JP4752840B2 - Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for producing printed wiring board - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 54
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- -1 acrylate compound Chemical class 0.000 claims description 37
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 26
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 17
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 13
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 13
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 6
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 140
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 27
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 18
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical class C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 150000003440 styrenes Chemical group 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.CCC(CO)(CO)CO GTELLNMUWNJXMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 2-methylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3C(=O)C2=C1 NJWGQARXZDRHCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N Menadione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(C)=CC(=O)C2=C1 MJVAVZPDRWSRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N N-phenylglycine Chemical compound OC(=O)CNC1=CC=CC=C1 NPKSPKHJBVJUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M lithium hydroxide Inorganic materials [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 2
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 150000007934 α,β-unsaturated carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N (e)-2-cyano-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C\C1=CC=CC=C1 CDUQMGQIHYISOP-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N (z)-4-oxo-4-propan-2-yloxybut-2-enoic acid Chemical compound CC(C)OC(=O)\C=C/C(O)=O FWUIHQFQLSWYED-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M .beta-Phenylacrylic acid Natural products [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylanthracene-9,10-dione Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C2C(=O)C3=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C3C(=O)C2=C1C XHXSXTIIDBZEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tribromo-4-(2,3,4-tribromophenyl)sulfonylbenzene Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(Br)C(Br)=C1Br SCEFCWXRXJZWHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethylphenyl)-2-hydroxy-2-phenylethanone Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 LMGYOBQJBQAZKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylanthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(C)C(C)=C2 KIJPZYXCIHZVGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 LZWVPGJPVCYAOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSKOWRJEBKQTKZ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dihydroxy-2,6-dimethylheptan-4-one Chemical compound CC(C)(O)CC(=O)CC(C)(C)O GSKOWRJEBKQTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-bis(2-methoxyphenyl)-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=C(C=2C(=CC=CC=2)OC)NC(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=N1 UCSGWEMRGIONEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class ClC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 NSWNXQGJAPQOID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class FC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 UIHRWPYOTGCOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class COC1=CC=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 XIOGJAPOAUEYJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl-1h-imidazole Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=NC(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)N1 SNFCQJAJPFWBDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)benzoic acid Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=C1C(O)=O DVVXXHVHGGWWPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004808 2-ethylhexylester Substances 0.000 description 1
- KRFFWELOYNJROH-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 KRFFWELOYNJROH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-1-(2-methylphenyl)-2-phenylethanone Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(=O)C(O)C1=CC=CC=C1 VZMLJEYQUZKERO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylanthracene-9,10-dione Chemical compound C=1C=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=CC=1C1=CC=CC=C1 NTZCFGZBDDCNHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 9,10-phenanthroquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YYVYAPXYZVYDHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 9-phenylacridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=CC=C2)C2=NC2=CC=CC=C12 MTRFEWTWIPAXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N Cinnamic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-SREVYHEPSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N Ethyl hydrogen fumarate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(O)=O XLYMOEINVGRTEX-ARJAWSKDSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N [4-(dimethylamino)phenyl]-(4-methoxyphenyl)methanone Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 ARNIZPSLPHFDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910001854 alkali hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N benzo[a]anthracene-7,12-dione Chemical compound C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C(=O)C1=CC=CC=C1C2=O LHMRXAIRPKSGDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229930016911 cinnamic acid Natural products 0.000 description 1
- 235000013985 cinnamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical class O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monoethyl ester Natural products CCOC(=O)C=CC(O)=O XLYMOEINVGRTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N fumaric acid monomethyl ester Natural products COC(=O)C=CC(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012216 imaging agent Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M malachite green Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](C)C)C=C1 FDZZZRQASAIRJF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940107698 malachite green Drugs 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940086559 methyl benzoin Drugs 0.000 description 1
- NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N methyl hydrogen fumarate Chemical compound COC(=O)\C=C/C(O)=O NKHAVTQWNUWKEO-IHWYPQMZSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N methyl p-hydroxycinnamate Natural products OC(=O)C=CC1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005650 polypropylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000007686 potassium Nutrition 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N potassium;gold(1+);dicyanide Chemical compound [K+].[Au+].N#[C-].N#[C-] XTFKWYDMKGAZKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N propynoic acid Chemical compound OC(=O)C#C UORVCLMRJXCDCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000015424 sodium Nutrition 0.000 description 1
- FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J sodium diphosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O FQENQNTWSFEDLI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011008 sodium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229940048086 sodium pyrophosphate Drugs 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J tetrapotassium;phosphonato phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O RYCLIXPGLDDLTM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000019818 tetrasodium diphosphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001577 tetrasodium phosphonato phosphate Substances 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(N)(=O)=O)C=C1 LMYRWZFENFIFIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002948 undecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
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Description
本発明は、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及びプリント配線板の製造方法に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element, and a method for producing a printed wiring board.
従来、プリント配線板の製造分野では、回路の保護及び接触抵抗の低減等を目的として、回路上に金属めっき加工が行われている。また、携帯電子機器の普及に伴い、使用される実装部品の形態は小型化に有利なChip Scale Package(CSP)やBall Grid Array(BGA)が急速に増えている。このような実装部品は、実装パッド(はんだパッド)等を除いたプリント配線板の回路導体の全面に表面樹脂層(ソルダーレジスト)を形成して、パッドの部分等に金属めっき加工を施し、めっき加工されたパッドとはんだボールによって、配線板と接続される。金属めっき加工には、良好な金属結合を確保するために、多くの場合、金めっきが用いられている。 Conventionally, in the printed wiring board manufacturing field, metal plating is performed on a circuit for the purpose of protecting the circuit and reducing contact resistance. In addition, with the spread of portable electronic devices, the form of mounted components used is rapidly increasing in the chip scale package (CSP) and the ball grid array (BGA), which are advantageous for downsizing. For such mounting parts, a surface resin layer (solder resist) is formed on the entire surface of the circuit conductor of the printed wiring board excluding the mounting pads (solder pads), etc. The printed circuit board and the solder ball are connected to the wiring board. In many cases, gold plating is used for metal plating in order to ensure a good metal bond.
そして、上記分野における金めっきの方法は、電解めっき法から無電解めっき法へ急速に移行している。これは、プリント配線板の小型化・高密度化が進捗したこと、電極用リード線が不要で均一なめっき膜厚及び平滑な表面が得られること等に基づくものであり、無電解めっきへの移行は携帯電子機器用基板において特に顕著である。 And the gold plating method in the said field | area is changing rapidly from the electroplating method to the electroless-plating method. This is based on the progress of miniaturization and higher density of printed wiring boards, the need for electrode lead wires and the uniform plating film thickness and smooth surface. The transition is particularly noticeable in portable electronic device substrates.
ところで、近年急速に市場が拡大している携帯電話等の携帯電子機器に用いられる基板では、落下衝撃や入力キーを押す力による曲げにより、CSPやBGA等の実装部品が基板表面から脱落しやすい等の問題が発生しているが、その一因は、無電解めっき法によるプリント配線板が、電解めっき法によるものよりもはんだボール接続信頼性が低いためであると考えられている。この問題を解決するために、実装部品を搭載する部分(銅回路)には無電解めっきせず、それ以外の部分に無電解めっきをする方法が提案されている(特許文献1)。 By the way, in a substrate used for a portable electronic device such as a cellular phone whose market has been rapidly expanding in recent years, a mounting component such as CSP or BGA is likely to fall off the surface of the substrate due to a drop impact or bending due to a force of pressing an input key. However, it is considered that the printed wiring board by the electroless plating method has lower solder ball connection reliability than that by the electrolytic plating method. In order to solve this problem, a method has been proposed in which electroless plating is not performed on a portion (copper circuit) on which a mounting component is mounted, and electroless plating is performed on other portions (Patent Document 1).
また、優れた解像度、密着性、光感度及びめっき耐性を有するのみならず、めっき浴の汚染を充分に低減可能な感光性樹脂組成物を提供するため、バインダーポリマーと、分子内に少なくとも1つの重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、光重合開始剤と、着色剤とを含有しており、かつ未硬化状態での全光線透過率が60%以上である感光性樹脂組成物が開示されている(例えば特許文献2参照)。
CSPやBGA等の電子部品の表面実装をより高い信頼性で行うことのできるプリント配線板は、回路形成済基板(回路パターンが形成された基板)上に所定のパターンで表面樹脂層(ソルダーレジスト)が形成された積層基板の上に、感光性樹脂組成物の硬化物の層(レジストパターン)を回路パターンが露出するように形成させて、回路パターン上に無電解めっきを行った後に、その硬化物層(レジストパターン)を除去する方法により、製造することができると考えられる。 A printed wiring board that can perform surface mounting of electronic components such as CSP and BGA with higher reliability is a surface resin layer (solder resist) in a predetermined pattern on a circuit-formed substrate (substrate on which a circuit pattern is formed). ) Is formed so that the circuit pattern is exposed on the laminated substrate on which the photosensitive resin composition is formed, and electroless plating is performed on the circuit pattern. It is thought that it can be manufactured by a method of removing the cured product layer (resist pattern).
しかし、従来、無電解めっき後の硬化物層(レジストパターン)の表面樹脂層からの剥離性が十分でなく、硬化物層の一部が剥がれずに表面樹脂層上に残ってしまうレジスト残りが発生してしまうという問題があった。 However, conventionally, the cured resin layer (resist pattern) after electroless plating is not sufficiently peelable from the surface resin layer, and there is a resist residue that remains on the surface resin layer without peeling off a part of the cured material layer. There was a problem that it occurred.
そこで、本発明は、回路形成済基板上に形成された表面樹脂層上に硬化物層(レジストパターン)を形成させるために用いられたときに、十分な剥離性を得ることが可能な感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、この感光性樹脂組成物を用いた感光性エレメント及びこれらを用いたプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention is a photosensitivity capable of obtaining sufficient peelability when used to form a cured product layer (resist pattern) on a surface resin layer formed on a circuit-formed substrate. It aims at providing a resin composition. Another object of the present invention is to provide a photosensitive element using the photosensitive resin composition and a method for producing a printed wiring board using the photosensitive element.
本発明は、(A)バインダーポリマー、(B)重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物及び(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、(B)成分が、下記一般式(1)で表されるビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、下記一般式(2)で表されるアルコキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート化合物、及び下記一般式(3)で表されるノニルフェニルポリアルキレングリコールアクリレート化合物を含むものである。
式(1)中、X1及びX2はそれぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、p及びqはp+q=4〜40となる正の整数を示し、式(2)中、X3、X4及びX5はそれぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、k、m及びnはk+m+n=3〜30となる正の整数を示し、式(3)中、X6は炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R6は水素原子又はメチル基を示し、rは1〜20の整数を示す。In formula (1), X 1 and X 2 each independently represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are p + q = 4. A positive integer of ˜40, and in formula (2), X 3 , X 4 and X 5 each independently represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, and R 3 , R 4 and R 5 are each independently Represents a hydrogen atom or a methyl group, k, m and n represent a positive integer such that k + m + n = 3 to 30, in formula (3), X 6 represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 6 Represents a hydrogen atom or a methyl group, and r represents an integer of 1 to 20.
本発明の感光性エレメントは、支持体と、該支持体上に設けられた上記本発明の感光性樹脂組成物からなる感光層と、を備える。 The photosensitive element of this invention is equipped with a support body and the photosensitive layer which consists of the said photosensitive resin composition of this invention provided on this support body.
本発明の感光性樹脂組成物及び感光性エレメントは、光重合性化合物として上記特定化合物を併用したことにより、回路形成済基板上に形成された表面樹脂層上に硬化物層(レジストパターン)を形成させるために用いられたときに、充分な形状追従性及び剥離性を得ることが可能となった。 In the photosensitive resin composition and photosensitive element of the present invention, a cured product layer (resist pattern) is formed on a surface resin layer formed on a circuit-formed substrate by using the specific compound in combination as a photopolymerizable compound. When used for forming, sufficient shape followability and peelability can be obtained.
本発明の感光性樹脂組成物及び感光性エレメントにおいて、(C)成分は2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体を含むことが好ましい。また、(A)成分及び(B)成分の合計量を100質量部としたときに、(A)成分の量が40〜80質量部であり、(B)成分の量が20〜60質量部であり、(C)成分の量が0.1〜20質量部であることが好ましい。 In the photosensitive resin composition and photosensitive element of the present invention, the component (C) preferably contains a 2,4,5-triarylimidazole dimer. Moreover, when the total amount of (A) component and (B) component is 100 mass parts, the quantity of (A) component is 40-80 mass parts, and the quantity of (B) component is 20-60 mass parts. It is preferable that the amount of the component (C) is 0.1 to 20 parts by mass.
上記本発明の感光性エレメントの感光層は、波長365nmの紫外線に対する透過率が5〜75%であることがより好ましい。 More preferably, the photosensitive layer of the photosensitive element of the present invention has a transmittance of 5 to 75% for ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm.
本発明は、回路形成用基板及び回路形成用基板上に形成されている回路パターンを有する回路形成済基板と回路形成済基板上において回路パターンが露出するように形成されている表面樹脂層とを備える第1の積層基板の表面樹脂層側の面上に、上記いずれかの感光性樹脂組成物からなり予め成形された感光層を積層する第1の工程と、感光層の所定部分に活性光線を照射してから現像してパターニングされた硬化物層を形成させ、回路形成済基板上に表面樹脂層及び硬化物層をこの順に備えた第2の積層基板を得る第2の工程と、第2の積層基板に対して無電解めっきを行って回路パターン上にめっき層を形成する第3の工程と、を備えるプリント配線板の製造方法である。 The present invention includes a circuit forming substrate, a circuit formed substrate having a circuit pattern formed on the circuit forming substrate, and a surface resin layer formed so that the circuit pattern is exposed on the circuit formed substrate. A first step of laminating a pre-formed photosensitive layer made of any one of the above photosensitive resin compositions on the surface of the first laminated substrate having the surface resin layer side; and an actinic ray on a predetermined portion of the photosensitive layer A second step of obtaining a second laminated substrate having a surface resin layer and a cured product layer in this order formed on the circuit-formed substrate by forming a patterned cured product layer after irradiation And a third step of forming a plating layer on the circuit pattern by performing electroless plating on the two laminated substrates.
この製造方法においては、硬化物層が、回路パターンの一部が露出するようにパターニングされ、回路パターンの露出している部分の全面にめっき層を形成することが好ましい。 In this manufacturing method, it is preferable that the cured product layer is patterned so that a part of the circuit pattern is exposed, and a plating layer is formed on the entire exposed part of the circuit pattern.
本発明の感光性樹脂組成物及び感光性エレメントは、回路形成済基板上に形成された表面樹脂層上に硬化物層(レジストパターン)を形成させるために用いられたときに、十分な剥離性を得ることが可能である。また、本発明の感光性樹脂組成物及び感光性エレメントは、解像度、密着性、めっき耐性及び形状追従性の点でも優れる。 When the photosensitive resin composition and photosensitive element of the present invention are used to form a cured product layer (resist pattern) on a surface resin layer formed on a circuit-formed substrate, sufficient peelability is obtained. It is possible to obtain The photosensitive resin composition and photosensitive element of the present invention are also excellent in terms of resolution, adhesion, plating resistance, and shape followability.
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、感光層(感光性樹脂組成物層)の埋め込み性と硬化物層(レジストパターン)の剥離性が良好であり、更にめっき浴の汚染を十分に低減せることができる。 Moreover, the method for producing a printed wiring board of the present invention has good embedding property of the photosensitive layer (photosensitive resin composition layer) and releasability of the cured product layer (resist pattern), and further sufficiently contaminates the plating bath. Can be reduced.
1…感光性エレメント、10…支持体、20…感光層、22…露光部、24…硬化物層(レジストパターン)、30…保護フィルム、40…回路形成用基板、50、51…回路パターン、50a、51a…露出部、55…めっき層、55a…Niめっき層、55b…Auめっき層、60…表面樹脂層、70…開口部、80…回路形成済基板、90…マスクパターン、90a…遮蔽部、90b…透明部、92…活性光線、100…第1の積層基板、200…第2の積層基板、300…プリント配線板
DESCRIPTION OF
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書における(メ
タ)アクリル酸とはアクリル酸及びそれに対応するメタクリル酸を意味し、(メタ)アクリレートとはアクリレート及びそれに対応するメタクリレートを意味し、(メタ)アクリロイル基とはアクリロイル基及びそれに対応するメタクリロイル基を意味する。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. In this specification, (meth) acrylic acid means acrylic acid and methacrylic acid corresponding thereto, (meth) acrylate means acrylate and corresponding methacrylate, and (meth) acryloyl group means acryloyl group. And the corresponding methacryloyl group.
本発明における(A)成分のバインダーポリマーとしては、感光性樹脂組成物のバインダーとして機能するポリマーであれば特に制限なく用いることができる。具体的には、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。アルカリ現像性の見地からは、アクリル系樹脂が好ましい。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。 As the binder polymer of the component (A) in the present invention, any polymer that functions as a binder for the photosensitive resin composition can be used without particular limitation. Specific examples include acrylic resins, styrene resins, epoxy resins, amide resins, amide epoxy resins, alkyd resins, and phenol resins. From the viewpoint of alkali developability, an acrylic resin is preferable. These are used alone or in combination of two or more.
バインダーポリマーは、例えば、重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。上記重合性単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン等のα−位若しくは芳香族環において置換されている重合可能なスチレン誘導体、ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド、アクリロニトリル、ビニル−n−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、α−ブロモ(メタ)アクリル酸、α−クロル(メタ)アクリル酸、β−フリル(メタ)アクリル酸、β−スチリル(メタ)アクリル酸、マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸モノエステル、フマール酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸が挙げられる。 The binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer. Examples of the polymerizable monomer include polymerizable styrene derivatives substituted at the α-position or aromatic ring such as styrene, vinyl toluene, α-methylstyrene, acrylamide such as diacetone acrylamide, acrylonitrile, vinyl, and the like. -Esters of vinyl alcohol such as n-butyl ether, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid diethylaminoethyl ester, ( (Meth) acrylic acid glycidyl ester, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, α-bromo (meth) acryl Acid, α-chloro ( T) Acrylic acid, β-furyl (meth) acrylic acid, β-styryl (meth) acrylic acid, maleic acid, maleic anhydride, monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate and the like, Examples include fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid, and propiolic acid.
上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、例えば、下記一般式(4)で表される。式(4)中、R7は水素原子又はメチル基を示し、R8は置換基を有していてもよい炭素数1〜12のアルキル基を示す。R8が有する置換基としては、水酸基、エポキシ基、ハロゲン基等がある。
R8中のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基及びこれらの構造異性体が挙げられる。Examples of the alkyl group in R 8 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, an undecyl group, and a dodecyl group. Isomers.
式(4)で表される(メタ)アクリル酸アルキルエステルの具体例としては、(メタ)アクリル酸メチルエステル、(メタ)アクリル酸エチルエステル、(メタ)アクリル酸プロピルエステル、(メタ)アクリル酸ブチルエステル、(メタ)アクリル酸ペンチルエステル、(メタ)アクリル酸ヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸ヘプチルエステル、(メタ)アクリル酸オクチルエステル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシルエステル、(メタ)アクリル酸ノニルエステル、(メタ)アクリル酸デシルエステル、(メタ)アクリル酸ウンデシルエステル、(メタ)アクリル酸ドデシルエステルが挙げられる。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて使用される。 Specific examples of the (meth) acrylic acid alkyl ester represented by the formula (4) include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid. Butyl ester, (meth) acrylic acid pentyl ester, (meth) acrylic acid hexyl ester, (meth) acrylic acid heptyl ester, (meth) acrylic acid octyl ester, (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester, (meth) acrylic acid Nonyl ester, (meth) acrylic acid decyl ester, (meth) acrylic acid undecyl ester, (meth) acrylic acid dodecyl ester may be mentioned. These are used alone or in combination of two or more.
バインダーポリマーは、アルカリ現像性の見地から、カルボキシル基を有することが好ましい。カルボキシル基を有するバインダーポリマーは、例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。 The binder polymer preferably has a carboxyl group from the viewpoint of alkali developability. The binder polymer having a carboxyl group can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and another polymerizable monomer.
また、バインダーポリマーは、耐薬品性の見地からスチレン又はスチレン誘導体をモノマー単位として含有することが好ましい。スチレン又はスチレン誘導体を共重合成分として密着性及び剥離性を共に良好にするには、バインダーポリマーがこれらを2〜40質量%含むことが好ましく、3〜28質量%含むことがより好ましく、5〜27質量%含むことが特に好ましい。この含有量が2質量%未満では密着性が低下する傾向があり、40質量%を超えると剥離片が大きくなり、剥離時間が長くなる傾向がある。 The binder polymer preferably contains styrene or a styrene derivative as a monomer unit from the viewpoint of chemical resistance. In order to improve both adhesion and peelability using styrene or a styrene derivative as a copolymerization component, the binder polymer preferably contains 2 to 40% by mass, more preferably 3 to 28% by mass, It is particularly preferable to contain 27% by mass. If this content is less than 2% by mass, the adhesion tends to decrease, and if it exceeds 40% by mass, the peel piece tends to be large and the peel time tends to be long.
バインダーポリマーの重量平均分子量は、20000〜300000であることが好ましく、40000〜150000であることがより好ましい。この重量平均分子量が20000未満では耐現像液性が低下する傾向があり、300000を超えると現像時間が長くなる傾向がある。 The weight average molecular weight of the binder polymer is preferably 20,000 to 300,000, and more preferably 40000 to 150,000. When the weight average molecular weight is less than 20,000, the developer resistance tends to decrease, and when it exceeds 300,000, the development time tends to be long.
バインダーポリマーの酸価は、30〜250mgKOH/gであることが好ましく、50〜200mgKOH/gであることがより好ましい。この酸価が30mgKOH/g未満では現像時間が長くなる傾向があり、250mgKOH/gを超えると光硬化したレジストパターンの耐現像液性が低下する傾向がある。 The acid value of the binder polymer is preferably 30 to 250 mgKOH / g, and more preferably 50 to 200 mgKOH / g. When the acid value is less than 30 mg KOH / g, the development time tends to be long, and when it exceeds 250 mg KOH / g, the developer resistance of the photocured resist pattern tends to be lowered.
これらのバインダーポリマーは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。2種類以上を組み合わせて使用する場合のバインダーポリマーの組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分からなる2種類以上のバインダーポリマー、異なる重量平均分子量の2種類以上のバインダーポリマー、異なる分散度の2種類以上のバインダーポリマーが挙げられる。 These binder polymers are used alone or in combination of two or more. Examples of combinations of binder polymers when two or more types are used in combination include, for example, two or more types of binder polymers comprising different copolymerization components, two or more types of binder polymers having different weight average molecular weights, and two types having different dispersities. The above binder polymers are mentioned.
(B)成分である重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物は、上記一般式(1)で表されるビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物、上記一般式(2)で表されるアルコキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート化合物、及び上記一般式(3)で表されるノニルフェニルポリアルキレングリコールアクリレート化合物を含む。 The photopolymerizable compound having a polymerizable ethylenically unsaturated group as the component (B) is represented by the bisphenol A-based (meth) acrylate compound represented by the general formula (1) and the general formula (2). An alkoxylated trimethylolpropane triacrylate compound, and a nonylphenyl polyalkylene glycol acrylate compound represented by the above general formula (3).
式(1)中、X1及びX2はそれぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、p及びqはp+q=4〜40となる正の整数を示す。X1又はX2の炭素数が2〜6の範囲内にないか、又はp+qが4〜40の範囲内にない場合、感光層の密着性が十分に得られにくくなるか、硬化物層(レジストパターン)の剥離時間が長くなる傾向がある。密着性及び剥離性の観点から、X1及びX2はエチレン基であることが好ましく、p+qが10〜30であることが好ましい。In formula (1), X 1 and X 2 each independently represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, and p and q are p + q = 4. A positive integer of ~ 40 is indicated. Or the number of carbon atoms of X 1 or X 2 is not within the range of 2 to 6, or if p + q is not within the range of 4 to 40, or adhesion of the photosensitive layer is hardly sufficiently obtained cured product layer ( The stripping time of the resist pattern tends to be long. From the viewpoint of adhesion and peelability, X 1 and X 2 are preferably ethylene groups, and p + q is preferably 10-30.
式(1)の化合物の好適な具体例としては、ビスフェノールAポリオキシエチレンジメタクリレート(2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパン)がある。2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル)プロパンとしては、例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘキサエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシヘプタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシオクタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシノナエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシウンデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシドデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシトリデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシテトラデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパンが挙げられる。2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−500(新中村化学工業株式会社製、商品名)として商業的に入手可能であり、2,2−ビス(4−(メタクリロキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパンは、BPE−1300(新中村化学工業株式会社製、商品名)として商業的に入手可能である。これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 A preferred specific example of the compound of formula (1) is bisphenol A polyoxyethylene dimethacrylate (2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane). Examples of 2,2-bis (4-((meth) acryloxypolyethoxy) phenyl) propane include 2,2-bis (4-((meth) acryloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2- Bis (4-((meth) acryloxytriethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth)) Acryloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyhexaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyheptaethoxy) phenyl) propane 2,2-bis (4-((meth) acryloxyoctaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxy nonaethoxy) ) Phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxydecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxyundecaethoxy) phenyl) propane, 2, 2-bis (4-((meth) acryloxydodecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxytridecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- ( (Meth) acryloxytetradecaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane. 2,2-bis (4- (methacryloxypentaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-500 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), and 2,2-bis (4 -(Methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (trade name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.
式(2)中、X3、X4及びX5はそれぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、k、m及びnはk+m+n=3〜30となる正の整数を示す。X3、X4又はX5の炭素数が2〜6の範囲内にないか、又はk+m+n=3〜30の範囲内にない場合、硬化物層(レジストパターン)の強靭性や剥離性が低下する傾向がある。硬化物層(レジストパターン)の強靭性と剥離性を共に向上できる観点から、X3、X4及びX5としてはエチレン基が好ましい。また、k+m+n=6〜27の範囲内であることが好ましく、9〜27の範囲内であることがより好ましい。式(2)の化合物の好適な具体例としては、エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレートがある。In formula (2), X 3 , X 4 and X 5 each independently represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, k , M, and n are positive integers such that k + m + n = 3-30. When the carbon number of X 3 , X 4 or X 5 is not within the range of 2 to 6 or is not within the range of k + m + n = 3 to 30, the toughness and peelability of the cured product layer (resist pattern) are reduced. Tend to. From the viewpoint of improving both the toughness and peelability of the cured product layer (resist pattern), X 3 , X 4 and X 5 are preferably ethylene groups. Moreover, it is preferable to exist in the range of k + m + n = 6-27, and it is more preferable to exist in the range of 9-27. A preferred specific example of the compound of formula (2) is ethoxylated trimethylolpropane triacrylate.
式(3)中、X6は炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R6は水素原子又はメチル基を示し、rは1〜20の整数を示す。X6の炭素数が2〜6の範囲内にないか、又はrが1〜20の範囲内にない場合、硬化物層(レジストパターン)の剥離残りが生じたり、剥離時間が長くなる傾向がある。硬化物層(レジストパターン)の剥離残りと剥離性を共に向上できる観点から、X6としてはエチレン基が好ましい。また、rが2〜16の範囲内であることが好ましく、4〜12の範囲内であることがより好ましい。式(3)の化合物の好適な具体例としては、ノニルフェニルポリエチレングリコールアクリレートがある。In formula (3), X 6 represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, and r represents an integer of 1 to 20. When the number of carbon atoms of X 6 is not within the range of 2 to 6 or r is not within the range of 1 to 20, there is a tendency that the remaining peel of the cured product layer (resist pattern) occurs or the peeling time becomes long. is there. X 6 is preferably an ethylene group from the viewpoint of improving both the peeling residue and the peelability of the cured product layer (resist pattern). Moreover, r is preferably in the range of 2 to 16, and more preferably in the range of 4 to 12. A preferred specific example of the compound of formula (3) is nonylphenyl polyethylene glycol acrylate.
(B)成分は、上記以外の光重合性化合物を更に含んでいてもよい。他の光重合性化合物としては、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシエチル−β’−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。 The component (B) may further contain a photopolymerizable compound other than the above. Other photopolymerizable compounds include compounds obtained by reacting polyhydric alcohols with α, β-unsaturated carboxylic acids, compounds obtained by reacting glycidyl group-containing compounds with α, β-unsaturated carboxylic acids, γ-chloro-β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyethyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, (meth) acrylic acid alkyl ester, etc. Is mentioned.
(C)成分の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1,2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−プロパノン−1等の芳香族ケトン、2−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、2−tert−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ベンズアントラキノン、2−フェニルアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、1−クロロアントラキノン、2−メチルアントラキノン、1,4−ナフトキノン、9,10−フェナンタラキノン、2−メチル1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルアントラキノン等のキノン類、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等のアクリジン誘導体、N−フェニルグリシン、N−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物が挙げられる。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と3級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 Examples of the photopolymerization initiator (C) include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-Methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2- Aromatic ketones such as morpholino-propanone-1, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2 , 3-Diphenylanthraquinone, 1-chloroa Quinones such as traquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenantharaquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethylanthraquinone, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin Benzoin ether compounds such as phenyl ether, benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o -Chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5- Diphenylimidazole dimer 2,4,5-triarylimidazole dimer such as 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) ) Acridine derivatives such as heptane, N-phenylglycine, N-phenylglycine derivatives, and coumarin compounds. Moreover, you may combine a thioxanthone type compound and a tertiary amine compound like the combination of diethyl thioxanthone and dimethylaminobenzoic acid. These are used alone or in combination of two or more.
(C)成分は、これらの中でも、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体が特に好ましい。2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体は、2つの2,4,5−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基が同一である対称な化合物であってもよいし、置換基が異なる非対称な化合物であってもよい。 Among these, the component (C) is particularly preferably a 2,4,5-triarylimidazole dimer. The 2,4,5-triarylimidazole dimer may be a symmetric compound in which the substituents of the aryl groups of two 2,4,5-triarylimidazoles are the same, or an asymmetric with different substituents. It may be a compound.
バインダーポリマーの量は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部中、40〜80質量部とすることが好ましく、45〜70質量部とすることがより好ましい。この配合量が40質量部未満では光硬化物が脆くなり易く、感光性エレメントとして用いた場合に塗膜性が低下する傾向があり、80質量部を超えると光感度が低下する傾向がある。 The amount of the binder polymer is preferably 40 to 80 parts by mass and more preferably 45 to 70 parts by mass in 100 parts by mass of the total amount of the component (A) and the component (B). If this blending amount is less than 40 parts by mass, the photocured product tends to be brittle, and when used as a photosensitive element, the coating properties tend to be reduced, and if it exceeds 80 parts by mass, the photosensitivity tends to decrease.
(B)成分の光重合性化合物の量は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部中、20〜60質量部とすることが好ましく、30〜55質量部とすることがより好ましい。この量が20質量部未満では光感度が低下する傾向があり、60質量部を超えると光硬化物が脆くなる傾向がある。 The amount of the photopolymerizable compound of component (B) is preferably 20 to 60 parts by mass, and preferably 30 to 55 parts by mass, in 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B). More preferred. If this amount is less than 20 parts by mass, the photosensitivity tends to decrease, and if it exceeds 60 parts by mass, the photocured product tends to be brittle.
(B)成分の総量中、一般式(1)で表されるビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物の含有割合は、10質量%〜50質量%であることが好ましく、15質量%〜40質量%であることがより好ましい。10質量%未満では硬化物層(レジストパターン)の剥離残り抑制の効果が小さくなる傾向があり、50質量%を超えると感光層の密着不足によるめっきもぐりが発生する傾向がある。 In the total amount of component (B), the content of the bisphenol A-based (meth) acrylate compound represented by the general formula (1) is preferably 10% by mass to 50% by mass, and 15% by mass to 40% by mass. It is more preferable that If the amount is less than 10% by mass, the effect of suppressing the remaining peeling of the cured product layer (resist pattern) tends to be small, and if it exceeds 50% by mass, plating due to insufficient adhesion of the photosensitive layer tends to occur.
(B)成分の総量中、一般式(2)で表されるアルコキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート化合物の含有割合は、20質量%〜80質量%であることが好ましく、25質量%〜75質量%であることがより好ましく、30質量%〜65質量%であることが特に好ましい。20質量%未満では感光層の密着不足によるめっきもぐりが発生する傾向があり、80質量%を超えると硬化物層(レジストパターン)の剥離残りが生じたり硬化物層(レジストパターン)が脆くなる傾向がある。 In the total amount of the component (B), the content ratio of the alkoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate compound represented by the general formula (2) is preferably 20% by mass to 80% by mass, and preferably 25% by mass to More preferably, it is 75 mass%, and it is especially preferable that it is 30 mass%-65 mass%. If it is less than 20% by mass, there is a tendency for plating to be peeled due to insufficient adhesion of the photosensitive layer, and if it exceeds 80% by mass, the cured product layer (resist pattern) is not peeled off and the cured product layer (resist pattern) tends to be brittle. There is.
(B)成分の総量中、一般式(3)で表されるノニルフェニルポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート化合物の含有割合は、10質量%〜40質量%であることが好ましく、15質量%〜30質量%であることがより好ましい。10質量%未満では硬化物層(レジストパターン)の剥離性が悪化する傾向があり、40質量%を超えると感光層の密着不足が生じる傾向がある。 In the total amount of component (B), the content ratio of the nonylphenyl polyalkylene glycol (meth) acrylate compound represented by the general formula (3) is preferably 10% by mass to 40% by mass, and 15% by mass to 30%. More preferably, it is mass%. If it is less than 10% by mass, the peelability of the cured product layer (resist pattern) tends to deteriorate, and if it exceeds 40% by mass, insufficient adhesion of the photosensitive layer tends to occur.
(C)成分の光重合開始剤の量は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して、0.1〜20質量部であることが好ましく、0.2〜10質量部であることがより好ましく、2〜5質量部であることが特に好ましい。この量が0.1質量部未満では光感度が低下する傾向があり、20質量部を超えると露光の際に感光層の表面での吸収が増大して内部の光硬化が十分でなくなり易くなる傾向がある。 The amount of the photopolymerization initiator of the component (C) is preferably 0.1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B), and 0.2 to 10 It is more preferable that it is a mass part, and it is especially preferable that it is 2-5 mass parts. If this amount is less than 0.1 parts by mass, the photosensitivity tends to decrease, and if it exceeds 20 parts by mass, the absorption on the surface of the photosensitive layer increases during exposure and the internal photocuring tends to be insufficient. Tend.
感光性樹脂組成物は、以上のような成分の他、必要に応じて、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフェニルスルフォン、ロイコクリスタルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、p−トルエンスルホンアミド等の可塑剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤等を含有していてもよい。これらの成分の量は、(A)成分及び(B)成分の合計量100質量部に対して各々0.01〜20質量部程度であることが好ましい。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。 In addition to the components described above, the photosensitive resin composition may include, if necessary, a dye such as malachite green, a photochromic agent such as tribromophenyl sulfone or leuco crystal violet, a thermochromic inhibitor, p-toluenesulfonamide. Contains plasticizers, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents, etc. Also good. It is preferable that the quantity of these components is about 0.01-20 mass parts, respectively with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component. These are used alone or in combination of two or more.
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて、メタノール、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、トルエン、N,N−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶解して固形分30〜60質量%程度の溶液の状態で好適に用いられる。 If necessary, the photosensitive resin composition of the present invention may be a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, or a mixed solvent thereof. It is preferably used in the state of a solution having a solid content of about 30 to 60% by mass.
この感光性樹脂組成物の溶液は、例えば、金属面上に塗布し、乾燥して感光層を形成し、必要に応じて保護フィルムを被覆して硬化物層(レジストパターン)の形成に用いられる。この場合の金属としては、特に制限はないが、銅、銅系合金、ニッケル、クロム、鉄、ステンレス等の鉄系合金が挙げられ、硬化物層(レジストパターン)との密着性及び電子導電性の見地から銅、銅系合金、鉄系合金であることが好ましい。 The solution of the photosensitive resin composition is applied to, for example, a metal surface and dried to form a photosensitive layer, and a protective film is coated as necessary to form a cured product layer (resist pattern). . The metal in this case is not particularly limited, and examples thereof include copper, copper-based alloys, iron-based alloys such as nickel, chromium, iron, and stainless steel, and adhesion to a cured product layer (resist pattern) and electronic conductivity. From the above viewpoint, copper, a copper-based alloy, and an iron-based alloy are preferable.
あるいは、本発明の感光性樹脂組成物は、感光性エレメントの状態で好適に用いられる。図1は、本発明の感光性エレメントの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図1に示した感光性エレメント1は、支持体10と、支持体10上に設けられた感光層20と、感光層20上に設けられた保護フィルム30で構成される。
Or the photosensitive resin composition of this invention is used suitably in the state of the photosensitive element. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the photosensitive element of the present invention. The
感光層20は、上述した本発明の感光性樹脂組成物からなる。感光層20の厚みは、用途により異なるが、1〜100μmであることが好ましく、1〜50μmであることがより好ましい。この厚みが1μm未満では工業的に塗工困難となる傾向があり、100μmを超えると本発明の効果が小さくなり、接着力、解像度が低下する傾向がある。
The
感光層20は、波長365nmの紫外線に対する透過率が5〜75%であることが好ましく、7〜60%であることがより好ましく、10〜40%であることが特に好ましい。この透過率が5%未満では密着性が低下する傾向があり、75%を超えると解像度が低下する傾向がある。この透過率は、UV分光計により測定することができる。UV分光計としては、株式会社日立製作所製228A型Wビーム分光光度計等が挙げられる。
The
感光層20は、上述の感光性樹脂組成物の溶液を調製し、これを支持体10上に塗布して形成することが好ましい。塗布は、例えば、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイコータ、バーコータ等の公知の方法で行うことができる。また、乾燥は、70〜150℃、5〜30分間程度で行うことができる。
The
支持体10は、厚みが5〜25μmあることが好ましく、8〜20μmであることがより好ましく、10〜16μmであることが特に好ましい。この厚みが5μm未満では現像前の支持体剥離の際に破れやすくなる傾向があり、25μmを超えると解像度が低下する傾向がある。
The
支持体10のヘーズは0.001〜5.0であることが好ましく、0.001〜2.0であることがより好ましく、0.01〜1.8であることが特に好ましい。このヘーズが2.0を超えると、解像度が低下する傾向がある。ヘーズはJIS K 7105に準拠して測定したものであり、NDH−1001DP(日本電色工業株式会社製、商品名)等の市販の濁度計等で測定が可能である。
The haze of the
支持体10及び保護フィルム30としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の重合体フィルムが、耐熱性及び耐溶剤性の点で優れるため好適に用いられる。
As the
保護フィルム30は、厚みが5〜30μmであることが好ましく、10〜28μmであることがより好ましく、15〜25μmであることが特に好ましい。この厚みが5μm未満ではラミネートの際に保護フィルム30が破れ易くなる傾向があり、30μmを超えると廉価性に劣る傾向がある。
The
保護フィルム30の長手方向の引張強さは13MPa以上であることが好ましく、13〜100MPaであることがより好ましく、14〜100MPaであることが更に好ましく、15〜100MPaであることがより一層好ましく、16〜100MPaであることが更により一層好ましい。この引張強さが13MPa未満であると、ラミネートの際に保護フィルム30が破れ易くなる傾向がある。
The tensile strength in the longitudinal direction of the
保護フィルム30の幅方向の引張強さは9MPa以上であることが好ましく、9〜100MPaであることがより好ましく、10〜100MPaであることが更に好ましく、11〜100MPaであることがより一層好ましく、12〜100MPaであることが更により一層好ましい。この引張強さが9MPa未満ではラミネートの際に保護フィルム30が破れ易くなる傾向がある。
The tensile strength in the width direction of the
上記引張強さはJIS C 2318−1997(5.3.3)に準拠して測定することができ、東洋ボールドウィン株式会社製、商品名テンシロン等の市販の引張強さ試験機等で測定が可能である。 The tensile strength can be measured according to JIS C 2318-1997 (5.3.3), and can be measured with a commercial tensile strength tester such as Toyo Baldwin Co., Ltd. It is.
支持体10及び保護フィルム30は、後に感光層20から除去可能でなくてはならないため、除去が不可能となるような表面処理が施されたものであってはならないが、特に制限はなく必要に応じて処理を行ってもよい。支持体10及び保護フィルム30は必要に応じて帯電防止処理が施されていてもよい。
Since the
本発明の感光性エレメントは上記実施形態に限定されず、感光層、支持体及び保護フィルムの他に、クッション層、接着層、光吸収層、ガスバリア層等の中間層や保護層を有していてもよい。 The photosensitive element of the present invention is not limited to the above embodiment, and has an intermediate layer and a protective layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorption layer, and a gas barrier layer in addition to the photosensitive layer, the support and the protective film. May be.
感光性エレメント1は、例えば、そのままで又は感光層20の他の面に保護フィルム30を更に積層して円筒状の巻芯に巻きとって貯蔵される。
The
次に、本発明の感光性樹脂組成物を用いたプリント配線板の製造方法の一実施形態について説明する。本実施形態のプリント配線板の製造方法において、回路形成済基板とは、プリント配線板に含まれるものであり、回路形成用基板及び回路パターン(回路導線)を有する。回路形成済基板は、スルーホール等を有してもよく、また、多層構造を有してもよい。 Next, an embodiment of a method for producing a printed wiring board using the photosensitive resin composition of the present invention will be described. In the printed wiring board manufacturing method of this embodiment, the circuit-formed board is included in the printed wiring board and includes a circuit forming board and a circuit pattern (circuit conductor). The circuit formed substrate may have a through hole or the like, or may have a multilayer structure.
本実施形態では、レジストを用いる。レジストとは、エッチング、はんだ付け又は膜形成を選択的に行うため、プリント配線板の特定領域をマスク又は保護する被覆材料であり、めっき保護膜としても機能する。通常、フォトレジストを用い、その感光性を利用して、微細かつ正確なパターンを所定の領域に高い精度で被覆形成して、被保護物を保護する。本発明のプリント配線板の製造方法において、レジストは目的により2種類に分けられる。 In this embodiment, a resist is used. The resist is a coating material that masks or protects a specific area of the printed wiring board in order to selectively perform etching, soldering, or film formation, and also functions as a plating protective film. Usually, a photoresist is used, and a fine and accurate pattern is coated on a predetermined region with high accuracy by utilizing its photosensitivity to protect the object to be protected. In the method for producing a printed wiring board of the present invention, the resist is classified into two types depending on the purpose.
その一方は、ソルダーレジスト(表面樹脂層)であり、例えば、はんだ付けにより接合部分を形成する領域のみが露出するように塗布、露光して、所望の被覆(保護)パターンを有するよう形成したものである。すなわちソルダーレジスト(表面樹脂層)は、回路パターンを除いた回路形成済基板の全面を被覆するように形成される。 One of them is a solder resist (surface resin layer), for example, it is formed by applying and exposing so that only the region where the joint part is formed is exposed by soldering and having a desired coating (protection) pattern It is. That is, the solder resist (surface resin layer) is formed so as to cover the entire surface of the circuit-formed substrate excluding the circuit pattern.
もう一つは、めっきレジストである。めっきレジストは、感光性エレメントを用いて感光層を積層し、露光して無電解めっきを行う領域のみが露出するような被覆(保護)パターンを有するように形成した硬化物層(レジストパターン)である。すなわち、この硬化物層(レジストパターン)は、実装パッドの部分等のめっきによる金属の付着が望ましくない回路形成済基板の全面を被覆するように形成される。 The other is a plating resist. The plating resist is a cured product layer (resist pattern) formed so as to have a coating (protection) pattern that exposes only the region where electroless plating is performed by exposing a photosensitive layer using a photosensitive element. is there. That is, the cured product layer (resist pattern) is formed so as to cover the entire surface of the circuit-formed substrate where metal adhesion by plating such as a mounting pad portion is not desirable.
以下に図を用いて本実施形態をより詳細に説明する。図2は、本発明のプリント配線板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。図2に示す実施形態では、まず、回路形成用基板40上に回路パターン50が形成された回路形成済基板80と回路形成済基板80上に形成された表面樹脂層(ソルダーレジスト)60とを有する第1の積層基板100を準備する(図2の(a))。表面樹脂層60には、回路パターン50の露出部50aが露出する開口部70が形成されている。そして、第1の積層基板100の表面樹脂層60側の面上に感光性エレメント1を感光層20が表面樹脂層60と密着するように積層する((図2の(b))。
Hereinafter, the present embodiment will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 2 is a process diagram showing an embodiment of a method for producing a printed wiring board of the present invention. In the embodiment shown in FIG. 2, first, a circuit formed
次に、回路形成済基板80上に積層された感光層20に対して、マスクパターン90を通して活性光線92を画像状に照射する(図2の(c))。マスクパターン90は活性光線92を遮蔽する遮蔽部90aと、活性光線92を透過する透明部90bとを有している。これにより、感光層20の一部(露光部22)を露光し、感光性樹脂組成物の硬化物を形成させる。露光後、支持体10及び未露光部を除去して現像し、パターニングされた硬化物層(レジストパターン)24を形成させる(図2の(d))。このようにして、回路形成済基板80上に表面樹脂層60及び硬化物層(レジストパターン)24をこの順に備えた第2の積層基板200を得る。硬化物層(レジストパターン)24は、回路パターン50の露出部50aが露出するように、めっきレジストの目的で形成させる。この硬化物層(レジストパターン)24は、その後任意に後硬化させることができる。
Next, the
表面樹脂層60及び硬化物層(レジストパターン)24をマスクとして、第2の積層基板200に対してNi無電解めっきを行い、回路パターン50上にめっき層55を形成する(図2の(e))。続いて、無電解めっきがされた第2の積層基板200から硬化物層24を除去してプリント配線板300を得る(図2の(f))。
Using the
図3及び図4は、本発明のプリント配線板の製造方法の他の実施形態を示す工程図であり、図3はその第2の工程までを、図4はその第3工程を示す工程図である。図3に示す第1の工程では、まず、回路形成用基板40上に回路パターン50及び51が形成された回路形成済基板80と回路形成済基板80上に形成された表面樹脂層60とを有する第1の積層基板100を準備する(図3の(a))。表面樹脂層60には、回路パターン50及び51の露出部50a及び51aが露出する開口部70が形成されている。そして、第1の積層基板100の表面樹脂層60側の面上に感光性エレメント1を感光層20が表面樹脂層60と密着するように積層する((図3の(b))。
3 and 4 are process diagrams showing another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention. FIG. 3 shows the process up to the second process, and FIG. 4 shows the process of the third process. It is. In the first step shown in FIG. 3, first, a circuit-formed
第2の工程では、回路形成済基板80上に積層された感光層20に対して、マスクパターン90を通して活性光線92を画像状に照射する(図3の(c))。マスクパターン90は活性光線92を遮蔽する遮蔽部90aと、活性光線92を透過する透明部90bとを有している。これにより、感光層20の一部(露光部22)を露光し、感光性樹脂組成物の硬化物を形成させる。露光後、支持体10及び未露光部を除去して現像し、パターニングされた硬化物層(レジストパターン)24を形成させる(図3の(d))。このようにして、回路形成済基板80上に表面樹脂層60及び硬化物層(レジストパターン)24をこの順に備えた第2の積層基板200を得る。硬化物層(レジストパターン)24は、無電解めっきを行う回路パターン50のみが露出し、めっきによる金属の付着が好ましくない回路パターン51等の領域を被覆するめっきレジストとして機能する。この硬化物層(レジストパターン)24は、その後任意に後硬化させることができる。
In the second step, the
図4に示す第3の工程では、表面樹脂層60及び硬化物層(レジストパターン)24をマスクとして、第2の積層基板200に対してNi無電解めっきを行い、マスクされていない回路パターン50の表面にNiめっき層55aを形成する(図4の(e))。続いて、置換Auめっきを行い、Niめっき層の上にAuめっき層55bを形成する(図4の(f))。このようにして、所要の部分にのみ金属めっき加工を施し、硬化物層(レジストパターン)24を剥離して、実装部品の信頼性に優れたプリント配線板300(図4の(g))を得る。
In the third step shown in FIG. 4, Ni electroless plating is performed on the second
図2及び図3に示す第1の積層基板100は、例えば、回路形成用基板40上に感光性エレメント1をその感光層20が回路形成用基板40と密着するようにして積層し、活性光線を画像状に照射してから現像する方法により、パターニングされた表面樹脂層60を形成させる工程と、表面樹脂層60をマスクとしてエッチング又はめっきして回路パターン50を形成する工程とを経て作製される。
2 and 3, for example, the
上記第1の工程においては、保護フィルム30を除去後、感光層20を加熱しながら表面樹脂層60上に圧着することにより感光性エレメント1が積層される。この際、密着性及び追従性の見地から減圧下で積層することが好ましい。より具体的には積層の際、感光層20を70〜130℃に加熱することが好ましく、圧着圧力は0.1〜1.0MPa程度(1〜10kgf/cm2程度)とすることが好ましい。感光層20をこのように70〜130℃に加熱すれば、予め回路形成済基板を予熱処理することは必要ではないが、積層性をさらに向上させるために、回路形成済基板の予熱処理を行ってもよい。In the first step, the
活性光線92の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ等の紫外線、可視光などを有効に放射するものが用いられる。マスクパターン90はアートワークと呼ばれるネガ又はポジマスクパターンである。
As the light source of the
露光後の現像は、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機溶剤等の感光性樹脂組成物に対応した現像液によるウエット現像、ドライ現像等で未露光部を除去して行う。現像の方式には、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等があり、高圧スプレー方式が解像度向上のためには最も適している。 Development after exposure is performed by removing unexposed portions by wet development, dry development or the like with a developer corresponding to a photosensitive resin composition such as an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, or an organic solvent. Development methods include a dip method, a battle method, a spray method, brushing, and slapping, and the high pressure spray method is most suitable for improving the resolution.
現像液としては、安全かつ安定であり、操作性が良好である点から、アルカリ性水溶液等が好ましく用いられる。アルカリ性水溶液の塩基としては、例えば、リチウム、ナトリウム又はカリウムの水酸化物等の水酸化アルカリ、リチウム、ナトリウム、カリウム若しくはアンモニウムの炭酸塩又は重炭酸塩等の炭酸アルカリ、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等のアルカリ金属ピロリン酸塩などが用いられる。現像の方式には、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等があり、高圧スプレー方式が解像度向上のためには最も適している。 As the developer, an alkaline aqueous solution or the like is preferably used in terms of safety and stability and good operability. Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkali hydroxides such as lithium, sodium or potassium hydroxide, alkali carbonates such as lithium, sodium, potassium or ammonium carbonate or bicarbonate, potassium phosphate, sodium phosphate And alkali metal pyrophosphates such as sodium pyrophosphate and potassium pyrophosphate. Development methods include a dip method, a battle method, a spray method, brushing, and slapping, and the high pressure spray method is most suitable for improving the resolution.
アルカリ性水溶液は、より具体的には、0.1〜5質量%炭酸ナトリウムの希薄溶液、0.1〜5質量%炭酸カリウムの希薄溶液、0.1〜5質量%水酸化ナトリウムの希薄溶液、0.1〜5質量%四ホウ酸ナトリウムの希薄溶液等が好ましい。また、アルカリ性水溶液のpHは9〜11の範囲とすることが好ましく、その温度は感光層の現像性に合わせて調整される。 More specifically, the alkaline aqueous solution is a dilute solution of 0.1 to 5% by mass sodium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5% by mass potassium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5% by mass sodium hydroxide, A dilute solution of 0.1 to 5% by mass sodium tetraborate is preferred. Moreover, it is preferable to make pH of alkaline aqueous solution into the range of 9-11, and the temperature is adjusted according to the developability of a photosensitive layer.
アルカリ性水溶液中には、表面活性剤、消泡剤、現像を促進させるための少量の有機溶剤等を混入させてもよい。この場合に用いられるアルカリ物質としては、前記物質以外に、ホウ砂やメタケイ酸ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、エタノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、2−アミノ−2−ヒドロキシメチル−1,3−プロパンジオール、1,3−ジアミノプロパノール−2,モルホリン等が挙げられる。現像液のpHは、レジストの現像が充分にできる範囲でできるだけ小さくすることが好ましく、pH8〜12とすることが好ましく、pH9〜10とすることがより好ましい。 In the alkaline aqueous solution, a surfactant, an antifoaming agent, a small amount of an organic solvent for promoting development, and the like may be mixed. In addition to the above substances, the alkaline substance used in this case includes borax, sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol. 1,3-diaminopropanol-2, morpholine and the like. The pH of the developer is preferably as low as possible within a range where the resist can be sufficiently developed, preferably pH 8-12, more preferably pH 9-10.
上記有機溶剤としては、例えば、三アセトンアルコール、アセトン、酢酸エチル、炭素数1〜4のアルコキシ基をもつアルコキシエタノール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが挙げられる。これらは、単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。有機溶剤の濃度は、通常、2〜90質量%とすることが好ましく、その温度は、現像性にあわせて調整することができる。また、有機溶剤が混入された水系現像液中には、界面活性剤、消泡剤等を少量添加することもできる。 Examples of the organic solvent include triacetone alcohol, acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcohol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol mono Butyl ether is mentioned. These are used alone or in combination of two or more. The concentration of the organic solvent is usually preferably 2 to 90% by mass, and the temperature can be adjusted according to the developability. A small amount of a surfactant, an antifoaming agent, or the like can be added to the aqueous developer mixed with an organic solvent.
単独で用いる有機溶剤系現像液としては、例えば、1,1,1−トリクロロエタン、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトンが挙げられる。これらの有機溶剤は、引火防止のため、1〜20質量%の範囲で水を添加することが好ましい。また、必要に応じて2種以上の現像方法を併用してもよい。 Examples of the organic solvent-based developer used alone include 1,1,1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, and γ-butyrolactone. These organic solvents preferably add water in the range of 1 to 20% by mass in order to prevent ignition. Moreover, you may use together 2 or more types of image development methods as needed.
現像後の処理として、必要に応じて60〜250℃程度の加熱又は0.2〜10mJ/cm2程度の露光を行うことにより硬化物層(レジストパターン)を更に硬化してもよい。As a treatment after development, the cured product layer (resist pattern) may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C. or exposure at about 0.2 to 10 mJ / cm 2 as necessary.
無電解めっきとしては、無電解Niめっきが挙げられる。無電解Niめっき上に、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、銅、スズ等の金属めっきを行ってもよい。 Examples of the electroless plating include electroless Ni plating. Metal plating such as gold, silver, palladium, platinum, rhodium, copper, and tin may be performed on the electroless Ni plating.
無電解めっきの後の硬化物層(レジストパターン)の除去は、例えば、現像に用いたアルカリ性水溶液より更に強アルカリ性の水溶液で剥離することにより行うことができる。強アルカリ性の水溶液としては、例えば、1〜10質量%水酸化ナトリウム水溶液、1〜10質量%水酸化カリウム水溶液等が用いられる。剥離方式としては、浸漬方式、スプレー方式等が挙げられる。 The removal of the cured product layer (resist pattern) after the electroless plating can be performed, for example, by peeling with a stronger alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used for development. As the strong alkaline aqueous solution, for example, a 1 to 10% by mass sodium hydroxide aqueous solution, a 1 to 10% by mass potassium hydroxide aqueous solution and the like are used. Examples of the peeling method include an immersion method and a spray method.
以下、実施例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4
(バインダーポリマー1の合成)
メタクリル酸、メタクリル酸メチル及びスチレンを質量比28:60:12の割合で共重合させ、重量平均分子量60000、ガラス転移温度124℃、酸価68mgKOH/gの共重合体(バインダーポリマー1)を得た。該バインダーポリマー1を、メチルセルソルブ/トルエン(6:4、質量比)に不揮発成分(固形分)50質量%になるように溶解させ、バインダーポリマー1の溶液を得た。
Examples 1-6 and comparative examples 7, 8, 1-4
(Synthesis of binder polymer 1)
Methacrylic acid, methyl methacrylate and styrene are copolymerized in a mass ratio of 28:60:12 to obtain a copolymer (binder polymer 1) having a weight average molecular weight of 60,000, a glass transition temperature of 124 ° C., and an acid value of 68 mgKOH / g. It was. The
(バインダーポリマー2の合成)共重合単量体としてメタクリル酸130g、メタクリル酸メチル170g、アクリル酸エチル100g及びスチレン100gと、アゾビスイソブチロ二トリル3.0gとを混合し、溶液αを調製した。撹拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロート及び窒素ガス導入管を備えたフラスコに、質量比3:2であるメチルセロソルブ及びトルエンの配合物500gを加え、窒素ガスを吹き込みながら撹拌して、85℃まで加熱した。そこへ、溶液αを4時間かけて滴下した後、85℃で撹拌しながら2時間保温した。 (Synthesis of Binder Polymer 2) As a comonomer, 130 g of methacrylic acid, 170 g of methyl methacrylate, 100 g of ethyl acrylate and 100 g of styrene were mixed with 3.0 g of azobisisobutyronitrile to prepare a solution α. did. To a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introduction tube, 500 g of a mixture of methyl cellosolve and toluene having a mass ratio of 3: 2 was added and stirred while blowing nitrogen gas, Heated to 85 ° C. The solution α was dropped therein over 4 hours, and the mixture was kept warm at 85 ° C. for 2 hours with stirring.
更に、質量比3:2であるメチルセロソルブ及びトルエンの配合物150gにアゾビスイソブチロ二トリル0.5gを溶解させた溶液を、10分かけてフラスコ内に滴下した。滴下後の溶液を撹拌しながら85℃で5時間保温した後、冷却してバインダーポリマー2の溶液を得た。バインダーポリマー2の溶液の不揮発成分(固形分)は50.0質量%であり、バインダーポリマー2の重量平均分子量は100000であった。 Further, a solution in which 0.5 g of azobisisobutyronitryl was dissolved in 150 g of a mixture of methyl cellosolve and toluene having a mass ratio of 3: 2 was dropped into the flask over 10 minutes. The solution after dropping was kept at 85 ° C. for 5 hours with stirring, and then cooled to obtain a solution of binder polymer 2. The nonvolatile component (solid content) of the solution of the binder polymer 2 was 50.0% by mass, and the weight average molecular weight of the binder polymer 2 was 100,000.
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法によって測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて換算することにより導出した。GPCの測定条件は、以下に示す。
(GPC測定条件)
・ポンプ:日立L−6000型[(株)日立製作所製]
・カラム:GelpackGL−R420+GelpackGL−R430+GelpackGL−R440(計3本)(以上、日立化成工業(株)製、商品名)
・溶離液:テトラヒドロフラン
・測定温度:室温
・流量:2.05mL/分
・検出器:日立L−3300型RI[(株)日立製作所製]The weight average molecular weight was measured by a gel permeation chromatography (GPC) method and was derived by conversion using a standard polystyrene calibration curve. The measurement conditions for GPC are shown below.
(GPC measurement conditions)
・ Pump: Hitachi L-6000 type [manufactured by Hitachi, Ltd.]
-Column: GelpackGL-R420 + GelpackGL-R430 + GelpackGL-R440 (3 in total) (above, product name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Eluent: Tetrahydrofuran Measurement temperature: Room temperature Flow rate: 2.05 mL / min Detector: Hitachi L-3300 type RI [manufactured by Hitachi, Ltd.]
表1及び表2は、(A)成分、(B)成分、(C)成分及びその他の添加成分の混合比を示すものである。表1及び表2に示すように、(A)成分及びその他の添加剤成分を混合し、この混合物に(B)成分及び(C)成分を溶解させて、感光性樹脂組成物の溶液を得た。 Tables 1 and 2 show the mixing ratio of the component (A), the component (B), the component (C), and other additive components. As shown in Table 1 and Table 2, the component (A) and other additive components are mixed, and the component (B) and the component (C) are dissolved in this mixture to obtain a solution of the photosensitive resin composition. It was.
1:固形分としての質量
2:ビスフェノールAポリエキシエチレンジメタクリレート:新中村化学工業(株)製商品名(一般式(1)の化合物において、R1がメチル基、X1及びX2がエチレン基、p+qの平均値が約10)
3:ビスフェノールAポリエキシエチレンジメタクリレート:新中村化学工業(株)製商品名(一般式(1)の化合物において、R1がメチル基、X1及びX2がエチレン基、p+qの平均値が約30)
4:エトキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート:日本化薬(株)製品名(一般式(2)の化合物において、R3、R4及びR5が水素原子、X3、X4及びX5がエチレン基、k+m+nの平均値が約9)
5:ノニルフェニルポリエチレングリコールアクリレート:東亜合成(株)製品名(一般式(3)の化合物において、R6が水素原子、X6がエチレン基、rの平均値が約4)
6:ノニルフェニルポリエチレングリコールアクリレート:新中村化学(株)製品名(一般式(3)の化合物において、R6が水素原子、X6がエチレン基、rの平均値が約8)
7:ポリプロピレングリコールジアクリレート:新中村化学(株)製品名:新中村化学(株)製品名
8:トリメチロールプロパントリアクリレート:新中村化学(株)製品名1: Mass as solid content 2: Bisphenol A polyethyleneethylene dimethacrylate: trade name of Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. (in the compound of general formula (1), R 1 is a methyl group, X 1 and X 2 are ethylene Group, the average value of p + q is about 10)
3: Bisphenol A polyoxyethylene dimethacrylate: trade name of Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. (in the compound of general formula (1), R 1 is a methyl group, X 1 and X 2 are ethylene groups, and the average value of p + q is About 30)
4: Ethoxylated trimethylolpropane triacrylate: Nippon Kayaku Co., Ltd. product name (in the compound of general formula (2), R 3 , R 4 and R 5 are hydrogen atoms, X 3 , X 4 and X 5 are ethylene The average value of k + m + n is about 9)
5: Nonylphenyl polyethylene glycol acrylate: Toa Gosei Co., Ltd. product name (in the compound of general formula (3), R 6 is a hydrogen atom, X 6 is an ethylene group, and the average value of r is about 4)
6: Nonylphenyl polyethylene glycol acrylate: Product name of Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. (in the compound of general formula (3), R 6 is a hydrogen atom, X 6 is an ethylene group, and the average value of r is about 8)
7: Polypropylene glycol diacrylate: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. Product name: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. Product name 8: Trimethylolpropane triacrylate: Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
(感光性エレメントの作製)
実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4の感光性樹脂組成物の溶液を、16μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルム(ヘーズ:1.7%、商品名GS−16、帝人(株)製)上に均一に塗布し、100℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥した後、ポリエチレン製保護フィルムで保護し感光性エレメントを得た。感光層の乾燥後の膜厚は、50μmであった。
(Production of photosensitive element)
A solution of the photosensitive resin composition of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1 to 4, a 16 μm thick polyethylene terephthalate film (haze: 1.7%, trade name GS-16, manufactured by Teijin Ltd.) ) Uniformly coated on the substrate, dried for 10 minutes with a hot air convection dryer at 100 ° C., and then protected with a polyethylene protective film to obtain a photosensitive element. The film thickness after drying of the photosensitive layer was 50 μm.
(回路形成済基板の作製)
縦12.5cm横20cm厚さ1.6mmの両面銅張りエポキシ積層板(日立化成工業(株)製、商品名:MCL−E−61)の片面の銅箔表面に、周縁部1cmを残して、所定のパターンを有するエッチングレジストを形成した。エッチングレジストに覆われていない部分の銅箔をエッチング除去し、金属端子(パッド)や配線を有する回路パターンを形成した。残りのエッチングレジストを剥離して、回路形成済基板を得た。裏面は全面エッチングし、ガラスエポキシ表面が露出した状態にした。(Production of circuit-formed board)
12.5 cm long, 20 cm wide, 1.6 mm thick double-sided copper-clad epoxy laminate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: MCL-E-61), leaving a 1 cm rim on the copper foil surface on one side Then, an etching resist having a predetermined pattern was formed. A portion of the copper foil not covered with the etching resist was removed by etching to form a circuit pattern having metal terminals (pads) and wiring. The remaining etching resist was peeled off to obtain a circuit-formed substrate. The entire back surface was etched so that the glass epoxy surface was exposed.
(表面樹脂層の形成)
得られた回路形成済基板の回路面に、フォトレジスト(太陽インキ製造(株)製、商品名:PSR−4000)を、周縁部1cmを残して全面に塗布し、80℃で30分間乾燥した。その後、フォトツールを介し、露光機((株)オーク製作所製、商品名:HMW−590)を用いて、めっきする実装パッド部を除く全面を露光した。未露光部分を1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)で60秒間スプレー現像し、パッド部上のフォトレジストを除去して、パターンを形成し、その後、150℃で1時間加熱することにより熱硬化させ、回路形成済基板上に表面樹脂層(ソルダーレジスト)を形成した。(Formation of surface resin layer)
Photoresist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., trade name: PSR-4000) was applied to the entire surface of the circuit-formed substrate obtained, leaving a peripheral edge of 1 cm, and dried at 80 ° C. for 30 minutes. . Then, the whole surface except the mounting pad part to plate was exposed using the exposure machine (Oak Manufacturing Co., Ltd. make, brand name: HMW-590) through the photo tool. The unexposed area is spray-developed with a 1% by weight aqueous sodium carbonate solution (30 ° C) for 60 seconds, the photoresist on the pad is removed to form a pattern, and then heated at 150 ° C for 1 hour to thermally cure. A surface resin layer (solder resist) was formed on the circuit-formed substrate.
(硬化物層(レジストパターン)の形成)
表面樹脂層を備えた回路形成済基板の両面に、実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4で得られた感光性エレメントの感光層(感光性樹脂組成物層)を、圧力0.4MPa、温度110℃、ラミネート速度1.5m/分でラミネートし、積層した。積層された感光層のうち、無電解めっき加工を行う回路パターンを除く全面を露光し、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)で80秒間スプレー現像して硬化物層(レジストパターン)を形成した。
(Formation of cured product layer (resist pattern))
Pressure is applied to the photosensitive layer (photosensitive resin composition layer) of the photosensitive element obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1 to 4 on both surfaces of the circuit-formed substrate provided with the surface resin layer. Lamination was performed at 0.4 MPa, a temperature of 110 ° C., and a laminating speed of 1.5 m / min. Of the laminated photosensitive layer, the entire surface excluding the circuit pattern to be subjected to electroless plating was exposed and spray-developed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) for 80 seconds to form a cured product layer (resist pattern). .
以上により得られた感光性エレメント及び積層基板について、以下の方法により特性評価を行った。表3及び表4は、その評価結果を示すものである。 About the photosensitive element and laminated substrate which were obtained by the above, characteristic evaluation was performed with the following method. Tables 3 and 4 show the evaluation results.
(耐めっき性)
実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4で得られた積層基板を、Pro Select SF(アトテックジャパン(株)製、商品名)に、50℃にて5分間浸漬し、脱脂処理を行った。室温にて1分間流水で洗浄後、Micro Etch SF(アトテックジャパン(株)製、商品名)に30℃にて1分間浸漬し、ソフトエッチング処理を行った。室温にて1分間流水で洗浄後、5%硫酸溶液に室温にて1分間浸漬し、酸洗処理を行った。
(Plating resistance)
The laminated substrates obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1 to 4 were immersed in Pro Select SF (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name) for 5 minutes at 50 ° C., and degreased. Went. After washing with running water for 1 minute at room temperature, it was immersed in Micro Etch SF (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name) for 1 minute at 30 ° C. and subjected to a soft etching treatment. After washing with running water for 1 minute at room temperature, it was immersed in a 5% sulfuric acid solution for 1 minute at room temperature to perform pickling treatment.
その後、積層基板を、無電解めっき用触媒溶液オーロテック1000(アトテックジャパン(株)製、商品名)に室温にて90秒間浸漬し、活性化させた。室温にて2分間流水で洗浄後、Ni−Pめっき液であるオーロテックHP(アトテックジャパン(株)製、商品名)に、83℃で、40分間浸漬し、無電解Niめっきを行った。 Thereafter, the multilayer substrate was immersed in electroless plating catalyst solution Aurotech 1000 (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., trade name) for 90 seconds at room temperature to activate. After washing with running water for 2 minutes at room temperature, electroless Ni plating was performed by immersing in Aurotech HP (trade name, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) which is a Ni-P plating solution at 83 ° C. for 40 minutes.
室温にて2分間流水で洗浄後、オーロテックCS4000(アトテック(株)製、オーロテックCS4000:150mL/L,シアン化金カリウム:1.47g/L,オーロテックSF:1mL/L)に、85℃にて10分間浸漬し、置換型無電解Auめっきを行った。後処理として、水洗し、85℃にて15分間乾燥した。 After washing with running water for 2 minutes at room temperature, 85% in Aurotech CS4000 (manufactured by Atotech Co., Ltd., Aurotech CS4000: 150 mL / L, potassium gold cyanide: 1.47 g / L, Aurotech SF: 1 mL / L) The substrate was immersed for 10 minutes at a temperature of 0 ° C., and substituted electroless Au plating was performed. As a post-treatment, it was washed with water and dried at 85 ° C. for 15 minutes.
こうしてめっき層が形成された積層基板について、目視で硬化物層(レジストパターン)の破れ及び膨れの有無(特にパッド部周囲)を、以下に示す基準により判定し、耐めっき性を評価した。評価結果を表3及び表4に示す。なお、めっき性の評価は破れ及び膨れが無いほうが良好であることを意味する。
判定基準
A:全面破れ及び膨れなし B:一部破れ及び膨れ有り C:全面破れ及び膨れ有りAbout the laminated substrate in which the plating layer was formed in this manner, the presence or absence of tearing and swelling of the cured product layer (resist pattern) (particularly around the pad portion) was determined by the following criteria to evaluate the plating resistance. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4. In addition, evaluation of plating property means that it is better that there is no tearing and swelling.
Judgment criteria A: No torn or swollen B: Some torn or swollen C: All torn or swollen
(剥離性)
縦4cm横5cm厚さ1.6mmの両面銅張りエポキシ積層板(日立化成工業(株)製、商品名:MCL−E−61)の片面に、フォトレジスト(太陽インキ製造(株)製、PSR−4000)を全面塗布し、80℃で30分間乾燥した。(Peelability)
Double-sided copper-clad epoxy laminate with 4cm length and 5cm thickness and 1.6mm thickness (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name: MCL-E-61), a photoresist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., PSR) -4000) was coated on the entire surface and dried at 80 ° C. for 30 minutes.
上記フォトレジストを塗布した積層板に対して、図5に示す格子状フォトツール(マスクパターン)90を介して全面露光を行った。格子状フォトツール(マスクパターン)90は、活性光線を遮蔽する複数の遮蔽部90aと、活性光線を透過する透明部90bとを有している。遮蔽部90aは、横(図5のA)が2.6mm、縦(図5のB)が0.8mmであり、0.45mmの間隔(図5のC)をあけて並んでいる。露光には露光機((株)オーク製作所製、商品名:HMW−590)を用いた。
The entire surface of the laminated plate coated with the photoresist was exposed through a lattice-like phototool (mask pattern) 90 shown in FIG. The lattice-like phototool (mask pattern) 90 has a plurality of shielding
露光後、未露光部分を1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)で60秒間スプレー現像した。続いて150℃で1時間加熱して熱硬化させ、上記積層板上に表面樹脂層(ソルダーレジスト)を形成した。この表面樹脂層には、上記積層板の一部の銅が露出する開口部が形成されている。 After exposure, the unexposed part was spray-developed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) for 60 seconds. Then, it heated at 150 degreeC for 1 hour, was hardened, and formed the surface resin layer (solder resist) on the said laminated board. The surface resin layer is formed with an opening through which a part of the copper of the laminated plate is exposed.
上記表面樹脂層を備えた積層板の両面に、実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4の感光性エレメントの感光層を、圧力0.4MPa、温度110℃、ラミネート速度1.5m/分の条件でラミネートし、積層した。積層された感光層に対して、ストーファー21段ステップタブレットにおける現像後の残存ステップ段数が8.0となるエネルギー露光量で全面露光を行い、硬化物層を形成した。こうして、上記表面樹脂層を備えた積層板の上下両面を硬化物層が覆う評価用積層板を得た。 The photosensitive layers of the photosensitive elements of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1-4 were applied to both sides of the laminate provided with the surface resin layer at a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 110 ° C., and a laminating speed of 1. Lamination was performed under the condition of 5 m / min. The laminated photosensitive layer was subjected to overall exposure with an energy exposure amount such that the number of remaining steps after development in the stove 21-step tablet was 8.0, thereby forming a cured product layer. In this way, the evaluation laminated board which a hardened | cured material layer covers the upper and lower surfaces of the laminated board provided with the said surface resin layer was obtained.
この評価用積層板に対し、1質量%炭酸ナトリウム水溶液(30℃)で80秒間スプレーし、上記耐めっき性評価と同様の方法でめっき処理を行った。その後、50℃に加温した3質量%水酸化ナトリウム水溶液に浸漬し、硬化物層が上記表面樹脂層を備えた積層板から剥離するまでの時間を測定することで、剥離性を評価した。評価結果を表3及び表4に示す。剥離性の評価は、時間が短いほど良好であることを意味する。 The laminate for evaluation was sprayed with a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) for 80 seconds, and a plating treatment was performed in the same manner as in the evaluation of plating resistance. Then, it was immersed in 3 mass% sodium hydroxide aqueous solution heated at 50 degreeC, and peelability was evaluated by measuring time until a hardened | cured material layer peels from the laminated board provided with the said surface resin layer. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4. The evaluation of peelability means that the shorter the time, the better.
(レジスト剥離残り)
剥離性評価後の上記評価用積層板を用いて、表面樹脂層(ソルダーレジスト)の開口部の側壁(横2.6mm縦0.8mm高さ30μm)に、完全に剥離できずに付着している硬化物層の付着面積を観察した。付着面積の観察には、SEM(日立計測器サービス(株)製SE−2100)を用いた。得られた付着面積を、上記開口部の側壁面積(2.6mm×0.8mm×30μm)で割った値を求め、ランダムに選択した5箇所の上記開口部について得られた値の平均値を、硬化物層の残渣(レジスト残渣)の割合とした。得られたレジスト残渣の割合によって、下記基準のようにレジスト剥離残りを評価した。評価結果を表3及び表4に示す。なお、レジスト残渣が少ないほど良好であることを意味する。
基準
A:レジスト残渣が10%未満 B:レジスト残渣が10%以上50%未満 C:レジスト残渣が50%以上(Resist stripping residue)
Adhering to the side wall (width 2.6 mm, height 0.8 mm,
Criteria A: Resist residue is less than 10% B: Resist residue is 10% or more and less than 50% C: Resist residue is 50% or more
(めっき浴汚染性)
実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4で得られた感光性エレメント0.5m2を、PETフィルム及びポリエチレンフィルムを剥がした後、Ni−Pめっき液オーロテックHP(アトテックジャパン(株)製、商品名)に83℃にて5時間浸漬し、無電解Niめっき処理を行った。
(Plating bath contamination)
After peeling off the PET film and the polyethylene film from the photosensitive element 0.5 m 2 obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1-4, the Ni-P plating solution Aurotech HP (Atotech Japan ( The product was immersed in a product name (trade name) at 83 ° C. for 5 hours, and an electroless Ni plating treatment was performed.
このめっき処理液を用いて、上記耐めっき性の評価方法と同様の脱脂処理から無電解Niめっきまでの処理をテスト基板に対して行い、基板上に析出したNi−Pめっき膜厚(析出膜厚)を測定した。めっき処理液の代わりに新しいNi−Pめっき液オーロテックHPを用いた場合をブランクとし、ブランクの析出膜厚を100としたときの析出膜厚の相対値によってめっき浴汚染性を評価した。評価結果を表3及び表4に示す。なお、めっき浴汚染性は、下式により求められる。
めっき浴汚染性(%)=各試料の析出膜厚(μm)/ブランクの析出膜厚(μm) Using this plating treatment solution, the same processing as the above-described evaluation method for plating resistance, from the degreasing treatment to the electroless Ni plating, was performed on the test substrate, and the Ni-P plating film thickness (deposited film) deposited on the substrate. Thickness) was measured. The case where a new Ni-P plating solution Aurotech HP was used instead of the plating treatment solution was used as a blank, and the plating bath contamination was evaluated based on the relative value of the deposited film thickness when the deposited film thickness of the blank was 100. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4. The plating bath contamination is determined by the following formula.
Plating bath contamination (%) = deposited film thickness of each sample (μm) / deposited film thickness of blank (μm)
(感度)
実施例1〜6及び比較例7、8、1〜4から得られた感光性エレメントにおける感光層を、圧力0.4MPa、温度110℃、ラミネート速度1.5m/分の条件で上記銅張り積層板にラミネートし、積層した。得られた積層体の上に、ネガとしてストーファー21段ステップタブレットを置いて、高圧水銀灯ランプを有する露光機((株)オーク製作所製、201GX)を用いて、上記と同様の現像条件において、21段ステップタブレットの8.0段を硬化させるのに必要な露光エネルギー量(mJ/cm2)によって感度を評価した。評価結果を表3及び表4に示す。なお、露光エネルギー量が低いほど感度が高いことを意味する。
(sensitivity)
The above-described copper-clad laminates were used for the photosensitive layers in the photosensitive elements obtained from Examples 1 to 6 and Comparative Examples 7, 8, and 1-4 under the conditions of pressure 0.4 MPa, temperature 110 ° C., and lamination speed 1.5 m / min. Laminated on a plate and laminated. On the obtained laminate, a stove 21-step tablet is placed as a negative, and using an exposure machine having a high-pressure mercury lamp lamp (201GX, manufactured by Oak Seisakusho), under the same development conditions as above, The sensitivity was evaluated by the amount of exposure energy (mJ / cm 2 ) required to cure 8.0 step of the 21 step step tablet. The evaluation results are shown in Tables 3 and 4. Note that the lower the exposure energy amount, the higher the sensitivity.
表3及び表4より、実施例1〜6の感光性樹脂組成物は、硬化物層(レジストパターン)を形成した場合の耐めっき性、剥離性及びめっき浴汚染性が良好であることが明らかとなった。また、これらの感光性エレメントは、表面樹脂層に対する形状追従性も良好であった。 From Table 3 and Table 4, it is clear that the photosensitive resin compositions of Examples 1 to 6 have good plating resistance, peelability and plating bath contamination when a cured product layer (resist pattern) is formed. It became. Moreover, these photosensitive elements also had good shape followability to the surface resin layer.
Claims (7)
(B)成分が、
下記一般式(1)で表されるビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物を(B)成分の総量中15質量%〜40質量%、
下記一般式(2)で表されるアルコキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート化合物を(B)成分の総量中30質量%〜65質量%、及び
下記一般式(3)で表されるノニルフェニルポリアルキレングリコール(メタ)アクリレート化合物を(B)成分の総量中15質量%〜30質量%含む、感光性樹脂組成物。
式(2)中、X3、X4及びX5はそれぞれ独立に炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R3、R4及びR5はそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を示し、k、m及びnはk+m+n=3〜30となる正の整数を示し、
式(3)中、X6は炭素数2〜6のアルキレン基を示し、R6は水素原子又はメチル基を示し、rは1〜20の整数を示す。]A photosensitive resin composition comprising (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having a polymerizable ethylenically unsaturated group, and (C) a photopolymerization initiator,
(B) component is
The bisphenol A-based (meth) acrylate compound represented by the following general formula (1) is 15% by mass to 40% by mass in the total amount of the component (B) .
The alkoxylated trimethylolpropane tri (meth) acrylate compound represented by the following general formula (2) is 30% by mass to 65% by mass in the total amount of the component (B) , and nonylphenyl represented by the following general formula (3) The photosensitive resin composition which contains a polyalkylene glycol (meth) acrylate compound in 15 mass%-30 mass% in the total amount of (B) component .
In formula (2), X 3 , X 4 and X 5 each independently represent an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 3 , R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group, k , M and n are positive integers such that k + m + n = 3 to 30,
In formula (3), X 6 represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms, R 6 represents a hydrogen atom or a methyl group, and r represents an integer of 1 to 20. ]
(A)成分の量が40〜80質量部であり、
(B)成分の量が20〜60質量部であり、
(C)成分の量が0.1〜20質量部である、請求項1記載の感光性樹脂組成物。When the total amount of component (A) and component (B) is 100 parts by mass,
(A) The quantity of a component is 40-80 mass parts,
(B) The quantity of a component is 20-60 mass parts,
The photosensitive resin composition of Claim 1 whose quantity of (C) component is 0.1-20 mass parts.
前記感光層の所定部分に活性光線を照射してから現像してパターニングされた硬化物層を形成させ、前記回路形成済基板上に前記表面樹脂層及び前記硬化物層をこの順に備えた第2の積層基板を得る第2の工程と、
前記第2の積層基板に対して無電解めっきを行って前記回路パターン上にめっき層を形成する第3の工程と、
を備えるプリント配線板の製造方法。A circuit-forming substrate, a circuit-formed substrate having a circuit pattern formed on the circuit-forming substrate, and a surface resin layer formed so as to expose the circuit pattern on the circuit-formed substrate. The 1st process of laminating | stacking the photosensitive layer which consists of the photosensitive resin composition as described in any one of Claims 1-3 on the surface by the side of the said surface resin layer of a 1st multilayer substrate, and ,
A second portion of the photosensitive layer is irradiated with actinic rays and then developed to form a patterned cured product layer, and the surface resin layer and the cured product layer are provided in this order on the circuit-formed substrate. A second step of obtaining a laminated substrate of
A third step of performing electroless plating on the second laminated substrate to form a plating layer on the circuit pattern;
A method of manufacturing a printed wiring board comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007538756A JP4752840B2 (en) | 2005-10-04 | 2006-10-02 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for producing printed wiring board |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005291106 | 2005-10-04 | ||
JP2005291106 | 2005-10-04 | ||
JP2006006320 | 2006-01-13 | ||
JP2006006320 | 2006-01-13 | ||
PCT/JP2006/319699 WO2007040204A1 (en) | 2005-10-04 | 2006-10-02 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for manufacturing printed wiring board |
JP2007538756A JP4752840B2 (en) | 2005-10-04 | 2006-10-02 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for producing printed wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007040204A1 JPWO2007040204A1 (en) | 2009-04-16 |
JP4752840B2 true JP4752840B2 (en) | 2011-08-17 |
Family
ID=37906245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007538756A Active JP4752840B2 (en) | 2005-10-04 | 2006-10-02 | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for producing printed wiring board |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4752840B2 (en) |
KR (1) | KR20080052686A (en) |
TW (1) | TW200725177A (en) |
WO (1) | WO2007040204A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009180795A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing printed wiring board |
JP2009180796A (en) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element, and method for manufacturing printed wiring board |
JP5294008B2 (en) * | 2008-09-19 | 2013-09-18 | 日立化成株式会社 | Method for producing printed wiring board using photosensitive resin composition |
CN114846404A (en) * | 2019-12-31 | 2022-08-02 | 可隆工业株式会社 | Photosensitive laminate, method for manufacturing photosensitive laminate, and method for manufacturing circuit board |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002040645A (en) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board |
WO2002027407A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resist pattern, process for producing the same, and utilization thereof |
JP2004004294A (en) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05183259A (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-23 | Ibiden Co Ltd | Manufacture of high density printed wiring board |
JP3503640B2 (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-08 | 日立化成工業株式会社 | Photosensitive resin composition |
JP2004078245A (en) * | 2000-09-27 | 2004-03-11 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition |
JP2004004546A (en) * | 2003-02-03 | 2004-01-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
-
2006
- 2006-10-02 KR KR1020087010262A patent/KR20080052686A/en not_active Application Discontinuation
- 2006-10-02 WO PCT/JP2006/319699 patent/WO2007040204A1/en active Application Filing
- 2006-10-02 JP JP2007538756A patent/JP4752840B2/en active Active
- 2006-10-03 TW TW095136756A patent/TW200725177A/en unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002040645A (en) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for producing resist pattern and method for producing printed wiring board |
WO2002027407A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-04 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resist pattern, process for producing the same, and utilization thereof |
JP2004004294A (en) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, method for manufacturing resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080052686A (en) | 2008-06-11 |
TW200725177A (en) | 2007-07-01 |
JPWO2007040204A1 (en) | 2009-04-16 |
WO2007040204A1 (en) | 2007-04-12 |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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S801 | Written request for registration of abandonment of right |
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