JP4745964B2 - 多孔質ハニカム構造体の製造方法及び多孔質ハニカム構造体 - Google Patents
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Description
[2]前記造孔剤の含有割合が、前記成形原料100質量部に対して50質量部以下である前記[1]に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
[8]非酸化物セラミックス、又は、非酸化物セラミックス及び金属からなる主成分材料並びに有機バインダを含有する成形原料を混練して坏土を調製し、調製された前記坏土を成形、乾燥してハニカム形状の成形体(ハニカム成形体)を作製し、作製された前記ハニカム成形体を仮焼成して仮焼体とした後に前記仮焼体を本焼成して多孔質のハニカム構造体を得る多孔質ハニカム構造体の製造方法であって、前記成形原料として、前記主成分材料及び前記有機バインダに加えて、ハイドロタルサイトを、前記主成分材料100質量部に対して、0.01〜1質量部さらに含有したものを用いる多孔質ハニカム構造体の製造方法。
また、本発明の多孔質ハニカム構造体の製造方法は、非酸化物セラミックス、又は、非酸化物セラミックス及び金属からなる主成分材料並びに有機バインダを含有する成形原料を混練して坏土を調製し、調製された前記坏土を成形、乾燥してハニカム形状の成形体(ハニカム成形体)を作製し、作製された前記ハニカム成形体を仮焼成して仮焼体とした後に前記仮焼体を本焼成して多孔質のハニカム構造体を得る多孔質ハニカム構造体の製造方法であって、前記成形原料として、前記主成分材料及び前記有機バインダに加えて、ハイドロタルサイトを、前記主成分材料100質量部に対して、0.01〜1質量部さらに含有したものを用いることを特徴とするものである。
主成分材料としての、平均粒子径が47μmの炭化ケイ素(SiC)80質量部及び平均粒子径が5μmのケイ素(Si)20質量部、無機層状材料としての、スメクタイトの一種(Na型スメクタイト)であるモンモリロナイト1質量部、有機バインダとしての、メチルセルロース5質量部、造孔材としての、デンプン15質量部及び発泡樹脂10質量 部、界面活性剤としての、ラウリン酸カリウムを0.5質量部を添加して、適量の水を加えて混練し、土練することによって坏土の圧密体を得た。これを押出成形機によって、セル構造が12mil/300cpsiとなるような口金にてハニカム状に押出成形し、熱風乾燥及びマイクロ波乾燥を組み合わせた乾燥方法により乾燥して、ハニカム成形体を得た。得られたハニカム成形体を400℃、5時間で仮焼して、脱バインダーされた仮焼体を得た。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.12MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は58%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの代わりに、スメクタイトの一種(Mg型スメクタイト)であるマグネシウム(Mg)置換型モンモリロナイト1.0質量部を用いたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.08MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は59%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの代わりに、ハイドロタルサイト1.0質量部を用いたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.10MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は59%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの代わりに、タルク1.0質量部を用いたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.08MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は59%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して0.01質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.02MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は60%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して10質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.22MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は56%であった。
実施例2において、マグネシウム(Mg)置換型モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して0.01質量部に変えたこと以外は実施例2と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.02MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は60%であった。
実施例2において、マグネシウム(Mg)置換型モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して10質量部に変えたこと以外は実施例2と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.17MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は57%であった。
実施例3において、ハイドロタルサイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して0.01質量部に変えたこと以外は実施例3と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.02MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は61%であった。
実施例3において、ハイドロタルサイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して10質量部に変えたこと以外は実施例3と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.16MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は58%であった。
実施例4において、タルクの含有割合を、主成分材料100質量部に対して0.01質量部に変えたこと以外は実施例4と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.02MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は60%であった。
実施例4において、タルクの含有割合を、主成分材料100質量部に対して10質量部に変えたこと以外は実施例4と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.16MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は58%であった。
実施例1において、無機層状材料を用いなかったこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体はクラック等が発生し崩壊した。一部破片として得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は60%であった。
実施例1において、モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して15質量部に変えたこと以外は実施例1と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.22MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は45%であった。
実施例2において、マグネシウム(Mg)置換型モンモリロナイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して15質量部に変えたこと以外は実施例2と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.18MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は48%であった。
実施例3において、ハイドロタルサイトの含有割合を、主成分材料100質量部に対して15質量部に変えたこと以外は実施例3と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.17MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は50%であった。
実施例4において、タルクの含有割合を、主成分材料100質量部に対して15質量部に変えたこと以外は実施例4と同様にした。得られた仮焼体にはクラック等の発生はなく、その強度は0.17MPaであった。この仮焼体を、常圧、アルゴン雰囲気中、1450℃、2時間本焼成し、多孔質ハニカム構造体を得た。得られた多孔質ハニカム構造体の気孔率は49%であった。
Claims (11)
- 非酸化物セラミックス、又は、非酸化物セラミックス及び金属からなる主成分材料並びに有機バインダを含有する成形原料と造孔剤とを混練して坏土を調製し、調製された前記坏土を成形、乾燥してハニカム形状の成形体(ハニカム成形体)を作製し、作製された前記ハニカム成形体を仮焼成して仮焼体とした後に前記仮焼体を本焼成して多孔質のハニカム構造体を得る多孔質ハニカム構造体の製造方法であって、
前記成形原料として、前記主成分材料及び前記有機バインダに加えて、層状構造を有する無機材料を、前記主成分材料100質量部に対して、0.01〜1質量部さらに含有したものを用いる多孔質ハニカム構造体の製造方法。 - 前記造孔剤の含有割合が、前記成形原料100質量部に対して50質量部以下である請求項1に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記層状構造を有する無機材料として、スメクタイトを用いる請求項1又は2に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記スメクタイトとして、層間陽イオンがアルカリ金属イオンであるアルカリイオン型スメクタイトを用いる請求項3に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記スメクタイトとして、前記層間陽イオンがアルカリ土類金属イオンであるアルカリ土類金属イオン型スメクタイトを用いる請求項3に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記層状構造を有する無機材料として、ハイドロタルサイトを用いる請求項1又は2に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記層状構造を有する無機材料として、タルクを用いる請求項1又は2に記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 非酸化物セラミックス、又は、非酸化物セラミックス及び金属からなる主成分材料並びに有機バインダを含有する成形原料を混練して坏土を調製し、調製された前記坏土を成形、乾燥してハニカム形状の成形体(ハニカム成形体)を作製し、作製された前記ハニカム成形体を仮焼成して仮焼体とした後に前記仮焼体を本焼成して多孔質のハニカム構造体を得る多孔質ハニカム構造体の製造方法であって、
前記成形原料として、前記主成分材料及び前記有機バインダに加えて、ハイドロタルサイトを、前記主成分材料100質量部に対して、0.01〜1質量部さらに含有したものを用いる多孔質ハニカム構造体の製造方法。 - 前記ハニカム成形体を、200〜1000℃で仮焼成して前記仮焼体とする請求項1〜8のいずれかに記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 前記仮焼体を、1400〜2400℃で本焼成する請求項1〜9のいずれかに記載の多孔質ハニカム構造体の製造方法。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の方法によって得られる多孔質ハニカム構造体。
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