JP4776599B2 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents

Description

原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに中性子変換層を形成する成膜装置および成膜方法に関する。

原子炉においては炉心内に設置したセンサで中性子束を測定することにより炉出力が監視される。例えば沸騰水型原子炉（ＢＷＲ）では、炉心内に設置された中性子検出器である局所出力領域モニタ（Ｌｏｃａｌ Ｐｏｗｅｒ Ｒａｎｇｅ Ｍｏｎｉｔｏｒ：ＬＰＲＭ）により炉出力が監視され、炉出力に異常が発生した場合には原子炉の運転を停止させる（特許文献１参照）。

この中性子検出器は、カソードとアノードとを絶縁体で分離して両者に電圧を印加し、その間の電離イオンを収集することで放射線を計測する検出器である。具体的には、中性子と反応して荷電粒子を放出する中性子有感物質（中性子変換物質）をカソードの内面に塗布し、この中性子有感物質から放出された荷電粒子により電極間のガスを電離し、この電離量を測定することで放射線を計測する（特許文献２参照）。

通常、１１０万ｋＷ出力の原子炉では、原子炉燃料軸方向に沿って４個の中性子検出器が格納されたＬＰＲＭ検出器集合体が炉心内に約４３本配置され、燃料域の局所炉出力を監視する。このような中性子検出器は、現在設置されている原子炉燃料の隙間よりもさらに狭い隙間に設置することが望まれている。このためには中性子検出器の径、すなわちカソードの径を更に細くする必要がある。

中性子検出器の製造には、円筒状のカソードの内面に中性子有感物質の皮膜を形成する技術が不可欠である。現在は、ウランの直接塗布や、ボロンのプラズマスパッタリング法によりパイプの内面に中性子有感物質をコーティングしている。

プラズマスパッタリング法による円筒状のカソード内面への中性子有感物質（中性子変換物質）の皮膜の形成は、このカソードを一方の電極（外部導体）とし、このカソードの内部に同心状に細い中性子有感物質で製造された棒を配置して他方の電極（中心導体）とし、両電極間にプラズマを生成して行われる。このプラズマから両電極に向かってイオンが流出するが、パイプの中心のほうがプラズマに含まれるイオンのエネルギーが大きいので、中心導体の粒子が放出され、この中心導体の粒子がカソードである外部導体の内面に堆積し、外部導体には均質で緻密な中性子有感物質の膜が形成される。
特開２００１−２２８２８２号公報 特開平９−１７１０８２号公報

円筒状のカソードを細径とした場合には、このカソードの内面に中性子有感物質を安定に塗布することが難しくなる。例えばプラズマスパッタリング法では、外部導体と中心導体との間にプラズマを生成することが困難になる。

本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、品質（膜質）の高い皮膜を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供することを目的とする。

前記の課題を解決するため本発明では、先端が円錐または多角錐様をなしスパッタリングターゲット材で形成された先端部を有する導体棒である中心電極と、このスパッタリングターゲット材の皮膜を内面に形成させ前記中心電極と同心状に設置した円筒状の接地電極と、前記中心電極の前記先端部を除いた部分と前記接地電極との間を電気的に絶縁する筒状またはスリーブ状の絶縁体と、両電極間に電力を印加する電源部と、前記接地電極内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給部とを備えたことを特徴とする。

また、本発明では、スパッタリングターゲット材の皮膜を内面に形成させる円筒状の接地電極を、先端が円錐または多角錐様をなしスパッタリングターゲット材で形成された先端部を有する導体棒である中心電極と同心状に設置し、前記中心電極の前記先端部を除いた部分と前記接地電極との間を電気的に絶縁する筒状またはスリーブ状の絶縁体を挿入した後、前記中心電極と前記接地電極との間に電力を印加し、前記中心電極の前記先端部と前記接地電極との間にプラズマを発生させるとともに前記接地電極内に雰囲気ガスを供給して前記接地電極の内面にスパッタリングターゲット材の皮膜を形成することを特徴とする。

本発明によれば、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質（膜質）の高い皮膜を得ることができる。

本発明に係る成膜装置について添付図面を参照して説明する。

［第１の実施形態］
本発明に係る成膜装置の第１実施形態について、図１から図６を参照して説明する。

図１は、本発明に係る成膜装置により製造する中性子検出器の構成の一例を示す縦断面図である。

中性子検出器３０は、核分裂電離箱から成り、一般的に局所出力領域モニタ（ＬＰＲＭ）と呼ばれる中性子検出器である。

図１に示すように、中性子検出器３０は、円筒状の本体ケース３１を有し、本体ケース３１内の中心部に棒状のアノード３２が軸方向に配置され、このアノード３２を囲うように円筒状のカソード３３が配置される。アノード３２は、周方向位置決め絶縁体３４により両端がカソード３３に固定され、カソード３３内での周方向位置がずれないように固定される。この周方向位置決め絶縁体３４は、アノード３２およびカソード３３のスペーサを兼ねる。

本体ケース３１の一端は金属製の端栓３５で塞がれ、端栓３５とアノード３２およびカソード３３との間に軸方向位置決め絶縁体３６が収納されることにより、本体ケース３１内においてアノード３２の軸方向位置がずれないように固定される。

本体ケース３１の内部には、アルゴン等の充填ガス３７が封入され、粒子の飛程を短くするために数気圧程度の高圧に保たれる。

また、本体ケース３１の他端には信号ケーブル要素３８が差し込まれ、アノード３２およびカソード３３に電気的に接続される。本体ケース３１と信号ケーブル要素３８との間は、本体ケース３１内の充填ガス３７が本体ケース３１の外部へ漏れないように溶接部３９が設けられる。

円筒状のカソード３３の内周壁４０には、中性子に反応して核反応を起こし荷電粒子を放出する中性子有感物質（中性子変換物質）からなる中性子変換層４１が皮膜として設けられる。

中性子変換層４１は、中性子と反応して荷電粒子を発生させるボロンやリチウム、核分裂を起こすウラン等の中性子有感物質からなる皮膜である。

原子力発電プラントの原子炉格納容器に収容された原子炉圧力容器内に設けられた炉心で発生した中性子が中性子検出器３０の中性子変換層４１に入射すると、中性子は荷電粒子に変換される。中性子検出器３０は、その荷電粒子をアノード３２およびカソード３３で検出することにより中性子を計測する。

図２は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図である。

本実施形態の成膜装置１は、中性子検出器３０を構成するカソード３３の内周壁４０に中性子変換層４１を形成する装置である。

成膜装置１は、先端に尖端部（先端部）３を有する細長い棒状あるいは鉛筆形状の放電電極（中心電極）２と、中性子検出器３０のカソード３３として用いられる円筒状の接地電極４と、放電電極２と接地電極４とを電気的に絶縁する筒状あるいはスリーブ状の絶縁体５と、放電電極２と接地電極４との間に電力を供給する電源部６と、放電電極２が接地電極４内に挿入された際に、放電電極２と絶縁体５とを接地電極４の長手軸方向に移動させる電極移動部７と、少なくとも接地電極４内を真空にする真空手段８と、接地電極４内に雰囲気ガス９を導入する雰囲気ガス供給部１０とから構成される。放電電極２の尖端部３を除いた部分の周囲は絶縁体５で覆われ、放電電極２の尖端部３を除いた部分と接地電極４との間は電気的に絶縁される。絶縁体５から露出した放電電極２の尖端部３と接地電極４の内面との間は放電可能に構成される。

中性子検出器３０のカソード３３として用いられる接地電極４内面へのプラズマスパッタリング法による中性子有感物質の皮膜の形成は、接地電極４を一方の電極（外部導体）とし、放電電極２を他方の電極（中心導体）として両電極間にプラズマ（ハッチング領域Ｐ）を生成させて行われる。

放電電極２は、円筒状の導体棒や先端が円錐または多角錐様をなす導体棒であって、円筒状の接地電極４の内径に挿入可能な外径を有する。また、放電電極２は、中性子と反応し荷電粒子を発生するボロンやリチウム、核分裂を起すウランなどの中性子有感物質で表面の全部または一部をコーティングされたもの、または、全体がこれらの中性子有感物質で製造されたものである。

接地電極４は、中性子検出器３０を構成する円筒状のカソード３３として使用される。

絶縁体５には、アルミナ、シリカなどの絶縁材が使用される。

電源部６が放電電極２と接地電極４との間に供給する電力は、１３．５６ＭＨｚの高周波電力、１３．５６ＭＨｚの整数倍となる他の周波数の高周波電力などの電源を使用できる。放電電極２と接地電極４との間に電源部６により高周波電力を印加すると、放電電極２の尖端部３と接地電極４との間に電気力線ｅ（図示省略）により表される電界Ｅが形成される。

雰囲気ガス供給部１０は、放電電極２内に長手軸方向へ形成され、一端が先端部３で開口され、他端が封止された雰囲気ガス流路２ａに雰囲気ガス供給接続配管１２を介して接続される。雰囲気ガス供給部１０により供給される雰囲気ガス９は、アルゴン、ヘリウム、窒素、水素などの気体またはアルゴン、ヘリウム、窒素、水素のうち少なくとも１つを含んだ混合気体である。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９は、雰囲気ガス供給接続配管１２によって放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに導かれ、放電電極２の先端部３に形成された雰囲気ガス流路２ａの開口から接地電極４内に供給される。接地電極４内に供給された雰囲気ガス９は、放電電極２の先端部３と接地電極４との間に供給される電力によりプラズマを生成する。

また、雰囲気ガス供給部１０は、電極移動部７により放電電極２と絶縁体５とが接地電極４の長手軸方向に移動され、接地電極４の内面全体に中性子変換層を形成する際に、放電電極２および絶縁体５とともに接地電極４の長手軸方向に移動できるよう構成することができる。さらに、雰囲気ガス供給部１０と放電電極２の雰囲気ガス流路２ａとを接続する雰囲気ガス供給接続配管１２をフレキシブルホースなど可撓性を有する流路を用いて構成することで、放電電極２および絶縁体５と雰囲気ガス供給部１０とを相対的に移動可能なように構成することもできる。

図３は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置による皮膜の形成を説明する図である。

図３に示すように、放電電極２と接地電極４との間に電源部６により高周波電力を印加すると、放電電極２の尖端部３と接地電極４との間に電気力線ｅにより表される電界Ｅが発生する。電源部６により印加される電力は交流であり、大きさと向きが変化するが、電界Ｅの空間分布は、概略、放電電極２の尖端部３から接地電極４へ放射状に形成される。なお、電気力線ｅの向きはある瞬間の方向を表す。

放電電極２と接地電極４との間の空間に存在する電子は、高周波電力による電界Ｅを受けて電気力線ｅに沿って振動し、雰囲気ガス９の原子や分子と運動量移行、電離、励起を伴う衝突を繰り返して、プラズマ（ハッチング領域Ｐ）を発生し維持する。

プラズマ（ハッチング領域Ｐ）が発生、維持されれば、プラズマ（ハッチング領域Ｐ）から放出されるイオンにより放電電極２の材料または表面に塗布されている中性子有感物質の粒子が放出され、接地電極４の内面に中性子変換層が形成される。絶縁体５に覆われていない放電電極２の尖端部３でプラズマ（ハッチング領域Ｐ）は発生するので、この放電電極２を接地電極４内で電極移動部７により長手軸方向へ走査させることで、接地電極４すなわち中性子検出器３０を構成するカソード３３の内周壁４０の任意の位置に中性子変換層４１を形成できる。なお、接地電極４の内面に形成する皮膜は、中性子有感物質に限るものではなく、電子部品用スパッタリングターゲット、電極膜形成用ターゲット、バリア膜形成用ターゲット、薄膜抵抗用ターゲットなどのスパッタリングターゲット材を放電電極２に用いることで接地電極４の内面に所要の皮膜を形成することができる。

プラズマ（ハッチング領域Ｐ）を発生、維持するために、接地電極４内の雰囲気ガス９は真空手段８によって排気される。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９の流量と真空手段８の排気速度とのバランスで接地電極４内の真空度が決定される。すなわち、接地電極４内の雰囲気ガス９は、真空手段８の排気速度とコンダクタンスとから決まる量が接地電極４内から排気されるとともに、略同量の新たな雰囲気ガス９が雰囲気ガス供給部１０により供給されて置換されている状態にある。このとき、両電極間で発生されたプラズマにより、接地電極４の内面に中性子変換層が形成されるとともに、接地電極４、放電電極２および絶縁体５の表面や内部に吸着していた水分、ガス、中性子有感物質などのスパッタリングターゲット材自身に不純物として含まれていた気体成分（不純物ガス）がプラズマ内に混入する。この不純物ガスは、接地電極４内の雰囲気ガス９の置換により接地電極４外へ排気される。

図４から６は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置の放電電極の構成の一例を示す概略図である。

図４に示すように、放電電極２の本体を中性子有感物質とするのではなく、中性子有感物質部１１を放電電極２の先端に配置して構成することで、放電電極２と中性子有感物質とを分離することもできる。

中性子有感物質部１１には、一端が放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに接続され、他端が中性子有感物質部１１の先端部で開口された中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ａが形成される。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９は、雰囲気ガス供給接続配管１２によって放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに導かれ、中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ａを介して中性子有感物質部１１の先端部に形成された中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ａの開口から接地電極４内に供給される。

また、図５に示すように、中性子有感物質部１１Ｂには、一端が放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに接続され、他端が中性子有感物質部１１Ｂの先端部に放射状に形成された複数の開口に分岐する中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ｂを形成することもできる。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９は、雰囲気ガス供給接続配管１２によって放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに導かれ、中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ｂを介して中性子有感物質部１１Ｂの先端部に放射状に形成された中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ｂの複数の開口から接地電極４内に供給される。

放射状に開口が形成された中性子有感物質部雰囲気ガス流路１１ｂを有する中性子有感物質部１１Ｂであれば、接地電極４内に供給される雰囲気ガス９は、両電極間で放電が生じて接地電極４内に発生されたプラズマ（ハッチング領域Ｐ）に広範囲に広がりつつ供給されるので、不純物ガスの排出がより促される。

さらに、図６に示すように、中性子有感物質部１１Ｃを多孔質状に形成することもできる。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９は、雰囲気ガス供給接続配管１２によって放電電極２内に形成された雰囲気ガス流路２ａに導かれ、中性子有感物質部１１Ｃに形成された多数の孔を介して接地電極４内に供給される。

接地電極４内に雰囲気ガス９を供給する開口を多孔質状に形成された中性子有感物質部１１Ｃであれば、接地電極４内に供給される雰囲気ガス９は、両電極間で放電が生じて接地電極４内に発生されたプラズマ（ハッチング領域Ｐ）に広範囲に広がりつつ供給されるので、不純物ガスの排出がより促される。

本実施形態の成膜装置１によれば、例えば１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下の高い真空度の下で、放電電極２と中性子検出器３０を構成するカソード３３である接地電極４との間で発生するプラズマ内の不純物の濃度を低減させて品質（膜質）の高い中性子変換層４１を形成できる。

［第２の実施形態］
本発明に係る成膜装置の第２実施形態について、図７を参照して説明する。

図７は、本発明の第２実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図である。

この成膜装置１Ａにおいて第１実施形態の成膜装置１と同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図７に示すように、成膜装置１Ａの絶縁体５Ａには、放電電極２の先端部３が存する側の端部が開口され、他端が雰囲気ガス供給接続配管１２Ａに接続された雰囲気ガス流路５ａが長手軸方向へ形成される。雰囲気ガス供給部１０から供給される雰囲気ガス９は、雰囲気ガス供給接続配管１２Ａによって絶縁体５Ａ内に形成された雰囲気ガス流路５ａに導かれ、放電電極２の先端部３が存する側の端部に形成された雰囲気ガス流路５ａの開口から接地電極４内に供給される。

絶縁体５Ａ内に形成された雰囲気ガス流路５ａは、放電電極２の先端部３が存する側の端部に円環状または放射状に複数の開口を有するよう形成することもできる。円環状または放射状に複数の開口を形成された雰囲気ガス流路５ａであれば、接地電極４内に供給される雰囲気ガス９は、両電極間で放電が生じて接地電極４内に発生されたプラズマ（ハッチング領域Ｐ）に広範囲に広がりつつ供給されるので、不純物ガスの排出がより促される。

また、雰囲気ガス供給部１０は、電極移動部７により放電電極２と絶縁体５Ａとが接地電極４の長手軸方向に移動され、接地電極４の内面全体に中性子変換層を形成する際に、放電電極２および絶縁体５Ａとともに接地電極４の長手軸方向に移動できるよう構成することができる。さらに、雰囲気ガス供給部１０と絶縁体５Ａの雰囲気ガス流路５ａとを接続する雰囲気ガス供給接続配管１２Ａを可撓なフレキシブルホースなどの流路を用いて構成することで、放電電極２および絶縁体５Ａと雰囲気ガス供給部１０とを相対的に移動可能なように構成することもできる。

絶縁体５内に形成された雰囲気ガス流路５ａを介して接地電極４に雰囲気ガス９を流すと、雰囲気ガス９の性質や圧力、電源部６により供給される高周波電力による電界の強さによっては雰囲気ガス流路５ａ内に放電が発生しプラズマが形成されることがある。この場合には、雰囲気ガス流路５ａ内に金属性パイプを設けたり、金属の皮膜を形成したりすることで雰囲気ガス流路５ａの内壁に導電性を付与して放電の発生を抑えることができる。また、この金属性パイプや金属コーティングは接地させることもできる。

中性子検出器３０の径、すなわちカソード３３である接地電極４の径を細くした場合には、成膜装置１Ｂを構成する放電電極２についても径を細く構成する必要がある。また、放電電極２は、プラズマの発生条件を満足できる範囲で細く構成することで、スパッタリングターゲット材としての汎用性を確保できる。しかし、放電電極２の径が細くなると、放電電極２内に流路を形成して接地電極４内に雰囲気ガス９を供給することが困難になる。

本実施形態の成膜装置１Ａによれば、放電電極２内に流路を形成することが困難な場合であっても絶縁体５Ａ内に形成された雰囲気ガス流路５ａから接地電極４内に雰囲気ガス９を容易に供給できる。そうすると、例えば１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下の高い真空度の下で、放電電極２と中性子検出器３０を構成するカソード３３である接地電極４との間で発生するプラズマ内の不純物の濃度を低減させて品質（膜質）の高い中性子変換層４１を形成できる。

［第３の実施形態］
本発明に係る成膜装置の第３実施形態について、図８を参照して説明する。

図８は、本発明の第３実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図である。

この成膜装置１Ｂにおいて第１実施形態の成膜装置１と同じ構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図８に示すように、成膜装置１Ｂは、接地電極４の一端から放電電極２と絶縁体５とが挿入され、他端から放電電極２の先端部３に雰囲気ガス９を導入する開口を有する雰囲気ガス供給配管１３が挿入され、この雰囲気ガス供給配管１３に雰囲気ガス供給部１０が接続されて構成される。

放電電極２の先端部３に雰囲気ガス９を導入する雰囲気ガス供給配管１３の端部には、円環状または放射状に複数の開口を形成することもできる。円環状または放射状に複数の開口を形成された雰囲気ガス供給配管１３であれば、接地電極４内に供給される雰囲気ガス９は、両電極間で放電が生じて接地電極４内に発生されたプラズマ（ハッチング領域Ｐ）に広範囲に広がりつつ供給されるので、不純物ガスの排出がより促される。

また、雰囲気ガス供給部１０は、電極移動部７により放電電極２と絶縁体５とが接地電極４の長手軸方向に移動され、接地電極４の内面全体に中性子変換層を形成する際に、放電電極２および絶縁体５とともに接地電極４の長手軸方向に移動できるよう構成することができる。このとき、雰囲気ガス９を供給する雰囲気ガス供給配管１３の開口部と放電電極２の先端部３との間隔は略一定になるように構成することが好ましい。

中性子検出器３０の径、すなわちカソード３３である接地電極４の径を細くした場合には、成膜装置１Ｂを構成する放電電極２および絶縁体５についても径を細く構成する必要がある。しかし、放電電極２および絶縁体５の径が細くなると、放電電極２または絶縁体５内に流路を形成して接地電極４内に雰囲気ガス９を供給することが困難になる。

本実施形態の成膜装置１Ｂによれば、放電電極２または絶縁体５内に流路を形成することが困難な場合であっても雰囲気ガス供給配管１３から接地電極４内の放電電極２の先端部３に雰囲気ガス９を容易に供給できる。そうすると、例えば１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）以下の高い真空度の下で、放電電極２と中性子検出器３０を構成するカソード３３である接地電極４との間で発生するプラズマ内の不純物の濃度を低減させて品質（膜質）の高い中性子変換層４１を形成できる。

本発明に係る成膜装置により製造する中性子検出器の構成の一例を示す縦断面図。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置による皮膜の形成を説明する図。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置の放電電極の構成の一例を示す概略図。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置の放電電極の構成の一例を示す概略図。 本発明の第１実施形態に係る成膜装置の放電電極の構成の一例を示す概略図。 本発明の第２実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図。 本発明の第３実施形態に係る成膜装置の構成を示す概略図。

符号の説明

１、１Ａ、１Ｂ 成膜装置
２ 放電電極
２ａ 雰囲気ガス流路
３ 尖端部
４ 接地電極
５ 絶縁体
６ 電源部
７ 電極移動部
８ 真空手段
９ 雰囲気ガス
１０ 雰囲気ガス供給部
１１、１１Ｂ、１１Ｃ 中性子有感物質部
１１ａ、１１ｂ 中性子有感物質部雰囲気ガス流路
１２、１２Ａ 雰囲気ガス供給接続配管
１３ 雰囲気ガス供給配管
３０ 中性子検出器
３１ 本体ケース
３２ アノード
３３ カソード
３４ 周方向位置決め絶縁体
３５ 端栓
３６ 軸方向位置決め絶縁体
３７ 充填ガス
３８ 信号ケーブル要素
３９ 溶接部
４０ 内周壁
４１ 中性子変換層

Claims (8)

1. 先端が円錐または多角錐様をなしスパッタリングターゲット材で形成された先端部を有する導体棒である中心電極と、
   このスパッタリングターゲット材の皮膜を内面に形成させ前記中心電極と同心状に設置した円筒状の接地電極と、
   前記中心電極の前記先端部を除いた部分と前記接地電極との間を電気的に絶縁する筒状またはスリーブ状の絶縁体と、
   両電極間に電力を印加する電源部と、
   前記接地電極内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給部とを備えたことを特徴とする成膜装置。
2. 前記接地電極内に供給される雰囲気ガスは、
   前記中心電極内に長手軸方向へ形成された雰囲気ガス流路から供給されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記雰囲気ガス流路は、
   前記接地電極内へ雰囲気ガスを供給する開口を複数有することを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記雰囲気ガス流路は、
   前記接地電極内へ雰囲気ガスを供給する開口が多孔質状に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
5. 前記接地電極内に供給される雰囲気ガスは、
   前記絶縁体内に長手軸方向へ形成された雰囲気ガス流路から供給されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
6. 前記雰囲気ガス流路の内壁は、導電性を有することを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
7. 前記接地電極内に供給される雰囲気ガスは、
   前記中心電極の先端部に雰囲気ガスを導入する雰囲気ガス供給配管から供給されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
8. スパッタリングターゲット材の皮膜を内面に形成させる円筒状の接地電極を、先端が円錐または多角錐様をなしスパッタリングターゲット材で形成された先端部を有する導体棒である中心電極と同心状に設置し、
   前記中心電極の前記先端部を除いた部分と前記接地電極との間を電気的に絶縁する筒状またはスリーブ状の絶縁体を挿入した後、
   前記中心電極と前記接地電極との間に電力を印加し、
   前記中心電極の前記先端部と前記接地電極との間にプラズマを発生させるとともに前記接地電極内に雰囲気ガスを供給して前記接地電極の内面にスパッタリングターゲット材の皮膜を形成することを特徴とする成膜方法。

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