JP4629493B2 - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
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Description
本実施例では、半導体基板にpn接合トランジスタが形成された半導体装置において、電気特性不良箇所を特定および不良箇所の汚染準位を評価するための検査方法および検査装置について説明する。
本発明の第2の実施例は、上述した実施例1において、電流計測用の探針プローブを2本設けたものである。図3に、電流計測用の探針プローブが2本の場合の概略図を示す。
本発明の第3の実施例は、上述した実施例1、2において、温度制御試料ホルダ9で被検査試料21の温度を可変制御(加熱または冷却)するようにしたものである。その概略図を、図4に示す。
なお、上述した実施例1乃至3では、pn接合トランジスタが形成された半導体装置を被検査試料の一例として説明したが、本発明は、これに限らず、ショットキー接合が形成された半導体装置に対しても適用可能である。
Claims (5)
- 半導体装置に電子ビームを照射し走査する工程と、前記電子ビームにより前記半導体装置から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号を画像化して、第1の画像として表示する工程と、前記半導体装置内部に前記電子ビームを照射することによりキャリアを発生させる工程と、探針プローブを前記半導体装置に接触させ、前記探針プローブにより前記半導体装置内部で発生したキャリア電流を検出する工程と、検出されたキャリア電流を前記電子ビームの走査と同期させて画像化し、第2の画像として表示する工程とを有し、前記第1の画像および前記第2の画像をもとに、前記半導体装置の欠陥部を評価することを特徴とする半導体装置の検査方法。
- 半導体装置に電子ビームを照射し走査する工程と、前記電子ビームにより前記半導体装置から二次的に発生する信号を検出する工程と、検出された信号を画像化して、第1の画像として表示する工程と、前記半導体装置内部に前記電子ビームを照射することによりキャリアを発生させる工程と、前記半導体装置表面に第一の探針プローブを接触させ、前記半導体装置裏面に第二の探針プローブを接触させる工程と、前記第二の探針プローブを接地して、第一の探針プローブにより前記半導体装置内部で発生した第一のキャリア電流を検出するか、または前記第一の探針プローブを接地して、第二の探針プローブにより前記半導体装置内部で発生した第二のキャリア電流を検出する工程と、検出された前記第一または第二のキャリア電流を前記電子ビームの走査と同期させて画像化し、第2の画像として表示する工程とを有し、前記第1の画像および前記第2の画像をもとに、前記半導体装置の欠陥部を評価することを特徴とする半導体装置の検査方法。
- 請求項1又は2に記載の半導体装置の検査方法において、前記半導体装置を温度可変に制御する工程を含み、前記半導体装置の温度変化に応じて得られる前記第2の画像と前記第1の画像をもとに、前記半導体装置の欠陥部とその欠陥部における欠陥の準位を評価するようにしたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
- 請求項1又は2に記載の半導体装置の検査方法において、前記半導体装置は、半導体基板にpn接合部またはショットキー接合部が形成され、基板内部に電界が形成された構造を有することを特徴とする半導体装置の検査方法。
- 請求項1又は2に記載の半導体装置の検査方法において、前記第1の画像と前記第2の画像をディスプレイ上で同時に表示するか、または、前記第1の画像と前記第2の画像をディスプレイ上で切り替えて表示するようにしたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
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