JP4650802B2 - ラセミ含チッソ複素環誘導体の製造法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
【産業上の利用分野】
本発明は、農薬や医薬の中間原料として有用なラセミ含チッソ複素環誘導体の製造法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
光学活性含チッソ複素環誘導体の工業的製造法として、化学合成されたラセミ体を光学分割して製造する方法が知られている。たとえば、光学活性Ｎ−アシルアミノ酸誘導体、光学活性Ｎ−スルホニルアミノ酸誘導体、光学活性酒石酸アニリドなどの光学分割剤を用いてラセミ体の３−アミノピロリジン誘導体を光学分割する方法（特開平９−１２４５９５号公報）により、光学活性３−アミノピロリジン誘導体を製造する方法は知られている。ここで、光学分割法を採用する場合、有用な光学活性体を分離した後、不要な光学異性体をラセミ化して再度光学分割するリサイクル法を採用する事で、工業的に有利な光学活性体の製造法になる。従って、ラセミ化は光学分割による光学活性体製造法に於いて非常に重要な技術である。
【０００４】
一般に、光学活性アミン類のラセミ化方法としては、アルカリ存在下で加熱する方法が知られているが、光学活性含チッソ複素環誘導体のラセミ化反応は難しい。僅かに、光学活性３−アミノピロリジン誘導体のラセミ化方法として、トルエンやエーテルなどの有機溶媒中、ラネーコバルト触媒の存在下、水素圧１〜１０MPaの加圧下、１００〜１７０℃でラセミ化を行う方法（特許３０２１１０９号、特開平７−２３３１４６号公報）など、高温、高圧が必要な方法が知られているにすぎない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、１ＭＰａ以上の高圧下の反応を工業的に実施するには、特殊な設備が必須であるという欠点を有する。したがって、１ＭＰａ未満の低圧で反応を進行することができれば、簡易な耐圧釜で、操作性良く、かつ安全にラセミ化反応を行うことができ、工業的に有利である。また、希釈溶媒を用いることなく反応を進行することができれば、生産設備を小型化することができ経済効率も高くなり、更に反応終了後に触媒を固液分離するだけで単離することができる為に、非常に効率のよい製造法となりうる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち、本発明は、式
【０００８】
【化２】

【０００９】
で示される光学活性含チッソ複素環誘導体を、無溶媒、ラネーコバルト触媒の存在下、水素圧０．２〜０．９ＭＰａにおいて加熱することを特徴とするラセミ含チッソ複素環誘導体の製造法である。
【００１０】
本発明において、光学活性体とはＲ体、Ｓ体のいずれか一方の光学異性体が６０％以上含まれるものを意味し、ラセミ体とは光学活性体よりも光学純度が低下したもの意味し、例えばいずれか一方の光学異性体が４０％以上、６０％未満含まれるものを意味する。また、使用する含チッソ複素環誘導体とは前記式で表されるものであり、３−アミノピロリジン誘導体が挙げられる。
【００１１】
ラネーコバルト触媒は常法に従い、展開したものを使用するが、市販の展開済みのものも使用できる。また、展開済み触媒は通常アルカリ性水溶液中に浸漬して流通、保管されているが、本反応に使用する際には特に有機溶媒等で置換する必要はなく、デカンテーションなどにより上清を除いた沈殿物をそのまま使用することも可能である。また、水に不安定な含チッソ複素環誘導体化合物を取り扱う場合には、有機溶媒で水を置換してから使用する方法も採用できる。又、アルカリに不安定な含チッソ複素環誘導体化合物を取り扱う場合には、ラネーコバルト触媒の上澄液が中性付近になるまで水洗浄を繰り返し、前記と同様にして使用すればよい。
【００１２】
ラネーコバルト触媒の使用量は、光学活性含チッソ複素環誘導体１部に対して０．００５〜０．５部が好ましく、更に好ましくは０．０５〜０．１部である。また、使用した触媒は活性のある限り何回でもリサイクル使用できる。
【００１３】
ラセミ化反応は無溶媒で行う。ここで無溶媒とは、実質的に無溶媒の状態であればよく、有機溶媒が混入した基質を使用することもできる。具体的には、光学活性含チッソ複素環誘導体１部に対して０．５重量部以下の溶媒類が含有されている場合も包含する。混入する溶媒は含チッソ複素環誘導体と反応しないものであれば何れでもかまわない。例えば水やメタノール等のアルコール類である。無溶媒でのラセミ化反応は、反応装置が小型化できて生産効率が向上するだけでなく、目的物の単離も固液分離するだけ達成できるために効率が高い。更に、希釈溶媒を使用するよりも反応速度が早まり、不純化も抑制され、生産効率が倍加して向上する。
【００１４】
反応温度は５０〜２００℃が好ましく、更に好ましくは８０〜１５０℃である。この範囲であれば、基質の不純化も抑制され、ラセミ化時間も短い。
【００１５】
反応は水素存在下で行われる。使用水素圧は０．２〜０．９ＭＰａである。
【００１６】
反応時間は基質の種類、反応温度、水素圧等の条件により異なるが、一般的には１〜３０時間で終了する。
【００１７】
反応終了後、通常の方法で目的物であるラセミ含チッソ複素環誘導体を単離する。例えば水素を放圧後、触媒を濾過するだけでよいが、固液分離の際に溶媒でリンスする場合には、濃縮するか、必要に応じて蒸留精製すればよい。また、引き続き光学分割の原料として使用する場合には、触媒を晶析溶媒でリンスすれば、濾過母液をそのまま使用することもできる。
【００１８】
【実施例】
以下、実施例および比較例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこの範囲により限定されるものではない。なお、ここで使用する試薬類は試薬グレード品である。また、含チッソ複素環誘導体の光学純度測定は、O,O'-ジトルオイル−Ｌ−酒石酸無水物と反応させて２種のジアステレオマーに誘導させた後、ＨＰＬＣ分析で求めた。
【００１９】
【化３】

【００２０】
分析条件は含チッソ複素環誘導体の種類によって異なるが、代表例を下記した。
【００２１】

【００２２】

【００２３】

また化学純度は、溶媒を除き、ＧＣのａｒｅａ％で求めた。
【００２４】
実施例１
５００ｍｌステンレス製オートクレーブに Ｒ−ＢＡＰ １００．０ｇ（０．５６８モル、化学純度９７．６％、光学純度４５．２６％ｅｅ）とラネーコバルト（日興リカＲ−４０１）１５．０ｇ（上澄液をデカンテーションで除去したウエット状態）を仕込み、水素圧０．５ＭＰａに加圧したのち、反応温度１３０℃で２０時間反応させた。反応終了後、水素を放圧してからオートクレーブを開封し、反応液を濾過した。メタノールでリンスし濾液中にＢＡＰを９８．９ｇ得た。回収率９８．９％、光学純度０％ｅｅ、ラセミ化率１００％であった。
【００２５】
実施例２
１００ｍｌステンレス製オートクレーブにＲ−ＢＡＰ ２．０ｇ（１１．４ミリモル、化学純度９６．２％、光学純度４０．４２％ｅｅ）、およびラネーコバルト（日興リカＲ−４０１）１．０ｇ（上澄液をデカンテーションで除去したウエット状態）を仕込み、水素圧０．６ＭＰａに加圧したのち、反応温度１５０℃で５時間反応させ、実施例１と同様にして単離した。回収率８８．９％、光学純度
０．４％ｅｅ、ラセミ化率９９．１％であった。
【００２６】
比較例１
各種溶媒を５ｇ添加した以外は実施例２と同様にして反応させた。光学純度、ラセミ化率、回収率は以下の通りであった。
【００２７】
【表１】

【００２８】
実施例３
実施例１で回収したラネーコバルトを全量使用し、それ以外は実施例１と同様にして反応させた。回収率９８．３％、光学純度０．０％ｅｅ、ラセミ化率１００％であった。
【００２９】
実施例４
１００ｍｌステンレス製オートクレーブに Ｓ−ＡＰ １０．０ｇ（０．０５８モル、化学純度９９．２５％、光学純度９９．１２％）と、実施例１と同様に処理したラネーコバルト（日興リカＲ−４０１）１．０ｇを仕込み、水素圧０．５ＭＰａに加圧したのち、反応温度１３０℃で１６時間反応させた。反応終了後、実施例１と同様に処理して、濾液中にＡＰを９．７ｇ得た。回収率８７．１％（化学純度８８．９％）、光学純度０％ｅｅ、ラセミ化率１００％であった。
【００３０】
【発明の効果】
本発明によれば、光学活性含チッソ複素環誘導体を簡易な耐圧釜で対応可能な０．２〜０．９ＭＰａの低圧下にてラセミ化できる。また、無溶媒で実施するために小型の反応装置が使用できる為に生産効率が高い。更に、反応後に濾過分離した触媒はリサイクル使用できることから、経済性も高い。

Claims (2)

1. 式
   

   

   で示される光学活性含チッソ複素環誘導体を、無溶媒、ラネーコバルト触媒の存在下、水素圧０．２〜０．９ＭＰａにおいて加熱することを特徴とするラセミ含チッソ複素環誘導体の製造法。
2. 反応温度が５０〜２００℃であることを特徴とする請求項１記載のラセミ含チッソ複素環誘導体の製造法。