JP4759370B2 - Probe and inspection apparatus provided with the same - Google Patents

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Description

本発明は、プローブおよびこれを備えた検査装置に関する。   The present invention relates to a probe and an inspection apparatus including the probe.

従来から、半導体デバイスの電気的特性を検査する検査装置には、プローブが設けられている。
このプローブの接触部を、半導体デバイスの端子（例えば、半田ボール）に接触させることにより、検査が実施される。
このような検査に使用されるプローブの接触部は、例えば、図１１に示すような形状となっている。
図１１に示すプローブ１００は、棒状のプローブ本体部１０１と、このプローブ本体部１０１の端部に設けられた接触部１０３とを有する。
接触部１０３は４本の突起部１０２を有する。
このようなプローブ１００では、図１２の断面図に示すように、接触部１０３の突起部１０２の稜線１０２Ａに、半田ボール４１が接触し、半田ボール４１が着座する。
しかしながら、図１１，１２に示したようなプローブ１００を使用した場合には、半導体デバイスの電気的特性の検査を正確に行なうことが困難となることがある。 Conventionally, an inspection apparatus for inspecting the electrical characteristics of a semiconductor device has been provided with a probe.
Inspection is performed by bringing the contact portion of the probe into contact with a terminal (for example, a solder ball) of the semiconductor device.
The contact portion of the probe used for such inspection has a shape as shown in FIG. 11, for example.
A probe 100 shown in FIG. 11 has a rod-shaped probe main body 101 and a contact portion 103 provided at an end of the probe main body 101.
The contact portion 103 has four protrusions 102.
In such a probe 100, as shown in the cross-sectional view of FIG.
However, when the probe 100 as shown in FIGS. 11 and 12 is used, it may be difficult to accurately inspect the electrical characteristics of the semiconductor device.

これは、以下のような理由によるものである。
半田ボール４１をプローブ１００の接触部１０３の突起部１０２に接触させる際には、プローブ１００の中心軸Ｃと、半田ボール４１の中心点とを略一致させ、接触部１０３の突起部１０２の稜線１０２Ａに半田ボール４１を接触させる。
このとき、中心軸Ｃと各突起部１０２の稜線１０２Ａとの間の距離がすべて等しいため、半田ボール４１の中心点と、プローブ１００の中心軸Ｃとを一致させると、半田ボール４１がそのまま突起部１０２の稜線１０２Ａに着座してしまうことがある。
この場合には、半田ボール４１の表面が稜線１０２Ａにより削られることがないので、半田ボール４１表面の酸化膜が除去されない。
このように、半田ボール４１の表面の酸化膜が除去されない場合には、酸化膜の影響により抵抗値が増大し、半導体デバイスの電気的特性の検査を正確に行なうことが困難となる。 This is due to the following reasons.
When the solder ball 41 is brought into contact with the protrusion 102 of the contact portion 103 of the probe 100, the central axis C of the probe 100 and the center point of the solder ball 41 are substantially aligned, and the ridge line of the protrusion 102 of the contact portion 103 is reached. The solder ball 41 is brought into contact with 102A.
At this time, since the distance between the central axis C and the ridgeline 102A of each protrusion 102 is all equal, if the center point of the solder ball 41 and the central axis C of the probe 100 are aligned, the solder ball 41 protrudes as it is. The user may be seated on the ridgeline 102A of the part 102.
In this case, since the surface of the solder ball 41 is not scraped by the ridgeline 102A, the oxide film on the surface of the solder ball 41 is not removed.
Thus, when the oxide film on the surface of the solder ball 41 is not removed, the resistance value increases due to the influence of the oxide film, and it becomes difficult to accurately inspect the electrical characteristics of the semiconductor device.

そこで、図１３に示すような、接触部１０８を有するプローブ１０７が提案されている（特許文献１参照）。
このプローブ１０７の接触部１０８は、図１３（Ａ）に示すように、複数の突起部１０９を有しており、この突起部１０９間に溝Ｍを形成している。
図１３（Ｂ）に示すように、半田ボール４１を突起部１０９に接触させると、突起部１０９は、半田ボール４１からの反力をうけて、外周側に弾性変形する。
このとき、突起部１０９と、半田ボール４１との接点が移動するため、半田ボール４１表面の酸化膜が除去されることとなる。 Therefore, a probe 107 having a contact portion 108 as shown in FIG. 13 has been proposed (see Patent Document 1).
As shown in FIG. 13A, the contact portion 108 of the probe 107 has a plurality of protrusions 109, and a groove M is formed between the protrusions 109.
As shown in FIG. 13B, when the solder ball 41 is brought into contact with the protrusion 109, the protrusion 109 receives a reaction force from the solder ball 41 and elastically deforms to the outer peripheral side.
At this time, since the contact point between the protrusion 109 and the solder ball 41 moves, the oxide film on the surface of the solder ball 41 is removed.

特開２００５−1７２５６７号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2005-172567

しかしながら、上記特許文献１記載の技術は、以下の点で改善の余地を有している。
特許文献１記載の技術では、突起部１０９間に突起部１０９を弾性変形させるための溝Ｍを形成しなくてはならず、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなる。 However, the technique described in Patent Document 1 has room for improvement in the following points.
In the technique described in Patent Document 1, a groove M for elastically deforming the protruding portion 109 must be formed between the protruding portions 109, which complicates the manufacturing process and increases the manufacturing cost.

本発明によれば、略球状の端子に接触する接触部と、端部に前記接触部が設けられた棒状のプローブ本体部と、を有するプローブであって、前記接触部は、前記端子に接触する複数の突起部を有し、前記複数の突起部は、前記プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置され、前記突起部は、前記軸側でつきあわされる一対の側面部を有し、前記複数の突起部の前記一対の側面部により形成される稜線は、前記プローブ本体部側で交差し、
前記プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、少なくとも一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および前記中心軸間の距離と、他方の突起部の稜線あるいは前記稜線の延長線および前記中心軸間の距離と、が異なることを特徴とするプローブが提供される。 According to the present invention, there is provided a probe having a contact portion that contacts a substantially spherical terminal, and a rod-shaped probe main body portion provided with the contact portion at an end thereof, wherein the contact portion contacts the terminal. A plurality of projecting portions, the plurality of projecting portions are arranged so as to surround an axis along a longitudinal direction of the probe main body portion, and the projecting portions have a pair of side surface portions associated with each other on the shaft side. And the ridge line formed by the pair of side surface portions of the plurality of protrusions intersects on the probe body portion side,
In a cross section perpendicular to the central axis of the probe main body, of at least a pair of protrusions, the ridge line of one protrusion and the distance between the central axes, the ridge line of the other protrusion, or an extension line of the ridge line, and the There is provided a probe characterized in that the distance between the central axes is different.

ここで、複数の突起部が、プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置されるとは、プローブ本体部の中心軸を囲むように配置されていてもよく、また、中心軸からずれた位置にある軸を囲むように配置されていてもよい。
また、突起部は、少なくとも２以上あればよい。
本発明によれば、プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および中心軸間の距離と、他方の突起部の稜線あるいは稜線の延長線および中心軸間の距離と、が異なっている。
従って、プローブ本体部の中心軸を、略球状の端子（例えば、半田ボール）の中心点と一致させて配置した場合、端子の表面は、他方の突起部の稜線には接触せずに、一方の突起部の稜線に接触することとなる。
端子が、他方の突起部に接触するまで、端子をプローブ本体側に押し込むと、一方の突起部の稜線と、端子表面との間で、摩擦が生じ、端子表面の酸化膜が除去されることとなる。 Here, that the plurality of protrusions are arranged so as to surround the axis along the longitudinal direction of the probe main body part may be arranged so as to surround the central axis of the probe main body part. You may arrange | position so that the axis | shaft in the position shifted from may be enclosed.
Moreover, the protrusion part should just be at least 2 or more.
According to the present invention, in the cross section orthogonal to the central axis of the probe main body, of the pair of protrusions, the distance between the ridge line of one protrusion and the central axis and the ridge line of the other protrusion or an extension of the ridge line And the distance between the central axes is different.
Therefore, when the central axis of the probe main body is arranged so as to coincide with the center point of the substantially spherical terminal (for example, solder ball), the surface of the terminal does not contact the ridge line of the other protrusion, It will contact the ridgeline of the projection part.
When the terminal is pushed into the probe body until the terminal contacts the other protrusion, friction occurs between the ridge line of one protrusion and the terminal surface, and the oxide film on the terminal surface is removed. It becomes.

このように、本発明では、突起部を弾性変形させなくても、端子表面の酸化膜の除去を行なうことができるので、従来のように、溝を形成する必要がない。
そのため、プローブの製造工程が複雑にならずに、製造コストを削減することができる。
さらには、本発明では、突起部を弾性変形させなくても、端子表面の酸化膜を除去することができるので、突起部の材料を弾性変形可能な材料に制限する必要がなく、材料選択の自由度を増加させることができる。 As described above, according to the present invention, the oxide film on the terminal surface can be removed without elastically deforming the protrusion, so that it is not necessary to form a groove as in the prior art.
Therefore, the manufacturing cost can be reduced without complicating the probe manufacturing process.
Furthermore, in the present invention, since the oxide film on the surface of the terminal can be removed without elastically deforming the protrusion, it is not necessary to limit the material of the protrusion to an elastically deformable material. The degree of freedom can be increased.

さらに、本発明によれば、半導体装置の電気的特性の検査を行なうための検査装置であって、上述したプローブと、前記プローブを保持するソケットと、を備えることを特徴とする検査装置も提供することができる。   Furthermore, according to the present invention, there is also provided an inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device, the inspection apparatus comprising the probe described above and a socket for holding the probe. can do.

本発明によれば、複雑な製造工程を経ることなくプローブおよび検査装置が提供される。   According to the present invention, a probe and an inspection apparatus are provided without going through a complicated manufacturing process.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、すべての図面において、同様な構成要素には、同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
In all the drawings, similar constituent elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

（第一実施形態）
図１には、本実施形態の検査装置１が示されている。
検査装置1は、半導体デバイス４の電気的特性試験を行なう装置である。
検査対象となる半導体デバイス４は、半導体チップを搭載した多層プリント回路基板４２に接続された略球状の端子（半田ボール）４１を有する。この半田ボール４１は、格子状に配列されており、この半田ボール４１は、図示しないコネクタを介して、多層プリント回路基板４２に接続される。
このような半導体デバイス４の通電検査等の電気的特性試験は、検査装置１により行なわれる。
この検査装置１は、ソケット３と、複数本のプローブ２とを有する。
ソケット３には、検査対象となる半導体デバイス４の外形寸法に応じた凹部３１が形成されている。
この凹部３１の底面部には、前記半導体デバイス４の半田ボール４１の配列ピッチに対応した複数の貫通孔３１１が形成されている。
この各貫通孔３１１内にプローブ２が設置され、貫通孔３１１によってプローブ２が保持されている。
なお、プローブ２は、貫通孔３１１内を摺動自在に保持されていてもよい。
プローブ２は、一方の端部が半田ボール４１に接触するとともに他方の端部が図示しない検査回路基板に接触する。 (First embodiment)
FIG. 1 shows an inspection apparatus 1 according to this embodiment.
The inspection apparatus 1 is an apparatus that performs an electrical characteristic test of the semiconductor device 4.
The semiconductor device 4 to be inspected has a substantially spherical terminal (solder ball) 41 connected to a multilayer printed circuit board 42 on which a semiconductor chip is mounted. The solder balls 41 are arranged in a lattice pattern, and the solder balls 41 are connected to the multilayer printed circuit board 42 via a connector (not shown).
Such an electrical characteristic test such as energization inspection of the semiconductor device 4 is performed by the inspection apparatus 1.
The inspection device 1 includes a socket 3 and a plurality of probes 2.
The socket 3 is formed with a recess 31 corresponding to the outer dimension of the semiconductor device 4 to be inspected.
A plurality of through holes 311 corresponding to the arrangement pitch of the solder balls 41 of the semiconductor device 4 are formed on the bottom surface of the recess 31.
The probe 2 is installed in each through hole 311, and the probe 2 is held by the through hole 311.
The probe 2 may be slidably held in the through hole 311.
One end of the probe 2 contacts the solder ball 41 and the other end contacts an inspection circuit board (not shown).

次に、図２および図３を参照し、プローブ２の概要について説明する。
図２は、プローブ２の先端を示す斜視図であり、図３は、プローブ２の対向する突起部２２，２３の頂点および、軸Ｄを通る断面図である。
プローブ２は、半田ボール４１に接触する接触部２０と、端部に接触部２０が設けられた棒状のプローブ本体部２１と、を有する。
接触部２０は、半田ボール４１に接触する複数の突起部２２，２３を有する。
複数の突起部２２，２３は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと平行であり、プローブ本体部２１の長手方向に沿った軸Ｄを囲むように配置されている。
突起部２２は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２２２を有し、突起部２３も軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２３２を有する。一対の側面部２２２，２３２で形成される稜線２２１，２３１は、プローブ本体部２１側で交差している。プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交する断面において、一対の突起部２２，２３のうち、一方の突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離Ｗ１と、他方の突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離Ｗ２と、が異なっている。 Next, an outline of the probe 2 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
FIG. 2 is a perspective view showing the tip of the probe 2, and FIG. 3 is a cross-sectional view passing through the apex of the projecting portions 22 and 23 facing the probe 2 and the axis D.
The probe 2 includes a contact portion 20 that contacts the solder ball 41 and a rod-like probe main body portion 21 provided with the contact portion 20 at an end portion.
The contact portion 20 has a plurality of protrusions 22 and 23 that come into contact with the solder ball 41.
The plurality of protrusions 22 and 23 are parallel to the central axis C of the probe main body 21 and are disposed so as to surround an axis D along the longitudinal direction of the probe main body 21.
The protruding portion 22 has a pair of side surface portions 222 associated with each other on the axis D side, and the protruding portion 23 also includes a pair of side surface portions 232 associated with each other on the axis D side. The ridge lines 221 and 231 formed by the pair of side surfaces 222 and 232 intersect on the probe main body 21 side. In the cross section orthogonal to the central axis C of the probe main body 21, the distance W1 between the ridge line 221 and the central axis C of one of the protrusions 22 and 23 and the ridge line 231 of the other protrusion 23 of the pair of protrusions 22 and 23. And the distance W2 between the central axes C is different.

以下に、プローブ２の詳細を説明する。
プローブ２のプローブ本体部２１は、略円柱形状である。プローブ本体部２１の一方の端部に、接触部２０が設けられている。
接触部２０は、プローブ本体部２１と一体的に構成されている。 Details of the probe 2 will be described below.
The probe main body 21 of the probe 2 has a substantially cylindrical shape. A contact portion 20 is provided at one end of the probe main body portion 21.
The contact portion 20 is configured integrally with the probe main body portion 21.

接触部２０は、いわゆる王冠状に形成されており、プローブ本体部２１の端部から突出した複数の突起部２２，２３を有している。本実施形態では、４本の突起部２２，２３（２本の突起部２２と、２本の突起部２３）を有している。
突起部２２，２３は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと平行な軸Ｄを囲むように配置されている。ここで、軸Ｄは、中心軸Ｃからずれた位置にあり、プローブ本体部２１を貫通する軸である。
また、突起部２２と、突起部２３とは軸Ｄを挟んで対向するように配置されている。突起部２２，２３は、いずれも、角錐形状であり、先端部が尖った形状となっている。 The contact portion 20 is formed in a so-called crown shape, and has a plurality of protrusions 22 and 23 protruding from the end of the probe main body 21. In the present embodiment, there are four protrusions 22 and 23 (two protrusions 22 and two protrusions 23).
The protrusions 22 and 23 are arranged so as to surround an axis D parallel to the central axis C of the probe main body 21. Here, the axis D is a position that is shifted from the central axis C and penetrates the probe main body 21.
Further, the protrusion 22 and the protrusion 23 are disposed so as to face each other with the axis D interposed therebetween. Each of the protrusions 22 and 23 has a pyramid shape and has a pointed tip.

突起部２２は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２２２を有する。突起部２２には、この一対の側面部２２２により稜線２２１が形成される。
また、突起部２３は、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部２３２を有する。突起部２３には、一対の側面部２３２により稜線２３１が形成される。
すなわち、突起部２２の稜線２２１、突起部２３の稜線２３１は、軸Ｄ側に突出しているといえる。
突起部２２，２３の断面（中心軸Ｃと直交する方向の断面）は、略扇型形状であり、突起部２２，２３は、前記扇の頂点が内側（軸Ｄ側）に向くように配置されている。
また、突起部２２の稜線２２１と、突起部２３の稜線２３１とは対向している。 The projecting portion 22 has a pair of side surface portions 222 that are associated with each other on the axis D side. A ridge line 221 is formed on the protruding portion 22 by the pair of side surface portions 222.
In addition, the protrusion 23 has a pair of side surface portions 232 associated with each other on the axis D side. A ridge line 231 is formed on the protrusion 23 by a pair of side surfaces 232.
That is, it can be said that the ridge line 221 of the protrusion 22 and the ridge line 231 of the protrusion 23 protrude toward the axis D side.
The cross sections of the protrusions 22 and 23 (the cross section in the direction orthogonal to the central axis C) are substantially fan-shaped, and the protrusions 22 and 23 are arranged so that the apex of the fan faces inward (axis D side). Has been.
Further, the ridge line 221 of the protrusion 22 and the ridge line 231 of the protrusion 23 are opposed to each other.

突起部２２の稜線２２１、突起部２３の稜線２３１は、プローブ本体部２１側で交差している。すなわち、稜線２２１、２３１は、それぞれ、軸Ｄに対して傾斜して配置されており、稜線２２１，２３１とで略Ｖ字を描いている。
ここで、図３に示すように、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度と、稜線２３１との軸Ｄに対する傾斜角度とは異なっている。
稜線２３１の傾斜角度θ２は、稜線２２１の傾斜角度θ１よりも小さい。
また、稜線２２１，２３１の交差位置（交点Ｅ）は、軸Ｄ上にある。すなわち、稜線２２１，２３１の交差位置（交点Ｅ）は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置にある。 The ridge line 221 of the protrusion 22 and the ridge line 231 of the protrusion 23 intersect on the probe main body 21 side. In other words, the ridge lines 221 and 231 are arranged so as to be inclined with respect to the axis D, and are substantially V-shaped with the ridge lines 221 and 231.
Here, as shown in FIG. 3, the inclination angle of the ridge line 221 with respect to the axis D is different from the inclination angle of the ridge line 231 with respect to the axis D.
The inclination angle θ2 of the ridge line 231 is smaller than the inclination angle θ1 of the ridge line 221.
The intersection position (intersection E) of the ridge lines 221 and 231 is on the axis D. That is, the intersection position (intersection point E) of the ridge lines 221 and 231 is at a position shifted from the central axis C of the probe main body 21.

さらに、本実施形態では、突起部２２のプローブ本体部２１からの高さ寸法と、突起部２３のプローブ本体部２１からの高さ寸法は等しい。
また、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交し、稜線２２１，２３１を含む断面（突起部２２，２３と直交し、稜線２２１，２３１と交差する断面）において、突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離（図３のＷ１）と、突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離（図３のＷ２）と、が異なっており、距離Ｗ１のほうが距離Ｗ２よりも小さくなっている。
換言すると、図３においては、中心軸Ｃに直交し、中心軸Ｃと突起部２２の稜線２２１とを結ぶ直線の長さ寸法（距離Ｗ１）と、中心軸Ｃに直交し、中心軸Ｃと突起部２３の稜線２３１とを結ぶ直線の長さ寸法（距離Ｗ２）とは異なっている。
ここで、「稜線２２１，２３１を含む断面」の高さ位置は、特に限定されないが、本実施形態のように突起部２２，２３の高さ寸法が等しい場合には、突起部２２，２３の頂点を含まない位置であればよい。また、稜線２２１，２３１を含む断面の高さ位置は、交点Ｅよりも高い位置である。
なお、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと直交する断面において、一方の突起部２２の稜線２２１および中心軸Ｃ間の距離と、他方の突起部２２および中心軸Ｃ間の距離とは等しい。同様に、一方の突起部２３の稜線２３１および中心軸Ｃ間の距離と、他方の突起部２３の稜線および中心軸Ｃ間の距離とは等しい。 Furthermore, in this embodiment, the height dimension from the probe main body part 21 of the projection part 22 and the height dimension from the probe main body part 21 of the projection part 23 are equal.
Further, in the cross section orthogonal to the central axis C of the probe main body 21 and including the ridge lines 221 and 231 (cross section orthogonal to the protrusions 22 and 23 and intersecting the ridge lines 221 and 231), the ridge line 221 and the center of the protrusion 22 The distance between the axes C (W1 in FIG. 3) is different from the distance between the ridge line 231 of the protrusion 23 and the central axis C (W2 in FIG. 3), and the distance W1 is smaller than the distance W2. Yes.
In other words, in FIG. 3, the length (distance W1) of a straight line that is orthogonal to the central axis C and connects the central axis C and the ridge line 221 of the protrusion 22 and the central axis C This is different from the length dimension (distance W2) of the straight line connecting the ridge line 231 of the protrusion 23.
Here, the height position of the “cross section including the ridge lines 221 and 231” is not particularly limited. However, when the heights of the protrusions 22 and 23 are equal as in the present embodiment, the protrusions 22 and 23 have the same height. Any position that does not include a vertex is acceptable. The height position of the cross section including the ridge lines 221 and 231 is a position higher than the intersection point E.
In the cross section perpendicular to the central axis C of the probe main body 21, the distance between the ridge line 221 and the central axis C of one projection 22 is equal to the distance between the other projection 22 and the central axis C. Similarly, the distance between the ridge line 231 of one projection 23 and the central axis C is equal to the distance between the ridge line of the other projection 23 and the central axis C.

このようなプローブ２は、以下のようにして製造することができる。
略円柱状の材料（例えば、Ｂｅと、Ｃｕとの合金）を用意し、その先端部をＶ字のカッターホイールで切削した後、表面をＮｉ−Ａｕめっきする。これにより、突起部２２，２３が形成されたプローブ２を製造することができる。 Such a probe 2 can be manufactured as follows.
A substantially columnar material (for example, an alloy of Be and Cu) is prepared, and the tip is cut with a V-shaped cutter wheel, and then the surface is plated with Ni—Au. Thereby, the probe 2 in which the protrusions 22 and 23 are formed can be manufactured.

図４を参照して、このようなプローブ２に半田ボール４１を着座させる動作について説明する。
プローブ２に半田ボール４１を接触させる際には、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させる。
このとき、突起部２２の稜線２２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ１、突起部２３の稜線２３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ２とが異なっており、距離Ｗ１の方が、距離Ｗ２よりも短いため、半田ボール４１は、稜線２２１にのみ接触する（図４（Ａ）参照）。
次に、半導体デバイス４がプローブ２側に押し込まれる。半田ボール４１は、突起部２２の稜線２２１に沿って、プローブ本体部２１側に押し込まれることとなる（図４（Ｂ）参照）。この際、半田ボール４１の表面の酸化膜が突起部２２の稜線２２１により削られることとなる。
その後、半田ボール４１は、突起部２３の稜線２３１にも接触することとなり、半田ボール４１が突起部２２，２３に接触して着座することとなる。 With reference to FIG. 4, the operation | movement which seats the solder ball 41 on such a probe 2 is demonstrated.
When the solder ball 41 is brought into contact with the probe 2, the center point of the solder ball 41 and the center axis C of the probe main body portion 21 of the probe 2 are substantially matched.
At this time, the distance W1 between the ridgeline 221 of the protrusion 22 and the central axis C of the probe main body 21 and the distance W2 between the ridgeline 231 of the protrusion 23 and the central axis C of the probe main body 21 are different, and the distance W1. Since this is shorter than the distance W2, the solder ball 41 contacts only the ridgeline 221 (see FIG. 4A).
Next, the semiconductor device 4 is pushed into the probe 2 side. The solder ball 41 is pushed into the probe main body 21 side along the ridge line 221 of the protrusion 22 (see FIG. 4B). At this time, the oxide film on the surface of the solder ball 41 is scraped by the ridge line 221 of the protrusion 22.
Thereafter, the solder ball 41 also comes into contact with the ridge line 231 of the protrusion 23, and the solder ball 41 comes into contact with the protrusions 22 and 23 and is seated.

以下、本実施形態の効果について説明する。
前述したように、突起部２２の稜線２２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ１が、突起部２３の稜線２３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ２よりも短いため、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際には、半田ボール４１は、稜線２２１にのみ接触する。
半田ボール４１を、プローブ本体部２１側に押し込む際に、半田ボール４１は、突起部２２の稜線２２１に接触したまま移動することとなるので、半田ボール４１の表面の酸化膜を除去することができる。
このように本実施形態では、突起部２２，２３を弾性変形させなくても、半田ボール４１の酸化膜の除去を行なうことができるので、従来のプローブのように、溝を形成する必要がない。
そのため、プローブ２の製造工程が複雑にならない。 Hereinafter, the effect of this embodiment will be described.
As described above, the distance W1 between the ridge line 221 of the protrusion 22 and the center axis C of the probe main body 21 is shorter than the distance W2 between the ridge line 231 of the protrusion 23 and the central axis C of the probe main body 21. When the center point of the solder ball 41 and the center axis C of the probe main body portion 21 of the probe 2 are substantially matched, the solder ball 41 contacts only the ridge line 221.
When the solder ball 41 is pushed into the probe main body 21 side, the solder ball 41 moves while being in contact with the ridge line 221 of the protrusion 22, so that the oxide film on the surface of the solder ball 41 can be removed. it can.
As described above, in this embodiment, the oxide film of the solder ball 41 can be removed without elastically deforming the protrusions 22 and 23. Therefore, unlike the conventional probe, it is not necessary to form a groove. .
Therefore, the manufacturing process of the probe 2 is not complicated.

さらに、本実施形態では、突起部２２，２３を弾性変形させなくても、半田ボール４１表面の酸化膜を除去することができるので、突起部２２，２３の材質を弾性変形可能な材料に制限する必要がなくなる。従って、プローブ２の材料選択の自由度を増加させることができる。   Further, in the present embodiment, the oxide film on the surface of the solder ball 41 can be removed without elastically deforming the protrusions 22 and 23, so that the material of the protrusions 22 and 23 is limited to a material that can be elastically deformed. There is no need to do it. Therefore, the degree of freedom in selecting the material of the probe 2 can be increased.

また、本実施形態では、突起部２２の稜線２２１、突起部２３の２３１の交差位置（交点Ｅ）を、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置としているため、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、半田ボール４１を、稜線２２１にのみより確実に接触させることができる。   In the present embodiment, the intersection position (intersection E) of the ridge line 221 of the projection 22 and the 231 of the projection 23 (intersection E) is a position shifted from the central axis C of the probe main body 21. And the solder ball 41 can be brought into contact with the ridgeline 221 more reliably when the probe 2 and the central axis C of the probe main body 21 of the probe 2 are substantially matched.

さらに、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ１と、稜線２３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ２とを異なる角度としており、傾斜角度θ１を傾斜角度θ２よりも大きくしている。そのため、傾斜角度θ１を傾斜角度θ２と等しい角度とする場合に比べ、半田ボール４１の中心点とプローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、より確実に半田ボール４１を、稜線２３１に接触させずに、稜線２２１にのみ接触させることができる。
また、稜線２２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ１と、稜線２３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ２とを異なる角度とすることで、突起部２２，２３の高さ寸法を等しくすることができる。 Furthermore, the inclination angle θ1 of the ridge line 221 with respect to the axis D and the inclination angle θ2 of the ridge line 231 with respect to the axis D are different from each other, and the inclination angle θ1 is larger than the inclination angle θ2. Therefore, when the inclination angle θ1 is set equal to the inclination angle θ2, the solder ball 41 is more reliably connected when the center point of the solder ball 41 and the center axis C of the probe main body 21 of the probe 2 are substantially aligned. 41 can be brought into contact only with the ridge line 221 without being brought into contact with the ridge line 231.
Moreover, the height dimension of the projection parts 22 and 23 can be made equal by making inclination-angle (theta) 1 with respect to the axis D of the ridgeline 221 and inclination-angle (theta) 2 with respect to the axis | shaft D of the ridgeline 231 into different angles.

（第二実施形態）
図５〜図７を参照して、第二実施形態について説明する。
本実施形態のプローブ５は、前記実施形態と同様のプローブ本体部２１と、このプローブ本体部２１の一方の端部に設けられた接触部５１とを有する。
このプローブ５は、前記実施形態のプローブ２にかえて検査装置１に使用されるものである。
プローブ５の接触部５１も、前記実施形態と同様に、いわゆる王冠状に形成されており、接触部５１は、プローブ本体部２１の端部から突出した複数の突起部５２，５３（２本の突起部５２、２本の突起部５３）を有している。
前記実施形態では、突起部２２，２３のプローブ本体部２１からの高さ寸法は略等しかったが、本実施形態では、突起部５２，５３のプローブ本体部２１からの高さ寸法Ｈ１，Ｈ２（図６参照）は異なっている。 (Second embodiment)
The second embodiment will be described with reference to FIGS.
The probe 5 of the present embodiment includes a probe main body portion 21 similar to that of the above-described embodiment, and a contact portion 51 provided at one end of the probe main body portion 21.
This probe 5 is used in the inspection apparatus 1 instead of the probe 2 of the above embodiment.
The contact portion 51 of the probe 5 is also formed in a so-called crown shape as in the above-described embodiment, and the contact portion 51 includes a plurality of protrusions 52 and 53 (two pieces) that protrude from the end portion of the probe main body portion 21. It has a protrusion 52 and two protrusions 53).
In the above embodiment, the heights of the protrusions 22 and 23 from the probe main body 21 are substantially the same. However, in this embodiment, the heights H1 and H2 of the protrusions 52 and 53 from the probe main body 21 ( FIG. 6) is different.

突起部５２，５３は、前記実施形態と同様、軸Ｄを囲むように配置されており、突起部５２，５３の形状は、角錐形状である。
突起部５２は、前記実施形態の突起部２２，２３と同じく、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部５２２を有する。突起部５２には、この一対の側面部５２２により稜線５２１が形成される。
また、突起部５３も、軸Ｄ側でつきあわされる一対の側面部５３２を有する。突起部５３には、一対の側面部５３２により稜線５３１が形成される。
すなわち、突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１は、軸Ｄ側に突出しているといえる。
また、前記実施形態と同様、突起部５２，５３の（中心軸Ｃと直交する方向の断面）は、略扇型形状であり、突起部５２，５３は、前記扇の頂点が内側（軸Ｄ側）に向くように配置されている。
さらに突起部５２の稜線５２１と、突起部５３の稜線５３１とは対向している。
突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１は、プローブ本体部２１側で交差している。 The protrusions 52 and 53 are arranged so as to surround the axis D as in the above embodiment, and the shape of the protrusions 52 and 53 is a pyramid shape.
The protruding portion 52 has a pair of side surface portions 522 associated with each other on the axis D side, like the protruding portions 22 and 23 of the embodiment. A ridge line 521 is formed on the protruding portion 52 by the pair of side surface portions 522.
The protrusion 53 also has a pair of side surfaces 532 that are associated with each other on the axis D side. A ridge line 531 is formed on the protruding portion 53 by a pair of side surface portions 532.
That is, it can be said that the ridge line 521 of the protrusion 52 and the ridge line 531 of the protrusion 53 protrude toward the axis D side.
Further, as in the above-described embodiment, the protrusions 52 and 53 (the cross section in the direction orthogonal to the central axis C) are substantially fan-shaped, and the protrusions 52 and 53 have the fan apex inside (axis D). Side).
Furthermore, the ridge line 521 of the protrusion 52 and the ridge line 531 of the protrusion 53 are opposed to each other.
The ridge line 521 of the protrusion 52 and the ridge line 531 of the protrusion 53 intersect on the probe main body 21 side.

図６に示すように、稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とは等しい。
また、稜線５２１，５３１の交差位置（点Ｅ）は、軸Ｄ上にある。すなわち、稜線５２１，５３１の交差位置（点Ｅ）は、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置にある。
さらに中心軸Ｃと直交し、稜線５２１，５３１を含む断面（突起部５２，５３と直交し、稜線５２１，５３１と交差する断面）において、突起部５２の稜線５２１および中心軸Ｃ間の距離（図６の距離Ｗ３）と、他方の突起部５３の稜線５３１および中心軸Ｃ間の距離（図６の距離Ｗ４）とが異なっており、距離Ｗ３のほうが、距離Ｗ４よりも小さくなっている。
ここで、「稜線５２１，５３１を含む断面」の高さ位置は、交点Ｅよりも高い位置であればよい。 As shown in FIG. 6, the inclination angle θ3 of the ridgeline 521 with respect to the axis D is equal to the inclination angle θ4 of the ridgeline 531 with respect to the axis D.
The intersection position (point E) of the ridge lines 521 and 531 is on the axis D. That is, the intersection position (point E) of the ridge lines 521 and 531 is at a position shifted from the central axis C of the probe main body 21.
Further, in a cross section orthogonal to the central axis C and including the ridge lines 521 and 531 (cross section orthogonal to the protrusions 52 and 53 and intersecting the ridge lines 521 and 531), the distance between the ridge line 521 of the protrusion 52 and the central axis C ( The distance W3) in FIG. 6 is different from the distance between the ridge line 531 of the other protrusion 53 and the central axis C (distance W4 in FIG. 6), and the distance W3 is smaller than the distance W4.
Here, the height position of the “cross section including the ridge lines 521 and 531” may be a position higher than the intersection point E.

図７を参照して、プローブ５に半田ボール４１を着座させる動作について説明する。
プローブ５に半田ボール４１を接触させる際には、半田ボール４１の中心点と、プローブ５のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させる。
このとき、突起部５２の稜線５２１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ３と、突起部５３の稜線５３１およびプローブ本体部２１の中心軸Ｃ間の距離Ｗ４とが異なっており、距離Ｗ３の方が、距離Ｗ４よりも短いため、半田ボール４１は、稜線５２１にのみ接触する（図７（Ａ）参照）。
次に、半導体デバイス４がプローブ５側に押し込まれる。半田ボール４１は、突起部５２の稜線５２１に沿って、プローブ本体部２１側に押し込まれることとなる（図７（Ｂ）参照）。この際、半田ボール４１の表面の酸化膜が突起部５２の稜線５２１により削られることとなる。
その後、半田ボール４１は、突起部５３の頂点につきささり、半田ボール４１が突起部５２，５３に接触して着座することとなる。 With reference to FIG. 7, the operation of seating the solder ball 41 on the probe 5 will be described.
When the solder ball 41 is brought into contact with the probe 5, the center point of the solder ball 41 and the central axis C of the probe main body portion 21 of the probe 5 are substantially matched.
At this time, the distance W3 between the ridge line 521 of the protrusion 52 and the central axis C of the probe main body 21 and the distance W4 between the ridge line 531 of the protrusion 53 and the central axis C of the probe main body 21 are different. Since W3 is shorter than the distance W4, the solder ball 41 contacts only the ridge line 521 (see FIG. 7A).
Next, the semiconductor device 4 is pushed into the probe 5 side. The solder ball 41 is pushed into the probe main body 21 side along the ridge line 521 of the protrusion 52 (see FIG. 7B). At this time, the oxide film on the surface of the solder ball 41 is scraped by the ridge line 521 of the protrusion 52.
Thereafter, the solder ball 41 touches the apex of the protruding portion 53, and the solder ball 41 comes into contact with the protruding portions 52 and 53 and is seated.

このような本実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏するうえ、以下の効果を奏する。
本実施形態では、突起部５２、５３の高さ寸法を異なるものとし、突起部５３の高さ寸法を、突起部５２の高さ寸法よりも小さくし、さらに、突起部５２，５３を角錐形状としている。
そのため、半田ボール４１を突起部５２、５３に着座させた際、半田ボール４１を突起部５２の稜線５２１に接触させるとともに、突起部５３の先端部に突き刺すことができる。
ここで、半導体デバイス４の電気的特性の検査を正確に行なうためには、半田ボールの材質により、半田ボールと、突起部との接触方式を使い分ける必要がある。
半田ボールと、突起部との接触方式は、従来技術で説明したような突起部の稜線に半田ボールが接触するような接触方式（峰（稜線）受けタイプ）と、図８に示すように、半田ボール４１が突起部１０６の先端につきささるような接触方式（突き刺しタイプ）とがある。 According to the present embodiment as described above, the same effects as the first embodiment can be obtained, and the following effects can be obtained.
In the present embodiment, the heights of the projections 52 and 53 are different, the height of the projection 53 is made smaller than the height of the projection 52, and the projections 52 and 53 are formed in a pyramid shape. It is said.
Therefore, when the solder ball 41 is seated on the protrusions 52 and 53, the solder ball 41 can be brought into contact with the ridge line 521 of the protrusion 52 and pierced at the tip of the protrusion 53.
Here, in order to accurately inspect the electrical characteristics of the semiconductor device 4, it is necessary to use different contact methods between the solder ball and the protrusion depending on the material of the solder ball.
As shown in FIG. 8, the contact method between the solder ball and the protruding portion is a contact method in which the solder ball contacts the ridge line of the protruding portion as described in the prior art (ridge (ridge line) receiving type). There is a contact method (piercing type) in which the solder ball 41 touches the tip of the protrusion 106.

例えば、共晶はんだのような柔らかい半田ボールの場合、一般的に突き刺しタイプより峰（稜線）受けタイプが適している。これに対し、鉛フリー半田のように硬い半田ボールの場合には、一般的には突き刺しタイプの方が峰（稜線）受けタイプより適している。
本実施形態のプローブ５は、１本のプローブ５で、峰（稜線）受けタイプと、突き刺しタイプの２種の接触方式を実施することができる。
そのため、本実施形態のプローブ５は、半田ボール４１の材質によらず、様々な種類の半田ボール４１に幅広く対応することができる。
特に、ユーザごとに半導体デバイス４の半田ボール４１の材質を変更することがあるため、半田ボール４１の材質によらず、使用することができるプローブ５は非常に有用なものとなる。 For example, in the case of soft solder balls such as eutectic solder, a ridge (ridge line) receiving type is generally more suitable than a piercing type. On the other hand, in the case of a hard solder ball such as lead-free solder, the piercing type is generally more suitable than the ridge (ridge line) receiving type.
The probe 5 of the present embodiment is a single probe 5 and can implement two types of contact methods: a ridge (ridgeline) receiving type and a piercing type.
Therefore, the probe 5 according to the present embodiment can widely correspond to various types of solder balls 41 regardless of the material of the solder balls 41.
In particular, since the material of the solder ball 41 of the semiconductor device 4 may be changed for each user, the probe 5 that can be used regardless of the material of the solder ball 41 is very useful.

さらに、突起部５２の稜線５２１、突起部５３の稜線５３１の交差位置（点Ｅ）を、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれた位置とすることで稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とを等しくしても、半田ボール４１の中心点と、プローブ２のプローブ本体部２１の中心軸Ｃとを略一致させた際に、半田ボール４１を、稜線５２１にのみ接触させることができる。
本実施形態では、稜線５２１の軸Ｄに対する傾斜角度θ３と、稜線５３１の軸Ｄに対する傾斜角度θ４とを等しくすることができるので、突起部５２，５３の製造工程がさらに簡素になり、容易にプローブ５を製造することができ、また製造コストを削減することができる。 Furthermore, by setting the intersection position (point E) of the ridge line 521 of the protrusion 52 and the ridge line 531 of the protrusion 53 to a position shifted from the central axis C of the probe main body 21, the inclination angle θ3 with respect to the axis D of the ridge line 521 Even when the inclination angle θ4 of the ridge line 531 with respect to the axis D is made equal, when the center point of the solder ball 41 and the center axis C of the probe main body 21 of the probe 2 are substantially matched, Only the ridgeline 521 can be contacted.
In this embodiment, since the inclination angle θ3 of the ridge line 521 with respect to the axis D and the inclination angle θ4 of the ridge line 531 with respect to the axis D can be made equal, the manufacturing process of the protrusions 52 and 53 is further simplified and easily performed. The probe 5 can be manufactured and the manufacturing cost can be reduced.

また、本実施形態では、突起部５３の形状を角錐形状とし、先端が尖った形状としているため、半田ボール４１を確実に突き刺すことができる。   In this embodiment, since the shape of the protrusion 53 is a pyramid shape and the tip is pointed, the solder ball 41 can be reliably pierced.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記各実施形態では、稜線２２１，２３１，５２１，５３１の交差位置が、プローブ本体部２１の中心軸Ｃからずれているとしたが、これに限らず、稜線の交差位置が、プローブ本体部２１の中心軸Ｃと一致していてもよい。
例えば、図９の断面図に示すように、突起部６２の稜線６２１と、突起部６３の稜線６３１との交差位置がプローブ本体部２１の中心軸Ｃと一致していてもよい。
この場合、突起部６２の稜線６２１の中心軸Ｃに対する傾斜角度θ５と、突起部６３の稜線６３１の中心軸Ｃに対する傾斜角度θ６とを異なる角度とすればよい。
このようにすることで、中心軸Ｃに直交し、稜線６２１，６３１を含む断面において、中心軸Ｃおよび稜線６２１間の距離Ｗ５、中心軸Ｃおよび稜線６３１間の距離Ｗ６とを異なるものとすることができる。
なお、図９に示すプローブ６は、一対の突起部６２と、一対の突起部６３とを有し、突起部６２、６３は、中心軸Ｃを囲むように配置されている。そして、前記各実施形態と同様、突起部６２の稜線６２１と、突起部６３の稜線６３１とが対向している。
また、図１０に示すように、角度θ５が９０°に近いような角度である場合には、中心軸Ｃおよび突起部６３に直交し、稜線６３１を含む断面（稜線６３１と交差する断面）において、中心軸Ｃおよび稜線６２１の延長線６２１Ａ間の距離Ｗ７、中心軸Ｃおよび稜線６３１間の距離Ｗ８とを異なるものとすればよい。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in each of the above embodiments, the intersection positions of the ridge lines 221, 231, 521, and 531 are deviated from the central axis C of the probe main body 21. However, the present invention is not limited to this, and the intersection position of the ridge lines is the probe main body. It may coincide with the central axis C of the part 21.
For example, as shown in the cross-sectional view of FIG. 9, the intersection position of the ridge line 621 of the protrusion 62 and the ridge line 631 of the protrusion 63 may coincide with the central axis C of the probe main body 21.
In this case, the inclination angle θ5 with respect to the central axis C of the ridge line 621 of the protrusion 62 may be different from the inclination angle θ6 with respect to the central axis C of the ridge line 631 of the protrusion 63.
By doing so, the distance W5 between the central axis C and the ridge line 621 and the distance W6 between the central axis C and the ridge line 631 are different in a cross section that is orthogonal to the central axis C and includes the ridge lines 621 and 631. be able to.
The probe 6 shown in FIG. 9 has a pair of protrusions 62 and a pair of protrusions 63, and the protrusions 62 and 63 are arranged so as to surround the central axis C. And the ridgeline 621 of the projection part 62 and the ridgeline 631 of the projection part 63 have opposed like the said each embodiment.
As shown in FIG. 10, when the angle θ5 is an angle close to 90 °, the cross section is perpendicular to the central axis C and the protrusion 63 and includes the ridge line 631 (cross section intersecting with the ridge line 631). The distance W7 between the central axis C and the extended line 621A of the ridge line 621 and the distance W8 between the central axis C and the ridge line 631 may be different.

さらに、前記実施形態では、接触部は、４本の突起部を有するものとしたが、これに限らず、例えば、突起部は３本であってもよく、さらには、５本、或いは８本であってもよい。
また、突起部は２本であってもよい。
ただし、前記各実施形態のように、突起部を４本とすることで半田ボール４１に、安定的に突起部を接触させることができる。また、突起部を４本とすることで、さらに多くの突起部を成形する場合に比べて、突起部の成形に手間を要しない。 Furthermore, in the said embodiment, although the contact part had four protrusion parts, it is not restricted to this, For example, three protrusion parts may be sufficient, Furthermore, five or eight is sufficient. It may be.
Further, the number of protrusions may be two.
However, as in the above-described embodiments, by providing four protrusions, the protrusions can be stably brought into contact with the solder balls 41. In addition, since the number of protrusions is four, it is not necessary to form the protrusions as compared with the case where more protrusions are formed.

また、第一実施形態では、中心軸Ｃと直交する断面において、軸Ｄを挟んで対向する突起部２２，２３のうち、突起部２２の稜線２２１と中心軸Ｃとの距離Ｗ１、突起部２３の稜線２３１と中心軸Ｃとの距離Ｗ２が異なるものとしていた。
同様に第二実施形態においても、軸Ｄを挟んで対向する突起部５２，５３のうち、突起部５２の稜線５２１と中心軸Ｃとの距離Ｗ３、突起部５３の稜線５３１と中心軸Ｃとの距離Ｗ４が異なるものとしていた。
このように、本発明では、軸Ｄを挟んで対向する一対の突起部の稜線の中心軸Ｃからの距離を異なるものとすることが好ましい。
なお、軸Ｄを挟んで対向する一対の突起部とは、例えば、突起部が奇数本であり、真正面に他の突起部が配置されていないような場合には、一の突起部と、この一の突起部の軸Ｄを挟んだ正面位置に隣接する他の突起部とをいう。 In the first embodiment, the distance W1 between the ridge line 221 of the protrusion 22 and the central axis C among the protrusions 22 and 23 opposed across the axis D in the cross section orthogonal to the central axis C, the protrusion 23. The distance W2 between the ridge line 231 and the central axis C is different.
Similarly, in the second embodiment, among the protrusions 52 and 53 facing each other across the axis D, the distance W3 between the ridge line 521 of the protrusion 52 and the central axis C, the ridge line 531 of the protrusion 53 and the central axis C, and so on. The distance W4 is different.
Thus, in this invention, it is preferable to make the distance from the central axis C of the ridgeline of a pair of protrusion part which opposes on both sides of the axis | shaft D differ.
The pair of protrusions facing each other across the axis D is, for example, an odd number of protrusions, and when no other protrusions are arranged directly in front, It refers to another protrusion adjacent to the front position across the axis D of one protrusion.

本発明の一実施形態にかかる検査装置を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing an inspection device concerning one embodiment of the present invention. 第一実施形態にかかるプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe concerning 1st embodiment. 第一実施形態にかかるプローブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the probe concerning 1st embodiment. プローブの突起部に半田ボールが着座する様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a solder ball seats on the projection part of a probe. 本発明の第二実施形態にかかるプローブを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the probe concerning 2nd embodiment of this invention. 第二実施形態にかかるプローブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the probe concerning 2nd embodiment. プローブの突起部に半田ボールが着座する様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a solder ball seats on the projection part of a probe. 突き刺しタイプのプローブを示す断面図である。It is sectional drawing which shows a stab type probe. プローブの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of a probe. プローブの他の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other modification of a probe. 従来のプローブを示す図である。It is a figure which shows the conventional probe. 従来のプローブに半田ボールが着座した状態を示す図である。It is a figure which shows the state in which the solder ball seated on the conventional probe. 従来のプローブを示す図である。It is a figure which shows the conventional probe.

符号の説明Explanation of symbols

１ 検査装置
２ プローブ
３ ソケット
４ 半導体デバイス
５ プローブ
６ プローブ
２０ 接触部
２１ プローブ本体部
２２，２３ 突起部
３１ 凹部
４１ 半田ボール
４２ 多層プリント回路基板
５１ 接触部
５２，５３ 突起部
６２ 突起部
６３ 突起部
１００ プローブ
１０１ プローブ本体部
１０２ 突起部
１０２Ａ 稜線
１０３ 接触部
１０６ 突起部
１０７ プローブ
１０８ 接触部
１０９ 突起部
２２１，２３１ 稜線
２２２，２３２ 側面部
３１１ 貫通孔
５２１，５３１ 稜線
５２２ 側面部
５３２ 側面部
６２１ 稜線
６２１Ａ 延長線
６３１ 稜線
Ｃ 中心軸
Ｄ 軸
Ｅ 交点
Ｈ１，Ｈ２ 高さ寸法
Ｍ 溝
Ｗ１ 距離
Ｗ２ 距離
Ｗ３ 距離
Ｗ４ 距離
Ｗ５ 距離
Ｗ６ 距離
Ｗ７ 距離
Ｗ８ 距離
θ１ 傾斜角度
θ２ 傾斜角度
θ３ 傾斜角度
θ４ 傾斜角度
θ５ 傾斜角度
θ６ 傾斜角度
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Inspection apparatus 2 Probe 3 Socket 4 Semiconductor device 5 Probe 6 Probe 20 Contact part 21 Probe main-body part 22,23 Protrusion part 31 Concave part 41 Solder ball 42 Multilayer printed circuit board 51 Contact part 52, 53 Protrusion part 62 Protrusion part 63 Protrusion part DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Probe 101 Probe main-body part 102 Projection part 102A Edge line 103 Contact part 106 Projection part 107 Probe 108 Contact part 109 Projection part 221,231 Edge line 222,232 Side part 311 Through-hole 521,531 Edge line 522 Side part 532 Side part 621 Edge line 621A Extension line 631 Ridge line C Center axis D Axis E Intersection H1, H2 Height dimension M Groove W1 Distance W2 Distance W3 Distance W4 Distance W5 Distance W6 Distance W7 Distance W8 Distance θ1 Inclination angle θ2 Inclination angle θ3 Inclination angle θ4 Inclination angle θ5 Inclination angle θ6 Tilt angle

Claims (5)

略球状の端子に接触する接触部と、
端部に前記接触部が設けられた棒状のプローブ本体部と、
を有するプローブであって、
前記接触部は、前記端子に接触する複数の突起部を有し、
前記複数の突起部は、前記プローブ本体部の長手方向に沿った軸を囲むように配置され、
前記突起部は、前記軸側でつきあわされる一対の側面部を有し、
前記複数の突起部の前記一対の側面部により形成される稜線は、前記プローブ本体部側で交差し、
前記稜線の交差位置が、前記プローブ本体部の前記中心軸からずれており、
前記プローブ本体部の中心軸と直交する断面において、少なくとも一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線および前記中心軸間の距離と、
他方の突起部の稜線あるいは前記稜線の延長線および前記中心軸間の距離と、が異なることを特徴とするプローブ。 A contact portion that contacts a substantially spherical terminal;
A rod-like probe main body provided with the contact portion at an end; and
A probe having:
The contact portion has a plurality of protrusions that contact the terminal,
The plurality of protrusions are arranged so as to surround an axis along the longitudinal direction of the probe main body,
The projecting portion has a pair of side portions that are associated with each other on the shaft side,
Ridge lines formed by the pair of side surfaces of the plurality of protrusions intersect on the probe main body side,
The crossing position of the ridge line is deviated from the central axis of the probe main body,
In a cross section orthogonal to the central axis of the probe main body, at least one of the pair of protrusions, the distance between the ridge line of one protrusion and the central axis,
The probe characterized in that the ridge line of the other projection or the extension line of the ridge line and the distance between the central axes are different. 請求項１に記載のプローブにおいて、
前記一対の突起部のうち、一方の突起部の稜線の前記軸に対する角度と、他方の突起部の稜線の前記軸に対する角度とが異なることを特徴とするプローブ。 The probe according to claim 1 , wherein
Of the pair of protrusions, a probe is characterized in that an angle of the ridge line of one protrusion with respect to the axis is different from an angle of the ridge line of the other protrusion with respect to the axis. 請求項１または２に記載のプローブにおいて、
前記一対の突起部のうちの前記一方の突起部は、前記一対の突起部のうちの前記他方の突起部と比較して、前記プローブ本体部からの高さ寸法が異なることを特徴とするプローブ。 The probe according to claim 1 or 2 ,
The one protrusion of the pair of protrusions is different in height from the probe main body from the other protrusion of the pair of protrusions. . 請求項１乃至３のいずれかに記載のプローブにおいて、
前記突起部は角錐形状であることを特徴とするプローブ。 The probe according to any one of claims 1 to 3 ,
The probe has a pyramid shape. 半導体装置の電気的特性の検査を行なうための検査装置であって、
請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブと、
前記プローブを保持するソケットと、を備えることを特徴とする検査装置。 An inspection apparatus for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device,
The probe according to any one of claims 1 to 4 ,
And a socket for holding the probe.
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