JP4684352B2 - 記録ヘッドおよびこれを備える記録装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ファクシミリ、バーコードプリンタ、ビデオプリンタ、およびデジタルフォトプリンタなどの印画デバイスとして用いられるサーマルヘッドおよびインクジェットヘッドなどの記録ヘッドおよびこれを備える記録装置に関する。
ファクシミリなどの記録装置としては、例えばサーマルヘッドおよびプラテンローラを備えているサーマルプリンタが用いられている。このようなサーマルプリンタに搭載されているサーマルヘッドは、基板と、基板上に配列されている複数の発熱部と、発熱部に電力を供給する電極パターンと、発熱部および電極パターンを覆っている保護層とを有しているものがある。このようなサーマルプリンタでは、発熱部上に位置している保護層に対してプラテンローラで記録媒体を強く押しつけながら摺接させて、印画を形成する。
このような構成のサーマルヘッドには、基板に対して電極パターンが突出していることに起因した段差を保護層の表面に有しているものがある。このように表面に段差を有している保護膜に対して記録媒体を押しつけながら摺動させると、保護膜と記録媒体との摩擦力にバラツキが生じ、記録媒体にシワが生じる場合があった。
一方、上述のようなシワに起因する問題に対処すべく、保護層上に凹凸を平滑化すると、発熱部上に形成されている層全体の厚みが厚くなってしまう。このような構成のサーマルヘッドでは、発熱部で発生する熱が記録媒体に対して伝達するまでに多くの時間が必要となる場合があった。
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、良好な画像を形成することが可能な記録ヘッドおよびこれを備える記録装置を提供すること、を目的とする。
本発明に係る記録ヘッドは、基板と、該基板上に形成されている、第１導電部、該第１導電部と対となる第２導電部、および前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部を含んでなる導電パターン層と、該導電パターン層上に形成されているとともに、前記第１導電部および前記第２導電部に接続されている、前記第１導電部と前記第２導電部との間に発熱領域を有する電気抵抗層とを含んで構成されており、前記発熱領域の下に位置する前記絶縁部において、前記導電パターン層と前記電気抵抗層との積層方向の当該絶縁部の最大厚さは、前記第１導電部および前記第２導電部における前記積層方向の厚さより厚いことを特徴とする。
本発明に係る記録装置は、本発明に係る上記記録ヘッドと、該記録ヘッドの前記発熱領域上に記録媒体を搬送する搬送機構とを備えることを特徴とする。
本発明に係る記録ヘッドおよび記録装置では、良好な画像を形成することができる。
＜記録ヘッドの第１の実施形態＞
本発明の記録ヘッドの第１の実施形態に係るサーマルヘッド１０は、基体１１、駆動ＩＣ１２、および外部接続用部材１３を備えている。このサーマルヘッド１０は、外部接続用部材１３を介して供給される画像情報に対応して基体１１の発熱領域となる部位が発熱するものである。
本発明の記録ヘッドの第１の実施形態に係るサーマルヘッド１０は、基体１１、駆動ＩＣ１２、および外部接続用部材１３を備えている。このサーマルヘッド１０は、外部接続用部材１３を介して供給される画像情報に対応して基体１１の発熱領域となる部位が発熱するものである。
基体１１は、基板２０、蓄熱層３０、導電パターン層４０、電気抵抗層５０、および保護層６０を含んで構成されている。この電気抵抗層５０は、基体１１の発熱領域となる発熱部５１を含んでいる。なお、図２では見やすさの観点から電気抵抗層５０および保護層６０を省略しており、図３では保護層６０を省略している。
基板２０は、蓄熱層３０、導電パターン層４０、電気抵抗層５０、および保護層６０などの支持母材として機能するものである。基板２０を形成するものとしては、例えばアルミナセラミックスなどのセラミックス材料と、エポキシ系樹脂およびシリコン系樹脂などの樹脂材料と、シリコン材料およびガラス材料などの絶縁材料とが挙げられる。本実施形態において基板２０は、アルミナセラミックスにより構成されている。
蓄熱層３０は、基板２０の矢印Ｄ５方向側の上面全体に渡って設けられている。この蓄熱層３０は、発熱部５１において発生するジュール熱の一部を蓄積し、サーマルヘッド１０の熱応答特性を良好に維持する機能を有している。すなわち、蓄熱層３０は、発熱部５１の温度を印画に必要な所定の温度まで短時間で上昇させるのに寄与するものである。蓄熱層３０を形成するものとしては、例えばエポキシ系樹脂およびポリイミド系樹脂などの樹脂材料と、ガラス材料などの絶縁材料とが挙げられる。また、この蓄熱層３０は、基板２０上に略平坦状に形成されている。
導電パターン層４０は、蓄熱層３０上に位置している。この導電パターン層４０は、発熱部５１への電力供給に寄与している。また、この導電パターン層４０は、導電部４１および絶縁部４２を含んで構成されている。さらに、この導電パターン層４０は、一の層として形成されており、矢印Ｄ５方向側に略平坦な上面を有している。この矢印Ｄ５方向側の上面には、導電部４１および絶縁部４２が面している。ここで「略平坦」とは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における厚みの平均に対して矢印方向Ｄ５，Ｄ６における高低差が±５％以内であることをいう。この導電パターン層４０は、例えば０．５［μｍ］以上２．０［μｍ］以下の範囲の厚みに形成される。
導電部４１は、発熱部５１への電力供給に寄与する電力供給線として機能を有している。この導電部４１は、第１部位４１１および第２部位４１２を含んで構成されている。また、この導電部４１は、例えば金属を主とする導電材料により形成されている。この導電材料としては、例えばアルミニウム、銅、およびその合金が挙げられる。ここで「主とする」とは、構成原子のモル比率が最も多いものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。また、この導電部４１は、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０の矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、導電部４１は、導電パターン層４０を矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
第１部位４１１は、発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第１部位４１１は、矢印Ｄ３方向側の一端部に発熱部５１の一端部が接続され、矢印Ｄ４方向側の他端部に駆動ＩＣ１２が接続されている。この第１部位４１１は、駆動ＩＣ１２を介して基準電位点（所謂グランド）に電気的に接続されている。
第２部位４１２は、第１部位４１１と対となって発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第２部位４１２は、端部において複数の発熱部５１の他端部および図示しない電源が電気的に接続されている。
絶縁部４２は、第１部位４１１と第２部位４１２とを絶縁する機能を有している。この絶縁部４２は、第１部位４１１と該第１部位４１１と対となる第２部位４１２との間に設けられているとともに、第１部位４１１の間および第２部位４１２の間に延びて設けられている。つまり、絶縁部４２は、第１部位４１１および第２部位４１２を囲むとともに、当該第１部位４１１および第２部位４１２の側面に対して接した状態で形成されている。また、この絶縁部４２は、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０の矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、絶縁部４２は、導電パターン層４０を矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。本実施形態の絶縁部４２は、導電部４１を主として形成する金属の酸化物を含んでいる。さらに、本実施形態の絶縁部４２は、当該絶縁部４２の形成部位に位置していた導電部４１の金属の一部を酸化することによって、導電部４１と絶縁部４２とが一体的に形成されている。この絶縁部４２は、導電部４１を構成する導電材料に比べて硬度が高く、熱伝導率が小さくなるように構成されている。ここで「絶縁」とは、電流が実質的に流れなくなる程度をいう。この電流が実質的に流れなくなる程度としては、例えば抵抗率が１．０×１０１０［Ω・ｃｍ］以上であることをいう。また、ここで「硬度」とは、ショア硬度のことをいい、ＪＩＳ規格Ｚ２２４６：２０００に規定されている。
電気抵抗層５０は、発熱領域として機能する複数の発熱部５１を有している。この電気抵抗層５０は、導電パターン層４０上に位置している。また、この電気抵抗層５０は、第１部位４１１から該第１部位４１１の対となる第２部位４１２に渡って設けられており、当該第１部位４１１および第２部位４１２の間に位置する絶縁部４２の一部領域４２ａを覆っている。この一部領域４２ａ上に位置する電気抵抗層５０が発熱部５１として機能している。さらに、本実施形態の電気抵抗層５０は、第１部位４１１および第２部位４１２を覆うように設けられており、端が絶縁部４２上に延在している。この電気抵抗層５０は、単位長さ当たりの電気抵抗値が第１部位４１および第２部位４２の単位長さ当たりの電気抵抗値に比べて大きくなるように構成されている。このような電気抵抗材料としては、例えばＴａＮ系材料と、ＴａＳｉＯ系材料と、ＴａＳｉＮＯ系材料と、ＴｉＳｉＯ系材料と、ＴｉＳｉＣＯ系材料と、ＮｂＳｉＯ系材料とが挙げられる。また、この電気抵抗層５０は、導電パターン層４０に比べて平均厚みが小さくなるように構成されている。ここで平均厚みとは、最大厚さと最小厚さの相加平均値をいう。この電気抵抗層５０の厚みとしては、例えば０．０１［μｍ］以上０．５［μｍ］以下の範囲が挙げられる。
発熱部５１は、導電パターン層４０を利用した電圧の印加により発熱する発熱領域として機能する部位である。この発熱部５１の発熱温度としては、例えば２００［℃］以上５５０［℃］以下の範囲が挙げられる。本実施形態では、複数の発熱部５１が矢印方向Ｄ１，Ｄ２において略等間隔に配列している。本実施形態では、この発熱部５１の配列方向がサーマルヘッド１０の主走査方向となっている。
保護層６０は、導電パターン層４０および電気抵抗層５０を保護する機能を有しているものである。つまり、保護層６０は、導電部４１が大気と接触するのを保護して大気中の水分などにより腐食するのを軽減する機能を有している。この保護層６０を主として形成するものとしては、例えばダイヤモンドライクカーボン材料と、ＳｉＣ系材料と、ＳｉＮ系材料と、ＳｉＣＮ系材料と、ＳｉＯＮ系材料と、ＳｉＯＮＣ系材料と、ＳｉＡｌＯＮ系材料と、ＳｉＯ２系材料と、Ｔａ２Ｏ５系材料と、ＴａＳｉＯ系材料と、ＴｉＣ系材料と、ＴｉＮ系材料と、ＴｉＯ２系材料と、ＴｉＢ２系材料と、ＡｌＣ系材料と、ＡｌＮ系材料と、Ａｌ２Ｏ３系材料と、ＺｎＯ系材料と、Ｂ４Ｃ系材料と、ＢＮ系材料とが挙げられる。ここで「ダイヤモンドライクカーボン材料」とは、ｓｐ３混成軌道をとる炭素原子（Ｃ原子）の割合が１［原子％］以上１００［原子％］未満の範囲である膜をいう。また、ここで「〜系材料を主とする材料」とは、主とする材料が全体に対して５０［質量％］以上であるものをいい、例えば添加物を含んでいてもよい。本実施形態の保護層６０は、スパッタリング法により形成されている。
駆動ＩＣ１２は、複数の発熱部５１のそれぞれの発熱を選択的に制御する機能を有しているものである。第１部位４１１および外部接続用部材１３に対して電気的に接続されている。この駆動ＩＣ１２は、外部接続用部材１３を介して供給される画像情報に基づいて発熱部５１と基準電位点との電気的接続を選択的に切り換えることによって、発熱部５１の発熱を選択的に制御している。
外部接続用部材１３は、発熱部５１を駆動する電気信号をサーマルヘッド１０に入力するものである。
サーマルヘッド１０では、導電部４１および絶縁部４２を含んでなる導電パターン層４０を有しており、導電パターンを単に導電部４１のみの構成とするのではなく、導電部４１を絶縁する絶縁部４２をさらに含む導電パターン層４０として構成している。そのため、サーマルヘッド１０では、導電部４１の厚さに起因する最表面での凹凸の程度を低減することができる。したがって、サーマルヘッド１０では、例えばプラテンローラにより記録媒体を押圧しながら搬送しても、記録媒体にシワが発生するのを軽減することができる。
加えて、サーマルヘッド１０では、導電パターン層４０上に電気抵抗層５０が形成されているため、例えば導電パターン層４０の下に電気抵抗層５０が形成される場合に比べて、発熱部５１において発生する熱をサーマルヘッド１０の最表層側に良好に伝達することができる。
サーマルヘッド１０において、導電パターン層４０の絶縁部４２が導電部４１の間に延びているので、導電部４１の厚さに起因する最表面での凹凸の程度をより低減することができる。
サーマルヘッド１０において、導電部４１が基板２０、絶縁部４２、および電気抵抗層５０により取り囲まれているので、電気抵抗層５０および絶縁部４２により導電部４１が腐食するのを軽減することができる。
サーマルヘッド１０における絶縁部４２の一部領域４２ａの硬度が導電部４１の硬度より高いので、例えばプラテンローラにより記録媒体を絶縁部４２の一部領域４２ａに押圧しながら搬送しても、この押圧力が分散するのを軽減し、発熱部５１において発生する熱を記録媒体に対して良好に伝達することができる。
サーマルヘッド１０において、電気抵抗層５０の平均厚さが導電部４１の平均厚さより小さいので、電気抵抗層５０を導電パターン層４０上に形成するのに起因する最表面での凹凸の程度を低減することができる。
サーマルヘッド１０は、絶縁部４２が導電部４１を主として構成する導電材料を酸化してなるので、導電部４１に対する密着性が保護層６０に比べて高く、導電部４１を良好に保護することができる。
以下に、本実施形態に係るサーマルヘッド１０の製造方法について、図５を参照しつつ、説明する。なお、本実施形態では、導電部４１の構成材料としてアルミニウムを採用して説明を行う。
＜蓄熱層形成工程＞
図５（ａ）に示すように、まず基板２０を準備し、その上に蓄熱層３０を形成する。具体的には、スパッタリングなどの成膜技術により基板２０上に略平坦状の蓄熱層３０を成膜する。
＜導電膜形成工程＞
図５（ｂ）に示すように、基板２０上に形成された蓄熱層３０上に導電膜４０ｘを形成する。具体的には、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、基板２０上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、導電膜４０ｘを形成する。
＜配線パターン層形成工程＞
図５（ｃ）に示すように、蓄熱層３０上に導電パターン層４０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０ｘ上にマスクを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該マスクから絶縁部４２を形成する領域上に位置する導電膜４０ｘの一部が露出するように加工する。次に、この露出した導電膜４０ｘの一部を陽極酸化し、絶縁部４２を形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０ｘの他の部分が導電部４１として機能する導電パターン層４０を形成することができる。この陽極酸化は、溶液中に導電膜４０ｘを浸すとともに、導電膜４０に正の電圧を、溶液に負の電圧を印加することによって行う。この溶液としては、例えばリン酸、ホウ酸、シュウ酸、酒石酸、および硫酸などの電解液が挙げられる。
＜電気抵抗層形成工程＞
図５（ｄ）に示すように、導電パターン層４０上に電気抵抗層５０を形成する。具体的には、まず、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、抵抗体膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該抵抗体膜が導電部４１、および絶縁部４２の一部領域４２ａを覆うようなパターンに加工し、電気抵抗層５０を形成する。
＜保護層形成工程＞
図５（ｅ）に示すように、導電パターン層４０および電気抵抗層５０を覆う保護層６０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、保護膜６０で保護する部位上を露出させるようにマスクを形成する。次に、スパッタリングや蒸着などの成膜技術により保護層６０を形成する。
＜蓄熱層形成工程＞
図５（ａ）に示すように、まず基板２０を準備し、その上に蓄熱層３０を形成する。具体的には、スパッタリングなどの成膜技術により基板２０上に略平坦状の蓄熱層３０を成膜する。
＜導電膜形成工程＞
図５（ｂ）に示すように、基板２０上に形成された蓄熱層３０上に導電膜４０ｘを形成する。具体的には、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、基板２０上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、導電膜４０ｘを形成する。
＜配線パターン層形成工程＞
図５（ｃ）に示すように、蓄熱層３０上に導電パターン層４０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０ｘ上にマスクを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該マスクから絶縁部４２を形成する領域上に位置する導電膜４０ｘの一部が露出するように加工する。次に、この露出した導電膜４０ｘの一部を陽極酸化し、絶縁部４２を形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０ｘの他の部分が導電部４１として機能する導電パターン層４０を形成することができる。この陽極酸化は、溶液中に導電膜４０ｘを浸すとともに、導電膜４０に正の電圧を、溶液に負の電圧を印加することによって行う。この溶液としては、例えばリン酸、ホウ酸、シュウ酸、酒石酸、および硫酸などの電解液が挙げられる。
＜電気抵抗層形成工程＞
図５（ｄ）に示すように、導電パターン層４０上に電気抵抗層５０を形成する。具体的には、まず、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、抵抗体膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、当該抵抗体膜が導電部４１、および絶縁部４２の一部領域４２ａを覆うようなパターンに加工し、電気抵抗層５０を形成する。
＜保護層形成工程＞
図５（ｅ）に示すように、導電パターン層４０および電気抵抗層５０を覆う保護層６０を形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、保護膜６０で保護する部位上を露出させるようにマスクを形成する。次に、スパッタリングや蒸着などの成膜技術により保護層６０を形成する。
以上のようにして、基体１１を製造する。
＜駆動ＩＣの配置工程＞
基体１１の所定の領域に駆動ＩＣ１２を配置する。具体的には、基体１１と駆動ＩＣ１２とを例えば導電性バンプおよび異方性導電材などの導電性部材を介して接続する。
＜外部接続用部材の配置工程＞
基体１１の所定の領域に外部接続用部材１３を配置する。具体的には、基体１１と外部接続用部材１３とを例えば導電性バンプおよび異方性導電材などの導電性部材を介して接続する。
＜駆動ＩＣの配置工程＞
基体１１の所定の領域に駆動ＩＣ１２を配置する。具体的には、基体１１と駆動ＩＣ１２とを例えば導電性バンプおよび異方性導電材などの導電性部材を介して接続する。
＜外部接続用部材の配置工程＞
基体１１の所定の領域に外部接続用部材１３を配置する。具体的には、基体１１と外部接続用部材１３とを例えば導電性バンプおよび異方性導電材などの導電性部材を介して接続する。
以上のようにして、本実施形態のサーマルヘッド１０を製造することができる。
＜記録ヘッドの第２の実施形態＞
図６に示した本発明の記録ヘッドの第２の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ａは、基体１１に代えて基体１１Ａを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ａの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
＜記録ヘッドの第２の実施形態＞
図６に示した本発明の記録ヘッドの第２の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ａは、基体１１に代えて基体１１Ａを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ａの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
図７および図８に示した基体１１Ａは、導電パターン層４０に代えて導電パターン層４０Ａを含んで構成されている点において基体１１と異なる。基体１１Ａの他の構成については、基体１１に関して上述したのと同様である。
導電パターン層４０Ａは、導電部４１Ａおよび絶縁部４２Ａを含んで構成されている。この導電パターン層４０Ａは、一の層として形成されており、矢印Ｄ５方向側に略平坦な上面を有している。この矢印Ｄ５方向側の上面には、導電部４１Ａおよび絶縁部４２Ａが面している。
導電部４１Ａは、第１部位４１１Ａおよび第２部位４１２Ａを含んで構成されている。この導電部４１Ａは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、導電部４１Ａは、導電パターン層４０Ａを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
第１部位４１１Ａは、発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第１部位４１１Ａは、矢印Ｄ３方向側の一端部に発熱部５１の一端部が接続され、矢印Ｄ４方向側の他端部に駆動ＩＣ１２が接続されている。この第１部位４１１Ａは、駆動ＩＣ１２を介して基準電位点（所謂グランド）に電気的に接続されている。
第２部位４１２Ａは、第１部位４１１Ａと対となって発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第２部位４１２Ａは、端部において発熱部５１の他端部および図示しない電源が電気的に接続されている。
本実施形態では、第１部位４１１Ａ間および第２部位４１２Ａ間の矢印方向Ｄ１，Ｄ２における離間距離Ｗ１がＤ５方向から矢印Ｄ６方向に向かって漸次短くなるように構成されている。また、第１部位４１１Ａと該第１部位４１１Ａの対となる第２部位４１２Ａとの矢印Ｄ１方向における間隔Ｗ２は、矢印Ｄ５方向から矢印Ｄ６方向に向かって短くなるように構成されている。
絶縁部４２Ａは、第１部位４１１Ａおよび第２部位４１２Ａを囲むとともに、当該第１部位４１１Ａおよび第２部位４１２Ａの側面に対して接した状態で形成されている。また、この絶縁部４２Ａは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、絶縁部４２Ａは、導電パターン層４０Ａを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
本実施形態では、第１部位４１１Ａと該第１部位４１１Ａの対となる第２部位４１２Ａとの間に位置する絶縁部４２Ａの一部領域４２Ａａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における厚みＴ１が矢印方向Ｄ３，Ｄ４における中央から両方向に向かって漸次薄くなるように構成されている。また、この絶縁部４２Ａは、第１部位４１１Ａ間および第２部位４１２Ａ間に位置する一部領域４２Ａｂの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における厚みＴ２が矢印方向Ｄ１，Ｄ２における中央から両端に向かって漸次薄くなるように構成されている。
サーマルヘッド１０Ａにおいて、絶縁部４２Ａの一部領域４２Ａａの厚みＴ１が該一部領域４２Ａａの中央から導電部４１Ａ側に向かって漸次薄くなるので、一部領域４２Ａａと導電部４１Ａとの段差を軽減することができる。そのため、サーマルヘッド１０Ａでは、一部領域４２Ａａと導電部４１Ａとの段差に起因して電気抵抗層５０の抵抗値にバラツキが生じるのを軽減することができる。したがって、サーマルヘッド１０Ａでは、発熱部５１において発生する熱のバラツキを軽減することができ、ひいては良好な画像を形成することができる。
サーマルヘッド１０Ａにおいて、導電部４１Ａが絶縁部４２Ａに比べて熱伝導率が高く、絶縁部１３の部位１３２ｂにおける第１部位４１１Ａと第２部位４１２Ａとの間隔Ｗ２がＤ５方向から矢印Ｄ６方向に向かって漸次短くなるので、蓄熱性および放熱性を両立させることができ、良好な画像を形成することができる。
サーマルヘッド１０Ａにおいて、導電部４１Ａが絶縁部４２Ａに比べて熱伝導率が高く、複数の第１部位４１１ａ間の離間距離Ｗ１がＤ５方向から矢印Ｄ６方向に向かって漸次短くなるので、例えばプラテンローラにより押圧しながら搬送される記録媒体に対して発熱部５１において発生する熱が導電部４１Ａを介して伝達するのを軽減できるとともに、この熱を基板２０に対して良好に伝達させることができる。
以下に、本発明の第２の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ａの製造方法について、図９を参照しつつ、説明する。サーマルヘッド１０Ａの製造方法は、導電パターン層形成工程に代えて第２導電パターン層形成工程を採用する点においてサーマルヘッド１０の製造方法と異なる。サーマルヘッド１０Ａの製造方法の他の工程については、サーマルヘッド
１０の製造方法に関して上述したのと同様である。
１０の製造方法に関して上述したのと同様である。
上述のような第２導電パターン形成工程を採用することによって、本実施形態のサーマルヘッド１０Ａを製造することができる。
＜記録ヘッドの第３の実施形態＞
図１０に示した本発明の記録ヘッドの第３の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｂは、基体１１に代えて基体１１Ｂを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ｂの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
＜記録ヘッドの第３の実施形態＞
図１０に示した本発明の記録ヘッドの第３の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｂは、基体１１に代えて基体１１Ｂを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ｂの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
図１１に示した基体１１Ｂは、導電パターン層４０に代えて導電パターン層４０Ｂを含んで構成されている点において基体１１と異なる。基体１１Ｂの他の構成については、基体１１に関して上述したのと同様である。
導電パターン層４０Ｂは、導電部４１Ｂおよび絶縁部４２Ｂを含んで構成されている。この導電パターン層４０Ｂは、一の層として形成されており、矢印Ｄ５方向側に略平坦な上面を有している。この矢印Ｄ５方向側の上面には、導電部４１Ｂおよび絶縁部４２Ｂが面している。
導電部４１Ｂは、第１部位４１１Ｂおよび第２部位４１２Ｂを含んで構成されている。この導電部４１Ｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｂの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、導電部４１Ｂは、導電パターン層４０Ｂを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
第１部位４１１Ｂは、発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第１部位４１１Ｂは、矢印Ｄ３方向側の一端部に発熱部５１の一端部が接続され、矢印Ｄ４方向側の他端部に駆動ＩＣ１２が接続されている。この第１部位４１１Ｂは、駆動ＩＣ１２を介して基準電位点（所謂グランド）に電気的に接続されている。
本実施形態の第１部位４１１Ｂは、第１接続領域４１１Ｂａと、第１幅狭領域４１１Ｂｂとを含んで構成されている。
第１接続領域４１１Ｂａは、発熱部５１の一端部に接続されている第１部位４１１Ｂの矢印Ｄ３方向側の端部に位置している。この第１接続領域４１１Ｂａは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１１ａが発熱部５１の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ５１と略同一となるように構成されている。ここで、「平面視」とは、矢印Ｄ６方向視のことをいう。また、「略同一」とは、各部位の値が平均値に対して±１０％以下であるこという。この「平均値」とは最大値と最小値の相加平均値をいう。
第１幅狭領域４１１Ｂｂは、第１接続領域４１１Ｂａの矢印Ｄ３方向側に位置している。また、第１幅狭領域４１１Ｂｂは、第１接続領域４１１Ｂａの矢印Ｄ４方向側の端に接している。この第１幅狭領域４１１Ｂｂは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１１ｂが第１接続領域４１１Ｂａの幅Ｗ１１ａに比べて狭くなるように構成されている。また、この第１幅狭領域４１１Ｂｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みが第１接続領域４１１Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みと略同一となるように構成されている。
第２部位４１２Ｂは、第１部位４１１Ｂと対となって発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第２部位４１２Ｂは、第２接続領域４１２Ｂａと、第２幅狭領域４１２Ｂｂと、共通接続領域４１２Ｂｃとを含んで構成されている。
第２接続領域４１２Ｂａは、発熱部５１の他端部に接続される第２部位４１２Ｂの矢印Ｄ４方向側の端部に位置している。この第２接続領域４１２Ｂａは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１２ａが発熱部５１の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ５１と略同一となるように構成されている。
第２幅狭領域４１２Ｂｂは、第２接続領域４１２Ｂａの矢印Ｄ４方向側に位置している。また、第２幅狭領域４１２Ｂｂは、第２接続領域４１２Ｂａに接している。この第２幅狭領域４１２Ｂｂは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１２ｂが第２接続領域４１２Ｂａの幅Ｗ１２ａに比べて狭くなるように構成されている。この第２幅狭領域４１２Ｂｂの幅Ｗ１２ａは第１幅狭領域４１１ＢｂのＷ１１ａに比べて広くなるように構成されている。また、この第２幅狭領域４１２Ｂｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みが第２接続領域４１２Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みと略同一となるように構成されている。さらに、この第２幅狭領域４１２Ｂｂは、矢印方向Ｄ３，Ｄ４に沿った長さＬ１２ｂが第１幅狭領域４１１Ｂｂの矢印方向Ｄ３，Ｄ４に沿った長さＬ１１ｂに比べて長くなるように構成されている。
共通接続領域４１２Ｂｃは、複数の第２幅狭領域４１２Ｂｂと、図示しない電源が電気的に接続されている。
絶縁部４２Ｂは、第１部位４１１Ｂおよび第２部位４１２Ｂを囲むとともに、第１部位４１１Ｂおよび第２部位４１２Ｂの側面に対して接した状態で形成されている。また、この絶縁部４２Ｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｂの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、絶縁部４２Ｂは、導電パターン層４０Ｂを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
サーマルヘッド１０Ｂは、第１部位４１１Ｂが発熱部５１に接続されている第１接続領域４１１Ｂａと、該第１接続領域４１１Ｂａの矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１１ａに比べて矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１１ｂが狭い第１幅狭領域４１１Ｂｂとを含んで構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｂでは、発熱部５１で生じた熱が第１幅狭領域４１１Ｂｂを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第１幅狭領域４１１Ｂｂを介して放熱するのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド１０Ｂでは、発熱部５１で生じた熱を効果的に利用することができる。
また、サーマルヘッド１０Ｂは、第２部位４１２Ｂが発熱部５１に接続されている第２接続領域４１２Ｂａと、該第２接続領域４１２Ｂａの矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１２ａに比べて矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１２ｂが狭い第１幅狭領域４１２Ｂｂとを含んで構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｂでは、発熱部５１で生じた熱が第２幅狭領域４１２Ｂｂを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第２幅狭領域４１２Ｂｂを介して放熱するのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド１０Ｂでは、発熱部５１で生じた熱を効果的に利用することができる。
以下に、本発明の第３の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｂの製造方法について、図１１を参照しつつ、説明する。サーマルヘッド１０Ｂの製造方法は、導電パターン層形成工程に代えて第３導電パターン層形成工程を採用する点においてサーマルヘッド１０の製造方法と異なる。サーマルヘッド１０Ｂの製造方法の他の工程については、サーマルヘッド１０の製造方法に関して上述したのと同様である。
＜第３導電パターン層形成工程＞
図１３に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｂを形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｂｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｂを形成する領域上に位置する導電膜４０Ｂｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｂａおよび第２接続領域４１２Ｂａとなる領域に比べて第１幅狭領域４１１Ｂｂおよび第２幅狭領域４１２Ｂｂとなる領域の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅が狭くなるようにマスクを形成する。次に、この露出した導電膜４０Ｂｘの一部を陽極酸化し、絶縁部４２Ｂを形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０Ｂｘが導電部４１Ｂとして機能する導電パターン層４０Ｂを形成することができる。
＜第３導電パターン層形成工程＞
図１３に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｂを形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｂｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｂを形成する領域上に位置する導電膜４０Ｂｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｂａおよび第２接続領域４１２Ｂａとなる領域に比べて第１幅狭領域４１１Ｂｂおよび第２幅狭領域４１２Ｂｂとなる領域の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅が狭くなるようにマスクを形成する。次に、この露出した導電膜４０Ｂｘの一部を陽極酸化し、絶縁部４２Ｂを形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０Ｂｘが導電部４１Ｂとして機能する導電パターン層４０Ｂを形成することができる。
上述のような第３導電パターン形成工程を採用することによって、本実施形態のサーマルヘッド１０Ｂを製造することができる。
＜記録ヘッドの第４の実施形態＞
図１４に示した本発明の記録ヘッドの第４の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｃは、基体１１Ｂに代えて基体１１Ｃを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０Ｂと異なる。サーマルヘッド１０Ｃの他の構成については、サーマルヘッド１０Ｂに関して上述したのと同様である。
＜記録ヘッドの第４の実施形態＞
図１４に示した本発明の記録ヘッドの第４の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｃは、基体１１Ｂに代えて基体１１Ｃを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０Ｂと異なる。サーマルヘッド１０Ｃの他の構成については、サーマルヘッド１０Ｂに関して上述したのと同様である。
図１５に示した基体１１Ｃは、導電パターン層４０Ｂに代えて導電パターン層４０Ｃを含んで構成されている点において基体１１Ｂと異なる。基体１１Ｃの他の構成については、基体１１Ｂに関して上述したのと同様である。
導電パターン層４０Ｃは、導電部４１Ｃおよび絶縁部４２Ｃを含んで構成されている。この導電パターン層４０Ｃは、一の層として形成されており、矢印Ｄ５方向側に略平坦な上面を有している。この矢印Ｄ５方向側の上面には、導電部４１Ｃおよび絶縁部４２Ｃが面している。
導電部４１Ｃは、第１部位４１１Ｃおよび第２部位４１２Ｃを含んで構成されている。
第１部位４１１Ｃは、第１幅狭領域４１１Ｂｂに代えて第１幅狭領域４１１Ｃｂを含んで構成されている点において第１部位４１１Ｂと異なる。第１部位４１１Ｃの他の構成については、第１部位４１１Ｂに関して上述したのと同様である。
第１幅狭領域４１１Ｃｂは、第１接続領域４１１Ｂａの矢印Ｄ３方向側に位置している。また、第１幅狭領域４１１Ｃｂは、第１接続領域４１１Ｂａに接している。この第１幅狭領域４１１Ｃｂは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１１ｂが第１接続領域４１１Ｃａの幅Ｗ１１ａに比べて狭くなるように構成されている。また、この第１幅狭領域４１１Ｃｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ｂが第１接続領域４１１Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ａに比べて薄くなるように構成されている。
第２部位４１２Ｃは、第２幅狭領域４１２Ｂｂに代えて第２幅狭領域４１２Ｃｂを含んで構成されている点において第２部位４１２Ｂと異なる。第２部位４１２Ｃの他の構成については、第２部位４１２Ｂに関して上述したのと同様である。
第２幅狭領域４１２Ｃｂは、第２接続領域４１２Ｂａの矢印Ｄ４方向側に位置している。また、第２幅狭領域４１２Ｃｂは、第２接続領域４１２Ｂａに接している。この第２幅狭領域４１２Ｃｂは、平面視において、矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅Ｗ１２ｂが第２接続領域４１２Ｃａの幅Ｗ１２ａに比べて狭くなるように構成されている。この第２幅狭領域４１２Ｃｂの幅Ｗ１２ａは第１幅狭領域４１１ＣｂのＷ１１ａに比べて広くなるように構成されている。また、この第２幅狭領域４１２Ｃｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ｂが第２接続領域４１２Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ａに比べて薄くなるように構成されている。
絶縁部４２Ｃは、第１部位４１１Ｃおよび第２部位４１２Ｃを囲むとともに、第１部位４１１Ｃおよび第２部位４１２Ｃの側面に対して接した状態で形成されている。この絶縁部４２Ｃは、第１幅狭領域４１１Ｃｂおよび第２幅狭領域４１２Ｃｂの上面を覆うように構成されている。また、この絶縁部４２Ｃの一部は、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｃの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、絶縁部４２Ｃは、導電パターン層４０Ｃを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
サーマルヘッド１０Ｃは、第１部位４１１Ｂが発熱部５１に接続されている第１接続領域４１１Ｂａと、該第１接続領域４１１Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ａに比べて矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ｂが薄い第１幅狭領域４１１Ｂｂとを含んで構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｃでは、発熱部５１で生じた熱が第１幅狭領域４１１Ｃｂを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第１幅狭領域４１１Ｃｂを介して放熱するのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド１０Ｃでは、発熱部５１で生じた熱を効果的に利用することができる。
また、サーマルヘッド１０Ｃは、第２部位４１２Ｂが発熱部５１に接続されている第２接続領域４１２Ｂａと、該第１接続領域４１２Ｂａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ａに比べて矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ｂが薄い第２幅狭領域４１２Ｂｂとを含んで構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｃでは、発熱部５１で生じた熱が第２幅狭領域４１２Ｃｂを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第２幅狭領域４１２Ｃｂを介して放熱するのを低減することができる。したがって、サーマルヘッド１０Ｃでは、発熱部５１で生じた熱を効果的に利用することができる。
サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第１幅狭領域４１１Ｃｂの上面を覆うように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｃでは、例えばプラテンローラなどにより発熱部５１近傍に押圧力を作用させる場合でも、第１接続領域４１１Ｂａに比べて厚みの薄い第１幅狭領域４１１Ｃｂを絶縁部４２Ｃにより良好に保護することができる。
また、サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第１幅狭領域４１１Ｃｂの上面を覆うように構成されているので、第１部位４１１Ｃから矢印Ｄ５方向に熱が伝達するのを低減することができる。
さらに、サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第１幅狭領域４１１Ｃｂの上面を覆うように構成されているので、第１幅狭領域４１１Ｃｂの電気信頼性を高めることができる。
サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第２幅狭領域４１２Ｃｂの上面を覆うように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｃでは、例えばプラテンローラなどにより発熱部５１近傍に押圧力を作用させる場合でも、第１接続領域４１１Ｂａに比べて厚みの薄い第２幅狭領域４１２Ｃｂを絶縁部４２Ｃにより良好に保護することができる。
また、サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第２幅狭領域４１２Ｃｂの上面を覆うように構成されているので、第２部位４１２Ｃから矢印Ｄ５方向に熱が伝達するのを低減することができる。
さらに、サーマルヘッド１０Ｃでは、絶縁部４２Ｃが第２幅狭領域４１２Ｃｂの上面を覆うように構成されているので、第２幅狭領域４１２Ｃｂの電気信頼性を高めることができる。
以下に、本発明の第４の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｃの製造方法について、図１１を参照しつつ、説明する。サーマルヘッド１０Ｃの製造方法は、導電パターン層形成工程に代えて第４導電パターン層形成工程を採用する点においてサーマルヘッド１０の製造方法と異なる。サーマルヘッド１０Ｃの製造方法の他の工程については、サーマルヘッド１０の製造方法に関して上述したのと同様である。
＜第４導電パターン層形成工程＞
図１７（ａ）および（ｂ）に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｃを形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｃｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｃを形成する領域上に位置する導電膜４０Ｃｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｂａおよび第２接続領域４１２Ｂａとなる領域に比べて第１幅狭領域４１１Ｃｂおよび第２幅狭領域４１２Ｃｂとなる領域の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅が狭くなるようにマスクを形成する。次に、この露出した導電膜４０Ｃｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｃｘを形成する。次に、導電膜４０Ｃｘ上のマスクを除去する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｃｘおよび酸化層４２Ｃｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｃを形成する領域上に位置する酸化層４２Ｃｘの一部を露出させる。このときに、第１幅狭領域４１１Ｃｂおよび第２幅狭領域４１２ｃｂとなる領域を露出させる。次に、この露出した酸化層４２Ｃｘを介して導電膜４０Ｃｘをさらに陽極酸化し、絶縁部４２Ｃを形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０Ｃｘが導電部４１Ｃとして機能する導電パターン層４０Ｃを形成することができる。
＜第４導電パターン層形成工程＞
図１７（ａ）および（ｂ）に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｃを形成する。具体的には、まず、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｃｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｃを形成する領域上に位置する導電膜４０Ｃｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｂａおよび第２接続領域４１２Ｂａとなる領域に比べて第１幅狭領域４１１Ｃｂおよび第２幅狭領域４１２Ｃｂとなる領域の矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿った幅が狭くなるようにマスクを形成する。次に、この露出した導電膜４０Ｃｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｃｘを形成する。次に、導電膜４０Ｃｘ上のマスクを除去する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、導電膜４０Ｃｘおよび酸化層４２Ｃｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｃを形成する領域上に位置する酸化層４２Ｃｘの一部を露出させる。このときに、第１幅狭領域４１１Ｃｂおよび第２幅狭領域４１２ｃｂとなる領域を露出させる。次に、この露出した酸化層４２Ｃｘを介して導電膜４０Ｃｘをさらに陽極酸化し、絶縁部４２Ｃを形成する。これによって、陽極酸化されずに残った導電膜４０Ｃｘが導電部４１Ｃとして機能する導電パターン層４０Ｃを形成することができる。
上述のような第４導電パターン形成工程を採用することによって、本実施形態のサーマルヘッド１０Ｃを製造することができる。
＜記録ヘッドの第５の実施形態＞
図１８に示した本発明の記録ヘッドの第５の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｄは、基体１１に代えて基体１１Ｄを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ｄの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
＜記録ヘッドの第５の実施形態＞
図１８に示した本発明の記録ヘッドの第５の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｄは、基体１１に代えて基体１１Ｄを含んで構成されている点においてサーマルヘッド１０と異なる。サーマルヘッド１０Ｄの他の構成については、サーマルヘッド１０に関して上述したのと同様である。
図１９に示した基体１１Ｄは、導電パターン層４０に代えて導電パターン層４０Ｄを含んで構成されている点において基体１１と異なる。基体１１Ｄの他の構成については、基体１１に関して上述したのと同様である。
導電パターン層４０Ｄは、導電部４１Ｄおよび絶縁部４２Ｄを含んで構成されている。この導電パターン層４０Ｄは、一の層として形成されており、矢印Ｄ５方向側に略平坦な上面を有している。この矢印Ｄ５方向側の上面には、導電部４１Ｄおよび絶縁部４２Ｄが面している。
導電部４１ｄは、第１部位４１１Ｄおよび第２部位４１２Ｄを含んで構成されている。
第１部位４１１Ｄは、発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。この第１部位４１１Ｄは、矢印Ｄ４方向側の一端部に発熱部５１の一端部が接続され、矢印Ｄ３方向側の他端部に駆動ＩＣ１２が接続されている。この第１部位４１１Ｄは、駆動ＩＣ１２を介して基準電位点（所謂グランド）に電気的に接続されている。
本実施形態の第１部位４１１Ｄは、第１接続領域４１１Ｄａと、第１配線領域４１１Ｄｃを含んで構成されている。
第１接続領域４１１Ｄａは、発熱部５１の一端部に接続されている第１部位４１１Ｃの矢印Ｄ３方向側の端部に位置している。この第１接続領域４１１Ｄａは、矢印Ｄ６方向側の下面が絶縁部４２Ｄに対して接した状態で形成されている。
第１配線領域４１１Ｄｃは、第１接続領域４１１Ｂａの矢印Ｄ３方向側に位置しており、第１接続領域４１１Ｂａの矢印Ｄ４方向側の端に接している。この第１配線領域４１１Ｄｃは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｄの上下面を構成している。つまり、この第１配線領域４１１Ｄｃは、導電パターン層４０Ｄを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。また、この第１配線領域４１１Ｄｃは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ｃが第１接続領域４１１Ｃａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１１ａに比べて厚くなるように構成されている。
第２部位４１２Ｄは、第１部位４１１Ｄと対となって発熱部５１に対する電力供給に寄与する部位である。
本実施形態の第２部位４１２Ｄは、第２接続領域４１２Ｄａと、第２配線領域４１２Ｄｄと、共通接続領域４１２Ｄｃとを含んで構成されている。
第２接続領域４１２Ｄａは、発熱部５１の他端部に接続される第２部位４１２Ｄの矢印Ｄ４方向側の端部に位置している。この第２接続領域４１２Ｄａは、矢印Ｄ６方向側の下面が絶縁部４２Ｄに対して接した状態で形成されている。また、この第２接続領域４１２Ｄａは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における厚みＴ１２ａが第１接続領域４１１Ｄａの厚みＴ１１ａに比べて厚くなるように構成されている。
第２配線領域４１２Ｄｄは、第２接続領域４１２Ｂａの矢印Ｄ４方向側に位置しており、第２接続領域４１２Ｂａの矢印Ｄ４方向側の端に接している。この第２配線領域４１２Ｄｄは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｄの上下面を構成している。つまり、この第２配線領域４１２Ｄｄは、導電パターン層４０Ｄを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。また、この第２配線領域４１２Ｄｄは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ｄが第２接続領域４１２Ｃａの矢印方向Ｄ５，Ｄ６に沿った厚みＴ１２ａに比べて厚くなるように構成されている。この第２配線領域４１２Ｄｄの厚みＴ１２ｄは、第１配線領域４１１Ｄｃの厚みＴ１１ｃと略同一となるように構成されている。
共通接続領域４１２Ｄｃは、複数の第２配線領域４１２Ｄｄと、図示しない電源が電気的に接続されている。
絶縁部４２Ｄは、第１部位４１１Ｄおよび第２部位４１２Ｄを囲むとともに、第１部位４１１Ｄおよび第２部位４１２Ｄの側面に対して接した状態で形成されている。また、この絶縁部４２Ｄは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が導電パターン層４０Ｄの矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面の一部を構成している。つまり、絶縁部４２Ｄは、導電パターン層４０Ｄを矢印方向Ｄ５，Ｄ６に貫いて構成されている。
本実施形態の絶縁部４２Ｄは、その一部４２Ｄｂが第１接続領域４１１Ｄａおよび第２接続領域４１２Ｄａの矢印Ｄ６方向側の下面に接している。
サーマルヘッド１０Ｄは、第１部位４１１Ｄが発熱部５１に接続されている第１接続領域４１１Ｄａと、該第１接続領域４１１Ｄａに接続されている第１配線領域４１１Ｄｃとを含んで構成されており、第１接続領域４１１Ｄａの厚みＴ１１ａが第１配線領域４１１Ｄｃの厚みＴ１１ｃに比べて薄くなるように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｄでは、発熱部５１で生じた熱が第１接続領域４１１Ｄａを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第１接続領域４１１Ｄａを介して放熱するのを低減することができる。
サーマルヘッド１０Ｄは、第２部位４１２Ｄが発熱部５１に接続されている第２接続領域４１２Ｄａと、該第２接続領域４１２Ｄａに接続されている第２配線領域４１２Ｄｄとを含んで構成されており、第２接続領域４１２Ｄａの厚みＴ１２ａが第２配線領域４１２Ｄｄの厚みＴ１２ｄに比べて薄くなるように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｄでは、発熱部５１で生じた熱が第２接続領域４１２Ｄａを介して伝達しにくく、発熱部５１で生じた熱が第２接続領域４１２Ｄａを介して放熱するのを低減することができる。
サーマルヘッド１０Ｄでは、絶縁部４２Ｄが第１接続領域４１１Ｄａの下面に接しているので、第１部位４１１Ｄから矢印Ｄ６方向に熱が伝達するのを低減することができる。
また、サーマルヘッド１０Ｄでは、絶縁部４２Ｄが第２接続領域４１２Ｄａの下面に接しているので、第２部位４１２Ｄから矢印Ｄ６方向に熱が伝達するのを低減することができる。
以下に、本発明の第５の実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｄの製造方法について、図２０を参照しつつ、説明する。サーマルヘッド１０Ｄの製造方法は、導電膜形成工程および導電パターン層形成工程に代えて第５導電パターン層形成工程を採用する点においてサーマルヘッド１０の製造方法と異なる。サーマルヘッド１０Ｄの製造方法の他の工程については、サーマルヘッド１０の製造方法に関して上述したのと同様である。
＜第５導電パターン層形成工程＞
図２０に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｄを形成する。具体的には、まず、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、基板２０上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、第１導電膜４０Ｄａｘを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、第１導電膜４０Ｄａｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｄを形成する領域上に位置する第１導電膜４０Ｄａｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｄａおよび第２接続領域４１２Ｄａとなる領域の矢印Ｄ６方向側に位置することとなる絶縁部４２Ｄの一部４２Ｄｂを形成する領域を当該マスクから露出するように加工する。次に、この露出した第１導電膜４０Ｄａｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｄａｘの一部を形成する。次に、第１導電膜４０Ｄａｘ上のマスクを除去する。これによって、陽極酸化されずに残った第１導電膜４０Ｄａｘが導電部４１Ｄの一部４１Ｄａｘとして機能する層を形成することができる。次に、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、第１導電膜４０Ｄａｘ上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、第２導電膜４０Ｄｂｘを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、第２導電膜４０Ｄｂｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｄを形成する領域上に位置する第２導電膜４０Ｄｂｘの一部が露出するように加工する。次に、この露出した第２導電膜４０Ｄｂｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｄａｘの一部を形成する。次に、第２導電膜４０Ｄｂｘ上のマスクを除去する。これによって、陽極酸化されずに残った第２導電膜４０Ｄｂｘが導電部４１Ｄの一部４１Ｄｂ
ｘとして機能する層を形成することができる。よって、陽極酸化されずに残った第１導電膜４０Ｄａｘおよび第２導電膜４０Ｄｂｘが導電部４１Ｄとして機能する導電パターン層４０Ｄを形成することができる。
＜第５導電パターン層形成工程＞
図２０に示すように、基板２０上に導電パターン層４０Ｄを形成する。具体的には、まず、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、基板２０上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、第１導電膜４０Ｄａｘを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、第１導電膜４０Ｄａｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｄを形成する領域上に位置する第１導電膜４０Ｄａｘの一部が露出するように加工する。このときに、第１接続領域４１１Ｄａおよび第２接続領域４１２Ｄａとなる領域の矢印Ｄ６方向側に位置することとなる絶縁部４２Ｄの一部４２Ｄｂを形成する領域を当該マスクから露出するように加工する。次に、この露出した第１導電膜４０Ｄａｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｄａｘの一部を形成する。次に、第１導電膜４０Ｄａｘ上のマスクを除去する。これによって、陽極酸化されずに残った第１導電膜４０Ｄａｘが導電部４１Ｄの一部４１Ｄａｘとして機能する層を形成することができる。次に、スパッタリングおよび蒸着などの成膜技術によって、第１導電膜４０Ｄａｘ上に略平坦状のアルミニウム膜を成膜することによって、第２導電膜４０Ｄｂｘを形成する。次に、フォトリソグラフィなどの微細加工技術によって、第２導電膜４０Ｄｂｘ上にマスクを形成する。次に、絶縁部４２Ｄを形成する領域上に位置する第２導電膜４０Ｄｂｘの一部が露出するように加工する。次に、この露出した第２導電膜４０Ｄｂｘの一部を陽極酸化し、酸化層４２Ｄａｘの一部を形成する。次に、第２導電膜４０Ｄｂｘ上のマスクを除去する。これによって、陽極酸化されずに残った第２導電膜４０Ｄｂｘが導電部４１Ｄの一部４１Ｄｂ
ｘとして機能する層を形成することができる。よって、陽極酸化されずに残った第１導電膜４０Ｄａｘおよび第２導電膜４０Ｄｂｘが導電部４１Ｄとして機能する導電パターン層４０Ｄを形成することができる。
上述のような第５導電パターン形成工程を採用することによって、本実施形態のサーマルヘッド１０Ｄを製造することができる。
＜記録装置＞
図２１に示した本発明の記録装置の実施形態に係るサーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０、搬送機構７０、および駆動手段８０を備えている。このサーマルプリンタ１は、矢印Ｄ１方向に搬送される記録媒体９０に対して印画するものである。ここで記録媒体９０としては、例えば加熱によって表面の濃淡が変動する感熱紙や感熱フィルム、ならびに熱伝導によって溶融したインク成分を転写することによって像を形成するインクフィルムおよび転写用紙が用いられる。なお、本実施形態では、サーマルヘッド１０を採用して説明するが、サーマルヘッド１０Ａ、サーマルヘッド１０Ｂ、サーマルヘッド１０Ｃ、およびサーマルヘッド１０Ｄを採用してもよい。
＜記録装置＞
図２１に示した本発明の記録装置の実施形態に係るサーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０、搬送機構７０、および駆動手段８０を備えている。このサーマルプリンタ１は、矢印Ｄ１方向に搬送される記録媒体９０に対して印画するものである。ここで記録媒体９０としては、例えば加熱によって表面の濃淡が変動する感熱紙や感熱フィルム、ならびに熱伝導によって溶融したインク成分を転写することによって像を形成するインクフィルムおよび転写用紙が用いられる。なお、本実施形態では、サーマルヘッド１０を採用して説明するが、サーマルヘッド１０Ａ、サーマルヘッド１０Ｂ、サーマルヘッド１０Ｃ、およびサーマルヘッド１０Ｄを採用してもよい。
搬送機構７０は、記録媒体９０を矢印Ｄ３方向に搬送しつつ、該記録媒体９０をサーマルヘッド１０の発熱部５１上に位置する保護層６０に対して接触させる機能を有している。この搬送機構７０は、プラテンローラ７１、および搬送ローラ７２，７３，７４，７５を含んで構成されている。
プラテンローラ７１は、記録媒体９０を発熱部５１上に位置する保護層６０に対して押し付けながら摺動させる機能を有するものである。このプラテンローラ７１は、発熱部５１上に位置する保護層６０に対して接触した状態で回転可能に支持されている。また、このプラテンローラ７１は、円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成を有している。
搬送ローラ７２，７３，７４，７５は、記録媒体９０を所定の経路に沿って搬送する機能を有するものである。つまり、搬送ローラ７２，７３，７４，７５は、サーマルヘッド１０の発熱部５１とプラテンローラ７１との間に記録媒体９０を供給するとともに、サーマルヘッド１０の発熱部５１とプラテンローラ７１との間から記録媒体９０を引き抜く機能を有しているものである。これらの搬送ローラ７２，７３，７４，７５は、金属製の円柱状部材により形成してもよいし、プラテンローラ７１と同様に円柱状の基体の外表面を弾性部材により被覆した構成であってもよい。
駆動手段８０は、発熱部５１を選択的に発熱させるべく、発熱部５１を駆動する電気信号を入力するものである。つまり、この駆動手段８０は、外部接続用部材１３を介して駆動ＩＣ１２に画像情報を供給するものである。
サーマルプリンタ１は、サーマルヘッド１０を備えているので、サーマルヘッド１０の有する効果を享受することができる。すなわち、サーマルプリンタ１では、良好な画像を形成するができる。
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の要旨から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
本実施形態に係る基体１１は、サーマルヘッド１０に用いられているが、このような構造に限るものではなく、例えば孔を有する天板を備えたインクジェットヘッドとして用いてもよい。この場合、凹凸の軽減によりインクの流動性を高めることができる。
本実施形態に係る基板２０は、蓄熱層３０と別体として構成されているが、このような構造に限るものではなく、例えばグレーズ基板のように基板に蓄熱層が一体構成されたものであってもよい。
本実施形態に係る絶縁部４２は、その矢印Ｄ５方向側の上面が略平坦状に形成されているが、このような構成に限るものでなく、例えば絶縁部４２の一部領域４２ａの最大厚みが該一部領域４２ａに隣接する導電部４１の厚みより厚くなるように構成していても良い。このような構成の場合、プラテンローラ７１により記録媒体９０を押圧しながら搬送する際に発熱部５１において発生する熱をより良好に伝達させることができる。
本実施形態に係る導電パターン層４０は、導電部４１および絶縁部４２を含んで構成されているが、このような構成に限るものではなく、例えば、図２２に示すように導電パターン層４０Ｅが、導電部４１Ｅおよび絶縁部４２Ｅを含んで構成されていてもよい。この導電部４１Ｅは、駆動ＩＣ１２に対して電気的に接続されている部位４１Ｅａと、２つの発熱部５１を電気的に接続している部位４１Ｅｂと、１つの発熱部５１に接続されており、かつ２つの発熱部５１に対して電力を供給する部位４１Ｅｃとを含んで構成されており、これらの導電部４１Ｅａ，４１Ｅｂ，４１Ｅｃの間に絶縁部４２Ｅが形成されていてもよい。また、図２３に示すように導電パターン層４０Ｆが、導電部４１Ｆおよび絶縁部４２Ｆを含んで構成されていてもよい。この導電部４１Ｆは、駆動ＩＣ１２に対して電気的に接続されている部位４１Ｆａと、２つの発熱部５１を電気的に接続している部位４１Ｆｂと、２つの発熱部５１に接続されており、かつ４つの発熱部５１に対して電力を供給する部位４１Ｆｃとを含んで構成されており、これらの導電部４１Ｆａ，４１Ｆｂ，４１Ｆｃの間に絶縁部４２Ｆが形成されていてもよい。
本実施形態に係る第１部位４１は、矢印Ｄ３方向側の端が矢印方向Ｄ１，Ｄ２に沿って伸びているが、このような構成に限るものではない。例えば、図２４に示したように、隣接する第１部位４１Ｇの矢印Ｄ３方向側の端の矢印方向Ｄ３，Ｄ４における位置が異なるように構成されていてもよい。ここでは、第１部位４１Ｇを例に挙げて説明したが第２部位４２Ｇでも同様のことがいえる。
本実施形態に係る絶縁部４２の一部領域４２ａは、その内部に空孔を有していてもよく、このような構成の場合、空孔により基板２０側への熱伝導を軽減することができるため、発熱部５１において発生する熱の利用効率を高めることができる。
上記の変形例では、本発明の第１の実施形態に係るサーマルヘッド１０を主な例に挙げて説明したが、サーマルヘッド１０Ａ、サーマルヘッド１０Ｂ、サーマルヘッド１０Ｃ、およびサーマルヘッド１０Ｄでも同様の効果を享受することができる。
本実施形態に係る第１幅狭領域４１１Ｂｂは、矢印方向Ｄ１，Ｄ２における端が矢印方向Ｄ３，Ｄ４に沿って伸びているが、このような構成に限るものではない。例えば、図２５（ａ）および（ｂ）に示したように、発熱部５１に近づくにつれて矢印方向Ｄ１，Ｄ２における幅が狭くなったり、広くなったりするように構成されていてもよい。特に、第１幅狭領域の幅を発熱部に近づくにつれて狭くなるように構成しておけば、第１幅狭領域を介した放熱をより低減することができる。また、ここでは第１幅狭領域を例に挙げて説明したが第２幅狭領域でも同様の効果を享受することができる。
本実施形態に係る第１幅狭領域４１１Ｂｂは、一の導電経路を有する導体として構成されているが、このような構成に限るものではない。例えば、図２６に示したように、第１導電路４１１Ｋ １ および第２導電路４１１Ｋ ２ を含んで構成されており、当該第１導電路４１１Ｋ １ および第２導電路４１１Ｋ ２ の間に絶縁部４２Ｋが形成されていてもよい。
本実施形態に係る第１幅狭領域４１１Ｃｂは、矢印方向Ｄ５，Ｄ６における上下面が矢印方向Ｄ３，Ｄ４に沿って伸びているが、このような構成に限るものではない。例えば、図２７（ａ）および（ｂ）に示したように、発熱部５１に近づくにつれて矢印方向Ｄ５，Ｄ６における厚みが厚くなったり、薄くなったりするように構成されていてもよい。特に、第１幅狭領域の厚みを発熱部に近づくにつれて薄くなるように構成しておけば、第１幅狭領域を介した放熱をより低減することができる。また、ここでは第１幅狭領域を例に挙げて説明したが第２幅狭領域でも同様の効果を享受することができる。
本実施形態に係るサーマルヘッド１０Ｄは、第１導電膜４０Ｄａｘおよび第２導電膜４０Ｄｂｘのそれぞれを個々に陽極酸化することで製造しているが、このような製造方法に限るものではない。例えば、第２導電膜を第１導電膜よりイオン化傾向の小さい材料で形成し、これらの積層膜を一度に陽極酸化することによって製造してもよい。
なお、サーマルプリンタにサーマルヘッド１０Ｂを採用した場合、矢印方向Ｄ１，Ｄ２−矢印方向Ｄ５，Ｄ６で構成する平面方向における断面積が第１部位４１１Ｂと第２部位４１２Ｂとで異なっている。具体的には、第１幅狭領域４１１Ｂｂの幅Ｗ１１ｂと第２幅狭領域４１２Ｂｂの幅Ｗ１２ｂ とが異なっている。そのため、サーマルヘッド１０Ｂを採用したサーマルプリンタでは、発熱部５１を発熱させた際に最も温度が高くなる部位（以下、「ヒートスポット」とする）を発熱部５１の中心からズラし、熱を伝達させるうえで好ましい位置にヒートスポットを位置させることができる。
また、サーマルヘッド１０Ｂの第２部位４１２Ｂは、矢印方向Ｄ１，Ｄ２−矢印方向Ｄ５，Ｄ６で構成する平面方向における断面積が第１部位４１１Ｂに比べて大きい。具体的には、第２幅狭領域４１２Ｂｂの幅Ｗ１２ｂ が第１幅狭領域４１１Ｂｂの幅W１１ｂに比
べて広くなるように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｂでは、ヒートスポットを発熱部５１の中心より第１部位４１１側に位置させることができる。このことから、サーマルヘッド１０Ｂを採用したサーマルプリンタでは、記録媒体９０として例えばインクリボンおよび普通紙をプラテンローラ７１で発熱部５１上に押しつけて普通紙に転写する場合でもインクを充分に溶融させたうえで普通紙に転写することができる。
べて広くなるように構成されている。そのため、サーマルヘッド１０Ｂでは、ヒートスポットを発熱部５１の中心より第１部位４１１側に位置させることができる。このことから、サーマルヘッド１０Ｂを採用したサーマルプリンタでは、記録媒体９０として例えばインクリボンおよび普通紙をプラテンローラ７１で発熱部５１上に押しつけて普通紙に転写する場合でもインクを充分に溶融させたうえで普通紙に転写することができる。
ここでは、サーマルヘッド１０Ｂをサーマルプリンタに採用した場合を例に挙げて説明したが、上述した２つのヒートスポットに関する効果はサーマルヘッド１０Ｂを採用した場合に限るものではない。例えばサーマルヘッド１０Ｃまたはサーマルヘッド１０Ｄをサーマルプリンタに採用した場合でも同様の効果を奏することができる。
Claims (12)
- 基板と、
該基板上に形成されている、第１導電部、該第１導電部と対となる第２導電部、および前記第１導電部と前記第２導電部とを絶縁する絶縁部を含んでなる導電パターン層と、
該導電パターン層上に形成されているとともに、前記第１導電部および前記第２導電部に接続されている、前記第１導電部と前記第２導電部との間に発熱領域を有する電気抵抗層とを含んで構成されており、
前記発熱領域の下に位置する前記絶縁部において、前記導電パターン層と前記電気抵抗層との積層方向の当該絶縁部の最大厚さは、前記第１導電部および前記第２導電部における前記積層方向の厚さより厚いことを特徴とする記録ヘッド。 - 前記発熱領域の下に位置する前記絶縁部における前記積層方向の厚さは、当該発熱領域の中央から前記第１導電部および前記第２導電部側に向かって漸次薄くなっていることを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド。
- 前記発熱領域の下に位置する前記絶縁部は、内部に空孔を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の記録ヘッド。
- 前記発熱領域の下に位置する前記絶縁部の硬度は、前記第１導電部および前記第２導電部の硬度より高いことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の記録ヘッド。
- 前記第１導電部および前記第２導電部は、前記絶縁部に比べ熱伝導率が高く、
前記第１導電部と前記第２導電部との離間距離は、前記積層方向において前記電気抵抗層側から前記基板側に向かって漸次短くなっていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の記録ヘッド。 - 前記電気抵抗層における前記積層方向の平均厚さは、前記第１導電部および前記第２導電部における前記積層方向の平均厚さより薄いことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の記録ヘッド。
- 前記第１導電部および前記第２導電部の少なくとも一方は、前記積層方向から見たとき
に前記発熱領域の幅に比べて幅の狭い幅狭領域を有していることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の記録ヘッド。 - 前記第１導電部および前記第２導電部の少なくとも一方は、他の領域に比べて前記積層方向の厚さの薄い薄層領域を有していることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の記録ヘッド。
- 前記第１導電部は、複数設けられており、
前記絶縁部は、一部が複数の前記第１導電部の間に延びていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の記録ヘッド。 - 前記第１導電部は、前記絶縁部に比べ熱伝導率が高く、
前記複数の第１導電部のうちの一の第１導電部と、該一の第１導電部と隣り合う他の第１導電部との離間距離は、前記積層方向において前記電気抵抗層側から前記基板側に向かって漸次短くなっていることを特徴とする請求項９に記載の記録ヘッド。 - 前記第２導電部は、複数の前記発熱領域に接続されており、複数の前記第１導電部に比べて熱容量が小さいことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の記録ヘッド。
- 請求項１から請求項１１のいずれかに記載の記録ヘッドと、該記録ヘッドの前記発熱領域上に記録媒体を搬送する搬送機構とを備えることを特徴とする記録装置。
Priority Applications (1)
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