JP4665488B2 - Ge微結晶核付き基板の作製方法 - Google Patents
Ge微結晶核付き基板の作製方法 Download PDFInfo
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Description
i)酸素エッチング温度は、GeOが脱離すること、ガラス基板の耐熱性を考慮して、350℃〜400℃が適切と考えられる。
ii)酸素分圧を変化させることによるGe微結晶の粒径、密度の変化はあまりなかった。酸素流量は少ない方が良いので、酸素分圧は1.0×10-5Torrが適切と考えられる。
iii)酸素エッチング時間は、他の2条件のような制約を受けないので、エッチング時間を変化させて、Ge微結晶の粒径、密度を制御することが望ましいと考えられる。
2 アモルファスGe層
3 Ge微結晶
4 大粒径多結晶Si薄膜
5 アモルファスSi薄膜
Claims (5)
- 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO2膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、330〜600℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御してなるGe微結晶核付き基板の作製方法。
- 前記固相成長法は、前記基板の上に真空蒸着により形成した厚さ1〜100nmのアモルファスGe薄膜を、アニール温度が200〜600℃、アニール時間が1分〜12時間の真空アニールによって微結晶化するものである請求項1記載のGe微結晶核付き基板の作製方法。
- 前記エッチング温度を330〜600℃の範囲で一定とし、エッチング時間を調整してGe微結晶の粒径と密度とを制御してなる請求項1又は2記載のGe微結晶核付き基板の作製方法。
- 前記Ge微結晶の粒径を1〜500nm、密度を1×105〜1×1011個/cm2としてなる請求項1〜3何れかに記載のGe微結晶核付き基板の作製方法。
- 前記Ge微結晶の粒径を1〜40nm、密度を1×105〜1×107個/cm2としてなる請求項1〜3何れかに記載のGe微結晶核付き基板の作製方法。
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