷却機構１１、１２
を、調節して４０°Ｃ前後に維持できるようにしてい
る。前記放電灯８の電極部分は大きな電流が流れるため
に高温となり、放電灯内の温度を上昇させるとになる
が、紫外線波長は温度依存性が高く、２５３、７ｎｍの
紫外線を効率よく照射するためには、その放電灯８の構
成に応じて適正温度を維持する必要がある。なお、放電
灯８の構成が異なる場合は、２５３．７の紫外線を効率
良く照射する放電灯内の所定温度に維持することが望ま
しい。

【００４８】そして、前記各部位の温度調節を行う場合
は、冷却機構１０であれば、その当接冷却槽１０ａ内に
流れる冷却液の流速を速くすることや、冷却液の温度を
下げることで、冷却機構１０側の調整をしている。ま
た、処理室６内の冷却機構９であれば、吸気部９ａの送
風量が大きくなるように調節することや、窒素ガスなど
の空冷気体を使用して冷却を行っている場合は、その空
冷気体の温度を下げることや、供給量を増やすことで温
度調節を行っている。

【００４９】さらに、放電灯８の第１冷却機構１１であ
れば、吹付ノズル１１ａからの吹付流量を大きくする
か、吹き付ける空冷気体の温度を下げることで、温度調
節を行う。また放電灯８の第２冷却機構１２であれば、
循環する冷却液の流速を速くするか、その冷却液の温度
を下げることで温度調節を行う。なお、放電灯８の場合
は、必要に応じて冷却機構１１、１２のどちらか一方を
使用することや、冷却機構１１、１２を両方使用して温
度調節を行っても構わない。

【００５０】そのため、第１冷却機構１１の空気流量を
多くすることと、第２冷却機構１２の冷却液の流速を速
くするか、または、冷却液の温度を下げることで調整を
行っている。そして、前記第１および第２冷却機構１
１、１２をバランスよく中央制御部１８により制御して
いる。

【００５１】なお、図１で示すように、前記処理室６の
下方には電源室が設置され、この電源室内に電源装置１
３などが設置されている。そして、前記電源装置１３
が、熱を持ち温度上昇することを防ぐために、送風機構
などにより内部の空気を循環させその後外部に放出して
いる。

【００５２】したがって、上記の構成のワーク内電荷消
去中和装置１を使用してワークＷを処理する場合は、つ
ぎのような作用を有する。すなわち、図１および図２で
示すように、ワークＷを収納する収納カセット２を支持
部２ｂに装着する。そして、駆動部３を駆動させ、ハン
ドラ４の載置保持部４ａが収納カセット２の最上部に位
置するワークＷに進入できる位置に移動させる。また、
必要があれば左右駆動部を駆動させ、作業がし易い位置
に収納カセット２を移動させる。

【００５３】収納カセット２の位置が決定したら、ハン
ドラ４を作動させ、その移動アーム４ｂを伸長させ、載
置保持部４ａを取り出すワークＷの下面側に位置させ
る。そして、載置保持部４ａの吸着穴４ｄから、空気ポ
ンプ（図示せず）の作動により真空吸引すると共に、シ
リンダ装置５ａ₁の駆動により、ワークＷを載置保持部
４ａで上昇させ、移動アーム４ｂを伸縮することでワー
クＷを収納棚２ａから取り出す。

【００５４】そして、ワークＷを保持したハンドラ４
は、必要があれば、左右移動部５ｂを作動させ、ワーク
Ｗを載置する位置の搬送機構７の正面に移動させる。そ
の後、ハンドラ４の回動支持部４ｃにより載置保持部４
ａを回転させ、搬送機構７の無端ベルト７ａ，７ａ上に
ワークＷを到来させる。さらに、シリンダ装置５ａを作
動させてハンドラ４を降下させ、無端ベルト７ａ，７ａ
上にワークＷを載置する。このとき載置保持部４ａの真
空吸着を解除することで、無端ベルト７ａ、７ａにワー
クＷを受け渡す。

【００５５】ワークＷが載置された無端ベルト７ａ、７
ａは、所定位置に設けたセンサ（図示せず）がワークの
有無を確認して駆動モータ７ｅを作動させる。駆動モー
タ７ｅが作動すると、無端ベルト７ａ，７ａ上のワーク
Ｗを、そのワークＷのほぼ寸法分だけ搬出口６ｃ側に送
り停止する。そのため、無端ベルト７ａ，７ａ上の搬入
口６ａ側には、つぎのワークＷを載置するスペースが確
保される。

【００５６】一方、ワーク４を受け渡したハンドラ４
は、移動アーム４ｂを伸縮させると共に、回動支持部４
ｃにより載置保持部４ａを回転させハンドラ４の向きを
変える。さらに、左右移動部５ｂにより、収納カセット
２の正面位置までハンドラ４を移動させる。

【００５７】上記したように、収納ケース２からつぎの
ワークＷをハンドラ４により搬送機構７の無端ベルト７
ａ，７ａに受け渡す。二番目のワークが無端ベルト７
ａ，７ａ上に載置されると、再び、センサを介して駆動
モータ７ｅが駆動し、ワークＷを搬出口６ｃ側に移動し
て、搬入口６ａの無端ベルト７ａ，７ａにワークＷが載
置できるスペースを開ける。このようにして、各搬送機
構７（図面では５体）の各無端ベルト７ａ，７ａ上にワ
ークＷを複数（図面では５個）載置する（搬送工程）。

【００５８】図２および図３で示すように、ワークＷが
搬送機構７上に載置されると、シャッタ６ｅ，６ｆが降
下して搬入口６ａおよび搬出口６ｃを閉鎖する。そし
て、放電灯８が点灯されると共に、各冷却機構９、１
０、１１、１２が各部位を設定温度に保つように温度セ
ンサ９Ｂ，１０ｆ、１１ｃ，１２ｅの温度変化に伴って
作動する。

【００５９】すなわち、中央制御部１８にメモリに記憶
している設定温度の数値と、各温度センサ９Ｂ，１０
ｆ、１１ｃ，１２ｅから送られてきた温度情報の数値を
比較演算して、設定温度の数値に近づくように、各冷却
機構９、１０、１１、１２の駆動を制御している。

【００６０】一方、無端ベルト７ａ，７ａに載置された
ワークＷは、所定波長の紫外線である２５３．７ｎｍの
紫外線をワークＷに照射し続ける（光照射工程）。この
とき、図６で示すように、放電灯８の放電管８ａの直下
にあるワークＷの照射面と、放電管８ａの直下に無いワ
ークＷの照射面との積算光量が同じ量になるように、無
端ベルト７ａ，７ａを移動させてワークＷの受光位置を
移動させる（ワーク移動工程）。

【００６１】このとき、図６で示すように、ワークＷの
光照射面となる放電管８ａの直径ａと、放電管８ａ，８
ａの間ｂとの関係は、放電管８ａの直径ａ寸法が、放電
管８ａの間寸法ｂより大きくなるように形成されると共
に、隣接する放電管８ａとの距離も前記放電管８ａの間
寸法ｂと同じ間隔としているため、搬送機構７の移動距
離を、少なくとも放電管８ａ，８ａの間ｂの距離だけ移
動させることで足りる。

【００６２】例えば、ワークＷ内部の電荷の消去中和の
状態を浮遊ゲート内に蓄積した電子を例にとって見る
と、図８で示すように、放電灯８（６参照）から照射さ
れた特定波長の紫外線は、光子がワークＷの内部に入り
込んで行き、浮遊ゲート内の伝導帯と価電子帯の電子に
吸収され、励起された電子は光子から高いエネルギーを
得て、注入された電子のつくる電界により、浮遊ゲート
を囲む酸化膜（結晶膜あるいは障壁膜）を通過し、コン
トロールゲートあるいはシリコン基板に到達して消去さ
れる。したがって、ワークＷの浮遊ゲートでは、後工程
で悪影響をおよぼすような電子は存在しなくなる。

【００６３】上記した電子の消去作業は、ワークＷの表
面が常温で酸化膜の振動は５％〜１０％が自然状態であ
り、放電灯８からの照射エネルギーによりワークＷが高
温になるにしたがい、浮遊ゲートを構成する酸化膜など
が熱を吸収し、分子運動が激しくなり、その周辺や、酸
化膜内の電子を束縛し、浮遊ゲート内電子の消去に著し
く時間がかかることになる。

【００６４】そのため、ワークＷの表面温度を１２０°
Ｃ以下の所定温度までとし、放電管８ａ内の温度を所定
温度（一例として４０度前後）に維持することで、ほぼ
３０分で作業を終了させることができる。なお、紫外線
２５３．７ｎｍ領域の多い光源であった場合、２００ｎ
ｍ〜３００ｎｍの範囲の紫外線を照射し、その照射強度
が２０ｍＷ／ｃｍ²のときに９０分で行え、４０ｍＷ／
ｃｍ²のときに３０分で消去作業を終了した。さらに、
照射強度を強くするため、ワークＷと放電灯８を近接さ
せ、照射強度を８０ｍＷ／ｃｍ²〜１００ｍＷ／ｃｍ²
としてワークＷの変質限度まで変更することが可能とし
ても構わない。

【００６５】もちろん、結晶の振動数はワークＷを構成
する原子の種類により異なる。そのため、ワークＷの結
晶の振動数があらかじめ判っているものは、その振動数
および消去中和時間の許容時間からワークＷの上限温度
を決定する。

【００６６】また、前記したワークＷの積算光量を平均
化するために搬送機構７を移動する場合は、全体作業終
了時間を移動回数プラス１で割った時間で移動させる。
そのため、移動回数が１回で、全作業時間が３０分であ
れば、３０／（１＋１）となり、１５分でワークＷの位
置を適正に移動させている。

【００６７】ワークＷの電荷消去中和作業が終了する
と、搬入口６ａおよび搬出口６ｃのシャッタ６ｅ，６ｆ
が開放する。そして、ワークＷは、搬出口６ｃ側から搬
送機構７の作動により、あるいは、搬出口６ｃ側に設け
たハンドラ（図示せず）により搬出されて次工程に送ら
れる。そのため、ワークＷの製造ラインの所定位置に前
記したワーク内電荷消去中和装置１を組み入れても他の
製造ライン上の作業に支障を来すことなくワークの処理
ができる。

【００６８】なお、ここではワークＷの内部に形成した
浮遊ゲートを一例として説明したが、ワークＷ内部に帯
電した電荷であれば、上記したように、特定波長の紫外
線の照射と、ワークＷを冷却することにより結晶の振動
を抑制することで、消去中和することが可能となる。

【００６９】つぎに、半導体記憶素子の製造工程におけ
るワークＷの電荷の消去中和の行われる工程位置を示
す。図７（ａ）で示すように、半導体記憶素子および回
路をワークとしてのウエハに構成する場合は、ウエハ製
造工程１１０と、ウエハ処理工程１２０と、組立工程１
３０と、検査工程１４０とから全工程が構成されてい
る。

【００７０】そして、図７（ｂ）で示すように、前記ウ
エハ処理工程１２０は大きく分けて、薄膜形成工程１２
２と、酸化工程１２３と、ドーピング工程１２４と、ア
ニール工程１２５と、レジスト処理工程１２６と、露光
工程１２７と、エッチング工程１２８と、洗浄および乾
燥工程１２９とから構成されている。そして、これらの
工程は繰り返されたり、順序が前後したりする場合があ
る。また、前記レジスト処理工程１２６と、露光工程１
２７およびエッチング工程１２８をまとめてフォトリソ
工程とする場合がある。

【００７１】前記ウエハ処理工程１２０内で回路が形成
されることになるため、そのウエハ処理工程１２０内の
どの工程間であってもワークＷの内部に蓄積された電荷
の消去中和作業を行うことができる。浮遊ゲート内電子
の消去作業では、所定波長の紫外線を所定時間照射する
非接触で行われるため、ワークの破損などの原因を作る
こと無く行われる。

【００７２】なお、前記各工程では、その作業状況に応
じて次のような装置が使用される。すなわち、薄膜形成
工程では、真空蒸着装置１２２ａと、スパッタリング装
置１２２ｂと、ＣＶＤ装置１２２ｃと、エピタキシャル
成長装置１２２ｄなどである。また、ドーピング工程１
２３では、熱拡散装置１２４ａと、レーザドーピング装
置１２３ｂや、プラズマドーピング装置と、イオン注入
装置などが使用される。

【００７３】そして、レジスト処理工程１２６では、塗
布装置１２６ａと、現像装置１２６ｂと、ベーキング装
置１２６ｃと、レジスト剥離装置１２６ｄとなどが使用
される。また、エッチング工程１２８では、ウェットエ
ッチング装置１２８ａと、ドライエッチング装置１２８
ｂなどからなる。さらに、洗浄工程１２９では、湿式洗
浄装置１２９ａと、乾式洗浄装置１２９ｂと、乾燥装置
１２９ｃなどが使用されている。

【００７４】上記した各工程での各装置によりワークＷ
が接触したり、特に、種々の薄膜を形成する場合に、ワ
ークＷの内部に電荷が蓄積される可能性が高く、前記し
たどの装置の作業後あるいは作業前であっても、ワーク
の内部の電荷を消去中和する作業ができる。

【００７５】なお、図９で示すように、ワーク内電荷消
去中和装置２０は、処理室２６を高さ方向に多段（図面
では３段）に構成すると、クリーンルームなどの限られ
たスペースで使用する場合に都合がよい。このワーク内
電荷消去中和装置２０は、各処理室２６内に、放電灯、
搬送機構、冷却機構（図１参照）などを有している。

【００７６】また、各処理室２６内の温度を下げるた
め、各処理室２６にそれぞれ空冷気体を供給するパイプ
（図示せず）を設ける構成とすることや、空冷ファン２
９により各処理室２６内を空冷しても構わない。そのた
め、上記したように半導体の浮遊ゲート内電子を、ワー
クを冷却しながら所定波長の紫外線を照射することで、
短時間で消去することが可能となる。

【００７７】そして、処理し終わったワークを処理室内
から搬送する場合は、搬出側に、各処理室２６、２６、
２６まで伸縮自在に構成したハンドラを設けるととで、
次工程のライン側にワークを受け渡すことが可能とな
る。

【００７８】また、図１０で示すように、ワークＷの大
きさが放電灯３１からの所定波長の紫外線を均等に受け
ることができる場合は、ワークＷの位置を動かす必要が
無く、ワークＷが熱による弊害を受けないように、冷却
機構３２、３３の両方あるはどちらか一方を使用するこ
とで対応できる。すなわち、放電灯３１と、この放電灯
３１の直下に設けた載置台３４と、この載置台３４の内
部に冷却液を循環装置３２ａにより循環させる冷却機構
３２と、前記放電灯３１の上部側から空冷気体を供給す
る冷却機構３３とから構成されている。そして、前記冷
却機構３２、３３は、必要に応じてその一方のみを設け
る構成でも良い。

【００７９】さらに、図１１で示すように、ワークＷに
放電灯からの熱の影響を低減できるように、放電灯３５
とワークＷの間に冷却液体が循環できる液体循環槽３６
を設け、ワークＷは、搬送装置３７の送りベルト３７ａ
上に載置される構成としても良い。そして、前記搬送装
置３７の送りベルト３７ａは、冷却槽３８が昇降自在に
設けられており、ワークＷに送りベルト３７ａを介して
冷却槽３８が当接できる構成としている。なお、搬送機
装置３７および冷却槽３８は、昇降装置３９により放電
灯３５からの距離が自在に設定できるように構成されて
いる。なお、液体循環槽３６の冷却効果が大きい場合
は、ワークＷに当接する冷却槽３８を必要としない。

【００８０】なお、上記したそれぞれの実施の形態で説
明した放電灯は、平板面放電灯や、蛇行状放電灯を使用
しても良く、また、放電灯とワークの間の空間に所定波
長あるいは、所定波長領域を通過させるフィルタを設け
る構成としても良い。そして、放電灯は、その背面側に
反射鏡（コールドミラーなど）を設け、反射光線や誘導
光線を使用する構成や、放電灯に干渉膜を設ける構成と
しても構わない。また、必要に応じて遠紫外線や真空紫
外線またはオゾン線など支障が起きない範囲で選択して
制御し使用しても構わない。さらに、放電灯は、円透光
管体を同心に組み合わせ、その円透光管体の間の空間に
ヘリウム、クセノンや、クリプトン、フッ素などの充填
ガスを充填すると共に、その円透光管体（透光性誘電
体）の周囲にワイヤネットの電極を設けたエキシマ放電
灯の構成のものを使用しても良い。

【００８１】また、放電灯は、Ｕ字形のものに替え、直
線状の放電灯を使用しても構わない。すなわち、直線状
の放電管の直径より小さな間隔で隣接するように各放電
灯を配置して紫外線照射を行っても構わない。直線状の
放電灯を使用する場合は、一方と他方の電極にそれぞれ
ランプベースを設け、前記一方の支持金具は、その止付
部を放電管の両側に形成し、前記他方の支持金具は、そ
の放電管を跨ぐような断面ほぼハット形に形成され、そ
のハット形の凹部分を空冷流路とする構成としている。
したがって、放電灯の第１および第２冷却機構は、両電
極側に分割して一組づつ配設される構成となる。

【００８２】また、前記ワークＷの内部電荷の消去中和
作業では、所定波長の紫外線を照射することで行えるた
め、ワークＷ照射面に電界により引き寄せられる不純物
を防止することが可能となる。

【００８３】そして、前記放電灯の放電管と設置間隔の
関係は、その放電管の直径が、設置間隔より小さな場合
であっても、ワークの載置している搬送機構の移動回数
を増やすことで、対応することが可能となる。さらに、
隣合う放電管の側面側に干渉防止板や、干渉防止膜を設
ける構成とすると、干渉による放電管の劣化が防止でき
都合が良い。さらに、上記した各冷却機構は、ワークの
上限温度の許容範囲が維持できる場合には、１つの冷却
機構のみを設ければ足りるものである。また、空冷機構
を使用する場合は、冷却用の窒素ガスを使用しても良
い。さらに、図１０および図１１で示す構成は、図９の
ように多段式に構成して使用することも可能である。

【００８４】なお、ワークの帯電した電荷を消去中和で
きるため、ワークに自然帯電による静電気が発生した状
態であっても、価電子の障壁を越える紫外線照射とワー
クの冷却と、オゾナイザーなどの装置を合わせて使用す
ることで、自然帯電による電荷を中和することが可能と
なる。

【００８５】

【発明の効果】以上に述べたごとく本発明は次の優れた
効果を発揮する。 (1) 半導体記憶素子および半導体などのワークの内部に
帯電した電荷の消去中和が短時間でできるため、作業性
が良い。また、記憶素子の浮遊ゲート内に蓄積した電子
なども短時間で消去することができる。さらに、ワーク
を冷却することで結晶の振動を所定以上に大きくせず、
所定波長の紫外線の照射により光子がワーク内部の蓄積
された電荷（電子）を適切に消去中和できる。

【００８６】(2) ワークは照射される紫外線の光量分布
の強弱がある場合は、搬送機構を移動させ、ワークの光
照射量を均等にすることでワーク内部に帯電する電荷の
消去中和をさらに適切に行うことが可能となる。

【００８７】(3) ワークは、収納位置から受渡機構によ
り搬送機構に受け渡され、処理室内で所定温度に冷却さ
れながら所定波長の光照射され、搬送機構の作動により
ワークの照射位置を少なくとも１回以上変える構成とし
ているため、連続してワークの消去中和作業が可能とな
る。

【００８８】(4) ワークを冷却する冷却機構は、ワーク
を空冷する空冷機構と、ワークに当接して冷却する液冷
機構により構成しているため、ワークを適切に冷却で
き、結晶構造の振動を抑制する。そのため、電荷を消去
中和させたい位置、例えば、浮遊ゲートなどの内部でフ
ォトンを適切に電子に衝突させることが可能となる。

【００８９】(5) ワークを冷却する冷却機構は、空冷あ
るいは液冷機構により、温度検知手段を用いてワークを
所定温度に冷却することが可能であるため、空冷機構あ
るいは液冷機構のどちらか一方あるいは両方を使用して
ワークを適正に冷却でき、ワーク内に帯電した電荷の消
去中和が確実にできる。そのため、ワークが電気的に中
和されており、不純物などを引きつけることがなく、ワ
ークの後工程で静電放電による破壊や、不純物によるシ
ョートなどの不具合が生じることがない。

【００９０】(6) ワークを搬送する搬送機構は、ワーク
の載置部に昇降駆動部を介して当接離間する当接冷却槽
を設けているため、ワークを適正位置に搬送した後、冷
却が適切にできる。

【００９１】(7) ワークに紫外線照射する放電灯は、二
つの冷却機構により所定温度になるように放電管内を温
度制御することで、ワーク内部に蓄積された電荷を消去
するための所定波長の紫外線を効率良く照射でき、浮遊
ゲート内の電子などワーク内部の蓄積された電荷を適切
に消去することが可能となる。

【００９２】(8) ワーク内電荷消去中和装置は、ワーク
の製造工程で蓄積する電荷を、その工程間のどの位置で
も消去できる。また、作業工程中にワークに電界により
引き寄せられる不純物も防止することができる。

【００９３】(9) ワークを紫外線照射する際に、ワーク
近傍の温度および、ワークに当接する当接冷却槽内の液
冷温度を温度検知手段により検知し、各冷却機構の温度
制御を行っているため、ワークの材質が異なることによ
るワークの上限温度を制御することでワークの適切な冷
却を可能とする。

【００９４】(10)ワーク内電荷消去中和装置は、プロー
ブにより接触する必要が無く、また、回路に電圧をかけ
ることもないので、ワークに与える影響を最小限で、帯
電した電荷を消去中和することが可能となる。

【００９５】(11)ワーク内電荷消去中和方法では、ワー
クの処理工程内のうち各所定の工程後あるいは前で、ワ
ークに所定波長の紫外線照射をすると共に、そのワーク
を冷却して行うため、ワークに無接触で工程の前後を考
慮する必要なく、蓄積した電荷の消去中和作業ができ
る。また、ワークの内部の電荷を消去中和することで、
電場の発生を防止するため、ワークに不純物を引きつけ
て付着することもない。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のワーク内電荷消去中和装置の要部を
示す縦断面図である。

【図２】この発明のワーク内電荷消去中和装置の要部を
示す平断面図である。

【図３】この発明の搬送機構の作動状態を原理的に示す
側面図である。

【図４】この発明の放電灯のランプベースおよび冷却機
構の要部を示す斜視図である。

【図５】この発明の各冷却機構を制御する中央制御部の
要部系統を示す原理図である。

【図６】この発明の紫外線照射時のワークの作動状態を
示す原理図である。

【図７】この発明のウエハ製造工程を示すブロック図で
ある。

【図８】浮遊ゲートから電子が消去される状態を示す原
理図である。

【図９】この発明の応用例を示すワーク内電荷消去中和
装置の斜視図である。

【図１０】この発明の他の形態のワーク内電荷消去中和
装置の構成を示す原理図である。

【図１１】この発明の他の形態のワーク内電荷消去中和
装置の構成を示す原理図である。

【符号の説明】

１ワーク内電荷消去中和装置２収納カセット（収納部）２ａ収納棚３駆動部４ハンドラ（受渡機構）４ａ載置保持部４ｂ移動アーム４ｃ回動支持部５駆動部５ａ昇降部５ｂ左右移動部６処理室６ａ搬入口６ｂシャッタ機構６ｃ搬出口６ｄシャッタ機構６ｅシャッタ６ｆシャッタ７搬送機構７Ａ駆動機構７ａ無端ベルト（載置部）７ｂ駆動プーリ７ｃ従動プーリ７ｄ駆動ベルト７ｅ駆動モータ８放電灯８Ａランプベース８ａ放電管８ｂ一方の支持金具８ｃ他方の支持金具９冷却機構（空冷冷却機構）９ａ吸気部９ｂフィルタ９ｃ仕切り板９ｄ排出部９ｅ排出パイプ９ｆ送付パイプ９ｇ送付駆動部１０冷却機構（液冷冷却機構）１０ａ当接冷却槽１０ｂ昇降駆動部１０ｃ供給部１０ｄ排出部１０ｅ循環部１０ｆ温度センサ（温度検知手段）１１第１冷却機構１１ａ吹付ノズル１１ｂ送風装置１２第２冷却機構１２ａ冷却槽１２ｂ供給パイプ（供給部）１２ｃ排出パイプ（排出部）１２ｄ循環部１２ｅ温度センサ（温度検出手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体記憶素子および半導体などのワーク
が、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中
和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射
する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷
却する冷却機構とからなるワークの電荷の消去中和装
置。
【請求項２】半導体記憶素子および半導体などのワーク
が、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中
和装置であって、前記ワークに所定波長の紫外線を照射
する放電灯と、この放電灯により照射されたワークを冷
却する冷却機構と、前記ワークの搬送機構とを備え、前
記ワークに照射される光量分布の強弱により、前記搬送
機構によりワークの照射位置を変えることを特徴とする
ワークの電荷の消去中和装置。
【請求項３】半導体記憶素子および半導体などのワーク
が、検査工程を含む製造工程中に帯電する電荷の消去中
和装置であって、前記ワークを収納する収納部と、この
収納部のワークを保持して取り出し処理室内に移動させ
る受渡機構と、この受渡機構で受け渡されるワークを載
置し所定位置まで搬送する搬送機構と、前記搬送機構上
のワークに所定波長の紫外線を照射する放電灯と、前記
放電灯の点灯照射中に上昇するワークの温度を制御する
冷却機構とから構成され、前記放電灯の点灯照射中に、
搬送機構を作動させワークの照射位置を少なくとも１回
以上変えることを特徴とするワークの電荷の消去中和装
置。
【請求項４】前記ワークの冷却機構は、そのワークの表
面側を冷却する空冷冷却機構からなり、前記空冷冷却機
構は、ワークに空冷気体を送る給気部と、前記給気部か
ら送られた空冷気体の温度を検知する温度検知手段と、
前記給気部から送られワークの熱を奪った空冷気体を排
出する排出部とを有する請求項１、２または３に記載の
ワークの電荷の消去中和装置。
【請求項５】前記ワークの冷却機構は、そのワークの裏
面側に当接して冷却する液冷冷却機構からなり、前記液
冷冷却機構は、ワークの裏面側に当接する当接冷却槽
と、この当接冷却槽内に冷却液を循環させる循環部と、
前記冷却液の循環路内に設けた冷却液の温度検知手段と
からなる請求項１、２、３または４に記載のワークの電
荷の消去中和装置。
【請求項６】前記ワークの冷却機構は、そのワークの裏
面側を冷却する液冷冷却機構とからなり、前記液冷冷却
機構は、ワークの裏面側に当接する当接冷却槽と、この
当接冷却槽を上下動させる昇降駆動部と、前記当接冷却
槽に冷却液を制御しながら循環させる循環部と、前記冷
却液の循環路内に設けた温度検知手段とを有する請求項
１、２、３または４に記載のワークの電荷の消去中和装
置。
【請求項７】前記搬送機構は、ワークを移動可能に載置
する載置部と、この載置部を制御して駆動する駆動機構
とからなり、液冷冷却機構の当接冷却槽を、前記載置部
に昇降駆動部を介して当接離間自在に設けた請求項２、
３、４、５または６に記載のワークの電荷の消去中和装
置。
【請求項８】前記放電灯は、その放電管の電極側に設け
たランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯
冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、ランプベー
スに設けた冷却通路に空冷気体を吹きつける吹付ノズル
と、前記空冷気体を供給する供給部と、前記冷却通路に
設けた温度検知手段とからなる請求項１、２、３、４、
５、６および７に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項９】前記放電灯は、その放電管の電極側に設け
たランプベースと、このランンプベースに設けた放電灯
冷却機構とを備え、前記放電灯冷却機構は、前記ランプ
ベースに当接する冷却槽と、この冷却槽に冷却液を循環
させる冷却液の循環部と、前記冷却液の流路内に設けた
温度検知手段とを有する請求項１、２、３、４、５、
６、７または８に記載のワークの電荷の消去中和装置。
【請求項１０】前記ワークの近傍で同高さレベル位置に
温度検知手段を設け、前記放電灯に設けた冷却機構の温
度検知手段および、前記ワークの温度検知手段とを接続
する制御機構とを備え、前記放電灯の点灯照射中に前記
温度検知手段からの温度情報が所定温度の範囲になるよ
うに各冷却機構の作動制御を行う請求項１、２、３、
４、５、６、７、８または９に記載のワークの電荷の消
去中和装置。
【請求項１１】半導体記憶素子および半導体などのウエ
ハ（ワーク）であって、ウエハ製造工程と、ウエハ処理
工程と、組立工程および検査工程により形成され、前記
ウエハ処理工程は、薄膜形成工程と、酸化工程と、ドー
ピング工程と、アニール工程と、レジスト処理工程と、
露光工程と、エッチング工程と、洗浄および乾燥工程と
から構成され、これらウエハ処理工程の所定の工程前ま
たは工程後で前記ウエハに帯電した電荷を、所定波長の
紫外線を照射すると共に、照射中のウエハの温度を所定
温度に制御することで中和するワークの電荷の消去中和
方法。
【請求項１２】前記ウエハ処理工程の各工程で帯電した
電荷を消去する中和方法において、ウエハを搬送機構に
より所定位置に搬送する搬送工程と、この搬送工程によ
り搬送されたウエハの上面および下面を冷却すると共
に、ウエハに所定波長の紫外線を照射する光照射工程
と、この光照射工程中に前記搬送機構を作動させウエハ
に照射される積算光量を均等にするウエハ移動工程とか
らなるワークの電荷の消去中和方法。