JP4780755B2 - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
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以下に説明する各実施例では、被処理物(透明電極)300として、ガラス基板の基体1上に陽極層2であるITO電極が形成されたITO付ガラス基板を使用した。このITO付ガラス基板は、三容真空(株)製(ソーダガラスITO、150±20nm、≦14Ω/□)を用いた。そして、ITO表面の仕事関数は、大気中で、光電子分光装置(理研計器株式会社製、AC−2)を用いて測定した。
ITO付ガラス基板を、アセトンで5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いで洗浄液(フルウチ化学株式会社製、セミコクリーン56)で5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いでアセトンで5分間超音波洗浄し、次いで煮沸したIPAに5分間浸漬した後、自然乾燥させた。次に、ITO表面を放電量が、(1)900J/m2、(2)9000J/m2、(3)27000J/m2、(4)90000J/m2のそれぞれの条件で大気中にてコロナ放電処理を行い、ITO表面の仕事関数を測定した。得られた結果を表1に示す。
ITO付ガラス基板を、アセトンで5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いで洗浄液(フルウチ化学株式会社製、セミコクリーン56)で5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いでアセトンで5分間超音波洗浄した後、自然乾燥させた。次に、ITO表面を放電量が54000J/m2の条件で大気中にてコロナ放電処理を行い、仕事関数を測定した。その結果、測定されたITO表面の仕事関数は5.55eVであった。
ITO付ガラス基板を、アセトンで2分間超音波洗浄し、次いで洗浄液(フルウチ化学株式会社製、セミコクリーン56)で1分間超音波洗浄し、次いで純水で1分間超音波洗浄し、次いでアセトンで1分間超音波洗浄した後、自然乾燥させた。次に、ITO表面を放電量が90000J/m2の条件で大気中にてコロナ放電処理を行い、仕事関数を測定した。 その結果、測定されたITO表面の仕事関数は5.50eVであった。
ITO付ガラス基板を、アセトンで5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いで洗浄液(フルウチ化学株式会社製、セミコクリーン56)で5分間超音波洗浄し、次いで純水で5分間超音波洗浄し、次いでアセトンで5分間超音波洗浄し、次いで煮沸したIPAに5分間浸漬した後、自然乾燥させた。次に、ITO表面を放電量が90000J/m2の条件で大気中にてコロナ放電処理を行い、その後大気中に、(1)30分間放置、(2)60分間放置、(3)120分間放置した後、ITO表面の仕事関数を測定した。得られた結果を表2に示す。
実施例1のコロナ放電処理を施さない以外は、実施例1と同様の条件で処理することでITO付ガラス基板を得た。得られたITO付ガラス基板の仕事関数を測定した結果、4.75eVであった。
評価用EL素子は、実施例1で得られた(1)から(4)のITO付ガラス基板を用いて、それぞれ以下の条件で作製した。まず、有機化合物層を、ITO付ガラス基板のITO表面に、スピンコート法により、ポリビニルカルバゾールと2,5−ジ(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾールと3−(2−ベンゾチアゾリル)−7−(ジエチルアミノ)クマリンとが160:40:1の重量比で混合した混合物を1.0重量%分散したクロロホルム溶液を用いて形成した。ここでは、有機化合物層の厚さが略100nmとなるように形成した。次に、有機化合物層を形成したITO付ガラス基盤を真空蒸着装置内に設置し、有機化合物層表面に銀とマグネシウムからなる合金を200nmの厚さで蒸着して陰極を形成した。得られたEL素子の特性としては、発光が輝度計にて輝度の変化として確認出来た時の電圧、すなわち閾値電圧で評価した。なお、閾値電圧は有機EL発光効率測定装置(プレサイスゲージ株式会社製、EL1003)を用いて測定した。得られた結果を表3に示す。
1 :基体
2 :陽極層
3 :有機化合物層
4 :陰極層
200:コロナ放電処理装置
5 :高周波発生装置
5A :高周波電源装置
5B :高圧トランス
6 :第1の電極
7 :第2の電極
8 :エアーギャップ
9 :コロナ放電
300:被処理物(基体に陽極層を形成したもの)
10 :第2の電極(ステージ)の移動方向
11 :第1の電極の移動方向
12 :非処理物の移動方向
Claims (1)
- 基体上に少なくとも1層の陽極層を形成し、該陽極層上に少なくとも1層の有機化合物層を形成し、該有機化合物層上に少なくとも1層の陰極層を形成して製造される有機EL素子であって、前記陽極層表面を単位面積あたりのコロナ放電のエネルギーが900〜90000J/m2であるコロナ放電処理することによって、前記陽極層表面の仕事関数を4.8eV〜6.0eVの範囲にすること
を特徴とする有機EL素子の製造方法。
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