JP2004177944A - Opcの高速化のための一次近似システム - Google Patents
Opcの高速化のための一次近似システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004177944A JP2004177944A JP2003375683A JP2003375683A JP2004177944A JP 2004177944 A JP2004177944 A JP 2004177944A JP 2003375683 A JP2003375683 A JP 2003375683A JP 2003375683 A JP2003375683 A JP 2003375683A JP 2004177944 A JP2004177944 A JP 2004177944A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- segments
- typical case
- target design
- design
- matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】 ターゲット・デザイン(115)の1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるアナライザ(105)と、前記アナライザに結合されており前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるコントローラ(110)とを備えている光近接効果補正システムである。
【選択図】 図1
Description
Claims (10)
- ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像を局所的に補正する光近接効果補正システムであって、
前記ターゲット・デザインの1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるアナライザと、
前記アナライザに結合されており、前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるコントローラと、
を備えていることを特徴とする光近接効果補正システム。 - 請求項1記載のシステムにおいて、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とするシステム。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始することを特徴とするシステム。
- 請求項1記載のシステムにおいて、前記コントローラは、一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始することを特徴とするシステム。
- ターゲット・デザインを集合的に定義する透過部分と阻止部分とを有するマスクから生じる光学像の局所的補正を用いる光近接効果補正方法であって、
a)前記ターゲット・デザインを解析し、前記ターゲット・デザインから1又は複数のセグメントを生じさせ、前記1又は複数のセグメントを典型的な場合のセグメントの所定の組の中の1又は複数の典型的な場合のセグメントに一致させるステップと、
b)前記ターゲット・デザインの前記1又は複数のセグメントのそれぞれを、典型的な場合のセグメントの前記組の中の一致する典型的な場合のセグメントを用いて近似し、調整された光学像を生じさせるステップと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項5記載の方法において、典型的なケースのセグメントの前記組は、様々な寸法のライン終点と、隣接ライン終点と、T接合と、接触する典型的な場合とを含むことを特徴とする方法。
- 請求項5記載のシステムにおいて、
c)前記ターゲット・デザインの一致しないセグメントに対する局所的補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。 - 請求項5記載のシステムにおいて、
c)一致している典型的な場合のセグメントを第1の近似として用いて前記ターゲット・デザインの一致している稠密なセグメントに対する局所的な補正を開始するステップを更に含むことを特徴とする方法。 - 典型的な場合のセグメントの所定の組に対する局所的補正の組であって、
潜在的なターゲット・デザインの組の中の典型的な場合を表す複数のデザイン・プリミティブと、
前記複数のデザイン・プリミティブを実際のターゲット・デザインに適用する前に計算された前記複数のデザイン・プリミティブのそれぞれに対応する局所的補正の対応する組と、
を備えていることを特徴とする局所的補正の組。 - 典型的な場合のセグメントの所定の組に対する局所的補正の組を生じさせる方法であって、
潜在的なターゲット・デザインの組の中の典型的な場合を表す複数のデザイン・プリミティブを生じさせるステップと、
前記複数のデザイン・プリミティブを実際のターゲット・デザインに適用する前に、前記複数のデザイン・プリミティブのそれぞれに対応する局所的補正の対応する組を計算するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/306,067 US6854104B2 (en) | 2002-11-27 | 2002-11-27 | First approximation for OPC significant speed-up |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004177944A true JP2004177944A (ja) | 2004-06-24 |
JP4679817B2 JP4679817B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=32298071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003375683A Expired - Fee Related JP4679817B2 (ja) | 2002-11-27 | 2003-11-05 | Opcの高速化のための一次近似システム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6854104B2 (ja) |
EP (1) | EP1424596B1 (ja) |
JP (1) | JP4679817B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100655428B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 광근접효과보정 시스템 및 방법 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6524605B1 (en) * | 1999-08-06 | 2003-02-25 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods |
US7939091B2 (en) * | 1999-08-06 | 2011-05-10 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Biorational repellents obtained from terpenoids for use against arthropods |
US7003758B2 (en) | 2003-10-07 | 2006-02-21 | Brion Technologies, Inc. | System and method for lithography simulation |
US7500218B2 (en) | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
US7713667B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-05-11 | Asml Holding N.V. | System and method for generating pattern data used to control a pattern generator |
CN100432840C (zh) * | 2005-02-07 | 2008-11-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光刻制程中对掩膜图案进行光学邻近修正的方法 |
US7650587B2 (en) * | 2006-11-30 | 2010-01-19 | International Business Machines Corporation | Local coloring for hierarchical OPC |
US20080168419A1 (en) * | 2007-01-04 | 2008-07-10 | International Business Machines Corporation | Optical proximity correction improvement by fracturing after pre-optical proximity correction |
US8566754B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-10-22 | Synopsys, Inc. | Dual-purpose perturbation engine for automatically processing pattern-clip-based manufacturing hotspots |
US9761002B2 (en) * | 2013-07-30 | 2017-09-12 | The Boeing Company | Stereo-motion method of three-dimensional (3-D) structure information extraction from a video for fusion with 3-D point cloud data |
CN104166305B (zh) * | 2014-08-27 | 2020-10-02 | 上海华力微电子有限公司 | 减少修正迭代次数的opc方法 |
EP4382518A3 (en) | 2016-08-23 | 2024-10-30 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Insect repellent compounds and compositions, and methods thereof |
US11150551B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for optical proximity correction in which consistency is maintained and method for manufacturing mask using the same |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JP2000091436A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法 |
WO2000067074A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Mentor Graphics Corporation | Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse |
JP2000314954A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法 |
JP2002140381A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-05-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム |
JP2002328457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004109453A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3328323B2 (ja) * | 1992-07-20 | 2002-09-24 | 株式会社日立製作所 | 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
US6243855B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mask data design method |
US6081658A (en) * | 1997-12-31 | 2000-06-27 | Avant! Corporation | Proximity correction system for wafer lithography |
US6171731B1 (en) | 1999-01-20 | 2001-01-09 | Lsi Logic Corporation | Hybrid aerial image simulation |
US6467076B1 (en) * | 1999-04-30 | 2002-10-15 | Nicolas Bailey Cobb | Method and apparatus for submicron IC design |
US6425112B1 (en) * | 1999-06-17 | 2002-07-23 | International Business Machines Corporation | Auto correction of error checked simulated printed images |
US6643616B1 (en) * | 1999-12-07 | 2003-11-04 | Yuri Granik | Integrated device structure prediction based on model curvature |
US6421820B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-07-16 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device fabrication using a photomask with assist features |
US6584609B1 (en) * | 2000-02-28 | 2003-06-24 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction |
US6516459B1 (en) * | 2000-07-10 | 2003-02-04 | Mentor Graphics Corporation | Integrated circuit design correction using fragment correspondence |
US6625801B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-23 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6453457B1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-09-17 | Numerical Technologies, Inc. | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout |
US6539521B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-03-25 | Numerical Technologies, Inc. | Dissection of corners in a fabrication layout for correcting proximity effects |
US6653026B2 (en) * | 2000-12-20 | 2003-11-25 | Numerical Technologies, Inc. | Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask |
US6763514B2 (en) * | 2001-12-12 | 2004-07-13 | Numerical Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling rippling during optical proximity correction |
US7000208B2 (en) * | 2002-07-29 | 2006-02-14 | Synopsys,Inc. | Repetition recognition using segments |
US6807663B2 (en) * | 2002-09-23 | 2004-10-19 | Numerical Technologies, Inc. | Accelerated layout processing using OPC pre-processing |
-
2002
- 2002-11-27 US US10/306,067 patent/US6854104B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-03 EP EP03025138A patent/EP1424596B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-05 JP JP2003375683A patent/JP4679817B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09319067A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-12-12 | Toshiba Corp | 光近接効果補正方法 |
JP2000091436A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンレイアウト作製方法、lsi用パターン形成方法、並びにlsiの製造方法 |
JP2000314954A (ja) * | 1999-03-04 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Lsi用パターンのレイアウト作成方法、lsi用パターンの形成方法及びlsi用マスクデータの作成方法 |
WO2000067074A1 (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Mentor Graphics Corporation | Streamlined ic mask layout optical and process correction through correction reuse |
JP2002140381A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-05-17 | Infineon Technologies Ag | リソグラフィシミュレーション用マスクレイアウトデータ及びフォトマスク用最適マスクレイアウトデータの生成方法、及び関連する装置及びプログラム |
JP2002328457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-15 | Toshiba Corp | パターン補正方法、パターン補正装置、およびパターン補正プログラムを記録した記録媒体 |
JP2003107664A (ja) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2004109453A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Toshiba Corp | マスクパターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100655428B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 광근접효과보정 시스템 및 방법 |
US7900170B2 (en) | 2005-10-24 | 2011-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method correcting optical proximity effect using pattern configuration dependent OPC models |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4679817B2 (ja) | 2011-05-11 |
US20040103388A1 (en) | 2004-05-27 |
US6854104B2 (en) | 2005-02-08 |
EP1424596A3 (en) | 2004-11-10 |
EP1424596A2 (en) | 2004-06-02 |
EP1424596B1 (en) | 2012-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004177944A (ja) | Opcの高速化のための一次近似システム | |
US6453457B1 (en) | Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout | |
US6625801B1 (en) | Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects | |
US20050055658A1 (en) | Method for adaptive segment refinement in optical proximity correction | |
US6536015B2 (en) | Apparatus and method of correcting layout pattern data, method of manufacturing semiconductor devices and recording medium | |
US10769745B2 (en) | Three-dimensional mesh model watermarking method using segmentation and apparatus thereof | |
US11004251B2 (en) | Automatic configuration of knobs to optimize performance of a graphics pipeline | |
CN111291810B (zh) | 基于目标属性解耦的信息处理模型生成方法及相关设备 | |
US9978134B2 (en) | Sampling method and apparatus applied to OPC of lithography layout | |
US10255397B2 (en) | Methods of rasterizing mask layout and methods of fabricating photomask using the same | |
CN104636530A (zh) | 设计用于半导体器件制造的布局的系统和方法 | |
WO2020031802A1 (ja) | 学習方法、学習装置、モデル生成方法及びプログラム | |
JP2021022056A (ja) | 半導体画像処理装置 | |
CN116342983B (zh) | 生成及使用图刻模型的方法、电子设备和计算机可读介质 | |
CN116841135B (zh) | 掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质 | |
Blum et al. | Approximate convex hull of data streams | |
JP3900296B2 (ja) | パタン形成方法及び集積回路の製造方法 | |
CN116107155A (zh) | 生成光掩模的装置和方法 | |
Pang et al. | Source mask optimization (SMO) at full chip scale using inverse lithography technology (ILT) based on level set methods | |
JP2005316135A (ja) | 設計パターン補正方法と設計パターン作成方法及びプロセス近接効果補正方法 | |
US10553394B2 (en) | Method for the correction of electron proximity effects | |
Jiang et al. | Application of signal reconstruction techniques to shot count reduction in simulation driven fracturing | |
CN116819911B (zh) | 掩模图案的优化方法、装置、曝光设备及存储介质 | |
Lee et al. | Multi-scale curvature-based robust hashing for vector model retrieval and authentication | |
JP4647824B2 (ja) | 描画図形データ作成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091111 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091116 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091211 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091216 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100112 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100629 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |