JP4661383B2 - 圧電発振器の製造方法 - Google Patents

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本発明は、圧電発振器とその製造方法に係わり、特に圧電発振器の小型化を図るのに好適なものである。
携帯電話機等の移動体通信機器の小型化に伴い、これらの移動体通信機器に使用される表面実装型圧電発振器、例えばTCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator)等の小型化が進み、圧電振動子、ICチップ、圧電振動子とICチップを夫々支持するためのパッケージという最低限の部材から構成されるものが主流になってきている。
図4は、従来の表面実装型水晶発振器の構成を示した断面図である。
この図に示す水晶発振器51は、セラミック製のパッケージ(枠体)52の上面に設けた接続パッド(図示しない)上に導電性接着剤12により水晶振動子11が電気的、機械的に固定されている。この水晶振動子11はパッケージ52上に設けたシームリング53と金属蓋60により気密封止されている。
パッケージ52の下面側には、表面実装用の外部電極54、54が形成されている。またパッケージ52の下面側には凹陥部55が形成されており、この凹陥部55の内底面にICチップ110が実装されている。
ICチップ110は、発振回路と温度補償回路が構成されたベアチップであり、例えばシリコン基板の片面側に集積回路と、この集積回路に接続された電極とが露出配置されており、この電極が形成されている面をパッケージ52の内底面に向けた状態、即ちフェイスダウン状態にして、図示しないバンプなどの接続部材を用いて凹陥部55の内底面に設けられている内部パッド(図示しない)に接続した後、凹陥部55の内底面を樹脂56によりモールドするようにしている。
図5は上記したような従来の表面実装型水晶発振器の製造手順の一例を示した図である。
この場合、先ず、図示しない集積回路作製工程において、図5(a)に示すような集積回路が形成されたシリコンウェハ(ICチップウェハ)101を用意する。このようなICチップウェハ101は、水晶発振器に搭載されるICチップ110が多数個連結した状態で形成されている。次に、カッターを用いてICチップウェハ101を図5(a)に示すようなダイシングライン(切断ライン)102により切断して、ICチップウェハ101から多数のICチップ110、110・・を取り出す。このとき、ICチップ110は、図5(b)に示すように発振回路や温度補償回路をはじめとしたアナログ回路111、各種調整データをメモリするメモリ回路112、及びメモリ回路112を制御するためのロジック回路113とにより構成される。
この後、図5(c)に示したようにパッケージ52の下面側に形成されている凹陥部55の内底面にICチップ110を実装するようにしている。これによりICチップ110は、パッケージ52上の水晶振動子11と電気的に接続される。
この後、図示していない調整工程において、例えば温度に対して安定した周波数が得られるように電気的特性の調整を行い、設定条件が決定するとICチップ110のメモリ回路112に対してロジック回路113を利用して必要なデータを書き込むようにしていた。
しかしながら、上記のような構造の表面実装型水晶発振器の大きさは、ICチップによりほぼ決定され、さらなる小型化を実現することは困難であった。
なお、圧電発振器の小型化を実現する技術としては例えば特許文献1が提案されている。
特許文献1には、温度補償回路を形成する半導体ウェハと圧電振動子とからなる圧電発振器を製造方法として、所望の温度補償調整用端子を半導体ウェハの端部に配置した基板を用い、所望の調整が終了し圧電発振器を構成した後、調整用端子を形成していた半導体ウェハ部分を切断することにより小型化を図るようにしたものである。
特開2004−304447公報
しかしながら、上記特許文献1に開示されている圧電発振器の製造方法では、調整後に不要となる調整用端子部分を小さく個片化したICチップの状態にて削除するため、精度良く作業を行うのが困難であると共に、ICチップにストレスが加わり、水晶振動子が既にICチップ上に搭載されてしまった段階にてICチップが破損してしまい圧電振動子として不良品になってしまうという欠点があった。
更に、特許文献1に開示されている圧電発振器の製造方法では、圧電発振器が完成するまでにICチップウェハの状態から個片のICチップを切り出す為の切断工程と調整用端子部分を削除するための切断工程とが必要であり、切断工程が複数回必要となることで高い生産性が得られないという問題があった。
そこで、本発明は上記したような点を鑑みてなされたものであり、ICチップにストレスを与えることなく、より一層の小型化を図ることができる圧電発振器とその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、少なくとも発振回路と、メモリ回路と、前記メモリ回路にデータを書き込むためのロジック回路とを含んで構成されるロジック回路付きICチップの前記メモリ回路に対して前記データを書き込む書き込み工程と、前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離し、前記発振回路及び前記メモリ回路を備えたロジック回路削除済みICチップを形成する分離工程と、前記ロジック回路削除済みICチップと圧電振動子とを導通接続する導通接続工程と、を備えたことを特徴とする。
また請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の圧電発振器の製造方法において、
前記書き込み工程は、前記ロジック回路付きICチップが複数形成されているICチップウェハの状態において、前記各ロジック回路付きICチップの前記各メモリ回路に対して前記データを書き込む工程であり、前記分離工程は、前記ICチップウェハを切断して前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離し、前記ロジック回路削除済みICチップの個片を取り出す工程であることを特徴とする。
また請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の圧電発振器の製造方法において、
前記分離工程は、前記ロジック回路上のダイシングラインに沿って前記ICチップウェハを切断し、前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離して、前記ロジック回路削除済みICチップの個片を取り出す工程であることを特徴とする。
本発明によれば、ICチップのメモリ回路に調整データを書き込む作業をICチップウェハの状態で行い、ICチップウェハから圧電発振器に用いるICチップを取り出す際には、不要になるロジック回路を削除することで、ICチップ自体を小型化したことで、圧電発振器のさらなる小型化が可能になる。
また、チップサイズの微細化する工程をICチップウェハからICチップを取り出す工程において行うようにしているので、従来のように圧電発振器を構成した後に不要になる調整用端子部分を切断する場合に比べて、精度良く作業行うことができ、またICチップにストレスを与えるといったこともない。
またICチップ自体のサイズを小さくしたことで、例えば従来と同一サイズの圧電発振器を構成する場合には枠体への実装が容易になり、歩留まりが向上するという利点もある。
以下、図面を参照して本発明の圧電発振器の実施形態を詳細に説明する。なお、本実施の形態では圧電発振器の一例として水晶発振器を例に挙げて説明する。
図1は本発明の実施の形態に係る表面実装型水晶発振器の概略構成を示した図であり、図1(a)は水晶発振器の斜視図、図1(b)は(a)に示した水晶発振器を一点鎖線A−Aで切断した縦断面図、(c)は水晶発振器の底面図が夫々示されている。
この図1に示す水晶発振器1は、セラミック製のパッケージ(枠体)2の上面側に収納部3が設けられており、この収納部3の底面に設けられている接続パッド(図示しない)上に導電性接着剤12により水晶振動子11が電気的、機械的に固定されている。この収納部3の開口面には金属蓋10が取り付けられておりその内部を気密封止するようにしている。またパッケージ2の下面側には表面実装用の外部電極4、4が形成されている。またパッケージ2の下面側には凹陥部5が形成されており、この凹陥部5の内底面に本実施形態のICチップ20が実装されている。
ICチップ20は、発振回路と温度補償回路が構成されたベアチップであり、例えばシリコン基板の片面側に集積回路と、この集積回路に接続された電極とが露出配置されており、この電極が形成されている面をパッケージ2の内底面に向けた状態(フェイスダウン状態)にして、図示しないバンプなどの接続部材を用いて凹陥部5の内底面に設けられている内部パッド(図示しない)に接続した後、凹陥部5の内底面を樹脂6によりモールドするようにしている。
このように構成される水晶発振器1においては、ICチップ20のサイズを従来のICチップより小さいため、それ分だけ水晶発振器自体を小型化することができる。
図2及び図3は、図1に示した本実施形態の水晶発振器の製造手順を示した図である。なお、図5と同一部位には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
これら図2、図3に示すように本実施形態の水晶発振器の製造手順としては、先ず、工程S1として、図示しない集積回路作製工程において図3(a)に示すような集積回路が形成されたICチップウェハ(シリコンウェハ)101を用意する。このようなICチップウェハ101は、ICチップ110が多数個連結した状態で形成されている。次に工程S2として、ICチップウェハ101の状態でICチップ110を構成しているメモリ回路112に対してロジック回路113を利用して、例えば、メモリ回路112に水晶振動子11の温度特性情報等の必要な調整データの書き込みを行うようにする。
次に、工程S3として、カッターを用いてICチップウェハ101をダイシングラインにより切断することでICチップウェハ101をチップ化して取り出すことになるが、本実施形態では、図3(a)に示すようにダイシングライン102による切断に加えてダイシングライン30により切断することで、アナログ回路111とメモリ回路112だけを取り出してICチップ化するようにしている。
これは、メモリ回路112への書き込み作業が完了してしまえば、メモリ回路112を制御するためのロジック回路113は不要になるため、本実施形態ではICチップウェハ101のダイシングを行う工程S3において、ロジック回路113を削除するようにしている。つまり、ICチップウェハ101から水晶発振器1の通常動作に必要なアナログ回路111とメモリ回路112とからなるICチップ20を取り出すようにしている。なお、ダインシングライン30はロジック回路113上にすることも可能であり、その場合はICチップウェハ101にダイシングライン30の領域を設ける必要がないため、1枚のICチップウェハ101から取れるICチップの数が減少するといったこともなく、カッターによりロジック回路113が切除された幅の分だけICチップ20の小型化が図られ、また例えば、カッターによる切断幅が略ロジック回路113の幅に等しくなるカッターを使用すればダイシングライン30に沿った切断によりロジック回路113が削除されるので、より小型のICチップ20を得ることができる。
尚、ICチップウェハ101を切断する際には切断されたICチップ20が不用意にバラバラに散らばらないようICチップウェハ101を例えばダイシングテープに貼り付けた後にダイシングテープ貼り付け面とは逆のICチップウェハ面にカッターを当ててICチップウェハ101を切断、且つダイシングテープを厚みに対してハーフカットする。
そして、次の工程S4において、取り出したICチップ20を水晶発振器のパッケージ2にマウントし、水晶振動子11と結線するようにしている。この後、図示しないが凹陥部5の内底面を樹脂6によりモールドするようにしている。
このようにして水晶発振器を製造すれば、ICチップ20のメモリ回路112に調整データを書き込む作業をICチップウェハ101の状態で行い、シリコンチップウェハ101から水晶発振器に用いるICチップ20を取り出す際には、不要なロジック回路113を削除するようにしているので、ICチップ20を従来のICチップ110よりロジック回路113分だけ小型化することができるので水晶発振器のさらなる小型化が可能になる。
また、ICチップを微細化するための工程をICチップウェハ101からICチップ20を取り出す工程S3において行うようにしているので、従来のように水晶発振器を構成した後に不要になる調整用端子部分を切断する場合に比べて、精度良く作業を行うことができ、またICチップにストレスを与えるといったこともない。
またICチップ自体のサイズを小さくしたことで、例えば従来と同一サイズの水晶発振器を構成する場合は、パッケージ2の凹陥部5の壁面とICチップ20との間隙が、従来に比べて広くなるのでICチップの実装が容易になり歩留まりが向上するという利点もある。
なお、本実施の形態において説明した水晶発振器の構造は、あくまでも一例であり、パッケージに対してICチップを直接実装するような構造の圧電発振器であれば適用可能であることは言うまでもない。
また、圧電振動子とICチップとをパッケージを介して導通接続した構成を用いて本発明を説明したが本発明はこれに限定されるものではなく、特開2004−304407公報に開示された圧電発振器の如くICチップ上に圧電振動子を例えば導電バンプ等を介して搭載して圧電振動子とICチップとを導通接合した構成を有する圧電発振器に適用してもよい。
即ち、ICチップそのものをパッケージの一部とした圧電発振器の場合、小型化が図れる一方、複数の部品が組み立てられた後のICチップの形状を切断加工することは、複数のICチップを一度に切断加工する為にカッターが走る切断ラインに沿ってICチップを整列配置する工程が必要であり、また、個々に切断する場合には、小型化されたICチップの方向性を固体毎整える工程が必要となるので製造工程が複雑になり工程量産に不向きであるが、本発明に基づく圧電発振器の製造方法であれば、一度ICチップウェハを切断加工すればその後、小型のICチップを切断加工する必要が無いのでICチップそのものをパッケージの一部とした超小型圧電発振器を効率良く組立・製造するのに有利である。
本発明の実施形態としての表面実装型水晶発振器の概略図である。 本実施形態の表面実装型水晶発振器の製造手順を示したフロー図である。 本実施形態の表面実装型水晶発振器の製造手順を示した図である。 従来の表面実装型水晶発振器の構成を示した図である。 従来の表面実装型水晶発振器の製造手順の一例を示した図である。
符号の説明
1…水晶発振器、2…パッケージ(枠体)、3…収納部、4…外部電極、5…凹陥部、6…樹脂、10…金属蓋、11…水晶振動子、12…導電性接着剤、20、110…ICチップ、30、102…ダイシングライン、101…ICチップウェハ、111…アナログ回路、112…メモリ回路、113…ロジック回路

Claims (3)

  1. 少なくとも発振回路、メモリ回路前記メモリ回路にデータを書き込むためのロジック回路とを含んで構成されるロジック回路付きICチップの前記メモリ回路に対して前記データを書き込む書き込み工程と、
    前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離し、前記発振回路及び前記メモリ回路を備えたロジック回路削除済みICチップを形成する分離工程と、
    前記ロジック回路削除済みICチップと圧電振動子とを導通接続する導通接続工程と、
    を備えたことを特徴とする圧電発振器の製造方法。
  2. 請求項1に記載の圧電発振器の製造方法において、
    前記書き込み工程は、前記ロジック回路付きICチップが複数形成されているICチップウェハの状態において、前記各ロジック回路付きICチップの前記各メモリ回路に対して前記データを書き込む工程であり、
    前記分離工程は、前記ICチップウェハを切断して前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離し、前記ロジック回路削除済みICチップの個片を取り出す工程であることを特徴とする圧電発振器の製造方法。
  3. 請求項2に記載の圧電発振器の製造方法において、
    前記分離工程は、前記ロジック回路上のダイシングラインに沿って前記ICチップウェハを切断し、前記発振回路及び前記メモリ回路と前記ロジック回路とを分離して、前記ロジック回路削除済みICチップの個片を取り出す工程であることを特徴とする圧電発振器の製造方法。
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