JP4758422B2 - クロストークを改善した電気コネクター - Google Patents

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Description

本出願は、２００４年４月６日に出願された米国仮出願シリアル番号６０／５５９，８４６号に優先権を主張する。その内容は、参照により本願に組み込まれる。
本発明は、概して、電気コネクターに係り、より詳しくは、高い周波数で伝搬遅延効果の影響をより受けにくいクロストーク補償を備えたモジュラー式通信ジャックの設計に関する。
通信産業では、データ伝送速度が着実に上昇してきたので、ジャック及び／又はプラグ内で近接して隔てられた平行コンダクター間の容量性及び誘導性連結に起因したクロストークが益々問題となってきている。改善したクロストークの性能を備えたモジュラー式コネクターは、益々需要が増した標準規格に合致するように設計された。これらの改善されたコネクターの多くは、米国特許番号５，９９７，３５８号に開示されたコンセプトを含んでおり、その全体的な内容は、ここで参照したことで本願に組み込まれる。特に、最近のコネクターは、近傍端部クロストーク（ＮＥＸＴ）を犯すことを相殺するため所定量のクロストーク補償を導入した。２段階以上の補償が、補償領域とプラグ／ジャックインターフェースとの間の距離から生じる伝搬遅延からの位相シフトを処置するため使用されている。その結果、犯したクロストークの大きさ及び位相は、総合すると等しい大きさであるが反対の位相を有する補償により相殺される。
５００ＭＨｚを超える伝送速度を始めとする最近の伝送速度は、‘３５８特許に開示された技術の能力を超えた。かくして、改善された補償技術が必要とされている。
図１は、プラグ１０２及び該プラグ１０２を挿入することができるジャック１０４を備える通信コネクター１００の分解斜視図である。プラグ１０２は、一定長さのねじれ対通信ケーブル(図示せず)で終わっており、その一方でジャック１０４は、ねじれ対通信ケーブル又はパンチダウンブロック（いずれも図１には示されていない）の別の部品に接続することができる。
左側から右側へと示されるように、ジャック１０４は、主要ハウジング１０６と、８個のプラグインターフェース接触子１１２を支持するように構成された、底部前側スレッド１０８及び頂部前側スレッド１１０とを備えている。プラグインターフェース接点１１２は、前部からＰＣＢ１１４の貫通孔を介してＰＣＢ（印刷回路基板）と係合する。図示のように、８個のＩＤＣ（絶縁変位接触子）１１６は、ＰＣＢ１１４内の追加の貫通孔を介して後部からＰＣＢ１１４と係合する。ＩＤＣ１１６のための通路を有する後部ハウジング１１８は、ねじれ対通信ケーブル又はパンチダウンブロックにインターフェースを提供するように機能している。図１に示された一般的なコネクター１００は、クロストーク性能を改善するためコネクター１００になすことができる改善の次の説明のための背景としての用をなす。
図２の簡単化された概略図は、近傍端部クロストークを引き起こす主要な原因となるコネクターアッセンブリ３００の部品、並びに、近傍端部クロストークを補償するため使用することができるコネクターアッセンブリ３００の部品を概念的に示している。プラグ３０２及びプラグインターフェース接触子３０４は、一束のクロストークベクトルＡ（図４参照）として近似することができる、各々の容量性及び誘導性クロストーク成分Ｃplug＋Ｌplug及びＣcontacts＋Ｌcontactsに寄与している。ＰＣＢ３０８上の補償領域３０６は、補償ベクトルＢを生成するためクロストーク補償を提供する。伝播遅延に起因して発生するＡに対するＢの位相シフトを明らかにするため、近傍端部クロストーク領域３１０（ＩＤＣ３１２からＰＣＢ３０８の反対側で示されている）は、結合されたクロストーク上の位相シフトの効果を減少させるため追加のクロストークＣに寄与している。
図３は、時間軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣを示している。なお、クロストークベクトルＡ及びＣは補償ベクトルＢとは極性が反対である。時間軸に沿ったベクトルの相対的変位は、プラグ３０２がプラグインターフェース接触子３０４（伝播遅延Ｔ１及びＴ２を引き起こす）と合致するところの補償領域３０６及びクロストーク領域３１０間の物理的距離、並びに、割り込んだ伝達経路の比透磁率により引き起こされる。
図４は、極軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣを示し、図３の時間軸に沿った変位は、クロストークベクトルＡに関する位相シフトに変換された。周波数が増大するとき、Ｂの位相シフトは、Ａに向って成長し、Ｃの位相シフトは、Ａとは反対方向に成長する。比較的小さい位相シフトに対しては、結合したクロストークは、補償領域及びクロストーク領域を設計することにより最小にすることができ、｜Ｂ＋Ｃ｜が所望のヌル周波数で｜Ａ｜におおよそ等しい。
約３００ＭＨｚまでの周波数に対しては、図２乃至図４に示された多重領域クロストーク補償技術は、近傍端部クロストークに対するCat.6（TIA-568B）に従うために適している。しかし、より高い周波数では、この技術は満足のいくものではない。図解するために、図５は、極軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣを示し、補償ベクトルＢを基準としている。結合されたクロストークを最小にするため、｜Ｂ｜は、｜Ａ＋Ｃ｜に近くなるように選択されるべきである。しかし、周波数が増大したとき、Ａ及びＣはより大きな位相シフトを経験し、図５の極軸上の垂直方向からより大きな角度で明白に示された、より大きな位相シフトを経験する。これらの増加する角度の余弦は減少しているので、｜Ａ＋Ｃ｜は、周波数が増大するとき｜Ｂ｜より相対的に小さくなり、満足のいかないコネクター性能をもたらす。この効果は、図６Ａ乃至図６Ｃに示され、これらの図によれば｜Ａ＋Ｃ｜が周波数が増大するとき｜Ｂ｜より相対的に小さくなっている。
図７は、図２乃至図６に関して議論された技術を使用して典型的なCat.6コネクターの結合されたクロストーク性能を示している。なお、ＮＥＸＴがＴＩＡ要求限界と交差する周波数が存在している。
上記技術を用いて実現可能である周波数を超えた状態でＮＥＸＴ性能が適切であるように改善するため、典型的なカップリングに対して周波数に不釣り合いに大きくなる大きさを有する追加のカップリングをコネクター内に備えることができる。代替例として、現存するカップリングの一つは、他のカップリングに対して不釣合いに変化する大きさを有するように修正することができる。過去の典型的なコネクターカップリングは、容量性又は相互誘導性のいずれかであり、周波数に比例する大きさをもたらす（１ディケード当たり約２０ｄＢ）。これらの典型的なコネクターカップリングの相対的大きさは、様々な周波数を通してほぼ同じままとなっている。他のカップリングに対して不釣合いに大きくなるカップリングを導入することによって、伝播遅延により引き起こされた位相シフトの補償（上記図２乃至図６Ｃ参照）は、より高い周波数を通して、結合したクロストークの成長を遅延させる。
図８Ａ乃至図１５及びそれらに関する説明は、周波数に応答して、典型的なカップリングと比較して不釣合いな率で成長する大きさを有する追加のカップリングの代替の実施手段を示している。他の実施手段も、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く使用することもできる。図８Ａ乃至図１０Ｃは、所望のカップリング特性を示すベクトル図である。図８Ａ乃至図１０Ｃの説明の後で、所望のカップリング特性を達成するための代替方法の説明が続く。
第１の実施手段によれば、追加のカップリングは、Ａ、Ｂ及びＣとは異なる周波数依存性を備えた大きさを有する第４のカップリングＤである。例えば、低い周波数では、Ａ、Ｂ及びＣは、１ディケード当たり約５ｄＢ等のより低い率で変化する。次に、より高い周波数（例えば、着目するヌル周波数よりも大きい周波数等）では、Ｄはより高い率（例えば１ディケード当たり３０ｄＢ等）で変化し、その一方で、Ａ、Ｂ及びＣは１ディケード当たり２０ｄＢで比較的一定のままである。ヌル周波数で｜Ｂ｜−｜Ｄ｜が｜Ａ｜＋｜Ｃ｜と等しくなるように選択することによって、結合したクロストークは、図８Ａに示されるように、低周波数でゼロの付近にある。図８Ｂは、周波数が増大するとき、｜Ａ｜及び｜Ｃ｜の位相角度が増大し、その結果、｜Ｂ｜を相殺するため類似した垂直の大きさ成分をもたらすことを示している。しかし、より急速に成長する｜Ｄ｜は、減少する｜Ａ＋Ｃ｜を補償するように増大する。図８Ｃは、より高い相対周波数における、この効果を示している。
図９Ａ乃至図９Ｃに示された第２の実施手段では、補償領域ベクトル｜Ｂ｜は、Ａ及びＣのものとは異なる周波数依存性を備えた大きさを持つように設計されている。例えば、低い周波数では、｜Ａ｜及び｜Ｃ｜が１ディケード当たり２０ｄＢの率で変化する場合、｜Ｂ｜は、１ディケード当たり１５ｄＢ等のより低い率で変化するように選択することができる。より高い周波数（例えば着目するヌル周波数よりも大きい周波数等）では、Ｂは、より高い率で負に変化することができ（例えば１ディケード当たり−３０ｄＢ等）、その一方でＡ及びＢは１ディケード当たり２０ｄＢで比較的一定のままである。図８Ａ乃至図８Ｃに示された第１の実施手段とは対照的に、追加のカップリングは、この第２の実施手段では必要とされない。ヌル周波数で｜Ｂ｜を｜Ａ｜＋｜Ｃ｜に近く選択することによって、結合したクロストークは、低周波数でゼロ付近にある。周波数が増加するとき、｜Ａ｜及び｜Ｃ｜は｜Ｂ｜より不釣合いに速く成長し、これによって、増加した周波数で｜Ｂ｜が｜Ａ＋Ｃ｜に近くなる（図９Ｂ及び図９Ｃ参照）。
図１０Ａ乃至図１０Ｃに示される第３の実施手段では、カップリング｜Ａ｜及び｜Ｃ｜は、ヌル周波数より高い周波数で｜Ｂ｜よりも大きい、大きさ周波数依存性を持つように選択される。例えば、低周波数では、｜Ａ｜、｜Ｂ｜及び｜Ｃ｜は、全て１ディケード当たり２０ｄＢの率で変化することができる。高い周波数では、しかし、｜Ａ｜及び｜Ｃ｜は、例えば１ディケード当たり２５ｄＢ等のより高い率で変化するように選択することができ、その一方で、Ｂは、１ディケード当たり約２０ｄＢのままとなっている。着目するヌル周波数で｜Ｂ｜を｜Ａ｜＋｜Ｃ｜に近く選択することによって、結合したクロストークは、低周波数でゼロ付近にある。｜Ａ｜及び｜Ｃ｜のより高い周波数依存性に起因して、より急速に成長する｜Ａ｜及び｜Ｃ｜は、高い周波数の作動により引き起こされる増大した位相角度を通常発生させるように減少する｜Ａ＋Ｃ｜を補償することができる。かくして、低い結合クロストークを、図１０Ａ乃至図１０Ｃに示されるように、より幅広い周波数範囲に亘って維持することができる。勿論、Ａを変化させることは、プラグそれ自身への変化を要求しそうであり、これは幾つかの場合には受け入れることができない。しかし、Ｃのみを変化させることは、幾つかの利点を提供する。
上述した３つの実施手段は、可能な実施手段の単なる例にしか過ぎない。１ディケード当たりのｄＢ単位で与えられる大きさの相対変化率は、コネクターアッセンブリの特定の構成及び材料に依存して、用途毎に変化し得る。加えて、周波数に亘る相対的な大きさ変化は、ヌル周波数又はその付近とは異なる周波数における性能を改善するため適用することができる。ヌル周波数は、上記例に対して選択された。それは高い周波数作動を改善するように調整をなす良好な開始点として機能するからである。現在の中心用途に対しては、ヌル周波数は、一般に１００から２５０ＭＨｚ付近に観察されている。異なるコネクター設計は、異なるヌル周波数を示す。
好ましい実施例では、通信ジャックは、プラグ中のプラグ接触子と電気的に接触するためのプラグインターフェース接触子を備え、プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子は、コネクターへのクロストークを導入する。クロストークは、通信される通信信号の周波数に基づく連係する第１の周波数依存性を有する。ジャックは、少なくとも２つのクロストーク補償領域を有し、該クロストーク補償領域の少なくとも１つは、プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子と連係する第１の周波数依存性とは実質的に異なる、連係する第２の周波数依存性を有するカップリングを備えている。第１の周波数依存性は、１ディケード当たり約２０ｄＢの大きさ変化である。第２の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢまで大きさを変化させることである。第２の好ましい実施例では、第２の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢより小さく大きさを変化させることである。最後的に、第３の好ましい実施例では、第２の周波数依存性は、１ディケード当たり２０ｄＢの大きさ変化であり、第１の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２５ｄＢまで大きさを変化させることである。
大きさの周波数依存性への調整は、幾つかの代替技術を使用してなすことができる。次の説明は、これらの技術のうち５つを記載しているが、本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く他の技術を使用することもできる。
カップリング代替手段＃１
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、第１の実施例の例を示し、該実施例では、相互誘導カップリングと直列にコンデンサが配置されている。相互誘導カップリングは、図１１Ａに示されるようにコンデンサ、図１１Ｂに示されるように自己誘導等価回路、及び、図１１Ｃに示されるようにインピーダンス等価回路の各々を通って流れる電流の逆方向に電流を発生している。低周波数では、コンデンサを通るカップリングは低く、従ってインダクタンスの２次側に発生した逆電流もまた低くなっている。周波数が増大した状態では、コンデンサを通るカップリングは、インダクターの１次側を通る電流を増大させ、これにより、インダクターの２次側を通って、より高い逆電流を引き起こす。その結果、カップリングは周波数に比例して低下する。好ましい実施例では、図１１Ａに示された「釣り合った湧き出し源」１２６２は、３及び６であり、「釣り合った吸い込み源」１２６４は、４及び５である。図１２は、本実施例の代替構成を示し、対３乃至４及び５乃至６が左側に示されている。
図１３Ａ乃至図１３Ｃは、代替手段＃１が、後方回転式プラグ接触子設計１３００又は前方回転式プラグ接触子設計１３０２のいずれかで実行することができる。補償コンデンサがインターフェースＰＣＢ１３０４に実装されている場合において生じたカップリングを示す一例が、簡単化された等価回路１３０６に示されている。
図１４Ａ及び図１４Ｂは、容量性カップリグを配置することができる、前方回転式設計１４００と後方回転式設計１４０６における配置を示している。前方回転式設計１４００では、コンデンサが、プラグ１４０２との物理的干渉を回避する仕方で先端ノーズ領域１４０４内に配置されている。後方回転式設計１４０６では、コンデンサは、前方回転式設計と比較したときプラグ１４０８の反対側にある先端ノーズ領域１４１０内に再び配置することができる。後方回転式設計１４０６に関しては、コンデンサは、プラグ１４０８の挿入と物理的に干渉しない限り、先端ノーズ領域１４１０の接触子の上方又は下方に配置することができる。図１４Ａ及び図１４Ｂに示された位置は、容量性カップリングＣ３５（対３及び５に由来）及びＣ４６（対４及び６に由来）と、相互誘導性カップリングＭ４３（対４及び３に由来）及びＭ５６（対５及び６に由来）とを生じさせる。
図１４Ｃは、図１２に概略示されたように、カップリングを配置することができる代替の前方回転式設計１４１２における別の配置を示している。代替の前方回転式設計１４１２では、カップリングは、プラグ１４１４と、プラグインターフェース接触子１４１６との間の電気的接触子の位置により接近して配置されている。このより接近した位置は、プラグ１４１４からのプラグインターフェース接触子１４１６の反対側上にカップリングを配置することに起因している。これは、図１４Ａの先端ノーズ部１４０４に示されたコンダクターから、図２４Ａに示された可撓性ＰＣＢ等のＰＣＢへと誘導性補償部を動かすことにより達成された。これは、減少した伝播遅延を生じさせ、よって、減少した位相シフトを生じさせ、より良好なクロストーク性能を提供する。
カップリング代替手段＃２
第２の代替実施手段では、カップリングは、他のカップリングに対して周波数と共に変化するコンデンサの形態を取る。そのようなコンデンサの一例が、周波数と共に変化する誘電率の誘電体を有するコンデンサである。
カップリング代替手段＃３
第３の代替手段によれば、カップリングは、相対的周波数依存インダクタンスと相互に誘導性を持つ。そのようなインダクタンスの一例が、フェライト材料から構成される誘導性要素である。フェライト（例えば、酸化鉄及びニッケル−亜鉛又はマグネシウム）は、典型的に、１００ｋＨｚ付近から１ＧＨｚ付近までの周波数で始まる周波数の関数として非常に変化する透磁率を示す。例えば、酸化鉄とニッケル−亜鉛との混合物は、１ＭＨｚから１ＧＨｚの範囲に亘って１０から１５００の範囲の初期透磁率を有する。
カップリング代替手段＃４
第４の代替手段によれば、カップリングは、周波数依存性を持つ１つ以上の抵抗器と直列に接続されたコンデンサである。例えば、伝導体又は半導体の抵抗器は、高い周波数で抵抗を増加させるため表皮効果の利点を奏するように構成することができる。
カップリング代替手段＃５
第５の代替手段によれば、コンデンサは、自己誘導性カップリングと直列に配置されている。より高い周波数において増大したインダクタンスは、コンデンサを通してより少ないカップリングを生じさせる。
図１５は、図８Ａ乃至図１４に関して上記した本発明の技術を使用して得ることができる典型的なＣａｔ．６コネクターの結合クロストークの改善を示している。なお、ＮＥＸＴがＴＩＡ５６８Ｂの要求限界と交差する周波数は、図７の周波数よりも遥かに高くなっている。
図２乃至図７を参照して説明された高周波数効果並びに許容可能な高周波数動作を達成するため上記解決法を実施する必要性は、主要にはプラグインターフェース接触子と第１の補償部との間の物理的距離から発生する。この距離を減少させることにより、より良好な性能（即ち、伝播遅延に起因したより少ない位相シフト）を、高い周波数で達成することができる。例えば、第１の補償位置から、プラグ／ジャックのインターフェースから約０．５１ｃｍ（約０．２００インチ）未満の位置まで移動させることは、より良好なクロストーク性能を提供する。図１６乃至図２８は、プラグインターフェース接触子と第１の補償部との間の距離を短くするためジャックになすことができる物理的変化を示している。これらの変化は、上述した技術の代わりに又は該技術と組み合わせてなすことができる。最適なクロストーク性能は、この組み合わせを実施することによりもたらされる。
図１６は、接触子キャリア及び前側スレッド１６０４に配置された複数のプラグインターフェース接触子１６０２と、クロストーク補償領域（図示せず）に接続された接触子部１６０８を有する垂直インターフェースＰＣＢ１６０６と、を備える、前方回転式接触子構成１６００を示す右側概略図である。典型的なプラグインターフェース接触子と比較したとき、プラグインターフェース接触子１６０２は、それらが垂直インターフェースＰＣＢ１６０６の接触子部１６０８と接触した状態に至るように、より長くなっている。その結果として、接触子部１６０８と、挿入されたプラグとプラグインターフェース接触子１６０２との間で接触がなされる位置との間の距離１６１０は、該距離１６１０を図１７の距離１７００と比較することにより理解することができるように、典型的なプラグインターフェース接触子のものよりもかなり小さくなっている。改善された設計は、プラグ接触子と第１の補償部との間のより短い距離を有するので、伝播遅延がより少なくなり、より小さな位相シフトをもたらす。これは、そのような設計無しで可能となるよりも高い周波数で、より良好なクロストーク補償及び作動を可能にする。なお、図１７は、１７０２において示された誘導性カップリングを具備しており、該カップリングは、クロストーク補償を援助する。
図１８は、上記コンセプトを用いるコネクタージャック１８９９の上右側分解斜視図である。ジャック１８００は、底部前側スレッド１８０４と、頂部前側スレッド１８０８と、を備え、該スレッドの各々は、複数のプラグインターフェース接触子１８０６に機械的に取り付けられている。プラグインターフェース接触子１８０６の第１の端部１８１０は、インターフェースＰＣＢ１８１２内の貫通孔内に挿入されてもよく、第２の端部１８１４は、インターフェースＰＣＢ１８１２上の補償領域との接触を可能にするため典型的なジャックのためよりも長いプラグインターフェース接触子端部を備えている。底部前側スレッド１８０４と、プラグインターフェース接触子１８０６と、頂部前側スレッド１８０８と、インターフェースＰＣＢ１８１２とを備えるサブアッセンブリが、ハウジング１８０２内に挿入される。インターフェースＰＣＢ１８１２上の貫通穴内に挿入されるものは、複数のＩＤＣ１８１６である。後側スレッド１８２０は、ハウジング１８０２内にスナップ係合される。ワイヤ封じ込めキャップ１８１８は、後側スレッド１８２０を通してＩＤＣ１８１６への接続のための４対のねじれた対通信ケーブルを受け入れるように構成されている。ワイヤ封じ込めキャップ１８１８が、後側スレッド１８２０にスナップ係合され、一体化された通信ジャックアッセンブリを形成する。
上記技術は、プラグインターフェース接触子と第１の補償部との間の代替コンダクター経路を使用しているが、第２の技術は、プラグインターフェース接触子に可撓性ＰＣＢを取り付けることによりプラグ接触子位置により接近して第１の補償領域を配置する工程を備えている。一例として、パッドコンデンサを、容量性クロストーク補償を提供するため可撓性ＰＣＢ上にエッチング形成してもよく、これにより、ジャックの電気的性能を改善することができる。
図１９は、図２０に示されるように、前側スレッド２００２に載せられているプラグインターフェース接触子２０００に可撓性ＰＣＢ１９００を取り付けるため使用することができる６個の指部１９０２を有する、６位置可撓性ＰＣＢ１９００を示している。６位置可撓性ＰＣＢ１９００が示されているが、８位置を実施する手段も可能である。６位置設計は、６位置ＲＪ−４５プラグが挿入されているとき標準ＲＪ−４５ジャックへの損傷を回避することが好ましい。標準ＲＪ−４５プラグは、６個の接触子よりも更に遠くへ突出するプラスチックを有し、該ジャック内のプラグインターフェース接触子を過度に押しのけかねない。６位置可撓性ＰＣＢ１９００は、プラグインターフェース接触子１及び８が、プラグインターフェース接触子２乃至７よりも更に遠くへ移動させることを可能にしている。可撓性ＰＣＢ１９００は、ポリエステル又はポリアミドに接着された銅の層から構成されるのが好ましい。クロストーク補償領域を形成するため様々な構成において銅を（エッチングにより）除去することができる。可撓性ＰＣＢ１９００の指部１９０２は、多数の任意の方法でプラグインターフェース接触子２０００に取り付けることができる。取り付け技術は、例えば、超音波溶接又は加熱半田付け工程を含んでいてもよい。
図２１及び図２２は、可撓性ＰＣＢ１９００を上方又は下方に折り畳むことができることを示す斜視図である。他の配置及び構成も可能である。図２２は、プラグインターフェース接触子２０００に指部１９０２を取り付けるためのプラグインターフェース接触子２０００の適切な領域を示している。指部１９０２の数に依存して、可撓性ＰＣＢ１９００は、旋回する適切な接触子に取り付けられる。
図２３及び図２４は、プラグインターフェース接触子がプラグの挿入に応答して移動するとき、可撓性ＰＣＢ１９００がジャック内で下方（図２３）又は上方（図２４）の偏向を経験することができることを示す、簡単化された右側断面図である。プラグがジャック内に挿入されるとき、可撓性ＰＣＢ１９００は、接触子が可撓性ＰＣＢ１９００に取り付けられるか否かに係らず、各接触子の自由な偏向に従う。可撓性ＰＣＢ１９００の指部は、プラグ接触子の終結部の高さのばらつきに起因した接触子の偏向の自然なばらつきにも適合する。図２３の上方に偏向する可撓性ＰＣＢ１９００のためハウジング内にクリアランスを形成し、又は、図２４の下方に変更する可撓性ＰＣＢ１９００のため前側頂部スレッド内にクリアランスを形成することが必要となり得る。なお、図２３及び図２４に示されるプラグインターフェース接触子２３５０の垂直に間隔を隔てたレイアウトは、追加の誘導性クロストーク補償を有利に提供する。このレイアウトが好ましいが、他のレイアウトを代替として使用することができる。
図２４Ａは、プラグインターフェース接触子２３５０上の可撓性ＰＣＢ１９００の代替配置を示す簡単化された右側断面図である。例えば、図１４Ｃに示された設計を利用することができるこの代替配置では、可撓性ＰＣＢ１９００及びプラグ（図示せず）は、プラグインターフェース接触子２３５０の両側にある。これは、可撓性ＰＣＢ１９００上のカップリングが、プラグ接触子位置２３７０に非常に接近することを可能にし、その結果、伝播遅延を減少し、よって位相シフトを減少させる。これは、より良好なクロストーク性能を提供する。プラグが挿入されたときプラグインターフェース接触子２３５０の偏向を可能にするため、可撓性ＰＣＢ１９００は、プラグインターフェース接触子２３５０の下側部等、ジャックの他の部分との接触を回避するように設計することができる。
図２５Ａは、上右側斜視図であり、図２５Ｂは、側面図であり、図２５Ｃは、クロストーク補償を提供するため本発明に従って利用することができる可撓性ＰＣＢ２４００の一実施例の前面図である。ＰＣＢ２４００は、主要部２４０２と、指部２４０４等の取り付け指部と、を備える。主要部２４０２は、容量性カップリングを提供するため複数の容量性プレート（この場合には、プラグインターフェース接触子３〜６に対応して４つのプレート）を支持している。図２５Ｄ〜Ｉに示されるように、容量性プレートへのリード線は、誘導性カップリング成分も提供する。指部２４０４は、例えば、図２３から図２４Ａに示された枠組みの一つを使用して、プラグインターフェース接触子にＰＣＢ２４００を取り付けるための取り付け機構として機能する。任意の適切な取り付け技術を使用することができるが、図示の実施例では、抵抗溶接リベット２４０６が使用される。ＰＣＢ２４００をプラグインターフェース接触子（又はプラグインターフェース接触子に接続された別のコンダクター）に取り付けることに加えて、リベット２４０６は、容量性プレート及びそれらのリード線のための接触子ポストとして機能する。これは、図２５ＢからＩに示されている。これらの図は、容量性プレート２４１２及びそれらのリード線（２４０８ａ〜ｄ）の４つの層を示し、該層を通って、リベット２４０６が、指部２４０４に適切な接触子を作るため突出している。
図２５Ｄは、図示を容易にするため、指部が曲がっていない形態にあるＰＣＢ２４００の前面図である。図２５Ｅは、図２５ＤのラインＡ／Ａに向ってＰＣＢ２４００の底部から上方に眺めたときの容量性プレート及びリード線の断面図である。なお、図２５Ｅは、容量性プレート及びリード線を単に支持するか又は誘電体もしくは絶縁体として機能するＰＣＢ２４００の部分を示していない。図２５ＤからＩは、容量性プレート及びリード線が、比較的短い距離で誘導性カップリングの比較的高い密度を生じさせるため如何に互いに対して配置されているかを示している。例えば、図２５Ｄでは、コンダクター５のための容量性プレート２４１２ａ及びリード線２４０８ａが、横向きに「Ｕ」字形状を有するものとして示された最も頂上にあるプレート及びリード線である。同じ「Ｕ」字形状であるが、様々に配置された形状が、図２５Ｄの破線及び実線により示されるように、コンダクター３、４及び６に対して使用されている。容量性プレートの物理的配置及び重なり合った容量性プレートが、容量性カップリングを決定している。同様に、リード線のお互いからの分離及び重なり合った長さは、誘導性カップリングの量を決定する。図２５Ｅは、各々のリード線内の電流の流れの相対的方向を示し、該リード線は高い密度の誘導性カップリングを提供する。図２５Ｆ乃至２５Ｉは、各々、８コンダクタージャックの第５、第３、第６及び第４のコンダクターと各々連係する、リード線２４０８ａ〜ｄ及び容量性プレート２４１２ａ〜ｄを示している。
図２６は、可撓性ＰＣＢのコンセプトを用いるコネクタージャック２５００の上右側分解斜視図である。ジャック２５００は、底部前側スレッド２５０４と、頂部前側スレッド２５０８とを備え、各々が複数のプラグインターフェース接触子２５０６に機械式に取り付けられている。プラグインターフェース接触子２５０６の第１の端部２５１０は、インターフェースＰＣＢ２５１２の貫通孔内に挿入され、第２の端部２５１４はクロストーク補償を提供する可撓性ＰＣＢ２５１６に取り付けられている。底部前側スレッド２５０４と、プラグインターフェース接触子２５０６と、頂部前側スレッド２５０８と、インターフェースＰＣＢ２５１２と、可撓性ＰＣＢ２５１６とを備えるサブアッセンブリが、ハウジング２５０２内に挿入される。インターフェースＰＣＢ２５１２上の貫通穴内に挿入されるものは、複数のＩＤＣ２５１６である。後側スレッド２５２０は、ハウジング２５０２内にスナップ係合される。ワイヤ封じ込めキャップ２５２２は、後側スレッド２５２０を通してＩＤＣ２５１８への接続のための４対のねじれた対通信ケーブル（図示せず）を受け入れるように構成されている。ワイヤ封じ込めキャップ２５２２が、後側スレッド２５２０にスナップ係合され、一体化された通信ジャックアッセンブリを形成する。
図１９乃至図２６が可撓性ＰＣＢを参照して説明されているが、これは単なる一つの実施例であり、剛性ＰＣＢを使用した他の実施例又は他の補償の枠組みも、本発明の意図した範囲から逸脱すること無く可能となり得る。可撓性ＰＣＢは、幾つかのコネクター設計で存在し得る機械的拘束と合致することを援助することができる。
クロストーク補償領域と、プラグ及びプラグインターフェース接触子間のインターフェースとの間の距離を短くするための別の技術を図２７乃至図２９を参照して説明する。この第３の技術では、後方回転されるプラグインターフェース接触子設計は、プラグ及びプラグインターフェース接触子間のインターフェースに非常に近接したクロストーク補償を提供するため根底にある補償ＰＣＢと関連して使用される。その結果、伝播遅延は、クロストーク補償の位相シフトと同様に最小にされる。これは、クロストーク及び補償の領域の数を減少させることにより、全体的な補償の枠組みを簡単にし、高い周波数でより良好な作動を可能にする。
図２７は、組み立てられたジャック２６００の上右側斜視図である。ジャック２６００は、プラグ（図示せず）を収容するように設計されたハウジング２６０２と、後側スレッド２６０４と、通信ケーブル（図示せず）を受け入れるように構成されたワイヤ封じ込めキャップ２６０６と、を備える。ハウジング２６０２と、後側スレッド２６０４と、ワイヤ封じ込めキャップ２６０６とは、組み立てられたジャック２６００を形成するため一緒に掛かり止めされる。
図２８は、ジャック２６００の上右側斜視分解図である。図２７を参照して説明された、ハウジング２６０２と、後側スレッド２６０４と、ワイヤ封じ込めキャップ２６０６とに加えて、ジャック２６００は、補償ＰＣＢ２７１０とインターフェースＰＣＢ２７１２とを支持するように設計されたＰＣＢ支持部２７０８を備えている。複数のプラグインターフェース接触子２７１４は、インターフェースＰＣＢ２７１２内の貫通孔に押し込められた第１の端部２７１６と、第２の端部２７１８とを有し、そのうちの少なくとも幾つかが、プラグがジャック２６００内に受け入れられたとき補償ＰＣＢ２７１０に沿って摺動する。複数のＩＤＣ２７２０は、インターフェースＰＣＢ２７１２内の貫通孔に挿入される。図２９は、後側スレッド２６０４がハウジング２６０２にスナップ係合される前に、ハウジング２６０２内に挿入される、このプラグインターフェース接触子サブアッセンブリ（ＩＤＣ２７２０を除く）のより接近した斜視図を示している。ジャック２６００の組み立ては、ワイヤ封じ込めキャップ２６０６内に通信ケーブルを位置決めし、設置する各工程を備え、該キャップは、後側スレッド２６０４上にスナップ係合される。
図２９に示されたプラグインターフェース接触子サブアッセンブリ（ＩＤＣ無し）は、８位置プラグ又は６位置プラグのいずれとも適合するように設計されている。８位置プラグがジャック内に挿入されたとき、下方への力は接触子２乃至７を補償ＰＣＢ２７１０に沿って摺動させる。接触子１及び８は、偏向させられるが、補償ＰＣＢ２７１０に沿っては摺動しない。これとは対照的に、６位置プラグがジャック内に挿入されたとき、接触子２乃至７は、補償ＰＣＢ２７１０に沿ってなおも摺動する。しかし、接触子１及び８は、６位置プラグ上の追加のプラスチック材料に起因して、接触子２乃至７より多く偏向する。プラグインターフェース接触子１及び８により提供された補償ＰＣＢ２７１０に亘るクリアランスは、プラグ及びプラグインターフェース接触子２７１４の間で適切な通常力を維持しつつ、この追加の偏向を可能にしている。
補償回路のためのインダクタンス向上
図１１Ａ乃至図１４Ｃを参照して上述された補償回路は、標準レイアウトと、周知の電気構成部品から構成された処理技術とを使用して実現することができる。加えて、これらの補償器として機能するため実質的な誘導特性を備えた相互インダクタンス回路を発生することは、回路のトレース線の長さに制限が置かれないとき、比較的簡単である。しかし、ジャックハウジング内でプラグインターフェース接触子に取り付けられたＰＣＢ基板により提供された限界スペースは、可能な限り短いトレース線内で最適な誘導特性を形成するため、新規な処理技術及び装置を必要としている。これらの技術は、制限されたＰＣＢ領域に関してトレース線を短くすることが要求されたにも係らず、位相遅延を補償回路内に有効に導入することを可能にするべきである。
一つの技術は、２つの信号トレース線の間の相互インダクタンスを増大させるため磁性フェライト材料を使用することである。磁気材料は、第１の信号トレース線内の電荷の移動に強く反応し、磁束を発生させる。この磁束は、磁気材料の磁極の方向に示され、第２の電気トレース線に伴って移動する電荷に影響を及ぼす。本質的には、磁気材料は、２つの信号トレース線を使用される鉄材料又は磁気材料の形状及び磁気特性により決定される度合いに電磁気的に連結させることができる媒体として機能する。図３０は、通って延びている２つの信号トレース線３００２のための外側インダクター要素として機能するフェライト材料構成３０００の取り付け状態を示している。コア構成は、トレース線が該構成の下方を通過する状態で、幾つかのアーチの形状にある。代替例として、当該構成は、中実の半円柱形状を持っていてもよく、又は、幾つかの矩形状アーチの形態であってもよい。外側の磁気コアは、粉末鉄、鉄、ニッケル、鋼鉄又はこれらの材料の複合物から構成されてもよい。代替例として、外側の磁気コアは、電磁誘導特性を備えた別の磁性フェライト材料から構成されてもよい。磁気コアは、基板とは別個に製造されてもよく、ＰＣＢ上の予め製作された箇所で、半田付けされ、接着され、又は、適所にスナップ係合されてもよい。この構成部品の取り付け作業は、ＰＣＢ処理が完了した後、ＰＣＢの製造者の箇所とは異なる箇所で実行されてもよい。
図３１は、信号トレース線の間の相互インダクタンスを増大させるため使用することができる別の方法を示している。図示の方法では、外側の構成部品は、トレース線の間の誘導性カップリングを発生させるため要求される。トレース線それ自体の形状は、２つの信号の間のカップリングを最大にするため変えられる。この例では、一つのトレース線３１００は、第１の巻き線３１０２へと形成され、第２のトレース線３１０４は、第２の巻き線３１０６へと形成される。２つの巻き線は、特定化した量及び形状により重なり合い、トレース線の長さ当たりの２つのトレース線間の相互作用を増大させることを可能にする。代替例として、楕円又は矩形状の螺旋等の異なるトレース線の形状を、信号の間の誘導性カップリングを増加させるため使用することができる。
図３２は、信号トレース線の間の相互インダクタンスを増加させるため使用することができる２つの類似の方法を示している。与えられた第１の方法のように、図３２に示された方法は、２つの信号トレース線の間の誘導性カップリングを増大させるため磁気コア材料を利用している。一つの方法では、カップリングは、磁気カプラー３２００を２つの平行トレース線３２０２及び３２０４に亘って直接磁気カプラーを配置することにより達成される。様々な技術を使用して磁気材料を基板の表面３２０６に塗布することができる。例えば、当該磁気材料を溶解し、これを落下分配器を使用して表面上に沈積させてもよく、又は、当該材料を転写してもよく、又は、当該材料を浸漬及びエッチングプロセスを使用して追加してもよく、又は、当該材料を引き伸ばしてもよく、又は、回路基板の表面上にパターン形成され局所化された材料の沈着を可能にする類似のプロセスを使用して磁気材料を追加してもよい。
図３２に示された別の方法では、磁気カップリング材料は、基板内に製作された孔３２０８を通してＰＣＢ３２０６内に挿入されてもよい。これらの孔３２０８は、例えばスクリーンプロセスを使用して磁気材料３２１０で充填されてもよい。代替例として、磁気材料３２１０は、ＰＣＢ内に圧入されてもよい。該孔３２０８は、空の箇所を充填するため使用される円柱状磁気プラグで環状に取り囲まれてもよい。代替例として、これらの孔は、磁気コア材料を通るトレース線の間の誘導性カップリングを可能にする異なる形状から構成することができる。
図３２に示された両実施例では、磁気材料３２１０は、上述された材料等の任意の磁気フェライト材料であってもよい。加えて、磁気構成要素は、ＰＣＢ製造プロセスへと理想的に組み込まれてもよい。しかし、磁気カプラーの追加は、基板がＰＣＢ製造者とは異なる箇所で形成された後にもたらされてもよい。
図３３は、図３２に示された実施例に類似した方法を示している。しかし、本実施例では、２つの信号トレース線３３００及び３３０２は、ＰＣＢ３３０４内の別個の層上で平行に配置される。孔３３０６は、信号トレース線３３００及び３３０２に隣接してＰＣＢ３３０４内に形成され、磁気材料で充填される。信号トレース線３３００及び３３０２は、それらが磁気コアの周りを取り囲むように置かれ、これによって、磁気材料により誘導されるカップリングの量を増大させる。代替例として、回路の電気的仕様により要求されるように、カップリングの量を増加又は減少のいずれかを実行する他のレイアウトを使用することができる。孔を磁気コア材料で充填することは、スクリーンプロセスを介して達成することができる。そのような処理は、基板の形成に続いて、ＰＣＢ製造者とは異なる箇所でもたらされてもよいが、ＰＣＢ孔３３０６の形成及び引き続く磁気材料の充填はＰＣＢ製造プロセスの間に達成することができる。
信号トレース線の間の相互インダクタンスを増加させるための別の方法が図３４に示さ
れている。本方法では、信号トレース線３４００は、通常の態様でＰＣＢ３４０２上に製作される。トレース線が形成された後、磁気コア材料の内部層３４０４は、基板の頂部におかれ、次にＰＣＢ材料３４０６の別の覆い層が置かれる。その結果、磁気材料の層を回路基板内に埋め込むことができる。代替例として、覆いＰＣＢ層３４０６の適用の前に、磁気コア材料の内部層３４０４をパターン形成し、選択的に除去することができる。これは、磁気材料を、増大した誘導性カップリングが望まれる特定の領域でのみ存在することを可能にし、関連性の無い信号トレースの間の故意でないカップリングも防止する。この種の回路の形成は、ＰＣＢ製造者の箇所で実行される必要があり、基板内に磁気材料を組み込むため追加の処理工程を必要とし得る。
上記方法の全ては、ＰＣＢ製造された回路内のトレース線長さ当たりの誘導性カップリングを増大させるため使用することができる。これらの方法は、モジュラー式通信ジャックにおいて高い周波数で伝播遅延効果を軽減するために必要となるクロストーク補償回路を実現させる。
前記した説明及び添付図面で与えられた教えの利点を有する本発明の多数の変形及び他の実施例が、本発明が属する技術分野の当業者に想到されよう。従って、本発明は、開示された特定の実施例に限定されるものではなく、多数の変形及び他の実施例が、本発明の精神及び範囲内に含まれることが理解されるべきである。特定の用語が本明細書で用いられているが、それらは、包括的及び説明の意味だけで使用されており、本発明を限定するものではない。
図１は、プラグ及びジャックを備える、通信コネクターの分解斜視図である。 図２は、近傍端部クロストークを引き起こす主要な原因となり、且つ、該クロストークを補償するコネクターアッセンブリの一部を示す簡単化された概略図である。 図３は、時間軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣを示す概略ベクトル図である。 図４は、クロストークベクトルＡに関して、極軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣの大きさ及び位相を示す概略ベクトル図である。 図５は、補償ベクトルＢに関して、極軸上でベクトルＡ、Ｂ及びＣの大きさ及び位相を示す概略ベクトル図である。 図６Ａは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図６Ｂは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図６Ｃは、周波数が典型的な通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図７は、ＴＩＡ−５６８Ｂの要求に関連した典型的なCat.6通信コネクターのクロストーク性能を示す、近傍端部クロストーク対周波数のグラフである。 図８Ａは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ＋Ｄ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図８Ｂは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ＋Ｄ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図８Ｃは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ＋Ｄ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図９Ａは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図９Ｂは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図９Ｃは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図１０Ａは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図１０Ｂは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。図１０Ｃは、周波数が本発明の実施例を用いる通信コネクターに対して増大するとき、Ｂと比較した｜Ａ＋Ｃ｜上の効果を示す概略ベクトル極性図である。 図１１Ａは、本発明の第１の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。図１１Ｂは、本発明の第１の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。図１１Ｃは、本発明の第１の実施例を示す、等価回路表現を備える概略図である。 図１２は、図１１Ａ乃至図１１Ｃに示された第１の実施例の代替実施態様を示す概略図である。 図１３Ａは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図１３Ｂは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図１３Ｃは、後方回転された接触領域と、前方回転された接触領域と、本発明の実施例を示した対応する等価回路表現と、を示す簡単化した概略図である。 図１４Ａは、本発明の一実施例に係る前方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図１４Ｂは、本発明の一実施例に係る後方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図１４Ｃは、本発明の代替実施例に係る前方回転された接触領域を示す部分斜視図である。 図１５は、ＴＩＡ−５６８Ｂの要求に関連した、本発明の一実施例に係る通信コネクターのクロストーク性能を示す、近傍端部クロストーク対周波数のグラフである。 図１６は、 図１７は、本発明の別の実施例に係る、通信ジャックにおける前方回転された接触子構成を示す右側面図である。 図１８は、本発明の一実施例に係る、コネクタージャックの上右側分解斜視図である。 図１９は、本発明の一実施例に係る、６位置可撓性ＰＣＢの上右側斜視図である。 図２０は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子と上方に折り畳まれた可撓性ＰＣＢとを備えた前側スレッドの上右側斜視図である。 図２１は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子と下方に折り畳まれた可撓性ＰＣＢとを備えた前側スレッドの上右側斜視図である。 図２２は、本発明の一実施例に係る、プラグインターフェース接触子に取り付けられた上方に折り畳まれた可撓性ＰＣＢを示す、部分上右側斜視図である。 図２３は、上側に折り畳まれた可撓性ＰＣＢの配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図２４は、下側に折り畳まれた可撓性ＰＣＢの配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図２４Ａは、可撓性ＰＣＢの代替の配列を示す、通信コネクターの一部分の簡単化された右側断面図である。 図２５Ａは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性ＰＣＢの上右側斜視図である。 図２５Ｂは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性ＰＣＢの側面図である。 図２５Ｃは、本発明の一実施例に従って利用可能である可撓性ＰＣＢの前面図である。 図２５Ｄは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性ＰＣＢの前面図である。 図２５Ｅは、本発明の一実施例に係る可撓性ＰＣＢにおける容量性のプレート及びリード線の断面図である。 図２５Ｆは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性ＰＣＢにおける第１のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図２５Ｇは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性ＰＣＢにおける第２のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図２５Ｈは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性ＰＣＢにおける第３のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図２５Ｉは、本発明の一実施例に係る、指部が曲げられていない形態にある可撓性ＰＣＢにおける第４のリード線及び容量性プレートの前面図である。 図２６は、本発明の一実施例に係る可撓性ＰＣＢを用いるコネクタージャックの上右側分解斜視図である。 図２７は、本発明の一実施例に係る、組み立てられたジャックの上右側斜視図である。 図２８は、本発明の一実施例に係るジャックの上右側分解斜視図である。 図２９は、８位置プラグ又は６位置プラグに適合するように設計された、プラグインターフェース接触子サブアッセンブリ及びＰＣＢの上右側斜視図である。 図３０は、インダクターとして機能するフェライトの取り付けの簡単化された表現である。 図３１は、カップリングを増加させるように変えられた２トレースの簡単化された表現である。 図３２は、２組のトレースの簡単化された表現であって、該トレースの組の一方は、磁気カプラーを利用し、他方は、貫通孔に配置された磁気材料を利用している。 図３３は、ＰＣＢの別個の層上に２つの平行トレースの簡単化された表現図である。 図３４は、磁気材料の重なり合いを備えるＰＣＢ上のトレースの簡単化された表現図である。

Claims (27)

  1. 通信ジャックであって、
    プラグ内のプラグ接触子と電気的に接触するためのプラグインターフェース接触子であって、該プラグインターフェース接触子及びプラグ接触子は、通信される通信信号の周波数に基づいて連係する第１の周波数依存性を有するクロストークを導入する、前記プラグインターフェース接触子と、
    複数のクロストーク補償領域であって、該クロストーク補償領域の少なくとも１つは、前記第１の周波数依存性とは実質的に異なる連係する第２の周波数依存性を有するカップリングを備えている、前記複数のクロストーク補償領域と、
    を備える、通信ジャック。
  2. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第１の領域と、追加のクロストーク補償を導入するための第２の領域と、備える、請求項１に記載の通信ジャック。
  3. 第１の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトルを持ち、前記第１の領域は、補償ベクトルを提供するため１つ以上のカップリングを備え、前記第２の領域により導入された前記追加のクロストーク補償は、連係する追加のクロストークベクトルを持ち、該クロストークベクトルは、ヌル周波数で前記補償ベクトル及び前記追加のクロストークベクトルの総和に大きさが略等しく、極性が反対である、請求項２に記載の通信ジャック。
  4. 前記クロストークベクトルは、前記第１の周波数よりも実質的に大きい第２の周波数で前記補償ベクトル及び前記追加のクロストークベクトルの総和に大きさが略等しく、極性が反対である、請求項３に記載の通信ジャック。
  5. 前記第１の周波数依存性は、１ディケード当たり約２０ｄＢの大きさの変化であり、前記第２の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢまでの大きさの変化である、請求項１に記載の通信ジャック。
  6. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第１の領域と、追加のクロストークを導入するための第２の領域と、高い周波数で前記第１の領域の位相シフトを補償するための第３の領域と、を備え、前記第１及び第２の領域は、概ね前記第１の周波数依存性を持ち、前記第３の領域は、前記第１の周波数依存性とは実質的に異なる前記連係する第２の周波数依存性を概ね持っている、請求項１に記載の通信ジャック。
  7. 第１の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル｜Ａ｜を持ち、前記第１の領域は、補償ベクトル｜Ｂ｜を提供するため１つ以上のカップリングを備え、前記第２の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル｜Ｃ｜を持ち、前記第３の領域は、位相シフト補償ベクトル｜Ｄ｜を提供するための１つ以上のカップリングを持ち、ヌル周波数で、｜Ｂ｜−｜Ｄ｜は｜Ａ｜＋｜Ｃ｜に略等しい、請求項６に記載の通信ジャック。
  8. 前記第１の周波数依存性は、１ディケード当たり約２０ｄＢの大きさの変化であり、前記第２の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢまでの大きさの変化である、請求項６に記載の通信ジャ
    ック。
  9. 前記複数のクロストーク補償領域は、クロストーク補償を提供するための第１の領域と、追加のクロストークを導入するための第２の領域と、を備え、前記第２の領域は、概ね前記第１の周波数依存性を持ち、前記第１の領域は、前記第１の周波数依存性とは実質的に異なる前記連係する第２の周波数依存性を概ね持っている、請求項１に記載の通信ジャック。
  10. 第１の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル｜Ａ｜を持ち、前記第１の領域は、補償ベクトル｜Ｂ｜を提供するため１つ以上のカップリングを備え、前記第２の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル｜Ｃ｜を持ち、ヌル周波数で、｜Ｂ｜は｜Ａ｜＋｜Ｃ｜に略等しくなるように選択される、請求項９に記載の通信ジャック。
  11. 前記第１の周波数依存性は、１ディケード当たり約２０ｄＢの大きさの変化であり、前記第２の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢまでの大きさの変化である、請求項９に記載の通信ジャック。
  12. 第１の周波数で、前記プラグインターフェース接触子及び前記プラグ接触子により導入されたクロストークが、連係するクロストークベクトル｜Ａ｜を持ち、前記第１の領域は、補償ベクトル｜Ｂ｜を提供するため１つ以上のカップリングを備え、前記第２の領域により導入された前記追加のクロストークは、連係する追加のクロストークベクトル｜Ｃ｜を持ち、ヌル周波数で、｜Ｂ｜は｜Ａ｜＋｜Ｃ｜に略等しくなるように選択される、請求項９に記載の通信ジャック。
  13. 前記第２の周波数依存性は、１ディケード当たり約２０ｄＢの大きさの変化であり、前記第１の周波数依存性は、第１の周波数で１ディケード当たり約２０ｄＢから第２の周波数で１ディケード当たり約２５ｄＢを超える大きさの変化である、請求項１２に記載の通信ジャック。
  14. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、相互誘導性カップリングと直列に配置されたコンデンサを備える、請求項１に記載の通信ジャック。
  15. 前記コンデンサ及び前記相互誘導性カップリングは、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから前記プラグインターフェース接触子の反対側に配置されている、請求項１４に記載の通信ジャック。
  16. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、前記ジャック内の他の静電容量に対して周波数と共に変化する静電容量を備えている、請求項１に記載の通信ジャック。
  17. 前記コンデンサは、周波数と共に変化する誘電率を有する、請求項１に記載の通信ジャック。
  18. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、前記ジャック内の他のインダクタンスに対して周波数と共に変化するインダクタンスを備えている、請求項１に記載の通信ジャック。
  19. 前記インダクタンスの素子は、フェライト材料を含む、請求項１８に記載の通信ジャック。
  20. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、周波数依存性抵抗と直列に配置された静電容量を備えている、請求項１に記載の通信ジャック。
  21. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、自己誘導性カップリングと直列に配置された静電容量を備えている、請求項１に記載の通信ジャック。
  22. 前記クロストーク補償領域の少なくとも１つは、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから約０．５１ｃｍ（約０．２００インチ）未満の位置に配置されている、請求項１に記載の通信ジャック。
  23. 第１の回路基板及び第２の回路基板を更に備え、両方の基板は前記プラグインターフェース接触子の少なくとも幾つかと電気的に接触している、請求項１に記載の通信ジャック。
  24. 前記プラグインターフェース接触子は、前記第１の回路基板内に配置された貫通孔で終わっており、前記第２の回路基板は、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから約０．５１ｃｍ（約０．２００インチ）未満の位置で前記プラグインターフェース接触子に機械的及び電気的に接続された可撓性印刷回路である、請求項２３に記載の通信ジャック。
  25. 前記プラグインターフェース接触子は、前記第１の回路基板内に配置された貫通孔で終わっており、前記第２の回路基板は、前記プラグが前記ジャック内に挿入されたとき前記プラグ接触子が前記プラグインターフェース接触子と電気的に接触するところから該プラグインターフェース接触子の反対側で機械的及び電気的に接続された可撓性印刷回路である、請求項２３に記載の通信ジャック。
  26. 前記回路基板の少なくとも１つは、可撓性部材により前記プラグインターフェース接触子に取り付けられている、請求項１に記載の通信ジャック。
  27. 前記可撓性部材は前記プラグインターフェース接触子のうち２つを除く全てに取り付けられている、請求項２６に記載の通信ジャック。
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