JP4779178B2 - 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール - Google Patents
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Description
2 セラミックス基板
3 金属層
4 半田
5 他方の金属層
6 半田
7 金属ベース板
8 メッキ層
9 鋳型
10 凹み
11 原料
12 黒鉛ピストン
13 空洞
14 窒化アルミニウムのセラミックス基板
Claims (28)
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層がシリコンを含有し、その含有量が0.1重量%以上、5重量%未満であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記シリコンの含有量が0.1重量%以上、2重量%未満であることを特徴とする請求項1記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がMnを含有し、その含有量が0.2重量%以上、2重量%以下であることを特徴とする請求項1または2記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がMgを含有し、その含有量が0.1重量%以上、1重量%以下であることを特徴とする請求項1、2または3記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層が銅を含有し、その含有量が1重量%以上、2重量%以下であることを特徴とする請求項1、2、3または4記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記セラミックス基板がアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種で作られることを特徴とする請求項1、2、3、4または5記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がNiまたはAuめっきが施されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記電子部品が半導素子またはベース板であることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6または7記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層とセラミックス基板が直接接合により接合されていること特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7または8記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層とセラミックス基板がろう接により接合されていること特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8または9記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層上に電子部品が半田付けされることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9または10記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- 請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10または11に記載の電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板を部品として使用された、パワーモジュール。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成された半導体実装用絶縁基板において、上記合金金属層がシリコンを含有し、その含有量が0.1重量%以上、5重量%以下であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満であって、該合金金属層上に電子部品が実装されることを特徴とする半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がシリコンを含有し、その含有量が0.1重量%以上、2重量%未満であることを特徴とする請求項13記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がMnを含有し、その含有量が0.2重量%以上、2重量%以下であることを特徴とする請求項13または14記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がMgを含有し、その含有量が0.1重量%以上、1重量%以下であることを特徴とする請求項13、14または15記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層が銅を含有し、その含有量が1重量%以上、2重量%以下であることを特徴とする請求項13、14、15または16記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記セラミックス基板がアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる一種で作られることを特徴とする請求項13、14、15、16または17記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層がNiまたはAuめっきが施されていることを特徴とする請求項13、14、15、16、17または18記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記電子部品が半導素子またはベース板であることを特徴とする請求項13、14、15、16、17、18または19記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層とセラミックス基板が直接接合により接合されていること特徴とする請求項13、14、15、16、17、18、19または20記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記合金金属層とセラミックス基板がろう接により接合されていること特徴とする請求項13、14、15、16、17、18、19、20または21記載の半導体実装用絶縁基板。
- 上記該合金金属層上に電子部品が半田付けされることを特徴とする請求項13、14、15、16、17、18、19、20、21または22記載の半導体実装用絶縁基板。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層がMnを含有し、その含有量が2重量%であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層がMgを含有し、その含有量が0.2重量%以上、1重量%以下であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層が銅を含有し、その含有量が1重量%以上、2重量%以下であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層が亜鉛を含有し、その含有量が2重量%であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
- セラミックス基板の少なくとも一部の面にアルミニウムを主とする合金金属層が形成され、上記合金金属層がニッケルを含有し、その含有量が0.5重量%であり、上記合金金属層のビッカース硬度が25以上、40未満である半導体実装用絶縁基板の該合金金属層上に、電子部品が実装されていることを特徴とする、電子部品が実装された半導体実装用絶縁基板。
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