JP4782810B2 - イメージ形成体およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、イメージ形成体、イメージ形成体の製造方法、およびこれを用いたイメージ形成装置に関する。より詳細には、ダイレクト印刷方式に好適に用いられるイメージ形成体、イメージ形成体の製造方法、およびこれを用いたイメージ形成装置に関する。

ダイレクト印刷方式は、イメージドラムのような所定のイメージ形成体に直接イメージ信号を印加して潜像を作った後、これを現像して画像を形成する方式である。したがって、レーザーを利用する電子写真方式で必要な露光装置や帯電装置などが不要であり、プロセス的に安定しており、また小型化が可能であるという長所があることから、種々の研究開発がなされている。

このようなダイレクト印刷方式におけるイメージ形成装置の動作原理は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１によると、イメージドラムは、ドラムボディ、多数のリング電極、および制御ユニットなどを備えて形成される。ドラムボディは円筒状であり、アルミニウム等の金属材料からなり、外周壁にそれぞれのリング電極と対応されるように互いに異なる直径を有する貫通孔が形成され、貫通孔には導電性物質が充填される。リング電極はドラムボディの外周面に円周方向に沿って形成され、かつドラムボディの軸方向に沿って所定の間隔を隔てて離隔されるように配置される。このとき、それぞれのリング電極と隣接する電極とは絶縁され、かつドラムボディとも絶縁される。一般に、リング電極は要求される解像度などに応じて多様に設計できるが、例えば、６００ｄｐｉ程度の解像度を得るためには、それぞれのリング電極がドラムボディの軸方向に沿って約４０μｍのピッチをおいて形成される。制御ユニットはドラムボディの内部に設けられ、端子を有する。端子は導電性物質とゼブラストリップ（ｚｅｂｒａ−ｓｔｒｉｐ）とによって、それぞれのリング電極と電気的に接続される。制御ユニットはイメージ情報に応じてそれぞれのリング電極に適切な電圧を印加し、これによってイメージドラムに所定の潜像が形成される。
米国特許第６１０４１５７号明細書

しかしながら、上記のように構成された従来のイメージ形成体は、要求される解像度などに応じてリング電極を多様に設計することはできるが、６００ｄｐｉ程度の解像度を得るためのリング電極を形成するために、イメージ形成体の表面に約２０μｍの幅を有する溝を４２．３μｍの周期で均一に形成しなければならない。また、それぞれのリング電極と制御ユニットとを電気的に接続するために、ドラムボディの外周壁に貫通孔を形成し、その中に一つ一つ導電性物質を充填しなければならない。このように、従来のイメージ形成体は複雑な構造を有するため、その製造には、多数の、複雑な工程を必要とし、製造コストが高いという問題点があった。

また、電極パッドとリング電極とを電気的に接続するためには、多数の制御ユニットを実装することになるが、通常使用される制御ユニットの電極パッドは、リング電極のように小型で精密に製造されていない。したがって、多数の電極パッドを使用する場合には、イメージ形成体の直径を大きくしなければならず、小型化しにくいという問題点があった。特に、比較的狭いリング電極のピッチと比較的広い制御ユニットの電極パッドのピッチとが一致しないことにより、貫通孔を介した電気的接続が複雑となるなど、製造上の困難性という問題点もあった。

本発明は上記の問題点を鑑みてなされたもので、本発明の目的は、単純な構造で、高精度で、低コストで、かつ小型化が可能な、イメージ形成体を提供することである。

本発明者らは、上記の問題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、光の照射により絶縁性から導電性へと変化する絶縁性高分子物質または光の照射により導電性から絶縁性へと変化する導電性高分子物質を用いてイメージ形成体のリング電極を形成することにより、従来よりも、単純な構造で、高精度で、低コストで、かつ小型化が可能なイメージ形成体が得られることを見出した。

すなわち、上記の目的を達成するための本発明のイメージ形成体は、ドラムボディと、前記ドラムボディの内面側に位置する駆動回路と、前記駆動回路を有し、前記ドラムボディの軸方向に前記ドラムボディの内部を貫通するように形成されてなる支持板と、前記ドラムボディの外面上の一部または全部に形成されてなる絶縁層と、前記絶縁層上に形成されてなる、１以上の導電性領域と１以上の絶縁性領域とが交互に配列されてなる導電性／絶縁性高分子層と、前記導電性／絶縁性高分子層上に形成されてなる保護層とを含み、前記導電性／絶縁性高分子層の導電性領域は、前記駆動回路と電気的に接続されてなり、前記導電性／絶縁性高分子層における前記導電性領域および前記絶縁性領域は、（１）絶縁性高分子物質を基材とする層の一部が導電性に変換されてなる；あるいは（２）導電性高分子物質を基材とする層の一部が絶縁性に変換されてなり、
前記絶縁性高分子物質は下記化学式Ｉ：
上記化学式Ｉ中、ｎは４以上の自然数であり、ｍは１〜５の自然数であり、ｌは０〜４の整数であり、ｌ＋ｍは５であり、Ｒ _１ は、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アルキルチオアルキル基、アルキルアリール基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アルキルスルフィニル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、アリールチオ基、アリールスルフィニル基、アルコキシカルボニル基、アリールスルホニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、およびシアノ基からなる群から選択されるいずれか１種である；
で表されるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するポリアニリンであり、
前記導電性高分子物質はポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）の複合体であることを特徴とする。

本発明によると、曲面を有するイメージ形成体のドラムボディの外面上に、光の照射により絶縁性から導電性へと変化する絶縁性高分子物質または光の照射により導電性から絶縁性へと変化する導電性高分子物質を用いて導電性領域と絶縁性領域とを交互に配列することによりリング電極を形成することができるので、製造工程を単純化することができ、製造コストも削減できる。また、導電性領域と絶縁性領域とを段差なしに均一に形成することができるため、リング電極の精度を向上させることができる。さらに、有機電気素子で金属電極を使用する場合には、ポリマーと金属電極との間のストレスによって剥離が発生し得るが、本発明のイメージ形成体はこのような剥離による不良を防止することができる。

以下、本発明の好ましい実施形態を説明する。

本実施形態は、ドラムボディと、ドラムボディの内面側に位置する駆動回路と、駆動回路を有し、ドラムボディの軸方向にドラムボディの内部を貫通するように形成されてなる支持板と、ドラムボディの外面上の一部または全部に形成されてなる絶縁層と、絶縁層上に形成されてなる、１以上の導電性領域と１以上の絶縁性領域とが交互に配列されてなる導電性／絶縁性高分子層と、導電性／絶縁性高分子層上に形成されてなる保護層とを含み、導電性／絶縁性高分子層の導電性領域は、駆動回路と電気的に接続されていることを特徴とするイメージ形成体に関する。

以下、図面を参照しながら、本発明を説明するが、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲の記載に基づいて定められるべきであり、以下の形態のみに制限されない。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。

図１は、本発明の一実施形態に係るイメージ形成体の全体構造を模式的に表した概略図である。図１によると、ドラムボディ１００の内面側に支持板３００がドラムボディの軸方向にドラムボディの内部を貫通するように形成されてなる。ドラムボディ１００の外面上には、リング状の導電性領域５０１および絶縁性領域５０２が交互に配列されてなる。図１に示すように、ドラムボディ１００はその内部が中空のパイプ状でありうるが、このような形態に限定されるものではない。例えば、図示していないが、ドラムボディの内部に駆動回路を装着してドラムボディの外面に形成される導電性の電極と電気的に接続されるように形状化できれば、球形のドラムボディや多角形のドラムボディなど、いずれの物理的な形態でも利用することができる。

図２は、本発明の一実施形態に係るイメージ形成体の一部の断面を模式的に表した概略図である。図２によると、ドラムボディ１００の外面上には、絶縁層４００形成されている。絶縁層４００は、導電性／絶縁性高分子層５００とドラムボディ１００とを絶縁させる役割を有する。導電性／絶縁性高分子層５００の導電性領域５０１は、支持板３００上に位置する駆動回路２００と電気的に接続されている。導電性／絶縁性高分子層５００の導電性領域５０１は絶縁性領域５０２によって互いに絶縁され、また、絶縁層４００によってドラムボディ１００とも電気的に絶縁されている。導電性／絶縁性高分子層５００上には保護層６００が形成されている。図１および図２から分るように、導電性領域５０１は、所定の厚さで一定間隔をおいてリング状に円周面に沿って形成されており、絶縁層領域５０２と同一の厚さで、段差なしに形成されている。

本発明のイメージ形成体に使用できる絶縁性高分子物質または導電性高分子物質は、光照射による伝導度の変化に応じて、導電性領域と絶縁性領域とに区分できる物質を用いることが好ましい。

本発明のイメージ形成体に使用できる絶縁性高分子物質または導電性高分子物質としては、例えば、ポリアニリンまたはポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（以下、「ＰＥＤＴ／ＰＳＳ」とも称する）が挙げられる。ポリアニリンはｓｐ^２の混成軌道を有する炭素を中心に単結合と二重結合とが交互に存在する共役高分子構造を有し、光を照射することによって理論的に優れた電気伝導度を有する導電性高分子化合物となりうる。ＰＥＤＴ／ＰＳＳはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳとも称され、導電性を有する高分子複合体であり、ＰＥＤＴとＰＳＳの割合は１：２．５の質量比で複合体を形成する。

絶縁性高分子物質としてポリアニリンを使用する場合は、下記化学式Ｉで示されるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するポリアニリンを使用することが好ましい。

上記化学式Ｉ中、ｎは４以上の自然数であり、ｍは１〜５の自然数であり、ｌは０〜４の整数であり、ｌ＋ｍは５であり、Ｒ_１は、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アルキルチオアルキル基、アルキルアリール基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アルキルスルフィニル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、アリールチオ基、アリールスルフィニル基、アルコキシカルボニル基、アリールスルホニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、およびシアノ基からなる群から選択されるいずれか１種のである。上記のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するポリアニリンは、一般的な幅広い種類の溶媒に対する溶解性に優れ、この化合物自体は電気伝導度が低く、絶縁的な特性を有する。そしてこの化合物に光を照射すると、光が照射された部分のポリアニリンのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が脱離し、ポリアニリンエメラルジン塩が形成される。このポリアニリンエメラルジン塩が形成されると、その電気伝導度が著しく上昇し、導電性を示す。

次の化学式ＩＩは、上記ポリアニリンに紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）を照射した後の、ポリアニリンエメラルジン塩の一例を示す。

上記化学式ＩＩ中、ｎ、ｍ、ｌ、およびＲ_１は上記化学式Ｉにおける定義と同様である。また、Ｒ_２は使用する光酸発生剤の種類に応じて、様々な置換基でありうるが、例えば、４−メチルフェニル基（この際、Ｒ_２ＳＯ_３Ｈはｐ−トルエンスルホン酸である）、または（７，７‐ジメチル‐２‐オキソビシクロ［２．２．１］ヘプタン‐１‐イル）メチル基（この際、Ｒ_２ＳＯ_３Ｈは１０−カンファースルホン酸である）が挙げられる。

導電性高分子物質としてのＰＥＤＴ／ＰＳＳを使用する場合は、下記化学式ＩＩＩで示されるＰＥＤＴ／ＰＳＳを使用することが好ましい。

上記化学式ＩＩＩ中、ｎは１以上の自然数である。

このようなＰＥＤＴ／ＰＳＳのうち、商業的に利用できるものとしては、エイチ・シー・スタルク（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ）株式会社製のバイトロン（ＢＡＹＴＲＯＮ、登録商標）があり、このうち、バイトロンＰＨ５００を用いることが好ましい。ＰＥＤＴ／ＰＳＳは、ポリアニリン場合と異なり、光が照射された領域が絶縁性となり、光が照射されていない領域が導電性になる。

導電性／絶縁性高分子層の厚さは、１０〜２０μｍの範囲以内であることが好ましい。導電性／絶縁性高分子層の厚さが１０μｍ以上であると、抵抗が低くなるので、導電性領域で電気信号処理する際のエラーが発生しにくくなる。また厚さが２０μｍ以下であると、絶縁性高分子物質または導電性高分子物質をコーティングした後に光に露光させる過程で、一定量の露光により均一な伝導度を得ることができる。

本発明のイメージ形成体に使用するためには、絶縁性領域の電気伝導度は１０^−５〜１０^−６Ｓ／ｃｍであることが好ましい。絶縁性領域の電気伝導度がかような範囲にあると、電流損失またはショートを防止することができる。しかしながら、絶縁性領域の電気伝導度は、絶縁性領域が形成されるイメージ形成体の化学的物理的環境を考慮した上で適宜調整されることが好ましい。一方、導電性領域の電気伝導度は３０〜５０Ｓ／ｃｍであることが好ましい。導電性領域の電気伝導度がかような範囲にあれば、比抵抗が０．３Ωｃｍより低くなるので、電気導線として使用可能である。

ドラムボディの外面上に形成される絶縁層の厚さは、３〜１０μｍであることが好ましい。絶縁層４００の厚さがかような範囲にあると、ドラムボディと導電性／絶縁性高分子層との間で十分な絶縁性が確保され、また、絶縁層の形成も容易であるので、イメージ形成体の小型化されうる。

図２に示すように、絶縁層４００は、駆動回路２００と導電性／絶縁性高分子層５００の導電性領域５０１とが電気的に接続できるように、支持板３００が導電性／絶縁性高分子層５００と直接接合するようにビア加工されて開放されてなることが好ましい。すなわち、駆動回路２００の電極が導電性領域５０１と接続されており、絶縁層４００は支持板３００の上部には形成されていない。

ドラムボディは金属材料またはセラミック材料で形成されることが好ましいが、成形の際の利便性および使用される電子素子などの化学的、物理的な環境等を考慮して選択することが好ましく、必ずしもこれらに限定されるものではない。ドラムボディを金属材料で形成する場合、イメージ形成体が使用される環境を考慮すると、軽量で成形が容易であり、コスト的にも安いアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成することがより好ましい。

導電性／絶縁性高分子層上には、保護層が形成されうる。保護層は酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）から形成されてなることが好ましい。

保護層の厚さは０．０５〜０．８μｍの範囲以内であることが好ましい。少なくとも導電性／絶縁性高分子層を保護する役割を果たすためには、保護層の厚さは０．０５μｍ以上とすることが好ましいが、電場による静電力の確保のためには厚さはできる限り薄いことが好ましいため、０．８μｍより厚くならないように形成されうる。

以下、本発明のイメージ形成体の製造方法について説明する。

図５は、本発明の一実施形態に係るイメージ形成体を製造方法の各段階の概要を示すフローチャートである。

図５に示すように、まず、ドラムボディを加工する（Ｓ１００）。上述のように、ドラムボディの材料としては、例えば、金属材料またはセラミック材料などを使用することができる。続いて、イメージ形成体を駆動させる駆動回路を準備してこの駆動回路を含む支持板を製造し、この支持板をドラムボディに挿入する（Ｓ２００）。支持板をドラムボディに挿入するために、ドラムボディに溝を形成して挿入するが、支持板とドラムボディとはエポキシ樹脂のような物質で接合する。この際、ドラムボディを所定の形状に成形した後、支持板をその内部に挿入してもよく、ドラムボディの一端に支持板を接合させた後、支持板がその内部に挿入されるようにドラムボディを所定の形状に成形してもよい。次に、絶縁物質を含むよう液を前記ドラムボディの外面上に塗布し、絶縁物質を沈着または析出させることによって、ドラムボディの外面上に絶縁層を形成する（Ｓ３００）。絶縁層を形成した後、その表面が均一の厚さになるように加工する。また、ドラムボディの溝を介してドラムボディの外周面に露出されている支持板の上部に絶縁層が存在しないようにするため、支持板の上部に沈着された絶縁物質を取り除く。この段階は、レーザーまたはイオンミリングなどによるビア加工が用いられうる。その後、絶縁層上に導電性／絶縁性高分子層を形成するために、絶縁層上に絶縁性高分子物質または導電性高分子物質を含む溶液をディップコーティングまたはスプレーコーティングすることにより、絶縁層上に絶縁性高分子物質または導電性高分子物質をコーティングする（Ｓ４００）。絶縁性高分子物質または導電性高分子物質をコーティングした後、絶縁性になる部分と導電性になる部分とをパターン化するために、所定の光を用いて露光（Ｓ５００）することによって導電性領域と絶縁性領域とをパターニングする。絶縁性高分子物質または導電性高分子物質の性質に応じて、パターニングの方法は異なってもよく、露光させる光の種類とその強度および露光の時間を適宜決定することができる。かような製造方法でイメージ形成体を製造することによって、導電性／絶縁性高分子層を形成するためのパターニングの過程後、導電性領域と絶縁性領域との高さの段差を無くすためのエッチングや追加的な蒸着などは不要となる。そして、導電性／絶縁性高分子層を形成した後、導電性／絶縁性高分子層上に保護層を形成する（Ｓ６００）。保護層は酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）をコーティングして形成することが好ましく、この形成はスパッタリングまたは化学気相蒸着を用いて形成することができる。

図３Ａ〜図３Ｄは、本発明の一実施形態に係るイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。本発明の一実施形態に係る具体的なイメージ形成体の製造方法においては、図３Ａ〜図３Ｄでは、絶縁性高分子物質の一例としてポリアニリンを使用する場合を例に挙げて説明する。

まず、図３Ａに示すように、ドラムボディ１００上に絶縁層４００を形成し、続いて、図３Ｂに示すように、絶縁層４００上に導電性／絶縁性高分子層５００としてポリアニリンをコーティングする。次に、図３Ｃに示すようにポリアニリンに所定のパターンで光を露光し、露光された部分は導電性領域５０１、露光されていない部分は絶縁性領域５０２となるように導電性／絶縁性高分子層５００をパターニングする。その後、図３Ｄに示すように、導電性／絶縁性高分子層５００上に保護６００を形成する。

上述のように、絶縁性高分子物質がポニアニリンである場合、露光に用いる光は波長２００〜４００ｎｍの紫外線であることが好ましい。波長２００〜４００ｎｍの紫外線を用いることによってポニアニリンからポリアニリン塩への変換が効率よく行われうる。

また、導電性／絶縁性高分子層５００としてポリアニリンを絶縁層４００上にコーティングする場合、ポリアニリンとともに光酸発生剤を使用することが好ましい。本発明で使用できる光酸発生剤としては、例えば、フタルイミドトリフルオロメタンスルホネート、ジニトロベンジルｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｎ−デシル）スルホン、ナフチルイミドトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨード塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニルトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、およびジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択される少なくとも１種を用いることができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。

図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の他の一実施形態に係るイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。図４Ａ〜図４Ｄでは、導電性高分子物質の一例としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）を使用した場合を例に挙げて詳しく説明する。

まず、図４Ａに示すように、ドラムボディ１００上に絶縁層４００が形成し、続いて、図４Ｂに示すように、絶縁層４００上に導電性／絶縁性高分子層としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体がコーティングする。次に、図４Ｃに示すようにポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体に所定のパターンで光を露光し、露光されていない部分は導電性領域５０１、露光された部分は絶縁性領域５０２となるように導電性／絶縁性高分子層をパターニングする。その後、図４Ｄに示すように、導電性／絶縁性高分子層５００上に保護６００を形成する。

また、本発明の他の実施形態に係るイメージ形成装置は、トナー供給ユニットと、トナー供給ユニットからのトナーを吸着する上述したイメージ形成体と、イメージ形成体に吸着されたトナーのうちの一部または全部を、イメージ形成体から分離させて、イメージ形成体にイメージを現像するイメージ現像ユニットと、イメージ形成体の現像イメージを印刷媒体に転写するイメージ転写ユニットとを含む。

以上、本発明のイメージ形成体および該イメージ形成体を含むイメージ形成装置について説明したが、本発明に係る導電性高分子を用いるイメージ形成体の製造方法は、フレキシブルディスプレイのようにプラスチック基板を使用する分野にも適用することができ、その他、マイクロ電気素子にも応用することができる。

本発明の一実施形態に係るイメージ形成体の全体構造を模式的に表した概略図である。 本発明の他の実施形態に係るイメージ形成体の一部の断面を模式的にあらわした概略図である。 本発明の一実施形態に係る、絶縁性高分子物質としてポリアニリンを使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、絶縁性高分子物質としてポリアニリンを使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、絶縁性高分子物質としてポリアニリンを使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、絶縁性高分子物質としてポリアニリンを使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、導電性高分子物質としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体を使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、導電性高分子物質としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体を使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、導電性高分子物質としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体を使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係る、導電性高分子物質としてポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体を使用した場合のイメージ形成体の製造方法を説明するための断面概略図である。 本発明の一実施形態に係るイメージ形成体の製造方法の各段階の概要を示すフローチャートである。

符号の説明

１００ ドラムボディ、
２００ 駆動回路、
３００ 支持板、
４００ 絶縁層、
５００ 導電性／絶縁性高分子層、
５０１ 導電性領域、
５０２ 絶縁性領域、
６００ 保護層、
Ｓ１００ ドラムボディ加工段階、
Ｓ２００ 駆動回路と支持板挿入段階、
Ｓ３００ 絶縁層形成段階、
Ｓ４００ 絶縁性高分子物質または導電性高分子物質コーティング段階、
Ｓ５００ 露光段階、
Ｓ６００ 保護層コーティング段階。

Claims (19)

1. ドラムボディと、
   前記ドラムボディの内面側に位置する駆動回路と、
   前記駆動回路を有し、前記ドラムボディの軸方向に前記ドラムボディの内部を貫通するように形成されてなる支持板と、
   前記ドラムボディの外面上の一部または全部に形成されてなる絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成されてなる、１以上の導電性領域と１以上の絶縁性領域とが交互に配列されてなる導電性／絶縁性高分子層と、
   前記導電性／絶縁性高分子層上に形成されてなる保護層とを含み、
   前記導電性／絶縁性高分子層の前記導電性領域は、前記駆動回路と電気的に接続されてなり、
   前記導電性／絶縁性高分子層における前記導電性領域および前記絶縁性領域は、（１）絶縁性高分子物質を基材とする層の一部が導電性に変換されてなる；あるいは（２）導電性高分子物質を基材とする層の一部が絶縁性に変換されてなり、
   前記絶縁性高分子物質は下記化学式Ｉ：
   上記化学式Ｉ中、ｎは４以上の自然数であり、ｍは１〜５の自然数であり、ｌは０〜４の整数であり、ｌ＋ｍは５であり、Ｒ _１ は、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アルキルチオアルキル基、アルキルアリール基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アルキルスルフィニル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、アリールチオ基、アリールスルフィニル基、アルコキシカルボニル基、アリールスルホニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、およびシアノ基からなる群から選択されるいずれか１種である；
   で表されるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するポリアニリンであり、
   前記導電性高分子物質はポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）の複合体であることを特徴とするイメージ形成体。
2. 前記ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）の複合体は、下記化学式ＩＩＩ：
   上記化学式ＩＩＩ中、ｎは１以上の自然数である；
   で表されるポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸の複合体であることを特徴とする、請求項１に記載のイメージ形成体。
3. 前記導電性／絶縁性高分子層の厚さは、１０〜２０μｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載のイメージ形成体。
4. 前記導電性領域の電気伝導度は３０〜５０Ｓ／ｃｍであり、前記絶縁性領域の電気伝導度は１０^−５〜１０^−６Ｓ／ｃｍであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
5. 前記絶縁層の厚さは、３〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
6. 前記絶縁層は、前記駆動回路と前記導電性／絶縁性高分子層の導電性領域とが電気的に接続されるように、前記支持板が前記導電性高分子層と接合できるようにビア加工されて開放されてなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
7. 前記ドラムボディは、金属またはセラミックからなることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
8. 前記金属は、アルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項７に記載のイメージ形成体。
9. 前記保護層は酸化ケイ素を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
10. 前記保護層の厚さは、０．０５〜０．８０μｍであることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のイメージ形成体。
11. ドラムボディを準備する段階と、
    前記ドラムボディの内部に、駆動回路を有する支持板を挿入する段階と、
    前記ドラムボディの外面上に絶縁層をコーティングする段階と、
    前記絶縁層上に前記駆動回路と電気的に接続する導電性領域と絶縁性領域とを有する導電性／絶縁性高分子層を下記（１）または（２）の方法により形成する段階と、
    前記導電性／絶縁性高分子層上に保護層を形成する段階とを含むことを特徴とするイメージ形成体の製造方法；
    （１）前記絶縁層上に、光の照射により絶縁性から導電性へと変化する、下記化学式Ｉ：
    上記化学式Ｉ中、ｎは４以上の自然数であり、ｍは１〜５の自然数であり、ｌは０〜４の整数であり、ｌ＋ｍは５であり、Ｒ _１ は、それぞれ独立して、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルコキシ基、アルカノイル基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アルキルチオアルキル基、アルキルアリール基、アミノ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アルキルスルフィニル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、アリールチオ基、アリールスルフィニル基、アルコキシカルボニル基、アリールスルホニル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、およびシアノ基からなる群から選択されるいずれか１種である；
    で表されるｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基を有するポリアニリンからなる絶縁性高分子物質をコーティングした後、当該絶縁性高分子物質に所定のパターンで光を照射し、露光された部分を導電性領域とし、露光されなかった部分を絶縁性領域とする；
    （２）前記絶縁層上に、光の照射により導電性から絶縁性へと変化する、ポリ−３，４−エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）の複合体からなる導電性高分子物質をコーティングした後、当該導電性高分子物質に所定のパターンで光を照射し、露光された部分を絶縁性領域とし、露光されなかった部分を導電性領域とする。
12. 前記光は波長２００〜４００ｎｍの紫外線であることを特徴とする、請求項１１に記載のイメージ形成体の製造方法。
13. 前記絶縁性高分子物質がポリアニリンである場合、前記絶縁性高分子物質は光酸発生剤とともにコーティングされることを特徴とする、請求項１１または１２に記載のイメージ形成体の製造方法。
14. 前記絶縁層のコーティングは、絶縁物質を含む溶液を前記ドラムボディの外面上に塗布し、絶縁物質を沈着または析出させることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のイメージ形成体の製造方法。
15. 前記絶縁層は、前記駆動回路と前記導電性／絶縁性高分子層の導電性領域とが電気的に接続されるようにするために、前記絶縁層をコーティングした後であって前記絶縁性高分子物質または前記絶縁性高分子物質をコーディングする前に、前記支持板の上部にコーティングされた絶縁層部分を除去してビア加工する段階を含むことを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載のイメージ形成体の製造方法。
16. 前記ビア加工は、レーザー法またはイオンミリング法により行うことを特徴とする、請求項１５に記載のイメージ形成体の製造方法。
17. 前記絶縁性高分子物質または前記導電性高分子物質のコーティングは、前記絶縁層上に前記絶縁性高分子物質または前記導電性高分子物質を含む溶液中をディップコーティングまたはスプレーコーティングすることを特徴とする、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載のイメージ形成体の製造方法。
18. 前記保護層は、スパッタリングまたは化学気相蒸着法を用いて形成されることを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれか１項に記載のイメージ形成体の製造方法。
19. トナー供給ユニットと、
    前記トナー供給ユニットからのトナーを吸着する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のイメージ形成体または請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたイメージ形成体と、
    前記イメージ形成体に吸着されたトナーのうちの一部または全部を、前記イメージ形成体から分離させて、前記イメージ形成体にイメージを現像するイメージ現像ユニットと、
    前記イメージ形成体の現像イメージを印刷媒体に転写するイメージ転写ユニットとを含むことを特徴とするイメージ形成装置。