JP4665156B2 - クラスレート化合物及びその製造方法 - Google Patents

クラスレート化合物及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4665156B2
JP4665156B2 JP2004371428A JP2004371428A JP4665156B2 JP 4665156 B2 JP4665156 B2 JP 4665156B2 JP 2004371428 A JP2004371428 A JP 2004371428A JP 2004371428 A JP2004371428 A JP 2004371428A JP 4665156 B2 JP4665156 B2 JP 4665156B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clathrate compound
grams
clathrate
producing
thermoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004371428A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006176360A (ja
Inventor
剛 小柳
堅剛 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGUCHI UNIVERSITY
Original Assignee
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGUCHI UNIVERSITY
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGUCHI UNIVERSITY filed Critical NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGUCHI UNIVERSITY
Priority to JP2004371428A priority Critical patent/JP4665156B2/ja
Publication of JP2006176360A publication Critical patent/JP2006176360A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4665156B2 publication Critical patent/JP4665156B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Description

本発明は、クラスレート化合物及びクラスレート化合物の製造方法に関する。
ゼーベック効果を利用した熱電変換素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することを可能とする。その性質を利用し、産業・民生用プロセスや移動体から排出される排熱を有効な電力に変換することができるため、熱電変換素子は、環境問題に配慮した省エネルギー技術として注目されている。
ゼーベック効果を利用した熱電変換素子に用いられる熱電変換材料の性能指数ZTは、下記式(A)で表すことができる。
ZT=ασT/κ(A)
ここで、α、σ、κ及びTは、それぞれ、ゼーベック係数、電気伝導度、熱伝導度及び測定温度を表す。
上記式(A)から明らかなように、熱電変換素子の性能を向上させるためには、素子に用いられる材料のゼーベック係数、電気伝導度を大きくすること、及び、熱伝導度を小さくすることが重要である。
一方、性能指数ZTにおけるZは、有効質量( )、移動度(μ)及び熱伝導度(κ)とのに式(B)で表される比例関係を有する。
Z∝m*3/2μ/κ(B)
上記式(B)から、Zを向上させるためには有効質量と移動度とを向上させることが重要であることがわかる。
高い性能指数を示す熱電変換材料として、従来から、ビスマス・テルル系材料、シリコン・ゲルマニウム系材料、鉛・テルル系材料などが知られている。さらに、アルミニウムをドープした酸化亜鉛粉を成形、焼成してなる熱電変換材料が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−118296号
本発明は、熱電変換素子に好適な、新規なクラスレート化合物を提供することを目的とする。さらに本発明は、クラスレート化合物の製造方法及び新規な熱電変換素子を提供することを目的とする。
即ち、本発明は、下記組成式で表されるクラスレート化合物である。
〈1〉ASn46−x0<x≦10) (1)
(組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す)
2〉上記〈1〉に示したクラスレート化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも用いることを特徴とするクラスレート化合物の製造方法である
発明によれば、優れた熱電特性を発現可能な新規クラスレート化合物及びその製造方法を提供できる
発明は、新規な組成を有するクラスレート化合物及び該クラスレート化合物の新規な製造方法である。
以下に順次それらを詳細に説明する。
〈クラスレート化合物〉
本発明のクラスレート化合物1は、下記組成式(1)で表される。
Sn46−x0<x≦10) (1)
(組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す)。
組成式(1)におけるxが上記範囲外であると、クラスレート化合物が金属的な特性を示すようになり、熱電変換素子として適さなくなることがある。クラスレート化合物の原子濃度は約5×1022cm−3である。クラスレート化合物(例えば、ISn46など)の単位格子の構成原子は54個なので、54個中1個がアクセプタ(ドナー)原子であれば、キャリア濃度はおよそ1×1021cm−3となる。x<6、及びx>10の範囲ではキャリア密度が2×1021cm−3よりも大きくなり、金属的な特性を示すようになる。
クラスレート化合物1において、xの好ましい範囲は7≦x≦9である。
クラスレート化合物1において、Aで表される7B族元素は特に限定されるものではないが、ハロゲン元素であり、好ましくはCl,I,Br,なかでも、特にIが好ましい。
Aで表される7B族元素を用いることにより、ゲストサイトを7B族元素で置換することでP型のクラスレート化合物を得ることが可能となる
た、Bはヒ素又はアンチモンのいずれかである。すなわち、本発明のクラストレート化合物は、A As Sn 46−x 又はA Sb Sn 46−x (但し、0<x≦10)である。
〈クラスレート化合物の製造方法〉
クラスレート化合物1は、メカニカルアロイングの工程を少なくとも有するクラスレート化合物の製造方法である。しかも、メカニカルアロイングの原料として構成元素を各々単体で用いてもよいし、また、その構成元素同士の化合物を使うこともできる。
メカニカルアロイング工程によりクラスレート化合物を合成することにより、従来一般に行われている溶融方法に比べて、極めて容易にクラスレート化合物を生成することが可能である
カニカルアロイングの動作時間としては、1h〜200hが好ましく、20〜100hがさらに好ましい。粉砕容器内のガス雰囲気としては、成分原料が気体元素である場合は、当該気体雰囲気、成分原料が固体の場合には、不活性ガスと水素との混合気体雰囲気であることが好ましい。不活性ガスと水素との混合気体を用いることにより、原材料又は合成物の酸化を防止する効果及び酸化物を還元して除去する効果が得られる。
前記不活性ガスとしては、He,Ne,Ar等を用いることができ、これらの中でもArが好ましい。不活性ガス中の水素の含有量としては、5〜10%が好ましい。
<熱電変換素子>
発明のクラスレート化合物焼結することにより熱電変換素子が得られる。
発明のクラスレート化合物の生成は、X線回折により確認することができる。具体的には、焼成後のサンプルがX線回折によりクラスレート相のみを示すものであれば、クラスレート化合物が合成されたことが確認できる。
(実施例)
以下、本発明を、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例により限定されるものではない。
〈(Ge38Sb 製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、8.28グラムのGeと4.02グラムの沃化アンチモンSbIと1.95グラムのSbを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出した。このものがクラスレートであることを確認するため、放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。この焼結体について、X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、クラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
〈I Ge38Sb 製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、8.28グラムのGeと3.05グラムのIと2.92グラムのSbを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出した。クラスレート化合物の確認のためそれを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、焼結体を製造した。X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、クラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
〈I Ge38Sb 製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、7.84グラムのGeと2.92グラムのSbと3.48グラムの沃化ゲルマニウムGeIを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出した。クラスレート化合物の確認のためそれを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、得られた焼結体について、X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、クラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
〈I Sn38Sb 製造〉
Sn38Sbの組成比になるように、11.11グラムのSnと2.40グラムのSbと2.50グラムのIを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で50h運転した。その後、粉砕粉を取り出した。クラスレート化合物の確認のためそれを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度340℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、得られた焼結体について、X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、クラスレート構造のISn38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図2に示す。
実施例1〜3で求められたクラスレート化合物のX線回折パターンを示す図である。 実施例4で求められたクラスレート化合物のX線回折パターンを示す。

Claims (2)

  1. 下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物。
    Sn46−X (但し、0<x≦10) (1)
    (組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す。)
  2. 請求項1に記載のクラスレート化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも用いるクラスレート化合物の製造方法。
JP2004371428A 2004-12-22 2004-12-22 クラスレート化合物及びその製造方法 Active JP4665156B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004371428A JP4665156B2 (ja) 2004-12-22 2004-12-22 クラスレート化合物及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004371428A JP4665156B2 (ja) 2004-12-22 2004-12-22 クラスレート化合物及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010261107A Division JP5126723B2 (ja) 2010-11-24 2010-11-24 熱電変換素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006176360A JP2006176360A (ja) 2006-07-06
JP4665156B2 true JP4665156B2 (ja) 2011-04-06

Family

ID=36730826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004371428A Active JP4665156B2 (ja) 2004-12-22 2004-12-22 クラスレート化合物及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4665156B2 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999022410A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Thermoelectric transducing material and method of producing the same
JP2001114508A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Japan Science & Technology Corp シリコンクラスレート化合物とその製造方法
JP2001270710A (ja) * 2000-03-28 2001-10-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd クラスレート化合物の製造方法
JP2001335309A (ja) * 2000-05-24 2001-12-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd クラスレート化合物半導体およびその製造方法
JP2002064227A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱電変換材料とその製造方法
JP2002118296A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Unitika Ltd 高い電気伝導率を有する高温用n型熱電変換素子及びそれを用いた熱電変換モジュール

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999022410A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Thermoelectric transducing material and method of producing the same
JP2001114508A (ja) * 1999-10-19 2001-04-24 Japan Science & Technology Corp シリコンクラスレート化合物とその製造方法
JP2001270710A (ja) * 2000-03-28 2001-10-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd クラスレート化合物の製造方法
JP2001335309A (ja) * 2000-05-24 2001-12-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd クラスレート化合物半導体およびその製造方法
JP2002064227A (ja) * 2000-08-18 2002-02-28 Sumitomo Special Metals Co Ltd 熱電変換材料とその製造方法
JP2002118296A (ja) * 2000-10-05 2002-04-19 Unitika Ltd 高い電気伝導率を有する高温用n型熱電変換素子及びそれを用いた熱電変換モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006176360A (ja) 2006-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108238796B (zh) 铜硒基固溶体热电材料及其制备方法
Barreteau et al. Studies on the thermal stability of BiCuSeO
JP2015528208A (ja) 熱電装置のための四面銅鉱構造に基づく熱電材料
JP6054606B2 (ja) 熱電半導体
JP5588757B2 (ja) In−Se合金粉末、In−Se合金焼結体、Ga−Se合金粉末、Ga−Se合金焼結体、In−Ga−Se合金粉末、In−Ga−Se合金焼結体、Cu−In−Ga−Se合金粉末及びCu−In−Ga−Se合金焼結体の製造方法
CN107710429A (zh) P型方钴矿热电材料、其制备方法和包含其的热电装置
JP4865531B2 (ja) Yb−AE−Fe−Co−Sb(AE:Ca、Sr、Ba、Ag)系熱電変換材料
US9666782B2 (en) P-type semiconductor composed of magnesium, silicon, tin, and germanium, and method for manufacturing the same
JP4665156B2 (ja) クラスレート化合物及びその製造方法
JP5126723B2 (ja) 熱電変換素子及びその製造方法
Lan et al. High thermoelectric performance of Bi 1− x K x CuSeO prepared by combustion synthesis
TWI417248B (zh) 熱電材料與其製造方法、以及包含其熱電模組
JP4900819B2 (ja) 熱電材料及びその製造方法
JP2005217310A (ja) クラスレート化合物、熱電変換素子及びその製造方法
CN101118946B (zh) 一种钡锌锑基p型热电材料及其制备方法
JP2008007825A (ja) Yb−Fe−Co−Sb系熱電変換材料
JP2003188425A (ja) 熱電変換材料とそれを用いた素子
JP4360594B2 (ja) 熱電材料および熱電素子
JP3422570B2 (ja) CuSnS系熱電変換半導体材料及びその製造方法
JP2009040649A (ja) クラスレート化合物及びそれを用いた熱電変換素子
JP2009111357A (ja) 熱電材料及びその製造方法
JP2013521630A (ja) 熱電材料、これらの熱電材料の調製、及びこれらの熱電材料を含む熱電素子
JP4415640B2 (ja) 熱電変換素子
WO2021049167A1 (ja) 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電変換材料を用いて電力を得る方法及び熱を輸送する方法
US9444025B2 (en) Method of manufacturing thermoelectric material and thermoelectric material prepared by the method and thermoelectric generator

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101012

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150