JPH1187197A - シミュレーション方法及びこの方法を実施するシミュレーション装置 - Google Patents

シミュレーション方法及びこの方法を実施するシミュレーション装置

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JPH1187197A
JPH1187197A JP9268142A JP26814297A JPH1187197A JP H1187197 A JPH1187197 A JP H1187197A JP 9268142 A JP9268142 A JP 9268142A JP 26814297 A JP26814297 A JP 26814297A JP H1187197 A JPH1187197 A JP H1187197A
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JP9268142A
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Mitsutoshi Nakamura
光利 中村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/20Design optimisation, verification or simulation
    • G06F30/23Design optimisation, verification or simulation using finite element methods [FEM] or finite difference methods [FDM]

Abstract

(57)【要約】 【課題】表面ストリングを形成する点の点数の増加に対
する見込み角計算時間の放物線的な増加を回避すること
ができ、前記点数の増加に対して高々線形な計算時間の
増加程度で済む見込み角計算方法及び装置を提供する。 【解決手段】 物理吸着を利用してAl等を真空蒸着す
る半導体装置用などのデポジション工程の二次元形状シ
ミュレーションにおいて、表面形状に粒子が飛来する可
能性がある有効角(見込み角)を高速に算出する方法及
びこの方法を実施するため装置である。まず、物質表面
をあらわすストリング上の点を始点から終点方向へ辿っ
て各点における見込み角を求める際、直前の点が現在の
点の見込み角を決める場合に、その見込み角を即座に計
算(隣り合う線分に共通する一点上で計算(1903)
した補角が負の場合、既知となっている1つ前の点の最
大値又は最小値から前記補角値を引くことによって前記
一点の最大値又は最小値求めるて見込み角を計算する)
し、直前の点が見込み角を決めない場合は見込み角を決
める点を前記線分リストの中から二分法で探索して見込
み角を計算する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を評価
する際に用いられる二次元形状認識及び二次元形状シミ
ュレーションに関し、特に半導体素子の製造過程におい
て生じる素子表面に対して粒子が飛来する可能性がある
有効角(以下、見込み角という)の計算に用いられるシ
ミュレーション方法及びシミュレーション装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路装置などの半導体素子
は、試作品を形成しそれを評価してから量産される。図
24は、その半導体素子の試作品を製造するまでのフロ
ーチャートの概略を示す。まず、基本回路や回路セルを
設計する回路設計が行われ、回路設計に基づいたプロセ
ス設計が行われる。そして、これら設計に基づいて試作
品が形成される。試作品は、電気特性などの評価が行わ
れ、結果が良ければ量産化され、良くなければ回路設計
もしくはプロセス設計まで戻され、これが繰り返され
る。プロセス設計や試作段階では、プロセスシミュレー
ションを行い、評価段階ではデバイスシミュレーション
を行って製品の品質や性能などを向上させている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子の設計段階
では、形状や不純物分布等で決まる半導体素子の電気特
性評価が必要である。従来、この電気特性は、試作によ
る実物を評価した結果を用いていた。しかし、半導体素
子の設計の度に実物を作成して評価したのでは相当の時
間的、人的資源の投資が必要になり、必ずしも効率的な
評価方法とは言えない。また、通常半導体素子は非常に
微細なため、その評価が困難であり、破壊等が困難なも
のがあるため、人間系のみによる評価は、事実上不可能
である。そこで、前記半導体素子の形状を走査顕微鏡な
どにより取り入れ、その形状を画像処理技術等によって
データ化し、前記形状データをコンピュータ等により処
理させる方法や前記形状を初めからコンピュータ等によ
って処理させる方法を用いることにより、半導体素子及
び半導体素子製造方法の事前の評価及び解析を行うこと
ができるプロセスシュミレーション技術が一般に知られ
ている。
【0004】前記プロセスシミュレーション技術とし
て、例えば、S.M.Sze,‘VLSI TECHN
OLOGY’,McGraw−Hill,1993に開
示されている。これは所望の計算が行えるように予め定
められた二次元空間を定義し、前記定義された計算領域
(ウィンド)内の固体物質が存在する領域(以下、物質
領域という)及び真空又は気体物質が存在する領域(以
下、真空領域という)についてのプロセスシミュレーシ
ョンを行うものである。例えば、MOSFETの製造工
程における断面のプロセスシミュレーションを行うと図
25に示す断面形状及び不純物分布が得られる。図25
はトランジスタが形成された半導体基板の断面図であ
り、MOSトランジスタのゲート1が半導体基板上に形
成され、その上に絶縁膜2を介してアルミニウムなどの
金属配線3が形成されている。
【0005】前記プロセスシミュレーションで特に物質
領域の形状変化を扱う部分は、形状シミュレーションと
呼ばれる。このような形状シミュレーションでは、二次
元シミュレーションを行う場合、計算領域における物質
領域と真空領域を示す方法としてストリングモデルが用
いられる。このストリングモデルは二次元の形状を表す
方法として一般に用いられている。例えば、図26に示
すように、点列の連なりもしくは点Pi−1と点Piと
を結ぶ線分Siの連なり(これをストリングという)5
01によって区切られた物質の二次元形状502を示
す。したがって、記憶すべきデータは、順序付けられた
点(境界点)又は線分の番号と座標及び点列の始点の番
号である。また、始点は、点列の中の任意の一点から選
ぶことができるため、その取扱いが容易であるという特
徴を有している。例えば、図27(a)は、MOSトラ
ンジスタのゲート間の断面図を示している。図中の四角
1501に囲まれた部分について前記ストリングモデル
を用いると、図27(b)に示すように各物質領域15
03及び真空領域1502は、点と点又は線分と線分の
連なりで成り立っているとみなすことができる。
【0006】ここで、堆積工程やエッチング工程などの
表面形状変化を計算する形状シミュレーションで取扱う
ストリングは、前記工程で半導体表面部に処理が施され
るため、図27(c)に示すように、真空領域と物質領
域の境界の表面ストリング1504のみ取扱えばよい。
この場合ストリングを構成する境界点の点列の順番は、
一般に真空領域の点列の順番とする。これは、特に複数
の物質領域が表面に露出している場合の処理の容易性を
考慮したためである。また、図27(c)に示すように
真空領域の境界点の順番を定義すると、図27(b)に
おける計算領域の右上の境界点Aから真空領域の境界点
の順番方向へ、真空領域と物質領域に接している境界点
を探すことによって、真空領域と物質領域の境界のスト
リングの始点は容易な処理で、短時間で見つけ出すこと
ができる。前述のように抽出された表面ストリングに関
する形状シミュレーションにおいて、例えば、物理吸着
を利用してアルミニウム等の金属を真空蒸着するデポジ
ション工程のシミュレーションでは、表面形状によって
粒子が飛来する可能性がある有効角(以下、見込み角と
いう)が位置によって異なるために、例えば、図28に
示すように境界点Piでの見込み角計算を全ての境界点
で行わなければならない。
【0007】ここで、図29に示すように、点Pi上で
の見込み角は、基板表面が平らである場合の表面ストリ
ングに対して垂直な方向の基準線を角度の原点として定
義する。すなわち、見込み角は、最小角θmin と最大角
θmax とで与えられる。また、角度θの値の符号は、図
29に示すように、基準線から反時計回りを正とし時計
回りを負としている。図30は、形状シミュレーション
装置の構成を示すブロック図である。この装置は、デー
タ読み込み部201、工程制御部202及び結果出力部
203を備えている。データ読み込み部201は、半導
体製造工程(プロセスフロー)を読み込み、後の工程制
御部202で扱い易い形にデータを交換する。工程制御
部202では、入力された製造工程の順番で対応するシ
ミュレーション部を実行し、最後の工程までそれを繰り
返す。各製造工程に対応するシミュレーションは、例え
ば、リソグラフィー工程の場合にはリソグラフィーシミ
ュレーション部204で、CMP工程の場合にはCMP
シミュレーション部205で、エッチング工程の場合に
はエッチングシミュレーション部206で、そして、デ
ポジション工程の場合にはデポジションシミュレーショ
ン部207で行われる。シミュレーション終了後あるい
は途中の計算結果は、結果出力部203で画面、プリン
ター等に出力されるようになっている。
【0008】図31は、図30に示したデポジションシ
ミュレーション部207の構成を示すブロック図であ
る。デポジションシミュレーション部は、デポジション
シミュレーション制御部を備えている。デポジションシ
ミュレーション制御部301は、図30の工程制御部2
02から必要な情報を受け取り、制御部301が制御す
る他のブロックで必要な情報を受け渡し、時間刻みの更
新などの制御等を行う。そのブロックの中の表面ストリ
ング抽出部302は、前述した方法により真空領域/物
質領域の境界である表面ストリングを抽出する。見込み
角算出部303は、その表面ストリングの各点における
見込み角を後述する方法で算出する。表面ストリング移
動量算出部304は、前記見込み角算出部303で計算
された値を用いて境界点の移動量を算出する。表面スト
リング移動部305は、前記表面ストリング移動量算出
部304で計算された移動量に基づき、境界点を移動さ
せる。異常形状処理部306は、表面ストリング移動部
305で境界点を移動させた場合に発生するストリング
のループや領域外進入等の異常形状を正常な形状に戻す
処理を行う。
【0009】前記見込み角算出部303に用いられる従
来法として、図32に示すように、ある点Piから始点
P1方向へ点を辿って、基準線と辿っている点で定義さ
れる角度θの最小値を求めることによって見込み角の最
大角θmax を求め、さらに点Piから終点Pn方向へ点
を辿って、基準線と辿っている点で定義される角度θの
最大値を求めることによって見込み角の最小角θmin を
求める方法が知られている。図33は、図31の見込み
角算出部303の構成を示す応する従来の見込み角算出
方法のブロック図である。この見込み角算出部は、初期
設定部401、見込み角算出制御・記憶部402及び後
処理部405を備えている。初期設定部401は、見込
み角を求める点列の始点や終点の設定や処理を行う最初
の点の設定等の初期設定を行う。見込み角算出制御・記
憶部402は、処理を行う点列中の点Piを始点から終
点まで移動させる等の制御を行い、各点の最小・最大角
を記憶する。見込み角の最大角算出部403は、処理を
行う点Piから始点方向に点列を辿り、各角θの最小値
を見つけて見込み角の最大角を算出する。見込み角の最
小角算出部404は、処理を行う点Piから終点方向に
点列を辿り角θの最大値を見つけて見込み角の最小角を
算出する。後処理部405は、規定外の最大・最小角で
ある場合の処理を行う。
【0010】図34は、前述の従来の見込み角算出方法
の詳細なフローチャートを示した図である。「始め」か
ら「終り」まで15のステップがある。ステップ901
は、図33の初期設定値401に対応し、ステップ90
2からステップ906までが見込み角の最大角算出部4
03に対応し、ステップ907からステップ911が見
込み角の最小角算出部404に対応し、ステップ912
〜ステップ914が見込み角算出制御・記憶部402に
対応し、ステップ915が後処理部405に対応してい
る。まず、ステップ901では見込み角を求めるための
初期化を行う。具体的には、点列の始点P1と終点Pn
を設定し、処理を行う点Piを始点P1に設定し、境界
条件として与えられる始点P1における見込み角の最大
角と終点Pnにおける見込み角の最小角を設定する。つ
ぎにステップ902で見込み角の最大角の探索用点PL
を、処理を行う点Piに設定し、点PL と点Piで定義
される線分と点Piを通る基準線とのなす角θを計算
し、積分値Σθと見込み角の最大角θmax をθに初期化
する。
【0011】その後のステップ903では、最大角の探
索用の点PL が始点P1に等しいかどうか判断し、条件
が満たされた場合(等しい場合)にステップ907に進
む。一方、ステップ903で条件が満たされない場合、
ステップ904に進み、点PL の始点側の点PL-1 を設
定し、ステップ905で点Piと点PL で定義される線
分と点Piと点PL-1 で定義される線分のなす角Δθを
計算する。次のステップ906では、前記なす角Δθと
積分値Σθの和から積分値Σθを更新し、積分値Σθが
最大角θmax より小さい場合にθmax を積分値Σθに更
新して点PL を点PL-1 に更新する。その後ステップ9
03へ戻り、前記ステップ903からステップ906ま
でのステップを条件が満たされるまでサイクルを繰り返
す。その後のステップ907では、見込み角の最小角の
探索用点PR を処理する点Piに設定し、点PR と点P
iで定義される線分と点Piを通る基準線とのなす角θ
を計算し、積分値Σθと見込み角の最小角θmin をθに
初期化する。
【0012】ステップ908では、最小角の探索用の点
PR が終点Pnに等しいかどうか判断し、条件が満たさ
れた場合(等しい場合)にステップ912に進む。一
方、ステップ908で条件が満たされない場合、ステッ
プ909に進み、点PR の終点側の点PR+1 を設定し、
ステップ910で点Piと点PR で定義される線分と点
Pi と点PR+1 で定義される線分のなす角Δθを計算す
る。次のステップ911では、前記なす角Δθと積分値
Σθの和から積分値Σθを更新し、積分値Σθが最小角
θmin より大きい場合にθmin を積分値Σθに更新して
点PR を点PR+1に更新する。その後、ステップ908
へ戻り、前記ステップ908からステップ911までの
ステップを条件が満たされるまで繰り返す。その後のス
テップ912では、前記ステップ902からステップ9
11で求められた見込み角の最大角θmax と点Piの見
込み角の最小角θmin を記憶してステップ913に進
む。
【0013】ステップ913では、見込み角を計算する
点Piのが終点Pnに等しいかどうか判断し、条件が満
たされた場合(等しい場合)に処理を終了する。一方、
ステップ913で条件が満たされない場合、ステップ9
14に進んで点Piの終点側の点にPiを再設定した
後、ステップ902に戻り、条件が満たされるまでステ
ップ902からステップ914までのステップを繰り返
す。最後にステップ915で、θmax とθmin が規定外
(θmin >θmax の場合など)の値である場合の処理を
行ったあとに処理を終了する。以上従来の見込み角の計
算方法の計算量は、表面ストリングに存在する点の数n
が増大すると、ステップ902からステップ914の処
理に要する時間でほぼ決まる。これは、図34に示すよ
うに、ステップ902からステップ914が2重ループ
になっており、見込み角を計算する点の移動にn回、そ
の各点に対する見込み角の最小角θmin と最大角θmax
の算出にn−1回の演算を要するため、全体としてO
(n2 )の演算が必要となる。これは、その他の処理は
O(n)以下の演算量だからである。したがって、従来
の見込み角計算方法では、点数の増加に対して計算時間
が放物線的に増加し、点数が数千点になると計算時間が
著しく増大するという問題がある。
【0014】図35は、点数145点の場合を1とする
従来手法の計算時間を示す特性図であり、図27に示す
ような形状の表面に対して、表面ストリングの点数を変
化させた場合の計算時間を示しており、点数が145の
場合を基準として無次元化したものである。この図から
分かるように従来の見込み角計算方法では、点数の増加
に対して計算時間が放物線的に増加する。その一方、ス
トリングモデルを用いて二次元の形状を表す場合、形状
を正確に表現するにはストリングの点数を十分に大きく
する必要がある。特に、複雑な形状を有する物質領域や
真空領域を正確に表現するには、シミュレーション領域
の大きさと形状表現の許容誤差の影響を受け、少なくと
も数百点から数千点の境界点数が必要となる。前述した
物理吸着を利用してアルミニウム等を真空蒸着するデポ
ジション工程のシミュレーションにおいても、複雑な表
面形状に対するデポジションシミュレーション結果を正
確に表現するには少なくとも数百点から数千点の境界点
数が必要となる。したがって、形状を正確に表現するよ
うに表面ストリングの点数を増加させると、見込み角の
計算に要する時間が放物線的に増加するため、実用的な
計算時間で計算できないと言う問題があった。
【0015】さらに、前記デポジション工程では表面形
状が時間の変化に伴って刻々と変化するので形状シミュ
レーションでは全デポジション時間を微小時間に分割し
て行う。このため、前記見込み角の計算は各時間ステッ
プ毎に行われることになり、表面ストリングの点数の増
加に対する見込み角の計算時間の増加が放物線的である
ことは深刻な問題となる。本発明は、このような事情に
よりなされたものであり、表面ストリングを形成する点
の点数の増加に対する見込み角計算時間の放物線的な増
加を回避することができ、前記点数の増加に対して高々
一次的(線形)な計算時間の増加程度で済む見込み角計
算方法及び装置を提供し、例えば、物理吸着を利用して
アルミニウム等を真空蒸着する半導体装置などのデポジ
ション工程のシミュレーションを高速でありかつ高精度
に実行することができるシミュレーション方法及びシミ
ュレーション装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、物理吸着を利
用してアルミニウム等を真空蒸着する半導体装置などの
デポジション工程の二次元形状シミュレーションにおい
て、表面形状に粒子が飛来する可能性がある有効角(見
込み角)を高速に算出する方法及びこの方法を実施する
ため装置を特徴とするものであって、次のような構成を
有している。まず、物質表面をあらわすストリング上の
点を始点から終点方向へ辿って各点における見込み角を
求める際、直前の点が現在の点の見込み角を決める場合
に、その見込み角を即座に計算した後、直前の点と現在
の点を結ぶ線分を線分リストへ記憶する。直前の点が見
込み角を決めない場合は、見込み角を決める点を前記線
分リストの中から二分法で探索して見込み角を計算した
後、探索した線分に含まれる見込み角を決める側の点と
現在の点で新たな線分定義して余分な線分を線分リスト
から消去する。これらのことを始点から終点まで行った
後、同様に終点から始点方向へ辿りながら前述した操作
を行うことを特徴とする。二分法を用いて探索する線分
リスト中の線分数を最小限に止めることができるので、
表面ストリングに含まれる点をn、線分リスト中の線分
数をmとすると、O(n log m)(n>m)の手
間で見込み角を計算することができるので従来より計算
する手間が掛からない。従来の手間は、O(n log
n)で表わされる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して発明の実施
の形態を説明する。まず、図2乃至図9、図23を参照
して第1の実施例を説明する。本発明のシミュレーショ
ンを実施するための処理装置10は、各種処理を行うた
めのCPU(Central Processing Unit) 4と、キーボー
ド等の入出力装置5と、メモリやディスク等の外部記憶
装置6と、ディスプレイ等の出力装置7等を具備した通
常のコンピュータシステムが用いられる(図23)。各
ステップにおける演算処理等は前記CPU内の演算部分
で行われる。また、見込み角の最小角(以下、単に「最
小角」という)や見込み角の最大角(以下、単に「最大
角」という)、それらの計算に用いられる線分のリスト
(以下、線分リストという)等の各ステップで用いられ
るデータの格納は、前記CPU内のレジスタ及び外部記
憶装置で行われる。ここで図1で示すように、前記線分
リストは、一つの線分を表すための始点及び終点の番号
の記憶場所と、終点における最小角又は最大角を記憶す
る場所からなる基本単位の配列からなる。
【0018】図2は、第1の実施例のシミュレーション
方法及びこの方法を実施するシミュレーション装置を説
明するシステムを示すブロック図である。このシミュレ
ーションシステムは、最大角算出初期設定部1901、
最大角算出制御・記憶部1902、補角算出部190
3、最大角算出部1904、最小角算出初期設定部19
05、最小角算出制御・記憶部1906、最小角算出部
1907、後処理部1908を具備している。最大角算
出初期設定部1901は、表面ストリングを始点から終
点方向へ辿るための始点の抽出、最大角計算に用いる線
分リストの用意等の初期設定を行う。最大角算出制御・
記憶部1902は、表面ストリング上の点を始点から終
点方向に辿るための制御及び各点毎に算出された最大角
の記憶等の制御を行う。補角算出部1903は、与えら
れた二つの線分の補角を算出する。最大角算出部190
4は最大角の算出に用いる補角の計算及び線分リストの
更新と追加等を行う。最小角算出初期設定部1905
は、表面ストリングを終点から始点方向へ辿るための終
点の抽出、最小角計算に用いる線分リストの用意等の初
期設定を行う。最小角算出制御・記憶部1906は、表
面ストリング上の点を終点から始点方向に辿るための制
御及び各点毎に算出された最小角の記憶等の制御を行
う。最小角算出部1907は、最小角の算出に用いる補
角の計算や線分リストの更新と追加等を行う。最後に後
処理部1908は、最小角と最大角の符号反転等を行
う。
【0019】図3乃至図9は、第1の実施例のシミュレ
ーションを示すフローチャートであり、図3は、フロー
全体の概要を示す図、図4乃至図9は、図3の詳細なフ
ローチャートである。次に、図3を用いてフロー全体の
流れを説明した後、その詳細なフローを説明する。ま
ず、図3のステップ1201において、表面ストリング
上の点を始点から終点方向へ辿るための初期化として、
線分リストと初期線分の作成や点番号iを1にセットす
る等の処理を行う。次に、ステップ1202ではi+1
番目の点Pi+1を抽出し、線分リストの最終線分及び
点Pi+1と点Piで定義される線分の補角θiの計算
を行う。その後、ステップ1203で補角θiの値の評
価に基づいて点Piにおける補角の再計算や線分リスト
の追加・更新を行い、次にステップ1204で点Pi+
1の最大角θLi+1を式(1): θLi+1=θLi−θi ・・・(1) にしたがって計算する。
【0020】その後、ステップ1205で最大角θLi+1
の記憶と点番号iのインクリメントを行った後、ステッ
プ1206で点Pi+1 が終点かどうか判断し、その条件
が成り立つまで繰り返しステップ1202からステップ
1205の処理を行った後にステップ1207へ進む。
ステップ1207において、表面ストリング上の点を終
点から始点方向へ辿るための初期化として、線分リスト
と初期線分の作成や点番号iを点数nにセットする等の
処理を行う。次に、ステップ1208ではi−1番目の
点Pi−1を抽出し、線分リストの最終線分及び点Pi
−1と点Piで定義される線分の補角θiの計算を行
う。その後、ステップ1209で補角θiの値の評価に
基づいて点Piにおける補角の再計算や線分リストの追
加・更新を行い、ステップ1210で点Pi−1の最小
角θRi-1を式(2): θRi-1=θRi−θi ・・・(2) にしたがって計算する。
【0021】その後、ステップ1211で最小角θRi-1
の記憶と点番号iのデクリメントを行う。その後、ステ
ップ1212で点Pi−1が終点かどうか判断し、その
条件が成り立つまでステップ1207からステップ12
11の処理を繰り返し行ってからステップ1213へ進
む。最後に、ステップ1213で各点上の最大角θLiと
最小角θRiの値が通常取りうる値の範囲内にするために
符号を逆転させる。これは、第1の実施例では角度の符
号を反時計回りに定義しているため、最大角が負の値、
最小角が正の値となるからである。
【0022】次に、図3の主要部分のフローチャートで
ある図4乃至図9を用いて詳細に説明する。図4は、図
3のステップ1201の詳細なフローチャートを示して
おり、ステップ1301で始点P1を抽出して点番号i
を1に初期化した後、ステップ1302で境界条件に応
じた初期線分S0と点P0の最大角θL1を計算し、ステ
ップ1303で見込み角を決める点を含む線分リストへ
前記初期線分S0を設定する等の初期化を行う。図5
は、図3のステップ1203の詳細なアルゴリズムを示
したフローチャートである。まず、ステップ1401で
補角θiが負かどうか判断し、該条件が成り立つ場合、
つまり、線分Siの始点Piが点Pi+1の最大角を決
める場合にはステップ1402に進んだ後、線分リスト
へ線分Siを追加し、しかるのち処理を終了する。
【0023】一方、ステップ1401の条件が成り立た
ない場合はステップ1403へ進み、補角θiが負かど
うか判断する。ステップ1403の条件が成り立たない
場合、つまり補角θiが零の場合は、ステップ1404
へ進み、線分リストの最終線分SE の終点番号を点Pi
+1に更新して処理を終了する。ステップ1403の条
件が成り立つ場合は、ステップ1405に進み、線分リ
ストの中から隣り合う二つの線分のそれぞれの始点と終
点を通る二直線で定義される領域に前記点Pi+1が存
在する線分の組み合わせ(Sk、Sk+1)を示す線分
番号kを線分リストの配列番号に対する二分法で抽出す
る。その後のステップ1406では点Pi+1が線分S
kの延長線上であるか否かを判断し、条件が成り立たな
い場合はステップ1407に進み、線分リスト中の最終
線分SE を示す番号Eをk+1に更新する。その後、ス
テップ1408で線分リストの最終線分SE の終点番号
を点Pi+1に更新して処理を終了する。一方、ステッ
プ1406の条件が成り立つ場合は、ステップ1409
で線分Skの始点・終点・点Pi+1で定義される補角
θを再計算し、ステップ1410で線分Skが記憶して
いる最大角と前記補角θiを用いて実効的な補角を再計
算する。そして、ステップ1411で線分リスト中の最
終線分SE を示す番号Eをk+1に更新した後処理を終
了する。
【0024】図6は、図5中の線分リストから二分法で
必要な線分番号k(図中のis)を抽出するステップ1
405の詳細なアルゴリズムを示したフローチャートで
ある。まず、ステップ2001で、線分リスト中の最初
の線分番号0と最後の線分番号nをそれぞれ二分法を行
う区間の下限isと上限ieに格納する。その後、ステ
ップ2002で下限と上限の中点を求め、ステップ20
03でim番目の線分の始点と終点、そして点Pi+1
で定義される補角θを計算する。次のステップ2004
で該補角θが負であるかどうか判断し、条件が成り立つ
場合(負である場合)にはステップ2005へ進み、下
限isの値をimに更新する。一方、ステップ2004
の条件が成り立たない場合は、ステップ2006で上限
ieの値をimに更新する。その後のステップ2007
では、isとieの差が1より大きいかどうか判断し、
条件が満たされればステップ2002へ戻り、条件が成
り立たなくなるまでステップ2002からステップ20
06間での処理を継続した後処理を終了する。
【0025】図7は、図3に示されたステップ1207
の詳細なフローチャートである。ステップ1601で始
点Pnを抽出して点番号iをnに初期化した後、ステッ
プ1602で境界条件に応じた初期線分S0 と点Pnの
最小角θRnを計算し、ステップ1603で線分リストへ
前記初期線分S0を設定する等の初期化を行う。図8
は、図3のステップ1209の詳細なアルゴリズムを示
したフローチャートである。まず、ステップ1701で
補角θiが正かどうか判断し、該条件が成り立つ場合、
つまり線分S1の始点が最小角を決める場合にはステッ
プ1702に進んだ後、線分リストへ線分Siを追加し
て処理を終了する。一方、ステップ1701の条件が成
り立たない場合はステップ1703へ進み、補角θiが
負かどうか判断する。ステップ1703の条件が成り立
たない場合、つまり補角θiが零の場合は、ステップ1
704へ進み、線分リストの最終線分SE の終点番号を
点Pi−1に更新して処理を終了する。ステップ170
3の条件が成り立つ場合は、ステップ1705に進み、
線分リストの中から隣り合う二つの線分のそれぞれの始
点と終点を通る二直線で定義される領域に前記点Pi−
1が存在する線分の組み合わせ(Sk、Sk+1)を示
す線分番号kを線分リストの配列番号に対する二分法で
抽出する。
【0026】その後のステップ1706では、点Pi−
1が線分SK の延長線上であるか否かを判断し、条件が
成り立たない場合はステップ1707に進み、線分リス
ト中の最終線分SE を示す番号Eをk+1に更新した
後、ステップ1708で線分リストの最終線分SE の終
点番号を点Pi−1に更新する。一方、ステップ170
6の条件が成り立つ場合は、ステップ1709で線分S
k の始点・終点・点Pi+1で定義される補角θiを再
計算し、ステップ1710で線分SK が記憶している最
小角と前記補角θiを用いて実効的な補角を再計算し、
ステップ1711で線分リスト中の最終線分SE を示す
番号Eをk+1に更新した後、処理を終了する。図9
は、図8中の線分リストから二分法で必要な線分番号
(図中のis)を抽出するステップ1705の詳細なア
ルゴリズムを示すフローチャートである。まず、ステッ
プ2101で、線分リスト中の最初の線分番号0と最後
の線分番号nをそれぞれ二分法を行う区間の下限isと
上限ieに格納する。その後、ステップ2102で下限
と上限の中点を求め、ステップ2103でim番目の線
分の始点と終点、そして点Pi−1で定義される補角θ
を計算する。
【0027】次のステップ2104でこの補角θが正で
あるかどうか判断し、条件が成り立つ場合(正の場合)
にはステップ2105へ進み、下限isの値をimに更
新する。一方、ステップ2104の条件が成り立たない
場合は、ステップ2106で上限ieの値をimに更新
する。その後のステップ2107では、isとieの差
が1より大きいかどうか判断し、条件が満たされればス
テップ2102へ戻り、条件が成り立たなくなるまでス
テップ2102からステップ2106間での処理を継続
して処理を終了する。以上述べたように、第1の実施例
は上述したブロック及びアルゴリズムから構成される。
次に、第1の実施例の作用を具体的に述べる。なお、以
下の説明では、図28に示すような表面形状に対する堆
積工程シミュレーションを行う場合に必要となる見込み
角計算を例として説明を行う。
【0028】図10は、第1の実施例の見込み角算出方
法を示す概略図である。見込み角の最大値は、図10
(a)に示すように、ストリングを始点から終点方向に
辿る場合、図中の実線で示した部分では1つ前の点が最
大角を決め、点線で示された部分ではこの実線で示され
ている部分に含まれている1点が最大角を決める。一
方、見込み角の最小角は、図10(b)に示すようにス
トリングを終点から始点方向に辿る場合、図中の実線で
示した部分では1つ前の点が最小角を決め、点線で示さ
れた部分ではこの実線で示されている部分に含まれてい
る1点が最小角を決める。したがって、見込み角の最大
角と最小角を求めるには、ストリングを始点から終点方
向に辿ることによって最大角を求め、その後、ストリン
グを終点から始点方向に辿ることによって最小角を求め
れば良いことになる。ここで、1つ前の点が最大角又は
最小角を決めるか否かの判断は、図11に示す様に、ス
トリングを辿る方向に対して定義された点Piにおける
補角θと、反時計回り(本発明では、角度の符号は反時
計回りを正として定義している)を正として定義した補
角の符号を用いて判断できる。この図11は、隣り合う
2つの線分の補角の定義を説明する概略図である。
【0029】この事実に基づき、第1の実施例では、図
12に示すように、まずストリングを始点から終点方向
に辿る。隣り合う線分に共通する点Pi上で計算した補
角が負の場合は、1つ前の点が最大角を決めるので、既
知となっている1つ前の点の最大値から前記補角の値を
引くことによって点Piの最大角を求める。また、後の
処理のために点Piを始点に持つ線分を線分リストに記
憶する。ここで、ストリングの始点P1では補角を求め
られないので、始点Piを通る任意の線上の点P0を与
えることによって初期線分を定義する。図12に示した
例では、簡単のために、基準線を用いている。図12
は、1つ前の点が最大角を決める場合の処理方法を説明
する概略図である。以上のことから、第1の実施例で
は、隣り合う線分に共通する点Pi上で計算した補角が
負であるような点上のそれぞれの最大角は、その点の数
をn1 とすると、O(n1 )の手数で求められる。
【0030】一方、第1の実施例では、ストリングを辿
り、隣り合う線分に共通する点Pi上で計算した補角が
正となる場合、図13に示すように、前述した線分リス
ト中の線分をストリングを辿る方向へ延長した時に、隣
り合う2線分で定義される領域に点Piを含む2線分を
二分法で検索する。この様に構成する理由は、そのよう
に検出した隣り合う線分に共通する点が点Piの最大角
を決める点であると言う事実に基づいている。その後、
図13に示すように、前述した点Piの最大角を決める
点を終点に持つ線分リスト中の線分と点Piで定義され
る補角θE-1を計算し、点Piの最大角を決める点の最
大角を用いて点Piの最大角を求める。図13は、最大
角を求める際線分リストを検索し補角の再計算を行う方
法を説明する概略図である。このことからこの実施例で
は、ストリングを辿り、隣り合う線分に共通する点Pi
上で計算した補角が正となる部分に存在する点上の最大
角は、その点の数をn2 とすると、O(n2 ・log2
(n1 ))の手間で求められる。さらに第1の実施例で
は、図14に示すように、前述した点Piの最大角を決
める点を始点に持つ線分リスト中の線分の終点を点Pi
に更新し、線分リストの最終線分とする。この様にする
と、図15に示すように、点Pi の最大角を求める時に
検索する線分リストは同図中の実線部分になる。
【0031】図14は、最大角を求める際の線分リスト
の更新方法を説明する図であり、図15は、最大角を求
める際の線分リストの更新によりストリングと線分リス
トの関係を説明する図である。このことから、第1の実
施例では、二分法を行う線分リスト中の線分の数を最小
限に止めることが生きるので、検索を行う毎の線分リス
ト中の線分数の平均値をm(m<n1 )とすると、O
(n2 ・log2 (m))の手間で最大角を求められ
る。なお、見込み角の最小値を求める際には、図12に
示した方法と同様の処理を図16に示す様な角度の定義
及び計算式を用いて行えば良い。この場合の計算に要す
る手間は前述した最大角計算に要する手間と等しい。図
16は、最小角を求める際に行う処理方法を示す図であ
る。以上をまとめると、第1の実施例では、最大角及び
最小角を求めるために要する手間は、凹凸がない形状で
はO(n)、凹凸がある場合にO(n・log
2 (m))となる。従って、第1の実施例により見込み
角を求めた場合の計算時間と従来方法で見込み角を求め
た場合の計算時間の比は、ほぼ線形に変化すると言え
る。図17は、図25に示す表面形状を持つ素子に対す
る堆積シミュレーションを行う場合に行う見込み角計算
に要する計算時間を比較した特性図であり、縦軸に従来
手法の計算時間/本発明の計算時間で表わされる速度
比、横軸に表面ストリングの点数を示す。同図より、計
算速度比はほぼ線形に変化しており、第1の実施例によ
れば、表面ストリングの点数が500点の時に約100
倍、表面ストリングが1000点の時に約200倍従来
手法よりも高速である。
【0032】次に、図18乃至図22を参照して第2の
実施例を説明する。ところで、前述の第1の実施例で
は、図18(a)に示すようなストリングに対する見込
み角を求めることができない。これは、図18(b)に
示すように、ストリングを始点から終点方向へ点Pjま
で辿った場合、図18(c)に示すように点Pjが検索
する線分リスト中の線分で定義される範囲外にある時に
見込み角の最大角を正しく計算できなくなる。そこで第
2の実施例は、このような事情によりなされたものであ
る。以下、本発明のシミュレーション方法及びシミュレ
ーション装置に係る第2の実施例を説明する。第2の実
施例は、第1の実施例に基づいており、第1の実施例の
一部を変更したものであるのでこの変更した部分につい
てのみ説明する。図19は、本発明による第2の実施例
のシミュレーション方法及びシミュレーション装置を説
明するシステムを示すブロック図である。このシミュレ
ーションシステムは、図2に示した第1の実施例のもの
に、従来手法の最大角算出部2205と従来手法の最小
角算出部2209を付加して構成されている。従来手法
の最大角算出部2205は、第1の実施例で処理できな
い条件の場合に表面ストリング上の一部のストリングに
対して従来手法の最大角算出方法に基づいて最大角を算
出する。また、従来手法の最小角算出部2209は、第
1の実施例で処理できない条件の場合に表面ストリング
上の一部のストリングに対して従来の最小角算出方法に
基づいて最小角を算出する。
【0033】図20と図21は、本発明による第2の実
施例独自部分を示したフローチャートである。第2の実
施例のフローチャートの全体は、図5と図8に示す第1
の実施例のステップ1402及びステップ1702をそ
れぞれ図20と図21に示すアルゴリズムに入れ替えた
ものである。そこで、図20と図21に示すアルゴリズ
ムについて以下に述べる。まず図20のアルゴリズムで
は、ステップ1501において、点Pi−1と点Pi及
び点Pi+1から補角を再計算する。その後、ステップ
1502で線分を線分リストへ追加する場合かどうか、
つまり、ステップ1501で計算した補角θiが負かど
うか判断し、条件が成り立つ場合はステップ1503へ
進んだ後、線分Siを線分リストへ追加して処理を終了
する。ステップ1502の条件が成り立たない場合はス
テップ1504へ進み、点の最大角を求める従来手法を
行う範囲(点Pi−1から線分リスト中の最終線分の始
点まで)を設定し、ステップ1505で探索用の点PL
を点Pi−1に初期化する。その後、従来手法と同様な
アルゴリズムであるステップ1506からステップ15
08を実行(点PL と点Pc とで定義される線分と基準
線分との角θを算出する(1506)、角θとその最小
値の比較から必要な場合に最大角θmax を更新する(1
507)、点PL が始点に達したか判断する(150
8))し、ステップ1509で線分リストのSE-1 番目
の線分から前記ステップで求められた点を終点に持つ線
分までのストリングに含まれる線分を線分リストに付加
し、ステップ1510で最大角を決める点を始点に持
ち、点Pi+1を終点に持つ線分を線分リストの最後に
付加して処理を終了する。
【0034】一方、図21のアルゴリズムでは、ステッ
プ1801において点Pn−i+2と点Pn−i+1及
び点Pi−nから補角を求める。その後、ステップ18
02で線分を線分リストに追加する場合かどうか、つま
り、ステップ1801で計算した補角θiが正かどうか
判断し、条件が成り立つ場合はステップ1803へ進ん
だ後、線分Siを線分リストへ追加して処理を終了す
る。また、ステップ1802の条件が成り立たない場合
はステップ1804へ進み、点の最小角を求める従来手
法を行う範囲(点Pn−i+1から線分リスト中の最終
線分の始点まで)を設定し、ステップ1805で探索用
の点PR を点Pn−i+1に初期化する。その後、従来
手法と同様なアルゴリズムであるステップ1806から
ステップ1808を実行(点PR と点Pc で定義される
線分と基準線分との角θを算出する(1806)、角θ
とその最大値の比較から必要な場合に最小角θmin を更
新する(1807)、点PR が始点に達したか判断する
(1808))し、ステップ1809で線分リストのS
E-1 番目の線分から前記ステップで求められた点を終点
に持つ線分までのストリングに含まれる線分を線分リス
トに付加し、ステップ1810で最小角を決める点を始
点に持ち、点Pn−iを終点に持つ線分を線分リストの
最後に付加して処理を終了する。
【0035】以上述べたように、第2の実施例は前述し
たブロック及びアルゴリズムから構成される。次に、第
2の実施例の作用を具体的に述べる。第2の実施例は、
例えば、図22に示すようにストリングを始点から終点
方向に辿る場合、最大角を求める点Pjが線分リスト中
の線分で定義される範囲外にある時、点Pjの最大角を
決める点は、必ず線分リスト中の最終線分の始点から点
Pj の一つ前の点までのストリング(図22(b)中の
実線部)中に存在するという事実に基づいている。従っ
て、第2の実施例では、前述したように第1の実施例で
見込み角を正しく求められない場合には、線分リスト中
の最終線分の始点から最大角を求める点の1つ前の点の
間に存在する点を検索する。このことから、第2の実施
例は、前述した第1の実施例で求められない見込み角も
正しく求めることができる。
【0036】また、この検索において、第2の実施例で
は従来手法と同様の方法で検索を行っている。この場
合、線分リスト中の最終線分の始点から最大角を求める
点の一つ前の点の間に存在する点の数をnb 、ストリン
グを辿る際にこの様な検索を行う必要のある点の数をn
p とすると、見込み角を求めるために要する手間は、O
(n・log(m)+nb ・np )となる。形状シミュ
レーションで取り扱う形状では、一般にnb <<n、n
p <<nの関係が成り立つので、この第2の実施例にお
いても見込み角を要する手間はほぼO(n・log
(m))で済む。ここで、前述した条件:nb <<n、
np <<nが成り立たないようなストリングを取り扱う
場合、この第2の実施例は見込み角の計算に要する手間
がほぼO(n2 )になって実用性を失う。この様な場
合、前記検索に対し、第1の実施例で行った二分法によ
る探索を行えば良い。この場合、必要な手間はO(n・
log(m)+np ・log(nb ))であり、見込み
角の計算に要する実質的な手間はほぼO(n・log
(m))となる。
【0037】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、表面スト
リングを形成する点の点数の増加に対する見込み角計算
時間の放物線的な増加を回避することができ、前記点数
の増加に対して高々一次的(線形)な計算時間の増加程
度で見込み角を求めることができる。そのため形状の表
面精度を向上するためにストリングの点数を増加させる
事が可能となる。また、物理モデルに基づくシミュレー
ション精度を向上させるために時間刻みを増加させるこ
とが可能となる。したがって、本発明によれば、例えば
物理吸着を利用してアルミニウムなどを真空蒸着するデ
ポジション工程のシミュレーションを高速かつ高精度に
実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の見込み角算出方法で用いる線分リスト
を示す図。
【図2】本発明の見込み角算出装置のブロック図。
【図3】本発明の見込み角算出方法の概要を示すフロー
チャート図。
【図4】図3中のステップ1201の詳細なフローチャ
ート図。
【図5】図3中のステップ1203の詳細なフローチャ
ート図。
【図6】図5中のステップ1405の詳細なフローチャ
ート図。
【図7】図3中のステップ1207の詳細なフローチャ
ート図。
【図8】図3中のステップ1209の詳細なフローチャ
ート図。
【図9】図8中のステップ1705の詳細なフローチャ
ート図。
【図10】本発明の見込み角算出方法の概要を示す図。
【図11】隣り合う2つの線分の補角の定義を説明する
図。
【図12】1つ前の点が最大角を決める場合の処理方法
を説明する図。
【図13】最大角を求める際の線分リストを検索し補角
を再計算する方法を説明する図。
【図14】最大角を求める際の線分リストの更新方法を
説明する図。
【図15】最大角を求める際の線分リストの更新による
ストリングと線分リストとの関係を示す図。
【図16】最小角を求める際に行う処理方法を示す図。
【図17】本発明の見込み角が算出できない場合を示す
図。
【図18】従来の見込み角算出方法が必要な場合を説明
する図。
【図19】本発明の見込み角算出装置のブロック図。
【図20】第2の実施例の第1の実施例の最大角算出部
と異なる部分の方法を示すフローチャート図。
【図21】第2の実施例の第1の実施例の最小角算出部
と異なる部分の方法を示すフローチャート図。
【図22】本発明の見込み角算出方法を説明する図。
【図23】本発明を実施するための処理装置のブロック
図。
【図24】半導体装置を製造する工程を説明するフロー
図。
【図25】MOSFETの製造工程のプロセスシミュレ
ーション結果を示す図。
【図26】ストリングモデルを説明する図。
【図27】半導体素子の断面形状の模式図、その一部に
ストリングモデルを適用した断面図、その真空領域と物
質領域の境界点のストリングを抽出した図。
【図28】見込み角を説明する図。
【図29】見込み角の最大角と最小角の定義を説明する
図。
【図30】従来の形状シミュレーション装置のブロック
図。
【図31】図30中のデポジションシミュレーション部
207の詳細なブロック図。
【図32】従来の見込み角算出方法を説明する図。
【図33】図31中の見込み角算出部303の詳細なブ
ロック図。
【図34】従来の見込み角算出方法のフローチャート
図。
【図35】従来の見込み角の算出に要する時間を示す
図。
【符号の説明】
1・・・ゲート、 2・・・絶縁膜、 3・・・金
属配線、4・・・CPU、 5・・・入出力装置、
6・・・外部記憶装置、7・・・ディスプレイ(出力
装置)。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 形状を点と点を結ぶ線分の連なりである
    ストリングにより閉じた領域を表現する段階と、 前記ストリングの一部からなるストリング上の各点にお
    ける粒子が飛来する可能性がある見込み角をすべて求め
    る段階とを備え、 前記見込み角をすべて求める段階において、前記ストリ
    ング上の一点の1つ前の点が前記一点の見込み角を決め
    る場合とそれ以外の場合に分離して処理を行うことを特
    徴とする物理吸着を利用して金属を真空蒸着するデポジ
    ション工程の二次元形状シミュレーション方法。
  2. 【請求項2】 前記見込み角をすべて求める段階におい
    て、前記一点から始点方向へ点を辿って、基準線と辿っ
    ている点で定義される角度の最小値を求めることによっ
    て見込み角の最大角を求め、さらに前記一点から終点方
    向へ点を辿って、基準線と辿っている点で定義される角
    度の最大値を求めることによって見込み角の最小角を求
    め、両者から前記見込み角を求めることを特徴とする請
    求項1に記載のシミュレーション方法。
  3. 【請求項3】 前記ストリング上の一点の1つ前の点が
    前記一点の見込み角を決める場合において、ストリング
    を始点から終点方向に辿り、隣り合う線分に共通する前
    記一点上で計算した補角が負の場合、既知となっている
    1つ前の点の最大値から前記補角値を引くことによって
    前記一点の最大角を求め、次いでストリングを終点から
    始点方向に辿り、隣り合う線分に共通する前記一点上で
    計算した補角が正の場合、既知となっている1つ前の点
    の最大値から前記補角値を引くことによって前記一点の
    最小角を求めることを特徴とする請求項1又は請求項2
    に記載のシミュレーション方法。
  4. 【請求項4】 ストリングを始点から終点方向に辿り、
    隣り合う線分に共通する一点上で計算した補角が正の場
    合、前記ストリング上の一点の1つ前の点が前記一点の
    見込み角を決める部分に存在する一線分の終点側の点か
    ら前記一点の見込み角を決める一点を検索し、検索した
    線分の始点側の点及び終点側の点と前記隣り合う線分に
    共通する一点を用いて補角を再計算し、前記検索した線
    分の終点側の点で既知となっている最大値から再計算し
    た補角を引くことによって前記隣り合う線分に共通する
    一点の最大角を求め、次いで、ストリングを終点から始
    点方向に辿り、隣り合う線分に共通する一点上で計算し
    た補角が負の場合、前記ストリング上の一点の1つ前の
    点が前記一点の見込み角を決める部分に存在する一線分
    の始点側の点から前記一点の見込み角を決める一点を検
    索し、検索した線分の終点側の点及び始点側の点と前記
    隣り合う線分に共通する一点を用いて補角を再計算し、
    前記検索した線分の終点側の点で既知となっている最小
    値から再計算した補角を引くことによって前記隣り合う
    線分に共通する一点の最小角を求めることを特徴とする
    請求項3に記載のシミュレーション方法。
  5. 【請求項5】 前記ストリングの一部からなるストリン
    グ上の各点における見込み角を全て求める段階におい
    て、ある点の一つ前の点が前記ある点の見込み角を決め
    る場合に、前記2つの点から見込み角を求め、前記2つ
    の点で構成される線分を配列状の線分リストにし、ある
    点の1つ前の点が前記ある点の見込み角を決めない場合
    に、前記配分リスト中の線分をストリングへ辿る方向へ
    延長した半直線を作り、隣り合う2つの半直線で狭まれ
    る前記見込み角を求めようとする点を含む二線分を配列
    番号に対する二分法で検索し、前記二線分が共有する点
    を用いて見込み角を求めることを特徴とする請求項4に
    記載のシミュレーション方法。
  6. 【請求項6】 形状を点と点を結ぶ線分の連なりである
    ストリングにより閉じた領域で表現し、前記ストリング
    の一部からなるストリング上の各点における粒子が飛来
    する可能性がある見込み角をすべて求める手段を具備
    し、 前記見込み角を求める手段は、前記ストリング上の一点
    の一つ前の点が前記一点の見込み角を決める手段と、そ
    れ以外の場合は分離して処理を行う手段とからなること
    を特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の
    シミュレーション方法を実施するシミュレーション装
    置。
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