JP4639623B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device and electronic apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP4639623B2
JP4639623B2 JP2004099218A JP2004099218A JP4639623B2 JP 4639623 B2 JP4639623 B2 JP 4639623B2 JP 2004099218 A JP2004099218 A JP 2004099218A JP 2004099218 A JP2004099218 A JP 2004099218A JP 4639623 B2 JP4639623 B2 JP 4639623B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
electro
electrode
scanning
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004099218A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2005284057A (en
Inventor
正夫 村出
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004099218A priority Critical patent/JP4639623B2/en
Publication of JP2005284057A publication Critical patent/JP2005284057A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4639623B2 publication Critical patent/JP4639623B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、液晶などの電気光学物質を用いた電気光学装置において、当該電気光学物質
に直流成分が長期間印加されることを防止する技術に関する。
The present invention relates to a technique for preventing a direct current component from being applied to an electro-optical material for a long time in an electro-optical device using an electro-optical material such as liquid crystal.

電気光学物質の電気光学変化によって所定の表示を行う電気光学装置では、複数の走査
線と複数のデータとの交差部分に対応して画素が設けられる構成が一般的である。ここで
、電気光学物質として液晶を用いた電気光学装置では、素子基板と対向基板とが液晶を挟
持する構成となっている。このうち、素子基板側には、走査線とデータ線とともに、これ
らの各交差部分に対応して、走査線が選択されたときにオンするスイッチング素子(典型
的には薄膜トランジスタ)と、スイッチング素子がオンしたときに、データ線に供給され
た画像信号が印加される画素電極との対が設けられる一方、対向基板側には、各画素電極
に対して液晶を挟んで共通電極が対向するように設けられる。
An electro-optical device that performs a predetermined display by electro-optical change of an electro-optical material generally has a configuration in which pixels are provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data. Here, in an electro-optical device using liquid crystal as an electro-optical material, the element substrate and the counter substrate sandwich the liquid crystal. Among these, on the element substrate side, a switching element (typically a thin film transistor) that is turned on when the scanning line is selected, and a switching element corresponding to each of the intersections of the scanning line and the data line, When turned on, a pair with a pixel electrode to which an image signal supplied to the data line is applied is provided, and on the opposite substrate side, a common electrode is opposed to each pixel electrode with a liquid crystal interposed therebetween. Provided.

この構成において、画素電極と共通電極とによって液晶を挟持した液晶層を透過する光
量は、液晶の初期配向状態を決定する配向膜や偏光子などによって、両電極間の電圧実効
値に応じて変化する。このため、走査線を選択することによってスイッチング素子をオン
させるとともに、画素の明るさ(階調)に応じた電圧の画像信号をデータ線に供給すると
、当該走査線と当該データ線との交差に対応する画素を、画像信号の電圧に応じた階調と
させることができる。このような動作を画素のすべてに対して繰り返し実行することで、
所定の表示を行うことができる。この液晶は、直流成分の印加によって劣化するので、画
素電極に印加される画像信号の電圧は、共通電極の電位に対して所定の間隔で交互に高位
(正極性)、低位(負極性)となるように反転されて供給される。
In this configuration, the amount of light transmitted through the liquid crystal layer with the liquid crystal sandwiched between the pixel electrode and the common electrode varies depending on the effective value of the voltage between the two electrodes, depending on the alignment film or polarizer that determines the initial alignment state of the liquid crystal. To do. For this reason, when the switching element is turned on by selecting the scanning line and an image signal having a voltage corresponding to the brightness (gradation) of the pixel is supplied to the data line, the intersection of the scanning line and the data line occurs. The corresponding pixel can be made to have a gradation corresponding to the voltage of the image signal. By repeating this operation for all of the pixels,
A predetermined display can be performed. Since this liquid crystal deteriorates due to the application of a direct current component, the voltage of the image signal applied to the pixel electrode is alternately high (positive) and low (negative) at predetermined intervals with respect to the potential of the common electrode. Inverted so as to be supplied.

ところで、この電気光学装置において、例えば電源を遮断すると、液晶層は、その容量
性ゆえに画素電極に最後に印加された画像信号の電圧を保持する性質がある。電源遮断後
では、画像信号が反転されないので、電荷が残留して直流成分の印加状態となる結果、液
晶や配向膜などが劣化する。このため、再び電源を投入した後においては、画像信号に無
関係な偽像が当該部分で固定的に発生するという、いわゆる焼き付き現象が発生する。
このような焼き付き現象を防ぐ技術としては、例えば、電源を遮断する前や、表示を停
止させる前の一連のシーケンスとして、共通電極を例えば電源の低位側電位(グランド電
位)に接地させる過程を設けて、液晶層に保持された電荷をリークさせるものが知られて
いる(特許文献1参照)。
特開2001−147416号公報(段落0068、0077や、図8参照)。
By the way, in this electro-optical device, for example, when the power is turned off, the liquid crystal layer has a property of holding the voltage of the image signal last applied to the pixel electrode due to its capacitive property. Since the image signal is not inverted after the power supply is cut off, the electric charge remains and the DC component is applied. As a result, the liquid crystal and the alignment film are deteriorated. For this reason, after the power is turned on again, a so-called burn-in phenomenon occurs in which a false image irrelevant to the image signal is fixedly generated in that portion.
As a technique for preventing such burn-in phenomenon, for example, a process of grounding the common electrode to the lower potential (ground potential) of the power supply is provided as a series of sequences before shutting off the power supply or stopping the display. A device that leaks charges held in a liquid crystal layer is known (see Patent Document 1).
JP 2001-147416 A (see paragraphs 0068 and 0077 and FIG. 8).

しかしながら、このように、共通電極を接地電位に接地させても、電源遮断後や表示停
止後では、共通電極がフローティング状態となるので、例えばノイズ成分が混入したり、
共通電極を低位側電位に接地させる時間が短かったりすると、液晶層に電荷が残留し続け
る可能性がある。特に、表示時において液晶層の電荷のリークを低減するために、当該液
晶層と並列に蓄積容量が設けられる構成では、見掛け上、液晶層の容量が大きくなって、
電荷がリークしにくくなるので、液晶層に電荷が残留する可能性は高くなる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電気光学
物質において焼き付き現象の発生を防止した電気光学装置および電子機器を提供すること
にある。
However, even if the common electrode is grounded to the ground potential in this way, the common electrode is in a floating state after the power is shut off or the display is stopped.
If the time during which the common electrode is grounded to the lower potential is short, there is a possibility that electric charges remain in the liquid crystal layer. In particular, in a configuration in which a storage capacitor is provided in parallel with the liquid crystal layer in order to reduce charge leakage of the liquid crystal layer during display, the capacitance of the liquid crystal layer is apparently increased,
Since the charge is less likely to leak, the possibility that the charge remains in the liquid crystal layer is increased.
The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus that prevent the occurrence of a burn-in phenomenon in an electro-optical material.

本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、走査線と、データ線と、接地電位を基準とした電源電圧で前記走査線を選択する走査線駆動回路と、前記電源電圧で前記データ線を選択するとともに、選択した前記データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路と、前記走査線が選択されたとき、前記データ線に供給された画像信号が印加される画素電極と、前記画素電極に対して電気光学物質を挟んで対向する共通電極と、前記データ線と前記画素電極との間にて電気的に介挿され、前記走査線が選択されたときにオンするとともに、半導体層、ゲート電極層および配線層を含むトランジスタと、前記共通電極に電気的に接続される導通電極と、前記走査線駆動回路に前記接地電位を供給する接地配線と、外部からの信号を入力する外部端子と、前記外部端子と前記導通電極とを電気的に接続するように設けられ、前記導通電極を介して前記共通電極に共通電位を供給する共通電位配線と、前記共通電位配線と前記接地配線との間において前記共通電位配線及び前記接地配線に電気的に接続された抵抗と、を具備し、前記共通電位配線は、第1の辺と、前記第1の辺と交差する第2の辺と、前記第2の辺と交差する第3の辺とを有し、前記接地配線は、前記第1の辺と対向する部分を有する第4の辺と、前記第4の辺と交差し前記第2の辺と同じ方向に延在する第5の辺と、前記第5の辺と交差すると共に前記共通電位配線の第3の辺と対向する部分を有する第6の辺とを有し、前記抵抗は、前記ゲート電極層をパターニングしたものであると共に、前記第1の辺、前記第1の辺に対向する前記第6の辺、前記第2の辺及び前記第2の辺に対向する前記第5の辺によって設けられる平面的な空間内に葛折り状にパターニングしたものであることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置の前記抵抗の抵抗値は、100kΩ以上500kΩ以下であってもよい。
本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、接地線を基準とした電源電圧で前記走査線を順次選択する走査線駆動回路と、前記接地線を基準とした電源電圧で前記データ線を選択するとともに、選択したデータ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路と、走査線が選択されたとき、データ線に供給された画像信号が印加される画素電極と、前記画素電極の各々に対して電気光学物質を挟んで対向する共通電極と、前記共通電極と前記接地線との間において電気的に接続された抵抗とを具備する構成を特徴とする。この構成によれば、共通電極は、抵抗を介して接地線に接地されるので、電源遮断後などにおいては、画素電極および共通電極によって電気光学物質を挟持した容量成分に保持された電荷が、抵抗を介してリークする。このため、直流成分が上記容量成分に長期間印加されることがなくなる。

An electro-optical device according to an embodiment of the invention includes a scanning line, a data line, a scanning line driving circuit that selects the scanning line with a power supply voltage based on a ground potential , and the data line with the power supply voltage. A data line driving circuit for selecting and supplying an image signal to the selected data line; a pixel electrode to which the image signal supplied to the data line is applied when the scanning line is selected; and the pixel electrode A common electrode opposed to each other with an electro-optic material interposed therebetween, electrically inserted between the data line and the pixel electrode, and turned on when the scanning line is selected, and a semiconductor layer, a transistor including a gate electrode layer and a wiring layer, and a conductive electrode electrically connected to the common electrode, and a ground line for supplying the ground potential to the scanning line driving circuit, an external terminal for inputting a signal from the outside The external terminal and is provided so as to electrically connect the conductive electrode, and the common potential line for supplying a common potential to the common electrode via the conductive electrode, and the common potential line and the ground line A resistor electrically connected to the common potential wiring and the ground wiring, and the common potential wiring includes a first side and a second side intersecting the first side, A third side intersecting with the second side, and the ground wiring intersects the fourth side with a fourth side having a portion facing the first side, and the second side. A fifth side extending in the same direction as the side of the first side, and a sixth side having a portion that intersects the fifth side and faces the third side of the common potential wiring, and , together with those obtained by patterning the gate electrode layer, said first side, said first side The sixth side that direction, and characterized in that the patterning in a zigzag shape in said second side and said second plane spatial provided by the fifth side opposite to the side .
The resistance value of the resistor of the electro-optical device according to an embodiment of the invention may be 100 kΩ or more and 500 kΩ or less.
An electronic apparatus according to an embodiment of the invention includes the electro-optical device described above.
An electro-optical device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of scanning lines, a plurality of data lines, a scanning line driving circuit that sequentially selects the scanning lines with a power supply voltage based on a ground line, and the ground line. The data line is selected with a power supply voltage based on the data line, and the data line driving circuit for supplying an image signal to the selected data line, and when the scanning line is selected, the image signal supplied to the data line is applied. A pixel electrode, a common electrode opposed to each of the pixel electrodes with an electro-optic material interposed therebetween, and a resistor electrically connected between the common electrode and the ground line. And According to this configuration, since the common electrode is grounded to the ground line via the resistor, the charge held in the capacitive component that sandwiches the electro-optic material by the pixel electrode and the common electrode after the power is shut off, Leak through resistance. For this reason, the direct current component is not applied to the capacitive component for a long time.

本発明において、前記画像信号が、前記素子基板に設けられた1本以上の画像信号線を
介して供給される構成である場合、画像信号線に保持された電圧によって、電気光学物質
が劣化する可能性がある。そこで、このような場合には、前記画像信号線と前記接地線と
の間において電気的に抵抗を接続する構成としても良い。
また、上記抵抗の抵抗値は、高すぎると、電荷をリークさせるのに時間がかかる一方、
低すぎると、抵抗を介して電流が流れて、消費電力が大きくなる。このため、前記抵抗の
抵抗値は、100kΩ以上500kΩ以下であることが好ましい。
In the present invention, when the image signal is supplied via one or more image signal lines provided on the element substrate, the electro-optical material is deteriorated by the voltage held on the image signal line. there is a possibility. Therefore, in such a case, a configuration may be adopted in which a resistor is electrically connected between the image signal line and the ground line.
Also, if the resistance value of the resistor is too high, it takes time to leak charges,
If it is too low, a current flows through the resistor and power consumption increases. Therefore, the resistance value of the resistor is preferably 100 kΩ or more and 500 kΩ or less.

さらに、本発明において、データ線と画素電極との間にて電気的に介挿され、走査線が
選択されたときにオンするとともに、半導体層、ゲート電極層および配線層を含むトラン
ジスタを有し、前記抵抗は、前記ゲート電極層をパターニングした構成が望ましい。この
構成によれば、素子基板にトランジスタを形成する際に、抵抗も形成するので、別途の工
程を追加する必要がなくなる。さらに、この構成において、前記抵抗としての前記ゲート
電極層は、細線を葛折り状にパターニングしたものとしても良い。これによって、比較的
狭い領域において、高抵抗を安定して形成することが可能となる。
くわえて、本発明に係る電子機器は、上記電気光学装置を有するので、焼き付き現象を
発生させないで、高品位の表示が可能となる。
Furthermore, the present invention includes a transistor that is electrically inserted between the data line and the pixel electrode and is turned on when the scanning line is selected, and includes a semiconductor layer, a gate electrode layer, and a wiring layer. The resistor preferably has a configuration in which the gate electrode layer is patterned. According to this configuration, when the transistor is formed on the element substrate, the resistor is also formed, so that it is not necessary to add a separate process. Furthermore, in this configuration, the gate electrode layer as the resistor may be formed by patterning fine lines in a twisted manner. This makes it possible to stably form a high resistance in a relatively narrow region.
In addition, since the electronic apparatus according to the present invention includes the electro-optical device, high-quality display is possible without causing a burn-in phenomenon.

以下、本発明を実施するための最良の形態について図面を参照して説明する。
まず、実施形態に係る電気光学装置は、電気光学物質として液晶を用いて、その電気光
学的な変化により所定の表示を行うものであって、プロジェクタのライトバルブとして用
いられるものである。
図1(a)は、この電気光学装置のうち、外部回路を除いた液晶パネル100の構成を
示す斜視図であり、図1(b)は、図1(a)におけるb−b’線の断面図であり、図1
(c)は、図1(a)におけるc−c’線の断面図である。
これらの図に示されるように、液晶パネル100は、周辺回路内蔵型であり、各種素子
や画素電極118等が形成された素子基板101と、共通電極108等が設けられた対向
基板102とが、スペーサ(図示省略)を含むシール材104によって一定の間隙を保っ
て、互いに電極形成面が対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に電気光学
物質として、例えばTN(Twisted Nematic)型の液晶105が封入された構成となって
いる。
The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
First, the electro-optical device according to the embodiment uses liquid crystal as an electro-optical material and performs predetermined display by electro-optical change, and is used as a light valve of a projector.
FIG. 1A is a perspective view showing a configuration of the liquid crystal panel 100 excluding an external circuit in the electro-optical device, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line bb ′ in FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view
(C) is sectional drawing of the cc 'line in Fig.1 (a).
As shown in these drawings, the liquid crystal panel 100 is a peripheral circuit built-in type, and includes an element substrate 101 on which various elements and pixel electrodes 118 are formed, and a counter substrate 102 on which a common electrode 108 and the like are provided. In addition, the sealing material 104 including spacers (not shown) is bonded so that the electrode formation surfaces face each other while maintaining a certain gap, and an TN (Twisted Nematic) type liquid crystal, for example, is used as an electro-optical material in the gap. 105 is enclosed.

ここで、素子基板101には、ガラスや石英などが用いられ、対向基板102には、透
明性を有するガラスなどが用いられる。本実施形態では、液晶パネル100を透過型とす
るので、素子基板101も透明性を有するが、反射型とする場合には、半導体基板のよう
に不透明であっても良い。また、シール材104は、対向基板102の周辺に沿って枠状
に形成されるが、液晶105を封入するために一部が開口している。このため、液晶10
5の封入後に、その開口部分が封止材106によって封止されている。
Here, glass, quartz, or the like is used for the element substrate 101, and transparent glass or the like is used for the counter substrate 102. In the present embodiment, since the liquid crystal panel 100 is a transmissive type, the element substrate 101 also has transparency, but in the case of a reflective type, it may be opaque like a semiconductor substrate. The sealing material 104 is formed in a frame shape along the periphery of the counter substrate 102, but a part thereof is opened to enclose the liquid crystal 105. For this reason, the liquid crystal 10
After the sealing of 5, the opening is sealed with a sealing material 106.

次に、素子基板101の対向面であって、シール材104の外側一辺の領域140aに
おいては、後述するサンプリング信号出力回路が形成されている。さらに、領域140a
の外周部分には、複数の実装端子107が形成されて、外部回路(図示省略)からの各種
信号を入力する構成となっている。
また、この一辺に隣接する2辺の領域130aには、それぞれ後述する走査線駆動回路
が形成されて、走査線を両側から駆動する構成となっている。なお、走査線に供給される
走査信号の遅延が問題にならないのであれば、走査線駆動回路を片側1個だけに形成する
構成でも良い。なお、残りの一辺の領域は、2個の走査線駆動回路に用いられる共用配線
などが形成される。
Next, a sampling signal output circuit, which will be described later, is formed in a region 140 a on the opposite surface of the element substrate 101 and on the outer side of the sealing material 104. Furthermore, the area 140a
A plurality of mounting terminals 107 are formed on the outer peripheral portion of the, and various signals from an external circuit (not shown) are input.
In addition, a scanning line driving circuit, which will be described later, is formed in each of the two side regions 130a adjacent to the one side, so that the scanning lines are driven from both sides. Note that if the delay of the scanning signal supplied to the scanning line is not a problem, a configuration in which the scanning line driving circuit is formed on only one side may be employed. Note that a common wiring used for two scanning line driving circuits is formed in the remaining one side region.

図1(c)は、液晶パネル100を、シール材104の一片に沿って破断したときの断
面図である。この図に示されるように、対向基板102の共通電極108は、素子基板1
01との貼合部分の4隅において素子基板101に設けられた導通電極109と、銀ペー
ストなどの導通材103によって電気的な導通が図られている。
ほかに、対向基板102には、図示はしないが、遮光膜(ブラックマトリクス)が画素
電極118の配列する表示領域とこの表示領域を囲む非表示領域とに設けられている。こ
の遮光膜は、表示領域では、画素電極118と対向する領域を避けるように設けられて、
コントラストの低下を防止する一方、非表示領域では、額縁(見切り)として機能する。
また、素子基板101および対向基板102の対向面には、液晶105における分子の
長軸方向が両基板間で約90度連続的に捻れるようにラビング処理された配向膜(図示省
略)が設けられる一方、その各背面側には配向方向に応じた偏光子(図示省略)がそれぞ
れ設けられる。
FIG. 1C is a cross-sectional view when the liquid crystal panel 100 is broken along one piece of the sealing material 104. As shown in this figure, the common electrode 108 of the counter substrate 102 is connected to the element substrate 1.
Electrical conduction is achieved by the conductive electrode 109 provided on the element substrate 101 and the conductive material 103 such as silver paste at the four corners of the bonding portion with 01.
In addition, although not illustrated, the counter substrate 102 is provided with a light shielding film (black matrix) in a display area where the pixel electrodes 118 are arranged and a non-display area surrounding the display area. This light shielding film is provided in the display area so as to avoid the area facing the pixel electrode 118,
While preventing a decrease in contrast, the non-display area functions as a frame (parting).
In addition, an alignment film (not shown) that is rubbed so that the major axis direction of molecules in the liquid crystal 105 is continuously twisted by about 90 degrees between the two substrates is provided on the opposing surfaces of the element substrate 101 and the counter substrate 102. On the other hand, a polarizer (not shown) corresponding to the orientation direction is provided on each back side.

この構成において、画素電極118と対向電極108との間を通過する光は、液晶層の
電圧実効値がゼロであれば、液晶分子の捻れに沿って約90度旋光する一方、当該電圧実
効値が大きくなるにつれて、液晶分子が電界方向に傾く結果、その旋光性が消失する。こ
のため、例えば透過型において、入射側と背面側とに、配向方向に合わせて偏光軸が互い
に直交する偏光子をそれぞれ配置させたノーマリーホワイトモードである場合、液晶層の
電圧実効値がゼロであれば、光の透過率が最大となって白色表示になる一方、電圧実効値
が大きくなるにつれて透過する光量が減少して、ついには透過率が最小である黒色表示に
なる。
なお、図1(b)および図1(c)においては、共通電極108や、画素電極118、
実装端子107に厚みを持たせているが、これは、形成位置を示すための便宜的な措置で
あり、実際には、基板に対して充分に無視できるほど薄い。
In this configuration, the light passing between the pixel electrode 118 and the counter electrode 108 rotates about 90 degrees along the twist of the liquid crystal molecules if the effective voltage value of the liquid crystal layer is zero, while the effective voltage value As is increased, the liquid crystal molecules are tilted in the direction of the electric field, and as a result, their optical rotation disappears. For this reason, for example, in the transmission type, in the normally white mode in which polarizers whose polarization axes are orthogonal to each other according to the alignment direction are arranged on the incident side and the back side, the effective voltage value of the liquid crystal layer is zero. If so, the light transmittance is maximized to produce a white display, while the amount of transmitted light decreases as the effective voltage value increases, and finally the black display has the smallest transmissivity.
In FIG. 1B and FIG. 1C, the common electrode 108, the pixel electrode 118,
Although the mounting terminal 107 has a thickness, this is a convenient measure for indicating the formation position, and is actually thin enough to be ignored with respect to the substrate.

次に、上述した液晶パネル100のうち、素子基板101の電気的な構成について説明
する。図2は、この構成を示す概略図である。
この図に示されるように、素子基板101には、外部回路からの各種の信号を入力する
ために複数の実装端子107が設けられている。これらの実装端子107を介して入力さ
れる信号は、配線を介して各部に供給される構成となっている。
ここで、実装端子107を介して供給される信号について簡単に説明すると、第1に、
VssY、VddYは、それぞれ走査線駆動回路130における電源の低位側電圧(接地
電位)、高位側電圧であり、それぞれ配線132、134を介して走査線駆動回路130
に供給される。
また、VssX、VddXは、それぞれサンプリング信号出力回路140における電源
の低位側電圧、高位側電圧であり、それぞれ配線142、144を介してサンプリング信
号出力回路140に供給される。
なお、電源電圧の低位側を、走査線駆動回路130とサンプリング信号出力回路140
との各々について、それぞれ便宜的にVssY、VssXとに分けて表記しているが、実
際には共通である。同様に、電源電圧の高位側も、走査線駆動回路130とサンプリング
信号出力回路140との各々について、それぞれVddY、VddXとに分けて表記して
いるが、実際には共通である。
Next, an electrical configuration of the element substrate 101 in the liquid crystal panel 100 described above will be described. FIG. 2 is a schematic diagram showing this configuration.
As shown in this figure, the element substrate 101 is provided with a plurality of mounting terminals 107 for inputting various signals from an external circuit. A signal input via these mounting terminals 107 is supplied to each part via wiring.
Here, the signal supplied via the mounting terminal 107 will be briefly described. First,
VssY and VddY are the lower voltage (ground potential) and the higher voltage of the power source in the scanning line driving circuit 130, respectively, and the scanning line driving circuit 130 via the wirings 132 and 134, respectively.
To be supplied.
Further, VssX and VddX are the lower voltage and the higher voltage of the power supply in the sampling signal output circuit 140, and are supplied to the sampling signal output circuit 140 via the wirings 142 and 144, respectively.
Note that the lower side of the power supply voltage is connected to the scanning line driving circuit 130 and the sampling signal output circuit 140.
Are divided into VssY and VssX for the sake of convenience, but are actually common. Similarly, the higher side of the power supply voltage is also divided into VddY and VddX for each of the scanning line driving circuit 130 and the sampling signal output circuit 140, but is actually common.

第2に、Vid1〜Vid6は、外部回路から供給される画像信号であって、ドットク
ロック信号DCLKにしたがって、垂直走査および水平走査に同期して供給される1系統
の映像信号Vidを、6系統に分配するとともに時間軸に6倍に伸長した画像信号であり
、画素の階調(明るさ)に応じた電圧を有する。画像信号線171の6本は、この画像信
号Vid1〜Vid6をそれぞれ供給する配線である。この画像信号線171の各々は、
それぞれ抵抗164を介して配線142に接地されている。
Secondly, Vid1 to Vid6 are image signals supplied from an external circuit, and in accordance with the dot clock signal DCLK, one system of video signals Vid supplied in synchronization with vertical scanning and horizontal scanning is supplied to six systems. Is an image signal that is distributed six times and expanded six times on the time axis, and has a voltage corresponding to the gradation (brightness) of the pixel. Six of the image signal lines 171 are wirings for supplying the image signals Vid1 to Vid6, respectively. Each of the image signal lines 171 is
Each is grounded to the wiring 142 via the resistor 164.

第3に、LCcomは、共通電極108に印加される電圧信号である。このため、電圧L
Ccomは、配線182を介して4つの導通電極109に供給される。ここで、導通電極1
09は、対向基板102との貼り合わせに用いられるシール材104の四隅に相当する地
点にそれぞれ設けられる。したがって、素子基板101が実際に対向基板102に貼り合
わせられると、導通電極109と共通電極108とが導通材103を介して接続されて、
共通電極108に電圧LCcomが印加される構成となる。なお、実装端子107と導通電
極109とを結ぶ配線182は、抵抗162を介して配線132に接地されている。
また、電圧LCcomは、時間軸に対して一定であり、この電圧LCcomを基準にして、外
部回路が、画像信号Vid1〜Vid6を例えば1水平走査期間毎に高位側および低位側
に振り分ける構成となっている。また、導通電極109が設けられる地点は、本実施形態
では四隅であるが、この導通電極109が設けられる理由は、導通材103を介して対向
電極108に電圧LCcomを印加するためであるから、導通電極109が設けられる箇所
は少なくとも1箇所以上であれば良い。
一方、本実施形態において電圧LCcomは、後述するように、蓄積容量の一方に共通に
印加されるので、容量線175を介して各画素110にも供給されている。
なお、走査線駆動回路130やサンプリング信号出力回路140には、このほかにも所
定のクロック信号等が供給されるが、本発明とは直接関係しないので、これらの信号波形
や信号線などの説明・図示を省略する。
Third, LCcom is a voltage signal applied to the common electrode 108. For this reason, the voltage L
Ccom is supplied to the four conductive electrodes 109 via the wiring 182. Here, the conductive electrode 1
09 is provided at points corresponding to the four corners of the sealing material 104 used for bonding to the counter substrate 102. Therefore, when the element substrate 101 is actually bonded to the counter substrate 102, the conductive electrode 109 and the common electrode 108 are connected via the conductive material 103,
The voltage LCcom is applied to the common electrode 108. Note that the wiring 182 connecting the mounting terminal 107 and the conductive electrode 109 is grounded to the wiring 132 through the resistor 162.
The voltage LCcom is constant with respect to the time axis, and the external circuit distributes the image signals Vid1 to Vid6 to, for example, the high-order side and the low-order side every horizontal scanning period with reference to the voltage LCcom. ing. In addition, the conductive electrode 109 is provided at the four corners in the present embodiment, but the reason why the conductive electrode 109 is provided is to apply the voltage LCcom to the counter electrode 108 via the conductive material 103. The conductive electrode 109 may be provided at least one place.
On the other hand, in this embodiment, the voltage LCcom is commonly applied to one of the storage capacitors, as will be described later, and is also supplied to each pixel 110 via the capacitor line 175.
In addition, a predetermined clock signal or the like is supplied to the scanning line driving circuit 130 and the sampling signal output circuit 140 in addition to this, but since it is not directly related to the present invention, explanation of these signal waveforms, signal lines, etc.・ The illustration is omitted.

さて、素子基板101の表示領域110aにあっては、複数本の走査線112が行(Y
)方向に沿って平行に配列し、また、複数本のデータ線114が列(X)方向に沿って平
行に配列して、これらの各交差部分に対応して画素110が設けられている。ここで、説
明の便宜上、走査線112の総本数を「m」とし、データ線114の総本数を「6n」と
すると(m、nは、それぞれ整数とする)、画素は、走査線112とデータ線114との
各交差部分に対応して、m行×6n列のマトリクス状に配列することになる。
Now, in the display area 110a of the element substrate 101, a plurality of scanning lines 112 are arranged in a row (Y
) Are arranged in parallel along the direction, and a plurality of data lines 114 are arranged in parallel along the column (X) direction, and a pixel 110 is provided corresponding to each intersection. Here, for convenience of explanation, if the total number of scanning lines 112 is “m” and the total number of data lines 114 is “6n” (m and n are integers), the pixels are the same as the scanning lines 112. Corresponding to each intersection with the data line 114, it is arranged in a matrix of m rows × 6n columns.

この画素110は、素子基板101の単体でみた場合、電気的には図3(a)に示され
るように、走査線112とデータ線114とが交差する部分において、画素を制御するた
めのスイッチング素子たるTFT116のゲートが走査線112に接続される一方、TF
T116のソースがデータ線114に接続されるとともに、TFT116のドレインが矩
形状の透明な画素電極118に接続された構成となっている。画素110には、また、蓄
積容量119が設けられて、その一端は、TFT116のドレインに接続される一方、そ
の他端は、容量線175に共通接続されている。
液晶パネル100は、上述したように、素子基板101と対向基板102との電極形成
面の間において液晶105を挟持した構成であるので、各画素110においては、図3(
b)に示されるように、画素電極118と、対向電極108と、これら両電極間に挟持さ
れた液晶105とによって、液晶層が形成されることになる。
When this pixel 110 is viewed as a single element substrate 101, as shown in FIG. 3A, switching for controlling the pixel at a portion where the scanning line 112 and the data line 114 intersect is electrically performed. While the gate of the TFT 116 as an element is connected to the scanning line 112, TF
The source of T116 is connected to the data line 114, and the drain of the TFT 116 is connected to a rectangular transparent pixel electrode 118. The pixel 110 is also provided with a storage capacitor 119 having one end connected to the drain of the TFT 116 and the other end commonly connected to the capacitor line 175.
Since the liquid crystal panel 100 has a configuration in which the liquid crystal 105 is sandwiched between the electrode formation surfaces of the element substrate 101 and the counter substrate 102 as described above, each pixel 110 has a configuration shown in FIG.
As shown in b), a liquid crystal layer is formed by the pixel electrode 118, the counter electrode 108, and the liquid crystal 105 sandwiched between the two electrodes.

説明を再び図2に戻す。走査線駆動回路130は、図6に示されるように、水平走査期
間(1H)のうち、水平有効走査期間において順次排他的にHレベルとなる走査信号G1
、G2、…、Gmの各々を、それぞれ1行〜m行の走査線112に供給するものである。
また、サンプリング信号出力回路140は、水平有効表示期間において、順次排他的にH
レベルとなるサンプリング信号S1、S2、…、Snを出力するものである。なお、走査
線駆動回路130およびサンプリング信号出力回路140の詳細については本発明と直接
関連しないので説明・図示を省略する。
The description returns to FIG. 2 again. As shown in FIG. 6, the scanning line driving circuit 130 scans the scanning signal G <b> 1 that sequentially becomes H level exclusively during the horizontal effective scanning period in the horizontal scanning period (1 </ b> H).
, G2,..., Gm are respectively supplied to the scanning lines 112 of 1 to m rows.
In addition, the sampling signal output circuit 140 sequentially sequentially outputs H in the horizontal effective display period.
Sampling signals S1, S2,..., Sn that are levels are output. Note that the details of the scanning line driving circuit 130 and the sampling signal output circuit 140 are not directly related to the present invention, and thus will not be described and illustrated.

続いて、それぞれサンプリング回路150は、データ線114毎に設けられるNチャネ
ル型のTFT(サンプリングスイッチ)から構成されている。このサンプリングスイッチ
は、6本の画像信号線171を介して供給される画像信号Vid1〜Vid6の各々をデ
ータ線114にサンプリングするためのものである。
詳細には、データ線114を一般化して説明するために、1≦j≦6nを満たす整数j
を用いると、図2において左から数えてj列目のデータ線114の一端にドレインが接続
されたサンプリングスイッチは、jを6で割った余りが「1」であるならば、そのソース
が、信号Vid1が供給される画像信号線171に接続される。同様に、jを6で割った
余りが「2」、「3」、「4」、「5」、「0」であるデータ線114にドレインが接続
されたサンプリングスイッチの各々は、そのソースが、信号Vid2〜Vid6が供給さ
れる画像信号線171にそれぞれ接続されている。例えば、図2において左から数えて1
1列目のデータ線114にドレインが接続されたサンプリングスイッチのソースは、「1
1」を6で割った余りが「5」であるから、信号Vid5が供給される画像信号線171
に接続される。
Subsequently, each sampling circuit 150 is composed of an N-channel TFT (sampling switch) provided for each data line 114. This sampling switch is for sampling each of the image signals Vid1 to Vid6 supplied via the six image signal lines 171 to the data line 114.
Specifically, in order to generalize and describe the data line 114, an integer j that satisfies 1 ≦ j ≦ 6n
2, the sampling switch in which the drain is connected to one end of the j-th data line 114 counted from the left in FIG. 2, if the remainder obtained by dividing j by 6 is “1”, the source is It is connected to the image signal line 171 to which the signal Vid1 is supplied. Similarly, each of the sampling switches whose drains are connected to the data lines 114 whose remainders obtained by dividing j by 6 are “2”, “3”, “4”, “5”, “0” Are connected to image signal lines 171 to which signals Vid2 to Vid6 are supplied. For example, in FIG.
The source of the sampling switch whose drain is connected to the data line 114 in the first column is “1
Since the remainder of dividing “1” by 6 is “5”, the image signal line 171 to which the signal Vid5 is supplied.
Connected to.

さらに、(j−1)を6で割った商がiであるデータ線114にドレインが接続される
6個のサンプリングスイッチのゲートには、それぞれサンプリング信号S(i+1)が共
通に供給される。例えば、7列〜12列目のデータ線114では、(j−1)が「6」〜
「11」であり、この数字を6で割った商がいずれも「1」であるので、これらのデータ
線114に対応するサンプリングスイッチのゲートには、サンプリング信号S2が共通に
供給される。
したがって、例えばサンプリング信号S2がHレベルになると、画像信号Vid1〜V
id6は、7〜12列目のデータ線114にそれぞれサンプリングされることになる。こ
のため、サンプリング信号出力回路140およびサンプリング回路150によって、デー
タ線駆動回路が構成されることになる。
なお、本実施形態では、サンプリングスイッチのゲートに同一のサンプリング信号が供
給される関係となっている6本のデータ線114を1ブロックとして考える。
Further, the sampling signal S (i + 1) is commonly supplied to the gates of the six sampling switches whose drains are connected to the data line 114 whose quotient is i obtained by dividing (j−1) by 6 respectively. For example, in the data lines 114 in the seventh column to the twelfth column, (j−1) is “6” to
Since the quotient obtained by dividing this number by 6 is “1”, the sampling signal S2 is commonly supplied to the gates of the sampling switches corresponding to these data lines 114.
Therefore, for example, when the sampling signal S2 becomes H level, the image signals Vid1 to Vid.
id6 is sampled on the data lines 114 in the seventh to twelfth columns. For this reason, the sampling signal output circuit 140 and the sampling circuit 150 constitute a data line driving circuit.
In the present embodiment, the six data lines 114 having the relationship in which the same sampling signal is supplied to the gate of the sampling switch are considered as one block.

次に、上述した画素110の詳細構成について参照して説明する。図4は、その詳細構
成を示す平面図である。なお、図4において、最上導電層となる画素電極118について
は、説明理解のために、その輪郭だけを破線により示している。
この図において、導電層の最下層たる第1層は、ポリシリコン層を島状にパターニング
した半導体層30であり、その表面は熱酸化による絶縁膜で覆われている。また、第2層
は、ポリシリコン等をパターニングしたゲート電極層であり、X方向に延在する走査線1
12および容量線175をそれぞれ形成している。第3層は、アルミニウムなど、良好な
導電性金属層をパターニングした配線層であり、Y方向に延在するデータ線114を形成
している。さらに、第4層は、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)などの
ように透明性を有する導電層をパターニングしたものであって、画素電極118を形成し
ている。なお、これらの導電層間は、絶縁層によって電気的な絶縁が保たれている。
Next, the detailed configuration of the pixel 110 described above will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a plan view showing the detailed configuration thereof. In FIG. 4, only the outline of the pixel electrode 118 serving as the uppermost conductive layer is indicated by a broken line for understanding.
In this figure, the first layer, which is the lowest layer of the conductive layer, is a semiconductor layer 30 obtained by patterning a polysilicon layer into an island shape, and its surface is covered with an insulating film formed by thermal oxidation. The second layer is a gate electrode layer obtained by patterning polysilicon or the like, and the scanning line 1 extending in the X direction.
12 and the capacitor line 175 are formed. The third layer is a wiring layer obtained by patterning a good conductive metal layer such as aluminum, and forms the data line 114 extending in the Y direction. Further, the fourth layer is obtained by patterning a transparent conductive layer such as ITO (Indium Tin Oxide), and forms the pixel electrode 118. Note that these conductive layers are electrically insulated by an insulating layer.

ここで、容量線175は、走査線112と近接して平行にX方向に延在して設けられて
いるが、Y方向に延在するデータ線114と交差する部分においては、データ線114と
重なるように、前段側(図4において上側)に突出して形成されている。このような配線
において、半導体層30は、データ線114および容量線175が交差する地点から、容
量線175の延在方向(図4において右方向)、データ線114の下層における容量線1
75の突出方向(上方向)、および、その反対方向(下方向)の計3方向に延在して略T
字状に形成されている。
Here, the capacitor line 175 is provided so as to extend in the X direction in parallel with the scanning line 112, but in a portion intersecting with the data line 114 extending in the Y direction, It is formed so as to protrude to the front side (upper side in FIG. 4) so as to overlap. In such a wiring, the semiconductor layer 30 starts from the point where the data line 114 and the capacitor line 175 intersect, the extending direction of the capacitor line 175 (right direction in FIG. 4), and the capacitor line 1 below the data line 114.
It extends in a total of three directions, 75 projecting directions (upward) and opposite directions (downward), and is approximately T
It is formed in a letter shape.

そして、半導体層30のうち、走査線112と重なる部分がチャネル領域となっている
。換言すれば、走査線112のうち、半導体層30と交差する部分(図4では斜線部分)
がゲート電極116Gとして用いられている。さらに、半導体層30には、ソース領域1
16Sおよびドレイン領域116Dが設けられている。ソース領域116Sは、コンタク
トホール51によってデータ線114に接続される一方、ドレイン領域116Dは、コン
タクトホール53によって画素電極118に接続されている。また、半導体層30におけ
るドレイン領域116Dの一部は、蓄積容量119の一方の電極として機能している。す
なわち、蓄積容量119は、半導体層30のうち、容量線175の下層に位置するドレイ
ン領域を一方の電極とし、さらに、容量線175自体を他方の電極として、半導体層30
の表面に形成された絶縁膜を挟持した構成となっている。
このように、半導体層30は、走査線112や、データ線114、容量線175が形成
される領域の下側に隠された状態で形成されている。一方、半導体層30の下層には、図
示しない遮光層が設けられ、素子基板の下面側から光が侵入するのを防止している。この
ため、TFT116には、光が素子基板において観察側および背面側の双方から侵入しに
くい構造となっているので、光リークによる特性劣化やオフ抵抗の上昇等の防止が図られ
ている。
A portion of the semiconductor layer 30 that overlaps with the scanning line 112 is a channel region. In other words, a portion of the scanning line 112 that intersects the semiconductor layer 30 (shaded portion in FIG. 4).
Is used as the gate electrode 116G. Further, the semiconductor layer 30 includes the source region 1.
16S and drain region 116D are provided. The source region 116 </ b> S is connected to the data line 114 through the contact hole 51, while the drain region 116 </ b> D is connected to the pixel electrode 118 through the contact hole 53. In addition, a part of the drain region 116 </ b> D in the semiconductor layer 30 functions as one electrode of the storage capacitor 119. That is, in the storage capacitor 119, the semiconductor layer 30 has the drain region located below the capacitor line 175 as one electrode and the capacitor line 175 itself as the other electrode.
The insulating film formed on the surface is sandwiched.
As described above, the semiconductor layer 30 is formed in a state of being hidden under the region where the scanning line 112, the data line 114, and the capacitor line 175 are formed. On the other hand, a light shielding layer (not shown) is provided below the semiconductor layer 30 to prevent light from entering from the lower surface side of the element substrate. For this reason, since the TFT 116 has a structure in which light does not easily enter from both the observation side and the back side of the element substrate, it is possible to prevent deterioration in characteristics due to light leakage, an increase in off-resistance, and the like.

次に、抵抗162およびその周辺の構成について説明する。図5(a)は、抵抗162
の構成を示す平面図である。
この図において、配線132、182は、表示領域110aの第3層たる配線層をパタ
ーニングしたものである。なお、ここでは、配線132、182についてのみ図示してい
るが、他の配線134、142、144や、画像信号線171、導通電極109などにつ
いても、第3層たる配線層をパターニングしたものである。
抵抗162は、表示領域110aの第2層たるゲート電極層を同図に示されるように葛
折り状(ジグザグ状)にパターニングしたものであり、その一端は、コンタクトホール2
32を介して配線132に接続される一方、その他端は、コンタクトホール282を介し
て配線182に接続されている。
Next, the configuration of the resistor 162 and its periphery will be described. FIG. 5A shows a resistor 162.
It is a top view which shows the structure of these.
In this figure, wirings 132 and 182 are obtained by patterning a wiring layer which is the third layer of the display region 110a. Note that only the wirings 132 and 182 are shown here, but the other wirings 134, 142, and 144, the image signal line 171 and the conductive electrode 109 are also patterned by wiring layers that are the third layer. is there.
The resistor 162 is formed by patterning the gate electrode layer, which is the second layer of the display region 110a, in a distorted manner (zigzag shape) as shown in FIG.
The other end is connected to the wiring 182 through the contact hole 282, while being connected to the wiring 132 through 32.

ここで、抵抗162は、実装端子107を経由して走査線駆動回路130における低位
側電源電圧(接地電圧)を供給する配線132と、実装端子107を経由して導通電極1
09に電圧LCcomを供給する配線182との間に介挿されるので、貫通電流を抑えて消
費電力を抑えるという観点から、高抵抗である(詳細については後述するように100k
Ω〜500kΩ程度)。
ゲート電極層は、配線層と比較すると抵抗率が高いものの、走査線112等として用い
て問題にならない程度の導電性を有するので、上記のような高抵抗としては単純には採用
できない。
そこで、本実施形態では、抵抗162の本体であるゲート電極層を、線幅を狭く、かつ
、線長を長くした細線状態として、高抵抗化を図るとともに、その形成面積をできるだけ
抑えるために、葛折り状にパターニングしたのである。
Here, the resistor 162 includes the wiring 132 that supplies the lower power supply voltage (ground voltage) in the scanning line driving circuit 130 via the mounting terminal 107 and the conductive electrode 1 via the mounting terminal 107.
09 is interposed between the wiring 182 that supplies the voltage LCcom to 09 and has a high resistance from the viewpoint of suppressing the through current and the power consumption (details will be described later as 100 k).
Ω to about 500 kΩ).
Although the gate electrode layer has a higher resistivity than the wiring layer, it has a conductivity that does not cause a problem when used as the scanning line 112 or the like, and thus cannot be simply adopted as the high resistance as described above.
Therefore, in this embodiment, the gate electrode layer, which is the main body of the resistor 162, is made into a thin line state with a narrow line width and a long line length in order to increase resistance and suppress the formation area as much as possible. Patterned in a twisted pattern.

また、特に図示はしないが、画像信号線171と配線142との間に電気的に介挿され
る抵抗164の各々についても、抵抗162と同様に第2層たるゲート電極層をパターニ
ングして形成される。
なお、画像信号線171の線間ピッチが狭い場合、抵抗164を同列上に形成すると、
画像信号線171の延在方向に対して直交する方向に形成領域を確保することが困難にな
るので、例えば図2に示されるように、抵抗164を同方向に対して順番にズラしたり、
交互配列したりすることが好ましい。
また、抵抗162、164の形成領域は、表示には寄与しない領域であるので、当該領
域については、遮光層によって覆うことが好ましい。
Although not particularly illustrated, each of the resistors 164 electrically inserted between the image signal line 171 and the wiring 142 is also formed by patterning the gate electrode layer as the second layer in the same manner as the resistor 162. The
If the pitch between the image signal lines 171 is narrow, and the resistors 164 are formed on the same line,
Since it becomes difficult to secure a formation region in a direction orthogonal to the extending direction of the image signal line 171, for example, as shown in FIG. 2, the resistor 164 is sequentially shifted in the same direction,
It is preferable to arrange them alternately.
In addition, since the regions where the resistors 162 and 164 are formed are regions that do not contribute to display, the regions are preferably covered with a light shielding layer.

走査線駆動回路130や、サンプリング信号出力回路140、サンプリング回路150
などの周辺回路の構成素子も、表示領域110aにおけるTFT116と共通プロセスに
よって形成される。
詳細には、周辺回路の構成素子も、図5(b)に示されるようなTFT200であり、
その半導体層202は、TFT116における第1層たる半導体層30をパターニングし
たものであり、そのゲート電極212は、第2層たるゲート電極層をパターニングしたも
のであり、そのソース(S)、ドレイン(D)電極は、第3層たる配線層をパターニング
したものである。
すなわち、抵抗162、164は、表示領域110aや、配線を含む周辺回路などの構
成素子とともに共通に形成されるので、抵抗162、164を追加するにあたって、製造
プロセスが複雑化する訳ではない。
Scanning line driving circuit 130, sampling signal output circuit 140, sampling circuit 150
The peripheral circuit components such as the above are also formed by a common process with the TFT 116 in the display region 110a.
Specifically, the constituent elements of the peripheral circuit are also TFTs 200 as shown in FIG.
The semiconductor layer 202 is obtained by patterning the semiconductor layer 30 that is the first layer in the TFT 116, and the gate electrode 212 is obtained by patterning the gate electrode layer that is the second layer, and its source (S), drain ( D) The electrode is obtained by patterning the wiring layer as the third layer.
That is, since the resistors 162 and 164 are formed in common with the display region 110a and components such as peripheral circuits including wiring, the manufacturing process is not complicated when the resistors 162 and 164 are added.

次に、上述した構成に係る電気光学装置の動作について説明する。
まず、電源が投入されている期間における表示動作について説明する。走査線駆動回路
130は、図6に示されるように、1垂直走査期間(1F)にわたって、1水平走査期間
(1H)のうち水平有効走査期間において順次排他的にHレベルとなる走査信号G1、G
2、…、Gmを出力する。なお、走査線駆動回路130は、(VddY−VssY)を電
源とするので、走査信号のHレベルの電位はVddYであり、Lレベルの電位はVssY
である。
ここで、走査信号G1がHレベルとなり水平有効走査期間に着目すると、サンプリング
信号出力回路140は、当該水平有効表示期間において順次排他的にHレベルとなるサン
プリング信号S1、S2、…、Snを出力する。なお、サンプリング信号出力回路140
は、(VddX−VssX)を電源とするので、サンプリング信号のHレベルの電位はV
ddXであり、Lレベルの電位はVssXである。
一方、1系統の画像信号Vidは、外部回路によって、同図に示されるように、6系統
の画像信号Vid1〜Vid6に分配されるとともに、時間軸に対して6倍に伸長される
。ここで、1行目の画素110を正極性で書き込む場合、画像信号Vid1〜Vid6は
、画素を黒色とするにつれて、電圧LCcomよりも高位電圧となる。
なお、図6において、電圧Vb(+)とは、正極性書込の場合に画素を最低輝度の黒色にさ
せる電圧に相当し、高位側電圧VddX、VddYよりも若干低い(またはイコールであ
る)。また、電圧Vg(+)とは、正極性書込の場合に画素を、最低輝度と最高輝度との中間
である灰色にさせる電圧に相当する。
Next, the operation of the electro-optical device according to the above configuration will be described.
First, a display operation during a period in which the power is turned on will be described. As shown in FIG. 6, the scanning line driving circuit 130 scans the scanning signal G1, which sequentially becomes H level exclusively in the horizontal effective scanning period in one horizontal scanning period (1H) over one vertical scanning period (1F). G
2, ..., Gm is output. Note that since the scanning line driver circuit 130 uses (VddY−VssY) as a power supply, the H level potential of the scanning signal is VddY and the L level potential is VssY.
It is.
Here, paying attention to the horizontal effective scanning period when the scanning signal G1 becomes H level, the sampling signal output circuit 140 outputs sampling signals S1, S2,..., Sn that become sequentially H level exclusively during the horizontal effective display period. To do. The sampling signal output circuit 140
Uses (VddX−VssX) as the power supply, so the H level potential of the sampling signal is V
It is ddX, and the L level potential is VssX.
On the other hand, one system of image signals Vid is distributed to six systems of image signals Vid1 to Vid6 by an external circuit, and is expanded six times with respect to the time axis. Here, when the pixels 110 in the first row are written with positive polarity, the image signals Vid1 to Vid6 become higher voltages than the voltage LCcom as the pixels are black.
In FIG. 6, the voltage Vb (+) corresponds to a voltage that causes the pixel to become black with the lowest luminance in the case of positive writing, and is slightly lower (or equal) than the high-side voltages VddX and VddY. . Further, the voltage Vg (+) corresponds to a voltage that makes a pixel gray, which is an intermediate point between the lowest luminance and the highest luminance, in the case of positive polarity writing.

さて、走査信号G1がHレベルになると、表示領域110aのうち、図2において上か
ら数えて1行目の画素110におけるTFT116がすべてオンになる。この状態におい
て、サンプリング信号S1がHレベルになると、画像信号Vid1〜Vid6の各々が、
図2において左から数えて1〜6列目のデータ線114に、それぞれサンプリングされる
。このため、サンプリングされた画像信号Vid1〜Vid6は、1行目の走査線112
と1〜6列目のデータ線114との交差に対応する画素110の画素電極118にそれぞ
れ印加される。
この後、サンプリング信号S2がHレベルになると、画像信号Vid1〜Vid6の各
々が、今度は7〜12列目のデータ線114にそれぞれサンプリングされる。このため、
サンプリングされた画像信号Vid1〜Vid6は、1行目の走査線112と6〜12列
目のデータ線114との交差に対応する画素110の画素電極118にそれぞれ印加され
る。
Now, when the scanning signal G1 becomes H level, all the TFTs 116 in the pixels 110 in the first row of the display area 110a counted from the top in FIG. 2 are turned on. In this state, when the sampling signal S1 becomes H level, each of the image signals Vid1 to Vid6
In FIG. 2, the data lines 114 are sampled on the first to sixth columns of data lines 114 from the left. Therefore, the sampled image signals Vid1 to Vid6 are used as the scanning lines 112 in the first row.
Are applied to the pixel electrodes 118 of the pixels 110 corresponding to the intersections of the data lines 114 in the first to sixth columns.
Thereafter, when the sampling signal S2 becomes H level, each of the image signals Vid1 to Vid6 is sampled on the data lines 114 in the 7th to 12th columns, respectively. For this reason,
The sampled image signals Vid1 to Vid6 are respectively applied to the pixel electrodes 118 of the pixels 110 corresponding to the intersections of the scanning lines 112 in the first row and the data lines 114 in the 6th to 12th columns.

以下同様にして、サンプリング信号S3、…、Snが順次アクティブレベルとなると、
13〜18列目、…、(6n−5)〜6n列目の6本のデータ線114にそれぞれ画像信
号Vid1〜Vid6がサンプリングされ、これらの画像信号Vid1〜Vid6が、1
本目の走査線112と、当該6本のデータ線114と交差する画素110の画素電極11
8にそれぞれ書き込まれることになる。これにより、第1行目の画素のすべてに対する書
き込みが完了することになる。
1行目の画素のすべてに対する書き込みが完了すると、走査信号G1がLレベルになり
、1行目の画素110におけるTFT116はすべてオフするが、蓄積容量119や液晶
層自身の容量性により、画素電極118にはTFT116のオン時に書き込まれた電圧が
保持されて、当該保持電圧に応じた階調が維持されることになる。
Similarly, when the sampling signals S3,..., Sn sequentially become active levels,
The image signals Vid1 to Vid6 are sampled on the six data lines 114 in the 13th to 18th columns, ..., (6n-5) to 6n columns, respectively, and these image signals Vid1 to Vid6 are 1
The pixel electrode 11 of the pixel 110 that intersects the sixth scanning line 112 and the six data lines 114.
8 will be written respectively. As a result, writing to all the pixels in the first row is completed.
When writing to all the pixels in the first row is completed, the scanning signal G1 becomes L level, and all the TFTs 116 in the pixels 110 in the first row are turned off. However, due to the capacitance of the storage capacitor 119 and the liquid crystal layer itself, the pixel electrode The voltage written when the TFT 116 is turned on is held in 118, and the gradation corresponding to the held voltage is maintained.

次に、走査信号G2がHレベルとなる期間の動作も、走査信号G1がHレベルになる期
間と同様であり、サンプリング信号S1、S2、S3、…、Snが順次Hレベルとなるこ
とによって、2行目の画素110に対する書き込みが完了することになる。ただし、2行
目では書込極性が反転されて、負極性となるので、画像信号Vid1〜Vid6は、画素
を黒色とするにつれて、電圧LCcomよりも低位電圧となる。
なお、図6において、電圧Vb(-)とは、負極性書込の場合に画素を黒色にさせる電圧に
相当し、電源の高位側電圧VssX、VssYよりも若干高い(またはイコールである)
。また、電圧Vg(-)とは、負極性書込の場合に画素を灰色にさせる電圧に相当する。
Next, the operation during the period in which the scanning signal G2 is at the H level is the same as the period during which the scanning signal G1 is at the H level, and the sampling signals S1, S2, S3,. Writing to the pixels 110 in the second row is completed. However, since the writing polarity is inverted in the second row and becomes negative, the image signals Vid1 to Vid6 become lower in voltage than the voltage LCcom as the pixels are made black.
In FIG. 6, the voltage Vb (−) corresponds to a voltage that makes the pixel black in the case of negative writing, and is slightly higher (or equal) than the high-side voltages VssX and VssY of the power supply.
. The voltage Vg (−) corresponds to a voltage that makes the pixel gray in the case of negative polarity writing.

以下同様にして、走査信号G3、G4、…、GmがHレベルになって、3行目、4行目
、…、m行目の画素に対して書き込みが行われることになる。これにより、奇数行目の画
素については正極性書込が行われる一方、偶数行目の画素については負極性書込が行われ
て、この1垂直走査期間において1〜m行目の画素のすべてにわたって書き込みが完了す
ることになる。
なお、水平有効走査期間同士の間の期間は水平帰線期間に相当する。この水平帰線期間
において、画像信号Vid1〜Vid6は、黒色に相当する電圧をとり、かつ、極性反転
されている。
Similarly, the scanning signals G3, G4,..., Gm become H level, and writing is performed on the pixels in the third row, fourth row,. As a result, the positive polarity writing is performed for the pixels in the odd-numbered rows, while the negative polarity writing is performed for the pixels in the even-numbered rows, and all of the pixels in the first to m-th rows in this one vertical scanning period. The writing is completed over the entire time.
Note that the period between the horizontal effective scanning periods corresponds to a horizontal blanking period. In this horizontal blanking period, the image signals Vid1 to Vid6 take a voltage corresponding to black and are inverted in polarity.

そして、次の1垂直走査期間(1F)においても、同様な書き込みが行われるが、この
際、各行の画素に対する書込極性が入れ替えられる。すなわち、次の1垂直走査期間にお
いて、奇数行目の画素については負極性書込が行われる一方、偶数行目の画素については
正極性書込が行われることになる。このように、電源が投入されている期間においては、
垂直走査期間毎に画素に対する書込極性が入れ替えられるので、液晶105や配向膜に直
流成分が印加されることがない。
In the next one vertical scanning period (1F), similar writing is performed. At this time, the writing polarity for the pixels in each row is switched. That is, in the next one vertical scanning period, the negative polarity writing is performed on the pixels in the odd-numbered rows, while the positive polarity writing is performed on the pixels in the even-numbered rows. Thus, in the period when the power is turned on,
Since the writing polarity with respect to the pixel is switched every vertical scanning period, a direct current component is not applied to the liquid crystal 105 or the alignment film.

このように、電源が投入されていれば、正極性書込と負極性書込とが交互に実行される
ので、液晶105や配向膜に直流成分が印加されることはない。しかしながら、電源が遮
断されると、最後に画素電極118に書き込まれた電圧が、蓄積容量119や液晶層自身
の容量性によって保持され続ける結果、液晶105や配向膜に直流成分が印加されてしま
うことになる。これに対し、本実施形態では、共通電極108が、導通材103→導通電
極109→配線182→抵抗162を介して、電源の低位側電圧が印加された配線132
に接地されているので、電源遮断後では、液晶層に蓄積された電荷が速やかにリークする
。このため、液晶105や配向膜に直流成分が長期間印加されることが防止される結果、
焼き付きのない高品位の表示状態を維持し続けることが可能となる。
Thus, if the power is turned on, positive polarity writing and negative polarity writing are executed alternately, so that no direct current component is applied to the liquid crystal 105 or the alignment film. However, when the power is turned off, the voltage last written to the pixel electrode 118 is continuously held by the capacitance of the storage capacitor 119 and the liquid crystal layer itself, so that a direct current component is applied to the liquid crystal 105 and the alignment film. It will be. In contrast, in the present embodiment, the common electrode 108 is connected to the wiring 132 to which the lower voltage of the power source is applied via the conductive material 103 → the conductive electrode 109 → the wiring 182 → the resistor 162.
Therefore, after the power supply is cut off, the charges accumulated in the liquid crystal layer leak quickly. For this reason, the direct current component is prevented from being applied to the liquid crystal 105 and the alignment film for a long time,
It is possible to continue to maintain a high-quality display state without burn-in.

また、画像信号線171は、外部回路によっては電源遮断後においてハイインピーダン
ス状態となる場合がある。この場合、画像信号線171には、電源が遮断されると、最後
にサンプリングされた画像信号の電圧が保持される。ここで、サンプリング回路150の
スイッチや画素110のTFT116などのオフ抵抗(一般的なTFTのオフ抵抗)は比
較的低いので、データ線114の電圧や画素電極118の電圧は、保持された画像信号線
171の電圧に近づく傾向がある。これに対し、本実施形態では、画像信号線171の各
々は、それぞれ抵抗164を介して、電源の低位側電圧が印加された配線142に接地さ
れているので、画像信号線171の電圧は、電源が遮断されると速やかにゼロとなる。こ
のため、データ線114や画素電極118の電圧も短時間のうちにゼロになるので、同様
に、液晶105や配向膜に直流成分が長期間印加されることが防止される。
Further, depending on the external circuit, the image signal line 171 may be in a high impedance state after the power is shut off. In this case, the image signal line 171 holds the voltage of the last sampled image signal when the power is turned off. Here, since the off-resistance (general TFT off-resistance) such as the switch of the sampling circuit 150 and the TFT 116 of the pixel 110 is relatively low, the voltage of the data line 114 and the voltage of the pixel electrode 118 are maintained. There is a tendency to approach the voltage on line 171. On the other hand, in the present embodiment, each of the image signal lines 171 is grounded to the wiring 142 to which the lower voltage of the power source is applied via the resistor 164, so that the voltage of the image signal line 171 is When the power is cut off, it becomes zero immediately. For this reason, the voltage of the data line 114 and the pixel electrode 118 also becomes zero within a short time, and similarly, a direct current component is prevented from being applied to the liquid crystal 105 and the alignment film for a long time.

さて、抵抗162、164の抵抗値については、上述したように、消費電力を抑えると
いう観点から言えば、高抵抗であることが望ましい。しかしながら、無制限に高抵抗化す
ると、電源遮断後において電荷がリークしにくくなり、それだけ液晶105や配向膜に直
流成分が長期間印加されて、初期の目的を達成することができなくなる。また、このよう
な高抵抗を半導体プロセスにより安定して形成することは一般には困難である。一方、抵
抗162、164の抵抗値を低くすると、電源遮断後において電荷がリークしやすくなる
が、電源投入期間において流れる貫通電流が大きくなって、低消費電力化を図ることがで
きなくなる。
このような事情の下で、本願発明者は、適切な抵抗値を実験的に求めたところ、抵抗値
が100kΩ以上であれば、消費電力が問題にはならず、また、抵抗値が500kΩ以下
であれば、電荷のリーク速度の低下に影響を与えない、という判断をした。
As described above, the resistance values of the resistors 162 and 164 are desirably high resistance from the viewpoint of suppressing power consumption. However, if the resistance is increased without limitation, the charge is less likely to leak after the power is cut off, and a DC component is applied to the liquid crystal 105 and the alignment film for a long time, making it impossible to achieve the initial purpose. In addition, it is generally difficult to stably form such a high resistance by a semiconductor process. On the other hand, if the resistance values of the resistors 162 and 164 are lowered, the electric charge is likely to leak after the power is turned off, but the through current flowing during the power-on period is increased, and the power consumption cannot be reduced.
Under such circumstances, the inventor of the present application experimentally obtained an appropriate resistance value, and if the resistance value is 100 kΩ or more, the power consumption is not a problem, and the resistance value is 500 kΩ or less. If so, it was determined that it would not affect the decrease in charge leakage rate.

なお、上述した実施形態では、画像信号Vidを6チャネルの画像信号Vid1〜Vi
d6に展開する構成したが、展開するチャネル数は、「6」に限られるものではなく、2
以上であれば良く、また、画像信号を展開することなく、点順次的、線順次的にデータ線
を選択する駆動にも適用可能である。
また、上述した実施形態にあっては、対向電極108と画素電極118との電圧実効値
が小さい場合に白色表示を行うノーマリーホワイトモードとして説明したが、黒色表示を
行うノーマリーブラックモードとしても良い。
上述した実施形態では、液晶としてTN型を用いたが、BTN(Bi-stable Twisted Ne
matic)型・強誘電型などのメモリ性を有する双安定型や、高分子分散型、さらには、分
子の長軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を有する染料(ゲスト)を一定の分子
配列の液晶(ホスト)に溶解して、染料分子を液晶分子と平行に配列させたGH(ゲスト
ホスト)型などの液晶を用いても良い。
In the above-described embodiment, the image signal Vid is converted into the 6-channel image signals Vid1 to Vi.
However, the number of channels to be expanded is not limited to “6”.
The above is sufficient, and the present invention can also be applied to driving for selecting data lines dot-sequentially and line-sequentially without developing image signals.
Further, in the above-described embodiment, the description has been given of the normally white mode in which white display is performed when the effective voltage value between the counter electrode 108 and the pixel electrode 118 is small. However, the normally black mode in which black display is performed may be used. good.
In the above-described embodiment, the TN type is used as the liquid crystal, but BTN (Bi-stable Twisted Ne) is used.
matic) and ferroelectric types such as bistable types with memory properties, polymer dispersed types, and dyes that have anisotropy in visible light absorption in the long and short axis directions of molecules (guests) ) May be dissolved in a liquid crystal (host) having a certain molecular arrangement, and a GH (guest host) type liquid crystal in which dye molecules are arranged in parallel with the liquid crystal molecules may be used.

また、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する一方、電圧印加
時には液晶分子が両基板に対して水平方向に配列する、という垂直配向(ホメオトロピッ
ク配向)の構成としても良いし、電圧無印加時には液晶分子が両基板に対して水平方向に
配列する一方、電圧印加時には液晶分子が両基板に対して垂直方向に配列する、という平
行(水平)配向(ホモジニアス配向)の構成としても良い。このように、本発明では、液
晶や配向方式として、種々のものに適用することが可能である。以上については、電気光
学物質として液晶を例にとって説明したが、直流成分が長期間印加されると特性が劣化す
る電気光学物質に広く適用可能である。
In addition, the liquid crystal molecules are arranged in a vertical direction with respect to both substrates when no voltage is applied, while the liquid crystal molecules are arranged in a horizontal direction with respect to both substrates when a voltage is applied. The liquid crystal molecules are aligned in the horizontal direction with respect to both substrates when no voltage is applied, while the liquid crystal molecules are aligned in the vertical direction with respect to both substrates when a voltage is applied. It is good also as a structure. As described above, the present invention can be applied to various liquid crystal and alignment methods. The above has been described by taking a liquid crystal as an example of the electro-optical material, but it can be widely applied to an electro-optical material whose characteristics deteriorate when a direct current component is applied for a long time.

<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器の例として、上述した液
晶パネル100をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
図7は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロ
ジェクタ2100の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット21
02が設けられている。このランプユニット2102から射出された投射光は、内部に配
置された3枚のミラー2106および2枚のダイクロイックミラー2108によってR(
赤)、G(緑)、B(青)の3原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ100
R、100Gおよび100Bにそれぞれ導かれる。なお、B色の光は、他のR色やG色と
比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ2122、リレーレン
ズ2123および出射レンズ2124からなるリレーレンズ系2121を介して導かれる
<Electronic equipment>
Next, a projector using the above-described liquid crystal panel 100 as a light valve will be described as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device according to the above-described embodiment.
FIG. 7 is a plan view showing the configuration of the projector. As shown in this figure, a projector 2100 includes a lamp unit 21 made of a white light source such as a halogen lamp.
02 is provided. The projection light emitted from the lamp unit 2102 is R (by the three mirrors 2106 and two dichroic mirrors 2108 arranged inside.
The light valve 100 is divided into three primary colors of red, G (green), and B (blue), and corresponds to each primary color.
Guided to R, 100G and 100B, respectively. Note that B light has a longer optical path than other R and G colors, and therefore, in order to prevent the loss, B light passes through a relay lens system 2121 including an incident lens 2122, a relay lens 2123, and an exit lens 2124. Led.

ここで、ライトバルブ100R、100Gおよび100Bの構成は、上述した実施形態
における液晶パネル100と同様であり、処理回路(図示省略)から供給されるR、G、
Bの各色に対応する画像信号でそれぞれ駆動されるものである。
ライトバルブ100R、100G、100Bによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム2112に3方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
2112において、R色およびB色の光は90度に屈折する一方、G色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン2120には、投射レンズ2114
によってカラー画像が投射されることとなる。
Here, the configuration of the light valves 100R, 100G, and 100B is the same as that of the liquid crystal panel 100 in the above-described embodiment, and R, G, and R supplied from a processing circuit (not shown).
It is driven by an image signal corresponding to each color of B.
The lights modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B are incident on the dichroic prism 2112 from three directions. In the dichroic prism 2112, the R and B light beams are refracted at 90 degrees, while the G light beam travels straight.
Therefore, after the images of the respective colors are combined, the projection lens 2114 is displayed on the screen 2120.
As a result, a color image is projected.

なお、ライトバルブ100R、100Gおよび100Bには、ダイクロイックミラー2
108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。また、ライトバルブ100R、100Bの透過像は、ダイクロイックプ
リズム2112により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ100Gの透過像
はそのまま投射されるので、ライトバルブ100R、100Bによる水平走査方向は、ラ
イトバルブ100Gによる水平走査方向と逆向きにして、左右反転像を表示させる構成と
なっている。
The light valves 100R, 100G, and 100B include a dichroic mirror 2
Since light corresponding to the primary colors of R, G, and B is incident by 108, there is no need to provide a color filter. In addition, the transmission images of the light valves 100R and 100B are projected after being reflected by the dichroic prism 2112, whereas the transmission image of the light valve 100G is projected as it is, so the horizontal scanning direction by the light valves 100R and 100B is The left-right reversed image is displayed in the direction opposite to the horizontal scanning direction by the light valve 100G.

また、電子機器としては、図7を参照して説明した他にも、直視型、例えば携帯電話や
、パーソナルコンピュータ、テレビジョン、ビデオカメラのモニタ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話
、POS端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる
。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る電気光学装置が適用可能なの
は言うまでもない。
In addition to the electronic device described with reference to FIG. 7, the direct view type, for example, a mobile phone, personal computer, television, video camera monitor, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor , Workstations, videophones, POS terminals, digital still cameras, devices equipped with touch panels, and the like. Needless to say, the electro-optical device according to the present invention is applicable to these various electronic devices.

本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device according to an embodiment of the invention. 同電気光学装置の素子基板の電気的構成を示すブロック図である。2 is a block diagram showing an electrical configuration of an element substrate of the same electro-optical device. FIG. 同電気光学装置における画素の構成を示す等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a configuration of a pixel in the electro-optical device. 同電気光学装置における画素の構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view illustrating a configuration of a pixel in the electro-optical device. (a)は、電気光学装置における抵抗の構成を示す平面図であり、(b)は、電気光学装置におけるトランジスタの構成を示す平面図である。FIG. 5A is a plan view illustrating a configuration of a resistor in the electro-optical device, and FIG. 5B is a plan view illustrating a configuration of a transistor in the electro-optical device. 同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。6 is a timing chart showing the operation of the electro-optical device. 同電気光学装置を適用したプロジェクタの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the projector to which the same electro-optical apparatus is applied.

符号の説明Explanation of symbols

100…液晶パネル、108…共通電極、109…導通電極、110…画素、112…
走査線、114…データ線、116…TFT、118…画素電極、130…走査線駆動回
路、140…サンプリング信号出力回路、150…サンプリング回路、132、134、
142、144…配線、162、164…抵抗、171…画像信号線、2100…プロジ
ェクタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Liquid crystal panel, 108 ... Common electrode, 109 ... Conduction electrode, 110 ... Pixel, 112 ...
Scan line 114 ... Data line 116 ... TFT 118: Pixel electrode 130 ... Scan line drive circuit 140 ... Sampling signal output circuit 150 ... Sampling circuit 132,134
142, 144 ... wiring, 162, 164 ... resistance, 171 ... image signal line, 2100 ... projector

Claims (3)

走査線と、
データ線と、
接地電位を基準とした電源電圧で前記走査線を選択する走査線駆動回路と、
前記電源電圧で前記データ線を選択するとともに、選択した前記データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路と、
前記走査線が選択されたとき、前記データ線に供給された画像信号が印加される画素電極と、
前記画素電極に対して電気光学物質を挟んで対向する共通電極と、
前記データ線と前記画素電極との間にて電気的に介挿され、前記走査線が選択されたときにオンするとともに、半導体層、ゲート電極層および配線層を含むトランジスタと、
前記共通電極に電気的に接続される導通電極と、
前記走査線駆動回路に前記接地電位を供給する接地配線と、
外部からの信号を入力する外部端子と、
前記外部端子と前記導通電極とを電気的に接続するように設けられ、前記導通電極を介して前記共通電極に共通電位を供給する共通電位配線と、
前記共通電位配線と前記接地配線との間において前記共通電位配線及び前記接地配線に電気的に接続された抵抗と、
を具備し、
前記共通電位配線は、第1の辺と、前記第1の辺と交差する第2の辺と、前記第2の辺と交差する第3の辺とを有し、
前記接地配線は、前記第1の辺と対向する部分を有する第4の辺と、前記第4の辺と交差し前記第2の辺と同じ方向に延在する第5の辺と、前記第5の辺と交差すると共に前記共通電位配線の第3の辺と対向する部分を有する第6の辺とを有し、
前記抵抗は、前記ゲート電極層をパターニングしたものであると共に、前記第1の辺、前記第1の辺に対向する前記第6の辺、前記第2の辺及び前記第2の辺に対向する前記第5の辺によって設けられる平面的な空間内に葛折り状にパターニングしたものであることを特徴とする電気光学装置。
Scanning lines;
Data lines,
A scanning line driving circuit for selecting the scanning line with a power supply voltage based on the ground potential ;
A data line driving circuit for selecting the data line with the power supply voltage and supplying an image signal to the selected data line;
A pixel electrode to which an image signal supplied to the data line is applied when the scanning line is selected;
A common electrode facing the pixel electrode with an electro-optic material interposed therebetween;
A transistor that is electrically inserted between the data line and the pixel electrode and is turned on when the scanning line is selected; and includes a semiconductor layer, a gate electrode layer, and a wiring layer;
A conductive electrode electrically connected to the common electrode;
Ground wiring for supplying the ground potential to the scanning line driving circuit;
An external terminal for inputting an external signal;
A common potential wiring provided to electrically connect the external terminal and the conduction electrode, and supplying a common potential to the common electrode through the conduction electrode;
A resistor electrically connected to the common potential line and the ground line between said ground line and the common potential line,
Comprising
The common potential wiring has a first side, a second side that intersects the first side, and a third side that intersects the second side,
The ground wiring includes a fourth side having a portion facing the first side, a fifth side crossing the fourth side and extending in the same direction as the second side, And a sixth side having a portion that intersects with the third side and faces the third side of the common potential wiring,
The resistor is obtained by patterning the gate electrode layer and faces the first side, the sixth side facing the first side, the second side, and the second side. An electro-optical device, wherein the electro-optical device is patterned in a zigzag manner in a planar space provided by the fifth side .
前記抵抗の抵抗値は、100kΩ以上500kΩ以下であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a resistance value of the resistor is 100 kΩ or more and 500 kΩ or less. 請求項1又は2に記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1 or 2.
JP2004099218A 2004-03-30 2004-03-30 Electro-optical device and electronic apparatus Expired - Fee Related JP4639623B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004099218A JP4639623B2 (en) 2004-03-30 2004-03-30 Electro-optical device and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004099218A JP4639623B2 (en) 2004-03-30 2004-03-30 Electro-optical device and electronic apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009133861A Division JP4626712B2 (en) 2009-06-03 2009-06-03 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005284057A JP2005284057A (en) 2005-10-13
JP4639623B2 true JP4639623B2 (en) 2011-02-23

Family

ID=35182482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004099218A Expired - Fee Related JP4639623B2 (en) 2004-03-30 2004-03-30 Electro-optical device and electronic apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4639623B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4622917B2 (en) * 2006-03-30 2011-02-02 エプソンイメージングデバイス株式会社 Array substrate for liquid crystal panel and liquid crystal panel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385586A (en) * 1986-09-29 1988-04-16 株式会社東芝 Active matrix type display device
JPH04195025A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JPH07294952A (en) * 1994-04-22 1995-11-10 Sony Corp Liquid crystal display panel
JP2004094169A (en) * 2002-09-04 2004-03-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Common circuit and common voltage adjustment method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0628427B2 (en) * 1987-08-08 1994-04-13 三洋電機株式会社 Liquid crystal display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385586A (en) * 1986-09-29 1988-04-16 株式会社東芝 Active matrix type display device
JPH04195025A (en) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JPH07294952A (en) * 1994-04-22 1995-11-10 Sony Corp Liquid crystal display panel
JP2004094169A (en) * 2002-09-04 2004-03-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Common circuit and common voltage adjustment method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005284057A (en) 2005-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6778157B2 (en) Image signal compensation circuit for liquid crystal display, compensation method therefor, liquid crystal display, and electronic apparatus
US8456400B2 (en) Liquid crystal device and electronic apparatus
JP5024110B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US7696960B2 (en) Display device
US6930662B2 (en) Liquid crystal display apparatus, image signal correction circuit, and electronic apparatus
JP5445239B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP3520417B2 (en) Electro-optical panels and electronics
US7027028B2 (en) Electrooptic device, driver circuit for electrooptic device, and electronic equipment
JP2010250265A (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
US8471986B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus comprising an address line
US20050237291A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP4747805B2 (en) Electro-optical device, driving method, and electronic apparatus
KR20050040798A (en) Image signal correcting circuit, image processing mehtod, electro-optical device and electronic apparatus
JP4305485B2 (en) Liquid crystal device, driving method of liquid crystal device, projector and electronic apparatus
JP4639623B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP2001215928A (en) Driving circuit for electrooptical device, electrooptical device and electronic equipment
JP4626712B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP4120306B2 (en) Electro-optical device, flexible printed circuit board, and electronic device
JP2008197420A (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
JP2012226251A (en) Driving method for electro-optic device, electro-optic device, and electronic apparatus
JP4572748B2 (en) Electro-optical device, driving method, and electronic apparatus
JP2007093845A (en) Electro-optic device and electronic equipment
JP2004233447A (en) Optoelectronic panel, driving method therefor, optoelectronic device, and electronic equipment
JP4753618B2 (en) Display device
JP2004145356A (en) Electro-optic panel and electronic equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060609

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080717

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090407

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090908

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091106

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100518

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100812

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100824

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4639623

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees