JP4642048B2 - 遅延電場を用いたイオンエネルギー分布分析器に基づいたイオン分析システム - Google Patents
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Description
上記の孔の大きさは電位の変化を妨害しないようにするために、デバイ長さに近接するように設定される。
ここで、デバイ長さは、
122 ガス噴射システム
123 反応器体積部
124、209、320 ペデスタル
125 分析器
126 バイアス電源装置
127 マッチングシステム
128 真空チャンバー
129 ターボモレキュラーポンプ
130 スロットルバルブ
131 光ファイバ
132 制御及びデータ取得システム
221 ベース
222 孔
223、225 グリッド
226 壁
227 ソケット
228、229、230 ノード
315 上部プレート
331、332 センサー
601 クラスタツール
602、603 工程チャンバー
604 イオンフラックス
605、606 イオン分析器
607 半導体基板
Claims (19)
- 半導体回路またはその一部を製造するための製造工程のために提供される反応チャンバーと、
前記反応チャンバー内に設けられてイオンエネルギー分布を測定するイオン分析器とを含み、
前記イオン分析器は、前記反応チャンバー内の複数の地点に位置して前記反応チャンバー内で発生したイオンフラックスを内部に誘導し、その誘導されたイオンフラックスによるイオンエネルギー分布をリアルタイム測定する複数イオンフラックスセンサーを含み、
前記イオンフラックスセンサーは、前記イオンフラックスをセンサーの内部に誘導する入口、該入口に形成された少なくとも1つの孔、及び複数のグリッドを含み、前記グリッドの表面には複数のセルが形成され、前記セルの大きさが前記孔の大きさより小さく設定されることを特徴とするイオン分析システム。 - 前記イオンフラックスセンサーを設置するためのペデスタルを更に含み、かつ前記ペデスタルの内部に前記イオンフラックスセンサーを設置することを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 前記孔は、前記ペデスタルの上部表面と同一な高さに位置することを特徴とする請求項2記載のイオン分析システム。
- 前記孔の大きさは電位の変化を妨害しないようにするために、デバイ長さに近接して設定することを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 前記セルの大きさは50マイクロメートル以下であり、グリッドセルまたはメッシュセルを含むことを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 前記センサーにより測定されるイオンエネルギースペクトルが放射状方向に測定されるように少なくとも2つのイオンフラックスセンサーが前記反応チャンバーの中心軸に対して放射状方向に設置されることを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 前記センサーにより測定されるイオンエネルギースペクトルが方位角方向に測定されるように少なくとも2つのイオンフラックスセンサーが前記反応チャンバーの中心軸に対して方位角方向に設置されることを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 半導体製造工程に使われる前記イオンフラックスセンサーに無線周波数バイアスされた電圧を供給するための電力供給源を更に備えることを特徴とする請求項1記載のイオン分析システム。
- 前記ペデスタルの上部表面はシリコンで作ることを特徴とする請求項4記載のイオン分析システム。
- 半導体回路またはその一部を製造するためのプラズマ反応器と、
前記反応器の反応チャンバー内に設けられてイオンエネルギー分布を測定し、前記反応チャンバー内の複数の地点で前記反応チャンバー内で発生したイオンフラックスによるイオンエネルギー分布をリアルタイム測定する複数イオンフラックスセンサーを含むイオン分析器と、
前記イオン分析器により測定されたイオンエネルギー分布に対するデータをデジタル信号に変換する制御器と、
前記制御器からデジタル信号に変換された測定データをリアルタイムで分析することができるソフトウェアを備え、分析結果によってエラーまたは警報メッセージを出力するコンピュータと、
前記コンピュータから前記エラーまたは警報メッセージの伝達を受けて前記プラズマ反応器を制御する反応器制御器と、
を含み、
前記イオンフラックスセンサーは、前記イオンフラックスをセンサーの内部に誘導する入口、該入口に形成された少なくとも1つの孔、及び複数のグリッドを含み、前記グリッドの表面には複数のセルが形成され、前記セルの大きさが前記孔の大きさより小さく設定されることを特徴とするイオン分析システム。 - 前記イオンフラックスセンサーは、ベースと壁からなる円筒形本体、伝導性物質から構成された少なくとも2つのグリッド、伝導性物質から構成された少なくとも1つのイオンコレクタ、及び遅延電圧供給源と診断ケーブルに連結されたソケットに装着されるノードをさらに含み、前記少なくとも2つのグリッド及びイオンコレクタは円筒形本体内で各々のノードに装着されることを特徴とする請求項12記載のイオン分析システム。
- 前記イオンフラックスセンサーが設置されるペデスタルを更に含み、前記センサーとペデスタルが前記プラズマ反応器の内部に設置されることを特徴とする請求項11記載のイオン分析システム。
- 前記ペデスタルの中心に対して放射状方向に前記イオンフラックスセンサーを少なくとも2つ設置することを特徴とする請求項12記載のイオン分析システム。
- 前記ペデスタルの中心に対して方位角方向に前記イオンフラックスセンサーを少なくとも2つ設置することを特徴とする請求項12記載のイオン分析システム。
- イオンビームを用いて半導体基板を加工するためのプラズマ反応チャンバーと、
前記プラズマ反応チャンバー内に配置されて前記基板を支持し、縁部と中心部を有するペデスタルと、
前記プラズマ反応チャンバー内に配置されて、上記ペデスタルの縁部、及び/又は中心部でのイオンエネルギー分布を測定する複数イオンフラックスセンサーを含むイオン分析器と、
を含み、
前記イオンフラックスセンサーは、前記イオンフラックスをセンサーの内部に誘導する入口、該入口に形成された少なくとも1つの孔、及び複数のグリッドを含み、前記グリッドの表面には複数のセルが形成され、前記セルの大きさが前記孔の大きさより小さく設定されることを特徴とするイオン分析システム。 - 前記イオンフラックスセンサーは、上記ペデスタルの縁部及び/又は中心部から放出されるイオンフラックスを分析することを特徴とする請求項15記載のイオン分析システム。
- 前記イオンフラックスセンサーは、
円筒形本体と、
前記複数のグリッドを通過したイオンを収集するためのイオンコレクタと、
を含み、前記複数のグリッドには、遅延電位が印加されることを特徴とする請求項16記載のイオン分析システム。 - 前記複数のグリッドに遅延電位を印加するための遅延電圧源と、
前記グリッドが装着される複数のグリッドノードと、
前記イオンコレクタが装着されるコレクタノードと、
前記遅延電圧源を前記複数のグリッドノード及びコレクタノードに連結するためのソケットと、
を更に含むことを特徴とする請求項17記載のイオン分析システム。 - 前記複数のグリッドは、
前記イオングリッドから落ちる電子を拒否する下部電子遅延グリッドと、
前記ペデスタルに衝突するイオンをサンプリングするための一連のサンプル開口部を含む上部サンプリンググリッドと、
を含むことを特徴とする請求項15記載のイオン分析システム。
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