JP4779833B2 - 光ディスク装置 - Google Patents
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Description
RF=Sa+Sb+Sc+Sd (数1)
FE=(Sa+Sc)−(Sb+Sd) (数2)
TE=(Sa+Sb)−(Sc+Sd) (数3)
WBL=(Sa+Sb)−(Sc+Sd) (数4)
が得られる。なお、FEは公知の非点収差法、TEは公知のプッシュプル法により検出される。
以下、本発明の実施の形態1を図1から図5に基づいて説明する。なお、従来例と共通の要素については、同一図、同一の番号を振って説明する。
FE=(Sa+Sc)−(Sb+Sd) (数5)
TE=(Sa+Sb)−(Sc+Sd) (数6)
が得られる。なお、FEは公知の非点収差法、TEは公知のプッシュプル法により検出される。信号演算回路101からの出力FE、TEは対物レンズ駆動回路102を介し、対物レンズ駆動装置103を駆動し、対物レンズ5を高さ方向、および光ディスク6の半径方向に移動させる。
RF=Se+Sf+Sg+Sh (数7)
WBL=(Se+Sf)−(Sg+Sh) (数8)
が得られる。信号演算回路101は、(数8)により得られたウォブル信号(WBL)から光ディスクの回転情報および位置情報などの光ディスクの付帯情報を検出し、モータ駆動回路104およびレーザ発光回路105へそれぞれ出力を行う。モータ駆動回路104はモータ駆動装置106により、光ディスクの回転制御などを行う。一方で、レーザ発光回路105は、レーザ光源1の光出力についての制御を行い、光ディスク6に対して記録再生を行う。
以下、本発明の実施の形態2を図6から図9に基づいて説明する。なお、従来例と共通の要素については、同一図、同一の番号を振って説明する。図6は本発明の実施の形態2における光ディスク装置の概略を示すものであり、図6に示した光ディスク装置の光学系構成607について詳細を図7aに示す。
f2=(フォーカス信号用光検出素子F2aで得られる光信号)+(フォーカス信号用光検出素子F2bで得られる光信号)+(フォーカス信号用光検出素子F2cで得られる光信号)+(フォーカス信号用光検出素子F2dで得られる光信号)
t1=情報信号用光検出素子8T1で得られる光信号
t2=情報信号用光検出素子8T2で得られる光信号
t3=情報信号用光検出素子8T3で得られる光信号
t4=情報信号用光検出素子8T4で得られる光信号
s1=トラッキング信号用光検出素子8S1で得られる光信号
s2=トラッキング信号用光検出素子8S2で得られる光信号
ここで、トラッキング信号用光検出素子8S1の回路構成図を図9aに示す。図9aではトラッキング信号用光検出素子8S1から出力される信号s1について述べるが、トラッキング信号用光検出素子8S2についても同様の構成となっている。図9aにおいて、光検出器基板709は、トラッキング信号用光検出素子8S1から流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換回路901を備える。この電流電圧変換回路901は演算増幅器902と、この演算増幅器902の反転入力端子と出力端子903間に直列に接続した抵抗R4とから構成され、演算増幅器902の反転入力端子とアース間にはトラッキング信号用光検出素子8S1が接続され、演算増幅器902の非反転入力端子には電圧Vcが供給されている。このように構成されたトラッキング信号用光検出素子8S1に入射した光信号s1は電流電圧変換回路901の抵抗R4で決まる所定のゲインによって電流電圧変換された電気信号となり、出力端子903より信号Ss1が出力される。同様に、他方のトラッキング信号用光検出素子8S2から信号Ss2が出力される。これらの信号Ss1、Ss2は、図6における信号演算回路101に入力され、以下の演算にてトラッキングエラー信号(TE)が検出される。
さらにフォーカス信号用光検出素子F1a〜F2dについて、導通されたフォーカス信号用光検出素子F1a、F1b、F1c、F1dの回路構成図を図9bに示す。図9bでは導通されたフォーカス信号用光検出素子F1a、F1b、F1c、F1dから出力される信号f1について述べるが、他の導通されたフォーカス信号用光検出素子F2a、F2b、F2c、F2dから得られる信号f2についても同様の構成となっている。図9bにおいて、光検出器基板709は、導通されたフォーカス信号用光検出素子F1a、F1b、F1c、F1dから流れる電流を電圧に変換する電流電圧変換回路904を備える。この電流電圧変換回路904は演算増幅器905と、この演算増幅器905の反転入力端子と出力端子906間に直列に接続した抵抗R5とから構成され、演算増幅器905の反転入力端子とアース間には導通されたフォーカス信号用光検出素子F1a、F1b、F1c、F1dが接続され、演算増幅器905の非反転入力端子には電圧Vcが供給されている。このように構成された導通されたフォーカス信号用光検出素子F1a、F1b、F1c、F1dに入射した光信号f1は電流電圧変換回路904の抵抗R5で決まる所定のゲインによって電流電圧変換された電気信号となり、出力端子906より信号Sf1が出力される。同様に、他のフォーカス信号用光検出素子F2a、F2b、F2c、F2dから信号Sf2が出力される。これらの信号Sf1、Sf2は図6における信号演算回路101に入力され、フォーカスエラー信号(TE)が検出される。
図6において、信号演算回路101からの出力FE、TEは対物レンズ駆動回路102を介し、対物レンズ駆動装置103を駆動し、対物レンズ5および偏光ホログラム基板702を高さ方向、および光ディスク6の半径方向に移動させる。
WBL=(St1+St4)−(St2+St3) (数12)
図6における信号演算回路101は、(数12)により得られたウォブル信号(WBL)から光ディスクの回転情報および位置情報などの光ディスクの付帯情報を検出し、モータ駆動回路104およびレーザ発光回路105へそれぞれ出力を行う。モータ駆動回路104はモータ駆動装置106により、光ディスク6の回転制御などを行う。一方で、レーザ発光回路105は、レーザ光源1の光出力についての制御を行い、光ディスク6に対して記録再生を行う。
2 偏光ビームスプリッタ
3、704 コリメートレンズ
4、703 1/4波長板
5 対物レンズ
6 光ディスク
7 ビームスプリッタ
8、11 集光レンズ
9 シリンドリカルレンズ
10、12 光検出器
13,14 光学系
101 信号演算回路
102 対物レンズ駆動回路
103 対物レンズ駆動装置
104 モータ駆動回路
105 レーザ発光回路
106 モータ駆動装置
301、304、901、904、907、1201 電流電圧変換回路
302、305、902、905、908、1202 増幅演算器
700 発光点
702 偏光性ホログラム基板
702a ホログラム面
710 反射ミラー
Claims (2)
- 光源と、
前記光源から出射された光を光ディスクに集光する対物レンズと、
前記光ディスクからの反射光を第1の光及び第2の光に分岐する分岐手段と、
前記分岐手段で分岐された第1の光を検出する第1の光検出素子と、
前記第1の光検出素子と独立して設けられ、前記分岐手段で分岐された第2の光を検出する第2の光検出素子と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号を基に、トラッキングエラー信号を生成する第1の生成手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号を基に、ウォブル信号を生成する第2の生成手段と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号のゲインを第1の値に設定する第1のゲイン設定手段と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号を前記第1の値のゲインで増幅し、その増幅させた電気信号を前記第1の生成手段に出力する第1の演算増幅手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号のゲインを前記第1の値に比べて小さい第2の値に設定する第2のゲイン設定手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号を前記第2の値のゲインで増幅し、その増幅させた電気信号を前記第2の生成手段に出力する第2の演算増幅手段と
を備え、
前記第1のゲイン設定手段は、前記第1の光検出素子から出力された電気信号において、第1の光量で飽和し、前記第1の光量よりも少ない第2の光量で飽和しないようにゲインを設定し、
前記第2のゲイン設定手段は、前記第2の光検出素子から出力された電気信号において、当該第1の光量及び前記第2の光量で飽和しないようにゲインを設定し、
前記第1の光量は、前記光ディスクに情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第2の光量は、前記光ディスクに記録された情報を再生するために前記光源から出射された光が前記光ディスクの鏡面で反射された光の光量である、光ディスク装置。 - 光源と、
前記光源から出射された光を光ディスクに集光する対物レンズと、
前記光ディスクからの反射光を第1の光及び第2の光に分岐する分岐手段と、
前記分岐手段で分岐された第1の光を検出する第1の光検出素子と、
前記第1の光検出素子と独立して設けられ、前記分岐手段で分岐された第2の光を検出する第2の光検出素子と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号を基に、トラッキングエラー信号を生成する第1の生成手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号を基に、ウォブル信号を生成する第2の生成手段と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号のゲインを第1の値に設定する第1のゲイン設定手段と、
前記第1の光検出素子で得られた電気信号を前記第1の値のゲインで増幅し、その増幅させた電気信号を前記第1の生成手段に出力する第1の演算増幅手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号のゲインを前記第1の値に比べて小さい第2の値に設定する第2のゲイン設定手段と、
前記第2の光検出素子で得られた電気信号を前記第2の値のゲインで増幅し、その増幅させた電気信号を前記第2の生成手段に出力する第2の演算増幅手段と
を備え、
前記第1のゲイン設定手段は、前記第1の光検出素子から出力された電気信号において、第1の光量で飽和し、当該第1の光量よりも少ない第3の光量及び当該第3の光量よりも少ない第2の光量で飽和しないようにゲインを設定し、
前記第2のゲイン設定手段は、前記第2の光検出素子から出力された電気信号において、前記第1の光量、前記第3の光量、及び前記第2の光量で飽和しないようにゲインを設定し、
前記第1の光量は、前記光ディスクに低反射率の領域を形成して情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第3の光量は、前記光ディスクに高反射率の領域を形成して情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第2の光量は、前記光ディスクに記録された情報を再生するために前記光源から出射された光が前記光ディスクの鏡面で反射された光の光量である、光ディスク装置。
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