JP4714734B2 - 座標測定装置用プローブ - Google Patents

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Description

本発明は、座標測定装置用プローブであって、第1の静止部材と、前記第1の部材に対して相対移動可能な第2の部材とを備え、特に、第2の部材が触覚(feeler)ピン、または、触覚ピンに連結された中間素子であり、さらに、第2の可動部材の振動を減衰するための減衰部材を備え、減衰部材が、磁場を形成するためのマグネット構成を有し、少なくとも1つの移動経路に沿って磁場に対して相対移動可能な導体素子を有するプローブに関する。
本発明は、さらに、測定対象物の形状を測定するための座標測定装置であって、測定対象物に接触する触覚素子を有するこのタイプのプローブを支持する可動フレームを備え、触覚素子の現在の空間位置を決定するように設計された評価装置を備えた座標測定装置に関する。
このタイプのプローブは、例えば、下記特許文献1により公知となっている。
このタイプの座標測定装置は、測定対象物の形状を高精度に測定するために使用される。典型的な用途は、製造中の品質管理の過程での機械加工ワークピースの測定である。対象物の形状は、可動フレームによってプローブを対象物の定義ポイントへと移動させ、プローブの現在位置またはプローブに接続されている触覚素子の現在位置を決定することによって測定される。特に、空間座標の読み取り動作を開始するために、プローブに固定された触覚ピンを使用して対象物を走査することが公知となっている。
触覚ピンは、一般的に、プローブ内またはプローブ上を移動可能なように取り付けられている。いわゆるスイッチプローブにおいて、触覚ピンは、測定対象物の形状に接触したときに接点を開放し、この接点によって座標の読み取りが可能となる。測定プローブにおいて、触覚ピンの静止位置からの偏差も決定される。これによって、特に高度な測定精度が得られる。
しかし、触覚ピンを移動可能に取り付けると、プローブの移動時に触覚ピン自体が振動する。自然振動は、プローブが対象物に近づくと外乱を起こし、測定が不正確になる。このため、振動を完全に排除できなくとも、せめて振動を低減するために、プローブの触覚ピンの振動を減衰すること、更に一般的には、プローブ内に配置された減衰部材によってプローブ内の可動部材の振動を減衰することが公知となっている。
序論で言及した下記特許文献1には、減衰部材として渦電流ブレーキを使用することが開示されている。これは、空隙を有するマグネット構成であり、この空隙に銅シートなどの金属製導電素子が配置されている。銅シートが磁場内で移動すると、銅シートに渦電流が誘起され、この渦電流により磁場の発生が誘起される。誘起された磁場は、外部磁場と相互作用して、減衰効果(制動効果)が得られる。この公報の例示的な一実施形態において、プローブは、複数のスプリング・パラレログラム(spring parallelogram:バネ平行四辺形)で構成されており、これらが上下に配置され、それぞれ触覚ピンの一方向の移動を可能とする。各スプリング・パラレログラムは、それ自体の渦電流ブレーキを備えている。別の例示的な実施形態において、触覚ピンをz方向およびx方向に減衰する単一の渦電流ブレーキが設けられている。この例示的な実施形態において、y方向の減衰のために別の第2の渦電流ブレーキが、必要であれば要求される。
プローブの振動を減衰するための渦電流ブレーキの原理も、下記特許文献2により公知となっている。この場合も、プローブは、複数のスプリング・パラレログラムから構成されており、これらは上下に配置され、各々それ自体の渦電流ブレーキを有している。
下記特許文献3にも、上下に配置された複数のスプリング・パラレログラムを備えたプローブが開示されている。このプローブにおいては、摩擦力を調整可能な摩擦ブレーキが減衰部材として使用されている。下記特許文献4には、ゴムシリンダまたはガラス粉を減衰素子として使用することが開示されている。さらに、下記特許文献5には、座標測定装置において粘性ダンパすなわち粘性媒体を減衰素子として使用することが開示されている。
全く異なる技術分野において、特に、地震で発生する建物の振動の動的減衰において、互いに同心(同軸)に配置された交互極性のマグネットの上方に補償重りを取り付けることが公知となっている(下記特許文献6)。
独国特許出願公開第19731005号明細書 独国特許出願公開第4424225号明細書 独国特許出願公開第10100350号明細書 米国特許第6,370,788号明細書 独国特許出願公開第10147614号明細書 米国特許第5,445,249号明細書
この様な背景で、本発明の目的は、プローブがコンパクト設計を有する場合に効率的な減衰が可能なように、序論で言及したタイプのプローブを改良することである。さらに、可能な限り柔軟に減衰度を設定できることが望ましい。
本発明の一局面によると、この目的は、少なくとも1つの移動経路に沿って磁場の方向が、少なくとも1回変化するように上記のプローブのマグネット構成を設計することによって達成される。
したがって、新規のプローブは、導体素子が移動時に磁力線に曝されるように設計されたマグネット構成を有し、前記磁力線が顕著に異なる方向を有している。これに対して、現在公知のプローブの渦電流ブレーキにおいては、同一方向または少なくとも実質的に同一方向の磁力線を有する均一な磁場において可動導体素子を移動させるのが通例であった。導体素子の移動時の本発明における磁場方向の変化によって、減衰効果が増大する。したがって、このマグネット構成に必要な据付スペースを低減する一方、同じ減衰効果を維持することができる。すなわち、同じ据付スペースで、より大きな減衰効果を達成することができる。減衰効果の向上によって、触覚ピン(より一般的には、可動部材。この新しい原理を利用して、プローブの他の可動部材、例えばハウジングと触覚ピンとの間の中間素子などの振動を減衰することもできる)を、中央減衰部材によって効率的かつ省スペース可能な方法で複数の座標軸方向に減衰させることができる。
複数の座標軸方向の減衰、好ましくは全ての座標軸方向の減衰を組み合わせることによって、必要な据付スペースと部材数とを低減することができる。したがって、新規のプローブを非常にコンパクトに実施することができる。さらに、部材数の低減によって重量を低減することができ、これによって、より高速かつダイナミックな移動が可能となり、したがって測定の高速化が可能となる。
動力特性レベルが高くなると、振動は強くなるが、この新規な構成の減衰挙動の向上が容易になる。
さらに、方向変化の頻度や特別な設計によって、減衰効果を可変設定できるので、本発明の解決策は非常に適応性が高い。
したがって、上記の目的は、完全に達成される。
好適な改良態様において、方向変化は、移動経路を横断して起こる方向反転である。
この好適な改良態様においては、可動導体素子は、反対方向の磁力線を横切り、これによって特に減衰効果が増大する。上記の利点は、この改良態様において特に効果的である。
更なる改良態様において、マグネット構成は、磁束ガイド素子によって相互接続された複数のマグネットを備えている。
特に、磁束ガイド素子は、マグネット構成の設計ではそれ自体公知なように軟鉄コアである。この改良態様は、第1に、磁束ガイド素子が磁力線の大部分をそれ自体に集中させるので、マグネット構成が外部に対して磁気的に中性であるという利点を有する。さらに、この改良態様は、特に、複数のマグネットにより減衰効果が可変である。複数のマグネットによって、方向変化数、磁気有効領域の大きさ、および磁場それ自体の強度を可変とすることができる。さらに、複数のマグネットを磁束ガイド素子により結合することによって、省スペースかつコンパクトな構成が可能となる。
更なる改良態様において、マグネット構成は、交換可能なマグネットを備えている。
この改良態様は、適応性(フレキシビリティ)という点で特に有利である。交換可能なマグネットによって、マグネットに使用する磁性材料、ならびにマグネットの数、向きおよび強度を可変とすることができる。したがって、例えば、触覚ピン重量および触覚ピン長の差異を補償するために、後で特定の座標測定装置に減衰を適合させることができる。さらに、製造の合理化が可能である。
本発明に係る上記の目的の解決策となる更なる改良態様において、減衰部材は、第2の可動部材の周囲の周方向にずれた少なくとも2つの位置に配置された少なくとも1つの第1の導体素子および1つの第2の導体素子を有する。
言い換えれば、第1および第2の導体素子(および一体的に相互接続可能な、または個別に実施可能な更なる導体素子)が、可動である第2の部材の外周上に可動である第2の部材から半径方向に距離をおいて分布するように配置されている。したがって、前記導体素子は、可動である第2の部材に対して様々な周囲位置にある。導体素子の数が2に限定される場合、導体素子は、周方向に互いに90度ずれていることが好ましく、これによって、少数の部材で、2つの座標軸方向の可動部材の減衰が可能となる。あるいは、同様に好適な改良態様においては、1つの座標軸方向において高減衰効果と対称的な重量分布とを得るために、2つの導体素子が、周方向に互いに180度ずれている。
この好適な改良態様によって、非常にコンパクトな設計が可能となる。これによって、触覚ピンの方向を横切る振動、すなわち、典型的にはx方向およびy方向の振動を非常に効率的に減衰することができる。このタイプの振動は、プローブの移動時に特にマイナスの影響を有する。
更なる改良態様において、3つまたは4つの導体素子が、第2の部材の周囲に均等に分布するように配置されている。
この改良態様は、コンパクトかつ省スペースの構成を用いて、1平面、特にx−y平面の2つの空間方向の振動を減衰する場合に特に有利である。部材数が比較的少ないので、3つの導体部材の使用は、低重量であるという利点を有する。結果的に、製造の複雑性およびコストも低減される。対照的に、4つの導体素子の使用は、1平面の2つの空間方向に対して異なる減衰効果で減衰することができ、これによって、適応性と適合性とが向上する。
更なる改良態様において、第1および第2の導体素子は、別個の導体素子である。
言い換えれば、第1および第2の導体素子(および更なる導体素子)は、空間的に離れた部材である。この改良態様によって、個々の導体素子の交換と、異なる空間方向における異なる減衰要件に対する適合とが容易になる。
更なる改良態様において、新規のプローブは、それ自体プローブにおいて既に公知のように、スプリング素子、特にいわゆる隔膜(ダイヤフラム)スプリングを有し、このスプリング素子によって第2の部材が第1の部材に対して可動に取り付けられ、スプリング素子が移動平面を定義し、導体素子が移動平面から直角に距離をおいて配置されている。
この改良態様において、可動導体素子は、レバーアームによって第2の部材の移動平面(カルダン平面)から距離をおいて配置されている。これによって、第2の部材が若干偏位しているときに、導体素子は、比較的大きな移動ストロークを実行することができる。大きな移動ストロークとそれに伴う高速化とによって、結果的に減衰効果が更に増大する。したがって、この改良態様は、非常に効率的である。
対照的に、別の改良態様において、導体素子は、移動平面と同一平面に配置されている。
この改良態様において、第2の部材が振動している場合、導体素子の移動ストロークは比較的小さい。移動ストロークが小さいことによって、導体素子が内部を移動するマグネット構成内の空隙を非常に狭く保つことができ、これによって、結果的に空隙内の磁場強度が高まる。結果的に生じる効率の向上によって、特にコンパクトな設計が可能となる。
更なる改良態様において、マグネット構成と導体素子とは、異なる重量を有し、これら2つのうち重量が大きい方が第1の部材に固定されている。導体素子は、可動部材に固定されていることが好ましい。
この改良態様は、動力特性の低下を防止または少なくとも抑制する。言い換えれば、新規なプローブにおいて、減衰部材の低重量素子、通常、導体素子が、可動である第2の部材に固定されていると、高度な動力特性レベルが達成される。ただし、導体素子が高重量素子である場合、相応に構成を置き換えることが好ましい選択である。
更なる改良態様において、導体素子は、交換可能に設計されている。
この改良態様では、異なる素材で形成され、異なるサイズを有する異なる質量の導体素子を使用するので、減衰効果を特に容易に適合させることができる。例えば、銅は、導電率が非常に高く、それゆえ渦電流が強いので好ましい。これに対して、アルミニウムは、軽量であるが、若干減衰効果が低い。導体素子を交換可能としたことによって、変形態様の多様性および新規のプローブの適合性が増大する。
更なる実施形態において、導体素子は、主にアルミニウムまたは銅で形成されている。
上記の2つの選択肢は上記のような長所と短所とを有するが、これら2つの元素は、その特性により、利用可能な数多くの素材の中でも特に好適である。
もちろん、上記および下記の特徴は、本発明の範囲から逸脱することなく、上記の組み合わせだけでなく、その他の組み合わせまたは単独でも使用可能である。
以下、本発明の例示的な実施形態を詳述すると共に、図面に記載する。
図1において、座標測定装置は、その全体が参照番号10で示されている。座標測定装置10は、ベースプレート12を有し、その上に、ポータル14が長手方向に移動可能に配置されている。長手方向は、通常、y軸として示されている。x方向に移動可能な摺動部16は、ポータル14の上部クロスバー上に配置されており、z方向に調節可能なラム18を支持している。参照番号20、22、24は、3つの空間方向x、y、zに沿ったポータル14、摺動部16およびラム18の調節位置を読取可能なスケールを示す。この場合、スケール20、22、24は、座標測定装置10のオペレータによって読み取られる典型的な測定スケールとすることができる。ただし、代替的または追加的に、これらを機械的に読取可能な測距センサとすることもできる。
プローブ26は、触覚ピン28(ここでは縮尺どおりに示されていない)を有し、それ自体公知の方法によりラム18の自由下端に配置されている。触覚ピン28(ここに示されている形状以外の形状を有していてもよい)を使用して、測定対象物30の定義測定ポイントに接触させる。この場合、対象物30は、座標測定装置10のベースプレート12上に載置される。プローブ26の位置、すなわち触覚ピン28の位置は、スケール20、22、24と、プローブ26内に配置されたその他の測定素子(ここでは図示せず)とを用いて決定可能である。したがって、対象物30の形状は、座標測定装置10で規定される精度で測定可能である。
参照番号32は、評価制御ユニットを示し、これを用いて座標測定装置10を制御する。さらに、評価制御ユニット32は、プローブ26および触覚ピン28の位置を評価して、文書化および/または更なる処理のために測定結果を提供する。自動座標測定装置においては、評価制御ユニット32は、いわゆるCNC制御ユニットである場合が多い。
参照番号34は、オペレータ制御コンソールを示し、ここでは座標測定装置10を手動で制御するためにも使用可能である。ただし、制御ユニット32およびオペレータ制御コンソール34は、ここでは、例示目的のためにのみ示されており、他の例示的な実施形態においては、省略したり、他の部材と置き換えてもよい。
さらに、座標測定装置10は、ここではポータルの形態で示されているが、これは例示として選択されたものである。同様に、本発明は、水平アーム形態または他の設計の座標測定装置においても使用可能である。
図2は、プローブ26の好適な例示的な実施形態の、いわゆる運動モジュールを示す。この運動モジュールは、対象物30に接触または対象物30を走査する場合に触覚ピン28を制御可能な方法で偏位(偏向)させるための部材を備えている。もちろん、触覚ピン28は、運動モジュールに直接接続させる必要はないが、通常、触覚ピン延長部36を介して運動モジュール上に配置されている。これによって、特に、このタイプの座標測定装置によりそれ自体既に公知のように、プローブ26上で使用される触覚ピン28の交換が可能となる。
この場合、新規のプローブ26の運動モジュールは、円筒状であり、中央部に隔膜スプリング38が配置されている。触覚ピン延長部36は、隔膜スプリング38によって、触覚ピン延長部36(および触覚ピン28)をx軸方向およびy軸方向に移動可能(回動可能)なように保持されている。
隔膜スプリング38は、プローブ26の円筒形状に内嵌する支持素子40内に固定されている。支持素子40は、中間素子42に直径方向に対向して配置された半円筒シェル状部分44を有する。また、支持素子40は、隔膜スプリング38および中間素子42を環状に取り囲む環状突起46を有する。この場合、中間素子42は、隔膜スプリング38と突起46との間を移動可能である。軸方向には、部分44は、中間素子42よりも小さく、中間素子42の中央に配置されている。
円筒形状のハウジング部48は、支持素子40の周囲に配置されている。また、ハウジング部48は、触覚ピン延長部36を同軸に取り囲んでいる。さらに、ハウジング部48および2つの素子40、42は、全部で4つのスプリング素子50、52、54、56によって相互接続されている。スプリング素子50〜56は、それぞれ板バネの形態であり、隔膜スプリング38と平行に配置されている。触覚ピン延長部36が通過できるように、4つのスプリング素子50〜56は、それぞれ略円形中央凹部58を有している。触覚ピン延長部36は、これらの凹部を貫通している。
スプリング素子50、52は、z軸方向に隔膜スプリング38の上方に配置されている。スプリング素子54、56は、z軸方向に隔膜スプリング38の下方に配置されており、隔膜スプリング38からの距離がスプリング素子50、52とほぼ同じになるように設けられている。スプリング素子50は、静止ハウジング部48を中間素子42に接続している。スプリング素子52は、スプリング素子50の若干下方に配置されており、中間素子42を支持素子40の部分44に接続している。
同様に、スプリング素子54は、支持素子40の部分44を直径方向反対側の中間素子42に接続している。スプリング素子56は、スプリング素子54の若干下方に配置されており、最終的に中間素子42を静止ハウジング部48に接続している。この構成により、素子40、42およびスプリング素子50〜56は、円筒形設計のいわゆるダブルスプリング・パラレログラムを形成する。これによって、触覚ピン延長部36をz方向に偏位可能となる。
ここに示す運動モジュールの特別な特徴は、それ自体が同一出願人の並行出願の主題であり、3点支持によって素子40、42またはハウジング部48に固定されているスプリング素子50〜56に関連している。言い換えれば、スプリング素子50〜56は、それぞれ1次元または単一の接点で前記部分の1つに接続され、2次元(線状または破線状)接点で他の部分に接続されている。特に、スプリング素子50は、ここでは、1次元すなわち点状の接点60でハウジング部48に固定される一方、線状の接点62で素子42上に配置されている。同様に、スプリング素子52は、線状/2次元接点で素子42上に配置される一方、1次元/点状/単一の接点64で支持素子40の部分44上に配置されている。
同様に、スプリング素子54は、2次元/線状接点66で素子40に固定される一方、1次元/点状接点(図2では見えない)で中間素子42上に配置されている。さらに、スプリング素子56は、1次元/点状接点(同様にここでは見えない)で中間素子42に固定される一方、線状/2次元接点68でハウジング部48上に配置されている。
このダブルスプリング・パラレログラムにおけるスプリング素子50〜56の新規の3点支持は、単純な方法により大きな許容誤差で個々のスプリング素子を製造および固定することができ、スプリング素子が変形したり、極端な場合には「ポキッと」折れたりすることがないという利点を有する。
この場合、隔膜スプリング38を、3点支持によって支持素子40内に固定することも好ましい。
新規のプローブ26のために、図2に示す運動モジュールを下記の減衰部材の1つと組み合わせる。しかし、先ず、好適な一態様を図3および図4を参照しながら概略的に説明する。
図3は、2つのマグネット70、72と、U字形状の磁束ガイド素子74とを有するマグネット構成69を示す。2つのマグネット70、72は、特に、2つのN極とS極とが同じ向きとなるように、U字形状の磁束ガイド素子74の開放突起部の内面に配置されている。その結果、磁場が形成される。磁場は、ここでは磁力線76、78を用いて概略的に示されている。高強度磁場が、2つのマグネット70、72の間の空隙80に広がっている。さらに、磁力線76は、磁束ガイド素子74によってマグネット72からマグネット70へと案内されるので、閉状態である。磁束ガイド素子74がその低磁気抵抗によって磁力線76をその内部に集中させるので、この構成は、全体として外部に対して磁気的にほぼ中性である。
参照番号82は、銅板などの導体素子を示し、この導体素子は、マグネット構成69の空隙80において矢印84の方向に移動可能である。したがって、導体素子82は、空隙80内において磁力線78を横切って移動する。この移動によって、導体素子82内に渦電流が誘起され、これによって磁場76、78と相互作用する磁場が形成される。この相互作用の結果、空隙80における導体素子82の移動が制動される。
図4は、同様のマグネット構成86を示し、同様の参照符号は前記と同様の要素を示す。ただし、マグネット構成69とは対照的に、マグネット構成86は、ここでは4つのマグネット70、72、88、90を有し、マグネット70、88は第1の磁束ガイド素子74によって接続され、マグネット72、90は第2の磁束ガイド素子74’によって接続されている。この場合、マグネット70、72は、図3の構成69と同様に互いに対向している。同様に、マグネット88、90も互いに対向しており、連続的な空隙80が全体的に形成され、この空隙によってマグネット構成86は2つに分割されている。マグネット70、88および72、90は、その向きだけが逆になっている。
閉磁力線プロファイルは、実質的に空隙80および磁束ガイド素子74、74’の内部に集中し、マグネット構成86内に形成される。ただし、この場合、導体素子82は、図4に示すように空隙80内を移動するときに、磁力線方向の変化を経る。この方向変化により、渦電流が、導体素子82内で異なる方向に誘起され、これにより最終的に制動効果が増大する。下記の例示的な実施形態においては、この効果を減衰部材のために利用している。
図5において、新規のプローブの第1の例示的な実施形態のための減衰部材は、その全体が参照番号92で示されている。減衰部材92は、図2の運動モジュールの触覚ピン延長部36の自由上端に設けられている。明確化のために、隔膜スプリング38と触覚ピン延長部36の上端とのみが、図5に示されている。
この場合、減衰部材92は、全部で4つの導体素子82を備え、そのうち2つの導体素子(参照符号82a、82b)が、図5に示されている。他の2つの導体素子は、90度ずれている。したがって、全体として4つの導体素子82は、それぞれ互いに90度ずれて周上に分布するように配置されている。
導体素子82は、支持素子94によって触覚ピン延長部36に固定されている。これらは、半径方向に距離をおいて触覚ピン延長部36を取り囲んでおり、4つの導体素子82は、触覚ピン延長部36の周りに均等に配置されている。言い換えれば、導体素子82a、82bは、互いに直径方向に触覚ピン延長部36の両側に位置する。同様に、更なる導体素子(ここでは図示せず)が、互いに直径方向に位置するが、導体素子82a、82bに対して90度ずれている。
磁束ガイド素子74は、十字形状の頂部領域を有し、十字の各アームからU字形状に下に向かう突出部を有する。マグネット70、72、88、90は、U字形状の突出部の対向内面に配置されている。磁束ガイド素子74およびマグネット70、72、88、90を備えた構成は、全体として導体素子82にある程度覆い被さっている。この場合、磁束ガイド素子74およびマグネットを備えた構成は、定位置に固定されているので、触覚ピン延長部36が移動すると、導体素子82がマグネットに対して移動する。
特別な場合、導体素子82は、マグネット70、72、88、90に対して3つ全ての空間方向x、y、zに移動可能である。したがって、減衰部材92は、触覚ピン延長部36(および触覚ピン28)の振動を3つ全ての空間方向に減衰することができる。3つ全ての空間方向の減衰効果は、導体素子82の適切な選択および寸法設定とマグネットの数、構成および選択とによって個々に最適化可能である。
この場合、減衰部材92は、全体として、隔膜スプリング38によって規定されるx−y移動平面(カルダン平面)98から上方に距離dをおいて配置されている。この結果、x方向またはy方向への触覚ピン28の偏位によって、導体素子82の比較的大きな移動ストロークが可能となり、したがって、比較的高速移動が可能となり、結果的に減衰効果が増大する。これは、図示の構成において特に有利である。なぜなら、導体素子82を3つ全ての空間方向に移動可能とするために、ここではマグネット70、72、88、90の間の空隙を比較的大きく選択しているからである。
図6および図7において、新規のプローブのための減衰部材の更なる例示的な実施形態は、その全体が参照番号100で示されている。減衰部材92とは対照的に、減衰部材100は、実質的に隔膜スプリング38が広がるx−y移動平面内に配置されている。この場合、前記減衰部材100は、3つの導体素子82を有し、これらの導体素子82は、触覚ピン延長部36の周囲に均等に配置されており、すなわち、120度の周角で互いにずれている。この場合、減衰部材92の場合と同様に、導体素子82は、触覚ピン延長部36と共に移動する。
また、減衰部材100は、触覚ピン延長部36を同心に取り囲む環状支持素子102を有している。マグネット70、72と磁束ガイド素子74とを有する3つのマグネット構成が、環状支持素子102内に内蔵されている。3つのマグネット構成の位置は、3つの導体素子82の位置に対応する。触覚ピン28が偏位すると、導体素子82は、対応するマグネット構成に対して移動し、その結果、減衰効果が達成される。この場合、減衰効果は、マグネット70、72の配置、選択および強度により、導体素子の質量や使用素材を選択することによって、各用途に対して最適化可能である。減衰部材100における導体素子82の移動ストロークが、減衰部材92と比較して小さいので、空隙を非常に狭く寸法設定してもよく、すなわち、導体素子82にほぼ正確に嵌合するように寸法設定してもよい。これによって、減衰効果が増大する。
図示の構成が原則的にz方向にも減衰可能な場合であっても、好適なプローブにおいて、x方向またはy方向の振動の減衰の目的で減衰部材100が使用される。
明確化のために、図示の好適な実施形態とは対照的に、導体素子およびマグネット構成の数を増減させても、減衰部材92、100を実施可能であるということにも言及しておく。
最後に、図8において、新規のプローブのための減衰部材の更なる例示的な実施形態の全体が、参照番号104で示されている。同様の参照符号は、前記と同様の素子を示しており、ここでは、減衰部材104は、図2の運動モジュールに対するその空間構成が概略的に示されている。この場合、減衰部材104は、振動をz方向に減衰するためだけに使用されるので、図6、図7の減衰部材100と容易に結合することができる。
減衰部材104において、可動導体素子82は、ダブルスプリング・パラレログラムの支持素子40であって、z方向に移動可能な支持素子40に、接続片106によって接続されている。一方、マグネット70、72と磁束ガイド素子74、74’とを有するマグネット構成は、隔膜スプリング38の上方の定位置に固定的に配置されている。この場合、マグネット構成の構造は、図4に示す構造に対応する。このマグネット構成は、定位置に固定されたハウジング部48に、L字形状の支持素子108によって固定されている。
ここに図示の例示的な実施形態において、マグネット構成は、導体素子の移動方向に1回のみ方向を変化させる。しかし、もちろん、減衰効果を最適化するために、3回、4回、またはそれ以上、方向変化を生じるように複数のマグネットを互いに結合することも可能である。
新規のプローブを有する座標測定装置の単純化した全体図を示す。 新規のプローブの例示的な一実施形態の基本的な構造設計の斜視図の部分断面を示す。 本発明の一態様を説明するためのマグネット構成の基本図を示す。 本発明の一態様を説明するためのマグネット構成の基本図を示す。 新規のプローブの例示的な一実施形態に係る減衰部材の斜視図の部分断面を示す。 新規のプローブの別の例示的な実施形態のための更なる減衰部材を示す。 図6の減衰部材の分解図を示す。 新規のプローブの減衰部材の更なる例示的な実施形態を示す。

Claims (14)

  1. 静止した第1の部材(48)と、前記第1の部材(48)に対して相対移動可能であって、触覚ピン(28)、または、触覚ピン(28)に連結された中間素子(36)を含む第2の部材(28,36)と、導体素子(82)と、前記導体素子(82)の振動を減衰するための減衰部材(92,100,104)を備え、
    前記減衰部材(92,100,104)と前記導体素子(82)とのうち何れか一方が前記第1の部材(48)に固定され、前記減衰部材(92,100,104)と前記導体素子(82)とのうち他方が前記第2の部材(28,36)に固定され、
    前記減衰部材(92,100,104)、磁場(76,78)を形成するためのマグネット(70,72,74,88,90;86)を有し、前記導体素子(82)は、前記磁場(76,78)の中の少なくとも1つの移動経路(84)に沿って、前記磁場に対して相対移動可能であり、
    前記マグネットの配列(70,72,74,88,90;86)は、前記少なくとも1つの移動経路(84)に沿って前記磁場(76,78)の方向が少なくとも1回変化するように設計されていることを特徴とする座標測定装置用プローブ。
  2. 前記磁場(76,78)の方向変化が、前記移動経路(84)を横断して起こる方向反転であることを特徴とする請求項1記載のプローブ。
  3. 前記マグネット(70,72,74,88,90;86)が、磁束ガイド素子(74,74’)によって相互接続された複数のマグネット(70,72,88,90)を備えていることを特徴とする請求項1または2記載のプローブ。
  4. 前記マグネット(86)が、交換可能なマグネット(70,72,88,90)を備えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプローブ。
  5. 前記導体素子(82)が、前記第2の部材(36)の周囲の周方向にずれた少なくとも2つの位置に配置された少なくとも1つの第1の導体素子および1つの第2の導体素子(82a,82b)であることを特徴とする特に請求項1〜4のいずれかに記載の座標測定装置用プローブ。
  6. 3つまたは4つの導体素子(82a,82b,82c)が、前記第2の部材(36)の周囲に均等に分布するように配置されていることを特徴とする請求項5記載のプローブ。
  7. 前記第1および第2の導体素子(82a,82b,82c)が、別個の導体素子であることを特徴とする請求項5または6記載のプローブ。
  8. スプリング素子(38)をさらに有し、前記スプリング素子によって前記第2の部材(36)が前記第1の部材(48)に対して可動に取り付けられ、前記スプリング素子(38)が移動平面(98)を定義し、前記導体素子(82)が前記移動平面(98)から直角に距離(d)をおいて配置されて いることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプローブ。
  9. スプリング素子(38)をさらに有し、前記スプリング素子によって前記第2の部材(36)が前記第1の部材(48)に対して可動に取り付けられ、前記スプリング素子(38)が移動平面(98)を定義し、前記導体素子(82)が前記移動平面(98)と同一平面に配置されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のプローブ。
  10. 前記マグネット(70,72,74)と前記導体素子(82)とが、異なる重量を有し、これら2つのうち重量が大きい方が前記第1の部材(48)に固定されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のプローブ。
  11. 前記導体素子(82)が、前記第2の部材(36)に固定されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のプローブ。
  12. 前記導体素子(82)が、交換可能であることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のプローブ。
  13. 前記導体素子(82)が、主にアルミニウムまたは銅で形成されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載のプローブ。
  14. 測定対象物(30)の形状を測定するための座標測定装置であって、
    前記測定対象物(30)に接触する触覚素子(28)を有するプローブ(26)を支持する可動フレーム(14,16,18)、前記触覚素子(28)の 現在の空間位置を決定するように設計された評価装置(32)を備え、
    前記プローブ(26)は請求項1〜13のいずれかに記載された構造を有することを特徴とする座標測定装置。
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