JP4643582B2 - 過飽和の洗浄溶液を使用したメガソニック洗浄 - Google Patents
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Description
(a) 第1のガスのための第1の温度及び第1の分圧のガス環境を有する処理チャンバー内に基板を配置し、
(b) その基板に接触するように、洗浄液と、前記第1の温度及び前記第1の分圧で過飽和濃度となるように前記洗浄液に溶かされた第1のガスとを含む溶液を前記処理チャンバーに供給し、
(c) 前記基板が前記溶液と接触している間に該基板を洗浄すべく該基板に音響エネルギーを供給する、
ことからなる、少なくとも1枚の基板を洗浄する方法である発明によって達成される。
(a) 処理チャンバー内に半導体ウエハーを配置し、
(b) 洗浄液、該洗浄液に溶解されると共に前記ウエハーからのパーティクルの除去を促進する第1のガス、及び該洗浄液に溶解されると共に音響エネルギーに起因するダメージから前記ウエハーを保護する第2のガスを含む溶液を前記基板に接触するように前記処理チャンバーに供給し、
(c) 前記ウエハーを洗浄すべく、前記溶液を介して前記ウエハーに音響エネルギーを供給する、
少なくとも1枚の半導体ウエハーを洗浄する方法である。
第1のガスの第1の温度及び第1の分圧のガス環境を有する処理チャンバー;
該処理チャンバー内に少なくとも1枚の基板を支持するための支持体;
前記第1のガスを洗浄液に溶解することによって、前記第1の温度及び前記第1の分圧にて過飽和濃度となるように溶液を形成する装置;
前記支持体により支持された基板に接触するように前記処理チャンバーに前記溶液を供給するための装置;
前記支持体に支持された基板に音響エネルギーを伝達させるための音響エネルギー源;
基板が前記支持体に配置され、溶液が前記処理チャンバーに供給されて前記基板に接触したときに音響エネルギーの発生源を作動させ、相当量の第1のガスが前記溶液から逃散して、前記液体に溶解されている前記第1のガスの濃度が前記第1の温度及び第1の分圧にて飽和濃度にまで下がる前に前記溶液を介して前記基板に音響エネルギーを到達させるようにするコントローラ;
を備えた、少なくとも1枚の基板を洗浄するシステムである。
Claims (20)
- (a) 第1のガスのための第1の温度及び第1の分圧のガス環境を有する処理チャンバー内に基板を配置し、
(b) 音響エネルギー源を配置し、
(c) その基板の表面に溶液のフィルムを形成するように、洗浄液と、前記第1の温度及び前記第1の分圧で過飽和濃度となるように前記洗浄液に溶かされた第1のガスとを含む溶液を前記基板の表面に供給すると共に、該フィルムに前記音響エネルギー源を接触させ
(d) 前記基板が前記溶液と接触している間に該基板を洗浄すべく、前記音響エネルギー源によって前記溶液を介して該基板に音響エネルギーを供給する、
ことからなる、少なくとも1枚の基板を洗浄する方法。 - 前記溶液中の前記第1のガスの濃度が、前記第1の温度及び前記第1の分圧での飽和濃度にまで下がる前に、ステップ(d) が完了する、請求項1の方法。
- 前記第1のガスが二酸化炭素である、請求項1の方法。
- 前記洗浄液における前記二酸化炭素の過飽和濃度は、100万分の50から100万分の2000の範囲である、請求項3の方法。
- 前記洗浄液における前記二酸化炭素の過飽和濃度は 100万分の1000である、請求項4の方法。
- 第2の温度及び第2の分圧にて前記第1のガスが、飽和濃度か、それよりも下の濃度になるような量に、前記第1のガスを前記洗浄液に溶かすことによって前記第1のガスの第2の温度及び第2の分圧を有するガス環境の中に前記溶液を作ることをステップ(c) の前に行う、請求項1の方法。
- 前記第1のガスは膜接触器を通り抜けて前記洗浄液に溶解される、請求項6の方法。
- 前記基板は半導体ウエハーであり、ステップ(b)−(d)
は、前記ウエハーが、ポリシリコンや金属や誘電体を含む材料のラインやトレンチのエッチングを受けた後に実行される、請求項1の方法。 - 前記溶液は、さらに前記洗浄液に溶解された第2のガスを有する、請求項1の方法。
- 前記第1のガスは、前記音響エネルギーに起因するダメージから前記基板を保護し、前記第2のガスは、該基板からのパーティクルの除去を促進する、請求項9の方法。
- 前記第2のガスは、前記処理チャンバーのガス環境の前記第1の温度及び分圧にて過飽和濃度となるように前記洗浄液に溶かされる、請求項9の方法。
- 前記音響エネルギーはメガソニック・エネルギーである、請求項1の方法。
- 前記処理チャンバーは大気圧又は大気圧に近い、請求項1の方法。
- 前記処理チャンバーのガス環境は空気を含む、請求項1の方法。
- 前記ウエハーは前記処理チャンバー内にて大体水平な方向に支持されている、請求項1の方法。
- 前記溶液中の前記第1のガスの濃度が、前記第1の温度及び前記第1の分圧での飽和濃度にまで下がる前に、ステップ(d) が完了し;
前記溶液は、前記第1のガスの第2の温度及び第2の分圧を有するガス環境の中に前記洗浄液を供給し、前記第2の温度及び前記第2の分圧にて前記第1のガスが、飽和濃度か、それよりも下の濃度になるような量に、前記第1のガスを前記洗浄液に溶かすことによってステップ(c) の前に作り出され;
前記第1のガスは二酸化炭素であり;
前記溶液は、前記基板からパーティクルを除去することとなる、前記洗浄液に溶かされた第2のガスをさらに含み;
前記ステップ(b) ―(d) は、基板が金属ラインのエッチステップを受けた後に実行され、
前記処理チャンバーのガス環境は空気を含み;
該処理チャンバー内のガス環境の圧力は大気圧かそれに近い、
請求項1の方法。 - 前記洗浄液は、脱イオン水、RCA溶液、希酸、希塩基、及び半水溶性の溶剤からなるグループから選択される、請求項1の方法。
- 前記音響エネルギー源はプローブを含み、
前記ステップ(b) では、前記基板にごく接近するように前記プローブを配置し、
前記ステップ(c) では、前記溶液のフィルムが前記プローブと接触する、
請求項1の方法。 - 前記プローブは細長い、請求項18の方法。
- 前記ステップ(b) では、前記プローブは、前記基板の表面にごく接近すると共に平行に配置される、
請求項18の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47760203P | 2003-06-11 | 2003-06-11 | |
PCT/US2004/018464 WO2005006396A2 (en) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007502032A JP2007502032A (ja) | 2007-02-01 |
JP2007502032A5 JP2007502032A5 (ja) | 2007-08-02 |
JP4643582B2 true JP4643582B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=34061915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006533684A Expired - Fee Related JP4643582B2 (ja) | 2003-06-11 | 2004-06-10 | 過飽和の洗浄溶液を使用したメガソニック洗浄 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1631396A4 (ja) |
JP (1) | JP4643582B2 (ja) |
KR (1) | KR101110905B1 (ja) |
CN (1) | CN1849182A (ja) |
TW (1) | TWI330552B (ja) |
WO (1) | WO2005006396A2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010108641A (ko) * | 2000-05-30 | 2001-12-08 | 강병근 | 무우를 주재로한 건강음료 및 그 제조방법 |
KR20020037177A (ko) * | 2000-11-13 | 2002-05-18 | 김용현 | 무를 첨가한 꿀음료 |
KR100827618B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2008-05-07 | 한국기계연구원 | 세정용 초음파 장치 및 이를 이용한 초음파 세정시스템 |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
JPWO2008050832A1 (ja) * | 2006-10-27 | 2010-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム、および記録媒体 |
KR100748480B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2007-08-10 | 한국기계연구원 | 세정용 초음파 장치를 이용한 초음파 세정시스템 |
JP4532580B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-08-25 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置 |
JP4915455B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2012-04-11 | トヨタ自動車株式会社 | 車両等大型製品のマイクロバブルによる脱脂システム |
JP2014130881A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
JP6678448B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2020-04-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
WO2020095091A1 (en) * | 2018-11-06 | 2020-05-14 | Arcelormittal | Equipment improving the ultrasound cleaning |
JP7233691B2 (ja) | 2019-03-28 | 2023-03-07 | 株式会社エアレックス | 低温物品の除染方法及びこれに使用するパスボックス |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5368054A (en) | 1993-12-17 | 1994-11-29 | International Business Machines Corporation | Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus |
JPH1022246A (ja) | 1996-07-04 | 1998-01-23 | Tadahiro Omi | 洗浄方法 |
CN1163946C (zh) | 1996-08-20 | 2004-08-25 | 奥加诺株式会社 | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 |
US5800626A (en) | 1997-02-18 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Control of gas content in process liquids for improved megasonic cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates |
US5849091A (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Megasonic cleaning methods and apparatus |
US6167891B1 (en) * | 1999-05-25 | 2001-01-02 | Infineon Technologies North America Corp. | Temperature controlled degassification of deionized water for megasonic cleaning of semiconductor wafers |
JP3322853B2 (ja) | 1999-08-10 | 2002-09-09 | 株式会社プレテック | 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法 |
US6743301B2 (en) | 1999-12-24 | 2004-06-01 | mFSI Ltd. | Substrate treatment process and apparatus |
US6684890B2 (en) * | 2001-07-16 | 2004-02-03 | Verteq, Inc. | Megasonic cleaner probe system with gasified fluid |
US20030084916A1 (en) * | 2001-10-18 | 2003-05-08 | Sonia Gaaloul | Ultrasonic cleaning products comprising cleaning composition having dissolved gas |
-
2004
- 2004-06-10 CN CNA2004800205237A patent/CN1849182A/zh active Pending
- 2004-06-10 EP EP04776442.8A patent/EP1631396A4/en not_active Withdrawn
- 2004-06-10 JP JP2006533684A patent/JP4643582B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 WO PCT/US2004/018464 patent/WO2005006396A2/en not_active Application Discontinuation
- 2004-06-10 KR KR1020057023902A patent/KR101110905B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-11 TW TW093116958A patent/TWI330552B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005006396A3 (en) | 2005-09-15 |
TW200507954A (en) | 2005-03-01 |
WO2005006396A2 (en) | 2005-01-20 |
TWI330552B (en) | 2010-09-21 |
KR20060037270A (ko) | 2006-05-03 |
KR101110905B1 (ko) | 2012-02-20 |
CN1849182A (zh) | 2006-10-18 |
EP1631396A2 (en) | 2006-03-08 |
JP2007502032A (ja) | 2007-02-01 |
EP1631396A4 (en) | 2013-08-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070601 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090929 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100106 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100203 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100205 |
|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20100615 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101005 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4643582 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |