JP4712460B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光ディスクシステム等の光情報処理装置に用いられる光ピックアップ光源となる半導体発光装置に関する。

近年、光ディスク装置の光源として、各種の半導体レーザ素子が広範囲に利用されている。その中で、高出力半導体レーザ素子は、ミニディスク（ＭＤ）、光磁気ディスク（ＭＯ）、コンパクトディスク（ＣＤ−Ｒ／ＲＷ）、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ／ＲＡＭ）、Ｂｌｕｅ−Ｒａｙ Ｄｉｓｃ又はＨＤ−ＤＶＤ等への書き込み用の光源として用いられており、それぞれ波長域は異なるが、どの波長においても、より高速な書き込み速度を実現するために、高出力化は常に求められている。

活性層における光強度を高めるには、電子と正孔との再結合光を活性層に集中させる。このとき、一般に、出射光は、活性層に対して垂直な方向の光、すなわち垂直方向の拡がり角が、水平方向の拡がり角よりも大きく、その結果、出射光はその光軸に対して垂直な方向の断面形状、すなわち投影面の形状が縦方向に長い楕円形状となる。しかしながら、このように投影面が楕円形状のレーザ光は光ディスクの情報を表わすピット（凹凸）に精確に照射しにくいため、真円に近い程、すなわち楕円率（垂直方向の拡がり角／水平方向の拡がり角）が小さい程好ましい。

以下、従来の低楕円率化を実現する半導体レーザ素子について図１３を参照しながら説明する（例えば、特許文献１を参照。）。図１３に示すように、ｎ型ＧａＡｓからなる基板１００の上に、ｎ型ＧａＡｓからなる第１バッファ層１０１、ｎ型ＧａＩｎＰからなる第２バッファ層１０２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層１０３（屈折率３．３９３）、アンドープの多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１０４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなる第１クラッド層１０５（屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層１０６、ｐ型第２クラッド層１０７（屈折率３．３９３）、ｐ型ＧａＩｎＰからなる中間バンドギャップ層１０８、及びｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層１０９が順次結晶成長により形成されている。ここで、ｐ型第２クラッド層１０７、中間バンドギャップ層１０８及びキャップ層１０９は、断面凸状のリッジストライプ部１３０を構成している。

リッジストライプ部１３０の両端部（領域Ｂ）における側面上及び両側方には、屈折率が１．８の窒化シリコンからなる埋め込み層（電流狭窄層）１４０が、プラズマ化学的気相堆積（ＰＣＶＤ）法により形成されている。

リッジストライプ部１３０における領域Ｂを除いた領域Ａの側面上及び両側方には、ｎ型ＡｌＩｎＰからなる電流阻止層１２０(屈折率３．２８)が形成され、該電流阻止層１２０を含むリッジストライプ部１３０の上には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１２１（屈折率３．８２）が形成され、該コンタクト層１２１の上にはｐ側電極１２３が形成されている。また、基板１００のｐ側電極１２３の反対側の面上にはｎ側電極１２２が形成されている。

この構成により、リッジストライプ部１３０の両端部を含まない領域Ａにおける電流阻止層１２０の屈折率が３．２８であり、逆に、両端部を含む領域Ｂにおける埋め込み層１４０の屈折率が１．８と小さいことにより、領域Ｂにおける屈折率差が大きくなって、水平方向の光閉じ込め効果が高まる。従って、出射光の水平拡がり角が増大するので、該出射光の投影面の形状の低楕円率化を実現できる。

また、窒化シリコンからなる埋め込み層１４０を領域Ｂだけでなく、領域Ａにまで拡張した場合には、同様に低楕円率化を実現することは可能ではあるが、屈折率差が大きくなり過ぎてしまう。このため、水平方向の光閉じ込め効果は強くなるものの、光出力の線形性（直線性）が損なわれる電流レベル（キンクレベル）が低下して、高出力動作を行なえなくなるが、領域Ｂの埋め込み層１４０に窒化シリコンを用いることにより、このキンクレベルの低下を防いでいる。
特開平２００４−３２７５４５号公報

しかしながら、前記従来の窒化物半導体レーザ素子は、以下のような問題を有している。領域Ａにおいては、リッジストライプ部１３０の埋め込み層であるｎ型ＡｌＩｎＰからなる電流阻止層１２０の屈折率が３．２８であるのに比べて、その両端部の領域Ｂにおいては、埋め込み層１４０を構成する窒化シリコンの屈折率が１．８とかなり小さいため、領域Ａと領域Ｂとでは屈折率差が大きい。この大きな屈折率差によって、レーザ光が出射端面に到達する前に、領域Ａと領域Ｂとの境界部分で散乱又は反射が生じる。すなわち、共振器の内部でレーザ光に散乱が発生したり、内部損失が発生したりする。

その上、共振器長が実質的に領域Ａに規制されてしまい、設計値よりも短くなるため、所望のデバイス特性、特に高出力動作及び高温動作を実現できなくなってしまう。

本発明は、前記従来の問題を解決し、出射光の光軸に対する垂直な方向の断面（投影面）の形状の低楕円率化を図りながら、高出力動作を実現できるようにすることを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、リッジストライプ部を有する半導体発光装置を、該リッジストライプ部の側方を覆う電流狭窄層における出射光に対する屈折率を、リッジストライプ部が延びる方向に少なくとも３通りに変化させる構成とする。

具体的に、本発明に係る半導体発光装置は、活性層を含む複数の半導体層からなり、上部に幅が一定で且つ断面凸状のストライプ形状を持つリッジストライプ部を有し、端面から発光光を出射する発光部本体と、発光部本体の上におけるリッジストライプ部の側面及び側方の領域を覆うように形成され、発光光の屈折率がリッジストライプ部が延びる方向に変化する少なくとも３通りの屈折率を有する電流狭窄層とを備えていることを特徴とする。

本発明の半導体発光装置によると、電流狭窄層は発光光の屈折率がリッジストライプ部が延びる方向に変化する少なくとも３通りの屈折率を有するため、電流狭窄層における発光光に対する屈折率を、リッジストライプ部の出射端面側の第１の領域で小さくすることにより出射光の断面の低楕円率化を実現でき、且つ出射端面から離れた第２の領域で大きくすることによりキンクレベルの低下を防止することができる。その上、第１の領域と第２の領域との間の第３の領域における屈折率を第１の領域における屈折率と第２の領域における屈折率との中間の値に設定すれば、屈折率の差が段階的又は連続的に変化するため、電流狭窄層の屈折率が変化する部分での発光光の散乱及び内部損失の発生が抑止される。その結果、出射光の投影面の形状の低楕円率化と高出力動作とを実現することができる。

本発明の半導体発光装置において、電流狭窄層は、発光光を出射する出射端面側から少なくとも第１の屈折率、第２の屈折率及び第３の屈折率を有し、第１の屈折率の値、第２の屈折率の値及び第３の屈折率の値はこの順に大きくなるように設定されていることが好ましい。

この場合に、電流狭窄層における第１の屈折率の値、第２の屈折率の値及び第３の屈折率の値は不連続に変化することが好ましい。

また、この場合に、電流狭窄層における第１の屈折率の値、第２の屈折率の値及び第３の屈折率の値は連続的に変化することが好ましい。

屈折率の値が不連続又は連続的に変化する場合に、電流狭窄層は、リッジストライプ部が延びる方向に対して垂直な方向に積層され、屈折率が互いに異なる少なくとも２層からなる積層部を有していることが好ましい。

本発明の半導体発光装置において、電流狭窄層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム及び酸化ハフニウムからなる群より選択される少なくとも３つを含むことが好ましい。

また、屈折率の値が連続的に変化する場合に、電流狭窄層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム及び酸化ハフニウムからなる群より選択される少なくとも２つを含むことが好ましい。このようにすると、複数の誘電体層により、電流狭窄層の実効屈折率を任意に調整することが可能となるため、所望のデバイス特性を実現できる。また、電流狭窄層の形成が容易となる。

本発明の半導体発光装置において、複数の半導体層は、III-Ｖ族窒化物半導体からなることが好ましい。

本発明の半導体発光装置において、リッジストライプ部の幅は、１．０μｍ以上且つ２．０μｍ以下であることが好ましい。このようにすると、安定した単一な横モード特性を得られると共に、発光光の光軸に垂直な断面の形状が低楕円率化したビーム形状を得られる。

本発明に係る半導体発光装置によると、電流狭窄層に発光光の屈折率がリッジストライプ部が延びる方向に変化する少なくとも３通りの屈折率を持たせることにより、出射光の投影面の形状の低楕円率化を図りながら、高出力動作を実現することができる。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図１（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るIII-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体レーザ装置を示している。図１（ａ）に示すように、例えば、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置は、平面形状が長方形でｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる基板１の上に、順次エピタキシャル成長により形成された、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第１クラッド層３、ｎ型ＧａＮからなる第１光ガイド層４、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層５、ｐ型ＧａＮからなる第２光ガイド層６、ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第２クラッド層７及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層８を有している。

第２クラッド層７の上部には、長手方向に延びるリッジストライプ部２０が形成されており、コンタクト層８は該リッジストライプ部２０の上面（頂面）にのみ形成されている。ここで、第１クラッド層３、第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、第２光ガイド層６及び第２クラッド層７により発光部本体１５が形成される。

また、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２クラッド層７の上面であって、リッジストライプ部２０の側面上及び両側方には、出射端面２２側から後方（リッジストライプ部２０の延伸方向）に、実効屈折率がｎ₁ で領域Ａに属する第１電流狭窄層９、実効屈折率がｎ₂ で領域Ｂに属する第２電流狭窄層１０及び実効屈折率がｎ₃ で領域Ｃに属する第３電流狭窄層１１が順次形成されている。

コンタクト層８の上には、リッジストライプ部２０の側面すなわち第１電流狭窄層９、第２電流狭窄層１０及び第３電流狭窄層１１を覆うようにｐ側電極１２が形成され、基板１のｎ型ＧａＮ層２と反対側の面上には、Ｎ側電極１３が形成されている。

第１電流狭窄層９及び第２電流狭窄層１０は、厚さが１００ｎｍであり且つ領域Ａの長さ寸法は５０μｍである。第３電流狭窄層１１は、厚さが１００ｎｍであり且つ領域Ｃの長さ寸法は５００μｍである。従って、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の共振器長（リッジストライプ部２０の長さ）は６００μｍである。

第１の実施形態の特徴として、図２に示すように、第１電流狭窄層９、第２電流狭窄層１０及び第３電流狭窄層１１の発光光の波長（発振波長）に対する屈折率ｎ₁ 、ｎ₂ 、ｎ₃ は、そのいずれもがリッジストライプ部２０を構成するｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第２クラッド層７の屈折率である２．５２よりも小さく、さらに、ｎ₁ ＜ｎ₂ ＜ｎ₃ ＜２．５２の関係式が成立するように構成されている。なお、本願明細書においては、半導体及び誘電体の屈折率は、本発明に係る半導体レーザ装置が発振する４００ｎｍ程度の波長に対する実効屈折率を指すが、単に屈折率とも呼ぶ。

以下、前記のように構成された半導体レーザ装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。

図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

まず、図３（ａ）に示すように、例えば有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等により、ｎ型ＧａＮからなる基板１の主面上に、ＡｌＧａＮからなる低温成長バッファ層（図示せず）を堆積し、その後、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第１クラッド層３、ｎ型ＧａＮからなる第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮからなる第２光ガイド層６、ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第２クラッド層７及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層８を順次成長させる。ここで、ＭＱＷ活性層５は、厚さが３．５ｎｍのＧａ_0.92Ｉｎ_0.08Ｎからなる井戸層と、厚さが７．０ｎｍのＧａＮからなるバリア層とを３周期分組み合わせて構成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、コンタクト層８におけるリッジストライプ部形成領域を覆う第１のレジストパターン（図示せず）を形成し、その後、形成したレジストパターンをマスクとして、コンタクト層８及びその下の第２クラッド層７に対して塩素（Ｃｌ₂ ）ガスを主成分とする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行なって、コンタクト層８と第２クラッド層７の上部を除去することにより、コンタクト層８及び第２クラッド層からリッジストライプ部２０を形成する。ここで、半導体レーザ装置に対して、高出力特性を実現する高いキンクレベルと、発光光の投影面形状の低楕円率化を実現する水平拡がり角の広角化とを同時に満たすには、図５の横軸に示すリッジ幅と、縦軸に示すＭＱＷ活性層５の上面から第２クラッド層７のリッジストライプ部２０側方の上面までの厚さである残し厚とから決定される「設計範囲」に設定することが望ましい。すなわち、リッジ幅は１．０μｍ以上且つ２．０μｍ以下が好ましく、水平拡がり角は８°以上が好ましい。第１の実施形態においては、リッジ幅を１．６μｍとし且つ残し厚を０．１８μｍとしている。

次に、図４（ａ）に示すように、第１のレジストパターンを除去した後、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ａ及び領域Ｂを覆う第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、例えば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属タンタル（Ｔａ）からなるターゲット材、アルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ₂ ）ガスを用いて、第２のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）層を堆積し、第２のレジストパターンをアセトン等の有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ｃに酸化タンタルからなる第３電流狭窄層１１を形成する。その後、同様にリソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ａ及び領域Ｃを覆う第３のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属シリコン（Ｓｉ）からなるターゲット材、Ａｒガス及びＮ₂ ガスを用いて、第３のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）層を堆積し、第３のレジストパターンをアセトン等の有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ｂに窒化シリコンからなる第２電流狭窄層１０を形成する。その後、同様にリソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ｂ及び領域Ｃを覆う第４のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属シリコン（Ｓｉ）からなるターゲット材、Ａｒガス及びＯ₂ ガスを用いて、第４のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）層を堆積し、第４のレジストパターンをアセトン等の有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ａに酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９を形成する。

この工程により、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置に、リッジストライプ部２０の側面及び側方を覆う電流狭窄層として、出射端面２２側から、屈折率が１．５６の酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９、屈折率が２．０７の窒化シリコンからなる第２電流狭窄層１０及び屈折率が２．２３の酸化タンタルからなる第３電流狭窄層１１が形成される。なお、第１の実施形態においては、各電流狭窄層９、１０、１１を、第３電流狭窄層１１、第２電流狭窄層１０及び第１電流狭窄層９の順に形成したが、第１電流狭窄層９、第２電流狭窄層１０及び第３電流狭窄層１１の順に形成してもよく、第２電流狭窄層１０を裂き形成してもよい。

次に、図４（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、各電流狭窄層９、１０、１１の上におけるｐ側電極形成領域、すなわち少なくともリッジストライプ部２０の上面及び側面を露出する開口パターンを有する第５のレジストパターン（図示せず）を形成し、形成した第５のレジストパターンをマスクとして、スパッタ法又は真空蒸着法等により、リッジストライプ部２０の上に、例えばニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる金属積層膜を形成する。その後、第５のレジストパターンをアセトン等の有機溶剤によりリフトオフすることにより、堆積した金属積層膜からなるｐ側電極１２を形成する。続いて、基板１のｐ側電極１２の反対側の面上に全面的に、例えばチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層膜からなるｎ側電極１３を形成する。

ここで、ｐ側電極１２の形成材料は、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕに限られず、半導体レーザ装置における動作電圧を下げられるように、コンタクト層８とのコンタクト抵抗を低くできると共に、コンタクト層８及び各電流狭窄層９、１０、１１との密着性が良好な材料であればよい。従って、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ以外にも、Ｎｉ／Ａｕ、パラジウム（Ｐｄ）／白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）単体、又はパラジウム（Ｐｄ）／モリブデン（Ｍｏ）を用いることができる。

以上説明したように、第１の実施形態によると、発光部本体１５の上部に形成されたリッジストライプ部２０の側面及び側方を覆い、該リッジストライプ部２０の上面のみから動作電流を注入するための電流狭窄層を、出射端面２２側から酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９、窒化シリコンからなる第２電流狭窄層１０及び酸化タンタルからなる第３電流狭窄層１１を順次形成して、図２に示すように、各電流狭窄層９、１０、１１の屈折率を出射端面２２側から順次大きくしている。これにより、出射端面２２を含む領域Ａにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に大きい屈折率差によって、光の水平方向の閉じ込め効果が大きくなるため、水平拡がり角を増大させることができ、発光光の投影面の断面形状の低楕円率化を実現できる。一方、領域Ａ及びＢを除く大部分の領域を占める領域Ｃにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に小さい屈折率差によって、キンクレベルが上昇するため、高出力動作に必要な内部構造を維持できる。

その上、第１の実施形態においては、領域Ａと領域Ｃとの間に位置する領域Ｂに、屈折率が領域Ａと領域Ｃとの間の値を持つ第２電流狭窄層１０を設けることにより、ストライプ（共振器）方向の異なる屈折率差を２段階のステップ状に変化させることができる。このため、共振器内部における光の散乱及び反射を防ぐことができるので、高出力動作が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。

なお、第１の実施形態においては、第１電流狭窄層９に屈折率ｎ₁ が１．５６の酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）を用い、第２電流狭窄層１０に屈折率ｎ₂ が２．０７の窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）を用い、第３電流狭窄層１１に屈折率ｎ₃ が２．２２の酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）を用いたが、［表１］に示す誘電体のなかから、ｎ₁ ＜ｎ₂ ＜ｎ₃ を満たす範囲で任意に選択することができる。

さらには、ｎ₁ ＜ｎ₂ ＜ｎ₃ を満たす範囲で、第１電流狭窄層９に酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）又は酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）を用い、第２電流狭窄層１０に酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）、窒化アルミニウム（Ｓｉ₃Ｎ₄）、酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）又は窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）を用い、第３電流狭窄層１１に酸化ハフニウム（Ｈｆ₂Ｏ₅）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）又は酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）を用いることが好ましい。但し、例えば第３電流狭窄層１１に屈折率が２．００のＨｆ₂Ｏ₅を用いる場合には、第２電流狭窄層１０には、屈折率が１．８２のＧａ₂Ｏ₃又は屈折率が１．６４のＡｌ₂Ｏ₃を選択し、第２電流狭窄層１０にＡｌ₂Ｏ₃を選択した場合には、第１電流狭窄層９には、屈折率が１．５６のＳｉＯ₂ を選択する。

このようにして得られた第１の実施形態に係る半導体レーザ装置において、ｎ側電極１３を接地し、ｐ側電極１２に正電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層５にキャリアが注入されて、該ＭＱＷ活性層５内で光学利得が生じ、発振波長が４００ｎｍ程度のレーザ発振を起こす。

なお、第１の実施形態においては、電流狭窄層９、１０、１１を３種類の材料で形成する場合を示したが、４種類かそれ以上の屈折率が異なる材料で形成してもよい。共振器内部における光の散乱及び反射をより確実に防ぐには、電流狭窄層における共振器方向の屈折率の変化が小さい方が好ましいからである。この場合も、少なくとも４通りの屈折率を持つ複数の電流狭窄層は、発光部本体１５の出射端面２２に近い程、各屈折率が段階的に低くなるように形成する。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図６（ａ）は本発明の第２の実施形態に係るIII-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体レーザ装置を示し、図６（ｂ）は半導体レーザ装置における電流狭窄層の共振器方向の断面構成を示している。図６（ａ）及び（ｂ）において、図１（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図６（ｂ）に示すように、第１の実施形態との相違点は、リッジストライプ部２０の側面及び側方を覆う電流狭窄層として、実効屈折率ｎ₁ が１．５６の酸化シリコンからなる第１の電流狭窄層９を領域Ａ及び領域Ｂに跨って形成し、実効屈折率ｎ₃ が２．２２の酸化タンタルからなる第２の電流狭窄層１４を領域Ｂ及び領域Ｃに跨って形成し、領域Ｂにおいては、第１の電流狭窄層９と第２の電流狭窄層１４とが積層される点である。

具体的には、第１電流狭窄層９は、厚さが５０ｎｍであり且つ領域Ａ及び領域Ｂの長さ寸法は１００μｍであり、第２電流狭窄層１４は、厚さが１００ｎｍであり且つ領域Ｂ及び領域Ｃの長さ寸法は５５０μｍである。従って、共振器長が６００μｍであることから、領域Ｂの長さ寸法は５０μｍである。

このように、第２の実施形態に係る半導体レーザ装置は、領域Ｂにおいて、酸化シリコンからなる第１の電流狭窄層９と酸化タンタルからなる第２の電流狭窄層１４とを積層して形成することにより、領域Ｂの実効屈折率をｎ₂ とすると、領域Ａ、Ｂ及びＣの各屈折率には、ｎ₁ ＜ｎ₂ ＜ｎ₃ の関係式が成立する。すなわち、２種類の誘電体材料からなる電流狭窄層９、１４を設けることにより、第１の実施形態と同様に、電流狭窄層９、１４を共振器方向に３通りで且つ段階的に変化させることができる。

以下、前記のように構成された半導体レーザ装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。

図７（ａ）、（ｂ）及び図８（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

まず、図７（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮからなる基板１の主面上に、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第１クラッド層３、ｎ型ＧａＮからなる第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮからなる第２光ガイド層６、ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第２クラッド層７及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層８を順次成長させる。その後、コンタクト層８の上に形成したリッジストライプ部形成領域を覆う第１のレジストパターンをマスクとして、コンタクト層８及び第２クラッド層７に対して選択的にドライエッチングを行なって、リッジストライプ部２０を形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、第１のレジストパターンを除去した後、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ｃを覆う第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、例えば、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属シリコン（Ｓｉ）からなるターゲット材、アルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ₂ ）ガスを用いて、第２のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）層を堆積し、第２のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ａ及び領域Ｂに酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９を形成する。

次に、図８（ａ）に示すように、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ａを覆う第３のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属タンタル（Ｔａ）からなるターゲット材、Ａｒガス及びＯ₂ ガスを用いて、第３のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）層を堆積し、第３のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ｂ及び領域Ｃに酸化タンタルからなる第２電流狭窄層１４を形成する。これにより、領域Ｂにおいては、第１電流狭窄層９の上に第２電流狭窄層１４が積層される。なお、この積層部分において、共振器で生成される光の分布が第３電流狭窄層１４にまで達するように、本実施形態においては、第１電流狭窄層９の厚さを５０ｎｍとしている。また、第３電流狭窄層１４を第１電流狭窄層９よりも先に形成してもよいが、この場合には、第２電流狭窄層１４の厚さを領域Ｂにおいて５０ｎｍとする。

次に、図８（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、各電流狭窄層９、１４の上におけるｐ側電極形成領域、すなわち少なくともリッジストライプ部２０の上面及び側面を露出する開口パターンを有する第４のレジストパターン（図示せず）を形成し、形成した第４のレジストパターンをマスクとして、スパッタ法又は真空蒸着法等により、リッジストライプ部２０の上に、例えばニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる金属積層膜を形成する。その後、第４のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、堆積した金属積層膜からなるｐ側電極１２を形成する。続いて、基板１のｐ側電極１２の反対側の面上に全面的に、例えばチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層膜からなるｎ側電極１３を形成する。

以上説明したように、第２の実施形態によると、第１クラッド層３、第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、第２光ガイド層６及び第２クラッド層７を含む発光部本体１５の上部に形成されたリッジストライプ部２０の側面及び側方を覆い、該リッジストライプ部２０の上面のみから動作電流を注入するための電流狭窄層を、出射端面２２側から酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９及び酸化タンタルからなる第２電流狭窄層１４を領域Ｂにおいて積層することにより、各電流狭窄層９、１４の屈折率を出射端面２２側から３通りに段階的に大きくしている。これにより、出射端面２２を含む領域Ａにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に大きい屈折率差によって、光の水平方向の閉じ込め効果が大きくなるため、水平拡がり角を増大させることができ、発光光の投影面の断面形状の低楕円率化を実現できる。一方、領域Ａ及びＢを除く大部分の領域を占める領域Ｃにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に小さい屈折率差によって、キンクレベルが上昇するため、高出力動作に必要な内部構造を維持できる。

その上、第２の実施形態においては、領域Ａと領域Ｃとの間に位置する領域Ｂに、屈折率が領域Ａと領域Ｃとの間の値を持つ、第１電流狭窄層９と第２電流狭窄層１４とからなる積層部を設けることにより、ストライプ（共振器）方向の異なる屈折率差を２段階のステップ状に変化させることができる。このため、共振器内部における光の散乱及び反射を防ぐことができるので、高出力動作が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。

なお、第２の実施形態においては、第１電流狭窄層９に屈折率ｎ₁ が１．５６の酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）を用い、第２電流狭窄層１４に屈折率ｎ₃ が２．２２の酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）を用いたが、前掲した［表１］に示す誘電体のなかから、ｎ₁ ＜ｎ₃ を満たす範囲で任意に選択することができる。

なお、第１電流狭窄層９に酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）又は酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）を用い、第２電流狭窄層１４に酸化ハフニウム（Ｈｆ₂Ｏ₅）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）又は酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）を用いることが好ましい。

このようにして得られた第２の実施形態に係る半導体レーザ装置において、ｎ側電極１３を接地し、ｐ側電極１２に正電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層５にキャリアが注入されて、該ＭＱＷ活性層５内で光学利得が生じ、発振波長が４００ｎｍ程度のレーザ発振を起こす。

（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。

図９（ａ）は本発明の第３の実施形態に係るIII-Ｖ族窒化物半導体からなる半導体レーザ装置を示し、図９（ｂ）は半導体レーザ装置における電流狭窄層の共振器方向の断面構成を示している。図９（ａ）及び（ｂ）において、図６（ａ）及び（ｂ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。

図９（ｂ）に示すように、第３の実施形態に係るリッジストライプ部２０の側面及び側方を覆う電流狭窄層は、領域Ｂに形成された酸化シリコンからなる第１の電流狭窄層９の厚さを領域Ｃ側に向かって除々に薄くなるテーパ状に形成している。

具体的には、第１電流狭窄層９は、厚さが１００ｎｍであり且つ領域Ａ及びＢの長さ寸法は６０μｍであり、酸化タンタルからなる第２電流狭窄層１４は、厚さが１００ｎｍであり且つ領域Ｂ及びＣの長さ寸法は５５０μｍである。従って、共振器長が６００μｍであることから、領域Ｂの長さ寸法は１０μｍである。

このように、第３の実施形態に係る半導体レーザ装置は、領域Ｂにおいて、酸化シリコンからなる第１の電流狭窄層９と酸化タンタルからなる第２の電流狭窄層１４とを積層して形成することにより、領域Ｂの実効屈折率をｎ₂ とすると、領域Ａ、Ｂ及びＣの各屈折率には、ｎ₁ ＜ｎ₂ ＜ｎ₃ の関係式が成立する。さらに、第３の実施形態においては、領域Ｂにおいて第１電流狭窄層９の断面形状を領域Ｃ側に薄くするテーパ状としているため、２種類の誘電体材料からなる第１電流狭窄層９及び第２電流狭窄層１４の接合部分において、屈折率が連続的に変化する。従って、第１電流狭窄層９及び第２電流狭窄層１４を共振器方向に少なくとも３通りで且つ連続的に変化させることができる。

以下、前記のように構成された半導体レーザ装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。

図１０（ａ）、（ｂ）、図１１（ａ）、（ｂ）及び図１２（ａ）、（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の工程順の断面構成を示している。

まず、図１０（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ＧａＮからなる基板１の主面上に、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第１クラッド層３、ｎ型ＧａＮからなる第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＧａＮからなる第２光ガイド層６、ｐ型Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなる第２クラッド層７及びｐ型ＧａＮからなるコンタクト層８を順次成長させる。その後、コンタクト層８の上に形成したリッジストライプ部形成領域を覆う第１のレジストパターンをマスクとして、コンタクト層８及び第２クラッド層７に対して選択的にエッチングを行なって、リッジストライプ部２０を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示すように、第１のレジストパターンを除去した後、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面を覆う第２のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、例えば、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属シリコン（Ｓｉ）からなるターゲット材、アルゴン（Ａｒ）ガス及び酸素（Ｏ₂ ）ガスを用いて、第２のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）層を堆積し、第２のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上におけるリッジストライプ部２０の側面上及び側方の領域に酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９を全面的に形成する。

次に、図１１（ａ）に示すように、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び酸化シリコン層における領域Ａ及び領域Ｂを覆う第３のレジストパターン２５を形成する。このとき第３のレジストパターン２５に対して、露光時間及び現像時間を通常よりも長く設定することにより、第３のレジストパターン２５の領域Ｂに含まれる部分を領域Ｃ側に向かって薄くなるテーパ状とすることができる。

次に、図１１（ｂ）に示すように、領域Ｂを覆う部分がテーパ状とされた第３のレジストパターン２５をマスクとして、酸化シリコン層に対して、例えばテトラフルオロカーボン（ＣＦ₄ ）ガスを主成分とする反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行なうことにより、第２クラッド層７上のリッジストライプ部２０の上面を除く領域Ａ及び領域Ｂに酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９を形成する。このとき、第３のレジストパターン２５における領域Ｂ上のテーパ部分は酸化シリコンよりもエッチングレートは低いものの、エッチングガスによりエッチングされるため、第１電流狭窄層９の領域Ｂを覆う部分にも、領域Ｃ側に向かって薄くなるテーパ状部分が形成される。その後、第３のレジストパターン２５を除去する。

次に、図１２（ａ）に示すように、リソグラフィ法により、リッジストライプ部２０の上面及び第２クラッド層７上の領域Ａを覆う第４のレジストパターン（図示せず）を形成する。続いて、ＥＣＲスパッタ法により、ＥＣＲプラズマ、金属タンタル（Ｔａ）からなるターゲット材、Ａｒガス及びＯ₂ ガスを用いて、第４のレジストパターンをマスクとして、リッジストライプ部２０を含む第２クラッド層７の上に、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）層を堆積し、第４のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、第２クラッド層７上の領域Ｂ及び領域Ｃに酸化タンタルからなる第２電流狭窄層１４を形成する。これにより、領域Ｂにおいては、第１電流狭窄層９の上に第２電流狭窄層１４が積層される。

次に、図１２（ｂ）に示すように、リソグラフィ法により、各電流狭窄層９、１４の上におけるｐ側電極形成領域、すなわち少なくともリッジストライプ部２０の上面及び側面を露出する開口パターンを有する第５のレジストパターン（図示せず）を形成し、形成した第５のレジストパターンをマスクとして、スパッタ法又は真空蒸着法等により、リッジストライプ部２０の上に、例えばニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）からなる金属積層膜を形成する。その後、第５のレジストパターンを有機溶剤によりリフトオフすることにより、堆積した金属積層膜からなるｐ側電極１２を形成する。続いて、基板１のｐ側電極１２の反対側の面上に全面的に、例えばチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層膜からなるｎ側電極１３を形成する。なお、第３電流狭窄層１４を第１電流狭窄層９よりも先に形成してもよい。

以上説明したように、第３の実施形態によると、第１クラッド層３、第１光ガイド層４、ＭＱＷ活性層５、第２光ガイド層６及び第２クラッド層７を含む発光部本体１５の上部に形成されたリッジストライプ部２０の側面及び側方を覆い、該リッジストライプ部２０の上面のみから動作電流を注入するための電流狭窄層を、出射端面２２側から酸化シリコンからなる第１電流狭窄層９及び酸化タンタルからなる第２電流狭窄層１４を領域Ｂにおいて積層し、且つ、第１電流狭窄層９を領域Ｂにおいてテーパ状とすることにより、各電流狭窄層９、１４の屈折率を出射端面２２側から連続に大きくしている。これにより、出射端面２２を含む領域Ａにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に大きい屈折率差によって、光の水平方向の閉じ込め効果が大きくなるため、水平拡がり角を増大させることができ、発光光の投影面の断面形状の低楕円率化を実現できる。一方、領域Ａ及びＢを除く大部分の領域を占める領域Ｃにおいては、リッジストライプ部２０との間の比較的に小さい屈折率差によって、キンクレベルが上昇するため、高出力動作に必要な内部構造を維持できる。

その上、第３の実施形態においては、領域Ａと領域Ｃとの間に位置する領域Ｂに、屈折率が領域Ａと領域Ｃとの間の値を持つ、第１電流狭窄層９と第２電流狭窄層１４とからなる積層部をテーパ状としていることにより、ストライプ（共振器）方向の異なる屈折率差を連続的に変化させることができる。このため、共振器内部における光の散乱及び反射をより確実に防止できるので、高出力動作が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。

なお、領域Ａには、第２電流狭窄層１４の端部が存在し、屈折率差が不連続に発生するが、第２電流狭窄層９の厚さをある程度大きくすることにより、電流狭窄層の外側への光の染み出しを抑制することができる。第２電流狭窄層９の厚さをある程度大きくすると、発光光は第２電流狭窄層１４を感知しなくなるため、領域Ｂにおける連続的な屈折率分布を実現することが可能となる。例えば、第１電流狭窄層９の厚さは１００ｎｍ以上が必要であり、ここでは１００ｎｍとしている。

なお、第３の実施形態においては、第１電流狭窄層９に屈折率ｎ₁ が１．５６の酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）を用い、第２電流狭窄層１４に屈折率ｎ₃ が２．２２の酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）を用いたが、前掲した［表１］に示す誘電体のなかから、ｎ₁ ＜ｎ₃ を満たす範囲で任意に選択することができる。

なお、第２の実施形態と同様に、第１電流狭窄層９に酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）又は酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）を用い、第２電流狭窄層１４に酸化ハフニウム（Ｈｆ₂Ｏ₅）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂ ）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）又は酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）を用いることが好ましい。

このようにして得られた第３の実施形態に係る半導体レーザ装置において、ｎ側電極１３を接地し、ｐ側電極１２に正電圧を印加すると、ＭＱＷ活性層５にキャリアが注入されて、該ＭＱＷ活性層５内で光学利得が生じ、発振波長が４００ｎｍ程度のレーザ発振を起こす。

なお、第１〜第３の各実施形態においては、発光部本体１５を形成する基板１として、窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いたが、これに限られない。例えば、サファイア（単結晶Ａｌ₂Ｏ₃）、サファイア又はＧａＮからなる基板上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）法若しくはＡＢＬＥＧ（Air Bridge Lateral Epitaxial Growth）法を用いた低転位基板、レーザリフトオフ法によりサファイア基板を除去したＧａＮテンプレート基板又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いることができる。さらには、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、酸化ネオジムガリウム（ＮｄＧａＯ₃:ＮＧＯ）、酸化リチウムガリウム（ＬｉＧａＯ₃:ＬＧＯ）又はシリコン（Ｓｉ）等を用いることができる。

また、各実施形態においては、発光部本体１５を構成する化合物半導体材料に窒化ガリウム系半導体を用いたが、他の材料系、例えばＡｌＧａＩｎＰ系、ＡｌＧａＡｓ系又はＩｎＧａＡｓＰ系の化合物半導体にも適用可能である。

本発明に係る半導体発光装置は、電流狭窄層に発光光の屈折率がリッジストライプ部が延びる方向に変化する少なくとも３通りの屈折率を持たせることにより、出射光の投影面の形状の低楕円率化を図りながら高出力動作を実現でき、光ディスクシステム等の光情報処理装置に用いられる光ピックアップ光源となる半導体発光装置等に有用である。

（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、（ｂ）はリッジストライプ部に設けられる電流狭窄層を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の平面図と、電流狭窄層における領域ごとの屈折率を対応させたグラフである。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置におけるリッジストライプ部の幅（リッジ幅）と第２クラッド層の残し膜厚との関係を表わすグラフである。 （ａ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、（ｂ）はリッジストライプ部に設けられる電流狭窄層を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 （ａ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す斜視図であり、（ｂ）はリッジストライプ部に設けられる電流狭窄層を示す断面図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 （ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程順の斜視図である。 従来の半導体レーザ装置を示す斜視図であ

符号の説明

１ 基板
２ ｎ型ＧａＮ層
３ 第１クラッド層
４ 第１光ガイド層
５ 多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層
６ 第２光ガイド
７ 第２クラッド層
８ コンタクト層
９ 第１電流狭窄層
１０ 第２電流狭窄層
１１ 第３電流狭窄層
１２ ｐ側電極
１３ ｎ側電極
１４ 第２電流狭窄層
１５ 発光部本体
２０ リッジストライプ部
２２ 出射端面
２５ 第３のレジストパターン

Claims (9)

1. 活性層を含む複数の半導体層からなり、上部に幅が一定で且つ断面凸状のストライプ形状を持つリッジストライプ部を有し、端面から発光光を出射する発光部本体と、
   前記発光部本体の上における前記リッジストライプ部の側面及び側方の領域を覆うように形成され、前記発光光の屈折率が前記リッジストライプ部の延びる方向に少なくとも３通りに変化する電流狭窄層とを備え、
   前記電流狭窄層は、前記発光光を出射する出射端面側から少なくとも第１の屈折率（ｎ１）を持つ第１領域、第２の屈折率（ｎ２）を持つ第２領域及び第３の屈折率（ｎ３）を持つ第３領域からなり、前記リッジストライプ部の屈折率をｎ０とすると、ｎ１＜ｎ２＜ｎ３＜ｎ０となるように設定されていることを特徴とする半導体発光装置。
2. 前記電流狭窄層における前記第１の屈折率の値、第２の屈折率の値及び第３の屈折率の値は不連続に変化することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記電流狭窄層における前記第１の屈折率の値、第２の屈折率の値及び第３の屈折率の値は連続的に変化することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
4. 前記電流狭窄層は、前記リッジストライプ部が延びる方向に対して垂直な方向に積層され、屈折率が互いに異なる少なくとも２層からなる積層部を有していることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体発光装置。
5. 前記電流狭窄層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム及び酸化ハフニウムからなる群より選択される少なくとも３つを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
6. 前記電流狭窄層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ガリウム及び酸化ハフニウムからなる群より選択される少なくとも２つを含むことを特徴とする請求項１、３及び４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
7. 前記複数の半導体層は、III-Ｖ族窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
8. 前記リッジストライプ部の幅は、１．０μｍ以上且つ２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
9. 前記第１領域及び前記第２領域は、前記発光部本体の前記リッジストライプ部が延びる方向において、中央部よりも出射端面側に設けられていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
   

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