JP4679817B2 - Opcの高速化のための一次近似システム - Google Patents
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- 光近接効果を補正するシステムであって、
ターゲット・デザインを表す表現を受け取って該表現をデザイン・プリミティブの組にセグメント化するアナライザと、
実際のターゲット・デザインに見られる可能性があるセグメントを表す典型的なケースのセグメントの組を記憶する第1の記憶手段と、
前記典型的なケースのセグメントに関連する光近接効果補正データを記憶する第2の記憶手段と、
前記典型的なケースのセグメントの間のスペースに基づいた密度に関連するユーザ・セット・パラメータを記憶する第3の記憶手段と、
前記アナライザから前記デザイン・プリミティブを受け取り、該デザイン・プリミティブのセグメントを前記第1の記憶手段に記憶された前記典型的なケースのセグメントの組と対比して、一致しているか否かを判定し、前記デザイン・プリミティブのセグメントの密度を分類して、該密度に関連するユーザ・セット・パラメータを第3の記憶手段から検索し、前記デザイン・プリミティブのセグメントと前記典型的なケースのセグメントとが一致しているか否か及び前記セグメントの密度の分類に基づき、前記光近接効果補正データを用いて局所的な光近接効果の補正を実行するよう構成されているコントローラと
を備えていることを特徴とする光近接効果補正システム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始することを特徴とするシステム。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始することを特徴とするシステム。
- 光近接効果を補正する方法であって、
ターゲット・デザインに見られる可能性があるセグメントを表す典型的なケースのセグメントの組を含んでいるデータ・テーブルを提供するステップと、
前記典型的なケースのセグメントの組に対応する局所的な光近接効果補正データであって、予め得られている光近接効果補正データの組を提供するステップと、
前記ターゲット・デザインをデザイン・プリミティブの組にセグメント化するステップと、
前記デザイン・プリミティブに含まれるセグメントを前記典型的なケースのセグメントの組と対比して、これらが一致しているか否かを判定するステップと、
前記デザイン・プリミティブのセグメントの密度を分類するステップと、
前記デザイン・プリミティブのセグメントと前記典型的なケースのセグメントの組とが一致しているか否か及び前記セグメントの密度の分類に基づいて、局所的な光近接効果の補正を実行するステップと
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項5記載の方法において、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とする方法。
- 請求項5記載のシステムにおいて、前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項5記載のシステムにおいて、一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。
- 請求項5記載の方法において、該方法は更に、前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的な補正を、該一致しないセグメントに最も近い前記典型的なケースのセグメントに対応する、前記予め得られた局所的な光近接効果補正データの組の内の1つの局所的な光近接効果補正データであって、当該一致しないセグメントに最も近い前記典型的なケースのセグメントに対応する局所的な光近接効果補正データを用いて実行するステップを備えていることを特徴とする方法。
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---|---|---|---|---|
US7939091B2 (en) * | 1999-08-06 | 2011-05-10 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods |
US6524605B1 (en) * | 1999-08-06 | 2003-02-25 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods |
US7003758B2 (en) | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
US7500218B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
US7713667B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-05-11 | Asml Holding N.V. | System and method for generating pattern data used to control a pattern generator |
CN100432840C (zh) * | 2005-02-07 | 2008-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻制程中对掩膜图案进行光学邻近修正的方法 |
KR100655428B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 광근접효과보정 시스템 및 방법 |
US7650587B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Local coloring for hierarchical OPC |
US20080168419A1 (en) * | 2007-01-04 | 2008-07-10 | International Business Machines Corporation | Optical proximity correction improvement by fracturing after pre-optical proximity correction |
US8566754B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-10-22 | Synopsys, Inc. | Dual-purpose perturbation engine for automatically processing pattern-clip-based manufacturing hotspots |
US9761002B2 (en) * | 2013-07-30 | 2017-09-12 | The Boeing Company | Stereo-motion method of three-dimensional (3-D) structure information extraction from a video for fusion with 3-D point cloud data |
CN104166305B (zh) * | 2014-08-27 | 2020-10-02 | 上海华力微电子有限公司 | 减少修正迭代次数的opc方法 |
WO2018039376A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Insect repellent compounds and compositions, and methods thereof |
US11150551B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for optical proximity correction in which consistency is maintained and method for manufacturing mask using the same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JP2000091436A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法 |
WO2000067074A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Mentor Graphics Corporation | Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse |
JP2000314954A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法 |
JP2002140381A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-05-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム |
JP2002328457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004109453A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3328323B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
US6243855B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask data design method |
US6081658A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Avant! Corporation | Proximity correction system for wafer lithography |
US6171731B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-01-09 | Lsi Logic Corporation | Hybrid aerial image simulation |
US6467076B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-15 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design |
US6425112B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Auto correction of error checked simulated printed images |
US6643616B1 (en) * | 1999-12-07 | 2003-11-04 | Yuri Granik | Integrated device structure prediction based on model curvature |
US6421820B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-07-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features |
US6584609B1 (en) * | 2000-02-28 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction |
US6516459B1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-02-04 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit design correction using fragment correspondence |
US6539521B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6625801B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-23 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6453457B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout |
US6653026B2 (en) * | 2000-12-20 | 2003-11-25 | Numerical Technologies, Inc. | Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask |
US6763514B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-07-13 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling rippling during optical proximity correction |
US7000208B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-02-14 | Synopsys,Inc. | Repetition recognition using segments |
US6807663B2 (en) * | 2002-09-23 | 2004-10-19 | Numerical Technologies, Inc. | Accelerated layout processing using OPC pre-processing |
-
2002
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JP2000091436A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法 |
JP2000314954A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法 |
WO2000067074A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Mentor Graphics Corporation | Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse |
JP2002140381A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-05-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム |
JP2002328457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
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