JP4756309B2 - 高感度圧電素子 - Google Patents
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Description
この他、産業用、自動車用、医療用、家電など多種の分野で応用が実施されている。
このうち、圧電式のセンサは圧電体と電極を一体化したもので、比較的、簡単な構造形態を有していることから種々の分野の応用が可能である。
特にPZT系の圧電体は圧電定数が大きいために、圧力等の物理量の入力に対する、電荷又は電位差等の出力が大きくなるからである。
また、強誘電体材料は歪−電界特性にヒステリシスを示すために精密な測定には不向きである。
その結果として電気的に増幅するとS/N比の低下となる。
例えば可撓性基板に圧電体を形成した圧電素子において、スペーサーを裏面に設けて持ち上げ保持する技術(例えば、特許文献1参照)、圧電素子を片持ち梁、或いは両端固定梁構造にすることにより圧電横効果を利用する技術(例えば、特許文献2参照)がされている。
また、構造が複雑になることにより繰り返し使用した場合に故障の原因にもなり易い。
すなわち、本発明は、圧力、歪などの計測に用いられる圧電素子において、単純な構造でありながら機械的信号を電気的信号に変換する際の感度を大きく向上させるものである。
本発明の圧電素子は、湾曲下した基板、湾曲した圧電体層及び歪曲した電極層を有するものであり、この湾曲度は任意の曲率を有する。
図1(A)は、本発明の第1参考形態に係る圧電素子を示している。
この第1参考形態の圧電素子には、湾曲した基板1の凸面に、順に圧電体層2、電極層3が形成されている。
基板1上に圧電体層2を形成するに当たっては、通常、基板1と同じ大きさで、圧電体層2、電極層3を設けるが、図では、便宜的にそれぞれが異なった大きさに表示した。
もっとも、図のように圧電素子を形成しても当然良いことはいうまでもない。
なお、圧電素子は、図1(B)に示すように、逆に湾曲するように凹面に圧電体層2及び電極層3を形成しても良い。
厚さについては基板1の上に形成される圧電体層2の形成し易さに応じて適宜選択し、その上で高感度な出力が得られるように決定すると良い。
圧電素子に対して荷重を加え変形させることで、この電極層3と基板1との間で電位差を発生させてセンサとしての機能を得る。
また逆に、電極層3と基板1との間で電位差を発生させることで、圧電素子を変形させることができる。
ペロブスカイト系複合酸化物の上記Aサイトとしては通常、Pb,Ba,Ca,Sr,La,Li,Biの中から選択される少なくとも1種の元素が採用される。
上記BサイトとしてはTi,Zr,Zn,Ni,Mg,Co,W,Nb,Sb,Ta,Feの中から選択される少なくとも1種の元素が採用される。
具体例としては、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタル、チタン酸ストロンチウム又はチタン酸バリウムのうち少なくとも1種を主成分として含むようにすると良い。
ウルツ鉱型構造の化合物としては具体的には窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化ベリリウム、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化亜鉛又はヨウ化銀等があり、これらの中から1種以上を主成分とすれば良い。
圧電体層2の膜厚は、基板や電極の厚みとの関係により異なるが、通常、0.1〜100μmが好ましく、特に0.5〜30μmが好ましい。
すなわち、厚みが0.1μm未満では圧電センサとして用いた場合に十分な出力が得られにくく、逆に100μmを超えると柔軟性が乏しくなりクラックや剥離を引き起こす恐れがある。
電極層3の形成方法は特に限定されるものではなく、例えば塗布処理、メッキ法、スパッタリング法又は真空蒸着法等の物理蒸着法を用いることができる。
図2(A)は、本発明の第2参考形態に係る圧電素子を示している。
この第2参考形態の圧電素子には、湾曲した基板1の凸面に電極層3、圧電体層2が順に形成さされており、第1参考形態と較べると、電極層3、圧電体層2の順が異なって形成されているものである。
基板1、圧電体層2及び電極層3に使用される材料や作製方法は第1参考形態の場合と同様である。
なお、圧電素子は、この参考の形態でも図2(B)に示すように、逆に湾曲するように凹面に電極層3及び圧電体層2を形成しても良い。
図3は、本発明の第3参考形態に係る圧電素子を示している。
この第3参考形態の圧電素子は、湾曲した基板1の凸面に電極層3、圧電体層2、電極層3が順に形成されている。
なお、図3(B)に示すように、逆に湾曲するように凹面に電極層3、圧電体層2及び電極層3を順次形成しても良い。
基板1、圧電体層2及び電極層3に使用される材料や作製方法は第1参考形態の場合と同様である。
図4は、本発明の第4参考形態に係る圧電素子を示している。
この第4参考形態の圧電素子は、湾曲した基板1の凸面及び凹面の両面に、順次、圧電体層2、電極層3が順に形成されている。
そのため、電極層3間には2層の圧電体層2が形成されているため、電極層3と圧電体層2の接触面積が第1参考の形態及び第2参考の形態に較べて2倍となり、圧力センサとしての感度を更に向上(2倍)することができる。
基板1、圧電体層2及び電極層3に使用される材料や作製方法は第1参考形態の場合と同じである。
図5は、本発明の第5参考形態に係る圧電素子を示している。
この第5参考形態の圧電素子は、第4参考形態と電極層3及び圧電体層2の順序が異なっているもので、湾曲した基板1の凸面及び凹面の両面に電極層3、圧電体層2が順に形成されている。
そのため、電極層3と圧電体層2の接触面積が第1参考の形態及び第2参考の形態に較べて2倍となり、圧力センサとしての感度を更に向上(2倍)することができる。
図6は、本発明の実施形態に係る圧電素子を示している。
この実施形態の圧電素子は、湾曲した基板1の凸面及び凹面の両面に、順次、電極層3、圧電体層2、電極層3が形成されている。
基板1、圧電体層2及び電極層3に使用される材料や作製方法は第1参考形態の場合と同じである。
例えば、電極3Aと電極3Dとの間で電位差を取る場合、電極3Bと電極3Cとの間で電位差を取る場合があるが、前者では電極層3と圧電体層2との接触面積は、電極層3Aと圧電体層2A、電極層3Dと圧電体層2Bとの接触面積の合計である。
また後者では電極層3と圧電体層2との接触面積は、電極層3Bと圧電体層2A、電極層3Cと圧電体層2Bとの接触面積の合計である。
電位差を取る他の場合として、電極層3Aと電極層3Cとを同体の電極とし、且つ電極層3Bと電極層3Dを同体の電極として、それらを相互に別の電極とする場合がある。
この場合は、電極層3と圧電体層2との接触面積は、電極層3Aと圧電体層2A、電極層3Cと圧電体層2B、電極層3Bと圧電体層2A、電極層3Dと圧電体層2B、との接触面積の合計となる。
そのため電極層3と圧電体層2との接触面積が第1参考の形態及び第2参考の形態に較べて4倍となり、圧力センサとしての感度を更に向上(4倍)することができる。
例えば、基板と圧電体層、電極層をそれぞれ湾曲して積層するものであれば、その各層の数は原則とて問わない。
また例えば、上述した第1ないし第5参考形態、本発明の実施形態では、基板1、圧電体層2及び電極層3をその長手方向に沿って湾曲させた例について説明したが、その幅方向に沿って湾曲させることも当然可能である。
また、圧電素子の形態としては積層された湾曲した円盤状のものとすることも可能である。
図8は、本発明の圧電素子の動作確認をするための実験装置を示している。
図に示すように、この実験装置で用いる圧電素子は第1参考形態と同様のものである(ステンレス板4、窒化アルミニウム層5、銅電極層6は同じ大きさであるが、便宜的に異なる大きさで表示した)
基板としては、10mm×15mm、厚さが0.1mmのステンレス板4を用いた。
このステンレス板4の凸面には、圧電体層として1μmの窒化アルミニウム層5をRFマグネトロンスパッタリング法を用いて形成した。
この窒化アルミニウム5の凸面には、電極として銅電極層6を真空蒸着により形成した。
それによる電位差を銅電極6とステンレス板4との間で測定した。
すなわち加振機の先端にはロードセル8が取り付けてあり負荷した荷重をオシロスコープ10でモニターした。
圧電素子から出力された信号は、チャージアンプ9で増幅してオシロスコープ10でモニターした。
この図9に示されるように負荷された正弦荷重に対応し、正弦的な圧電出力信号が検出された。
ロードセル出力電圧の振幅とチャージアンプ出力電圧の振幅から荷重と電荷を求めると、0.0171Nの荷重に対し414pCの電荷が発生しており、一般的にいわれている値に比べ桁違いに大きな信号が得られた。
なお、他の参考の形態及び実施の形態の様な構造の圧電素子においても、同様な実験結果を得ている。
2 2A,2B圧電体層
3,3A,3B,3C,3D 電極層
4 ステンレス板
5 窒化アルミニウム層
6 銅電極層
7 加振機
8 ロードセル
9 チャージアンプ
10 オシロスコープ
Claims (4)
- 湾曲した基板と、湾曲した圧電体層と、湾曲した電極層とを有し、
前記電極層が前記基板の両面に形成され、
前記圧電体層が該基板の両面に形成された該電極層のぞれぞれの上面に形成され、
電極層が該圧電体層のそれぞれの上面に更に形成され、
前記圧電体層は、ウルツ鉱型構造の化合物を主成分とするものであり、
前記湾曲した基板は、高分子材料を主成分とすることを特徴とする圧電素子。 - 前記高分子材料は、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリ塩化ビニリデン(PVD)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリフェニルサルファイド(PPS)、ポリイミド(PI)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリフッカビニリデン(PVDF)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルイミド(PEI)又はポリエーテルエーテルケトン(PEEK)のうちの少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1記載の圧電素子。
- 前記湾曲した基板は、任意の曲率を有する凹形状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の圧電素子。
- 前記ウルツ鉱型構造の化合物は、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、酸化ベリリウム、酸化亜鉛、硫化カドミウム、硫化亜鉛又はヨウ化銀のうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧電素子。
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