JP2004177944A - Opcの高速化のための一次近似システム - Google Patents

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Abstract

【課題】 半導体デバイス製造過程などにおける光学像の光近接効果補正(OPC)システムのパフォーマンスを向上させること。
【解決手段】 ターゲット・デザイン(115)の1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるアナライザ(105)と、前記アナライザに結合されており前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるコントローラ(110)とを備えている光近接効果補正システムである。
【選択図】 図1

Description

本発明は、広くは、例えば半導体デバイスの製造において用いられるマスクから生じる光学像の光近接効果補正(OPC)システムに関し、更に詳しくは、OPCシステムのパフォーマンスを向上させることに関する。
OPCシステムはこの技術分野において広く知られている。例えば、Medvedeva他への"Hybrid Aerial Image Simulation"と題する米国特許第6,171,731号(以下では731特許と称する)には、OPCの背景と有用なOPCプロセスとが記載されている。731特許の明細書は、この出願においてその全体を援用することとする。731特許には、OPCシステムのユーザが行わなければならないトレードオフについて書かれている。すなわち、OPCは、計算の観点から見て集中的なタスクであり、希望する解像度又は行うべき補正の精度に依存するため、ユーザは、時間と解像度との両方が重要であるようなときには、希望する解像度をどのくらいの時間を費やして達成すべきなのかを判断しなければならない。典型的には、多くのイテレーションを伴って実行されるOPCプロセスにおいて用いられる一般的なアルゴリズムが存在している。補正された光学像が処理され下側にある媒体の上に希望しているパターンにより近いものを生じさせるときには、それだけ長く計算に時間を要する。マスクに対して変更が必要な場合には、それがどのような変更であっても、OPCは再度実行されなければならない。マスクの変更は例えば研究開発において頻繁に生じるのであるから、それは、従来技術によるOPCプロセスが新たなマスク・デザイン及びそれに付随する製品の開発及び実現に対して大きな影響を有するということを意味する。
従って、必要とされているのは、希望するマスク又は光学像の決定に対してOPCプロセスが有する影響を減少させるようにOPCシステムのプロセスを単純かつ効率的に実行するシステム及び方法である。
ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像を局所的に補正する光近接効果補正(optical proximity correction = OPC)システムであって、前記ターゲット・デザインの1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるアナライザと、前記アナライザに結合されており、前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるコントローラとを備えている光近接効果補正システムである。また、ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像の局所的補正を用いる光近接効果補正方法であって、a)前記ターゲット・デザインを解析し、前記ターゲット・デザインから1又は複数のセグメントを生じさせ、前記1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるステップと、b)前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるステップとを含む方法である。
本発明は、光学像/マスク画定に対する影響を減少させパフォーマンスの向上を可能にするOPCプロセスを単純かつ効率的に実行する。OPCのパフォーマンスは、同様のレベルの精度をより短い時間で提供することによって、又は、現在実行されているのと同様の期間でより高い精度を提供することによって、向上する。
本発明は、広くは、例えば半導体デバイスの製造において用いられるマスクから生じる光学像の光近接効果補正(OPC)システムに関し、更に詳しくは、OPCシステムのパフォーマンスを向上させることに関する。以下の説明は、この技術分野の当業者が本発明を実施し使用することを可能にするように提示されており、特許出願として及びその要件を充足するようになされている。この技術分野の当業者にとっては、この出願で述べる好適実施例、本発明の原理及びその特徴に対して、様々な修正が明らかであろう。従って、本発明は、ここで説明される実施例に限定されることは意図しておらず、ここに記載される原理及び特徴から導き出される最も広い範囲で解釈されるべきである。図1は、OPCシステム100のための本発明の好適実施例のブロック図である。システム100は、アナライザ105とコントローラ110とを含む。アナライザ105は、局所的な補正ターゲット・デザイン115の表現を受け取り、以下で詳細に説明するように、ターゲット・デザイン115をデザイン・プリミティブの組に分割する。像の受信は、光学的装置によるか、又は、ターゲット・デザイン115又はその重要部分の表現をアナライザ105に転送するそれ以外の入力システムによる。
アナライザ105は、ターゲット・デザイン115からのデザイン・プリミティブの組を、処理のために、コントローラ110に通信する。好適実施例のコントローラ110は、1又は複数のマイクロプロセッサ又はマイクロコントローラを有する計算システムと、入力/出力(I/O)システムと、データベースと本発明を実現するプログラム命令とを記憶するメモリ(典型的には、不揮発性メモリ)とを含む。
好適実施例のコントローラ110は、そのメモリに、典型的な場合(ケース)のセグメント(typical case segments)の組を記憶する。この組は、実際のターゲット・デザインにおいて見いだされることを予想できる同じようなセグメントと対応する詳細なOPCパラメータとを表している。典型的な場合の計算集中的なOPCは、実際の適用に先立って実行されるので、計算の精度と速度との間にはトレードオフの必要性は特に存在しない。好適実施例の様々な実現例は、実現例の必要に応じて、より多い又はより少ない所定の典型的な場合を有する。更に、典型的な場合を補正するのに用いられる特定のOPCプロセスは重要ではないと考えられる。その理由は、本発明は、そのような特定のOPCプロセスとは独立に有益であると考えられるからである。
コントローラ110は、デザイン・プリミティブの組からのそれぞれのセグメントを、そのメモリに記憶されている典型的な場合のセグメントの組と比較する。それぞれのセグメントは、ある所定のスレショルドの範囲内で、一致するか、又は、一致しない。1又は複数のセグメントが不一致の場合には、コントローラ110は、最も近い典型的な場合を初期近似として用いて、不一致のセグメントに対してOPCを実行する。アナライザ105からのセグメントがすべて一致する場合には、コントローラ110は、追加的な密度チェックを行う。一致するセグメントが「稠密(dense)」であると分類されると、必要とされる追加的なOPCプロセスが存在する可能性がある。密度とは、使用の前にユーザによって設定された特性であり、デザイン・ルール、プロセス及びOPCプロセスに依存する。コントローラ110は、デザイン・プリミティブの組が密度チェックを充足すると判断すると、任意の典型的な場合のパラメータを第1の近似として用い、必要に応じて追加的なOPC処理を実行する。場合によっては、典型的な場合のセグメントは、稠密及び非稠密の両方のコンフィギュレーションで定義されることがある。稠密な前計算に対する典型的な場合の一致は、再度計算される必要はない。
好適実施例のコントローラ110は、ターゲット・デザイン(又は、そのプリミティブ)を3つの動作モードとして特徴付ける。すなわち、1)認識された非稠密局所的補正、2)認識されていない非稠密局所的補正、3)認識されていない稠密局所的補正である。モード1では、コントローラ110は、すべてのセグメントを一致させ、前に計算された値をOPC局所的補正として用いる。モード1では、ターゲっっっっっっっっっっfット・デザインの局所的補正の速度は、システムが近似値を計算するのではなく参照しているために、著しく高速化する。モード2では、コントローラ110は、認識されていない(不一致の)入力セグメントに対してOPCを実行するだけであり、やはり、ターゲット・デザインに対する局所的補正の計算は高速化される。というのは、局所的補正の中のいくつか(一致していないもの)は計算される必要がないからである。モード3では、コントローラ110は、任意の一致している典型的な場合をOPCの密度局所的補正処理の第1の近似として用いるが、これによって、ターゲット・デザイン115に対する局所的補正を実行するのに必要な全体の時間が改善される。これら3つすべてのモードにおいて、速度の改善が実現された。
図2は、典型的な場合のセグメント200の組の概略的な表現である。これらの典型的な場合のセグメントには、次の4つのプリミティブが含まれる。すなわち、1)幅パラメータ(サイズ1)を含むライン終点(end of line = EOL)205、2)幅(サイズ1)と分離距離(サイズ2)とを含む並列したライン終点、3)3つのパラメータ(EOL205のサイズ1、要素の間の分離距離であるサイズ2、他のラインの幅であるサイズ3)を用いて定義されている別のラインとほぼ垂直に配置されているEOL205を有するT接合215、そして、4)サイズ1の幅を有する接点220である。これら4つのプリミティブは、好適実施例で用いられる。ただし、他の実施例では、特定の応用例やOPCプロセスにとって重要な他のプリミティブを有する場合がある。
典型的な場合の所定の組は、1又は複数の希望するOPCプロセス(例えば、731特許に開示されているような)を用いて、4つのプリミティブの様々なサイズ1、サイズ2及びサイズ3(適用に応じて)の結果として生じる。これらのサイズは、予測される実際の使用に従って、また、ターゲット・デザイン115のためのデザイン・パラメータに従って、効率的な動作のために変動する。これらの典型的な場合にとって重要なOPCデータは、計算され、コントローラ110による使用のために記憶される。
図3は、セグメント305及び310の局所的補正密度を決定するターゲット・デザイン115の一部300の重要な寸法の表現である。3つのサイズは、示されているサイズ1、サイズ2及びサイズ3として、並列しているセグメント305及び310から決定される。パラメータである局所的補正密度(LC密度)は、サイズ1、サイズ2及びサイズ3の中の最小値に設定される。局所的補正は、LC密度がユーザによって設定された「高密度(High Density)」以下である場合には稠密であると判断され、それ以外の場合には非稠密と判断される。
図4は、ターゲット・デザイン115のセクション400を典型的な場合のセグメント405及び410に分割する様子を図解している。セクション400では、2つの重要な局所的補正が評価されるべきプリミティブとして識別される。セグメント405はEOLであり、セグメント410はT接合である。セグメント405及び410は、アナライザ105によって決定され、図1に示されているように、コントローラ110に送られる。
図5は、本発明の好適実施例のプリミティブ・フロー・チャートである。プロセス500は、予め決定するステップを含む。すなわち、OPCプロセス・パラメータの決定ステップ505と、典型的な場合の定義ステップ510とである。ステップ505及び510は、データ・テーブル作成ステップ515によって用いられる。ステップ510及びステップ515は、図2との関係で既に述べた。
次に、ターゲット・デザイン115は、システム100によって実現される局所的補正タスクのステップ550に対して設定される。プロセス500は、局所的補正密度をステップ555で決定し、ステップ560では局所的補正認識を実行する。ステップ555については図3との関係で上述し、ステップ560については図4との関係で上述した。
プロセス500は、次に、ステップ515の所定のテーブルと、ステップ555の密度決定と、ステップ560の局所的補正認識とを、ステップ565において用いられるユーザの設定によるパラメータ(例えば、密度スレショルドの「高密度」パラメータ)のデータ・ストア570と共に用いて、局所的補正ステップ565を実行する。プロセス500の結果的な状態は、図1との関係で上述したモードに対応する。すなわち、認識された非稠密及び稠密局所的補正ステップ575はモード1に対応し、認識されていない非稠密局所的補正ステップ580はモード2に対応し、稠密局所的補正ステップ585はモード3に対応する。
以上で本発明を示された実施例に従って説明したが、この技術分野の当業者であれば、実施例に対しては変形がありうるし、これらの変形例は本発明の精神と範囲とに属することを理解するはずである。従って、冒頭の特許請求の範囲の精神及び範囲から逸脱することなく、多くの修正がこの技術分野の当業者によってなされうる。
図1は、OPCシステムのための本発明の好適実施例のブロック図である。 図2は、典型的な場合のセグメントの組の概略的な表現である。 図3は、局所的な補正密度を決定する重要な尺度の図形的な表現である。 ターゲット・デザインの典型的な場合のセグメントへの分割を図解している図である。 本発明の好適実施例のプロセス・フロー・チャートである。

Claims (10)

  1. ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像を局所的に補正する光近接効果補正システムであって、
    前記ターゲット・デザインの1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるアナライザと、
    前記アナライザに結合されており、前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるコントローラと、
    を備えていることを特徴とする光近接効果補正システム。
  2. 請求項1記載のシステムにおいて、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とするシステム。
  3. 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始することを特徴とするシステム。
  4. 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始することを特徴とするシステム。
  5. ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像の局所的補正を用いる光近接効果補正方法であって、
    a)前記ターゲット・デザインを解析し、前記ターゲット・デザインから1又は複数のセグメントを生じさせ、前記1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるステップと、
    b)前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  6. 請求項5記載の方法において、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とする方法。
  7. 請求項5記載のシステムにおいて、
    c)前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。
  8. 請求項5記載のシステムにおいて、
    c)一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。
  9. 典型的な場合のセグメントの所定の組に対する局所的補正の組であって、
    潜在的なターゲット・デザインの組の中の典型的な場合を表す複数のデザイン・プリミティブと、
    前記複数のデザイン・プリミティブを実際のターゲット・デザインに適用する前に計算された前記複数のデザイン・プリミティブのそれぞれに対応する局所的補正の対応する組と、
    を備えていることを特徴とする局所的補正の組。
  10. 典型的な場合のセグメントの所定の組に対する局所的補正の組を生じさせる方法であって、
    潜在的なターゲット・デザインの組の中の典型的な場合を表す複数のデザイン・プリミティブを生じさせるステップと、
    前記複数のデザイン・プリミティブを実際のターゲット・デザインに適用する前に、前記複数のデザイン・プリミティブのそれぞれに対応する局所的補正の対応する組を計算するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655428B1 (ko) * 2005-10-24 2006-12-08 삼성전자주식회사 광근접효과보정 시스템 및 방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524605B1 (en) * 1999-08-06 2003-02-25 Iowa State University Research Foundation, Inc. Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods
US7939091B2 (en) * 1999-08-06 2011-05-10 Iowa State University Research Foundation, Inc. Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7500218B2 (en) 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7713667B2 (en) 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
CN100432840C (zh) * 2005-02-07 2008-11-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻制程中对掩膜图案进行光学邻近修正的方法
US7650587B2 (en) * 2006-11-30 2010-01-19 International Business Machines Corporation Local coloring for hierarchical OPC
US20080168419A1 (en) * 2007-01-04 2008-07-10 International Business Machines Corporation Optical proximity correction improvement by fracturing after pre-optical proximity correction
US8566754B2 (en) * 2008-04-24 2013-10-22 Synopsys, Inc. Dual-purpose perturbation engine for automatically processing pattern-clip-based manufacturing hotspots
US9761002B2 (en) * 2013-07-30 2017-09-12 The Boeing Company Stereo-motion method of three-dimensional (3-D) structure information extraction from a video for fusion with 3-D point cloud data
CN104166305B (zh) * 2014-08-27 2020-10-02 上海华力微电子有限公司 减少修正迭代次数的opc方法
EP4382518A3 (en) 2016-08-23 2024-10-30 Iowa State University Research Foundation, Inc. Insect repellent compounds and compositions, and methods thereof
US11150551B2 (en) 2019-10-15 2021-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for optical proximity correction in which consistency is maintained and method for manufacturing mask using the same

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09319067A (ja) * 1995-12-22 1997-12-12 Toshiba Corp 光近接効果補正方法
JP2000091436A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法
WO2000067074A1 (en) * 1999-04-30 2000-11-09 Mentor Graphics Corporation Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse
JP2000314954A (ja) * 1999-03-04 2000-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法
JP2002140381A (ja) * 2000-09-07 2002-05-17 Infineon Technologies Ag リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム
JP2002328457A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Toshiba Corp パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体
JP2003107664A (ja) * 2001-09-29 2003-04-09 Toshiba Corp マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法
JP2004109453A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Toshiba Corp マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3328323B2 (ja) * 1992-07-20 2002-09-24 株式会社日立製作所 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
US6243855B1 (en) * 1997-09-30 2001-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask data design method
US6081658A (en) * 1997-12-31 2000-06-27 Avant! Corporation Proximity correction system for wafer lithography
US6171731B1 (en) 1999-01-20 2001-01-09 Lsi Logic Corporation Hybrid aerial image simulation
US6467076B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-15 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design
US6425112B1 (en) * 1999-06-17 2002-07-23 International Business Machines Corporation Auto correction of error checked simulated printed images
US6643616B1 (en) * 1999-12-07 2003-11-04 Yuri Granik Integrated device structure prediction based on model curvature
US6421820B1 (en) * 1999-12-13 2002-07-16 Infineon Technologies Ag Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features
US6584609B1 (en) * 2000-02-28 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction
US6516459B1 (en) * 2000-07-10 2003-02-04 Mentor Graphics Corporation Integrated circuit design correction using fragment correspondence
US6625801B1 (en) * 2000-09-29 2003-09-23 Numerical Technologies, Inc. Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) * 2000-09-29 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US6539521B1 (en) * 2000-09-29 2003-03-25 Numerical Technologies, Inc. Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6653026B2 (en) * 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
US6763514B2 (en) * 2001-12-12 2004-07-13 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for controlling rippling during optical proximity correction
US7000208B2 (en) * 2002-07-29 2006-02-14 Synopsys,Inc. Repetition recognition using segments
US6807663B2 (en) * 2002-09-23 2004-10-19 Numerical Technologies, Inc. Accelerated layout processing using OPC pre-processing

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09319067A (ja) * 1995-12-22 1997-12-12 Toshiba Corp 光近接効果補正方法
JP2000091436A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法
JP2000314954A (ja) * 1999-03-04 2000-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法
WO2000067074A1 (en) * 1999-04-30 2000-11-09 Mentor Graphics Corporation Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse
JP2002140381A (ja) * 2000-09-07 2002-05-17 Infineon Technologies Ag リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム
JP2002328457A (ja) * 2001-04-26 2002-11-15 Toshiba Corp パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体
JP2003107664A (ja) * 2001-09-29 2003-04-09 Toshiba Corp マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法
JP2004109453A (ja) * 2002-09-18 2004-04-08 Toshiba Corp マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655428B1 (ko) * 2005-10-24 2006-12-08 삼성전자주식회사 광근접효과보정 시스템 및 방법
US7900170B2 (en) 2005-10-24 2011-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method correcting optical proximity effect using pattern configuration dependent OPC models

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