JP4755206B2 - デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ - Google Patents
デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4755206B2 JP4755206B2 JP2007556859A JP2007556859A JP4755206B2 JP 4755206 B2 JP4755206 B2 JP 4755206B2 JP 2007556859 A JP2007556859 A JP 2007556859A JP 2007556859 A JP2007556859 A JP 2007556859A JP 4755206 B2 JP4755206 B2 JP 4755206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- hollow package
- moisture
- lens reflex
- digital single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 107
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 107
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 230000011514 reflex Effects 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は固体撮像素子等の半導体素子を搭載する樹脂製中空パッケージに関し、特にデジタル一眼レフカメラ等に用いられる大型の固体撮像素子を搭載するための樹脂製中空パッケージ、及びその製造方法に関する。また、大型の固体撮像素子を搭載するための樹脂製中空パッケージを用いた半導体装置、及びその半導体装置を搭載した電子機器に関する。
半導体素子は、周囲の湿度や温度の変化、微細な塵や異物との接触等により特性が劣化し、また振動や衝撃を受けることで容易に破損してしまう。これらの外的要因から半導体素子を保護するために、通常、セラミックスの箱や樹脂で封止して半導体パッケージとして用いられている。
ＣＣＤやＣ−ＭＯＳ等の固体撮像素子や、フォトダイオードや光センサー等の光学機能を有する半導体素子の場合は、パッケージ内に搭載された半導体素子とパッケージの外部との間に光の伝達路が必要である。従って、光学機能を有する半導体素子の場合は、全周を樹脂やセラミックスで完全に覆ってしまうことは出来ない。そのため、これらの光学機能を有する半導体素子は、一般に、一方が開放された中空タイプのパッケージに搭載され、開放部をガラス等の光学的に透明な窓材を用いて封止した半導体パッケージとして用いられている。
近年、デジタルカメラの巨大市場が形成されている。デジタルコンパクトカメラの小型軽量化や操作の簡便化が進む一方で、単なる高画素数化ではない豊かな階調表現としての高画質化への要望や、特殊な撮影技法を活用したい等の要求が高まってきた。そのため最近では特にデジタル一眼レフカメラが盛んに開発、販売されるようになってきた。
デジタル一眼レフカメラは、高画質を実現し、高度な撮影技法を活用し、更に従来の銀塩フィルムを使用する一眼レフカメラに用いられてきたレンズとの互換性を確保するために、デジタルコンパクトカメラに比べ、はるかに大きな固体撮像素子が使用されている。
デジタルコンパクトカメラとデジタル一眼レフカメラとに用いられている、主要なＣＣＤタイプの固体撮像素子の一覧表を表１に示す。固体撮像素子のサイズは、同じ呼称の撮像素子タイプであってもメーカー毎に若干異なるサイズのものが製造されているが、それぞれのタイプについて代表的なものを挙げている。
表１に挙げた撮像素子タイプは、デジタルカメラに用いられている撮像素子を指す一般的な呼称を用いている。サイズ及び面積は当該タイプの撮像素子が有する撮像面の実際の大きさを、面積比は３５ｍｍサイズを１００とした時の相対値を、縦横比は当該サイズの長辺の長さを短辺の長さで除した数値を、記載している。
３５ｍｍサイズとして挙げた値は、従来の銀塩フィルムを用いるカメラに関するものであるが、極一部の最高級デジタル一眼レフカメラにも採用されている。
デジタル一眼レフカメラに用いられている固体撮像素子は、最も小さいフォーサーズと呼ばれている４／３インチでも、デジタルコンパクトカメラに用いられている最大サイズの２／３インチにくらべ約４倍の大きさを有している。
従来の銀塩フィルムカメラでは、撮影レンズを通過した光線が画像を記録する銀塩フィルムに斜めに入射しても、銀塩フィルムの感光層内に存在する感光体は、光線が垂直に入射した場合と何等異なることなく、感光して画像を記録する。従って銀塩フィルムカメラでは、光線が垂直に入射するフィルムの中央部と光線が斜めに入射するフィルムの周辺部との間に、大きな感光度の差は生じない。
一方、デジタルカメラでは、画像を記録する銀塩フィルムに対応する固体撮像素子は、多数の画素の配列からなっている。各画素は、撮影レンズ側に配置された微小な集光レンズが画素の奥にあるＣＣＤやＣ−ＭＯＳ等の発電層に集光することで電荷を発生させて画像を記録する。固体撮像素子の各画素に設置された微小な集光レンズは、該集光レンズの光軸に平行に入射する光線を発電層面に集光するように設計されており、各画素の微小な集光レンズに対して臨界角以上の入射角で入射した光線は画素の側面に集光され、各画素の奥にある発電層には集光されず、画像として記録されないことが生じる。
この問題は、撮像素子の斜入射光特性といわれ、撮影レンズの画角が広いほど、また、撮像素子の周辺部の画素ほど顕在化し、画像の周辺光量の低下として画質を低下させるため問題となる。
ここで入射角とは、光が入射する面の法線と、入射光とがなす角度をいう。面に対して垂直に入射した場合は入射角は０°であり、斜めに入射するほど入射角の値が大きくなる。
デジタルコンパクトカメラの様に撮影レンズを交換しないカメラであれば、撮影レンズと固体撮像素子の特性全体を考慮して、周辺光量の低下が許容できる範囲に撮影レンズの画角を制限してカメラを設計することが可能である。また、使用する固体撮像素子が小さければ撮影レンズのイメージサークルは小さくて良く、固体撮像素子の周辺部の画素であっても入射角が大きくならないので、画像周辺部の光量は低下しない。
一方、デジタル一眼レフカメラは、使用者が所望の画角の撮影レンズを交換して使用するため、最も画角の広い超広角レンズや魚眼レンズを用いた場合でも画像周辺部の光量低下が許容範囲に収まる様に設計する必要がある。また固体撮像素子が大きくなるほど、周辺部の画素に入射する光線の入射角が大きくなるため、光量低下が発生しやすい。
従って、大型の固体撮像素子を用いるデジタル一眼レフカメラでは、デジタルコンパクトカメラに比べ、固体撮像素子を搭載する樹脂製中空パッケージに求められる寸法精度は格段に厳しいものとなる。特に半導体素子搭載面の平坦性が悪く樹脂製中空パッケージに対して固体撮像素子が斜めに搭載された場合は、周辺光量の低下がアンバランスに生じてしまう。すなわち、半導体素子搭載面から浮き上った側の撮像素子の周辺部の画素は、入射光の入射角は小さくなるので光量低下は発生し難くなる。一方、沈み込んだ側の撮像素子の周辺部の画素は、入射光の入射角が更に大きくなるため、設計値以上に光量が低下してしまう。
デジタル一眼レフカメラは、報道写真や山岳写真等の分野で、デジタルコンパクトカメラでは正常に作動しないような過酷な環境下でも確実に作動することが求められる。固体撮像素子の作動を担保するには種々の耐久性の中でも特に耐湿性が重要であり、そのためには例えば特許第２５３９１１１号に開示されているように樹脂製中空パッケージの固体撮像素子を搭載する半導体素子搭載面の下部に、透湿を抑える防湿用アイランドを設ける技術が知られている。
特許第２５３９１１１号 特許公報
本発明の樹脂製中空パッケージは、防湿用アイランドを設けているため、パッケージ底面からの水分の浸透が防止されるため、耐湿性に優れている。防湿用アイランドの面積が大きい、例えばデジタル一眼レフカメラ用のパッケージにおいては、アイランド面積が１００ｍｍ2以上であるとき、その効果はより顕著となる。
さらに、上記防湿用アイランドを用いることによって、パッケージの半導体素子搭載面の平坦性を向上させることができる。すなわち、本発明の樹脂製中空パッケージは、成型金型にリードフレームを挿入し加熱加圧下で成型樹脂を注入し、硬化後に取り出して製造される。硬化する際に成型樹脂の体積は収縮するが、収縮量は成型樹脂量に比例するため、樹脂製中空パッケージは成型樹脂層の厚い側壁部が最も収縮することになる。
防湿用アイランドを有しない樹脂製中空パッケージでは、半導体素子搭載面の周辺部は側壁部の収縮に引っ張られるため、中央部に比べて収縮量が大きくなる。そのため、半導体素子搭載面は中央が盛り上がった凸形状となりやすい。防湿用アイランドを有しない樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面を、表面粗さ計で測定したうねり曲線の一例を図５Ｄに例示する。なお、図５Ａ〜図５Ｄでは、横軸はフルスケールを２５ｍｍで、縦軸はフルスケールを５０μｍで示している。また図中に矢印で示した高さが、うねり曲線の最大高さうねりである。
一方で、大型の撮像素子を用いるデジタル一眼レフカメラ等には、半導体素子搭載面が、例えば表１に示すように、２００ｍｍ2以上の面積を有する樹脂製中空パッケージが用いられる。防湿用アイランドを有する樹脂製中空パッケージの場合は、防湿用アイランドを連結するリードフレームが成型金型に挿入、固定され、その後に成型樹脂が成型金型中の空隙に注入される。樹脂製中空パッケージ自体及び防湿用アイランドがそれぞれ大きくなるほど、注入される成型樹脂の流動に押されて防湿用アイランドが成型金型内で設計位置からずれ易くなる。
防湿用アイランドが設計位置からずれると、樹脂製中空パッケージの内部で防湿用アイランドが斜めに傾いたり、内部に埋設されるはずの防湿用アイランドの端部が、樹脂製中空パッケージの表面に露出したりすること等が生じる。
このように防湿用アイランドが設計位置からずれた樹脂製中空パッケージでは、半導体素子搭載面と防湿用アイランドとの間の成型樹脂層の厚みが場所により異なるため、成型樹脂の収縮量も場所により異なり、半導体素子搭載面の平坦性が悪化するという問題が生じる。その一例を図５Ｃに示す。
本発明は、耐湿性に優れ、撮影画像の周辺光量の低下が少ないデジタル一眼レフ等の電子装置を提供することを課題とする。
本発明は、耐湿性に優れ、撮影画像の周辺光量の低下が少ない、デジタル一眼レフ等の電子装置に用いる半導体装置を提供する事を課題とする。
本発明は、耐湿性を損なうことなく、撮影画像の周辺光量の低下が少ない、デジタル一眼レフカメラ等に用いる樹脂製中空パッケージを提供することを課題とする。すなわち本発明の課題は、防湿用アイランドを有し、かつ半導体素子搭載面の平坦性の良い樹脂製中空パッケージを提供することにある。
本発明は、上記課題を解決するために、防湿用アイランドを連結して含むリードフレームを成型金型に挿入してインサート成型される、半導体素子を搭載するための樹脂製中空パッケージであって、半導体素子搭載面の面積が２００ｍｍ2以上であり、かつ、表面粗さ計で測定した半導体素子搭載面のうねり曲線の最大高さうねりが３５μｍ以下であることを特徴とする、樹脂製中空パッケージを提供する。
本発明において、防湿用アイランドとは、中空半導体パッケージの半導体素子搭載面の下部に設けられる板状の構造体をいう。
インサート成形とは、成型金型に被挿入物を挿入した後に成型樹脂を注入して、被挿入物と一体化した樹脂成型物を成型する方法をいう。
うねり曲線の最大高さうねりとは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１（対応国際規格、ＩＳＯ ４２８７：１９９７）に定義されている、輪郭曲線がうねり曲線である場合の最大高さをいう。
樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面の面積とは、後で説明するインナーリードが露出する棚段を含まない、搭載する半導体素子が固定される中空部の面積をいう。一つの樹脂製中空パッケージに複数の半導体素子が搭載される場合であっても、棚段部を除いた中空部の底面積とする。
本発明の樹脂製中空パッケージは、防湿用アイランドの面積が１００ｍｍ2以上であることが好ましい。
本発明により提供される樹脂製中空パッケージは、樹脂製中空パッケージを製造する際に、成型金型に設けた１つ以上の突起により防湿用アイランドを固定した状態で成型樹脂を注入することで製造することが出来る。
防湿用アイランドを固定する１つ以上の突起は、成型金型を構成する上金型と下金型の両方の成型金型にそれぞれ４本ずつ設けるか、あるいは成型樹脂を注入するゲートを有さない側の成型金型のみに４本設けることで、半導体素子搭載面のうねり曲線の最大高さうねりが２０μｍ以下の樹脂製中空パッケージを製造することが出来る。
防湿用アイランドを固定する１つ以上の突起は、成型金型を構成する上金型と下金型の内、成型樹脂を注入するゲートを有しない側の成型金型のみに１本設けることで、半導体素子搭載面のうねり曲線の最大高さうねりが３５μｍ以下の樹脂製中空パッケージを製造することが出来る。
また、金型から成形体を離型するために作動するイジェクターピンを、防湿用アイランドに接するように設計をし、これを前記の防湿用アイランドを固定する１つ以上の突起として使用しても良い。
本発明の樹脂製中空パッケージを用いることで、耐湿性を損なうことなく、広角レンズを用いた場合でも撮影画像の周辺画質低下の少ない、デジタル一眼レフカメラを製造することが出来る。
本発明の樹脂製中空パッケージの製造方法について説明する。
先ず樹脂製中空パッケージに用いるリードフレームについて説明する。
本発明に用いることの出来る、防湿用アイランドを連結して含むリードフレームの平面図を図１に例示する。図１に例示した防湿用アイランドを連結して含むリードフレーム１は、図１の上側と下側にそれぞれ４０本ずつのリードピン１１が設けられている。リードピン１１の、樹脂製中空パッケージの中空部の棚段に露出して、搭載される半導体素子と電気的に接続される部分をインナーリード１１ａという。リードピン１１の、樹脂製中空パッケージの外部に延出して外部の実装基板と電気的に接続される部分をアウターリード１１ｂという。隣接するリードピン同士はダムバー１２により相対位置が固定されるように連結されている。
リードフレーム１の中央には防湿用アイランド１３がリードフレーム１と連結して設けられている。
リードフレームに設けられるリードピンの本数は、搭載する半導体素子の端子数に応じて設計されるものであるが、通常十数本から１００本程度の間であることが多い。
防湿用アイランドの面積は、搭載する半導体素子や求められる耐湿性の程度に応じて適宜設計されるべきものであり、通常、搭載する半導体素子の底面積の８０％〜１２０％程度であることが多い。ここで防湿用アイランドの面積とは、防湿用アイランドを周囲のリードフレームに連結するための連結部を除外した面積を言う。
リードフレームの材質としては、アルミニウム、銅、アルミニウム合金や銅合金等を用いることが出来るが、４２アロイと言われる合金が特に好ましく用いられる。
リードフレームの厚さは０．１５ｍｍから０．３ｍｍ程度のものが用いられる。特に固体撮像素子を搭載する場合には、０．２ｍｍから０．２５ｍｍの厚さのものが好ましく用いられる。
本発明では一の実施態様として、防湿用アイランドを連結して含むリードフレームの連結部をあらかじめ折り曲げて、防湿用アイランドがなす平面が、リードピンがなす平面より下になるように加工した例を示している。搭載する半導体素子を防湿用アイランドに電気的に接地させる場合には、防湿用アイランドがパッケージの素子搭載面の高さとなるように、折り曲げる量を調節しておくか、もしくは折り曲げ加工無しとすれば良い。
次に成型金型について説明する。樹脂製中空パッケージを成型する成型金型の一の実施態様を例示する断面図を図２に示す。
図２では、防湿用アイランド１３がなす平面が、リードピン１１がなす平面よりも下になる様に折り曲げ加工されたリードフレーム１を用いている。該リードフレーム１が、上下の成型金型２に挟持された状態の、成型金型２の中央近傍のリードピン１１を含む平面での断面図である。
成型金型２は、上金型２１と下金型２２とからなる。防湿用アイランドを連結して含むリードフレーム１は、ダムバー１２を含むアウターリード１１ｂ部が、上金型２１と下金型２２に挟持されて固定され、インナーリード１１ａの先端は上金型に設けられた中空部の棚段に接する様に設計されている。
防湿用アイランド１３は、図２には図示されないリードフレームとの折り曲げ加工された連結部により、成型金型２の空隙部２３に宙吊りとなっている。
成型工程では、図２には図示しない成型樹脂を注入するゲートから成型樹脂が注入される。異なる複数のゲートから注入された成型樹脂同士が接触して生じるいわゆるウェルドラインは、接合強度が著しく低下することが知られている。そのため、樹脂製中空パッケージを成型する場合、ウェルドラインが生じないようにゲートを１箇所とすることが多い。
図２に例示した成型金型２の場合は、通常、成型樹脂を注入するゲートは下金型２２に設けられる。従って防湿用アイランド１３のゲートに近い側が、注入される成型樹脂の流動に押されてずれ易い。
本発明で用いる、防湿用アイランドを固定するための突起を、上金型２１と下金型２２との両方に設けた成型金型２の、突起を含む平面で分割した断面図を、図３に示す。上金型２１に設けた突起を２４、下金型に設けた突起を２５として示している。
なお、図２及び図３に例示した成型金型２は、実際には上下を倒置して使用することが多いが、ここでは樹脂製中空パッケージの形状に上下を対応させている。
樹脂製中空パッケージの成型方法について説明する。
リードフレーム１を挟持した成型金型２の空隙部２３に、成型樹脂が注入されて樹脂製中空パッケージが成型される。成型樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂や、液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂及びポリスルホン樹脂等の耐熱性熱可塑性樹脂を用いることが出来る。この内、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂あるいはエポキシ樹脂に他の樹脂を混合したエポキシコンパウンドが、耐久性、寸法安定性及びコストのバランスから、特に好適に用いられる。
成型樹脂には、通常、シリカ、アルミナ、ゼオライト、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の無機フィラーや、アクリル酸ポリマー等の有機フィラーを添加する。
成型樹脂の注入方法としては種々の射出成型法を使用することが出来るが、注入する成型樹脂の量を精密に制御できることから、特にトランスファー成型が好ましく用いられる。
樹脂製中空パッケージの、成型樹脂を注入した後の工程について説明する。
成型金型２の空隙部２３に成型樹脂が注入された後、必要に応じてポストキュアがなされ、硬化後に成型された樹脂製中空パッケージが成型金型２から取り出される。次いで樹脂製中空パッケージは、必要に応じて、樹脂バリが除去されたり、ダムバー１２が切断されたり、アウターリード１１ｂが所望の形状に折り曲げ加工されたり等された後に、半導体素子を搭載する工程に進む。
樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面に、接着剤等を用いて半導体素子が固定される。次いで、半導体素子の端子と、対応する樹脂製中空パッケージのインナーリード１１ａとを、金やアルミニウム等の金属細線を用いてワイヤボンディングする。その後に、開口部がガラス等の光学的に透明な封止材料を用いて封止されて、半導体素子を搭載した樹脂製中空パッケージが完成する。
（実施例）
（実施例）
以下に本発明の詳細について、実施例と比較例とを用いて説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
〔実施例１〕
図１に例示したリードフレームと同様の形状を有する、リードピンの本数が８０本で、２４ｍｍ×１４ｍｍの防湿用アイランドを有する、厚さ０．２５ｍｍの４２アロイ製リードフレームを用いた。該リードフレームを、図３に例示した成型金型と同様の、上金型と下金型に防湿用アイランドを固定する４本ずつの突起をそれぞれ設けた成型金型に挿入し、挟持固定した。
図１に例示したリードフレームと同様の形状を有する、リードピンの本数が８０本で、２４ｍｍ×１４ｍｍの防湿用アイランドを有する、厚さ０．２５ｍｍの４２アロイ製リードフレームを用いた。該リードフレームを、図３に例示した成型金型と同様の、上金型と下金型に防湿用アイランドを固定する４本ずつの突起をそれぞれ設けた成型金型に挿入し、挟持固定した。
次いで、エポキシ樹脂８重量部とフェノール樹脂４重量部に８４重量部のシリカと２重量部の離型剤を加熱混練して製造したエポキシコンパウンドを成型樹脂として、上記の成形金型を用いて１７０℃、２ＭＰａの条件で９０秒かけてトランスファー成型した。なお、成型樹脂が注入されるゲートは下金型に設けられている。
次いで、成形品を成形金型から取り出し、室温まで放冷した。その後、１７５℃で３時間のポストキュアを行い、室温まで放冷して、硬化を完了させた。
得られた樹脂製中空パッケージの、アウターリードを含まない樹脂部の外寸は、長辺が３７ｍｍ、短辺が２６ｍｍ、であり、パッケージ底面から側壁部の上面までの厚みが２ｍｍである。
樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面を、東京精機株式会社製の表面粗さ計ｓｕｒｆｃｏｍ５７０Ａを用いて表面形状を測定し、うねり曲線の最大高さうねりを評価した。測定条件は、ろ波最大うねりモードで、カットオフ０．１６ｍｍ、走査速度０．６ｍｍ／秒、走査距離２５．０ｍｍである。測定されたうねり曲線を図５Ａに示す。
その後、樹脂製中空パッケージを、長辺に平行に二分割した断面を観察し、樹脂製中空パッケージ内の防湿用アイランドの状況を確認した。結果を表２に示す。
〔実施例２〕
防湿用アイランドを固定する突起を上金型のみに４本設け、下金型には防湿用アイランドを固定する突起を設けない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。測定されたうねり曲線を図５Ｂに、その他の結果を表２に示す。
防湿用アイランドを固定する突起を上金型のみに４本設け、下金型には防湿用アイランドを固定する突起を設けない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。測定されたうねり曲線を図５Ｂに、その他の結果を表２に示す。
〔実施例３〕
防湿用アイランドを固定する突起を上金型と下金型の中央部にそれぞれ一本ずつ設けた成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
防湿用アイランドを固定する突起を上金型と下金型の中央部にそれぞれ一本ずつ設けた成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
〔実施例４〕
防湿用アイランドを固定する突起を上金型の中央に１本設け、下金型には防湿用アイランドを固定する突起を設けない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
防湿用アイランドを固定する突起を上金型の中央に１本設け、下金型には防湿用アイランドを固定する突起を設けない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
〔比較例１〕
防湿用アイランドを固定する突起を有しない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様にして評価した。その結果を表２に示す。
防湿用アイランドを固定する突起を有しない成型金型を用いた以外は、全て実施例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様にして評価した。その結果を表２に示す。
〔比較例２〕
防湿用アイランドを有しないリードフレームを用いた以外は、全て比較例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
防湿用アイランドを有しないリードフレームを用いた以外は、全て比較例１と同様にして樹脂製中空パッケージを成型し、実施例１と同様に評価した。その結果を表２に示す。
防湿用アイランドを有さない比較例２に比べ、防湿用アイランドを有する比較例１の方が、樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面の平坦性は良いことが判る。更に本発明の樹脂製中空パッケージの製造方法を用いた実施例１乃至実施例４の結果から、防湿用アイランドを固定する突起を成型金型に設けることで、樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面の平坦性が格段に向上することが判る。
樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面のうねり曲線の形状が凸の場合は、座りが悪いため、搭載される固体撮像素子は半導体素子搭載面の凸形状のうねりの片側の斜面に固定されやすくなる。この様に固体撮像素子が斜めに固定された樹脂製中空パッケージでは、沈み込んで固定された側の固体撮像素子周辺部の画素において光量低下が著しくなる。
実施例に示した本発明の樹脂製中空パッケージでは、最大高さうねりの値が小さくなると共に、うねり曲線の形状がほぼ左右対称的な凹型となっている。うねりの形状が左右対称な凹型であるため、搭載される固体撮像素子は樹脂製中空パッケージに対して斜めに固定され難くなる。その結果、本発明の樹脂製中空パッケージを使用したデジタル一眼レフカメラでは、超広角レンズを用いた場合でも、画像周辺部の画素の光量低下が非対称に発生する可能性を顕著に低減することが出来る。
〔実施例５〕
ついで、樹脂製中空パッケージの耐湿性を評価した。
ついで、樹脂製中空パッケージの耐湿性を評価した。
実施例１で得られた樹脂製中空パッケージを１７０℃で６時間乾燥し、半導体素子を搭載しないまま、中空部にガラス板を、封止剤（協立化学産業株式会社製のワールドロック８７２３Ｌ）を用いて接着した。
このガラス封止中空パッケージに対し、以下のプレッシャークッカー試験（以下、「ＰＣＴ」と略す。）を行った。温度１２１℃で相対湿度１００％の恒温恒湿槽（プレッシャークッカー試験機）内に置いたガラス封止中空パッケージを、９６時間後に温度２３℃、相対湿度５０％の環境に取り出し、１５分間放置した。その後パッケージのガラスの内側に、結露による曇りが生じるか否かを観察した。曇りが生じなかったものをＡ評価、曇りが生じたものをＮ評価として表３に示す。
〔実施例６〕
防湿用アイランドの面積が１００ｍｍ2であるリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
防湿用アイランドの面積が１００ｍｍ2であるリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
〔比較例３〕
防湿用アイランドを有しないリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
防湿用アイランドを有しないリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
〔比較例４〕
防湿用アイランドの面積が５０ｍｍ2であるリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
防湿用アイランドの面積が５０ｍｍ2であるリードフレームを用いた以外は、実施例５と同様にしてＰＣＴを行った。結果を表３に示す。
本発明では、その製造方法により樹脂製中空パッケージの裏面及び又は半導体素子搭載面に防湿用アイランドが露出する孔が形成されてしまう。該孔はそのままにしておいても特に問題は無いが、熱伝導性物質を充填して、搭載した半導体素子の発熱を冷却するための熱の放熱路として活用しても良い。特に樹脂製中空パッケージの裏面に放熱板を設け、該放熱板と樹脂製中空パッケージに搭載した半導体素子とを熱的に接触するように熱伝導性物質を充填すると、効率よく半導体素子の放熱を行うことが出来る。
本発明の樹脂製中空パッケージを用いることで、耐湿性を損なうことなく、広角レンズを用いた時でも、画像周辺部の光量の低下の少ないデジタル一眼レフカメラを製造することが出来る。
１ リードフレーム
１１ リードピン
１１ａ インナーリード
１１ｂ アウターリード
１２ ダムバー
１３ 防湿用アイランド
２ 成型金型
２１ 上金型
２２ 下金型
２３ 空隙部
２４ 上金型に設けた突起
２５ 下金型に設けた突起
３１ 樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面
３２ 樹脂製中空パッケージの棚段
３３ 樹脂製中空パッケージの側壁部
４ 表面粗さ計の測定子
１１ リードピン
１１ａ インナーリード
１１ｂ アウターリード
１２ ダムバー
１３ 防湿用アイランド
２ 成型金型
２１ 上金型
２２ 下金型
２３ 空隙部
２４ 上金型に設けた突起
２５ 下金型に設けた突起
３１ 樹脂製中空パッケージの半導体素子搭載面
３２ 樹脂製中空パッケージの棚段
３３ 樹脂製中空パッケージの側壁部
４ 表面粗さ計の測定子
Claims (6)
- 防湿用アイランドを連結して含むリードフレームを成型金型に挿入してインサート成型される、半導体素子を搭載するための樹脂製中空パッケージであって、半導体素子が固体撮像素子であり、かつ、防湿用アイランドの面積が１００ｍｍ 2 以上であり、かつ、半導体素子搭載面の面積が２００ｍｍ2以上であり、かつ、表面粗さ計で測定した半導体素子搭載面のうねり曲線の最大高さうねりが、３５μｍ以下であることを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ。
- 請求項１に記載のデジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージを製造するための製造方法であって、成型金型に設けた一つ以上の突起により防湿用アイランドを固定した状態で成型樹脂を注入することを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージの製造方法。
- 請求項２に記載のデジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージの製造方法であって、防湿用アイランドを固定する一つ以上の突起が、上金型と下金型の両方の成型金型に設けられたことを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージの製造方法。
- 請求項２に記載のデジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージの製造方法であって、防湿用アイランドを固定する一つ以上の突起が、成型樹脂を注入するゲートを有しない側の成型金型に設けられたことを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージの製造方法。
- 請求項１に記載のデジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージに、半導体素子を搭載したことを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ用半導体装置。
- 請求項５に記載のデジタル一眼レフカメラ用半導体装置を搭載したことを特徴とする、デジタル一眼レフカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007556859A JP4755206B2 (ja) | 2006-02-03 | 2007-01-30 | デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006027326 | 2006-02-03 | ||
| JP2006027326 | 2006-02-03 | ||
| JP2007556859A JP4755206B2 (ja) | 2006-02-03 | 2007-01-30 | デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ |
| PCT/JP2007/051450 WO2007088835A1 (ja) | 2006-02-03 | 2007-01-30 | 樹脂製中空パッケージ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2007088835A1 JPWO2007088835A1 (ja) | 2009-06-25 |
| JP4755206B2 true JP4755206B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=38327408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007556859A Active JP4755206B2 (ja) | 2006-02-03 | 2007-01-30 | デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8008757B2 (ja) |
| EP (1) | EP1983567B1 (ja) |
| JP (1) | JP4755206B2 (ja) |
| KR (1) | KR100998843B1 (ja) |
| CN (1) | CN101375393B (ja) |
| TW (1) | TWI338352B (ja) |
| WO (1) | WO2007088835A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009081325A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP6063690B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2017-01-18 | 株式会社ニコン | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
| JP6134117B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2017-05-24 | 株式会社ニコン | 中空パッケージ用容器 |
| NL2021145B1 (en) * | 2018-06-18 | 2020-01-06 | Besi Netherlands Bv | Mould for encapsulating electronic components, insert for such a mould, method for producing an insert and method for encapsulating electronic components |
| JP2020005142A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629504A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004147007A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法並びに製造装置 |
| JP2005005353A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Mitsui Chemicals Inc | 樹脂製中空パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2005217329A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体素子搭載用パッケージの成形方法および成形用金型 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6331147A (ja) * | 1986-07-24 | 1988-02-09 | Nec Corp | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
| JPS63308355A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5164815A (en) * | 1989-12-22 | 1992-11-17 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit device and method to prevent cracking during surface mount |
| ATE186795T1 (de) * | 1990-07-21 | 1999-12-15 | Mitsui Chemicals Inc | Halbleiteranordnung mit einer packung |
| JP2539111B2 (ja) | 1991-02-21 | 1996-10-02 | 三井石油化学工業株式会社 | 耐湿性の改良された半導体装置およびその製造方法 |
| DE69227937T2 (de) * | 1991-02-12 | 1999-05-12 | Matsushita Electronics Corp | Leiterrahmen und in Harz versiegelte Halbleitervorrichtung dafür |
| US5327008A (en) * | 1993-03-22 | 1994-07-05 | Motorola Inc. | Semiconductor device having universal low-stress die support and method for making the same |
| US5474958A (en) * | 1993-05-04 | 1995-12-12 | Motorola, Inc. | Method for making semiconductor device having no die supporting surface |
| JP3414017B2 (ja) * | 1994-12-09 | 2003-06-09 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US6028350A (en) * | 1998-02-09 | 2000-02-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lead frame with strip-shaped die bonding pad |
| TW466720B (en) * | 2000-05-22 | 2001-12-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package with flash-prevention structure and manufacture method |
| US6703700B2 (en) * | 2001-10-12 | 2004-03-09 | Cheng-Ho Hsu | Semiconductor packaging structure |
| JP2004221143A (ja) | 2003-01-10 | 2004-08-05 | Nakamura Mfg Co Ltd | パッケージの形成方法 |
| WO2005071741A2 (de) * | 2004-01-27 | 2005-08-04 | Infineon Technologies Ag | Haftvermittelnde organische beschichtungen in halbleitergehäusen |
-
2007
- 2007-01-30 WO PCT/JP2007/051450 patent/WO2007088835A1/ja active Application Filing
- 2007-01-30 KR KR1020087021544A patent/KR100998843B1/ko active IP Right Grant
- 2007-01-30 US US12/162,504 patent/US8008757B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-30 EP EP07707681.8A patent/EP1983567B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-30 CN CN2007800039067A patent/CN101375393B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-30 JP JP2007556859A patent/JP4755206B2/ja active Active
- 2007-02-01 TW TW096103671A patent/TWI338352B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0629504A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004147007A (ja) * | 2002-10-23 | 2004-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法並びに製造装置 |
| JP2005005353A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Mitsui Chemicals Inc | 樹脂製中空パッケージ及びそれを用いた半導体装置 |
| JP2005217329A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Mitsui Chemicals Inc | 半導体素子搭載用パッケージの成形方法および成形用金型 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI338352B (en) | 2011-03-01 |
| WO2007088835A1 (ja) | 2007-08-09 |
| KR100998843B1 (ko) | 2010-12-06 |
| CN101375393B (zh) | 2010-09-22 |
| TW200733320A (en) | 2007-09-01 |
| KR20080091293A (ko) | 2008-10-09 |
| EP1983567B1 (en) | 2018-08-15 |
| US20090061554A1 (en) | 2009-03-05 |
| EP1983567A4 (en) | 2012-05-09 |
| CN101375393A (zh) | 2009-02-25 |
| US8008757B2 (en) | 2011-08-30 |
| EP1983567A1 (en) | 2008-10-22 |
| JPWO2007088835A1 (ja) | 2009-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3981348B2 (ja) | 撮像装置およびその製造方法 | |
| US7860390B2 (en) | Imaging element package, imaging element module and lens barrel, and image capturing apparatus | |
| TWI305959B (en) | Optical device module, and method of fabricating the optical device module | |
| JP4969995B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4755206B2 (ja) | デジタル一眼レフカメラ用樹脂製中空パッケージ及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置及びデジタル一眼レフカメラ | |
| JP2007053337A (ja) | 光学デバイス、光学デバイス装置、カメラモジュールおよび光学デバイスの製造方法 | |
| US20090290062A1 (en) | Optical device and production method thereof | |
| EP1523042A2 (en) | Optical device and production method thereof | |
| JP2009124515A (ja) | 撮像モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 | |
| JP2008250285A (ja) | 光学部材及びそれを備えた撮像デバイス | |
| JP2010107774A (ja) | レンズ装置、撮影装置 | |
| US8986588B2 (en) | Electronic device and process for manufacturing electronic device | |
| KR20190020096A (ko) | 감광성 부품과 카메라 모듈 및 그 제조방법 | |
| JP4976718B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4714233B2 (ja) | 撮像モジュールおよびその製造方法、電子情報機器 | |
| US20040214369A1 (en) | Method for producing solid-state imaging device | |
| JP2018125319A (ja) | モジュール、モジュールの製造方法、及び、電子機器 | |
| JP6063689B2 (ja) | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 | |
| US7514672B2 (en) | Case for accommodating solid-state imaging device and solid-state imaging apparatus | |
| JP2006332685A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP4017908B2 (ja) | カメラ | |
| JP4696192B2 (ja) | 固体撮像素子ユニット及びその製造方法並びに撮像装置 | |
| JP5520646B2 (ja) | マイクロレンズ非搭載の光電変換膜積層型固体撮像素子及び撮像装置 | |
| JP2004146530A (ja) | 樹脂製中空パッケージ | |
| JP2620685B2 (ja) | 固体撮像素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110301 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110524 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110526 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4755206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |