JP4772211B2 - Dnaチップの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、遺伝子の発現、遺伝子の変異、遺伝子の多型等の解析に特に有用なDNAチップに関する。
【0002】
【従来の技術】
細胞や組織における遺伝子発現の様態の解析は、これまで種々の細胞や組織からRNAを調製し、そのRNAをメンブレン上に固定し、解析対象の遺伝子の特異的プローブを用いてハイブリダイゼーションを行うノーザンブロット(もしくは、ドットブロット)法や、解析対象の遺伝子に特異的なプライマを用いたRT−PCR法などによって行われてきた。
【0003】
一方、遺伝子の研究の進展により解析を必要とする遺伝子の数が急速に増加し、さらに、ゲノムプロジェクトの進展や、医療分野への応用などの進行に伴って、多数の遺伝子を一度に解析する必要性が高まっている。
【0004】
このような要望に対して、最近、マイクロアレイ法もしくはDNAチップ法が開発されつつある。これらの技術の特徴は、ガラス製の基板上に、互いに異なる数千種類のDNA断片を固定し(DNAチップまたはバイオチップという。)、この固定DNA断片と極少量の標識されたターゲットDNA断片とのハイブリダイゼーションを行い、高感度でターゲットDNA断片を検出することである。
【0005】
上記の方法を用いることによって、ヒト等のほ乳類や数千個の遺伝子を有する微生物の全遺伝子を数枚のDNAチップ等を用いて解析することができ、標識RNAによる全遺伝子を対象とした発現量の解析を行うこともできる。また、ゲノムDNAを標識することによって遺伝子欠損等の変異の解析も可能である。
【0006】
DNAチップ等の作製において、「オン・チップ」法(基板表面上に固定するDNA断片を、直接、基板表面上で合成する方法)によらない場合には、DNA断片は、予め調製したものを基板表面に点着し、次いで静電的相互作用あるいは共有結合によって基板表面に固定する。
【0007】
図2は、この従来の方法の原理を説明する図である。図2(a)に示すように、複数種類のプローブDNA21が入っているマイクロプレート22を用意する。一方、図2(b)に示すよう、プレート23としてガラス板を用意しておき、図2(c)で示すように、プレート23の表面にpoly-l-Lysine等のDNAとガラスの結合剤24をコーティングする。この後、マイクロプレート22に入っているプローブDNA21をピンに付着させ、表面にDNAとガラスの結合剤(poly-l-Lysine)24がコーテイングしてあるガラスプレート23の上に、ピンに付着させたプローブDNA1を接触させてスポットする。マイクロプレート22に入っている全てのプローブDNAをスポットし終わるまでこの作業を繰り返し、図2(d)に示すDNAチップを製造していた。このように、従来はプレートに予めDNAとガラスの結合剤を全面コーティングし、その上にDNAをプロットしてDNAチップを製造していた。
【0008】
DNAチップのハイブリダイゼーション工程は、プローブDNAが結合剤でガラスのプレートにスポットされているDNAチップと、蛍光物質で標識したサンプルDNAを、ともにハイブリダイゼーション溶液に入れてハイブリダイズさせる。ハイブリダイゼーション溶液は、ホルムアルデヒド、SSC(NaCl, trisodiumcitrate)、SDS(sodium dodecyl sulfate)、EDTA(ethylenediamidetetraacetic acid)、蒸留水などからなる混合液であり、混合比率は使用するDNAの性質により異なる。
【0009】
このとき、サンプルDNAとDNAチップ上のプローブDNAが相補鎖DNAであれば、両者は二重らせん構造をとり結合する。一方、両者が相補鎖でなければ結合することはなく、蛍光物質で標識したサンプルDNAは、そのままハイブリダイゼーション溶液に残留するか、そのごく一部はガラスのプレート上にコーティングされている結合剤と結合し、ガーベージとして残る場合もある。
【0010】
その後、ガラスのプレート上に残った蛍光物質で標識したサンプルDNAを水槽等の中に入れて洗い流すと、プローブDNAと結合していないサンプルDNAは排出される。その後、プローブDNAと結合しているサンプルDNAに標識している蛍光物質を、所定の光源からの光エネルギーで励起させ、蛍光物質が励起して発光する光をCCDなどの光センサーで検出することでハイブリダイゼーションの検出を行う。
【0011】
しかし、poly-l-Lysine等のDNAとガラスの結合剤は、DNAに対する結合力が十分でないため、上記水洗い工程の際、基板との結合が外れ、ハイブリダイズした資料まで洗い流されてしまう場合があった。このような、不十分な結合に由来するプローブDNAおよびサンプルDNAの損失は、多いときには70%以上にも達し、高価なプローブDNAや、貴重なサンプルDNAを徒に浪費しているのが現状であった。
【0012】
このような問題を解消すべく、結合材として種々の材料が検討されている。例えばDLC(ダイアモンドライクカーボン)膜は耐熱性、耐久性等を有し、将来的に有望な材料の一つであるが、DLC成膜後に表面の塩素化処理を行い、さらにアンモニアガスによる塩素置換でアミノ化を行っている。
【0013】
このため、製造工程が複雑になり、最終製品の収率が悪くなると共に、コスト低減を図る上で大きな障害となっていた。特に、近年、DNAチップの臨床現場での応用に対する要望が高まるなか、広く一般大衆に利用可能な価格で提供することは、国民の健康と医療技術の向上を図る上でも極めて重要である。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、簡単な工程で安価に製造でき、しかも水洗い工程等においてプロ−ブDNA、サンプルDNAの損失が少なく、DNAサンプルを有効に活用できるDNAチップの製造方法を提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】
すなわち上記目的は、以下の本発明の構成により達成される。
(1)真空槽内を所定の真空度とした後、ダイアモンドライク膜の原料ガスを供給し、さらに、窒素源となる原料ガスを導入し、CVD法により基板上にDNA結合基を有するダイアモンドライク膜を形成してDNA結合層とするDNAチップの製造方法。
(2)前記ダイアモンドライク膜は、少なくとも炭素、ケイ素、酸素、水素を含有するダイアモンドライクナノコンポジット(DLN)膜である上記(1)のDNAチップの製造方法。
(3)前記ダイアモンドライク膜は、少なくとも炭素、水素を含有するダイアモンドライクカーボン(DLC)膜である上記(1)のDNAチップの製造方法。
(4)前記ダイアモンドライク膜の原料ガスは、シリコーンオイルを加熱して得る上記(1)または(2)のDNAチップの製造方法。
(5)真空槽内を所定の真空度とした後、アミノ変性シリコーンオイルを加熱し、CVD法により基板上にDNA結合基を有するダイアモンドライク膜を形成してDNA結合層とするDNAチップの製造方法。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明のDNAチップの製造方法は、基板上にアミノ基修飾ダイアモンドライク膜を同時形成してDNA結合基含有層とするものである。
【0017】
すなわち、真空槽内を所定の真空度とした後、ダイアモンドライク膜の原料ガスを供給し、さらに、窒素源となる原料ガスを導入し、CVD法により基板上にDNA結合基を有するダイアモンドライク膜を形成してDNA結合層とするものである。また、このとき窒素源をダイアモンドライク膜の原料ガスに含ませていてもよい。
【0018】
ここで、ダイアモンドライク膜とは、ダイアモンドナノコンポジット(DLN)またはダイアモンドライクカーボン(DLC)により形成された膜をいう。
【0019】
DLC(Diamond Like Carbon )膜は、炭化水素を励起し、分解して得た高硬度炭素膜であり、ダイヤモンド様炭素、i−カーボン膜等と称されることもある。DLC膜については、例えば、特開昭62−145646号、同62−145647号、New Diamond Forum 、第4巻第4号(昭和63年10月25日発行)等に記載されている。
【0020】
また、上記文献(New Diamond Forum )に記載されているように、ラマン分光分析において、1550cm-1にブロードな(1520〜1560cm-1)ラマン吸収のピークを有し、1333cm-1に鋭いピークを有するダイヤモンドや、1581cm-1に鋭いピークを有するグラファイトとは、明らかに異なった構造を有する物質である。
【0021】
DLN(Diamond Like Nanocomposite )は、炭素とケイ素の独立したネットワーク構造が相互貫入した2重構造を有するアモルファス硬質薄膜であり、
a(CHx)y ・a(SiOz)w
と表すことができる。また、これに第3成分として金属元素を含有していてもよい。DLNについては、例えばV.F.Dorfman and B.N.Pypkin,Surface and Coating Technology,48,193(1991)、米国特許第5352492号等に記載されている。DLNの構造は、STM,AFM、X線解析、電子線回折、TEMなどにより確認することができる。例えば、FTIRスペクトルにおいて、1010cm-1 と、800cm-1 とにSi−O結合の存在を示すピークが認められる。
【0022】
通常、DLC、DLNを結合剤として用いる場合、CVD法などによりDLC、DLN膜を成膜した後、これを洗浄し、UV照射により表面炭素原子を塩素置換する。次に、アンモニアガスの存在下でUV照射を行い、塩素置換して、表面炭素原子に対する共有結合可能なアミノ化を行う。そして、DLC,DLN表面のアミノ基と、DNA断片とをアミド結合させる。
【0023】
しかし、このような従来の手法により製造されたDNAチップは、上記のように製造効率が悪く、収率が悪く、原料を浪費してしまう。これに対し、本発明の方法により製造されたDNAチップは、薄く、均一な結合剤含有層を形成し、ピンホールの発生もないため、DNA断片を良好な状態で結合、坦持することができる。また、DLC、DLN成膜時に、アミド結合に必要なアミノ基も同時に導入されるため、製造工程も簡略化できる。
【0024】
特にDLN膜を用いた場合、基板との接着性が良好で、高い安定性を有し、耐熱性、耐光性、機械的強度に優れている。従って、繰り返しの使用にも十分に耐え、DNAチップを有効に効率よく利用することができる。
【0025】
ダイアモンド膜の原料としては、DLC膜を製造するのであれば、炭素源、水素源となる原料ガスを供給する。また、DLN膜を製造する場合には、炭素源、ケイ素源、酸素源、水素源となる原料ガスを供給する。
【0026】
炭素源としては、CO、CO2 、CH3 、C2H5 等が、ケイ素源としては、シラン、メチルシラン等が、酸素源としてはO2 等が、水素源としてはH2 等が挙げられ、これらの材料を混合して用いてもよいし、1種で複数の材料源とすることもできる。
【0027】
これらの原料ガスは、用いる材料、成膜する膜の種類に応じて適宜必要とされる量を供給すればよい。
【0028】
本発明では特に、DLN膜を成膜する際にシリコーンオイルを用いるとよい。原料として用いるシリコーンオイルは、オルガノシロキサンであって、DLNのケイ素源、炭素源、酸素源、水素源となり、一つの材料で容易にDLNの構成元素をバランスよく供給することができる。シリコーンオイルは加熱することにより気化し、原料ガスとなる。
【0029】
具体的には、ジメチルシリコーン、ジアルキルポリシロキサン、ジアルコキシポリシロキサン、フェニルポリシロキサン、フルオロアルキルポリシロキサン、アミノ変性シリコーンオイル等を用いることができ、特にジメチルシリコーンが好ましい。シリコーンオイルは、例えば信越化学社製KF96、KF69等として市販され、入手することができる。
【0030】
原料となるシリコーンオイルは、所定の容器に入れられ真空槽内に配置される。シリコーンオイルの容器としては、シリコーンオイルとの反応性が低く、所定の加熱温度に耐えうる材料であれば特に限定されるものではない。具体的には、通常、真空蒸着の蒸発源として用いられているような材料(白金、PBN等)、容器(蒸着ボート、るつぼ等)を用いることができる。
【0031】
原料であるシリコーンオイルの加熱温度としては、真空槽内で気化可能な温度であればよく、具体的には200〜600℃、好ましくは300〜400℃程度である。
【0032】
真空槽内の真空度としては、好ましくは10-3 Torr以下、特に10-4 Torr以下が好ましい。
【0033】
DLC,DLNにアミノ基を導入するための原料ガスとしては、N2 、NH3 等を挙げることができる。これらの原料ガスの流量としては、1〜100SCCM、特に1〜50SCCM程度である。さらにこの原料ガスに加えてH2 、CH4 等のガスを導入してもよい。
【0034】
さらに、窒素源を含有するシリコーンオイルを用いる場合には、上記原料ガスは供給しなくてもよい。このような窒素源を含有するシリコーンオイルとしては、アミノ変性シリコーンオイル等を挙げることができる。
【0035】
真空槽内に原料を導入し、CVD法によりDLC,DLN膜を成膜する。CVD法としては、自己バイアスを含むバイアス印加プラズマCVD法が好ましい。CVD法では高周波電源を用いることが好ましく、高周波電力としては50w〜2kw程度である。また、通常、バイアス電圧は−50V〜−5kV、全圧は0.02〜0.2Torr、反応時間は10〜120分、電極間距離は例えば4cm程度、全ガス流量は0.2〜100SCCMであり、基板温度は10〜300℃である。
【0036】
なお、真空槽の基板上にはDLC,DLN膜を形成するためのガラス基板が配置され、この基板上に所定の距離を離間させて対極が配置される。
【0037】
得られたアミノ修飾DLC,DLN膜(DNA結合剤含有層)は、蒸留水等により洗浄して用いるとよい。
【0038】
本発明で得られたDNA結合剤含有層を有するDNAチップは、プローブDNAとの結合が良好であり、水洗い工程等においてもDNAが剥がれ落ちることもなく、原料を有効に活用することができる。また、耐熱性、耐候性、機械強度に優れるため、繰り返し使用することも可能である。
【0039】
基板の材質は、透明なガラス、シリコンまたはポリエチレンテレフタレート、酢酸セルロース、ビスフェノールA等のポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート等のポリマーであることが好ましい。なかでもガラスもしくはシリコンであることが特に好ましい。これは、表面処理の容易さや蛍光スキャニング装置による解析の容易さによるものである。シリカ表面層を持つガラスも好ましく用いられる。基板の厚さとしては、100〜2000μmの範囲にあることが好ましい。
【0040】
プローブとなるDNA断片は、目的によって二通りに分けることができる。遺伝子の発現を調べるためには、cDNA、cDNAの一部、EST等のポリヌクレオチドを使用することが好ましい。これらのポリヌクレオチドは、その機能が未知であってもよいが、一般的にはデータベースに登録された配列を基にしてcDNAのライブラリー、ゲノムのライブラリーあるいは全ゲノムをテンプレートとしてPCR法によって増幅して調製する(以下「PCR産物」という。)。あるいは、PCR法によって増幅しないものも使用することができる。また、遺伝子の変異や多型を調べるには、標準となる既知の配列をもとにして、変異や多型に対応する種々のオリゴヌクレオチドを合成し、これを使用することが好ましい。さらに、塩基配列分析の場合には、4n(nは、塩基の長さ)種のオリゴヌクレオチドを合成すし、これを使用することが好ましい。DNA断片の塩基配列は、既知であることが好ましい。
【0041】
DNA断片の点着は、DNA断片を水性媒体に溶解あるいは分散した水性液を、96穴もしくは384穴プラスチックプレートに分注し、分注された水性液をスポッター装置を用いて基板上に滴下して行うことが好ましい。
【0042】
点着されるDNA断片は、基板表面に対して、102 〜105 種類/cm2 の範囲にあることが好ましい。DNA断片の量は、1〜10-15 モルの範囲にあり、重量としては数ng以下であることが好ましい。点着によって、DNA断片の水性液は、基板表面にドットの形状で固定されるが、そのドット間の距離は、0〜1.5mmの範囲にあることが好ましく、特に100〜300μmの範囲にあることが好ましい。1つのドットの大きさは、直径が50〜300μmの範囲にあることが好ましい。点着する量は、100pL〜1μLの範囲にあることが好ましく、特に1〜100nLの範囲にあることが好ましい。
【0043】
点着後は、必要に応じてインキュベーションを行うことが好ましい。インキュベート後、点着されなかったDNA断片を洗浄して除去することが好ましい。
【0044】
前記記載の基板表面上のドットの形状は、ほとんど円形である。形状に変動がないことは、遺伝子発現の定量的解析や一塩基変異を解析するために重要である。
【0045】
上記のようにして作製されたDNAチップの寿命は、cDNAが固定されたcDNAチップで数週間、オリゴDNAが固定されたオリゴDNAチップではさらに長期間である。これらのDNAチップは、遺伝子発現のモニタリング、塩基配列の決定、変異解析、多型解析等に利用される。検出原理は、標識した標的核酸とのハイブリダーゼーションである。
【0046】
サンプルである標的核酸としては、その配列や機能が未知であるDNA断片試料あるいはRNA断片試料を用いることが好ましい。
【0047】
標的核酸は、遺伝子発現を調べる目的では、真核生物の細胞や組織サンプルから単離することが好ましい。標的がゲノムならば、赤血球を除く任意の組織サンプルから単離することが好ましい。赤血球を除く任意の組織は、抹消血液リンパ球、皮膚、毛髪、精液等であることが好ましい。標的がmRNAならば、mRNAが発現される組織サンプルから抽出することが好ましい。mRNAは、逆転写反応により標識dNTP(「dNTP」は、塩基がアデニン(A)、シトシン(C)、グアニン(G)もしくはチミン(T)であるデオキシリボヌクレオチドを意味する。)を取り込ませて標識cDNAとすることが好ましい。dNTPとしては、化学的な安定性のため、dCTPを用いることが好ましい。1回のハイブリダイゼーションに必要なmRNA量は、液量や標識方法によって異なるが、数μg以下であることが好ましい。尚、DNAチップ上のDNA断片がオリゴDNAである場合には、標的核酸は低分子化しておくことが望ましい。原核生物の細胞では、mRNAの選択的な抽出が困難なため、全RNAを標識することが好ましい。
【0048】
標的核酸は、遺伝子の変異や多型を調べる目的では、標識プライマーもしくは標識dNTPを含む反応系で標的領域のPCRを行って得ることが好ましい。
【0049】
標識方法としては、RI法と非RI法とがあるが、非RI法を用いることが好ましい。非RI法としては、蛍光標識法、ビオチン標識法、化学発光法等が挙げられるが、蛍光標識法を用いることが好ましい。蛍光物質としては、核酸の塩基部分と結合できるものであれば何れも用いることができるが、シアニン色素(例えば、Cy DyeTMシリーズのCy3、Cy5等)、ローダミン6G試薬、N−アセトキシ−N2 −アセチルアミノフルオレン(AAF)、AAIF(AAFのヨウ素誘導体)などを使用することが好ましい。
【0050】
ハイブリダイゼーションは、96穴もしくは384穴プラスチックプレートに分注しておいた、標識した標的核酸が溶解あるいは分散してなる水性液を、上記で作製したDNAチップ上に点着することによって実施することが好ましい。点着の量は、1〜100nLの範囲にあることが好ましい。ハイブリダイゼーションは、室温〜70℃の温度範囲で、そして6〜20時間の範囲で実施することが好ましい。ハイブリダイゼーション終了後、界面活性剤と緩衝液との混合溶液を用いて洗浄を行い、未反応の標的核酸を除去することが好ましい。界面活性剤としては、ドデシル硫酸ナトリウム(SDS)を用いることが好ましい。緩衝液としては、クエン酸緩衝液、リン酸緩衝液、ホウ酸緩衝液、トリス緩衝液、グッド緩衝液等を用いることができるが、クエン酸緩衝液を用いることが好ましい。
【0051】
DNAチップを用いるハイブリダイゼーションの特徴は、標識した核酸の使用量が非常に少ないことである。そのため、基板に固定するDNA断片の鎖長や標識した標的核酸の種類により、ハイブリダーゼーションの最適条件を設定する必要がある。遺伝子発現の解析には、低発現の遺伝子も十分に検出できるように、低い厳密度で長時間のハイブリダイゼーションを行うことが好ましい。一塩基変異の検出には、高い厳密度で短時間のハイブリダイゼーションを行うことが好ましい。また、互いに異なる蛍光物質によって標識した標的核酸を二種類用意し、これらを同時にハイブリダイゼーションに用いることにより、同一のDNAチップ上で発現量の比較や定量ができる特徴もある。
【0052】
【実施例】
[実施例1]
図1に示すような装置を用い、真空槽31内の基板33上に、ガラス基板34を配置し、基板33上に配置されたガラス基板34上にアミノ修飾DLN膜を膜厚:0.3μm に成膜した。このとき、所定の真空度を維持するように排気しつつ、原料ガスを導入し、交流電源35から基板33、対電極32間にセルフバイアスにてRF電力を印加し、プラズマ36を形成した。このときの条件としては、
シリコーンオイル:ジメチルシリコーンオイル、信越化学社製、商品名KF96SS
加熱温度:350℃
槽内真空度:10-4 Torr
原料ガス:N2
原料ガス流量:5SCCM
印加電力:RF500W
であった。
【0053】
この後、図2(a)−(c)に示すように、マイクロプレート22に入っているプローブDNA21をピンに付着させ、前記高分子膜が形成されたガラスプレート23の上に、ピンに付着させたプローブDNAを接触させてスポットした。マイクロプレート22に入っている全てのプローブDNAをスポットし終わるまでこの作業を繰り返し、図2(d)に示すようなDNAチップを製造した。
【0054】
DNAチップのハイブリダイゼーション工程は、プローブDNAが結合でガラスのプレートにスポットされているDNAチップと、蛍光物質で標識したサンプルDNAを、ともにハイブリダイゼーション溶液に入れてハイブリダイズさせた。ハイブリダイゼーション溶液は、ホルムアルデヒド、SSC(NaCl, trisodiumcitrate)、SDS(sodium dodecyl sulfate)、EDTA(ethylenediamidetetraacetic acid)、蒸留水などからなる混合液であり、混合比率は使用するDNAの性質により異なる。
【0055】
その後、ガラスのプレート上に残った蛍光物質で標識したサンプルDNAを水槽等の中に入れて洗い流し、プローブDNAと結合していないサンプルDNAを排出した。
【0056】
このとき、基板上に結合しているプローブDNAはほとんど剥がれ落ちることなく残留し、水洗工程でDNAが剥がれ落ちないことが確認できた。
【0057】
その後、プローブDNAと結合しているサンプルDNAに標識している蛍光物質を、所定の光源からの光エネルギーで励起させ、蛍光物質が励起して発光する光をCCDなどの光センサーで検出することでハイブリダイゼーションの検出を行った。
【0058】
その結果、目的とするハイブリダイゼーションが的確に行われることが確認できた。また、基板上に結合しているプローブDNAはほとんど剥がれ落ちることなく残留し、水洗工程でDNAが剥がれ落ちないことが確認できた。
【0059】
さらに、本発明の方法によれば、アミノ修飾工程が不要となり、少なくとも工程数が2つ減り、製造コストの削減に極めて有効であることがわかった。
【0060】
[実施例2]
実施例1において、シリコーンオイルとしてアミノ変性シリコーンオイルを用い、原料ガスを導入しない以外は実施例1と同様にしてアミノ変性DLN膜を形成し、DNAチップとして評価した。その結果、実施例1とほぼ同様の結果が得られることが確認できた。
【0061】
[実施例3]
実施例1において、DLN膜を成膜する代わりにDLC膜を成膜した。このときの条件としては、
原料ガス:エチレン
流量:1〜4SCCM
原料ガス:N2
流量:5SCCM
槽内真空度:10-4 Torr
印加電力:RF500W
であった。
【0062】
上記以外は実施例1と同様にしてDNAチップを得、評価した。その結果、原料ガスの調整が必要なものの、実施例1とほぼ同様の効果が得られることがわかった。
【0063】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、簡単な工程で安価に製造でき、しかも水洗い工程等においてプロ−ブDNA、サンプルDNAの損失が少なく、DNAサンプルを有効に活用できるDNAチップの製造方法、およびこの方法により製造されたDNAチップを提供することである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のDNAチップの製造装置を示す概略図である。
【図2】DNAチップの製造工程を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
31 真空槽
32 対電極
33 基板
34 ガラス基板
Claims (5)
- 真空槽内を所定の真空度とした後、ダイアモンドライク膜の原料ガスを供給し、さらに、窒素源となる原料ガスを導入し、CVD法により基板上にDNA結合基を有するダイアモンドライク膜を形成してDNA結合層とするDNAチップの製造方法。
- 前記ダイアモンドライク膜は、少なくとも炭素、ケイ素、酸素、水素を含有するダイアモンドライクナノコンポジット(DLN)膜である請求項1のDNAチップの製造方法。
- 前記ダイアモンドライク膜は、少なくとも炭素、水素を含有するダイアモンドライクカーボン(DLC)膜である請求項1のDNAチップの製造方法。
- 前記ダイアモンドライク膜の原料ガスは、シリコーンオイルを加熱して得る請求項1または2のDNAチップの製造方法。
- 真空槽内を所定の真空度とした後、アミノ変性シリコーンオイルを気化した原料ガスを供給し、CVD法により基板上にDNA結合基を有するダイアモンドライク膜を形成してDNA結合層とするDNAチップの製造方法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
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