JP4758422B2 - クロストークを改善した電気コネクター - Google Patents

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Description

本出願は、2004年4月6日に出願された米国仮出願シリアル番号60/559,846号に優先権を主張する。その内容は、参照により本願に組み込まれる。
本発明は、概して、電気コネクターに係り、より詳しくは、高い周波数で伝搬遅延効果の影響をより受けにくいクロストーク補償を備えたモジュラー式通信ジャックの設計に関する。
通信産業では、データ伝送速度が着実に上昇してきたので、ジャック及び/又はプラグ内で近接して隔てられた平行コンダクター間の容量性及び誘導性連結に起因したクロストークが益々問題となってきている。改善したクロストークの性能を備えたモジュラー式コネクターは、益々需要が増した標準規格に合致するように設計された。これらの改善されたコネクターの多くは、米国特許番号5,997,358号に開示されたコンセプトを含んでおり、その全体的な内容は、ここで参照したことで本願に組み込まれる。特に、最近のコネクターは、近傍端部クロストーク(NEXT)を犯すことを相殺するため所定量のクロストーク補償を導入した。2段階以上の補償が、補償領域とプラグ/ジャックインターフェースとの間の距離から生じる伝搬遅延からの位相シフトを処置するため使用されている。その結果、犯したクロストークの大きさ及び位相は、総合すると等しい大きさであるが反対の位相を有する補償により相殺される。
500MHzを超える伝送速度を始めとする最近の伝送速度は、‘358特許に開示された技術の能力を超えた。かくして、改善された補償技術が必要とされている。
図1は、プラグ102及び該プラグ102を挿入することができるジャック104を備える通信コネクター100の分解斜視図である。プラグ102は、一定長さのねじれ対通信ケーブル(図示せず)で終わっており、その一方でジャック104は、ねじれ対通信ケーブル又はパンチダウンブロック(いずれも図1には示されていない)の別の部品に接続することができる。
左側から右側へと示されるように、ジャック104は、主要ハウジング106と、8個のプラグインターフェース接触子112を支持するように構成された、底部前側スレッド108及び頂部前側スレッド110とを備えている。プラグインターフェース接点112は、前部からPCB114の貫通孔を介してPCB(印刷回路基板)と係合する。図示のように、8個のIDC(絶縁変位接触子)116は、PCB114内の追加の貫通孔を介して後部からPCB114と係合する。IDC116のための通路を有する後部ハウジング118は、ねじれ対通信ケーブル又はパンチダウンブロックにインターフェースを提供するように機能している。図1に示された一般的なコネクター100は、クロストーク性能を改善するためコネクター100になすことができる改善の次の説明のための背景としての用をなす。
図2の簡単化された概略図は、近傍端部クロストークを引き起こす主要な原因となるコネクターアッセンブリ300の部品、並びに、近傍端部クロストークを補償するため使用することができるコネクターアッセンブリ300の部品を概念的に示している。プラグ302及びプラグインターフェース接触子304は、一束のクロストークベクトル(図4参照)として近似することができる、各々の容量性及び誘導性クロストーク成分Cplug+Lplug及びCcontacts+Lcontactsに寄与している。PCB308上の補償領域306は、補償ベクトルを生成するためクロストーク補償を提供する。伝播遅延に起因して発生するに対するの位相シフトを明らかにするため、近傍端部クロストーク領域310(IDC312からPCB308の反対側で示されている)は、結合されたクロストーク上の位相シフトの効果を減少させるため追加のクロストークに寄与している。
図3は、時間軸上でベクトル及びを示している。なお、クロストークベクトル及びは補償ベクトルとは極性が反対である。時間軸に沿ったベクトルの相対的変位は、プラグ302がプラグインターフェース接触子304(伝播遅延T及びTを引き起こす)と合致するところの補償領域306及びクロストーク領域310間の物理的距離、並びに、割り込んだ伝達経路の比透磁率により引き起こされる。
図4は、極軸上でベクトル及びを示し、図3の時間軸に沿った変位は、クロストークベクトルに関する位相シフトに変換された。周波数が増大するとき、の位相シフトは、に向って成長し、の位相シフトは、とは反対方向に成長する。比較的小さい位相シフトに対しては、結合したクロストークは、補償領域及びクロストーク領域を設計することにより最小にすることができ、||が所望のヌル周波数で||におおよそ等しい。
約300MHzまでの周波数に対しては、図2乃至図4に示された多重領域クロストーク補償技術は、近傍端部クロストークに対するCat.6(TIA-568B)に従うために適している。しかし、より高い周波数では、この技術は満足のいくものではない。図解するために、図5は、極軸上でベクトル及びを示し、補償ベクトルを基準としている。結合されたクロストークを最小にするため、||は、||に近くなるように選択されるべきである。しかし、周波数が増大したとき、及びはより大きな位相シフトを経験し、図5の極軸上の垂直方向からより大きな角度で明白に示された、より大きな位相シフトを経験する。これらの増加する角度の余弦は減少しているので、||は、周波数が増大するとき||より相対的に小さくなり、満足のいかないコネクター性能をもたらす。この効果は、図6A乃至図6Cに示され、これらの図によれば||が周波数が増大するとき||より相対的に小さくなっている。
図7は、図2乃至図6に関して議論された技術を使用して典型的なCat.6コネクターの結合されたクロストーク性能を示している。なお、NEXTがTIA要求限界と交差する周波数が存在している。
上記技術を用いて実現可能である周波数を超えた状態でNEXT性能が適切であるように改善するため、典型的なカップリングに対して周波数に不釣り合いに大きくなる大きさを有する追加のカップリングをコネクター内に備えることができる。代替例として、現存するカップリングの一つは、他のカップリングに対して不釣合いに変化する大きさを有するように修正することができる。過去の典型的なコネクターカップリングは、容量性又は相互誘導性のいずれかであり、周波数に比例する大きさをもたらす(1ディケード当たり約20dB)。これらの典型的なコネクターカップリングの相対的大きさは、様々な周波数を通してほぼ同じままとなっている。他のカップリングに対して不釣合いに大きくなるカップリングを導入することによって、伝播遅延により引き起こされた位相シフトの補償(上記図2乃至図6C参照)は、より高い周波数を通して、結合したクロストークの成長を遅延させる。
図8A乃至図15及びそれらに関する説明は、周波数に応答して、典型的なカップリングと比較して不釣合いな率で成長する大きさを有する追加のカップリングの代替の実施手段を示している。他の実施手段も、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く使用することもできる。図8A乃至図10Cは、所望のカップリング特性を示すベクトル図である。図8A乃至図10Cの説明の後で、所望のカップリング特性を達成するための代替方法の説明が続く。
第1の実施手段によれば、追加のカップリングは、及びとは異なる周波数依存性を備えた大きさを有する第4のカップリングである。例えば、低い周波数では、及びは、1ディケード当たり約5dB等のより低い率で変化する。次に、より高い周波数(例えば、着目するヌル周波数よりも大きい周波数等)では、はより高い率(例えば1ディケード当たり30dB等)で変化し、その一方で、及びは1ディケード当たり20dBで比較的一定のままである。ヌル周波数で||−||が||+||と等しくなるように選択することによって、結合したクロストークは、図8Aに示されるように、低周波数でゼロの付近にある。図8Bは、周波数が増大するとき、||及び||の位相角度が増大し、その結果、||を相殺するため類似した垂直の大きさ成分をもたらすことを示している。しかし、より急速に成長する||は、減少する||を補償するように増大する。図8Cは、より高い相対周波数における、この効果を示している。
図9A乃至図9Cに示された第2の実施手段では、補償領域ベクトル||は、及びのものとは異なる周波数依存性を備えた大きさを持つように設計されている。例えば、低い周波数では、||及び||が1ディケード当たり20dBの率で変化する場合、||は、1ディケード当たり15dB等のより低い率で変化するように選択することができる。より高い周波数(例えば着目するヌル周波数よりも大きい周波数等)では、は、より高い率で負に変化することができ(例えば1ディケード当たり−30dB等)、その一方で及びは1ディケード当たり20dBで比較的一定のままである。図8A乃至図8Cに示された第1の実施手段とは対照的に、追加のカップリングは、この第2の実施手段では必要とされない。ヌル周波数で||を||+||に近く選択することによって、結合したクロストークは、低周波数でゼロ付近にある。周波数が増加するとき、||及び||は||より不釣合いに速く成長し、これによって、増加した周波数で||が||に近くなる(図9B及び図9C参照)。
図10A乃至図10Cに示される第3の実施手段では、カップリング||及び||は、ヌル周波数より高い周波数で||よりも大きい、大きさ周波数依存性を持つように選択される。例えば、低周波数では、||、||及び||は、全て1ディケード当たり20dBの率で変化することができる。高い周波数では、しかし、||及び||は、例えば1ディケード当たり25dB等のより高い率で変化するように選択することができ、その一方で、は、1ディケード当たり約20dBのままとなっている。着目するヌル周波数で||を||+||に近く選択することによって、結合したクロストークは、低周波数でゼロ付近にある。||及び||のより高い周波数依存性に起因して、より急速に成長する||及び||は、高い周波数の作動により引き起こされる増大した位相角度を通常発生させるように減少する||を補償することができる。かくして、低い結合クロストークを、図10A乃至図10Cに示されるように、より幅広い周波数範囲に亘って維持することができる。勿論、を変化させることは、プラグそれ自身への変化を要求しそうであり、これは幾つかの場合には受け入れることができない。しかし、のみを変化させることは、幾つかの利点を提供する。
上述した3つの実施手段は、可能な実施手段の単なる例にしか過ぎない。1ディケード当たりのdB単位で与えられる大きさの相対変化率は、コネクターアッセンブリの特定の構成及び材料に依存して、用途毎に変化し得る。加えて、周波数に亘る相対的な大きさ変化は、ヌル周波数又はその付近とは異なる周波数における性能を改善するため適用することができる。ヌル周波数は、上記例に対して選択された。それは高い周波数作動を改善するように調整をなす良好な開始点として機能するからである。現在の中心用途に対しては、ヌル周波数は、一般に100から250MHz付近に観察されている。異なるコネクター設計は、異なるヌル周波数を示す。
好ましい実施例では、通信ジャックは、プラグ中のプラグ接触子と電気的に接触するためのプラグインターフェース接触子を備え、プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子は、コネクターへのクロストークを導入する。クロストークは、通信される通信信号の周波数に基づく連係する第1の周波数依存性を有する。ジャックは、少なくとも2つのクロストーク補償領域を有し、該クロストーク補償領域の少なくとも1つは、プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子と連係する第1の周波数依存性とは実質的に異なる、連係する第2の周波数依存性を有するカップリングを備えている。第1の周波数依存性は、1ディケード当たり約20dBの大きさ変化である。第2の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約0dBから第2の周波数で1ディケード当たり約20dBまで大きさを変化させることである。第2の好ましい実施例では、第2の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約20dBから第2の周波数で1ディケード当たり約20dBより小さく大きさを変化させることである。最後的に、第3の好ましい実施例では、第2の周波数依存性は、1ディケード当たり20dBの大きさ変化であり、第1の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約20dBから第2の周波数で1ディケード当たり約25dBまで大きさを変化させることである。
大きさの周波数依存性への調整は、幾つかの代替技術を使用してなすことができる。次の説明は、これらの技術のうち5つを記載しているが、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く他の技術を使用することもできる。
カップリング代替手段#1
図11A乃至図11Cは、第1の実施例の例を示し、該実施例では、相互誘導カップリングと直列にコンデンサが配置されている。相互誘導カップリングは、図11Aに示されるようにコンデンサ、図11Bに示されるように自己誘導等価回路、及び、図11Cに示されるようにインピーダンス等価回路の各々を通って流れる電流の逆方向に電流を発生している。低周波数では、コンデンサを通るカップリングは低く、従ってインダクタンスの2次側に発生した逆電流もまた低くなっている。周波数が増大した状態では、コンデンサを通るカップリングは、インダクターの1次側を通る電流を増大させ、これにより、インダクターの2次側を通って、より高い逆電流を引き起こす。その結果、カップリングは周波数に比例して低下する。好ましい実施例では、図11Aに示された「釣り合った湧き出し源」1262は、3及び6であり、「釣り合った吸い込み源」1264は、4及び5である。図12は、本実施例の代替構成を示し、対3乃至4及び5乃至6が左側に示されている。
図13A乃至図13Cは、代替手段#1が、後方回転式プラグ接触子設計1300又は前方回転式プラグ接触子設計1302のいずれかで実行することができる。補償コンデンサがインターフェースPCB1304に実装されている場合において生じたカップリングを示す一例が、簡単化された等価回路1306に示されている。
図14A及び図14Bは、容量性カップリグを配置することができる、前方回転式設計1400と後方回転式設計1406における配置を示している。前方回転式設計1400では、コンデンサが、プラグ1402との物理的干渉を回避する仕方で先端ノーズ領域1404内に配置されている。後方回転式設計1406では、コンデンサは、前方回転式設計と比較したときプラグ1408の反対側にある先端ノーズ領域1410内に再び配置することができる。後方回転式設計1406に関しては、コンデンサは、プラグ1408の挿入と物理的に干渉しない限り、先端ノーズ領域1410の接触子の上方又は下方に配置することができる。図14A及び図14Bに示された位置は、容量性カップリングC35(対3及び5に由来)及びC46(対4及び6に由来)と、相互誘導性カップリングM43(対4及び3に由来)及びM56(対5及び6に由来)とを生じさせる。
図14Cは、図12に概略示されたように、カップリングを配置することができる代替の前方回転式設計1412における別の配置を示している。代替の前方回転式設計1412では、カップリングは、プラグ1414と、プラグインターフェース接触子1416との間の電気的接触子の位置により接近して配置されている。このより接近した位置は、プラグ1414からのプラグインターフェース接触子1416の反対側上にカップリングを配置することに起因している。これは、図14Aの先端ノーズ部1404に示されたコンダクターから、図24Aに示された可撓性PCB等のPCBへと誘導性補償部を動かすことにより達成された。これは、減少した伝播遅延を生じさせ、よって、減少した位相シフトを生じさせ、より良好なクロストーク性能を提供する。
カップリング代替手段#2
第2の代替実施手段では、カップリングは、他のカップリングに対して周波数と共に変化するコンデンサの形態を取る。そのようなコンデンサの一例が、周波数と共に変化する誘電率の誘電体を有するコンデンサである。
カップリング代替手段#3
第3の代替手段によれば、カップリングは、相対的周波数依存インダクタンスと相互に誘導性を持つ。そのようなインダクタンスの一例が、フェライト材料から構成される誘導性要素である。フェライト(例えば、酸化鉄及びニッケル−亜鉛又はマグネシウム)は、典型的に、100kHz付近から1GHz付近までの周波数で始まる周波数の関数として非常に変化する透磁率を示す。例えば、酸化鉄とニッケル−亜鉛との混合物は、1MHzから1GHzの範囲に亘って10から1500の範囲の初期透磁率を有する。
カップリング代替手段#4
第4の代替手段によれば、カップリングは、周波数依存性を持つ1つ以上の抵抗器と直列に接続されたコンデンサである。例えば、伝導体又は半導体の抵抗器は、高い周波数で抵抗を増加させるため表皮効果の利点を奏するように構成することができる。
カップリング代替手段#5
第5の代替手段によれば、コンデンサは、自己誘導性カップリングと直列に配置されている。より高い周波数において増大したインダクタンスは、コンデンサを通してより少ないカップリングを生じさせる。
図15は、図8A乃至図14に関して上記した本発明の技術を使用して得ることができる典型的なCat.6コネクターの結合クロストークの改善を示している。なお、NEXTがTIA568Bの要求限界と交差する周波数は、図7の周波数よりも遥かに高くなっている。
図2乃至図7を参照して説明された高周波数効果並びに許容可能な高周波数動作を達成するため上記解決法を実施する必要性は、主要にはプラグインターフェース接触子と第1の補償部との間の物理的距離から発生する。この距離を減少させることにより、より良好な性能(即ち、伝播遅延に起因したより少ない位相シフト)を、高い周波数で達成することができる。例えば、第1の補償位置から、プラグ/ジャックのインターフェースから約0.51cm(約0.200インチ)未満の位置まで移動させることは、より良好なクロストーク性能を提供する。図16乃至図28は、プラグインターフェース接触子と第1の補償部との間の距離を短くするためジャックになすことができる物理的変化を示している。これらの変化は、上述した技術の代わりに又は該技術と組み合わせてなすことができる。最適なクロストーク性能は、この組み合わせを実施することによりもたらされる。
図16は、接触子キャリア及び前側スレッド1604に配置された複数のプラグインターフェース接触子1602と、クロストーク補償領域(図示せず)に接続された接触子部1608を有する垂直インターフェースPCB1606と、を備える、前方回転式接触子構成1600を示す右側概略図である。典型的なプラグインターフェース接触子と比較したとき、プラグインターフェース接触子1602は、それらが垂直インターフェースPCB1606の接触子部1608と接触した状態に至るように、より長くなっている。その結果として、接触子部1608と、挿入されたプラグとプラグインターフェース接触子1602との間で接触がなされる位置との間の距離1610は、該距離1610を図17の距離1700と比較することにより理解することができるように、典型的なプラグインターフェース接触子のものよりもかなり小さくなっている。改善された設計は、プラグ接触子と第1の補償部との間のより短い距離を有するので、伝播遅延がより少なくなり、より小さな位相シフトをもたらす。これは、そのような設計無しで可能となるよりも高い周波数で、より良好なクロストーク補償及び作動を可能にする。なお、図17は、1702において示された誘導性カップリングを具備しており、該カップリングは、クロストーク補償を援助する。
図18は、上記コンセプトを用いるコネクタージャック1899の上右側分解斜視図である。ジャック1800は、底部前側スレッド1804と、頂部前側スレッド1808と、を備え、該スレッドの各々は、複数のプラグインターフェース接触子1806に機械的に取り付けられている。プラグインターフェース接触子1806の第1の端部1810は、インターフェースPCB1812内の貫通孔内に挿入されてもよく、第2の端部1814は、インターフェースPCB1812上の補償領域との接触を可能にするため典型的なジャックのためよりも長いプラグインターフェース接触子端部を備えている。底部前側スレッド1804と、プラグインターフェース接触子1806と、頂部前側スレッド1808と、インターフェースPCB1812とを備えるサブアッセンブリが、ハウジング1802内に挿入される。インターフェースPCB1812上の貫通穴内に挿入されるものは、複数のIDC1816である。後側スレッド1820は、ハウジング1802内にスナップ係合される。ワイヤ封じ込めキャップ1818は、後側スレッド1820を通してIDC1816への接続のための4対のねじれた対通信ケーブルを受け入れるように構成されている。ワイヤ封じ込めキャップ1818が、後側スレッド1820にスナップ係合され、一体化された通信ジャックアッセンブリを形成する。
上記技術は、プラグインターフェース接触子と第1の補償部との間の代替コンダクター経路を使用しているが、第2の技術は、プラグインターフェース接触子に可撓性PCBを取り付けることによりプラグ接触子位置により接近して第1の補償領域を配置する工程を備えている。一例として、パッドコンデンサを、容量性クロストーク補償を提供するため可撓性PCB上にエッチング形成してもよく、これにより、ジャックの電気的性能を改善することができる。
図19は、図20に示されるように、前側スレッド2002に載せられているプラグインターフェース接触子2000に可撓性PCB1900を取り付けるため使用することができる6個の指部1902を有する、6位置可撓性PCB1900を示している。6位置可撓性PCB1900が示されているが、8位置を実施する手段も可能である。6位置設計は、6位置RJ−45プラグが挿入されているとき標準RJ−45ジャックへの損傷を回避することが好ましい。標準RJ−45プラグは、6個の接触子よりも更に遠くへ突出するプラスチックを有し、該ジャック内のプラグインターフェース接触子を過度に押しのけかねない。6位置可撓性PCB1900は、プラグインターフェース接触子1及び8が、プラグインターフェース接触子2乃至7よりも更に遠くへ移動させることを可能にしている。可撓性PCB1900は、ポリエステル又はポリアミドに接着された銅の層から構成されるのが好ましい。クロストーク補償領域を形成するため様々な構成において銅を(エッチングにより)除去することができる。可撓性PCB1900の指部1902は、多数の任意の方法でプラグインターフェース接触子2000に取り付けることができる。取り付け技術は、例えば、超音波溶接又は加熱半田付け工程を含んでいてもよい。
図21及び図22は、可撓性PCB1900を上方又は下方に折り畳むことができることを示す斜視図である。他の配置及び構成も可能である。図22は、プラグインターフェース接触子2000に指部1902を取り付けるためのプラグインターフェース接触子2000の適切な領域を示している。指部1902の数に依存して、可撓性PCB1900は、旋回する適切な接触子に取り付けられる。
図23及び図24は、プラグインターフェース接触子がプラグの挿入に応答して移動するとき、可撓性PCB1900がジャック内で下方(図23)又は上方(図24)の偏向を経験することができることを示す、簡単化された右側断面図である。プラグがジャック内に挿入されるとき、可撓性PCB1900は、接触子が可撓性PCB1900に取り付けられるか否かに係らず、各接触子の自由な偏向に従う。可撓性PCB1900の指部は、プラグ接触子の終結部の高さのばらつきに起因した接触子の偏向の自然なばらつきにも適合する。図23の上方に偏向する可撓性PCB1900のためハウジング内にクリアランスを形成し、又は、図24の下方に変更する可撓性PCB1900のため前側頂部スレッド内にクリアランスを形成することが必要となり得る。なお、図23及び図24に示されるプラグインターフェース接触子2350の垂直に間隔を隔てたレイアウトは、追加の誘導性クロストーク補償を有利に提供する。このレイアウトが好ましいが、他のレイアウトを代替として使用することができる。
図24Aは、プラグインターフェース接触子2350上の可撓性PCB1900の代替配置を示す簡単化された右側断面図である。例えば、図14Cに示された設計を利用することができるこの代替配置では、可撓性PCB1900及びプラグ(図示せず)は、プラグインターフェース接触子2350の両側にある。これは、可撓性PCB1900上のカップリングが、プラグ接触子位置2370に非常に接近することを可能にし、その結果、伝播遅延を減少し、よって位相シフトを減少させる。これは、より良好なクロストーク性能を提供する。プラグが挿入されたときプラグインターフェース接触子2350の偏向を可能にするため、可撓性PCB1900は、プラグインターフェース接触子2350の下側部等、ジャックの他の部分との接触を回避するように設計することができる。
図25Aは、上右側斜視図であり、図25Bは、側面図であり、図25Cは、クロストーク補償を提供するため本発明に従って利用することができる可撓性PCB2400の一実施例の前面図である。PCB2400は、主要部2402と、指部2404等の取り付け指部と、を備える。主要部2402は、容量性カップリングを提供するため複数の容量性プレート(この場合には、プラグインターフェース接触子3〜6に対応して4つのプレート)を支持している。図25D〜Iに示されるように、容量性プレートへのリード線は、誘導性カップリング成分も提供する。指部2404は、例えば、図23から図24Aに示された枠組みの一つを使用して、プラグインターフェース接触子にPCB2400を取り付けるための取り付け機構として機能する。任意の適切な取り付け技術を使用することができるが、図示の実施例では、抵抗溶接リベット2406が使用される。PCB2400をプラグインターフェース接触子(又はプラグインターフェース接触子に接続された別のコンダクター)に取り付けることに加えて、リベット2406は、容量性プレート及びそれらのリード線のための接触子ポストとして機能する。これは、図25BからIに示されている。これらの図は、容量性プレート2412及びそれらのリード線(2408a〜d)の4つの層を示し、該層を通って、リベット2406が、指部2404に適切な接触子を作るため突出している。
図25Dは、図示を容易にするため、指部が曲がっていない形態にあるPCB2400の前面図である。図25Eは、図25DのラインA/Aに向ってPCB2400の底部から上方に眺めたときの容量性プレート及びリード線の断面図である。なお、図25Eは、容量性プレート及びリード線を単に支持するか又は誘電体もしくは絶縁体として機能するPCB2400の部分を示していない。図25DからIは、容量性プレート及びリード線が、比較的短い距離で誘導性カップリングの比較的高い密度を生じさせるため如何に互いに対して配置されているかを示している。例えば、図25Dでは、コンダクター5のための容量性プレート2412a及びリード線2408aが、横向きに「U」字形状を有するものとして示された最も頂上にあるプレート及びリード線である。同じ「U」字形状であるが、様々に配置された形状が、図25Dの破線及び実線により示されるように、コンダクター3、4及び6に対して使用されている。容量性プレートの物理的配置及び重なり合った容量性プレートが、容量性カップリングを決定している。同様に、リード線のお互いからの分離及び重なり合った長さは、誘導性カップリングの量を決定する。図25Eは、各々のリード線内の電流の流れの相対的方向を示し、該リード線は高い密度の誘導性カップリングを提供する。図25F乃至25Iは、各々、8コンダクタージャックの第5、第3、第6及び第4のコンダクターと各々連係する、リード線2408a〜d及び容量性プレート2412a〜dを示している。
図26は、可撓性PCBのコンセプトを用いるコネクタージャック2500の上右側分解斜視図である。ジャック2500は、底部前側スレッド2504と、頂部前側スレッド2508とを備え、各々が複数のプラグインターフェース接触子2506に機械式に取り付けられている。プラグインターフェース接触子2506の第1の端部2510は、インターフェースPCB2512の貫通孔内に挿入され、第2の端部2514はクロストーク補償を提供する可撓性PCB2516に取り付けられている。底部前側スレッド2504と、プラグインターフェース接触子2506と、頂部前側スレッド2508と、インターフェースPCB2512と、可撓性PCB2516とを備えるサブアッセンブリが、ハウジング2502内に挿入される。インターフェースPCB2512上の貫通穴内に挿入されるものは、複数のIDC2516である。後側スレッド2520は、ハウジング2502内にスナップ係合される。ワイヤ封じ込めキャップ2522は、後側スレッド2520を通してIDC2518への接続のための4対のねじれた対通信ケーブル(図示せず)を受け入れるように構成されている。ワイヤ封じ込めキャップ2522が、後側スレッド2520にスナップ係合され、一体化された通信ジャックアッセンブリを形成する。
図19乃至図26が可撓性PCBを参照して説明されているが、これは単なる一つの実施例であり、剛性PCBを使用した他の実施例又は他の補償の枠組みも、本発明の意図した範囲から逸脱すること無く可能となり得る。可撓性PCBは、幾つかのコネクター設計で存在し得る機械的拘束と合致することを援助することができる。
クロストーク補償領域と、プラグ及びプラグインターフェース接触子間のインターフェースとの間の距離を短くするための別の技術を図27乃至図29を参照して説明する。この第3の技術では、後方回転されるプラグインターフェース接触子設計は、プラグ及びプラグインターフェース接触子間のインターフェースに非常に近接したクロストーク補償を提供するため根底にある補償PCBと関連して使用される。その結果、伝播遅延は、クロストーク補償の位相シフトと同様に最小にされる。これは、クロストーク及び補償の領域の数を減少させることにより、全体的な補償の枠組みを簡単にし、高い周波数でより良好な作動を可能にする。
図27は、組み立てられたジャック2600の上右側斜視図である。ジャック2600は、プラグ(図示せず)を収容するように設計されたハウジング2602と、後側スレッド2604と、通信ケーブル(図示せず)を受け入れるように構成されたワイヤ封じ込めキャップ2606と、を備える。ハウジング2602と、後側スレッド2604と、ワイヤ封じ込めキャップ2606とは、組み立てられたジャック2600を形成するため一緒に掛かり止めされる。
図28は、ジャック2600の上右側斜視分解図である。図27を参照して説明された、ハウジング2602と、後側スレッド2604と、ワイヤ封じ込めキャップ2606とに加えて、ジャック2600は、補償PCB2710とインターフェースPCB2712とを支持するように設計されたPCB支持部2708を備えている。複数のプラグインターフェース接触子2714は、インターフェースPCB2712内の貫通孔に押し込められた第1の端部2716と、第2の端部2718とを有し、そのうちの少なくとも幾つかが、プラグがジャック2600内に受け入れられたとき補償PCB2710に沿って摺動する。複数のIDC2720は、インターフェースPCB2712内の貫通孔に挿入される。図29は、後側スレッド2604がハウジング2602にスナップ係合される前に、ハウジング2602内に挿入される、このプラグインターフェース接触子サブアッセンブリ(IDC2720を除く)のより接近した斜視図を示している。ジャック2600の組み立ては、ワイヤ封じ込めキャップ2606内に通信ケーブルを位置決めし、設置する各工程を備え、該キャップは、後側スレッド2604上にスナップ係合される。
図29に示されたプラグインターフェース接触子サブアッセンブリ(IDC無し)は、8位置プラグ又は6位置プラグのいずれとも適合するように設計されている。8位置プラグがジャック内に挿入されたとき、下方への力は接触子2乃至7を補償PCB2710に沿って摺動させる。接触子1及び8は、偏向させられるが、補償PCB2710に沿っては摺動しない。これとは対照的に、6位置プラグがジャック内に挿入されたとき、接触子2乃至7は、補償PCB2710に沿ってなおも摺動する。しかし、接触子1及び8は、6位置プラグ上の追加のプラスチック材料に起因して、接触子2乃至7より多く偏向する。プラグインターフェース接触子1及び8により提供された補償PCB2710に亘るクリアランスは、プラグ及びプラグインターフェース接触子2714の間で適切な通常力を維持しつつ、この追加の偏向を可能にしている。
補償回路のためのインダクタンス向上
図11A乃至図14Cを参照して上述された補償回路は、標準レイアウトと、周知の電気構成部品から構成された処理技術とを使用して実現することができる。加えて、これらの補償器として機能するため実質的な誘導特性を備えた相互インダクタンス回路を発生することは、回路のトレース線の長さに制限が置かれないとき、比較的簡単である。しかし、ジャックハウジング内でプラグインターフェース接触子に取り付けられたPCB基板により提供された限界スペースは、可能な限り短いトレース線内で最適な誘導特性を形成するため、新規な処理技術及び装置を必要としている。これらの技術は、制限されたPCB領域に関してトレース線を短くすることが要求されたにも係らず、位相遅延を補償回路内に有効に導入することを可能にするべきである。
一つの技術は、2つの信号トレース線の間の相互インダクタンスを増大させるため磁性フェライト材料を使用することである。磁気材料は、第1の信号トレース線内の電荷の移動に強く反応し、磁束を発生させる。この磁束は、磁気材料の磁極の方向に示され、第2の電気トレース線に伴って移動する電荷に影響を及ぼす。本質的には、磁気材料は、2つの信号トレース線を使用される鉄材料又は磁気材料の形状及び磁気特性により決定される度合いに電磁気的に連結させることができる媒体として機能する。図30は、通って延びている2つの信号トレース線3002のための外側インダクター要素として機能するフェライト材料構成3000の取り付け状態を示している。コア構成は、トレース線が該構成の下方を通過する状態で、幾つかのアーチの形状にある。代替例として、当該構成は、中実の半円柱形状を持っていてもよく、又は、幾つかの矩形状アーチの形態であってもよい。外側の磁気コアは、粉末鉄、鉄、ニッケル、鋼鉄又はこれらの材料の複合物から構成されてもよい。代替例として、外側の磁気コアは、電磁誘導特性を備えた別の磁性フェライト材料から構成されてもよい。磁気コアは、基板とは別個に製造されてもよく、PCB上の予め製作された箇所で、半田付けされ、接着され、又は、適所にスナップ係合されてもよい。この構成部品の取り付け作業は、PCB処理が完了した後、PCBの製造者の箇所とは異なる箇所で実行されてもよい。
図31は、信号トレース線の間の相互インダクタンスを増大させるため使用することができる別の方法を示している。図示の方法では、外側の構成部品は、トレース線の間の誘導性カップリングを発生させるため要求される。トレース線それ自体の形状は、2つの信号の間のカップリングを最大にするため変えられる。この例では、一つのトレース線3100は、第1の巻き線3102へと形成され、第2のトレース線3104は、第2の巻き線3106へと形成される。2つの巻き線は、特定化した量及び形状により重なり合い、トレース線の長さ当たりの2つのトレース線間の相互作用を増大させることを可能にする。代替例として、楕円又は矩形状の螺旋等の異なるトレース線の形状を、信号の間の誘導性カップリングを増加させるため使用することができる。
図32は、信号トレース線の間の相互インダクタンスを増加させるため使用することができる2つの類似の方法を示している。与えられた第1の方法のように、図32に示された方法は、2つの信号トレース線の間の誘導性カップリングを増大させるため磁気コア材料を利用している。一つの方法では、カップリングは、磁気カプラー3200を2つの平行トレース線3202及び3204に亘って直接磁気カプラーを配置することにより達成される。様々な技術を使用して磁気材料を基板の表面3206に塗布することができる。例えば、当該磁気材料を溶解し、これを落下分配器を使用して表面上に沈積させてもよく、又は、当該材料を転写してもよく、又は、当該材料を浸漬及びエッチングプロセスを使用して追加してもよく、又は、当該材料を引き伸ばしてもよく、又は、回路基板の表面上にパターン形成され局所化された材料の沈着を可能にする類似のプロセスを使用して磁気材料を追加してもよい。
図32に示された別の方法では、磁気カップリング材料は、基板内に製作された孔3208を通してPCB3206内に挿入されてもよい。これらの孔3208は、例えばスクリーンプロセスを使用して磁気材料3210で充填されてもよい。代替例として、磁気材料3210は、PCB内に圧入されてもよい。該孔3208は、空の箇所を充填するため使用される円柱状磁気プラグで環状に取り囲まれてもよい。代替例として、これらの孔は、磁気コア材料を通るトレース線の間の誘導性カップリングを可能にする異なる形状から構成することができる。
図32に示された両実施例では、磁気材料3210は、上述された材料等の任意の磁気フェライト材料であってもよい。加えて、磁気構成要素は、PCB製造プロセスへと理想的に組み込まれてもよい。しかし、磁気カプラーの追加は、基板がPCB製造者とは異なる箇所で形成された後にもたらされてもよい。
図33は、図32に示された実施例に類似した方法を示している。しかし、本実施例では、2つの信号トレース線3300及び3302は、PCB3304内の別個の層上で平行に配置される。孔3306は、信号トレース線3300及び3302に隣接してPCB3304内に形成され、磁気材料で充填される。信号トレース線3300及び3302は、それらが磁気コアの周りを取り囲むように置かれ、これによって、磁気材料により誘導されるカップリングの量を増大させる。代替例として、回路の電気的仕様により要求されるように、カップリングの量を増加又は減少のいずれかを実行する他のレイアウトを使用することができる。孔を磁気コア材料で充填することは、スクリーンプロセスを介して達成することができる。そのような処理は、基板の形成に続いて、PCB製造者とは異なる箇所でもたらされてもよいが、PCB孔3306の形成及び引き続く磁気材料の充填はPCB製造プロセスの間に達成することができる。
信号トレース線の間の相互インダクタンスを増加させるための別の方法が図34に示さ
れている。本方法では、信号トレース線3400は、通常の態様でPCB3402上に製作される。トレース線が形成された後、磁気コア材料の内部層3404は、基板の頂部におかれ、次にPCB材料3406の別の覆い層が置かれる。その結果、磁気材料の層を回路基板内に埋め込むことができる。代替例として、覆いPCB層3406の適用の前に、磁気コア材料の内部層3404をパターン形成し、選択的に除去することができる。これは、磁気材料を、増大した誘導性カップリングが望まれる特定の領域でのみ存在することを可能にし、関連性の無い信号トレースの間の故意でないカップリングも防止する。この種の回路の形成は、PCB製造者の箇所で実行される必要があり、基板内に磁気材料を組み込むため追加の処理工程を必要とし得る。
上記方法の全ては、PCB製造された回路内のトレース線長さ当たりの誘導性カップリングを増大させるため使用することができる。これらの方法は、モジュラー式通信ジャックにおいて高い周波数で伝播遅延効果を軽減するために必要となるクロストーク補償回路を実現させる。
前記した説明及び添付図面で与えられた教えの利点を有する本発明の多数の変形及び他の実施例が、本発明が属する技術分野の当業者に想到されよう。従って、本発明は、開示された特定の実施例に限定されるものではなく、多数の変形及び他の実施例が、本発明の精神及び範囲内に含まれることが理解されるべきである。特定の用語が本明細書で用いられているが、それらは、包括的及び説明の意味だけで使用されており、本発明を限定するものではない。
図1は、プラグ及びジャックを備える、通信コネクターの分解斜視図である。 図2は、近傍端部クロストークを引き起こす主要な原因となり、且つ、該クロストークを補償するコネクターアッセンブリの一部を示す簡単化された概略図である。 図3は、時間軸上でベクトル及びを示す概略ベクトル図である。 図4は、クロストークベクトルに関して、極軸上でベクトル及びの大きさ及び位相を示す概略ベクトル図である。 図5は、補償ベクトルに関して、極軸上でベクトル及びの大きさ及び位相を示す概略ベクトル図である。 図6Aは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図6Bは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図6Cは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図7は、TIA−568Bの要求に関連した典型的なCat.6通信コネクターのクロストーク性能を示す、近傍端部クロストーク対周波数のグラフである。 図8Aは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図8Bは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図8Cは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図9Aは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図9Bは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図9Cは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図10Aは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図10Bは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図10Cは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、と比較した||上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図11Aは、本発明の第1の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。図11Bは、本発明の第1の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。図11Cは、本発明の第1の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。 図12は、図11A乃至図11Cに示された第1の実施例の代替実施態様を示す概略図である。 図13Aは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図13Bは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図13Cは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図14Aは、本発明の一実施例に係る前方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図14Bは、本発明の一実施例に係る後方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図14Cは、本発明の代替実施例に係る前方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図15は、TIA−568Bの要求に関連した、本発明の一実施例に係る通信コネクターのクロストーク性能を示す、近傍端部クロストーク対周波数のグラフである。 図16は、 図17は、本発明の別の実施例に係る、通信ジャックにおける前方回転された接触子構成を示す右側面図である。 図18は、本発明の一実施例に係る、コネクタージャックの上右側分解斜視図である。 図19は、本発明の一実施例に係る、6位置可撓性PCBの上右側斜視図である。 図20は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子と上方に折り畳まれた可撓性PCBとを備えた前側スレッドの上右側斜視図である。 図21は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子と下方に折り畳まれた可撓性PCBとを備えた前側スレッドの上右側斜視図である。 図22は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子に取り付けられた上方に折り畳まれた可撓性PCBを示す、部分上右側斜視図である。 図23は、上側に折り畳まれた可撓性PCBの配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図24は、下側に折り畳まれた可撓性PCBの配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図24Aは、可撓性PCBの代替の配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図25Aは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性PCBの上右側斜視図である。 図25Bは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性PCBの側面図である。 図25Cは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性PCBの前面図である。 図25Dは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性PCBの前面図である。 図25Eは、本発明の一実施例に係る可撓性PCBにおける容量性のプレート及びリード線の断面図である。 図25Fは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性PCBにおける第1のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図25Gは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性PCBにおける第2のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図25Hは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性PCBにおける第3のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図25Iは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性PCBにおける第4のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図26は、本発明の一実施例に係る可撓性PCBを用いるコネクタージャックの上右側分解斜視図である。 図27は、本発明の一実施例に係る、組み立てられたジャックの上右側斜視図である。 図28は、本発明の一実施例に係るジャックの上右側分解斜視図である。 図29は、8位置プラグ又は6位置プラグに適合するように設計された、プラグインターフェース接触子サブアッセンブリ及びPCBの上右側斜視図である。 図30は、インダクターとして機能するフェライトの取り付けの簡単化された表現である。 図31は、カップリングを増加させるように変えられた2トレースの簡単化された表現である。 図32は、2組のトレースの簡単化された表現であって、該トレースの組の一方は、磁気カプラーを利用し、他方は、貫通孔に配置された磁気材料を利用している。 図33は、PCBの別個の層上に2つの平行トレースの簡単化された表現図である。 図34は、磁気材料の重なり合いを備えるPCB上のトレースの簡単化された表現図である。

Claims (27)

  1. 通信ジャックであって、
    プラグ内のプラグ接触子と電気的に接触するためのプラグインターフェース接触子であって、該プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子は、通信される通信信号の周波数に基づいて連係する第1の周波数依存性を有するクロストークを導入する、前記プラグインターフェース接触子と、
    複数のクロストーク補償領域であって、該クロストーク補償領域の少なくとも1つは、前記第1の周波数依存性とは実質的に異なる連係する第2の周波数依存性を有するカップリングを備えている、前記複数のクロストーク補償領域と、
    を備える、通信ジャック。
  2. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第1の領域と、追加のクロストーク補償を導入するための第2の領域と、備える、請求項1に記載の通信ジャック。
  3. 第1の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトルを持ち、前記第1の領域は、補償ベクトルを提供するため1つ以上のカップリングを備え、前記第2の領域により導入された前記追加のクロストーク補償は、連係する追加のクロストークベクトルを持ち、該クロストークベクトルは、ヌル周波数で前記補償ベクトル及び前記追加のクロストークベクトルの総和に大きさが略等しく、極性が反対である、請求項2に記載の通信ジャック。
  4. 前記クロストークベクトルは、前記第1の周波数よりも実質的に大きい第2の周波数で前記補償ベクトル及び前記追加のクロストークベクトルの総和に大きさが略等しく、極性が反対である、請求項3に記載の通信ジャック。
  5. 前記第1の周波数依存性は、1ディケード当たり約20dBの大きさの変化であり、前記第2の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約0dBから第2の周波数で1ディケード当たり約20dBまでの大きさの変化である、請求項1に記載の通信ジャック。
  6. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第1の領域と、追加のクロストークを導入するための第2の領域と、高い周波数で前記第1の領域の位相シフトを補償するための第3の領域と、を備え、前記第1及び第2の領域は、概ね前記第1の周波数依存性を持ち、前記第3の領域は、前記第1の周波数依存性とは実質的に異なる前記連係する第2の周波数依存性を概ね持っている、請求項1に記載の通信ジャック。
  7. 第1の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル|A|を持ち、前記第1の領域は、補償ベクトル|B|を提供するため1つ以上のカップリングを備え、前記第2の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル|C|を持ち、前記第3の領域は、位相シフト補償ベクトル|D|を提供するための1つ以上のカップリングを持ち、ヌル周波数で、|B|−|D|は|A|+|C|に略等しい、請求項6に記載の通信ジャック。
  8. 前記第1の周波数依存性は、1ディケード当たり約20dBの大きさの変化であり、前記第2の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約0dBから第2の周波数で1ディケード当たり約20dBまでの大きさの変化である、請求項6に記載の通信ジャ
    ック。
  9. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第1の領域と、追加のクロストークを導入するための第2の領域と、を備え、前記第2の領域は、概ね前記第1の周波数依存性を持ち、前記第1の領域は、前記第1の周波数依存性とは実質的に異なる前記連係する第2の周波数依存性を概ね持っている、請求項1に記載の通信ジャック。
  10. 第1の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル|A|を持ち、前記第1の領域は、補償ベクトル|B|を提供するため1つ以上のカップリングを備え、前記第2の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル|C|を持ち、ヌル周波数で、|B|は|A|+|C|に略等しくなるように選択される、請求項9に記載の通信ジャック。
  11. 前記第1の周波数依存性は、1ディケード当たり約20dBの大きさの変化であり、前記第2の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約0dBから第2の周波数で1ディケード当たり約20dBまでの大きさの変化である、請求項9に記載の通信ジャック。
  12. 第1の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル|A|を持ち、前記第1の領域は、補償ベクトル|B|を提供するため1つ以上のカップリングを備え、前記第2の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル|C|を持ち、ヌル周波数で、|B|は|A|+|C|に略等しくなるように選択される、請求項9に記載の通信ジャック。
  13. 前記第2の周波数依存性は、1ディケード当たり約20dBの大きさの変化であり、前記第1の周波数依存性は、第1の周波数で1ディケード当たり約20dBから第2の周波数で1ディケード当たり約25dBを超える大きさの変化である、請求項12に記載の通信ジャック。
  14. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、相互誘導性カップリングと直列に配置されたコンデンサを備える、請求項1に記載の通信ジャック。
  15. 前記コンデンサ及び前記相互誘導性カップリングは、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから前記プラグインターフェース接触子の反対側に配置されている、請求項14に記載の通信ジャック。
  16. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、前記ジャック内の他の静電容量に対して周波数と共に変化する静電容量を備えている、請求項1に記載の通信ジャック。
  17. 前記コンデンサは、周波数と共に変化する誘電率を有する、請求項1に記載の通信ジャック。
  18. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、前記ジャック内の他のインダクタンスに対して周波数と共に変化するインダクタンスを備えている、請求項1に記載の通信ジャック。
  19. 前記インダクタンスの素子は、フェライト材料を含む、請求項18に記載の通信ジャック。
  20. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、周波数依存性抵抗と直列に配置された静電容量を備えている、請求項1に記載の通信ジャック。
  21. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、自己誘導性カップリングと直列に配置された静電容量を備えている、請求項1に記載の通信ジャック。
  22. 前記クロストーク補償領域の少なくとも1つは、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから約0.51cm(約0.200インチ)未満の位置に配置されている、請求項1に記載の通信ジャック。
  23. 第1の回路基板及び第2の回路基板を更に備え、両方の基板は前記プラグインターフェース接触子の少なくとも幾つかと電気的に接触している、請求項1に記載の通信ジャック。
  24. 前記プラグインターフェース接触子は、前記第1の回路基板内に配置された貫通孔で終わっており、前記第2の回路基板は、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから約0.51cm(約0.200インチ)未満の位置で前記プラグインターフェース接触子に機械的及び電気的に接続された可撓性印刷回路である、請求項23に記載の通信ジャック。
  25. 前記プラグインターフェース接触子は、前記第1の回路基板内に配置された貫通孔で終わっており、前記第2の回路基板は、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから該プラグインターフェース接触子の反対側で機械的及び電気的に接続された可撓性印刷回路である、請求項23に記載の通信ジャック。
  26. 前記回路基板の少なくとも1つは、可撓性部材により前記プラグインターフェース接触子に取り付けられている、請求項1に記載の通信ジャック。
  27. 前記可撓性部材は前記プラグインターフェース接触子のうち2つを除く全てに取り付けられている、請求項26に記載の通信ジャック。
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