JP4748806B2 - 光学多層 - Google Patents

Description

ゼロでない面外複屈折を有するポリマー基体及び前記基体とは反対の符号の面外複屈折有する非晶質ポリマーオーバーレイヤーを含んで成る光学多層に関する。この多層は、全体的に低い面外位相リターデーションを有する。

ポリマー材料は、材料費が低くかつ加工しやすいので、光電子部品に広く使用されている。現在引き続き目標になっているのは、「壊れやすい」、「重い」かつ「機械加工しにくい」ことが分かっている無機ガラス類と置き換えることである。しかし、ポリマー材料は、加工に依存する光学的特性、特に複屈折性を有する。すべての光学級のポリマーは透明でかつ非晶質である。非晶質ポリマーは、所望の形状に加工すると、無機ガラス類と異なり、光学的に等方性を有しない。すなわち、３方向の屈折率、ｎ_x、ｎ_y及びｎ_zが等しくない。これは、ポリマーに特有なポリマー鎖の配向によるためである。したがって、加工条件が与えられると、観察される光学的異方性は、ポリマー鎖の整列の程度によって決まる。ポリマー分子は、官能基の分極率及びその官能基のポリマー鎖に対する結合角などの要因で決定される固有の複屈折Δｎ_intを有している。ポリマー製品は、固有の複屈折とは異なりかつ加工依存性が強い外因性複屈折（面内又は面外）を有している。用途によっては、この複屈折は、用途の要件を満たすように制御しなければならない。多くの場合、面内方向及び面外方向の両方において、実質的に低い複屈折又は位相リタ―デイションを有することが望ましい。

コンパクトディスク（ＣＤ）及びディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）などの光学ディスクの用途では、基体の材料は、１）高い透過性、２）低い湿分浸透性、３）寸法安定性及び４）低い複屈折などの条件を満たさねばならない。通常、光学ディスクの読取りによって、分極状態のわずかな変化又はディスク表面からの反射光の強度の変化の検出が行われる。したがって、ディスク基体の複屈折は、読出しに対して読み取りの誤り又はノイズなどの有害な作用がある。光学ディスクの基体は、ポリマーを射出成形することによって製造される。ポリカーボネート（ＰＣ）が、ＣＤとＤＶＤ用の基体として広く使用されている。ポリカーボネートは、高い透過性、熱や湿分に対する高い寸法安定性及び高い機械的強度を有している。しかしＰＣは、比較的高い固有の複屈折Δｎ_intを有している。射出成形加工は、ポリマー鎖の配列を生じる。したがって、ＰＣなどの高い固有の複屈折を有するポリマーは、許容できないレベルの面内リターデーションＲ_inと面外レターデイシヨンＲ_thを起こしやすい。この問題を防止するため、通常、温度及び流量などの前記成形条件を調節する。加工条件をこのように最適化して、Δｎ_inを低下させることによってＲ_inを有意に低下させることに成功している。

場合によっては、垂直入射光の面内複屈折Δｎ_inは、１〜３×１０^-5ほどに低くできる。一方、面外複屈折Δｎ_thは、通常、負であり、最適化された成形法の場合、その値は−６〜−５×１０^-4である。Δｎ_thの値がたとえ小さくても、斜めに入射する光の対応する位相リターデーションは、基体の厚さが約１ｍｍでかなり厚いので無視できない。したがって、基体に傾傾斜角φ（基体に垂直の方向から測定）で入射する光は、φが小さい場合、概略の大きさがφ²の位相リターデーションを受ける。場合によって、全位相リターデーションは、反射を考慮して、φ＝３０°で−１５０ｎｍほどの大きさに達することがある。

通常の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）では、液晶セルが一対の偏光子の間に配置される。偏光子で偏光された入射光は、液晶セルを通過してその液晶の分子配向の作用を受けるが、その分子配向はそのセルに電圧をかけることによって変えることができる。その変えられた光は第二の偏光子に入る。液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に広く使われている典型的な偏光子は、吸収偏光層（例えば、ヨウ素色素を吸収したポリビニルアルコール（ＰＶＡ）の層）がトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）基体の間にサンドイッチされているような構造を有している。ＴＡＣは、一つにはそのΔｎ_intが低いことから、偏光子を製造する際に広く使用されている。通常の未延伸ＴＡＣの場合、そのΔｎ_inは５×１０^-5程度である。したがって、厚さが１００μｍのＴＡＣはＲ_inが約５ｎｍである。位相リターデーションのこの大きさは重要ではなく、ＰＶＡ層によって直線偏光された光はほとんど直線偏光されたままでＴＡＣ層を通過する。しかし、これは、光が偏光子の平面に対して垂直に入射するときにのみ当てはまる。大部分のＴＡＣ基体は、約−５×１０^-4程度の負のΔｎ_thを有していることが分かっている。その結果Ｒ_thは約−５０ｎｍになる。この面外位相リターデーションＲ_thは、斜めに入射する光の偏光の状態が変化する原因である。ＬＣＤのいくつかのモードの場合、ＴＡＣ基体では有限の負のΔｎ_thを有している方が好ましい。これは、この負のＲ_thが、液晶セルの平面に垂直に配置されている液晶分子の正のＲ_thを補償できるからである。しかしＴＡＣの負のＲ_thは、液晶が液晶セルの平面にほぼ平行のままであるＬＣＤモードでは有害な作用がある。これは、面内スイッチングＬＣＤの場合であり、この場合、液晶分子は、セルの平面に実質的に平行のままで回転する。

典型的なバックライトＬＣＤにおいては、そのバックライティングアセンブリは、液晶セルに到達する前に、光の分布と偏光を改善するいくつかの光学フィルムを備えている。このバックライティングアセンブリ２０１は図２に示してある。バックライト２０３から発する光は、第一に、ディスプレイの光の分布を改善する、拡散フィルム２０５及び輝度向上フィルム２０７などの光学フィルムに遭遇する。次いで、光は、基体２１１及び一方の偏光状態を透過して他方の偏光状態を反射する偏光層２１３を含む反射偏光子２０９に入射する。光路における次の要素は、吸収偏光子２１５であり、これは底部基体２１７、吸収偏光層２１９及び頂部基体２２１を含んでいる。吸収偏光子の透過軸と反射偏光子の透過軸は平行している。反射偏光子２０９によって透過される偏光状態が吸収偏光子２１５によって透過される偏光状態と同じであることが理想的である。バックライト２０３と反射偏光子２０９の間の光学的スタックは、反射される偏光状態を再利用する。吸収偏光子２１５に入射する偏光は、光が有効に透過されて吸収されないように、実質的に直線偏光されねばならない。先に述べたように、通常の吸収偏光子は、吸収偏光層２１９の両面に、基体２１７、２２１としてＴＡＣを含んでいる。底部基体２１７として使われるＴＡＣの負の面外複屈折によって、吸収偏光子２１５に入射する直線偏光された光が、楕円偏光された光に変換される。次に、偏光層２１９は、楕円偏光された光の一部分を吸収する。その結果、ディスプレイの光スループットが低下する。最大の光スループットを得るには、反射偏光子２０９と吸収偏光層２１９の間の底部基体２１７のΔｎ_thとＲ_thの値は小さくなければならない。

先に述べたように、加工を注意深く調節すると、ポリマー基体のΔｎ_inを、したがってＲ_inを有意に低下させることができる。加工条件をさらに最適化すると、残りの負のΔｎ_thがさらに低下すると予想できる。しかし、製造費用は増加する。多層を製造する別の方法がある。その方法は、正のＲ_thを有するオーバーレイヤーを、負のＲ_thを有するポリマー基体の上に配置する方法である。この方法によって、４００ｎｍ＜λ＜７００ｎｍの範囲内の波長λに対して低いＲ_thの値（−３０ｎｍ＜Ｒ_th＜３０ｎｍ）を有する光学多層が提供される。

Δｎ_thがゼロでない、したがってＲ_thもゼロでない層の製造方法がいくつか知られている。

当業者にはよく知られているように、基体に対して垂直に、均一に整列されている液晶は、液晶のΔｎ_intが正であれば、正のΔｎ_thを生ずる。例えば、米国特許第６，２６１，６４９号に開示されているような重合可能な液晶は、垂直整列を提供する。しかし液晶化合物は一般に高価でありかつ大量生産の規模で均一整列の液晶を生成することは複雑で簡単ではない。場合によっては、前記垂直整列を固定するためには光重合工程が必要であり、余分の工程と費用が加わる。

Li等(Polymer,Vol.37,Page 5321-5325,1996)は、透明基体上にポリアミド類をスピンコートすることによって、ゼロでないＲ_thを生成する方法を述べている。ポリアミドポリマー鎖のランダム配向が生成されている。開示された方法は、ポリマーを単にコートする方法である。しかし、得られるΔｎ_thとＲ_thは負である。したがってこの方法は、上記ポリマー基体のΔｎ_thの負性を増強しているに過ぎない。

加工を最適化することで、Ｒ_thが充分に小さいポリマー基体を得ることは困難である。また、従来技術は、正のΔｎ_thを有するポリマー層を生成する簡単な方法を提供することができないので、Ｒ_thの小さいポリマー多層を製造する方法は難しくなる。したがって、解決しなければならない問題は、負のＲ_thを有するポリマー基体の上に配置してＲ_thの値が小さい多層を形成できる、正のΔｎ_thを有するポリマー層を含んでいるポリマー多層、及びそのポリマー多層の簡単な製造方法を提供することである。

本発明は、ゼロでない面外複屈折を有するポリマー基体及び非晶質ポリマーオーバーレイヤーを含んで成る光学多層であって、４００ｎｍ〜７００ｎｍの間の波長の光において−３０ｎｍ〜３０ｎｍの間に前記光学多層の全面外位相リターデーションを提供するように、前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーが、１６０℃を超えるＴｇ値を有しかつ前記ポリマー基体の面外複屈折とは反対のその面外複屈折の符号を有している非晶質ポリマーを含んで成る光学多層を提供する。

したがって、本発明は、負のＲ_thを有するポリマー基体の上に配置して低い値のＲ_thを有する多層を形成できる正のΔｎ_thを有するポリマー層を含んで成るポリマー多層、及びその簡単な製造方法を提供するものである。

以下の定義は本明細書の説明に適用される。
秩序因子(order parameter)Ｓは、基準の方向に対するポリ−マーの整列度を意味する。Ｓは、下記式：
Ｓ＝３＜ｃｏｓθ²−１＞／２
（式中、θは基準方向とポリマー鎖の個々のセグメントの間の角度である）によって与えられる。括弧＜＞は統計的平均値を示す。Ｓは−０．５〜１．０の値を取ることができる。

図１に示す層１０１の面内位相リターデーションＲ _in は、式（ｎ_x−ｎ_y）ｄ（式中、ｎ_xとｎ_yはそれぞれｘとｙの方向の屈折率である）によって定義される量である。ｘはｘ−ｙ面内で屈折率が最大の方向をとり、そしてｙはｘ−ｙ平面に垂直の方向である。ｘ−ｙ平面は層の面１０３に平行である。ｄは前記層のｚ方向の厚さである。量（ｎ_x−ｎ_y）は面内複屈折Δｎ_inと呼称される。Δｎ_inの値は、波長λ＝５５０ｎｍに対して与えられる。

図１に示す層１０１の面外位相リターデーションＲ _th は、式［ｎ_z−（ｎ_x＋ｎ_y）／２）］ｄで定義される量である。ｎ_zはｚ方向の屈折率である。量の［ｎ_z−（ｎ_x＋ｎ_y）／２）］は面外複屈折Δｎ_thと呼称されている。ｎ_z＞（ｎ_x＋ｎ_y）／２であれば、Δｎ_thは正であり、したがって対応するＲ_thも正である。ｎ_z＜（ｎ_x＋ｎ_y）／２であれば、Δｎ_thは負の値であり、したがってＲ_thも負の値である。Δｎ_thの値は、λ＝５５０ｎｍに対して与えられる。

ポリマーの固有の複屈折Δｎ _int は、式（ｎ_e−ｎ_o）（式中、ｎ_eとｎ_oはそれぞれポリマーの異常光線屈折率と常光線屈折率である）で定義される量を意味する。ポリマー層の実際の複屈折（面内Δｎ_in又は面外Δｎ_th）は、その成形法したがってその秩序因子及びΔｎ_intによって決まる。

非晶質は、長距離秩序(long-range order)が欠如していることを意味する。したがって、非晶質ポリマーは、Ｘ線回折法などの方法で測定したとき長距離秩序を示さない。

透過率は光の透過性を評価する量である。これは射出光の強度Ｉ_outの入射光の強度Ｉ_inに対する百分率：Ｉ_out／Ｉ_in×１００で与えられる。

本明細書における発色団は、光を吸収する単位として働く原子又は原子の基と定義される(Nicholas J. Turro編「Modern Molecular Photochemistry」,Benjamin/Cummings Publishing Co.,Menlo Park ,CA(1978)Pg77)。不可視発色団は、４００〜７００ｎｍの範囲以外の吸光度が最大の発色団である。

本発明の各種要素に数字表示を付し、当業者が本発明を実施し使用できるように本発明を検討する図面を参照する。具体的に提示又は記載されていない要素は、当業者によく知られている各種の形態を取ることができると解すべきである。

図３Ａは、本発明の光学多層３０１の構造を示す。３０３はポリマー基体であり、３０５は非晶質ポリマーオーバーレイヤーである。非晶質ポリマーオーバーレイヤー３０５は、図３Ｂに示すように、ポリマー基体３０３の両面に配置してもよい。二つのポリマー基体３０３を、図３Ｃに示すように非晶質ポリマーオーバーレイヤーの両面に配置してもよい。ポリマー基体３０３のΔｎ_thは負の値であり、非晶質ポリマーオーバーレイヤー３０５のΔｎ_thは正の値である。通常、基体３０３のΔｎ_thの値は極めて小さい（−１×１０^-4〜−３×１０^-5）。しかし、基体３０３の厚さがかなり大きい場合は（例えば、約１ｍｍ）、Ｒ_thは無視することができず、−１００ｎｍ〜−３０ｎｍの範囲になるであろう。一方、オーバーレイヤー３０５のΔｎ_thは、５×１０^-3（０．００５）より正である。したがって、オーバーレイヤー３０５の厚さは、光学多層３０１の基体の厚さよりはるかに小さく、４００ｎｍ＜λ＜７００ｎｍの場合、−３０ｎｍ＜Ｒ_th＜３０ｎｍである。例えば、基体３０３（例えば、厚さ１ｍｍでΔｎ_th＝−５×１０^-5）からＲ_th＝−５０ｎｍをバランスさせるためには、オーバーレイヤー３０５のΔｎ_thが０．０１であれば、非晶質ポリマーオーバーレイヤー３０５は僅か５μｍとなる。多層３０１の全厚を妥当な範囲に保持するには、ポリマーのオーバーレイヤー３０５の厚さは、好ましくは１〜５０μｍであるか、より好ましくは５〜２０μｍである。オーバーレイヤー３０５の透過率は、光学多層３０１の全透過率が依然として高いままであるように充分高くなくてはならない。非晶質ポリマーオーバーレイヤー３０５の透過率は、４００ｎｍ＜λ＜７００ｎｍにおいて、好ましくは８０％より高いか、より好ましくは９０％より高い。

当業者にはよく知られているように、非晶質ポリマーの複屈折Δｎ_pは、式：Δｎ_p＝ＳΔｎ_intで与えられる。従来技術では、液晶４０１の垂直方向（図４Ａのｚ方向）の整列を利用して正のΔｎ_thを生成する。この場合、Ｓは０≦Ｓ≦１の範囲内であり、そしてΔｎ_intは正である。ポリマー鎖４０３が、図４Ｂに示すように、ポリマー層の面内でランダムに配向している場合、Δｎ_thが生成し、一方Δｎ_inはゼロである。このような配向の場合、ポリマー鎖の秩序因子Ｓは、−０．５＜Ｓ＜０の範囲内である。したがって、ポリマー基体の上の非晶質ポリマーオーバーレイヤーに正のΔｎ_thを得るため、負のΔｎ_intを有するポリマーを用いることができる。そのようなポリマーの例としては、ポリマーの主鎖から離れて不可視発色団を有する材料がある。このような不可視発色団としては、ビニル、カルボニル、アミド、イミド、エステル、カーボネート、スルホン、アゾ、芳香族複素環基及び炭素環基（例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、フェノール、ビスフェノールＡ及びチオフェン）がある。さらに、これら不可視発色団を組み合わせたもの（すなわちコポリマー）も好ましい。このようなポリマーの例とその構造を以下に示す。

例Ｉ：
ポリ（４−ビニルビフェニル）

例ＩＩ：
ポリ（４−ビニルフェノール）

例ＩＩＩ ：
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）

例ＩＶ：
ポリ（メチルカルボキシフェニルメタクリルアミド）

例Ｖ：
ポリ［（１−アセチルインダゾール−３−イルカルボニルオキシ）エチレン］

例ＶＩ：
ポリ（フタルイミドエチレン）

例ＶＩＩ ：
ポリ（４−（１−ヒドロキシ−１−メチルプロピル）スチレン）

例ＶＩＩＩ：
ポリ（２−ヒドロキシメチルスチレン）

例ＩＸ：
ポリ（２−ジメチルアミノカルボニルスチレン）

例Ｘ：
ポリ（２−フェニルアミノカルボニルスチレン）

例ＸＩ：
ポリ（３−（４−ビフェニルイル）スチレン）

例ＸＩＩ：
ポリ（４−（４−ビフェニルイル）スチレン）

別の重要な要因はＳの負の有限値を得ることである。そのような負のＳ値を得る一つの方法は、ガラス転移温度が１６０℃より高いポリマーを溶液コーティングする方法である。このようなポリマーは、溶媒が蒸発する際に、充分な緩和時間がないので、負のＳ値を持ち続ける。

ポリマー基体の例としては、ポリカーボネート、ＴＡＣ、環式ポリオレフィン及び光電子装置の用途に通常使用されているその他のポリマーで製造されたものがある。ポリマー基体の厚さは、機械的完全性や取扱いやすさを維持するのに充分な厚さでなければならない。厚さは、好ましくは１０μｍ〜５ｍｍ、又はより好ましくは３０μｍ〜２ｍｍである。

図５Ａは、光学多層３０１を有する吸収偏光子５０１の概略立面図である。多層３０１は、図３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに示すような構造を有している。偏光層５０５は、例えば色素を吸収させたＰＶＡフィルムで製造される。基体５０３は、３０１などの光学多層又は他の単一層のポリマー材料でもよい。図５Ｂは、さらに別の例の偏光子５０７を示す。この場合、偏光層５０５は、多層３０１に隣接して配置されている。これは反射偏光子の典型的な構造である。当業者にはよく知られているように、コレステリック液晶の層は、反射偏光層として働く。例えば米国特許第６，０８１，３７６号に開示されているような周期的に配置された金属製の細いワイヤによる反射偏光子が偏光層５０５であってもよい。

光学式記録媒体６０１の概略立面図を図６に示す。６０３は記録層である。光磁気記録媒体（ＭＯ）における６０３は、例えば、希土類−コバルト−鉄合金製の光磁気層である。本発明の光学多層３０１は、ＭＯ層６０３の上に配置される。記録された信号を読み取る光６０７は、多層３０１の側から入射する。６０５は保護層である。

オーバーレイヤーは、例えば溶液流延法などの適切な方法で、ポリマー基体の上に容易に配置できる。

本発明を、以下の非限定的例によってさらに説明する。
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ポリマーＩ）をＡｃｒｏｓ Ｏｒｇａｎｉｃｓから入手し、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）で測定した結果、Ｔｇが１６１℃であることが分かった。

ポリマーＩ（トルエン中１５％固形分）をＴＡＣ基体の上にスピンキャストした。この試料（及びＴＡＣの対照物）のＲ_inとＲ_thを、λ＝５５０ｎｍにて、エリプソメーター(model M2000V, J.A. Woollam Co.)で測定した。試験結果は表Ｉに示してある。

ポリマーＩの層は、長距離秩序の徴候を示さなかった。したがってその層は、非晶質ポリマーで構成されていると決定された。この光学多層は、λ＝４００〜７００ｎｍにてＲ_thが＋３０〜−３０ｎｍである。ＴＡＣと多層のＲ_thを図７に、λの関数としてそれぞれ、破線７０１と実線７０３で示した。

本発明を、その特定の好ましい実施態様を特に参照して詳細に説明したが、本発明の範囲内で変更と変形を実施できると解される。本明細書に引用された特許などの刊行物の内容はすべて、引用することにより本明細書に組み入れる。

図１は、厚さｄを有する層の図であり、その層にｘ−ｙ−ｚ座標系が付されている。 図２は、代表的なＬＣＤバックライトユニットの概略立面図である。 図３Ａは、光学多層の概略立面図である。 図３Ｂは、光学多層の概略立面図である。 図３Ｃは、光学多層の概略立面図である。 図４Ａは、液晶の垂直整列概略図を示す。 図４Ｂは、非晶質ポリマー鎖の面内ランダム配向の概略図を示す。 図５Ａは、光学多層を有する偏光子の概略立面図である。 図５Ｂは、光学多層を有する偏光子の概略立面図である。 は、光学式記録媒体の概略立面図である。 は、本発明の代表的多層の面外位相リターデーションＲ_thの波長（λ）依存性を示すグラフである。

符号の説明

１０１ フィルム
１０２ フィルムの平面
２０１ バックライトアセンブリ
２０５ 拡散フィルム
２０７ 輝度向上フィルム
２０９ 反射偏光子
２１１ 基体
２１３ 偏光層
２１５ 吸収偏光子
２１７ 底部基体
２１９ 吸収偏光層
２２１ 頂部基体
３０１ 光学多層
３０３ ポリマー基体
３０５ 非晶質ポリマーオーバーレイヤー
４０１ 液晶
４０３ ｘ−ｙ面内でランダムに配向したポリマー鎖
５０１ 吸収偏光子
５０３ 基体
５０５ 偏光層
５０７ 偏光子
６０１ 光学式記録媒体
６０３ 記録層
６０５ 保護層
６０７ 信号を読み取る入射光
７０１ ＴＡＣのＲ_thの波長依存性を示す破線
７０３ 光学多層のＲ_thの波長依存性を示す実線
Ｓ 秩序因子
θ 基準方向とポリマー鎖の個々のセグメントとの間の角度
φ 光の入射角
ｎ_x ｘ方向の屈折率
ｎ_y ｙ方向の屈折率
ｎ_z ｚ方向の屈折率
ｎ_o 常光線屈折率
ｎ_e 異常光線屈折率
Δｎ_th 面外複屈折
Δｎ_in 面内複屈折
Δｎ_int ポリマーの固有の複屈折
Δｎ_p ポリマーの複屈折
ｄ フィルムの厚さ
Ｒ_th 面外位相リターデーション
Ｒ_in 面内位相リターデーション
λ 波長
Ｉ_out 射出光の強度
Ｉ_in 入射光の強度

Claims (19)

1. 面外複屈折率が負の値であるポリマー基体及び面外複屈折率が正の値である非晶質ポリマーオーバーレイヤーを含んで成る光学多層であって、４００ｎｍ〜７００ｎｍの間の波長の光において−３０ｎｍ〜３０ｎｍの間に前記光学多層の全面外位相リターデーションを提供するように、前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーが、１６０℃を超えるＴｇ値を有している非晶質ポリマーを含んで成る光学多層。
2. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーの面外複屈折率が、波長５５０ｎｍに対して０．００５よりも大きい請求項１に記載の光学多層。
3. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーの厚さが１〜５０μｍである請求項１に記載の光学多層。
4. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーの厚さが５〜２０μｍである請求項３に記載の光学多層。
5. 前記光学多層の光の透過率が８０％より高い請求項１に記載の光学多層。
6. 前記光学多層の光の透過率が９０％より高い請求項５に記載の光学多層。
7. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーに含まれる前記非晶質ポリマーが、負の固有の複屈折率を有するポリマーである請求項１に記載の光学多層。
8. 前記負の固有の複屈折率を有するポリマーが、ポリマーの主鎖から離れた不可視発色団を有し、
   前記不可視発色団は、ビニル基、カルボニル基、アミド基、イミド基、エステル基、カーボネート基、スルホン基、アゾ基、芳香族複素環基、並びに、フェニル、ナフチル、ビフェニル、テルフェニル、フェノール、ビスフェノールＡ及びチオフェンの少なくとも何れかの炭素環基からなる群より選択される少なくとも何れか１種である請求項７に記載の光学多層。
9. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーに含まれる前記非晶質ポリマーが、Ａ）ポリ（４−ビニルフェノール）、Ｂ）ポリ（４−ビニルビフェニル）、Ｃ）ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、Ｄ）ポリ（メチルカルボキシフェニルメタクリルアミド）、Ｅ）ポリ［（１−アセチルインダゾール−３−イルカルボニルオキシ）エチレン］、Ｆ）ポリ（フタルイミドエチレン）、Ｇ）ポリ（４−（１−ヒドロキシ−１−メチルプロピル）スチレン）、Ｈ）ポリ（２−ヒドロキシメチルスチレン）、Ｉ）ポリ（２−ジメチルアミノカルボニルスチレン）、Ｊ）ポリ（２−フェニルアミノカルボニルスチレン）、Ｋ）ポリ（３−（４−ビフェニルイル）スチレン）、Ｌ）ポリ（４−（４−ビフェニルイル）スチレン）、Ｍ）ポリ（４−シアノフェニルメタクリレート）、Ｎ）ポリ（２，６−ジクロロスチレン）、Ｏ）ポリ（ペルフルオロスチレン）、Ｐ）ポリ（２，４−ジイソプロピルスチレン）、Ｑ）ポリ（２，５−ジイソプロピルスチレン）及びＲ）ポリ（２，４，６−トリメチルスチレン）からなる群より選択される一種以上である請求項１に記載の光学多層。
10. 前記ポリマー基体の厚さが１０μｍ〜５ｍｍである請求項１に記載の光学多層。
11. 前記ポリマー基体の厚さが３０μｍ〜２ｍｍである請求項１に記載の光学多層。
12. 記録層、及びその記録表面の少なくとも一方の側に配置された請求項１に記載の光学多層を含んで成る光学式記録媒体。
13. 前記光学多層のポリマー基体がポリカーボネートである請求項１２に記載の光学式記録媒体。
14. 偏光層、及びその偏光層の少なくとも一方の表面に配置された請求項１に記載の光学多層を含んで成る偏光子。
15. 前記光学多層のポリマー基体がトリアセチルセルロースである請求項１４に記載の偏光子。
16. 前記偏光子が反射偏光子である請求項１４に記載の偏光子。
17. 前記偏光子が透過偏光子である請求項１４に記載の偏光子。
18. 液晶セル及び少なくとも一つの請求項１４に記載の偏光子を含んで成る液晶ディスプレイ。
19. 前記非晶質ポリマーオーバーレイヤーに含まれる前記非晶質ポリマーが、下記リストのモノマー：Ａ）４−ビニルフェノール、Ｂ）４−ビニルビフェニル、Ｃ）Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｄ）メチルカルボキシフェニルメタクリルアミド、Ｅ）（１−アセチルインダゾール−３−イルカルボニルオキシ）エチレン、Ｆ）フタルイミドエチレン、Ｇ）４−（１−ヒドロキシ−１−メチルプロピル）スチレン、Ｈ）２−ヒドロキシメチルスチレン、Ｉ）２−ジメチルアミノカルボニルスチレン、Ｊ）２−フェニルアミノカルボニルスチレン、Ｋ）３−（４−ビフェニルイル）スチレン、Ｌ）４−（４−ビフェニルイル）スチレン、Ｍ）４−シアノフェニルメタクリレート、Ｎ）２，６−ジクロロスチレン、Ｏ）ペルフルオロスチレン、Ｐ）２，４−ジイソプロピルスチレン、Ｑ）２，５−ジイソプロピルスチレン及びＲ）２，４，６−トリメチルスチレンから生成された少なくとも一種のコポリマーである請求項１に記載の光学多層。

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