JP4779109B2 - 軸不斉を有する光学活性アミノ酸誘導体及び該アミノ酸誘導体を不斉触媒として用いる光学活性化合物の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、軸不斉を有する新規な光学活性アミノ酸誘導体に関する。本発明のアミノ酸誘導体は、不斉合成用触媒として有用である。
さらに、本発明は、当該アミノ酸誘導体を不斉触媒として用いることを特徴とする光学活性化合物の製造方法に関する。

近年開発される医薬品は、薬効および安全性をより高めるため、そのほとんどがノンラセミックな医薬品になっている。これら光学活性医薬品を合成する上において従来は光学分割法が主流であったが、アトムエコノミーが高い不斉触媒合成に移行しつつあり、高収率かつ高光学純度を達成できる不斉触媒の開発がその根幹をなす技術として注目されている。また、不斉触媒合成は、医薬品のみならず、農薬や高機能性材料（例えば、液晶、非線形光学材料など）等様々な分野での応用も期待される。

直接アルドール反応やＯ−ニトロソアルドール反応などのアルドール反応は、様々な医薬品の合成に使用されており（例えば、非特許文献１参照）、その不斉触媒合成への応用は極めて有用な技術となり得る。そのため、これまでに様々な不斉アルドール反応のための不斉触媒が報告されているが、そのほとんどは不斉配位子を有する遷移金属触媒を用いるものであった（例えば、非特許文献２参照）。
しかし、遷移金属触媒は毒性が強かったり、触媒活性が不安定なものが多く、その取扱いには注意を要する場合が多々ある。また反応に使用することにより触媒活性が劣化する場合が多く、その回収再利用は一般に困難である。さらには、金属廃液の処理が必要となるためコストが高くなる上に、環境上の問題もある。

遷移金属を使用しない触媒的不斉アルドール反応として、Ｌ−プロリンなどのアミノ酸誘導体を不斉触媒として使用する方法が報告されている（非特許文献３または４参照）。しかし、その収率および立体選択性は低く、実用的に実施するには満足できるものではなかった。
「ヘルベチカケミカアクタ（Helvetica Chemica Acta）」，１９８７年，７０巻，ｐ．１４１２−１４１８ 「ジャーナルオブザアメリカンケミカルソサイアティ（Journal of the American Chemical Society）」，１９９９年，第１２１巻，ｐ．６６９−６８５ 「ジャーナルオブザアメリカンケミカルソサイアティ（Journal of the American Chemical Society）」，２００１年，第１２３巻，ｐ．５２６０−５２６７ 「ジャーナルオブザアメリカンケミカルソサイアティ（Journal of the American Chemical Society）」，２００３年，第１２５巻，ｐ．１０８０８−１０８０９

すなわち本発明は、従来の不斉アルドール反応にみられる上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、高収率かつ高立体選択的な不斉アルドール反応を達成し得る非金属の新規不斉触媒を開発して、当該不斉触媒を用いた新規不斉アルドール反応を提供することにより、医薬、農薬、高機能性材料等の合成中間体として有用な光学活性化合物の有利な製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題を解決するため、不斉アルドール反応の非金属不斉触媒として、軸不斉を有するアミノ酸誘導体に着目し、鋭意研究を行った。その結果、軸不斉源としてビナフチル構造を有する新規なアミノ酸誘導体が不斉アルドール反応の優れた非金属不斉触媒となることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下のとおりである。
［１］一般式（Ｉ）：

（式中、Ｒ^１は水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または−ＣＯ_２Ｒ^４で表される基（ここで、Ｒ^４は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。）を示し、Ｒ^２およびＲ^３は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子または低級アルキル基、低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（Ｉ）ともいう。）またはその塩。
［２］Ｒ^１が水素原子、原子置換基を有していてもよいフェニル基またはカルボキシル基である、上記［１］記載の化合物またはその塩。
［３］光学活性である、上記［１］または［２］記載の化合物またはその塩。
［４］上記［３］記載の化合物またはその塩を含有することを特徴とする不斉触媒。
［５］不斉アルドール反応、不斉マンニッヒ型反応、不斉ハロゲン化反応または不斉マイケル反応のための不斉触媒である、上記［４］記載の不斉触媒。
［６］不斉アルドール反応のための不斉触媒である、上記［５］記載の不斉触媒。
［７］不斉アルドール反応が、不斉直接アルドール反応または不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応である、上記［６］記載の不斉触媒。
［８］上記［３］記載の化合物またはその塩の存在下、一般式（II）：

（式中、Ｒ^５およびＲ^６は同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示すか、あるいはＲ^５とＲ^６とがつながり、それぞれが結合する炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。）で表される化合物（以下、化合物（II）ともいう。）と、一般式（III）：

（式中、Ｒ^７は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（III）ともいう。）を反応させることを特徴とする、一般式（IV）：

（式中、＊は不斉炭素を示し、他の記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（IV）ともいう。）の製造方法。
［９］Ｒ^５が低級アルキル基であり、Ｒ^６が水素原子であり、Ｒ^７が置換基を有していてもよいアリール基である、上記［８］記載の製造方法。
［１０］上記［３］記載の化合物またはその塩の存在下、一般式（Ｖ）：

（式中、Ｒ^８は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示し、Ｒ^９は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示すか、あるいはＲ^８とＲ^９とがつながり、それぞれが結合する炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。）で表される化合物（以下、化合物（Ｖ）ともいう。）と、一般式（VI）：

（式中、Ｒ^１０は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物（以下、ニトロソ化合物（VI）ともいう。）とを反応させることを特徴とする、一般式（VII）：

（式中、＊は不斉炭素を示し、他の記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（VII）ともいう。）の製造方法。
［１１］上記［１０］記載の製造方法により得られる化合物（VII）を還元する工程を包含する、一般式（VIII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（VIII）ともいう。）の製造方法。
［１２］Ｒ^８が水素原子であり、Ｒ^９が低級アルキル基であり、Ｒ^１０が置換基を有していてもよいアリール基である、上記［１０］または［１１］記載の製造方法。
［１３］以下の工程（ｉ-a）〜（vi-a）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉａ）：

（式中、Ｒａ^１は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示し、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（Ｉａ）ともいう。）またはその塩の製造方法；
（ｉ-a）一般式（IX）：

（式中、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示し、ＯＴｆはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（IX）ともいう。）を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、一般式（Ｘ）：Ｒａ^１−Ｂ（ＯＨ）_２ （Ｘ）（式中、Ｒａ^１は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（Ｘ）ともいう。）と反応させて、一般式（XI）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XI）ともいう。）を得；
（ii-a）得られた化合物（XI）を遷移金属触媒および塩基の存在下、一酸化炭素および一般式（XII）：Ｒ^４’ＯＨ （XII）（式中、Ｒ^４’は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示す。）で表されるアルコール（以下、アルコール（XII）ともいう。）と反応させて、一般式（XIII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XIII）ともいう。）を得；
（iii-a）得られた化合物（XIII）を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XIV）：

（式中、Ｘ^１はハロゲン原子を示し、他の各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XIV）ともいう。）を得；
（iv-a）得られた化合物（XIV）をアリルアミンと反応させて、一般式（XV）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XV）ともいう。）を得；
（ｖ-a）得られた化合物（XV）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XVI）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XVI）ともいう。）を得；
（vi-a）得られた化合物（XVI）を加水分解して、化合物（Ｉａ）を得る。
［１４］Ｒａ^１が置換基を有していてもよいフェニル基である上記［１３］記載の製造方法。
［１５］以下の工程（ｉ-b）〜（ｖ-b）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉｂ）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（Ｉｂ）ともいう。）またはその塩の製造方法；
（ｉ-b）化合物（IX）を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、一酸化炭素およびアルコール（XII）と反応させて、一般式（XVII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XVII）ともいう。）を得；
（ii-b）得られた化合物（XVII）を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XVIII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XVIII）ともいう。）を得；
（iii-b）得られた化合物（XVIII）をアリルアミンと反応させて、一般式（XIX）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XIX）ともいう。）を得；
（iv-b）得られた化合物（XIX）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XX）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XX）ともいう。）を得；
（ｖ-b）得られた化合物（XX）を加水分解して、化合物（Ｉｂ）を得る。
［１６］光学活性な化合物（IX）を用いる、上記［１３］〜［１５］のいずれかに記載の製造方法。
［１７］以下の工程（ｉ-c）〜（vii-c）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉｃ）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（Ｉｃ）ともいう。）またはその塩の製造方法；
（ｉ-c）一般式（XXI）：

（式中、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示し、Ｒ^１１は低級アルキル基を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXI）ともいう。）を、塩基の存在下に、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XXII）：

（式中、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^１１は前記と同義を示し、Ｘ^２はハロゲン原子を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXII）ともいう。）を得；
（ii-c）得られた化合物（XXII）を還元して、一般式（XXIII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXIII）ともいう。）を得；
（iii-c）得られた化合物（XXIII）をハロゲン化剤と反応させて、一般式（XXIV）：

（式中、Ｒ^２、Ｒ^３およびＸ^２は前記と同義を示し、Ｘ^３は、Ｘ^２と同一または異なってハロゲン原子を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXIV）ともいう。）を得；
（iv-c）得られた化合物（XXIV）をアリルアミンと反応させて、一般式（XXV）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXV）ともいう。）を得；
（ｖ-c）得られた化合物（XXV）を遷移金属触媒および塩基の存在下、一酸化炭素およびアルコール（XII）と反応させて、一般式（XXVI）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXVI）ともいう。）を得；
（vi-c）得られた化合物（XXVI）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XXVII）：

（式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物（以下、化合物（XXVII）ともいう。）を得；
（vii-c）得られた化合物（XXVII）を加水分解して、化合物（Ｉｃ）を得る。
［１８］光学活性な一般式（XXI）で表される化合物を用いる、上記［１７］記載の製造方法。

本発明によれば、高収率かつ高立体選択性の不斉アルドール反応を可能とする非金属不斉触媒である新規なアミノ酸誘導体、すなわち化合物（Ｉ）が提供され、これを不斉アルドール反応の不斉触媒に用いることにより、医薬品などの合成中間体として有用な光学活性化合物の有利な製造方法が提供される。
また、本発明の不斉触媒は非金属であるため環境に優しく、金属廃液の処理等をする必要がないので、コスト的に有利である。さらに非金属であるため、触媒活性が安定しており、回収再利用も容易に行うことができる。

以下、本発明を詳細に説明する。
１．記号の説明
本発明におけるアルキルにおいて、語頭（例えば、イソ、ネオ、ｓｅｃ−、ｔｅｒｔ−など）を付していない限り直鎖状であり、例えば単にプロピルとあれば、直鎖状のプロピルのことである。

Ｒ^２、Ｒ^３、Ｘ^１、Ｘ^２およびＸ^３に示される「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子である。Ｒ^２およびＲ^３は好ましくは、塩素原子または臭素原子である。Ｘ^１は好ましくは、塩素原子または臭素原子である。Ｘ^２は好ましくは、臭素原子である。Ｘ^３は好ましくは、塩素原子または臭素原子である。

Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^１１に示される「低級アルキル基」としては、炭素数１〜１２の直鎖または分枝のアルキル基、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル等が挙げられ、好ましくはメチル、エチル、イソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチルである。

Ｒ^２およびＲ^３に示される「低級アルコキシ基」としては、アルキル部分が上記で定義された「低級アルキル基」であるアルコキシ基、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ等が挙げられ、好ましくはメトキシまたはエトキシである。

Ｒ^４、Ｒ^４’、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９に示される「置換基を有していてもよい低級アルキル基」の「低級アルキル基」としては、上記で定義された「低級アルキル基」と同じアルキル基が挙げられる。
当該低級アルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記で定義された低級アルコキシ基、上記で定義されたハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９に示される「置換基を有していてもよい低級アルケニル基」の「低級アルケニル基」としては、炭素数２〜１２の直鎖または分枝のアルケニル基、例えばエテニル、１−プロペニル、アリル、１−メチル−２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、１−ヘプテニル、２−ヘプテニル、１−オクテニル、２−オクテニル、１−ノネニル、２−ノネニル、１−デセニル、２−デセニル等が挙げられ、好ましくはエテニルまたはアリルである。当該アルケニル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記の「置換基を有していてもよい低級アルキル基」で例示された置換基と同じ置換基；あるいは下記で定義する「置換基を有していてもよいアリール基」等が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^１、Ｒａ^１、Ｒ^４、Ｒ^４’、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０に示される「置換基を有していてもよいアリール基」の「アリール基」としては、炭素数６〜１２のアリール基、例えばフェニル、１−または２−ナフチル、ビフェニル等が挙げられる。当該アリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記で定義された低級アルキル基、ハロ低級アルキル基（例、トリフルオロメチル基等）；ハロゲン原子で置換されてもよいアリール基；上記の「置換基を有していてもよい低級アルキル基」で例示された置換基と同じ置換基等が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^４、Ｒ^４’、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９に示される「置換基を有していてもよいシクロアルキル基」の「シクロアルキル基」としては、炭素数３〜７個のシクロアルキル基、例えばシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチル等が挙げられる。当該シクロアルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記の「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９に示される「置換基を有していてもよいアラルキル基」の「アラルキル基」としては、上記で定義された「低級アルキル基」の任意の位置に上記で定義された「アリール基」が置換して形成されるアラルキル基、例えばベンジル、１−または２−フェニルエチル、１−、２−または３−フェニルプロピル、１−または２−ナフチルメチル、ベンゾヒドリル、トリチル等が挙げられる。当該アラルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^１、Ｒａ^１、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０に示される「置換基を有していてもよいヘテロアリール基」の「ヘテロアリール基」としては、例えば炭素原子以外に酸素原子、硫黄原子及び窒素原子から選ばれるヘテロ原子を１〜２個含む５〜６員の芳香性を有する複素環基、及びその縮合ヘテロ環基等が挙げられる。例えば２−又は３−チエニル、２−又は３−フリル、１−、２−又は３−ピロリル、１−、２−、４−又は５−イミダゾリル、２−、４−又は５−オキサゾリル、２−、４−又は５−チアゾリル、１−、３−、４−又は５−ピラゾリル、３−、４−又は５−イソオキサゾリル、３−、４−又は５−イソチアゾリル、１，２，４−トリアゾール−１、３、４又は５−イル、１，２，３−トリアゾール−１、２又は４−イル、１Ｈ−テトラゾール−１又は５−イル、２Ｈ−テトラゾール−２又は５−イル、２−、３−又は４−ピリジル、２−、４−又は５−ピリミジニル、１−、２−、３−、４−、５−、６−又は７−インドリル、２−、３−、４−、５−、６−又は７−ベンゾフリル、２−、３−、４−、５−、６−又は７−ベンゾチエニル、１−、２−、４−、５−、６−又は７−ベンズイミダゾリル、２−、３−、４−、５−、６−、７−又は８−キノリル、１−、３−、４−、５−、６−、７−又は８−イソキノリル等が挙げられる。当該ヘテロアリール基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９に示される「置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基」の「ヘテロアリールアルキル基」としては、上記で定義された「低級アルキル基」の任意の位置に上記で定義された「ヘテロアリール基」が置換して形成される基、例えば、３−インドリルメチル、２−ピリジルメチル、２−チエニルメチル等が挙げられる。当該アラルキル基は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

Ｒ^５とＲ^６およびＲ^８とＲ^９が、それぞれ結合する炭素原子と一緒になって形成してもよい環としては、５〜６員の同素環またはその縮合環（例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、インダン等）または炭素原子以外に窒素原子、酸素原子または硫黄原子等のヘテロ原子を１〜２個含む、５〜６員の複素環またはその縮合環（例えば、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、テトラヒドロチオピラン、ピロリジン、ピペリジン、１，４−ジオキサン、モルホリン、チオモルホリン、ピペラジン、ジヒドロベンゾフラン、クロマン、イソクロマン、チオクロマン等）が挙げられる。当該環は置換可能な位置に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、上記「置換基を有していてもよいアリール基」で例示された置換基と同じ置換基が挙げられる。当該置換基の数は特に限定はなく、１〜３個が好ましく、２個以上の場合は同一または異なっていてもよい。

化合物（IV）、（VII）および（VIII）における＊は、付された炭素原子が不斉炭素であることを示し、それぞれの化合物が光学活性な化合物であることを意味する。

化合物（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）、（IX）、（XI）、（XIII）、（XIV）、（XV）、（XVI）、（XVII）、（XVIII）、（XIX）、（XX）、（XXI）、（XXII）、（XXIII）、（XXIV）、（XXV）、（XXVI）および（XXVII）は、ナフタレン環を繋ぐ単結合の回転障害に基づく軸不斉を示し、室温において光学分割可能なアトロプ異性を示し、光学活性化合物及びラセミ体を包含する。

光学活性とは、不斉炭素または軸不斉においてその立体配置が異なる異性体の等量混合物（例えば、ラセミ体）でないことを意味し、一方の立体異性体が過剰に存在する場合（例えば、６：４の混合物）であれば、光学活性と定義される。

本明細書に記載の化合物が不斉炭素または軸不斉を２個以上有する場合は、あらゆる立体異性体またはその混合物（例えば、ジアステレオマーまたはその混合物等）を包含する。

化合物（Ｉ）、（Ｉａ）、（Ｉｂ）および（Ｉｃ）は、アミノ基とカルボキシル基を有するアミノ酸誘導体であり、塩の形態であってもよい。そのような塩としては、例えば無機酸塩（例えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩等）；有機酸塩（例えば酢酸塩、プロピオン酸塩、メタンスルホン酸塩、４−トルエンスルホン酸塩、シュウ酸塩、マレイン酸塩等）；アルカリ金属塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩等）；アルカリ土類金属塩（例えばカルシウム塩、マグネシウム塩等）；有機塩基塩（例えばトリメチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩等）等が挙げられる。
また、本明細書で定義される他の化合物も、同様の塩を形成する態様であってもよい。

化合物（Ｉ）のＲ^１としては、水素原子、置換基を有していてもよいフェニル基またはカルボキシル基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基またはカルボキシル基がより好ましい。

化合物（II）のＲ^５としては、低級アルキル基、置換基を有するアリール基が好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましく、Ｒ^６としては水素原子が好ましい。化合物（III）のＲ^７としては置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、ニトロ基、シアノ基または塩素原子で置換されたフェニル基がより好ましい。

化合物（Ｖ）のＲ^８としては水素原子が好ましい。Ｒ^９としては、置換基を有していてもよい低級アルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。ニトロソ化合物（VI）のＲ^１０としては置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

２．化合物（Ｉ）の製造方法
本発明の化合物（Ｉ）のうちＲ^１が置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基である化合物、すなわち化合物（Ｉａ）は、下記工程（ｉ-a）〜（vi-a）を包含する製法１によって製造することができる。

（式中、各記号は前記と同義を示す。）
（ｉ-a）化合物（IX）を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、化合物（Ｘ）と反応させて、化合物（XI）を得る；
（ii-a）化合物（XI）を遷移金属触媒および塩基の存在下、一酸化炭素およびアルコール（XII）と反応させて、化合物（XIII）を得る；
（iii-a）化合物（XIII）を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、化合物（XIV）を得る；
（iv-a）化合物（XIV）をアリルアミンと反応させて、化合物（XV）を得る；
（ｖ-a）化合物（XV）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、化合物（XVI）を得る；
（vi-a）化合物（XVI）を加水分解して、化合物（Ｉａ）を得る。

また、本発明の化合物（Ｉ）のうちＲ^１が−ＣＯ_２Ｒ^４（Ｒ^４は前記と同義を示す。）で表される基である化合物、すなわち化合物（Ｉｂ）は、下記工程（ｉ-b）〜（ｖ-b）を包含する製法２によって製造することができる。

（式中、各記号は前記と同義を示す。）
（ｉ-b）化合物（IX）を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、一酸化炭素およびアルコール（XII）と反応させて、化合物（XVII）を得る；
（ii-b）化合物（XVII）を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、化合物（XVIII）を得る；
（iii-b）化合物（XVIII）をアリルアミンと反応させて、化合物（XIX）を得る；
（iv-b）化合物（XIX）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、化合物（XX）を得る；
（ｖ-b）得られた化合物（XX）を加水分解して、化合物（Ｉｂ）を得る。

製法１および２の原料である化合物（IX）は、例えば、J. Am. Chem. Soc., 2003, 125, p.5139-5151に記載の方法により調製することができる。光学活性な化合物（IX）を用いることにより、光学活性な化合物（Ｉａ）または（Ｉｂ）を製造することができる。

化合物（Ｉ）のうちＲ^１が水素原子である化合物、すなわち化合物（Ｉｃ）は、下記工程（ｉ-c）〜（vii-c）を包含する製法３によって製造することができる。

（ｉ-c）化合物（XXI）を、塩基の存在下に、ハロゲン化剤と反応させて、化合物（XXII）を得る；
（ii-c）化合物（XXII）を還元して、化合物（XXIII）を得る；
（iii-c）化合物（XXIII）をハロゲン化剤と反応させて、化合物（XXIV）を得る；
（iv-c）化合物（XXIV）をアリルアミンと反応させて、化合物（XXV）を得る；
（ｖ-c）化合物（XXV）を遷移金属触媒および塩基の存在下、一酸化炭素およびアルコール（XII）と反応させて、化合物（XXVI）を得る；
（vi-c）化合物（XXVI）を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、化合物（XXVII）を得る；
（vii-c）化合物（XXVII）を加水分解して、化合物（Ｉｃ）を得る。

製法の３の原料である化合物（XXI）は、市販品として入手可能な１，１’−ナフチル−２，２’−ジカルボン酸またはその誘導体を、自体公知の方法によりエステル化することにより、容易に調製することができる。光学活性な化合物（XXI）を用いることにより、光学活性な化合物（Ｉｃ）を製造することができる。

以下、工程（ｉ-a）〜（vi-a）、工程（ｉ-b）〜（ｖ-b）および工程（ｉc）〜（ｖiic）について説明する。
各工程で得られる化合物は、通常の単離操作（例えば、濃縮、抽出、中和、洗浄、濾過等）または精製操作（例えば、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等）により、単離精製することができる。
２−１．工程（ｉ-a）
工程（ｉ-a）は、化合物（IX）の一方のＯＴｆをＲａ^１で表される基に置換して、化合物（XI）を得る工程である。工程（ｉ-a）は、鈴木カップリング反応（Synlett, 221(1990)参照）に準じて行なえばよく、例えば溶媒中において、化合物（IX）、化合物（Ｘ）、遷移金属触媒および塩基を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（ｉ-a）に使用される遷移金属触媒としては、０価または２価のパラジウムおよびニッケルから選ばれる遷移金属に１価または２価以上のホスフィン配位子が配位して形成される遷移金属錯体、例えばＮｉ（ＰＰｈ_３）_４、ＮｉＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２、ＮｉＣｌ_２（ｄｐｐｅ）、ＮｉＣｌ_２（ｄｐｐｐ）、ＮｉＣｌ_２（ｄｐｐｂ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４、ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｅ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｐ）、ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｂ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＰｈ_３）_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｅ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｐ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｂ）（ここで、ｄｐｐｅは１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンを示し、ｄｐｐｐは１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンを示し、ｄｐｐｂは１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタンを示す。）等が挙げられ、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｐ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＰｈ_３）_２が好ましい。これら遷移金属錯体は、遷移金属塩（例えば、ＮｉＣｌ_２、ＰｄＣｌ_２、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２等）およびホスフィン配位子（例えば、ＰＰｈ_３、ｄｐｐｅ、ｄｐｐｐ、ｄｐｐｂ等）から反応系中で生成させてもよく、その場合の遷移金属塩に対するホスフィン配位子の比率は、１〜３当量の範囲とすればよい。

遷移金属触媒の使用量は、化合物（IX）に対して通常０．００１〜０．２当量、好ましくは０．００５〜０．１当量である。遷移金属触媒の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が遅くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ｉ-a）に使用される塩基としては特に限定されないが、例えば、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等の無機塩基またはＮ−エチルジイソプロピルアミン、トリエチルアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアニリン等の有機塩基が挙げられ、リン酸カリウムが好ましい。当該塩基の使用量は、化合物（IX）に対して通常１〜１０当量、好ましくは１．２〜３．５当量である。塩基の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

化合物（Ｘ）の使用量は、化合物（IX）に対して通常０．９〜２当量、好ましくは１〜１．５当量である。化合物（Ｘ）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、多く使用すると、化合物（IX）の他方のＯＴｆにも反応してジカップリング体が生成する場合がある。

工程（ｉ-a）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えば１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン、ジグリム、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン等の単独または混合溶媒が挙げられ、１，４−ジオキサンまたはＴＨＦが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（IX）１ｋｇに対して、通常３〜５０Ｌの範囲である。

工程（ｉ-a）の反応温度は、通常は４０℃〜１２０℃であるが、６０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜２４時間である。

２−２．工程（ii-a）
工程（ii-a）は、化合物（XI）のＯＴｆを−ＣＯ_２Ｒ^４’（Ｒ^４’は前記と同義を示す。）で表される基に置換して、化合物（XIII）を得る工程であり、例えば溶媒中において、化合物（XI）、アルコール（XII）、遷移金属触媒および塩基の混合物を、一酸化炭素雰囲気下反応させることにより行なうことができる。試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（ii-a）に使用される遷移金属触媒としては、工程（ｉ-a）と同じものが挙げられ、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｐ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＰｈ_３）_２が好ましい。遷移金属触媒の使用量は、化合物（XI）に対して通常０．００１〜０．５当量、好ましくは０．０１〜０．３当量である。遷移金属触媒の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が遅くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ii-a）に使用される塩基としては、工程（ｉ-a）と同じものが挙げられ、Ｎ−エチルジイソプロピルアミンが好ましい。当該塩基の使用量は、化合物（XI）に対して通常１〜１０当量、好ましくは２〜６当量である。塩基の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

アルコール（XII）の使用量は、化合物（XI）に対して通常２〜１００当量、好ましくは５〜８０当量である。アルコール（XVII）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応速度が遅くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ii-a）は通常、一酸化炭素の加圧条件下で行なわれる。一酸化炭素の圧力は、通常２〜３０気圧、好ましくは５〜２０気圧である。一酸化炭素の圧力がこの範囲外であっても行なうことができるが、この範囲より低いと反応が遅くなり、高い場合、高価な耐圧設備が必要となり、コストが高くなる。

工程（ii-a）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）等の単独または混合溶媒が挙げられ、ＤＭＳＯが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XI）１ｋｇに対して、通常３〜１００Ｌの範囲である。

工程（ii-a）の反応温度は、通常は４０℃〜１３０℃であるが、６０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常３時間〜４８時間である。

２−３．工程（iii-a）
工程（iii-a）は、化合物（XIII）の二つのメチル基をハロゲン化して、化合物（XIV）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XIII）、ラジカル開始剤およびハロゲン化剤を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

ハロゲン化剤としては従来公知のものを特に制限なく使用することができ、例えばＮ−ブロモコハク酸イミド（ＮＢＳ）、Ｎ−クロロコハク酸イミド（ＮＣＳ）、等が挙げられ、ＮＢＳが好ましい。ハロゲン化剤の使用量は、化合物（XIII）に対して通常２〜３当量、好ましくは２〜２．５当量である。ハロゲン化剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が完結しにくくなり、多い場合、過剰のハロゲン化が進行する場合がある。

ラジカル開始剤としては従来公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）（ＡＭＶＮ）、２，２’−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）（ＭｅＯ−ＡＭＶＮ）等のアゾビス系化合物、過酸化ジベンゾイル、過酸化ジｔ−ブチル等の過酸化物が挙げられ、好ましくはＡＩＢＮである。ラジカル開始剤の使用量は、化合物（XIII）に対して通常０．００１〜０．２当量、好ましくは０．０１〜０．１５当量である。ラジカル開始剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が完結しにくくなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（iii-a）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばベンゼン、クロロベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブチル等の単独または混合溶媒が挙げられ、ベンゼン、クロロベンゼンまたは酢酸エチルが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XIII）１ｋｇに対して、通常５〜５０Ｌの範囲である。

工程（iii-a）の反応温度は、通常は４０℃〜１５０℃であるが、５０℃〜１１０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜２４時間である。

２−４．工程（iv-a）
工程（iv-a）は、化合物（XIV）をアリルアミンで閉環して、化合物（XV）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XIV）およびアリルアミンを混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

アリルアミンの使用量は、化合物（XIV）に対して通常１〜５当量、好ましくは１．５〜３．５当量である。アリルアミンの使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が完結しにくくなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（iv-a）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばアセトニトリル、ＤＭＳＯ、ＴＨＦ、１，４−ジオキサン等の単独または混合溶媒が挙げられ、アセトニトリルが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XIV）１ｋｇに対して５〜５０Ｌの範囲である。

工程（iv-a）の反応温度は、通常は２０℃〜１００℃であるが、４０℃〜７０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜２４時間である。

２−５．工程（ｖ-a）
工程（ｖ-a）は、化合物（XV）のアリル基を脱保護する工程であり、 "Protective Groups in Organic Synthesis", John Wiley: USA, 1999, 3rd Edithion p.574-575に挙げられた脱保護法と同様に行なえばよい。例えば、溶媒中において、好ましくは酸の共存下、化合物（XIV）および遷移金属触媒を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（ｖ-a）に使用される遷移金属触媒としては、工程（ｉ-a）と同じものが挙げられ、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ｄｐｐｐ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（ＰＰｈ_３）_２が好ましい。遷移金属触媒の使用量は、化合物（XV）に対して通常０．００１〜０．２当量、好ましくは０．０１〜０．１当量である。遷移金属触媒の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が遅くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ｖ-a）は反応を促進するため、酸の共存下に行なうことが好ましい。当該塩基としては従来公知のものを特に制限なく使用することができ、例えばＮ，Ｎ−ジメチルバルビツール酸（ＮＤＭＢＡ）、ギ酸、酢酸等が挙げられ、ＮＤＭＢＡが好ましい。当該酸の使用量は、化合物（XV）に対して通常０．００５〜０．５当量、好ましくは０．０２〜０．２当量である。酸の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が遅くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ｖ-a）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばジクロロメタン、ＤＭＳＯ、ＴＨＦ、トルエン等の単独または混合溶媒が挙げられ、ジクロロメタンが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XV）１ｋｇに対して２〜３０Ｌの範囲である。

工程（ｖ-a）の反応温度は、通常は０℃〜８０℃であるが、１０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常２時間〜２４時間である。

２−６．工程（vi-a）
工程（vi-a）は、化合物（XVI）を加水分解して、化合物（Ｉａ）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XVI）を塩基で処理することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（vi-a）に使用される塩基としては従来公知のものを特に制限なく使用することができ、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が挙げられ、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムが好ましい。当該塩基は、水溶液として反応系中に添加してもよく、その場合の水は、後掲の溶媒の一部となる。当該塩基の使用量は、化合物（XVI）に対して通常０．５〜５当量、好ましくは１〜３当量である。塩基の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が完結しにくくなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（vi-a）で用いる溶媒は当該反応を阻害しないものであればよく、例えばエタノール、メタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類、ＴＨＦ、水等の単独または混合溶媒が挙げられ、メタノール、ＴＨＦおよび水の混合溶媒が好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XIV）１ｋｇに対して３〜３０Ｌの範囲である。

工程（vi-a）の反応温度は、通常は２０℃〜１３０℃であるが、４０℃〜１００℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常０．５時間〜１０時間である。

２−７．工程（ｉ-b）
工程（ｉ-b）は、化合物（IX）の両方のＯＴｆを−ＣＯ_２Ｒ^４’（Ｒ^４’は前記と同義を示す。）で表される基に置換して、化合物（XVII）を得る工程であり、例えば溶媒中において、化合物（IX）、アルコール（XII）、遷移金属触媒および塩基の混合物を、一酸化炭素雰囲気下反応させることにより行なうことができる。
工程（ｉ-b）は、上記工程（ii-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−８．工程（ii-b）
工程（ii-b）は、化合物（XVII）の二つのメチル基をハロゲン化して、化合物（XVIII）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XVII）、ラジカル開始剤およびハロゲン化剤を混合することにより行なうことができる。
工程（ii-b）は、上記工程（iii-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−９．工程（iii-b）
工程（iii-b）は、化合物（XVIII）をアリルアミンで閉環して、化合物（XIX）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XVIII）およびアリルアミンを混合することにより行なうことができる。
工程（iii-b）は、上記工程（iv-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−１０．工程（iv-b）
工程（iv-b）は、化合物（XIX）のアリル基を脱保護する工程であり、例えば、溶媒中において、好ましくはＮＤＭＢＡなどの酸共存下、化合物（XIX）および遷移金属触媒を混合することにより行なうことができる。
工程（iv-b）は、上記工程（ｖ-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−１０．工程（ｖ-b）
工程（ｖ-b）は、化合物（XX）の両方または片方のエステルを加水分解して、化合物（Ｉｂ）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XX）を塩基で処理することにより行なうことができる。
工程（ｖ-b）において、得られる化合物（Ｉｂ）のＲ^４が水素原子である態様（以下、化合物（Ｉｂ’）ともいう。）については、化合物（XX）の両方のエステルを加水分解すればよく、その場合、塩基の使用量を化合物（XX）に対して０．８〜２当量、好ましくは１〜１．５当量とする以外は、上記工程（vi-a）と同様の条件で行なうことができる。
一方、得られる化合物（Ｉｂ）のＲ^４が置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基である態様（以下、化合物（Ｉｂ”）ともいう。）については、化合物（XX）の片方のエステルを加水分解すればよく、その場合、塩基の使用量を化合物（XX）に対して０．８〜１．３当量、好ましくは０．９〜１．２当量とする以外は、上記工程（vi-a）と同様の条件で行なうことができる。
さらに、化合物（Ｉｂ”）は、化合物（Ｉｂ’）を常法に従い、部分エステル化することによっても得ることができる。

２−１１．工程（ｉ-c）
工程（ｉ-c）は、化合物（XXI）をハロゲン化して、化合物（XXII）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XXI）、塩基およびハロゲン化剤を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよいが、化合物（XXI）のナフタレン環３位を選択的にハロゲン化するためには、化合物（XXI）を塩基と処理した後に、ハロゲン化剤を添加するのが好ましい。

化合物（XXI）のＲ^１１で表される低級アルキル基は特に限定されないが、光学純度を上げるのためには、比較的立体的に嵩高いアルキル基が好ましく、例えば、ネオペンチル等が好ましい。

工程（ｉ-c）使用される塩基としては、例えば、テトラメチルピペリジンマグネシウム塩等が好ましい。当該塩基の使用量は、化合物（XXI）に対して通常２〜６当量、好ましくは３〜４当量である。塩基の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、この範囲より多く使用しても反応に悪影響はないが、収率の改善等の好影響も及ぼさないため、コストが高くなる。

工程（ｉ-c）使用されるハロゲン化剤としては特に限定されず、例えば、臭素、塩素、ヨウ素、フロン（例えば、ＢｒＣＦ_２ＣＦ_２Ｂｒ等）等が挙げられ、臭素が好ましい。当該ハロゲン化剤の使用量は、化合物（XXI）に対して通常４〜１２当量、好ましくは６〜８当量である。ハロゲン化剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、この範囲より多く使用しても反応に悪影響はないが、収率の改善等の好影響も及ぼさないため、コストが高くなる。

工程（ｉ-c）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えば１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン、ジグリム、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン等の単独または混合溶媒が挙げられ、ＴＨＦが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XXI）１ｋｇに対して、通常６〜１０Ｌの範囲である。

工程（ｉ-c）の反応温度は、通常は−１００℃〜６０℃であるが、−７８℃〜４０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜１２時間である。

２−１１．工程（ii-c）
工程（ii-c）は、化合物（XXII）を還元して、化合物（XXIII）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XXII）を、還元剤と反応させることにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（ii-c）に使用される還元剤としてはエステル基をアルコールに還元しうるのもであれば特に限定されないが、例えば、水素化アルミニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等が挙げられ、水素化アルミニウムリチウムまたは水素化ジイソブチルアルミニウムが好ましい。当該還元剤の使用量は、化合物（XXII）に対して水素当量として通常８〜１６当量、好ましくは８〜１２当量である。還元剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（ii-c）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えば１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン、ジグリム、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン等の単独または混合溶媒が挙げられ、ＴＨＦが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XXII）１ｋｇに対して、通常２０〜１００Ｌの範囲である。

工程（ii-c）の反応温度は、通常は−２０℃〜８０℃であるが、０℃〜４０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常２時間〜６時間である。

２−１２．工程（iii-c）
工程（iii-c）は、化合物（XXIII）をハロゲン化して化合物（XXIV）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XXIII）およびハロゲン化剤を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

工程（iii-c）に使用されるハロゲン化剤としては水酸基をハロゲン原子に置換しうるのもであれば特に限定されないが、例えば、三臭化ホウ素等が挙げられる。当該ハロゲン化剤の使用量は、化合物（XXIII）に対して通常２〜５０当量、好ましくは２〜３０当量である。ハロゲン化剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応率が悪くなり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

工程（iii-c）で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えば塩化メチレン、クロロホルム、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン、ジグリム、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、トルエン、キシレン等の単独または混合溶媒が挙げられ、塩化メチレンが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（XXIII）１ｋｇに対して、通常３０〜９０Ｌの範囲である。

工程（iii-c）の反応温度は、通常は−２０℃〜４０℃であるが、０℃〜１０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜６時間である。

２−１３．工程（iv-c）
工程（iv-c）は、化合物（XXIV）をアリルアミンで閉環して、化合物（XXV）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XXIV）およびアリルアミンを混合することにより行なうことができる。
工程（iv-c）は、上記工程（iv-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−１４．工程（ｖ-c）
工程（ｖ-c）は、化合物（XXV）のＸ^２で表されるハロゲン原子を−ＣＯ_２Ｒ^４’（Ｒ^４’は前記と同義を示す。）で表される基に置換して、化合物（XXVI）を得る工程であり、例えば溶媒中において、化合物（XXV）、アルコール（XII）、遷移金属触媒および塩基の混合物を、一酸化炭素雰囲気下反応させることにより行なうことができる。
工程（ｖ-c）は、上記工程（ii-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−１５．工程（vi-c）
工程（vi-c）は、化合物（XXVI）のアリル基を脱保護する工程であり、例えば、溶媒中において、好ましくはＮＤＭＢＡなどの酸共存下、化合物（XXVI）および遷移金属触媒を混合することにより行なうことができる。
工程（vi-c）は、上記工程（ｖ-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

２−１６．工程（vii-c）
工程（iv-b）は、化合物（XXVII）を加水分解して、化合物（Ｉｃ）を得る工程であり、例えば、溶媒中において化合物（XXVII）を塩基で処理することにより行なうことができる。
工程（vii-c）は、上記工程（vi-a）と同様の条件で行なうことができるので、説明を省略する。

３．不斉触媒
本発明の化合物（Ｉ）が光学活性である場合（以下、光学活性化合物（Ｉ）という。）は、不斉反応のための触媒、すなわち不斉触媒として用いることができる。

光学活性化合物（Ｉ）は非金属であるため、分解等しない限り安定した触媒活性を示し、反応基質を追加等することにより連続的に不斉反応を行なうことも可能である。また、アミノ酸誘導体であるため、酸性または塩基性条件の分液操作等で反応基質および生成物から容易に分離回収することができ、何回でも再利用することができるので経済的にも有利である。

光学活性化合物（Ｉ）で触媒される不斉反応としては特に限定はなく、例えば不斉アルドール反応、不斉マンニッヒ型反応、不斉ハロゲン化反応、不斉マイケル反応等が挙げられるが、なかでも、不斉アルドール反応が医薬、農薬などの合成中間体などにおいて汎用性が高いため好ましい。

当該不斉アルドール反応としては、不斉直接アルドール反応、不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応等が挙げられる。

４．不斉反応（光学活性化合物（Ｉ）を不斉触媒として用いる光学活性化合物の製造）
光学活性化合物（Ｉ）により触媒される不斉反応においては、例えば溶媒中において基質を光学活性化合物（Ｉ）に接触させることにより光学活性化合物を得ることができる。
ここで、基質とは当該不斉反応の原料となる化合物を意味し、アキラルまたはプロキラルな化合物が好ましいが、不斉中心を有する光学活性化合物またはラセミ体等をも包含するものである。また、基質は単独の化合物でもよいし、２種以上の化合物の組み合わせであってもよい。
以下、不斉反応の好ましい態様である不斉直接アルドール反応および不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応について説明するが、本発明の不斉触媒による不斉反応はこれに限定されるものではない。

４−１．不斉直接アルドール反応
本発明の不斉直接アルドール反応は、例えば、基質として化合物（II）および化合物（III）を用い、光学活性化合物（III）の存在下に反応させることによって、光学活性な化合物（IV）を得る方法である。

（式中、各記号は前記と同義を示す。）
具体的な操作としては、例えば溶媒中において光学活性化合物（Ｉ）、化合物（II）および化合物（III）を混合することにより行なうことができる。各試薬の添加順序は特に限定はなく、順次または同時に添加すればよい。

化合物（II）の使用量は、化合物（III）に対し、通常１〜１０^５当量、好ましくは１０〜３×１０^４当量である。化合物（II）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと副反応が進行し、反応が複雑になる傾向があり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

光学活性化合物（Ｉ）の使用量は、化合物（III）に対し通常０．００１〜０．５当量、好ましくは０．０１〜０．２当量である。光学活性化合物（Ｉ）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応速度が遅くなる傾向があり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

不斉直接アルドール反応で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＤＭＡｃ、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン（ＤＭＩ）等の単独または混合溶媒が挙げられ、ＤＭＦまたはＤＭＳＯが好ましい。溶媒の使用量は、化合物（III）１ｋｇに対して３〜１００Ｌの範囲である。

不斉直接アルドール反応の反応温度は、通常は０℃〜６０℃であるが、１０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常１時間〜２４時間である。

得られる化合物（IV）は通常の常法により単離精製することができる。例えば、抽出、乾燥、濃縮操作を行なった後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することができるが、これに限定されるものではない。

４−２．不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応
本発明の不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応は、例えば、基質として化合物（Ｖ）およびニトロソ化合物（VI）を用い、光学活性化合物（Ｉ）の存在下に反応させることによって、光学活性な化合物（VII）を得る方法である。
化合物（VII）は不安定であるため通常、単離精製することなく、還元して化合物（VIII）として単離される。

具体的な操作としては、例えば溶媒中において光学活性化合物（Ｉ）、化合物（Ｖ）および化合物（VI）を混合し、反応終了後、還元剤を添加することにより行なうことができる。

化合物（Ｖ）の使用量は、ニトロソ化合物（VI）に対し、通常１〜１０当量、好ましくは１．５〜５当量である。化合物（Ｖ）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が遅くなり、副生物も増加する傾向があり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

光学活性化合物（Ｉ）の使用量は、ニトロソ化合物（VI）に対し通常０．００１〜０．５当量である。光学活性化合物（Ｉ）の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応速度が遅くなる傾向があり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応で用いる溶媒は、当該反応を阻害しないものであればよく、例えばメシチレン、トルエン、キシレン等の単独または混合溶媒が挙げられ、メシチレンまたはトルエンが好ましい。溶媒の使用量は、ニトロソ化合物（VI）１ｋｇに対して５〜２００Ｌの範囲である。

不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応の反応温度は、通常は−５０℃〜５０℃であるが、−３０℃〜３０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常０．５時間〜１０時間である。

反応終了後、混合物に還元剤を添加することにより化合物（VIII）へと誘導することができる。
還元剤としては従来公知のものを制限なく使用することができ、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化アルミニウムリチウム等が挙げられ、水素化ホウ素ナトリウムが好ましい。当該還元剤の使用量は、ニトロソ化合物（VI）に対して通常１〜２０当量、好ましくは２〜１０当量である。還元剤の使用量がこの範囲外でも行なうことができるが、この範囲より少ないと反応が完結しないおそれがあり、多く使用してもそれに見合う効果は得られず、コストが高くなる。

還元剤として水素化ホウ素ナトリウム等を使用する場合は、プロトン源としてアルコール類（例えば、メタノール、エタノール等）または水を添加する。アルコール類の添加量は、還元剤に対し通常１〜１０^５当量、好ましくは１０〜１０^４当量である。

還元剤を添加した後の反応温度は、通常は−２０℃〜８０℃であるが、０℃〜５０℃が好ましい。反応時間は、用いられる試薬や反応温度にも依存するが、通常５分〜６時間である。

得られる化合物（VIII）は通常の常法により単離精製することができる。例えば、抽出、乾燥、濃縮操作を行なった後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することができるが、これに限定されるものではない。

本発明の不斉反応の後処理において、酸性または塩基性条件で分液操作を行うことによって、反応混合物から光学活性化合物（Ｉ）を回収することができる。例えば、抽出操作で、水層を重曹等で塩基性とすると光学活性化合物（Ｉ）は水層に移行し、基質および生成物から容易に分離することができる。当該水層を塩酸等で中和または酸性にした後、濾過または抽出等を行なうことにより、光学活性化合物（Ｉ）を回収することができる。

以下、本発明について、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。

実施例１：（Ｓ）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−３，３’−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物２）

（Ｓ）−３，３’−ビス（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチル（化合物１）（２３１ｍｇ， ０．４０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（４．５ｍｇ， ０．０２ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（８．２ｍｇ， ０．０２ｍｍｏｌ）およびＮ−エチルジイソプロピルアミン（３０７μＬ， １．７６ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ（１０ ｍＬ）及びメタノール（５ ｍＬ）に溶解し、オートクレーブ中で１０気圧の一酸化炭素雰囲気下、８０℃で１２時間加熱した。その後、水を加え酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物（１４９ｍｇ， ０．３７ｍｍｏｌ）を収率９３%で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ２．２１（ｓ， ６Ｈ）， ４．００（ｓ， ６Ｈ）， ６．９５（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２８（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４５（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９６（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．５４（ｓ，２Ｈ）．

実施例２：（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−１，１’−ビナフチル−３，３’−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物３）

（Ｓ）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチル−３，３’−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物２）（１４９ｍｇ， ０．３７ｍｍｏｌ）、ＮＢＳ（１４６ｍｇ， ０．８２ｍｍｏｌ）およびＡＩＢＮ（６ｍｇ， ０．０３７ｍｍｏｌ）を３ｍＬのベンゼンに溶解し、脱気してアルゴン雰囲気下へと置換した後、４時間還流した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物（１８７ｍｇ， ０．３３ｍｍｏｌ）を収率９０％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ４．００（ｓ， ６Ｈ）， ４．６６（ｄ， Ｊ＝１０Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．７８（ｄ， Ｊ＝１０Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．０１（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３６（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．５４（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．０１（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．６８（ｓ， ２Ｈ）．

実施例３：（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物４）

（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−１，１’−ビナフチル−３，３’−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物３）（１８７ｍｇ， ０．３３ｍｍｏｌ）およびアリルアミン（７６μＬ， １．０ｍｍｏｌ）を１．５ｍＬのアセトニトリル中５０℃で５時間攪拌した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）により精製して、表題化合物（１３８ｍｇ， ０．３１ｍｍｏｌ）を収率９１％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ２．９１−２．９８（ｍ， ３Ｈ）， ３．３１（ｄｄ， Ｊ＝１３， ６．０Ｈｚ， １Ｈ）， ４．００（ｓ， ６Ｈ）， ４．７９（ｄ， Ｊ＝１３Ｈｚ， ２Ｈ）， ５．１０−５．１４（ｍ， ２Ｈ）， ５．９２−６．０１（ｍ， １Ｈ）， ７．２２−７．３４（ｍ， ４Ｈ）， ７．５０（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．０１（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．６０（ｓ， ２Ｈ）．

実施例４：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物５）

（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物４）（１３８ｍｇ， ０．３１ｍｍｏｌ）、ＮＤＭＢＡ（１４３ｍｇ， ０．９２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１．４ｍｇ， ０．００６２ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（６．６ｍｇ， ０．０２５ｍｍｏｌ）を２ｍＬのジクロロメタンに溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に３５℃で１２時間攪拌した。エバポレーターによって反応溶液から溶媒を除き、得られた固体をベンゼンに再び溶解した。次に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール：ジクロロメタン＝１：５０）により精製して、表題化合物（１１１ｍｇ， ０．２７ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ３．２１（ｄ， Ｊ＝１２Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．０２（ｓ， ６Ｈ）， ４．７８（ｄ， Ｊ＝１２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２４−７．３５（ｍ， ４Ｈ）， ７．５０（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．０１（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．５９（ｓ， ２Ｈ）．

実施例５：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸（化合物６）

（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸 ジメチルエステル（化合物５）（１１１ｍｇ， ０．２７ｍｍｏｌ）をメタノール（１ｍＬ）およびＴＨＦ（０．６ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ，１ｍＬ）を加え、１時間還流した。得られた反応溶液にジクロロメタン（１ｍＬ）を加えた後、酸性になるまで塩酸（１Ｎ）を加えた。析出した固体を桐山ロートでろ過し、ヘキサンで洗うことで、表題化合物（６４ｍｇ， ０．１７ｍｍｏｌ）を収率６２％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ， ＣＤ_３ＯＤ， Ｍｅ_４Ｓｉ): δ ３．５２（ｄ， Ｊ＝１２．８Ｈｚ， ２Ｈ）， ５．４０（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２４（ｄ， Ｊ＝９．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．３９（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．６２（ａｐｐ ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．１４（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．６９（ｓ， ２Ｈ）．

実施例６：（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３−フェニル−３’−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，１’−ビナフチル（化合物７）

（Ｓ）−３，３’−ビス（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチル（化合物１）（３．８ｇ， ６．６ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（８０５ｍｇ， ６．６ｍｍｏｌ）、リン酸カリウムｎ水和物（４．１９ｇ， １９．８ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（７４ｍｇ， ０．３３ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（３４６ｍｇ， １．３２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（６５ｍＬ）に溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に８０℃で１２時間攪拌した。反応溶液に塩化アンモニウム水溶液を加え、セライトろ過の後、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物及びジカップリング体である（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３，３’−ジフェニル−１，１’−ビナフチルの混合物（２．５８ｇ）を得た。

実施例７：（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３’−フェニル−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物８）

（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３−フェニル−３’−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，１’−ビナフチル（化合物７）及びジカップリング体の混合物（２．５８ｇ）、酢酸パラジウム（３３６ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（６１９ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）およびＮ−エチルジイソプロピルアミン（５．２ｍＬ， ３０ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ（２０ｍＬ）及びメタノール（２０ｍＬ）に溶解し、オートクレーブ中で１０気圧の一酸化炭素雰囲気下、８０℃で３６時間加熱した。その後、水を加え酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（エーテル：ヘキサン＝１：３０）により精製して、表題化合物（９２７ｍｇ， ２．２ｍｍｏｌ）を収率３３％（２段階）で得た。

実施例８：（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−３’−フェニル−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物９）

（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３’−フェニル−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物８）（９２７ｍｇ， ２．２ｍｍｏｌ）、ＮＢＳ（８７２ｍｇ， ４．９ｍｍｏｌ）およびＡＩＢＮ（３６ｍｇ， ０．２２ｍｍｏｌ）を１２ｍＬのベンゼンに溶解し、脱気してアルゴン雰囲気下へと置換した後、４時間還流した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）により精製して、表題化合物（１．２６ｇ， ２．２ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。

実施例９：（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１０）

（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−３’−フェニル−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物９）（１．２６ｇ， ２．２ｍｍｏｌ）およびアリルアミン（４９５μＬ， ６．６ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのアセトニトリル中５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物（８８８ｍｇ， １．９ｍｍｏｌ）を収率８６％で得た。

実施例１０：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１１）

（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１０）（８８８ｍｇ， １．９ｍｍｏｌ）、ＮＤＭＢＡ（８９０ｍｇ， ５．７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（２１ｍｇ， ０．０９５ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（１００ｍｇ， ０．３８ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのジクロロメタンに溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に３５℃で２時間攪拌した。エバポレーターによって反応溶液から溶媒を除き、得られた固体をベンゼンに再び溶解した。次に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール：ジクロロメタン＝１：５０）により精製して、表題化合物（８１６ｍｇ， １．９ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。

実施例１１：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸（化合物１２）

（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１１）（２１５ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）をメタノール（１．５ｍＬ）およびＴＨＦ（１．０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ，１ｍＬ）を加え、１時間還流した。得られた反応溶液にジクロロメタン（１ｍＬ）を加えた後、酸性になるまで塩酸（１Ｎ）を加え、ジクロロメタンで３回抽出した。その後、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール：ジクロロメタン＝１：１５）により精製して、表題化合物（２０７ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ(４００ＭＨｚ， ＣＤ_３ＯＤ， Ｍｅ_４Ｓｉ)： δ ３．５４（ｄ， Ｊ＝１２．８Ｈｚ， １Ｈ）， ３．６４（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ４．４４（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ５．１４（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２４−７．６１（ｍ， １１Ｈ）， ８．０６−８．０８（ｍ， ３Ｈ）， ８．４２（ｓ， １Ｈ）．

実施例１２：（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３’−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，１’−ビナフチル（化合物１３）

（Ｓ）−３，３’−ビス（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチル（化合物１）（２．１６ｇ， ３．７ｍｍｏｌ）、３，４，５−トリフルオロフェニルボロン酸（６５１ｍｇ， ３．７ｍｍｏｌ）、リン酸カリウムｎ水和物（２．３ｇ， １１．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（４２ｍｇ， ０．１８５ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（１９４ｍｇ， ０．７４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（３５ｍＬ）に溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に８０℃で１２時間攪拌した。反応溶液に塩化アンモニウム水溶液を加え、セライトろ過の後、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物及びジカップリング体である（Ｓ）−３，３’−ビス（３，４，５−トリフルオロフェニル）−２，２’−ジメチル−１，１’−ビナフチルの混合物（１．７６ｇ）を得た。

実施例１３：（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３’−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物１４）

（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３’−トリフルオロメタンスルホニルオキシ−１，１’−ビナフチル（化合物１３）及びジカップリング体の混合物（１．７６ｇ）、酢酸パラジウム（１６２ｍｇ， ０．７２ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（２９７ｍｇ， ０．７２ｍｍｏｌ）およびＮ−エチルジイソプロピルアミン（２．５ｍＬ， １４．４ｍｍｏｌ）、をＤＭＳＯ（１０ｍＬ）及びメタノール（１０ｍＬ）に溶解し、オートクレーブ中で１０気圧の一酸化炭素雰囲気下、８０℃で３６時間加熱した。その後、水を加え酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（エーテル：ヘキサン＝１：３０）により精製して、表題化合物（７２３ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）を収率４２％（２段階）で得た。

実施例１４：（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−３’−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物１５）

（Ｓ）−２，２’−ジメチル−３’−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物１４）（７２３ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）、ＮＢＳ（５８７ｍｇ， ３．３ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮ（２５ｍｇ， ０．１５ｍｍｏｌ）を８ｍＬのベンゼンに溶解し、脱気してアルゴン雰囲気下へと置換した後、４時間還流した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物（９３６ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。

実施例１５：（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１６）

（Ｓ）−２，２’−ビス（ブロモメチル）−３’−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−１，１’−ビナフチル−３−カルボン酸 メチルエステル（化合物１５）（９３６ｍｇ， １．５ｍｍｏｌ）、アリルアミン（３３８μＬ， ４．５ｍｍｏｌ）を７ｍＬのアセトニトリル中５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応溶液に水を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物（７２４ｍｇ， １．４ｍｍｏｌ）を収率９２％で得た。

実施例１６：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１７）

（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１６）（７２４ｍｇ， １．４ｍｍｏｌ）、ＮＤＭＢＡ（６５６ｍｇ， ４．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１６ｍｇ， ０．０７ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（７３ｍｇ， ０．２８ｍｍｏｌ）を８ｍＬのジクロロメタンに溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に３５℃で２時間攪拌した。エバポレーターによって反応溶液から溶媒を除き、得られた固体をベンゼンに再び溶解した。次に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール：ジクロロメタン＝１：５０）により精製して、表題化合物（６７５ｍｇ， １．４ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。

実施例１７：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸（化合物１８）

（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物１７）（２４１ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）をメタノール（１．５ｍＬ）およびＴＨＦ（１．０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（１Ｎ，１ｍＬ）を加え、１時間還流した。得られた反応溶液にジクロロメタン（１ｍＬ）を加えた後、酸性になるまで塩酸（１Ｎ）を加え、ジクロロメタンで３回抽出した。その後、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール：ジクロロメタン＝１：１５）により精製して、表題化合物（２３４ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ(４００ＭＨｚ， ＣＤ_３ＯＤ， Ｍｅ_４Ｓｉ): δ ３．５１ ｄ， Ｊ＝１３．２ Ｈｚ， １Ｈ）， ３．６８ （ｄ， Ｊ＝１３．６ Ｈｚ， １Ｈ）， ４．３８（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ５．２４（ｄ， Ｊ＝１１．２Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２１−７．６３（ｍ， ８Ｈ）， ８．０５−８．０９（ｍ， ３Ｈ）， ８．４３（ｓ， １Ｈ）．

参考例１：（Ｓ）−１，１’−ナフチル−２，２’−ジカルボン酸 ジネオペンチルエステル（化合物２０）

（Ｓ）−１，１’−ナフチル−２，２’−ジカルボン酸（化合物１９）（１．７１ｇ， ５．０ｍｍｏｌ）に塩化チオニル（５ｍＬ）を加え、２時間還流下攪拌した。反応終了後、余剰の塩化チオニルを減圧下留去、残渣にジエチルエーテルを加えて、さらに濃縮を行ない得られた残渣を減圧乾燥し、酸クロライドを得た。得られた酸クロライドをテトラヒドロフランに溶解させた後、ネオペンタノール（１．３ｇ）およびピリジン（１．１ｍＬ）を加え３時間還流下攪拌を行なった。反応終了後、反応混合物に１Ｎ塩酸を加え、酢酸エチルで２回抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１：３０）により精製して、表題化合物（２．２ｇ， ４．６ ｍｍｏｌ）を収率９１%で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ０．６５（ｓ， １８Ｈ）， ３．６０（ｄ， Ｊ＝１０．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ３．６４（ｄ， Ｊ＝１０．４ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．０６（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２２（ａｐｐｔ ｔ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４９（ａｐｐｔ ｔ， Ｊ＝７．６Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９２（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９９（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．２１（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， ２Ｈ）．

実施例１８：（Ｓ）−３−ブロモ−１，１’−ナフチル−２，２’−ジカルボン酸 ジネオペンチルエステル（化合物２１）

J. Org. Chem. 2003, 68, 4576-4578.に従って調製したテトラメチルピペリジンマグネシウム塩のテトラヒドロフラン−ヘキサン溶液（１４．７ｍＬ， ４．０ｍｍｏｌ）に（Ｓ）−１，１’−ナフチル−２，２’−ジカルボン酸 ジネオペンチルエステル（化合物２０）（４８２ｍｇ， １ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（３．８ｍＬ）に溶解させた溶液を０℃にて滴下した。室温にて３時間攪拌後、−７８℃まで冷却し、臭素（４１１μＬ， ８．０ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で１時間攪拌後、反応溶液を冷却した１Ｎ塩酸に加え、酢酸エチルにて抽出を行なった。得られた有機層を飽和亜硫酸ナトリウム水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１：１０）により精製して、表題化合物、無置換体およびジブロミド体との混合物を得た（５４８ｍｇ）。更なる分離が困難であったためこれ以上の精製を行なうことなくそのまま次工程に使用した。

実施例１９：（Ｓ）−３−ブロモ−１，１’−ナフチル−２，２’−ジメタノール（化合物２２）

実施例１８で得られた混合物をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に溶解させた溶液を、あらかじめ仕込んでおいた水素化リチウムアルミニウム（１１４ｍｇ， ３．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液に０℃で滴下した。滴下終了後、室温にて２時間反応を行ない、反応液を０℃に冷却した後、１Ｎ塩酸水に注意しながら加え分解し、ジエチルエーテルにて抽出を行なった。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝２：８）により精製して、表題化合物（１６６ｍｇ， ０．４２ｍｍｏｌ）を収率４２%で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ３．３１（ｂｓ， １Ｈ）， ３．６０（ｂｓ， １Ｈ ）， ４．０６（ｄ， Ｊ＝１１．６Ｈｚ， １Ｈ）， ４．０７（ｄ， Ｊ＝１１．６Ｈｚ， １Ｈ）， ４．３８（ｄ， Ｊ＝１１．６Ｈｚ， １Ｈ）， ４．７６（ｄ， Ｊ＝１２．４Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９５−６．９９（ｍ， ２Ｈ）， ７．２２−７．２７（ｍ， ２Ｈ）， ７．４５−７．５０（ｍ， ２Ｈ）， ７．７４ （ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．８３（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９２（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９９（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， ２Ｈ）， ８．２６ （ｓ， １Ｈ）．

実施例２０：（Ｓ）−３−ブロモ−２，２’−ビス（ブロモメチル）−１，１’−ナフチル（化合物２３）

（Ｓ）−３−ブロモ−１，１’−ナフチル−２，２’−ジメタノール（化合物２２）（８６ｍｇ， ０．２２ｍｍｏｌ）および三臭化ホウ素（５００μＬ， ５．３ｍｍｏｌ）を５ｍＬの塩化メチレン中で、０℃で１時間攪拌した。得られた反応溶液に注意深く水を加え、塩化メチレンで３回抽出した。有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）により精製して、表題化合物（９８ｍｇ， ０．１９ｍｍｏｌ）を収率８６%で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ４．１８（ｄ， Ｊ＝１０．８Ｈｚ， １Ｈ), ４．２５（ｄ， Ｊ＝１０．０Ｈｚ， １Ｈ）， ４．３３（ｄ， Ｊ＝１０．８Ｈｚ， １Ｈ）， ４．４８（ｄ， Ｊ＝１０．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．０３（ａｐｐｔ ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．２６−７．３０（ｍ， ２Ｈ）， ７．４８−７．５３（ｍ， ２Ｈ）， ７．７６（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８３（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９２（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ), ８．０４（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ８．３２（ｓ， １Ｈ）．

実施例２１：（Ｓ）−４−アリル−２−ブロモ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン（化合物２４）

（Ｓ）−３−ブロモ−２，２’−ビス（ブロモメチル）−１，１’−ナフチル（化合物２３）（７７ｍｇ， ０．１５ｍｍｏｌ）およびアリルアミン（５６μＬ， ０．７４ ｍｍｏｌ）を３ｍＬのＴＨＦ中で、５０℃で５時間攪拌した。得られた反応溶液に水を加え酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１：２０〜２：８）により精製して、表題化合物（５４．５ｍｇ， ０．１３ｍｍｏｌ）を収率８９％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ３．０３−３．１３ （ｍ， ３Ｈ）， ３．４２（ｄｄ， Ｊ＝１３．６， ６．４Ｈｚ， １Ｈ）， ３．７７（ｄ， Ｊ＝１２．６Ｈｚ， １Ｈ）， ４．３５（ｄ， Ｊ＝１２．６Ｈｚ， １Ｈ）， ５．１９（ｄｄ， Ｊ＝１０．４， １．６Ｈｚ， １Ｈ）， ５．２５（ｄｄ， Ｊ＝１７．２， １．６Ｈｚ， １Ｈ）， ５．９５−６．０５（ｍ， １Ｈ）， ７．２１−７．２７（ｍ， ２Ｈ）， ７．３５（ｄｄ， Ｊ＝８．８， １．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．４３−７．４８（ｍ， ２Ｈ）， ７．５４（ｄ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， １Ｈ）， ７．８３（ｄ， Ｊ＝８．４ Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．９５（ｔ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ８．２６（ｓ， １Ｈ）．

実施例２２：（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物２５）

（Ｓ）−４−アリル−２−ブロモ−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン（化合物２４）（２３８ｍｇ， ０．５７ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（１３ ｍｇ， ０．０５７ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（２４ｍｇ， ０．０５７ｍｍｏｌ）およびＮ−エチルジイソプロピルアミン（４２７μＬ， ２．５ｍｍｏｌ）をジメチルスルホキシド（１０ｍＬ）及びメタノール（５ｍＬ）に溶解し、オートクレーブ中で１０気圧の一酸化炭素雰囲気下、８０℃で２４時間加熱した。その後、水を加え、塩化メチレンで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ヘキサン＝１：９〜２：８）により精製して、表題化合物（１５０ｍｇ， ０．３８ｍｍｏｌ）を収率６７％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ２．９８−３．０４（ｍ， ２Ｈ）， ３．１４（ｄ， Ｊ＝１２．４Ｈｚ， １Ｈ）， ３．２３（ｄｄ， Ｊ＝１３．２， ６．４Ｈｚ， １Ｈ）， ３．７５（ｄ， Ｊ＝１２．４Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．００（ｓ， ３Ｈ）， ４．７５（ｄ， Ｊ＝１３．２ Ｈｚ， ２Ｈ）， ５．１６−５．２１ （ｍ， ２Ｈ）， ５．９５−６．０２（ｍ， １Ｈ）， ７．２３−７．３７（ｍ， ４Ｈ）， ７．３９−７．５５（ｍ， ３Ｈ）， ７．９５−８．０１（ｍ， ３Ｈ）， ８．５７（ｓ， １Ｈ）．

実施例２３：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物２６）

（Ｓ）−４−アリル−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物２５）（１．０６ｇ， ２．７ｍｍｏｌ）、ＮＤＭＢＡ（１．２６ｇ， ８．１ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（３０ｍｇ， ０．１３５ｍｍｏｌ）およびトリフェニルホスフィン（１４２ｍｇ， ０．５０ｍｍｏｌ）を１５ｍＬのジクロロメタンに溶解し、アルゴン雰囲気下へと置換した後に３５℃で２時間攪拌した。エバポレーターによって反応溶液から溶媒を除き、得られた固体をベンゼンに再び溶解した。次に炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで３回抽出し、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液をエバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（メタノール／ジクロロメタン＝１：５０）により精製して、表題化合物（０．９５ｇ， ２．７ｍｍｏｌ）を収率＞９９％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３，Ｍｅ_４Ｓｉ）： δ ３．２５ （ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ３．４８（ｄ， Ｊ＝１１．６Ｈｚ， １Ｈ）， ３．８９（ｄ， Ｊ＝１１．２Ｈｚ， １Ｈ）， ４．０１（ｓ， ３Ｈ）， ４．６５（ｄ， Ｊ＝１２．８Ｈｚ， １Ｈ）， ７．３１−７．５２（ｍ， ６Ｈ）， ７．６２（ｄ， Ｊ＝８．４Ｈｚ， １Ｈ）， ７．９４−８．０３（ｍ， ３Ｈ）， ８．５４（ｓ， １Ｈ）．

実施例２４：（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸（化合物２７）

（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸 メチルエステル（化合物２６）（１７７ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）をメタノール（１．５ｍＬ）およびＴＨＦ（１．０ｍＬ）に溶解し、水酸化ナトリウム水溶液（１N，１ｍＬ）を加え、１時間還流した。得られた反応溶液にジクロロメタン（１ｍＬ）を加えた後、酸性になるまで塩酸（１Ｎ）を加え、減圧濃縮し、残渣を得た。得られた残渣をジクロロメタンで３回抽出し、その後、有機層を飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムによって乾燥した。硫酸ナトリウムを濾去し、濾液を減圧濃縮した後、濃縮残渣を陽イオン交換樹脂カラム（Ｄｏｗｅｘ ５０Ｗ−Ｘ, ダウケミカル社製）に吸着させ、陽イオン交換樹脂カラムを適当量の精製水で洗浄した後、５％アンモニア水にて目的物溶出させた。得られたアンモニア水溶液を減圧濃縮して、表題化合物（１５３ｍｇ， ０．４５ｍｍｏｌ）を収率９０％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ(４００ＭＨｚ， ＣＤ_３ＯＤ， Ｍｅ_４Ｓｉ): δ ３．４９（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ３．７７（ｄ， Ｊ＝１２．８Ｈｚ， １Ｈ）， ４．３６（ｄ， Ｊ＝１３．２Ｈｚ， １Ｈ）， ５．１５（ｄ， Ｊ＝１２．８ Ｈｚ， １Ｈ）， ７．２３−７．３６（ｍ， ４Ｈ）， ７．５７（ｔ， Ｊ＝８．０Ｈｚ， ２Ｈ）， ７．７４（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， １Ｈ）， ８．０５−８．０９（ｍ， ２Ｈ）， ８．１６（ｄ， Ｊ＝８．８Ｈｚ， １Ｈ）， ８．４２（ｓ， １Ｈ）．

実施例２５：（Ｒ）−１−ヒドロキシ−１−（４−ニトロフェニル）−ブタン−３−オン（不斉直接アルドール反応）
５ｍＬ反応容器中室温で、実施例５で得られた（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸（９．６ｍｇ， ０．０２５ｍｍｏｌ）をＤＭＳＯ（２．５ｍＬ）に加えた後、アセトン（５００ｍＬ）およびｐ−ニトロアルデヒド（３７．８ｍｇ， ０．２５ｍｍｏｌ）を順次加えた。その後反応容器にアルゴンガスを吹込み、不活性ガス雰囲気へと置換した。室温１０時間攪拌の後、塩化アンモニウム飽和水溶液を加え、酢酸エチルで三度抽出した。得られた酢酸エチル溶液を硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）により精製して、表題化合物（３９．２ ｍｇ）を得た。結果（収率、光学純度）を表１に示す。
ＨＰＬＣ測定条件：
カラム ： ダイセル Ｃｈｉｒａｌ Ｃｏｌｕｍｎ ＡＳ
移動相 ： ｎ−ヘキサン／イソプロパノール＝２／１
流速 ： １ｍＬ／ｍｉｎ．
検出 ： ２５４ｎｍ
保持時間： ９ｍｉｎ．（Ｍａｊｏｒ）， １２ｍｉｎ．（Ｍｉｎｏｒ）

実施例２６：（Ｒ）−１−ヒドロキシ−１−（４−ニトロフェニル）−ブタン−３−オン（不斉直接アルドール反応）
（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸の使用量を１９．２ｍｇ， ０．０５ｍｍｏｌとし、ＤＭＳＯの代わりにＤＭＦを使用したこと以外は、実施例２５と同様に行い、表題化合物を得た。結果（収率、光学純度）を表１に示す。

実施例２７：（Ｒ）−１−ヒドロキシ−１−（４−ニトロフェニル）−ブタン−３−オン（不斉直接アルドール反応）
（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２，６−ジカルボン酸の代わりに実施例１１で得られた（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−フェニル−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸を使用したこと以外は、実施例２５と同様に行い、表題化合物を得た。結果（収率、光学純度）を表１に示す。

実施例２８：（Ｒ）−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−プロパノール（不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応）
５ｍＬ反応容器中室温で、実施例１７で得られた（Ｓ）−４，５−ジヒドロ−６−（３，４，５−トリフルオロフェニル）−３Ｈ−４−アザ−シクロヘプタ［２，１−ａ：３，４−ａ’］ジナフタレン−２−カルボン酸（１１．７ｍｇ， ０．０２５ｍｍｏｌ）をメシチレン（２．５ｍＬ）に加えた後、反応溶液を０℃に冷却し、ニトロソベンゼン（５３．６ｍｇ， ０．５ｍｍｏｌ）を加えた。３分間攪拌の後、反応溶液にプロピオンアルデヒド（１０８μＬ， １．５ｍｍｏｌ）を加えた。その後反応容器にアルゴンガスを吹込み、不活性ガス雰囲気へと置換した。０℃、１．５時間攪拌の後、エチルアルコール（１ｍＬ）、水素化ホウ素ナトリウム（１００ｍｇ）を加え１０分攪拌した。得られた反応溶液に重曹の飽和水溶液を加え、ジクロロメタンで三度抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにより濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５〜１：３）により精製して、表題化合物（５５．０ｍｇ）を得た。結果（収率、光学純度）を表２に示す。
ＨＰＬＣ測定条件：
カラム ： ダイセル Ｃｈｉｒａｌ Ｃｏｌｕｍｎ ＡＳ
移動相 ： ｎ−ヘキサン／エタノール＝１０／１
流速 ： １ｍＬ／ｍｉｎ．
検出 ： ２５４ｎｍ
保持時間： １８ｍｉｎ．（Ｍａｊｏｒ）， ２１ｍｉｎ．（Ｍｉｎｏｒ）

実施例２９：（Ｒ）−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−プロパノール（不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応）
メシチレンの使用量を５ｍＬとしたこと以外は、実施例２８と同様に行なった。結果（収率、光学純度）を表２に示す。

実施例３０：（Ｒ）−２−（Ｎ−フェニルアミノオキシ）−プロパノール（不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応）
メシチレンの代わりにトルエンを用い、反応時間を１時間にしたこと以外は、実施例２９と同様に行なった。結果（収率、光学純度）を表２に示す。

Claims (17)

1. 一般式（Ｉ）：
   

   

   
   （式中、Ｒ^１は水素原子、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または−ＣＯ_２Ｒ^４で表される基（ここで、Ｒ^４は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を示す。）を示し、Ｒ^２およびＲ^３は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子または低級アルキル基、低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物またはその塩。
2. Ｒ^１が水素原子、置換基を有していてもよいフェニル基またはカルボキシル基である、請求項１記載の化合物またはその塩。
3. 光学活性である、請求項１または２記載の化合物またはその塩。
4. 請求項３記載の化合物またはその塩を含有することを特徴とする、不斉アルドール反応、不斉マンニッヒ型反応、不斉ハロゲン化反応または不斉マイケル反応のための不斉触媒。
5. 不斉アルドール反応のための不斉触媒である、請求項４記載の不斉触媒。
6. 不斉アルドール反応が、不斉直接アルドール反応または不斉Ｏ−ニトロソアルドール反応である、請求項５記載の不斉触媒。
7. 請求項３記載の化合物またはその塩の存在下、一般式（II）：
   

   

   
   （式中、Ｒ^５およびＲ^６は同一または異なって、水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示すか、あるいはＲ^５とＲ^６とがつながり、それぞれが結合する炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。）で表される化合物と、一般式（III）：
   

   

   
   （式中、Ｒ^７は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示す。）で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式（IV）：
   

   

   
   （式中、＊は不斉炭素を示し、他の記号は前記と同義を示す。）で表される化合物の製造方法。
8. Ｒ^５が低級アルキル基であり、Ｒ^６が水素原子であり、Ｒ^７が置換基を有していてもよいアリール基である、請求項７記載の製造方法。
9. 請求項３記載の化合物またはその塩の存在下、一般式（Ｖ）：
   

   

   
   （式中、Ｒ^８は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示し、Ｒ^９は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示すか、あるいはＲ^８とＲ^９とがつながり、それぞれが結合する炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。）で表される化合物と、一般式（VI）：
   

   

   
   （式中、Ｒ^１０は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物とを反応させることを特徴とする、一般式（VII）：
   

   

   
   （式中、＊は不斉炭素を示し、他の記号は前記と同義を示す。）で表される化合物の製造方法。
10. 請求項３記載の化合物またはその塩の存在下、一般式（Ｖ）：
    

    

    
    （式中、Ｒ ^８ は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示し、Ｒ ^９ は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよい低級アルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいヘテロアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリールアルキル基を示すか、あるいはＲ ^８ とＲ ^９ とがつながり、それぞれが結合する炭素原子と一緒になって、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。）で表される化合物と、一般式（VI）：
    

    

    
    （式中、Ｒ ^１０ は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示す。）で表される化合物とを反応させて、一般式（VII）：
    

    

    
    （式中、＊は不斉炭素を示し、他の記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を製造する工程と、該化合物を還元する工程を包含する、一般式（VIII）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物の製造方法。
11. Ｒ^８が水素原子であり、Ｒ^９が低級アルキル基であり、Ｒ^１０が置換基を有していてもよいアリール基である、請求項９または１０記載の製造方法。
12. 以下の工程（ｉ-a）〜（vi-a）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉａ）：
    

    

    
    （式中、Ｒａ^１は置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいヘテロアリール基を示し、Ｒ^２およびＲ^３は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物またはその塩の製造方法；
    （ｉ-a）一般式（IX）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示し、ＯＴｆはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示す。）で表される化合物を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、一般式（Ｘ）：Ｒａ^１−Ｂ（ＯＨ）_２ （Ｘ）（式中、Ｒａ^１は前記と同義を示す。）で表される化合物と反応させて、一般式（XI）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （ii-a）得られた一般式（XI）で表される化合物を遷移金属触媒および塩基の存在下、一酸化炭素および一般式（XII）：Ｒ^４’ＯＨ （XII）（式中、Ｒ^４’は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示す。）で表されるアルコールと反応させて、一般式（XIII）：
    

    

    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （iii-a）得られた一般式（XIII）で表される化合物を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XIV）：
    

    

    
    （式中、Ｘ^１はハロゲン原子を示し、他の各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （iv-a）得られた一般式（XIV）で表される化合物をアリルアミンと反応させて、一般式（XV）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （ｖ-a）得られた一般式（XV）で表される化合物を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XVI）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （vi-a）得られた一般式（XVI）で表される化合物を加水分解して、上記一般式（Ｉａ）で表される化合物を得る。
13. Ｒａ^１が置換基を有していてもよいフェニル基である請求項１２記載の製造方法。
14. 以下の工程（ｉ-b）〜（ｖ-b）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉｂ）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^４は水素原子、置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示し、Ｒ^２およびＲ^３は、同一または異なって水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物またはその塩の製造方法；
    （ｉ-b）一般式（IX）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示し、ＯＴｆはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を示す。）で表される化合物を、遷移金属触媒および塩基の存在下に、一酸化炭素および一般式（XII）：Ｒ^４’ＯＨ （XII）（式中、Ｒ^４’は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示す。）で表されるアルコールと反応させて、一般式（XVII）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （ii-b）得られた一般式（XVII）で表される化合物を、ラジカル開始剤の存在下、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XVIII）：
    

    

    
    （式中、Ｘ^１はハロゲン原子を示し、他の各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （iii-b）得られた一般式（XVIII）で表される化合物をアリルアミンと反応させて、一般式（XIX）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （iv-b）得られた一般式（XIX）で表される化合物を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XX）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （ｖ-b）得られた一般式（XX）で表される化合物を加水分解して、上記一般式（Ｉｂ）で表される化合物を得る。
15. 光学活性な一般式（IX）で表される化合物を用いる、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の製造方法。
16. 以下の工程（ｉ-c）〜（vii-c）を包含することを特徴とする、一般式（Ｉｃ）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２およびＲ^３は同一または異なって、水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基または低級アルコキシ基を示す。）で表される化合物またはその塩の製造方法；
    （ｉ-c）一般式（XXI）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２およびＲ^３は前記と同義を示し、Ｒ^１１は低級アルキル基を示す。）で表される化合物を、塩基の存在下に、ハロゲン化剤と反応させて、一般式（XXII）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^１１は前記と同義を示し、Ｘ^２はハロゲン原子を示す。）で表される化合物を得；
    （ii-c）得られた一般式（XXII）で表される化合物を還元して、一般式（XXIII）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （iii-c）得られた一般式（XXIII）で表される化合物をハロゲン化剤と反応させて、一般式（XXIV）：
    

    

    
    （式中、Ｒ^２、Ｒ^３およびＸ^２は前記と同義を示し、Ｘ^３は、Ｘ^２と同一または異なってハロゲン原子を示す。）で表される化合物を得；
    （iv-c）得られた一般式（XXIV）で表される化合物をアリルアミンと反応させて、一般式（XXV）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （ｖ-c）得られた一般式（XXV）で表される化合物を遷移金属触媒および塩基の存在下、
    一酸化炭素および一般式（XII）：Ｒ^４’ＯＨ （XII）（式中、Ｒ^４’は置換基を有していてもよい低級アルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基または置換基を有していてもよいアリール基を示す。）で表されるアルコールと反応させて、一般式（XXVI）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （vi-c）得られた一般式（XXVI）で表される化合物を、遷移金属触媒の存在下脱保護して、一般式（XXVII）：
    

    

    
    （式中、各記号は前記と同義を示す。）で表される化合物を得；
    （vii-c）得られた一般式（XXVII）で表される化合物を加水分解して、上記一般式（Ｉｃ）で表される化合物を得る。
17. 光学活性な一般式（XXI）で表される化合物を用いる、請求項１６記載の製造方法。