JP4677397B2 - Electrostatic adsorption method - Google Patents
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Description
本発明は、双極型の静電チャック装置を用いた被吸着物の静電吸着方法に関する。 The present invention relates to a method for electrostatically attracting an object to be attracted using a bipolar electrostatic chuck device.
静電チャック装置は、内部に設けた電極に電圧を印加することよって被吸着物を静電吸着させる装置である。
静電チャック装置としては、単極型および双極型の2種類の静電チャック装置が知られている。単極型の静電チャック装置は、1つの電極と1つの被吸着物との間に電位差を生じさせることにより被吸着物を吸着する。双極型の静電チャック装置は、2つの電極にそれぞれ極性の異なる電圧を印加し、2つの電極間に電位差を生じさせることにより1つの被吸着物を吸着する(例えば、特許文献1)。
The electrostatic chuck device is a device that electrostatically attracts an object to be attracted by applying a voltage to an electrode provided therein.
As an electrostatic chuck device, two types of electrostatic chuck devices of a monopolar type and a bipolar type are known. A monopolar electrostatic chuck apparatus adsorbs an object to be adsorbed by generating a potential difference between one electrode and one object to be adsorbed. The bipolar electrostatic chuck device adsorbs one object to be adsorbed by applying voltages having different polarities to the two electrodes and generating a potential difference between the two electrodes (for example, Patent Document 1).
しかし、2個以上の被吸着物を重ねた状態で静電チャック装置に吸着させる方法、および該被吸着物のうち、静電チャック装置側の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を離脱させる方法は、いままで知られていない。
よって、本発明の目的は、2個以上の被吸着物を重ねた状態で静電チャック装置に吸着させる静電吸着方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、静電チャック装置に吸着させた2個以上の被吸着物のうち、静電チャック装置側の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を離脱させる静電吸着方法を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide an electrostatic adsorption method in which two or more objects to be adsorbed are adsorbed to an electrostatic chuck device.
Another object of the present invention is to detach other objects to be adsorbed while adsorbing the objects to be adsorbed on the electrostatic chuck apparatus side, out of two or more objects to be adsorbed to the electrostatic chuck apparatus. It is to provide an electrostatic adsorption method.
本発明の静電吸着方法は、2つ以上の電極を有する静電チャック装置の各電極に極性の同じ電圧を印加して、n個(nは2以上の整数である。)の被吸着物を重ねた状態で前記静電チャック装置に静電吸着させる静電吸着方法であって、前記電極のうちいずれかの電極の電位を0Vに近づけて電極間の電位差を大きくすることによって、前記静電チャック装置に近いi個(iは1以上n−1以下の整数である。)の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を前記静電チャック装置から離脱させることを特徴とする。 In the electrostatic adsorption method of the present invention, n (n is an integer of 2 or more) objects to be adsorbed by applying a voltage having the same polarity to each electrode of an electrostatic chuck device having two or more electrodes. In which the electrostatic chuck is electrostatically attracted to the electrostatic chuck device by increasing the potential difference between the electrodes by bringing the potential of any one of the electrodes close to 0V. The present invention is characterized in that i objects (i is an integer of 1 to n-1) close to the electric chuck device are adsorbed and other objects to be adsorbed are separated from the electrostatic chuck device. To do.
前記電極が、第1の電極と第2の電極とからなり、前記第2の電極の面積を前記第1の電極の面積よりも大きくし、第1の電極と第2の電極との電位差を大きくする際には、前記第1の電極の電圧を変化させることなく、前記第2の電極の電圧を変化させることが好ましい。 The electrode comprises a first electrode and a second electrode, the area of the second electrode is made larger than the area of the first electrode, and the potential difference between the first electrode and the second electrode is increased. When increasing, it is preferable to change the voltage of the second electrode without changing the voltage of the first electrode.
前記電極が、第1の電極と第2の電極とからなり、前記第2の電極の面積を前記第1の電極の面積よりも大きくし、第1の電極と第2の電極との電位差を大きくする際には、前記第2の電極の電圧を変化させることなく、前記第1の電極の電圧を変化させることが好ましい。 The electrode comprises a first electrode and a second electrode, the area of the second electrode is made larger than the area of the first electrode, and the potential difference between the first electrode and the second electrode is increased. When increasing the voltage, it is preferable to change the voltage of the first electrode without changing the voltage of the second electrode.
本発明の静電吸着方法によれば、2個以上の被吸着物を重ねた状態で静電チャック装置に吸着させることができる。
また、本発明の静電吸着方法によれば、静電チャック装置に吸着させた2個以上の被吸着物のうち、静電チャック装置側の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を離脱させることができる。
According to the electrostatic adsorption method of the present invention, two or more objects to be adsorbed can be adsorbed to the electrostatic chuck device in a stacked state.
In addition, according to the electrostatic chucking method of the present invention, among the two or more objects to be attracted to the electrostatic chuck device, the object to be attracted on the electrostatic chuck device side is attracted and another attracted object is attracted. Things can be removed.
<静電チャック装置>
図1は、本発明における静電チャック装置の一例を示す断面図である。静電チャック装置10は、基板20と、該基板20に接着剤層21を介して接着される電極シート30とを具備する。
<Electrostatic chuck device>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an electrostatic chuck device according to the present invention. The
(電極シート)
電極シート30は、一対の絶縁性有機フィルム31、32が、絶縁性接着剤層33を介して貼着され、絶縁性接着剤層33内に第1の電極34および第2の電極35が交互に配設されたものである。絶縁性有機フィルム32の露出面が、被吸着物を吸着する吸着面となる。
(Electrode sheet)
In the
図2は、電極シート30の正面図である。第1の電極34および第2の電極35は、櫛歯状電極であり、これら櫛歯状電極が所定間隔をあけて互いに接触することなく噛み合った状態で同一平面上に配設されている。また、第1の電極34および第2の電極35は、それぞれ、櫛歯状電極から延びるリード線の先端に形成された端子36、37を有する。
FIG. 2 is a front view of the
なお、第1の電極34および第2の電極35は、図1に示すように、絶縁性有機フィルム31に接して形成されていてもよく、図3に示すように、絶縁性有機フィルム31、32から離間するように形成されていてもよく、図4に示すように、絶縁性有機フィルム32に接して形成されていてもよい。
In addition, the
絶縁性有機フィルム31、32の材料としては、ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート等。)、ポリオレフィン(ポリエチレン等。)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、トリアセチルセルロース、シリコーンゴム等が挙げられ、絶縁性に優れる点から、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、シリコーンゴム、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォンが好ましく、ポリイミドが特に好ましい。
ポリイミドフィルムの市販品としては、東レ・デュポン社製の商品名カプトン、宇部興産社製の商品名ユーピレックス、カネカ社製の商品名アピカル等が挙げられる。
Examples of the material for the insulating
Examples of the commercially available polyimide film include trade name Kapton manufactured by Toray DuPont, trade name Upilex manufactured by Ube Industries, and trade name Apical manufactured by Kaneka.
絶縁性有機フィルム31、32の厚さは、20〜150μmが好ましく、25〜75μmがより好ましい。被吸着物を吸着する側の絶縁性有機フィルム32の厚さが20μm未満では、表面の傷によって絶縁性が低下するおそれがある。絶縁性有機フィルム32の厚さが150μmを超えると、充分な静電吸着力が得られないおそれがある。
20-150 micrometers is preferable and, as for the thickness of the insulating
絶縁性接着剤層33の絶縁性接着剤としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、スチレン系ブロック共重合体、アミン化合物、ビスマレイミド化合物等から選択される1種以上の樹脂を主成分とする接着剤が挙げられる。
Examples of the insulating adhesive for the insulating
エポキシ樹脂としては、ビスフェノール型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、グリシジルエーテル型、グリシジルエステル型、グリシジルアミン型、トリヒドロキシフェニルメタン型、テトラグリシジルフェノールアルカン型、ナフタレン型、ジグリシジルジフェニルメタン型、ジグリシジルビフェニル型等の2官能以上のエポキシ樹脂等が挙げられ、ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が特に好ましい。 Epoxy resins include bisphenol, phenol novolac, cresol novolac, glycidyl ether, glycidyl ester, glycidylamine, trihydroxyphenylmethane, tetraglycidylphenolalkane, naphthalene, diglycidyldiphenylmethane, and diglycidyl. Bifunctional or higher functional epoxy resins such as biphenyl type can be mentioned, bisphenol type epoxy resin is preferable, and bisphenol A type epoxy resin is particularly preferable.
エポキシ樹脂を主成分とする接着剤は、必要に応じて、イミダゾール類、第3アミン類、フェノール類、ジシアンジアミド類、芳香族ジアミン類、有機過酸化物等の硬化剤、硬化促進剤を含んでいてもよい。 The adhesive mainly composed of an epoxy resin contains curing agents such as imidazoles, tertiary amines, phenols, dicyandiamides, aromatic diamines, organic peroxides, and curing accelerators as necessary. May be.
フェノール樹脂としては、アルキルフェノール樹脂、p−フェニルフェノール樹脂、ビスフェノールA型フェノール樹脂等のノボラックフェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂、ポリフェニルパラフェノール樹脂等が挙げられる。 Examples of the phenol resin include novolak phenol resins such as alkylphenol resins, p-phenylphenol resins, and bisphenol A type phenol resins, resole phenol resins, and polyphenylparaphenol resins.
スチレン系ブロック共重合体としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(SBS)、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体(SIS)、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン共重合体(SEPS)等が挙げられる。 Examples of the styrene block copolymer include styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), Examples include styrene-ethylene-propylene-styrene copolymer (SEPS).
第1の電極34および第2の電極35としては、銅、アルミニウム、金、銀、白金、クロム、ニッケル、タングステン、これらの合金等の金属薄膜をパターニングしたものが好ましい。金属薄膜としては、蒸着、メッキ、スパッタリング等により成膜されたもの、導電性ペーストを塗布乾燥して成膜されたもの、銅箔等の金属箔等が挙げられる。
As the
第1の電極34および第2の電極35の厚さは、1〜50μmが好ましく、3〜25μmがより好ましい。電極の厚さが1μm未満では、均一な膜を形成しにくいため安定した製造が困難になる上、外部の電源装置からの配線をはんだ等により接合する場合には、接合部の強度が不充分になるおそれがある。電極の厚さが50μmを超えると、吸着面に現れる凹凸が顕著になることにより、被吸着物と接する部分の平面度が損なわれやすく、結果として静電チャック装置10と被吸着物との吸着面における密着性が減少し、吸着力の低下や不安定さを引き起こすおそれがある。また、第1の電極34と第2の電極35との間の電気絶縁を行うべき絶縁性接着剤層33の埋まり込みが不充分になって、絶縁破壊を起こすおそれがある。電極の厚さが25μm以下であれば、第1の電極34と第2の電極35との間の電気絶縁を行うべき絶縁性接着剤層33の埋まり込みが充分に行えるため、静電チャック装置10の絶縁耐久性が向上する。
第1の電極34および第2の電極35の幅は、0.05〜10mmが好ましい。電極の幅が0.05mm未満では、静電吸着に充分な電界強度を発現できないおそれがある。電極の幅が10mmを超えると、双極型静電チャック装置の特徴であるグラディエント力を発現するための電界強弱の繰り返し間隔が大きくなりすぎて充分な吸着力を発現できないおそれがある。
第1の電極34と第2の電極35との間隔は、2mm以下が好ましい。電極の間隔が2mmを超えると、電極間に充分な静電力が発現せず、吸着力が不充分となるおそれがある。
1-50 micrometers is preferable and, as for the thickness of the
The width of the
The distance between the
(基板)
基板20としては、アルミニウム基板、ステンレス基板、セラミック基板等が挙げられる。
接着剤層21の接着剤としては、絶縁性接着剤層33の接着剤と同様のものが挙げられる。
(substrate)
Examples of the
Examples of the adhesive for the
<吸着方法>
以下、静電チャック装置10を用いた本発明の静電吸着方法を説明する。
<Adsorption method>
Hereinafter, the electrostatic adsorption method of the present invention using the
まず、図5に示すように、アースに接続された台50の上に、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42を、第1の被吸着物41が上側となるように重ねて配置する。ついで、第1の被吸着物41上に、電極シート30側を下に向けて静電チャック装置10を移動させ、第1の被吸着物41の表面に電極シート30側を接触させる(ステップA)。
なお、第1の被吸着物41と第2の被吸着物42とは、ずれていてもよい。
First, as shown in FIG. 5, the
In addition, the 1st to-
第1の電極34および第2の電極35に電圧を印加して(好ましくは、極性の同じ電圧を印加して)、図6に示すように、第1の被吸着物41を静電チャック装置10に吸着させると同時に、該第1の被吸着物41を介して第2の被吸着物42を静電チャック装置10に吸着させ、静電チャック装置10を上方に移動させる(ステップB)。
A voltage is applied to the
ついで、プラズマ等によるドライエッチング処理等の所定の処理を行った後、第1の電極34と第2の電極35と間の電位差を大きくして、図7に示すように、第1の被吸着物41を吸着させたままで、第2の被吸着物42のみを静電チャック装置10から離脱させる(ステップC)。
Next, after performing a predetermined process such as a dry etching process using plasma or the like, the potential difference between the
静電チャック装置10に吸着されたままの第1の被吸着物41は、静電チャック装置10ごと次の工程へと搬送される。また、該工程において、第1の電極34と第2の電極35と間の電位差を小さくして(元に戻して)、別の第2の被吸着物を第1の被吸着物41を介して静電チャック装置10に吸着させてもよい。
The first object to be attracted 41 that is still attracted to the
本発明において、「導電体」は、静電吸着を行う環境下における電気伝導率がおおむね106S/cm以上である被吸着物を指し、「絶縁体」は、静電吸着を行う環境下における電気伝導率がおおむね10−6S/cm以下である被吸着物を指す。
2種類の被吸着物のうち、一方の電気伝導率がおおむね10−6S/cm以上106S/cm以下である、いわゆる「半導体」である場合、他方の被吸着物が導電体であれば、半導体を絶縁体として取り扱い、他方の被吸着物が絶縁体であれば、半導体を導電体として取り扱うことができる。
In the present invention, the “conductor” refers to an object to be adsorbed having an electric conductivity of approximately 10 6 S / cm or more in an environment where electrostatic adsorption is performed, and the “insulator” refers to an environment where electrostatic adsorption is performed. It refers to an object to be adsorbed having an electric conductivity of approximately 10 −6 S / cm or less.
When the electric conductivity of one of the two types of adsorbents is approximately 10 −6 S / cm or more and 10 6 S / cm or less, which is a so-called “semiconductor”, the other adsorbent may be a conductor. For example, if the semiconductor is handled as an insulator and the other object to be adsorbed is an insulator, the semiconductor can be handled as a conductor.
第1の被吸着物41としては、絶縁体または半導体が好ましい。具体的には、各種のガラス、セラミックス、樹脂等の板状物またはフィルム状物;単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、化合物半導体(ガリウム砒素等。)等の半導体材料の板状物;これらを組み合わせて板状に成形した複合体等が挙げられる。
第1の被吸着物41の表面または内部には、透明電極、有機半導体材料(ペンタセン等。)、微細な電気回路(TFT等。)カラーフィルタ、各種光学制御膜(反射防止膜等。)等の各種構成部材が部分的または全体に形成されていてもよい。
The
A transparent electrode, an organic semiconductor material (pentacene, etc.), a fine electric circuit (TFT, etc.) color filter, various optical control films (antireflection film, etc.), etc. are formed on the surface or inside of the
第2の被吸着物42としては、導電体または半導体が好ましい。具体的には、各種金属、各種導電性樹脂、グラファイトカーボン等の板状物;単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、化合物半導体(ガリウム砒素等。)等の半導体材料の板状物;絶縁体の板状物の表面に導電体または半導体の薄膜を形成した複合体等が挙げられる。導電体または半導体の薄膜を形成する方法としては、例えば、蒸着、スパッタリング、溶射、塗布、印刷、貼り合わせ等が挙げられる。
第2の被吸着物42の具体例としては、第1の被吸着物41の表面を加工または保護するための、導電体または半導体からなるマスク等が挙げられる。該マスクには、加工のための貫通孔、ハンドリング等のための突起や凹凸等の微細な加工が施されていてもよい。第2の被吸着物42として、表面に酸化膜層を有する金属板、例えば、アルマイト層を有するアルミニウム板を用いることもできる。
The second object to be adsorbed 42 is preferably a conductor or a semiconductor. Specifically, plates of various metals, various conductive resins, graphite carbon, etc .; plates of semiconductor materials such as single crystal silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon, compound semiconductors (gallium arsenide, etc.); insulation Examples include a composite in which a conductor or semiconductor thin film is formed on the surface of a body plate. Examples of the method for forming a conductor or semiconductor thin film include vapor deposition, sputtering, thermal spraying, coating, printing, and bonding.
Specific examples of the second object to be adsorbed 42 include a mask made of a conductor or a semiconductor for processing or protecting the surface of the first object to be adsorbed 41. The mask may be subjected to fine processing such as through-holes for processing, protrusions and irregularities for handling, and the like. As the second object to be adsorbed 42, a metal plate having an oxide film layer on the surface, for example, an aluminum plate having an alumite layer can be used.
ステップAにおいて、第1の電極34および第2の電極35に印加する電圧は、0である。ステップAにおいては、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42とも、静電チャック装置10には吸着されない。
In step A, the voltage applied to the
ステップBにおいて、第1の電極34および第2の電極35に印加する電圧は、第1の被吸着物41が正に帯電しやすい場合は負の電圧とし、第1の被吸着物41が負に帯電しやすい場合は正の電圧とすると、静電吸着しやすい。例えば、第1の被吸着物41がガラス板の場合、ガラスは正に帯電しやすいため、第1の電極34および第2の電極35に負の電圧を印加すると、効果的に静電吸着できる。
印加する電圧の大きさは、静電チャック装置10の仕様、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42の質量、形状に応じて適宜設定する必要がある。すなわち、電極から第1の被吸着物41の吸着面までの距離は、静電チャック装置10によって異なる。また、電極から第2の被吸着物42までの距離は、第1の被吸着物41の厚さも関わってくる。通常、該距離が長くなるほど、静電吸着に必要な電圧の絶対値を高くする必要があり、例えば、絶縁性有機フィルム31が厚さ50μmのポリイミドであって、第1の被吸着物41が厚さ0.7mmのガラス板であり、第2の被吸着物42が厚さ0.3mmのステンレス板であって、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42の面積が同じであって、吸着面の全面が静電チャック装置10からはみ出さないように重ねて吸着する場合、第1の電極34および第2の電極35に印加する電圧は、−2.0kV〜−10.0kVが好ましく、−2.0kV〜−6.0kVがより好ましい。印加する電圧が該範囲であれば、吸着面を鉛直下方に向けても、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42を落下させることなく把持できる。電圧の絶対値を10.0kVより大きくすると、静電チャック装置を構成する各種絶縁材料によって電気絶縁を保つことが困難になる。
In Step B, the voltage applied to the
The magnitude of the voltage to be applied needs to be set as appropriate according to the specifications of the
ステップBにおいて、第1の電極34と第2の電極35との間の電位差を小さくする(第1の電極34および第2の電極35に印加する電圧をほぼ同じにする)ことによって、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42が静電チャック装置10に吸着される。該電位差は、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42の材料、厚さ等によって決まり、一概には規定できない。前記ガラス板、ステンレス板、静電チャック装置の組み合わせ例の場合、該電位差は、0〜1.0kVが好ましく、0がより好ましい。
電位差は、第1の電極34の電圧と、第2の電極35の電圧との差の絶対値とする。
In step B, the potential difference between the
The potential difference is an absolute value of the difference between the voltage of the
ステップCにおいて、第1の電極34と第2の電極35との間の電位差を、ステップBにおける電位差よりも大きくすることによって、第1の被吸着物41が吸着されたままで、第2の被吸着物42のみが静電チャック装置10から離脱される。該電位差は、第1の被吸着物41および第2の被吸着物42の材料、厚さ等によって決まり、一概には規定できない。前記ガラス板、ステンレス板、静電チャック装置の組み合わせ例の場合、該電位差は、2.0kV以上が好ましく、2.5kV以上がより好ましい。
In Step C, the potential difference between the
第1の電極34と第2の電極35との間の電位差を大きくする方法としては、下記方法が挙げられる。
(a)第1の電極34および第2の電極35のうち、一方の電圧を変化させずに、他方の電圧を下げる方法。
(b)第1の電極34および第2の電極35のうち、一方の電圧を変化させずに、他方の電圧を上げる方法。
(c)第1の電極34および第2の電極35のうち、一方の電圧を上げ、他方の電圧を下げる方法。
Examples of a method for increasing the potential difference between the
(A) A method of lowering the voltage of one of the
(B) A method of increasing the voltage of one of the
(C) A method of raising one voltage of the
該方法のうち、第1の電極34および第2の電極35に印加する電圧が正の電圧の場合は、確実に第1の被吸着物41を吸着させたままで、第2の被吸着物42のみを静電チャック装置10から離脱させることができる点から、(b)の方法が好ましい。
In the method, when the voltage applied to the
また、(a)、(b)の方法の場合、2種類の被吸着物の電気伝導率の差が比較的大きいときは、第1の電極34および第2の電極35の面積が異なる静電チャック装置10を用い、面積の大きい方の電極に印加する電圧を変化させることにより、第1の電極34および第2の電極35の面積が同じ静電チャック装置10を用いた場合に比べ、少ない電圧の変化量で、第2の被吸着物42のみを離脱させることができる。一方、2種類の被吸着物の電気伝導率の差が比較的小さいときは、第1の電極34および第2の電極35の面積が異なる静電チャック装置10を用い、面積の小さい方の電極に印加する電圧を変化させることにより、第1の電極34および第2の電極35の面積が同じ静電チャック装置10を用いた場合に比べ、電圧の変化量を大きくしなければならなくなる分、第2の被吸着物42のみを離脱させるための微調整が容易となる。第1の電極34および第2の電極35の面積が同じ静電チャック装置10を用いるか、第1の電極34および第2の電極35の面積が異なる静電チャック装置10を用いるか、面積が異なる場合は、いずれの電極に印加する電圧を変化させるかは、第1の被吸着物41、第2の被吸着物42の組み合わせに応じて、本発明の実施者が制御しやすいように適宜選択すればよい。
In the case of the methods (a) and (b), when the difference in electrical conductivity between the two types of objects to be adsorbed is relatively large, the
以上説明した本発明の静電吸着方法にあっては、第1の電極34および第2の電極35に極性の同じ電圧を印加しているため、第1の被吸着物41を静電チャック装置10に吸着させると同時に、該第1の被吸着物41を介して第2の被吸着物42を静電チャック装置10に吸着させることができる。
In the electrostatic chucking method of the present invention described above, since the voltage having the same polarity is applied to the
また、第1の電極34および第2の電極35が静電チャック装置10に吸着された状態で、第1の電極34と第2の電極35と間の電位差を大きくすれば、第1の被吸着物41を吸着させたままで、第2の被吸着物42のみを静電チャック装置10から離脱させることができる。
In addition, if the potential difference between the
なお、本発明における静電チャック装置は、図示例の静電チャック装置10に限定はされず、電極を3つ以上有する静電チャック装置であってもよい。電極がp個(pは2以上の整数である。)の場合、電極を2つのグループ[q個のグループと、(p−q)個のグループ](qは1以上(p−1)以下の整数である。)に分け、前記(a)、(b)または(c)の方法に準じて実施すればよい。
また、静電チャック装置に吸着させる被吸着物は、2個に限定はされず、3個以上であってもよい。
The electrostatic chuck device in the present invention is not limited to the
Further, the number of objects to be attracted to the electrostatic chuck device is not limited to two, and may be three or more.
n個(nは2以上の整数である。)の被吸着物を吸着させた場合、電極間の電位差を大きくすることによって、静電チャック装置に近いi個(iは1以上n−1以下の整数である。)の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を静電チャック装置から離脱させることができる。nの数は、電極に印加する電圧を調整することにより、変化させることができ、iの数は、電極間の電位差を調整することにより変化させることができる。 When n objects (n is an integer of 2 or more) are adsorbed, by increasing the potential difference between the electrodes, i objects (i is 1 or more and n-1 or less) close to the electrostatic chuck device. The other objects to be adsorbed can be detached from the electrostatic chuck device while adsorbing the objects to be adsorbed. The number of n can be changed by adjusting the voltage applied to the electrodes, and the number of i can be changed by adjusting the potential difference between the electrodes.
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.
静電チャック装置としては、図1および図2に示す構成を有する双極型の静電チャック装置(1)、(2)、および単極型の静電チャック装置(3)を用意した。
静電チャック装置(1):電極シートの大きさ:150mm×150mm、第1の電極および第2の電極の幅:1.5mm、第1の電極と第2の電極との間隔:1.5mm、基板:アルミニウム基板、絶縁性有機フィルム:ポリイミドフィルム。
静電チャック装置(2):電極シートの大きさ:150mm×150mm、第1の電極の幅:1.0mm、第2の電極の幅:2.0mm、第1の電極と第2の電極との間隔:1.5mm、第2の電極の面積は第1の電極の面積の2倍、基板:アルミニウム基板、絶縁性有機フィルム:ポリイミドフィルム。
静電チャック装置(3):電極シートの大きさ:150mm×150mm、電極の大きさ:148mm×148mm、基板:アルミニウム基板、絶縁性有機フィルム:ポリイミドフィルム。
As the electrostatic chuck device, bipolar electrostatic chuck devices (1) and (2) having a configuration shown in FIGS. 1 and 2 and a monopolar electrostatic chuck device (3) were prepared.
Electrostatic chuck device (1): Size of electrode sheet: 150 mm × 150 mm, width of first electrode and second electrode: 1.5 mm, distance between first electrode and second electrode: 1.5 mm , Substrate: aluminum substrate, insulating organic film: polyimide film.
Electrostatic chuck device (2): Size of electrode sheet: 150 mm × 150 mm, width of first electrode: 1.0 mm, width of second electrode: 2.0 mm, first electrode and second electrode Spacing: 1.5 mm, the area of the second electrode is twice the area of the first electrode, substrate: aluminum substrate, insulating organic film: polyimide film.
Electrostatic chuck device (3): electrode sheet size: 150 mm × 150 mm, electrode size: 148 mm × 148 mm, substrate: aluminum substrate, insulating organic film: polyimide film.
被吸着物としては、2種類の被吸着物を用意した。
ガラス板(第1の被吸着物、絶縁体):大きさ:120mm×120mm、厚さ:0.7mmのパイレックス(登録商標)ガラス板。
ステンレス板(第2の被吸着物、導電体):大きさ:130mm×130mm、厚さ:0.3mmのステンレス板。
Two types of objects to be adsorbed were prepared as objects to be adsorbed.
Glass plate (first adsorbent, insulator): Pyrex (registered trademark) glass plate having a size of 120 mm × 120 mm and a thickness of 0.7 mm.
Stainless steel plate (second object to be adsorbed, conductor): stainless steel plate having a size of 130 mm × 130 mm and a thickness of 0.3 mm.
〔実施例1〕
アース接続した水平な実験台にステンレス板を配置し、ステンレス板の上にガラス板を重ねた。
(i)ガラス板の上に、電極シート側を下に向けて静電チャック装置(1)を移動させ、ガラス板の表面に電極シート側を電極に電圧を印加しない状態で接触させた。
(ii)第1の電極および第2の電極に同時に−4.0kVの電圧を印加して静かに静電チャック装置(1)を上方へ移動したところ、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(1)に吸着されたことを確認した。そのまま3分間保持した。
[Example 1]
A stainless steel plate was placed on a horizontal laboratory bench connected to earth, and a glass plate was stacked on the stainless steel plate.
(I) The electrostatic chuck device (1) was moved on the glass plate with the electrode sheet side facing down, and the electrode sheet side was brought into contact with the surface of the glass plate without applying a voltage to the electrode.
(Ii) When a voltage of −4.0 kV is simultaneously applied to the first electrode and the second electrode and the electrostatic chuck device (1) is gently moved upward, the glass plate and the stainless steel plate are moved to the electrostatic chuck device. It was confirmed that (1) was adsorbed. It was kept for 3 minutes.
(iii)第1の電極の電圧を−4.0kVに保持したまま、第2の電極の電圧を+1.0kV/秒の速さで正の方向に変化させていった。
(iv)第2の電極の電圧が−0.5kVとなったところで、ステンレス板のみが静電チャック装置(1)から離脱、落下し、ガラス板は静電チャック装置(1)に吸着されたままであった。
(Iii) While maintaining the voltage of the first electrode at −4.0 kV, the voltage of the second electrode was changed in the positive direction at a speed of +1.0 kV / sec.
(Iv) When the voltage of the second electrode becomes −0.5 kV, only the stainless steel plate is detached from the electrostatic chuck device (1) and dropped, and the glass plate is adsorbed to the electrostatic chuck device (1). It was up to.
〔実施例2〕
アース接続した水平な実験台にステンレス板を配置し、ステンレス板の上にガラス板を重ねた。
(i)ガラス板の上に、電極シート側を下に向けて静電チャック装置(1)を移動させ、ガラス板の表面に電極シート側を電極に電圧を印加しない状態で接触させた。
(ii)第1の電極に−4.3kVの電圧および第2の電極に−3.7kVの電圧を同時に印加して静かに静電チャック装置(1)を上方へ移動したところ、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(1)に吸着されたことを確認した。そのまま3分間保持した。
[Example 2]
A stainless steel plate was placed on a horizontal laboratory bench connected to earth, and a glass plate was stacked on the stainless steel plate.
(I) The electrostatic chuck device (1) was moved on the glass plate with the electrode sheet side facing down, and the electrode sheet side was brought into contact with the surface of the glass plate without applying a voltage to the electrode.
(Ii) A voltage of −4.3 kV was simultaneously applied to the first electrode and a voltage of −3.7 kV was applied to the second electrode, and the electrostatic chuck device (1) was gently moved upward. It was confirmed that the stainless steel plate was adsorbed to the electrostatic chuck device (1). It was kept for 3 minutes.
(iii)第1の電極の電圧を−4.3kVに保持したまま、第2の電極の電圧を+1.0kV/秒の速さで正の方向に変化させていった。
(iv)第2の電極の電圧が−0.7kVとなったところで、ステンレス板のみが静電チャック装置(1)から離脱、落下し、ガラス板は静電チャック装置(1)に吸着されたままであった。
(Iii) While maintaining the voltage of the first electrode at −4.3 kV, the voltage of the second electrode was changed in the positive direction at a speed of +1.0 kV / sec.
(Iv) When the voltage of the second electrode becomes −0.7 kV, only the stainless steel plate is detached from the electrostatic chuck device (1) and dropped, and the glass plate is adsorbed to the electrostatic chuck device (1). It was up to.
〔実施例3〕
アース接続した水平な実験台にステンレス板を配置し、ステンレス板の上にガラス板を重ねた。
(i)ガラス板の上に、電極シート側を下に向けて静電チャック装置(2)を移動させ、ガラス板の表面に電極シート側を電極に電圧を印加しない状態で接触させた。
(ii)第1の電極および第2の電極に同時に−4.0kVの電圧を印加して静かに静電チャック装置(2)を上方へ移動したところ、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(2)に吸着されたことを確認した。そのまま3分間保持した。
Example 3
A stainless steel plate was placed on a horizontal laboratory bench connected to earth, and a glass plate was stacked on the stainless steel plate.
(I) The electrostatic chuck device (2) was moved on the glass plate with the electrode sheet side facing down, and the electrode sheet side was brought into contact with the surface of the glass plate without applying a voltage to the electrode.
(Ii) When a voltage of −4.0 kV is simultaneously applied to the first electrode and the second electrode and the electrostatic chuck device (2) is gently moved upward, the glass plate and the stainless steel plate are moved to the electrostatic chuck device. It was confirmed that it was adsorbed in (2). It was kept for 3 minutes.
(iii)第1の電極の電圧を−4.0kVに保持したまま、第2の電極の電圧を+1.0kV/秒の速さで正の方向に変化させていった。
(iv)第2の電極の電圧が−1.3kVとなったところで、ステンレス板のみが静電チャック装置(2)から離脱、落下し、ガラス板は静電チャック装置(2)に吸着されたままであった。
以上の操作をさらに2回繰り返したところ、全く同じ結果が得られ、再現性があることが確認された。
(Iii) While maintaining the voltage of the first electrode at −4.0 kV, the voltage of the second electrode was changed in the positive direction at a speed of +1.0 kV / sec.
(Iv) When the voltage of the second electrode becomes −1.3 kV, only the stainless steel plate is detached from the electrostatic chuck device (2) and dropped, and the glass plate is adsorbed to the electrostatic chuck device (2). It was up to.
When the above operation was repeated twice more, the same result was obtained and it was confirmed that there was reproducibility.
〔実施例4〕
アース接続した水平な実験台にステンレス板を配置し、ステンレス板の上にガラス板を重ねた。
(i)ガラス板の上に、電極シート側を下に向けて静電チャック装置(2)を移動させ、ガラス板の表面に電極シート側を電極に電圧を印加しない状態で接触させた。
(ii)第1の電極および第2の電極に同時に−4.0kVの電圧を印加して静かに静電チャック装置(2)を上方へ移動したところ、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(2)に吸着されたことを確認した。そのまま3分間保持した。
Example 4
A stainless steel plate was placed on a horizontal laboratory bench connected to earth, and a glass plate was stacked on the stainless steel plate.
(I) The electrostatic chuck device (2) was moved on the glass plate with the electrode sheet side facing down, and the electrode sheet side was brought into contact with the surface of the glass plate without applying a voltage to the electrode.
(Ii) When a voltage of −4.0 kV is simultaneously applied to the first electrode and the second electrode and the electrostatic chuck device (2) is gently moved upward, the glass plate and the stainless steel plate are moved to the electrostatic chuck device. It was confirmed that it was adsorbed in (2). It was kept for 3 minutes.
(iii)第2の電極の電圧を−4.0kVに保持したまま、第1の電極の電圧を+1.0kV/秒の速さで正の方向に変化させていった。
(iv)第1の電極の電圧が−0.2kVとなったところで、ステンレス板のみが静電チャック装置(2)から離脱、落下し、ガラス板は静電チャック装置(2)に吸着されたままであった。
(Iii) While maintaining the voltage of the second electrode at −4.0 kV, the voltage of the first electrode was changed in the positive direction at a speed of +1.0 kV / sec.
(Iv) When the voltage of the first electrode becomes −0.2 kV, only the stainless steel plate is detached from the electrostatic chuck device (2) and dropped, and the glass plate is adsorbed to the electrostatic chuck device (2). It was up to.
〔比較例1〕
アース接続した水平な実験台にステンレス板を配置し、ステンレス板の上にガラス板を重ねた。
(i)ガラス板の上に、電極シート側を下に向けて静電チャック装置(3)を移動させ、ガラス板の表面に電極シート側を電極に電圧を印加しない状態で接触させた。
(ii)電極に−4.0kVの電圧を印加して静かに静電チャック装置(3)を上方へ移動したところ、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(3)に吸着されたことを確認した。そのまま3分間保持した。
[Comparative Example 1]
A stainless steel plate was placed on a horizontal laboratory bench connected to earth, and a glass plate was stacked on the stainless steel plate.
(I) The electrostatic chuck device (3) was moved on the glass plate with the electrode sheet side facing down, and the electrode sheet side was brought into contact with the surface of the glass plate without applying a voltage to the electrode.
(Ii) When a voltage of −4.0 kV was applied to the electrode and the electrostatic chuck device (3) was gently moved upward, the glass plate and the stainless steel plate were attracted to the electrostatic chuck device (3). confirmed. It was kept for 3 minutes.
(iii)電極の電圧を+1.0kV/秒の速さで正の方向に変化させていった。
(iv)電極の電圧が−1.3kVとなったところで、ガラス板およびステンレス板が静電チャック装置(3)から離脱、落下した。
(Iii) The voltage of the electrode was changed in the positive direction at a speed of +1.0 kV / sec.
(Iv) When the voltage of the electrode became −1.3 kV, the glass plate and the stainless steel plate were detached from the electrostatic chuck device (3) and dropped.
本発明の静電吸着方法によれば、フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板等の第1の被吸着物の表面を金属マスク等の第2の被吸着物で覆って各種の加工を行う際に、該第2の被吸着物を確実に固定できるとともに、加工が終了した後に第2の被吸着物のみを容易に離脱させて第1の被吸着物を次の工程へ移行させることができ、フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板等の生産効率を向上できる。 According to the electrostatic adsorption method of the present invention, when the surface of the first object to be adsorbed such as a glass substrate for a flat panel display device is covered with the second object to be adsorbed such as a metal mask, various processes are performed. The second object to be adsorbed can be securely fixed and only the second object to be adsorbed can be easily detached after the processing is completed, and the first object to be adsorbed can be transferred to the next step. The production efficiency of glass substrates for panel display devices can be improved.
10 静電チャック装置
34 第1の電極
35 第2の電極
41 第1の被吸着物
42 第2の被吸着物
10
Claims (3)
前記電極のうちいずれかの電極の電位を0Vに近づけて電極間の電位差を大きくすることによって、前記静電チャック装置に近いi個(iは1以上n−1以下の整数である。)の被吸着物を吸着させたままで、他の被吸着物を前記静電チャック装置から離脱させる、静電吸着方法。 The electrostatic chuck is applied in a state where n (n is an integer of 2 or more) adherents are stacked by applying a voltage having the same polarity to each electrode of the electrostatic chuck device having two or more electrodes. An electrostatic adsorption method for adsorbing to an apparatus ,
By making the potential of any one of the electrodes close to 0 V and increasing the potential difference between the electrodes, i pieces (i is an integer between 1 and n−1) close to the electrostatic chuck device. An electrostatic adsorption method in which another object to be adsorbed is detached from the electrostatic chuck device while the object to be adsorbed is adsorbed .
前記第2の電極の面積を前記第1の電極の面積よりも大きくし、
前記第1の電極の電圧を変化させることなく、前記第2の電極の電圧を変化させる、請求項1に記載の静電吸着方法。 The electrode comprises a first electrode and a second electrode;
Making the area of the second electrode larger than the area of the first electrode;
Wherein without changing the voltage of the first electrode, changing the voltage of the second electrode, the electrostatic adsorption method of claim 1.
前記第2の電極の面積を前記第1の電極の面積よりも大きくし、
前記第2の電極の電圧を変化させることなく、前記第1の電極の電圧を変化させる、請求項1に記載の静電吸着方法。 The electrode comprises a first electrode and a second electrode;
Making the area of the second electrode larger than the area of the first electrode;
Wherein without changing the voltage of the second electrode, changing the voltage of the first electrode, the electrostatic adsorption method of claim 1.
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