JP2007189282A - 圧電デバイスとその製造方法 - Google Patents

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    • H01L2924/18165Exposing the passive side of the semiconductor or solid-state body of a wire bonded chip

Abstract

【課題】圧電デバイスのより一層の低背化を実現する。
【解決手段】水晶振動素子12と、ICチップ3と、水晶振動素子12及びICチップ3
を収容可能な貫通穴5を有するパッケージ2と、貫通穴5の一方の開口を閉止する蓋部材
10とを備え、貫通穴5の他方の開口にICチップ3を配置して貫通穴5内を気密封止し
た。これにより、ICチップ3の厚みを貫通穴5の閉止部分に含めるようにした。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧電発振器等の圧電デバイスとその製造方法に関わり、特に圧電振動素子と
半導体素子を同一パッケージに収容したシングルシール構造の圧電デバイスに好適なもの
である。
携帯電話機等の移動体通信機器の小型化に伴い、これらの移動体通信機器に使用される
表面実装型圧電発振器、例えばTCXO(Temperature Compensated Crystal Oscillator
)やVCXO(Voltage Controlled Crystal Oscillator)等においても小型化、低背化
の要請が高まっている。このような要請に対応するため、従来から各種構造の水晶発振器
が提案されている。
例えば特許文献1等には、水晶振動素子とIC部品とを同一パッケージに収容してその
内部を気密封止した所謂シングルシール構造の表面実装型水晶発振器が開示されている。
図4は、特許文献1に開示されている従来の表面実装型水晶発振器の構成を示した断面
図である。
この図4に示す表面実装型水晶発振器50では、凹状のパッケージ51の内部底面にI
C部品53が実装される。またパッケージ51内の一方の側壁面に形成された段部54上
に電極パッド55が設けられており、この電極パッド55に導電性接着剤56等を用いて
水晶振動素子52が電気的、機械的に固定されている。
また特許文献2には、図示しないがガラス基板の凹部に半導体素子(ICチップ)を収
容し接着剤等で固定した圧電発振器が開示されている。さらに特許文献3には小型化に対
応し且つコストの安い圧電発振器として、チップ型の水晶振動子と、この水晶振動子を搭
載する台座と、台座の裏面の収納凹部に取り付けられるICとからなる圧電発振器等が開
示されている。
特開平03−272207号公報 特開平04−284006号公報 特開2000−244244公報
ところで、図4に示したような表面実装型水晶発振器は、ICチップ53をパッケージ
51の底面上に実装しているため、更なる低背化を実現するにはパッケージ51の底面の
肉厚を薄くするしかない。しかしながら、パッケージ51の肉厚を薄くするとパッケージ
51が破損し易くなり機械的な衝撃に対する信頼性が低下する。このため、パッケージ強
度という観点から更なる低背化を図ることができなかった。
また特許文献2に開示されている圧電発振器は、ICチップをガラス基板の凹部内に収
納した構造であるため、図4に示した表面実装型水晶発振器より低背化を図ることができ
るが、ICチップを搭載する部分のガラス基板の厚みが薄いため、上記同様、基板部分が
破損し易くなり機械的な衝撃に対する信頼性が低下する。このため、上記同様、更なる低
背化を図ることができなかった。
また特許文献3に開示されている圧電発振器は、圧電振動素子を専用のパッケージに収
納した所謂汎用品の圧電振動子を使用しているため、圧電デバイスの低価格化という観点
からは好ましいものの、ICチップを台座裏面の収納凹部に搭載しているため、圧電発振
器の低背化を実現することは困難であった。
本発明はこのような点を鑑みてなされたものであり、更なる低背化を実現することがで
きる圧電デバイスとその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、圧電振動素子と、半導体素子と、前記圧電振動素
子及び前記半導体素子を収容可能な貫通穴を有するパッケージと、前記貫通穴の一方の開
口を閉止する蓋部材と、を備え、前記貫通穴の他方の開口に前記半導体素子を配置して前
記貫通穴内を気密封止するようにした。このように構成すると、半導体素子の厚みを貫通
穴の閉止部分に含めることができるので、その分だけ圧電デバイスを低背化することがで
きる。また、従来のように圧電デバイスの低背化を実現するためにパッケージ底面を薄肉
構造にする必要がないので、パッケージの機械的強度を維持することができる。
また本発明は、パッケージの貫通穴内に半導体素子を接続する内部パッドと、圧電振動
素子を電気的、機械的に固定する接続パッドとを備えるようにした。このように構成する
と、半導体素子を配置したパッケージの上方に圧電振動素子を搭載できるので、圧電振動
素子と半導体素子を同一パッケージ内に収容した場合でも圧電デバイスの低背化を実現す
ることができる。
また本発明は、パッケージの貫通穴内に半導体素子を接続する内部パッドを備え、半導
体素子上に圧電振動素子を電気的、機械的に固定する接続パッドを備えるようにした。こ
のように構成するとパッケージの貫通穴に圧電振動素子を接続するための電極パッドを設
ける必要がないため、電極パッドを設けるための段部が不要になり、パッケージの構造を
簡略化することができるのでパッケージコストを低減することができる。
また本発明は、パッケージの貫通穴の一方の開口に配置した半導体素子を固定する固定
材を備え、半導体素子と固定材により貫通穴の開口を閉止するようにした。これにより圧
電振動素子が収容される領域の気密性を保つことが可能になる。
また本発明は、半導体素子がヒータ素子又はヒータ素子を含むように構成した。このよ
うに構成すると、圧電振動素子を効率よく加熱することができるので、熱効率の高い恒温
槽型圧電発振器を実現することができる。
また本発明は、固定材としてガラスを用いると、パッケージの貫通穴内の気密性をさら
に高めることが可能になる。
また本発明の圧電デバイスの製造方法は、パッケージに形成された貫通穴の他方の開口
側に半導体素子を配置する第1の工程と、前記貫通穴内に設けられた内部パッドと前記半
導体素子の電極とをワイヤにより接続する第2の工程と、前記パッケージの他方の開口側
に配置した前記半導体素子を固定する固定材を塗布する第3の工程と、圧電振動素子を前
記パッケージの前記貫通穴内に搭載する第4の工程と、前記貫通穴の一方の開口を蓋部材
により閉止して前記パッケージ内を気密封止する第5の工程と、を備えるようにした。こ
のようにすれば、パッケージの貫通穴の一方の開口に半導体素子を配置することができる
ので、半導体素子の厚みを貫通穴の閉止部分に含めた圧電デバイスを作製することが可能
になる。
以下、図面を参照して本発明の圧電デバイスの実施形態を詳細に説明する。なお、本実
施形態では圧電デバイスの一例としてTCXOやVCXO等の表面実装型水晶発振器(以
下、単に「水晶発振器」という)を例に挙げて説明する。
図1は本発明の第1の実施形態としての水晶発振器の概略構成を示した図であり、図1
(a)は斜視図、図1(b)は(a)に示した一点鎖線A−Aで切断した縦断面図、(c
)は底面図である。
この図1に示す水晶発振器1は、厚み方向(上下方向)に貫通する貫通穴5を有するパ
ッケージ2と、このパッケージ2に収容される半導体素子(以下、「ICチップ」という
)3と、圧電振動素子である水晶振動素子12と、パッケージ2内を気密封止する例えば
金属製の蓋部材10とを備えて構成される。
パッケージ2に形成された貫通穴5のうち、開口面積が大きい上方側の開口が蓋部材1
0により閉止されている。また開口面積が小さい下方側の開口内にはICチップ3が配置
されている。
ICチップ3は、例えば発振回路や温度補償回路等が集積したベアチップであり、シリ
コン基板の片側に集積回路と、集積回路に接続された電極(図示しない)等が設けられて
いる。このICチップ3の電極は、ワイヤ13によりパッケージ2の貫通穴5内に設けら
れた内部パッド6に接続されている。なお、ICチップ3が配置される貫通穴5の下面側
の開口面積はICチップ3のサイズやパッケージ2の強度、ICチップ3を貫通穴5に収
容する際の作業性などを考慮して適宜決定すれば良い。
ICチップ3が配置された貫通穴5の下方側の開口には、シール材(固定材)14が塗
布されており、シール材14により開口の閉止、ICチップ3の固定、及びワイヤ13を
保護するようにしている。シール材14としては、例えばエポキシ系のアンダーフィル材
や低融点ガラスなどが考えられる。特に、シール材14として低融点ガラスを用いると、
貫通穴5内の気密性をより高めることができる。
パッケージ2の貫通穴5の内壁面には導電性接着剤11により水晶振動素子12を電気
的、機械的に固定するための内部パッド7が設けられている。またパッケージ2の下面側
には表面実装型の外部電極4が複数設けられている。
なお、外部電極4、内部パッド7及び接続パッド(図示しない)との間は、図示しない
内部導体により水晶発振回路を構成するための所定の配線が施されている。
このように水晶発振器1は、パッケージ2に水晶振動素子12及びICチップ3を収容
可能な貫通穴5を形成し、貫通穴5の一方の開口を蓋部材10により閉止すると共に、貫
通穴5の他方の開口にICチップ3を配置してシール材14により閉止するようにした。
つまりICチップ5とシール材14とにより貫通穴5の一方の開口を閉止することで、I
Cチップ3の厚みを貫通穴5の閉止部分に含めるようにした。
この結果、従来のようにパッケージ上にICチップを実装したり、パッケージ底面に形
成した凹部にICチップを実装したりする場合に比べて、パッケージ底面からICチップ
が突出する高さを抑えることが可能になり、水晶発振器の更なる低背化を図ることができ
る。
また従来のようにパッケージ底面を薄肉構造にする必要がないので、パッケージの機械
的強度を保ちつつ水晶発振器の低背化を実現することできるという利点もある。
さらに低背化を図るためにICチップ3の厚さを薄くする必要もないため、輸送や作業
時におけるICチップ3の破損を大幅に低減することができる。さらにICチップ3の反
りも抑えることができるので水晶発振器を製造する際の作業性の向上も図ることができる

またICチップ3の外周縁には、ICチップ3の切断時に生じたチッピングやシリコン
屑等が存在するため、従来の水晶発振器では機械的な衝撃が加わった際にICチップのチ
ッピングが拡大したり、ICチップに付着していたシリコン結晶屑が水晶振動素子に付着
して、発振異常を引き起こすおそれがあった。
これに対して、本実施形態の水晶発振器1は、ICチップ3の周囲をシール材14によ
り固定する構造であるために、機械的な衝撃が加わったとしても、ICチップ3のチッピ
ングが拡大したり、或いはICチップ3に付着していたシリコン結晶屑が広がって水晶振
動素子12に付着することがないという利点もある。
図2は、図1に示した水晶発振器の製造手順の一例を示した図である。
なお、ここでは図示しないパッケージ作製工程において、予め水晶振動素子12とIC
チップ3を収容可能な貫通穴5を有するパッケージ2が作製されているものとする。
先ず、第1の工程として、図2(a)に示すように、パッケージ2に形成された貫通穴
5の下方側の開口内にICチップ3を配置する。
次に、第2の工程として、図2(b)に示すように、貫通穴5内に設けた内部パッド6
とICチップ3の図示しない電極とをワイヤーボンディングにより接続する。
次いで、第3の工程として、図2(c)に示すように、ICチップ3を配置した貫通穴
5の下方側の開口にシール材14を塗布する。これにより、ICチップ3を配置した下方
側の開口を閉止すると共に、ICチップ3を固定する。またシール材14によりワイヤ1
3を覆うことでワイヤ13を保護するようにしている。
第4の工程として、シール材14の乾燥後、図2(d)に示すように、導電性接着剤1
1等を用いて貫通穴5内の電極パッド7に水晶振動素子12を接続し、周波数調整などを
行った後、最後に第5の工程として、図2(e)に示すように、パッケージ2の貫通穴5
の上側開口に蓋部材10を接合してパッケージ内部を気密封止する。これにより、水晶発
振器1を作製することができる。
なお、第2の工程において、ワイヤーボンディングの際の衝撃によりICチップ3やパ
ッケージ2が動いてしまうのを防ぐには、図2(b)に示すように耐熱性の粘着シートま
たは接着剤等から成る仮固定部材31を用いてICチップ3とパッケージ2とをこれらを
置く土台に仮固定すれば良い。
また、仮固定部材31を用いると、図2(c)に示す第3の工程において、シール材1
4の漏れを防止することができる。
図3は第2の実施形態としての水晶発振器の概略構成を示した図であり、図3(a)は
縦断面図、(b)は底面図である。なお、図1と同一部位には同一符号を付して説明は省
略する。
この図3に示す水晶発振器20は、平板上のパッケージ21の底面にICチップ3を収
容するための貫通穴5が形成され、この貫通穴5内にICチップ3が配置されている。I
Cチップ3が配置された貫通穴5には、シール材14が塗布されており、シール材14に
より貫通穴5の閉止と、ICチップ3の固定、ワイヤ13の保護を行っている。この場合
もシール材14としてエポキシ系のアンダーフィル材や低融点ガラス等が用いられる。
ICチップ3上の電極(図示しない)は、ワイヤーボンディングのワイヤ13により、
パッケージ21上の内部パッド6と接続されている。またこの場合はICチップ3上に電
極パッド7が設けられ、この電極パッド7に導電性接着剤11等を用いて水晶振動素子1
2が電気的、機械的に固定されている。
パッケージ21上の周縁部にはシームリング22が設けられており、このシームリング
22に蓋部材10を接合することで、パッケージ21上の水晶振動素子12を気密封止す
るようにしている。
このように構成される水晶発振器20においても、上記図1に示した水晶発振器1と同
様の効果が得られる。またICチップ3に直接水晶振動素子12を搭載しているため、パ
ッケージ21上に水晶振動素子12を接続するための電極パッド7が不要になるので、パ
ッケージ21の構造を簡略化することができ、パッケージの小面積化、低コスト化を図る
ことができる。
また水晶発振器20においては、ICチップ3に水晶振動素子12を直接接触(対面)
した構造であるため、ICチップ3にヒータ素子の機能を含めて構成したり、或いはヒー
タ素子としての機能のみを有するICチップ3を構成したりすると、水晶振動素子12を
効率よく加熱することができるため、熱効率の高い恒温槽型水晶発振器を実現することが
できる。またこの場合はICチップ3とパッケージ21との間にシール材14が介在して
いるのでICチップ3の熱がパッケージ21を介して放熱しづらいという利点もある。
なお、本実施形態においては、本発明の一例として水晶発振器を例に挙げて説明したが
、これはあくまでも一例であり、同一パッケージ内にICチップと圧電振動素子を収容す
るシングルシール構造の圧電デバイスであれば、本発明を適用することが可能である。例
えば、圧電素子として弾性表面波素子(SAW)を用いたSAW発振器等の圧電デバイス
にも本発明を適用することが可能である。
また本実施形態では、図1に示したパッケージ2の貫通穴5の上面開口に平板状の蓋部
材10を接合して気密封止する構造、或いは図3に示した平板状のパッケージ21上に設
けたシームリング22を挟んで平板状の蓋部材10を接合して気密封止する構造を例に挙
げて説明したが、圧電振動素子を気密封止する構造としては、例えば平板状のパッケージ
の上面に逆椀状(逆凹状)の蓋部材を接合して気密封止しても良いことは言うまでもない
本発明の第1の実施形態としての表面実装型水晶発振器の構成を示した図。 図1に示した表面実装型水晶発振器の製造手順を示した図。 本発明の第2の実施形態としての表面実装型水晶発振器の構成を示した図。 従来の表面実装型水晶発振器の構成を示した図。
符号の説明
1…水晶発振器、2…パッケージ、3…ICチップ、4…外部電極、5…貫通穴、6…
内部パッド、7…電極パッド、10…蓋部材、11…導電性接着剤、12…水晶振動素子
、13…ワイヤ、14…シール材、20…水晶発振器、21…パッケージ、22…シーム
リング

Claims (7)

  1. 圧電振動素子と、半導体素子と、前記圧電振動素子及び前記半導体素子を収容可能な貫
    通穴を有するパッケージと、前記貫通穴の一方の開口を閉止する蓋部材と、を備え、前記
    貫通穴の他方の開口に前記半導体素子を配置して前記貫通穴内を気密封止したことを特徴
    とする圧電デバイス。
  2. 請求項1に記載の圧電デバイスにおいて、前記貫通穴内に前記半導体素子を接続する内
    部パッドと、前記圧電振動素子を電気的、機械的に固定する接続パッドと、を備えたこと
    を特徴とする圧電デバイス。
  3. 請求項1に記載の圧電デバイスにおいて、前記貫通穴内に前記半導体素子を接続する内
    部パッドを備え、前記半導体素子上に前記圧電振動素子を電気的、機械的に固定する接続
    パッドを備えたことを特徴とする圧電デバイス。
  4. 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の圧電デバイスにおいて、前記貫通穴の一方
    の開口に前記半導体素子を固定する固定材を備え、前記半導体素子と前記固定材により前
    記貫通穴の開口を閉止したことを特徴とする圧電デバイス。
  5. 請求項3に記載の圧電デバイスにおいて、前記半導体素子がヒータ素子、又はヒータ素
    子を含んでいることを特徴とする圧電デバイス。
  6. 請求項4に記載の圧電デバイスにおいて、前記固定材がガラスであることを特徴とする
    圧電デバイス。
  7. 請求項1乃至6の何れか一項に記載の圧電デバイスの製造方法であって、
    前記パッケージに形成された貫通穴の他方の開口側に半導体素子を配置する第1の工程
    と、前記貫通穴内に設けられた内部パッドと前記半導体素子の電極とをワイヤにより接続
    する第2の工程と、前記パッケージの他方の開口側に配置した前記半導体素子を固定する
    固定材を塗布する第3の工程と、圧電振動素子を前記パッケージの前記貫通穴内に搭載す
    る第4の工程と、前記貫通穴の一方の開口を蓋部材により閉止して前記パッケージ内を気
    密封止する第5の工程と、を備えたことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003677A (ja) * 2009-05-14 2014-01-09 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP2014016434A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示デバイス
JP2015088962A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス
JP2015088953A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス
JP2015154410A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイスの製造方法
JP2016010093A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03103612U (ja) * 1990-02-13 1991-10-28
JPH05182999A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JPH11145728A (ja) * 1997-11-04 1999-05-28 Nec Corp 圧電振動子発振器
JP2004134478A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03103612U (ja) * 1990-02-13 1991-10-28
JPH05182999A (ja) * 1991-12-26 1993-07-23 Olympus Optical Co Ltd 半導体装置
JPH11145728A (ja) * 1997-11-04 1999-05-28 Nec Corp 圧電振動子発振器
JP2004134478A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Sony Corp 半導体パッケージおよびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014003677A (ja) * 2009-05-14 2014-01-09 Seiko Epson Corp 圧電デバイス
JP2014016434A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Citizen Finetech Miyota Co Ltd 液晶表示デバイス
JP2015088962A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス
JP2015088953A (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス
JP2015154410A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 京セラクリスタルデバイス株式会社 圧電デバイスの製造方法
JP2016010093A (ja) * 2014-06-26 2016-01-18 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶デバイス

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