JP4720560B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4720560B2
JP4720560B2 JP2006072550A JP2006072550A JP4720560B2 JP 4720560 B2 JP4720560 B2 JP 4720560B2 JP 2006072550 A JP2006072550 A JP 2006072550A JP 2006072550 A JP2006072550 A JP 2006072550A JP 4720560 B2 JP4720560 B2 JP 4720560B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
squeegee
semiconductor device
manufacturing
semiconductor wafer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006072550A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007250847A (ja
Inventor
正康 木崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP2006072550A priority Critical patent/JP4720560B2/ja
Publication of JP2007250847A publication Critical patent/JP2007250847A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4720560B2 publication Critical patent/JP4720560B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Description

この発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来のCSP(chip size package)と呼ばれる半導体装置の製造方法には、半導体ウエハ上に複数の柱状電極を形成し、柱状電極を含む半導体ウエハ上に、スクリーン印刷により液状樹脂を塗布して、封止膜をその厚さが柱状電極の高さよりもやや厚くなるように形成し、硬化後の封止膜の上面側を適宜に研磨して除去することにより、柱状電極の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極の上面を含む封止膜の上面を平坦化するようにした方法がある(例えば、特許文献1参照)。
特許第3216637号公報(図9、図10)
ところで、上記スクリーン印刷で使用される印刷マスクは、厚さが柱状電極の高さよりもやや厚いステンレス鋼板に半導体ウエハのサイズよりもやや小さい円形状の開口部が形成されたものからなっている。また、上記スクリーン印刷で使用されるスキージは、一般的に、ウレタンゴムによって形成されている。
一方、最近では、半導体ウエハのサイズが大きくなる傾向にあり、8インチ、12インチのものもある。したがって、印刷マスクの開口部のサイズもそれに応じて大きくなる。しかるに、ウレタンゴムからなるスキージでは、印刷マスクに押し付けられるため、印刷マスクとの接触部で弾性変形するが、印刷マスクの開口部のサイズが大きくなると、印刷マスクの開口部に対応する部分で当該開口部内に押し出されてしまう。この結果、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜の膜厚が半導体ウエハの中心部で最も薄く、外周部に向かうに従って漸次厚くなり、大きくばらついてしまうという問題がある。
そこで、この発明は、半導体ウエハのサイズが大きくなっても、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布される液状樹脂からなる封止膜の膜厚がばらつきにくいようにすることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
この発明は、上記目的を達成するため、複数の柱状電極を有する半導体ウエハ上にスクリーン印刷により液状樹脂を塗布して封止膜を形成するとき、金属板からなるスキージを用いる工程を有し、前記スキージの上部は一対のスキージホルダに挟持されており、前記スキージの移動方向とは反対側の前記スキージホルダの外面に取り付けられた、側面がく字状のスキージ撓み防止板の先端部が、前記スキージの先端部の前記スキージの移動方向とは反対側の面に当接されていることを特徴とするものである。
この発明によれば、金属板からなるスキージの先端の直線性が高く、且つ、当該先端の厚さ方向に直交する方向の変形量が極めて小さいので、印刷マスクの開口部のサイズが大きくなっても、スキージの先端が印刷マスクの開口部内に押し出されることがなく、したがって半導体ウエハのサイズが大きくなっても、半導体ウエハ上にスクリーン印刷により塗布される液状樹脂からなる封止膜の膜厚がばらつきにくいようにすることができる。
図1はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置はシリコン基板1を備えている。シリコン基板1の上面には所定の機能の集積回路(図示せず)が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド2が集積回路に接続されて設けられている。
接続パッド2の中央部を除くシリコン基板1の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜3が設けられ、接続パッド2の中央部は絶縁膜3に設けられた開口部4を介して露出されている。絶縁膜3の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜5が設けられている。絶縁膜3の開口部4に対応する部分における保護膜5には開口部6が設けられている。
保護膜5の上面には銅等からなる下地金属層7が設けられている。下地金属層7の上面全体には銅からなる配線8が設けられている。下地金属層7を含む配線8の一端部は、絶縁膜3および保護膜5の開口部4、6を介して接続パッド2に接続されている。配線8の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極9が設けられている。配線8を含む保護膜5の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜10がその上面が柱状電極9の上面と面一となるように設けられている。柱状電極9の上面には半田ボール11が設けられている。
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図2に示すように、ウエハ状態のシリコン基板(以下、半導体ウエハ21という)上に接続パッド2、絶縁膜3、保護膜5、下地金属層7、配線8および柱状電極9が形成されたものを用意する。なお、図2において、符号22で示す領域は半導体ウエハ21の外周部の非半導体装置形成領域である。
次に、図3に示すように、保護膜5の外周部(非半導体装置形成領域22)の上面に印刷マスク23を位置合わせして配置する。印刷マスク23は、厚さが柱状電極9の高さよりもやや厚いステンレス鋼板に半導体ウエハ21のサイズよりもやや小さい円形状の開口部24が形成されたものからなっている。
次に、図4に示すように、後で詳述するスキージ25を用いて、印刷マスク23の開口部24内において配線8および柱状電極9を含む保護膜5の上面にエポキシ系樹脂等からなる液状樹脂を塗布し、この塗布された液状樹脂を硬化させることにより、封止膜10をその厚さが柱状電極9の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極9の上面は封止膜10によって覆われている。
次に、封止膜10の上面側を適宜に研磨して除去することにより、図5に示すように、柱状電極9の上面を露出させるとともに、この露出された柱状電極9の上面を含む封止膜10の上面を平坦化する。次に、図6に示すように、柱状電極9の上面に半田ボール11を形成する。次に、半導体ウエハ21等をダイシングラインに沿って切断すると、図1に示す半導体装置が複数個得られる。
ここで、スキージ25の一例について、図7に示す側面図を参照して説明する。スキージ25は、厚さ1〜4mmの長方形状のステンレス鋼板(金属板)によって形成されている。スキージ25の先端は、フライス加工により真直度0.02mm程度とされた平面となっている。スキージ25の上部はアルミニウム等からなる一対のスキージホルダ26に挟持され、ボルト27およびナット28により一体化されている。
そして、このステンレス鋼板からなるスキージ25では、その先端の直線性が高く、且つ、当該先端の厚さ方向に直交する方向の変形量が極めて小さいので、印刷マスク23の開口部24のサイズが大きくなっても、その先端が印刷マスク23の開口部24内に押し出されることがなく、したがって半導体ウエハ21のサイズが大きくなっても、半導体ウエハ21上にスクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜10の膜厚がばらつきにくいようにすることができる。
次に、このステンレス鋼板からなるスキージ25を用いた封止膜形成の実験結果について説明する。まず、8インチ(直径約200mm)の半導体ウエハ21を印刷対象とし、印刷マスク23の開口部24の直径を190mmとし、スキージ25およびスキージホルダ26の長さを240mmとした。
そして、図4に示すように、半導体ウエハ21上において配線8および柱状電極9を含む保護膜5の上面にスキージ25を用いてエポキシ系樹脂からなる液状樹脂を目標膜厚135μmとして塗布し、半導体ウエハ21の中心部および外周部の12時の部分、3時の部分、6時の部分、9時の部分における封止膜10の保護膜5上における膜厚を調べたところ、111μm、135μm、105μm、110μm、121μmであり、その最大値(135μm)と最小値(105μm)との差が20μmであった。
この場合、特に、半導体ウエハ21の中心部における封止膜10の保護膜5上における膜厚は111μmである。これに対し、同じ長さのウレタンゴムからなるスキージを用いた場合には、特に、半導体ウエハ21の中心部における封止膜10の保護膜5上における膜厚は20μmであった。したがって、ステンレス鋼板からなるスキージ25を用いた場合の方が封止膜10の膜厚のばらつきが小さいと言える。
次に、図8はスキージ25の他の例の側面図を示す。このスキージ25において、図7に示すスキージ25と異なる点は、厚さが0.2〜0.4mmと薄くなっている点である。このように、スキージ25の厚さを薄くすると、スキージ25の先端に付着する液状樹脂が減少し、スクリーン印刷により塗布された液状樹脂からなる封止膜10の表面の平滑性を向上することができる。
ただし、スキージ25の厚さをこのように薄くすると、スキージ25が撓みやすくなる。そこで、図8に示すように、左側(スキージ25の移動方向とは反対側)のスキージホルダ26の外面にボルト27等によって取り付けられた側面ほぼく字状のスキージ撓み防止板29の先端部をスキージ25の先端部の左側の面(スキージ25の移動方向とは反対側の面)に当接させると、スキージ25が撓まないようにすることができる。
この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。 図1に示す半導体装置の製造に際し、当初用意したものの断面図。 図2に続く工程の断面図。 図3に続く工程の断面図。 図4に続く工程の断面図。 図5に続く工程の断面図。 スキージの一例の側面図。 スキージの他の例の側面図。
符号の説明
1 シリコン基板
2 接続パッド
3 絶縁膜
5 保護膜
7 下地金属層
8 配線
9 柱状電極
10 封止膜
11 半田ボール
21 半導体ウエハ
23 印刷マスク
24 開口部
25 スキージ
26 スキージホルダ
28 スキージ撓み防止板

Claims (4)

  1. 複数の柱状電極を有する半導体ウエハ上にスクリーン印刷により液状樹脂を塗布して封止膜を形成するとき、金属板からなるスキージを用いる工程を有し、
    前記スキージの上部は一対のスキージホルダに挟持されており、前記スキージの移動方向とは反対側の前記スキージホルダの外面に取り付けられた、側面がく字状のスキージ撓み防止板の先端部が、前記スキージの先端部の前記スキージの移動方向とは反対側の面に当接されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項に記載の発明において、前記スキージはステンレス鋼からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 請求項に記載の発明において、前記スキージの厚さは0.2〜0.4mmであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 請求項に記載の発明において、前記スキージの先端は平面であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP2006072550A 2006-03-16 2006-03-16 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4720560B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006072550A JP4720560B2 (ja) 2006-03-16 2006-03-16 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006072550A JP4720560B2 (ja) 2006-03-16 2006-03-16 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007250847A JP2007250847A (ja) 2007-09-27
JP4720560B2 true JP4720560B2 (ja) 2011-07-13

Family

ID=38594816

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006072550A Expired - Fee Related JP4720560B2 (ja) 2006-03-16 2006-03-16 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4720560B2 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031174A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置
JP2000332034A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Japan Rec Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2006196701A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3293013B2 (ja) * 1994-10-24 2002-06-17 日本光電工業株式会社 金属スキージ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000031174A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置の製造方法、この方法に用いるスキージ装置および半導体装置
JP2000332034A (ja) * 1999-05-18 2000-11-30 Japan Rec Co Ltd 電子部品の製造方法
JP2006196701A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007250847A (ja) 2007-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4003780B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4829879B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP5183708B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4042749B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2005167191A (ja) ファンアウト型ウェハレベルパッケージ構造及びその製造方法
JP5445972B2 (ja) パワー半導体ダイおよびヒートシンクを含むサブアセンブリ
JP2006229112A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006351793A (ja) 半導体装置
JP3757971B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5830702B2 (ja) 回路装置の製造方法
JP2002231854A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5445973B2 (ja) パワー半導体ダイおよび露出表面部分を有するヒートシンクを含むサブアセンブリおよびその形成方法
JP4720560B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4940360B2 (ja) プローブカードおよび検査装置
CN112542432B (zh) 半导体封装件及其制作方法
JP2008288481A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4506168B2 (ja) 半導体装置およびその実装構造
JP6607771B2 (ja) 半導体装置
JP2007294558A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5137320B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4371719B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4522213B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW202121549A (zh) 導電凸塊及其製作方法
KR100591128B1 (ko) 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP2007250952A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080515

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090309

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110128

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110308

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110321

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees