JP4621548B2 - 半導体製造装置及びその方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体製造装置及びその方法に関する。
半導体製造工程のうち、半導体基板に塗布されたレジストに所望のパターンを描画するパターン描画工程(リソグラフィ工程)は、一般に、露光装置又は電子線直接描画装置によって行われる。
露光装置は、電子線直接描画装置よりスループットが良いため、多くのパターン描画工程は、露光装置によって行われる。しかし、露光装置は、描画処理を行う際には、所望のパターンが描かれたマスクを必要とするため、当該マスクがクリーンルームに搬入されていない場合には、描画処理を行うことができない。
一方、電子線直接描画装置は、露光装置よりスループットが悪いが、描画処理を行う際には、マスクではなく、描画データ(設計パターンデータ)を使用するため、マスクがなくても、描画データが与えられれば、描画処理を行うことが可能である。
ところで、所望のパターン描画工程を、露光装置を用いて行うように設定されている場合に、マスク製造の期間が計画よりも遅れると、当該パターン描画工程を行う前に、マスクをクリーンルームに搬入することができないことがある。
その際、露光装置は、マスクがクリーンルームに搬入されるまで描画処理を待機する、いわゆるマスク待ちの状態になり、この場合、露光装置は描画処理を行うことができず、半導体製造の期間が計画より遅れるという問題が生じる。
以下、露光描画装置に関する文献名を記載する。
特開平11−40475号公報
本発明は、半導体製造のスループットが低下することを抑制することができる半導体製造装置及びその方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様による半導体製造方法によれば、
半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するステップと、
前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定するステップと
を備えることを特徴とする。
また本発明の一態様による半導体製造方法によれば、
半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するステップと、
前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定するステップと、
前記マスクが前記露光装置に設置された場合には、前記露光装置によって前記パターン描画工程を行わせることにより、半導体基板に所望の回路パターンを描画するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記電子線直接描画装置によって前記パターン描画工程を行わせることにより、前記半導体基板に前記回路パターンを描画するステップと
を備えることを特徴とする。
また本発明の一態様による半導体製造装置によれば、
半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するプロセスフロー情報生成部と、
前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定する制御部と
を備えることを特徴とする。
本発明の半導体製造装置及びその方法によれば、半導体製造のスループットが低下することを抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図1に、本発明の実施の形態による半導体製造装置10の構成を示す。半導体製造装置10は、クリーンルーム20内に配置された、半導体生産管理システム30と、露光装置40と、電子線直接描画装置50と、例えばエッチング工程などを行うその他装置60とを有する。
半導体製造装置10は、投入工程、洗浄工程、成膜工程、リソグラフィ工程、不純物拡散工程、払出し工程など、例えば500程度の工程を順次行うことにより、半導体製品を製造する。かかる工程が実行順に記述されたデータは、プロセスフローと呼ばれ、当該プロセスフローは、一般的には、製品毎に異なる。
プロセスフローに含まれる各工程には、処理条件として、当該工程において行われる工程の種類を表す工程コードと、当該工程において使用される装置名と、温度、圧力、ガスの種類などのパラメータが規定されたレシピ名と、当該工程がパターン描画工程の場合には、当該工程において使用されるマスク名とがそれぞれ記述されている。
半導体生産管理システム30は、各種データベースとして、プロセスフローが製品毎に格納されたプロセスフローマスタ100と、例えばロジックやメモリなどの製品名が格納された製品マスタ110と、工程コードと工程名が対応付けられて格納された工程マスタ120と、各工程において使用される装置の装置名が格納された装置マスタ130と、各装置において使用されるレシピのレシピ名が格納されたレシピマスタ140と、パターン描画工程において使用されるマスクのマスク名が格納されたマスクマスタ150とを有する。
なお、マスクマスタ150には、最初は、使用されるマスクのマスク名のみが格納されている。この状態で、製造されたマスク80が、外部からクリーンルーム20に搬入されると、マスク登録部70は、搬入されたマスク80の登録を行った上で、当該マスク80を所定の露光装置40に与える。この場合、マスク登録部80は、図2に示すように、マスクマスタ150に格納されているマスク名のうち、搬入されたマスク80のマスク名に対応付けて、当該マスク80がクリーンルームに搬入された日時を登録日時として格納する。
プロセスフローマスタ作成部160は、オペレータが入力部170を操作することに応じて、各種マスタ100〜150から必要に応じてデータを読み出し、当該読み出したデータに応じたプロセスフローマスタ登録画面を表示部180に表示する。
オペレータが、表示部180に表示されたプロセスフローマスタ登録画面を目視しながら、入力部170を操作することにより、プロセスフローマスタ作成部160は、当該操作に応じたプロセスフローを製品毎に作成し、これらをプロセスフローマスタ100に格納する。
具体的には、登録対象の工程に対して、製品マスタ110の中から所望の製品名を選択して登録し、次に工程マスタ120の中から所望の工程名を表す工程コードを選択して登録する。同様に、装置マスタ130、レシピマスタ140、及び当該工程がパターン描画工程の場合にはマスクマスタ150の中から、所望の装置名、レシピ名及びマスク名を順次選択して登録する。
これ以降、同様にして、各工程毎に、製品名、工程コード、装置名、レシピ名、及び当該工程がパターン描画工程の場合にはマスク名を順次選択して登録していくことにより、プロセスフローを作成する。さらに、種々の異なる製品のプロセスフローを順次作成することにより、製品毎のプロセスフローを作成し、これらをプロセスフローマスタ100に格納する。
ところで、本実施の形態の場合、パターン描画工程は、原則として、露光装置40によって行われるように設定し、当該露光装置40がパターン描画工程を行う前に、マスク80がクリーンルーム20に搬入されていない場合には、パターン描画工程を行う装置を電子線直接描画装置50に切り替えることにより、当該電子線直接描画装置50によってパターン描画工程を行うように設定することが可能である。なお、ここでは、露光装置40による描画処理をメイン処理、電子線直接描画装置50による描画処理をサブ処理と呼ぶ。
ここで図3に、プロセスフローマスタ登録画面300の一例を示す。このプロセスフローマスタ登録画面300は、プロセスフローマスタ100から読み出されたデータに基づいて、表示部180に表示され、オペレータは、このプロセスフローマスタ登録画面300を目視しながら、入力部170を操作することにより、プロセスフローマスタ100を作成する。
例えば、現在表示されている登録対象のパターン描画工程において、製品名入力欄310を選択すると、製品マスタ110に格納されている製品名の一覧が表示され、当該表示された製品名の中から所望の製品名を選択して登録する。次に、工程名入力欄320を選択すると、工程マスタ120に格納されている工程コード及び対応する工程名の一覧が表示され、当該表示された工程名の中から所望の工程名を選択して登録する。
同様に、メイン処理(露光装置40による描画処理)が行われる場合に使用される装置名、レシピ名及びマスク名を、それぞれ装置名入力欄330、レシピ名入力欄340及びマスク名入力欄350に順次入力して登録する。
なお、このプロセスフローマスタ登録画面300は、パターン描画工程を行う前にマスク80がクリーンルーム20に搬入されていない場合には、パターン描画工程を行う装置をサブ処理用の電子線直接描画装置50に切り替えるか否かを選択するためのチェックボックス360を表示する。
本実施の形態の場合、このチェックボックス360にチェックを行うことにより、パターン描画工程を行う前にマスク80がクリーンルーム20に搬入されていない場合には、パターン描画工程を行う装置を電子線直接描画装置50に切り替える。
この場合、メイン処理の場合と同様に、サブ処理が行われる場合に使用される装置名、レシピ名及び描画データ名を、それぞれ装置名入力欄370、レシピ名入力欄380及び描画データ名入力欄390に順次入力して登録する。因みに、描画データは、電子線直接描画装置50の内部メモリに予め記憶しておく。
さらに、本実施の形態の場合、パターン描画工程を行う装置を、メイン処理用の露光装置40からサブ処理用の電子線直接描画装置50に切り替えるタイミングを選択することが可能である。
具体的には、パターン描画工程を行う装置を切り替えるタイミングとして、(a)パターン描画工程を行う直前(すなわち、パターン描画工程の直前の工程を行う装置から半導体基板が払い出された後、パターン描画工程を行う装置に半導体基板が受け入れられるまでの間)、(b)パターン描画工程が行われる数工程前、(c)パターン描画工程が行われる数日前、が用意され、オペレータは(a)〜(c)の中から所望のタイミングを選択する。
なお、切替えタイミングとして(b)を選択した場合には、何工程前に切り替えるかを設定するため、工程数入力欄430に工程数を入力し、(c)を選択した場合には、何日前に切り替えるかを設定するため、日数入力欄440に日数を入力する。
因みに、メールアドレス入力欄450にメールアドレスを入力して登録すれば、パターン描画工程を行う装置が切り替わったタイミングで、その旨を当該メールアドレスに送信してオペレータに通知することができる。
ところで、半導体製造工程は、複数の半導体基板からなるロットと呼ばれる単位で、搬送を行い、当該ロット単位で各工程を実行する。ロット進捗制御部190は、これら各ロットの進捗状況を制御し、各ロットの進捗状況に関するデータをロット進捗管理データベース200に格納する。具体的には、ロット進捗管理データベース200は、各ロットに対して過去に行われた工程、及び現在行われている工程に関する履歴情報を有する。
図4に、ロット進捗管理データベース200の一例を示す。ロット進捗管理データベース200は、製品名、ロットNo、工程名、当該工程がパターン描画工程の場合には処理区分、状態及び処理終了日時を対応付けて、各ロットの進捗状況を管理する。
生産計画制御部210は、各ロットの生産計画を立てることにより、各ロットの生産計画に関するデータを生成し、これを生産計画管理データベース220に格納する。具体的には、生産計画管理データベース220は、各ロット毎に、まだ実行されていない工程の処理予定日時など、今後の生産計画に関する生産計画情報を有する。
図5に、生産計画管理データベース220の一例を示す。生産計画管理データベース220は、製品名、ロットNo、工程名、当該工程がパターン描画工程の場合には処理区分、処理予定日時を対応付けて、各ロットの生産計画を管理する。
すなわち、生産計画制御部210は、各種マスタ100〜150及びロット進捗管理データベース200を基に、生産計画管理データベース220を生成する。ロット進捗制御部190は、プロセスフローマスタ100及び生産計画管理データベース220に基づいて、各装置40〜60のうち、所望の装置に制御命令を与えることにより、当該装置に所望の工程を行わせる。
そしてロット進捗制御部190は、制御命令を与えた装置から当該工程を行った旨が通知されると、ロット進捗管理データベース200を更新すると共に、生産計画管理データベース220に基づいて、次の工程を行うための制御命令を所望の装置に与える。
その際、ロット進捗制御部190は、各ロットの進捗状況を生産計画制御部210に与えることにより、必要に応じて生産計画管理データベース220を更新させる。
なお、露光装置40は、マスク80を用いて描画処理(露光)を行う装置であり、電子線直接描画装置50は、描画データを用いて描画処理(電子ビームの照射)を行う装置である。その他装置60は、レジストの塗布を行う装置、現像を行う装置、及びエッチングを行う装置などである。
従って、パターン描画工程を行う場合には、始めに、その他装置60において半導体基板上にレジストを塗布した後、その他装置60から露光装置40又は電子線直接描画装置50に半導体基板を搬送する。次に、露光装置40又は電子線直接描画装置50において描画処理を行うことにより、レジストに例えばゲートパターンを描画する。続いて、露光装置40又は電子線直接描画装置50から半導体基板をその他装置60に搬送した後、その他装置60において、現像、エッチング及びレジストの除去を順次行うことにより、ゲートパターンを形成する。
ここで図6に、本実施の形態による進捗制御処理手順RT10を示す。なお、ここでは、(n−1)番目の工程(n−1)を行う装置から半導体基板が払い出された後における処理について説明する。この図6においてロット進捗制御部190は、進捗制御処理手順RT10に入って各工程を順次実行した後、ステップSP10において、(n−1)番目の工程(n−1)を行う装置から半導体基板が払い出されると、続くステップSP20において、プロセスフローマスタ100から、n番目の工程(n)以降の工程が記述されたプロセスフローマスタを読み出す。
ステップSP30において、ロット進捗制御部190は、工程番号nに加算するための変数xに“0”を設定する。なお、この場合、(n+x)番目の工程(n+x)は、現時点からx工程を経て行われることになる。
ステップSP40において、ロット進捗制御部190は、読み出されたプロセスフローマスタを基に、n番目の工程(n)にマスク名が登録されているか否かを判定する。このステップSP40において肯定結果が得られると、このことは当該n番目の工程(n)がパターン描画工程であることを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP50に移る。
ステップSP50において、ロット進捗制御部190は、このn番目の工程(n)について、マスク80が搬入されていない場合にはパターン描画工程を行う装置を電子線直接描画装置50に切り替えるためのチェックが行われているか否かを判定する。
このステップSP50において肯定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP60に移って、メイン/サブ変更判断処理を行うことにより、切替えタイミングの条件を満たす場合には、パターン描画工程であるn番目の工程(n)を行う装置を、例えばサブ処理用の電子線直接描画装置50に切り替える。
ステップSP50において否定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP70に移って、n番目の工程(n)における、生産計画管理データベース220の処理区分を強制的にメイン処理に設定する。この場合、露光装置40は、パターン描画工程を行う際に、マスク80がクリーンルーム20に搬入されていない場合には、当該マスク80が搬入されるまで描画処理を待機する。
なお、ステップSP40において否定結果が得られると、このことはn番目の工程(n)がパターン描画工程でないことを表しており、このときロット進捗制御部190は、パターン描画工程を行う装置についての設定を行うことなく、ステップSP80に移る。
ステップSP80において、ロット進捗制御部190は、変数xに“1”を加算し、続くステップSP90において、工程番号(n+x)が、最後の工程の工程番号Nに“1”を加算した“N+1”に等しいか否かを判定する。このステップSP90において否定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP40に戻って上述のステップSP40〜SP80を繰り返す。
これ以降、同様にして、かかる動作を順次繰り返すことにより、n番目の工程(n)から最後の工程(N)までの各工程の中から、パターン描画工程であって、かつ装置の切り替えの対象となっている工程を検索し、当該検索された工程が、切替えタイミングの条件を満たす場合には、当該工程において使用される装置の切り替えを行う。
そして、工程番号(n+x)が、“N+1”になると、ステップSP90において肯定結果が得られ、このときロット進捗制御部190はステップSP100に移って、n番目の工程(n)を行う装置に制御命令を与えることにより、半導体基板の受け入れを行わせる。
ステップSP110において、制御命令を与えられた装置が、n番目の工程(n)を実行し、続くステップSP120において、当該装置から半導体基板が払い出されると、その旨はロット進捗制御部190に通知され、これによりロット進捗制御部190は、ロット進捗管理データベース200を更新する
ステップSP130において、ロット進捗制御部190は、プロセスフローマスタ100から、(n+1)番目の工程(n+1)以降の工程が記述されたプロセスフローマスタを読み出す。これ以降、同様にして、ロット進捗制御部190は、上述の動作を繰り返すことにより、各工程を行おうとする毎に、装置の切替え対象であるパターン描画工程を検索し、切替えタイミングの条件を満たす場合には当該装置の切替えを行う。そして、ロット進捗制御部190は、払出し工程である最後の工程(N)を行わせた後、ステップSP140に移って当該進捗制御処理手順RT10を終了する。
なお、半導体製造工程では、一般に、各工程を実行している際に、まだ実行されていない工程の処理条件を変更することにより、プロセスフローマスタ100が変更される場合がある。これにより本実施の形態では、上述したように、各工程を行おうとする毎に、装置の切替え対象であるパターン描画工程を検索する。
ここで図7に、進捗制御処理手順RT10の処理ステップSP60において実行されるメイン/サブ変更判断処理手順RT20を示す。この図7においてロット進捗制御部190は、メイン/サブ変更判断処理手順RT20に入ると、ステップSP150において、パターン描画工程を行う装置を切り替える切替えタイミングとして、(a)パターン描画工程を行う直前、が選択され、かつ変数xが“0”であるか否かを判定する。
このステップSP150において肯定結果が得られると、このことは、パターン描画工程を行う装置の切替えタイミングはパターン描画工程を行う直前であって、かつ次のn番目の工程(n)がパターン描画工程であることを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP160に移る。
ステップSP160において、ロット進捗制御部190は、マスクマスタ150の登録日時を参照することにより、プロセスフローマスタ100に登録されたマスクが、クリーンルーム20に搬入されているか否かを判定する。ステップSP160において肯定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP170に移って、生産計画管理データベース220の処理区分をメイン処理に設定し、続くステップSP190に移ってメイン/サブ変更判断処理手順RT20を終了する。ステップSP160において否定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、生産計画管理データベース220の処理区分をサブ処理に設定する。
ところでステップSP150において否定結果が得られると、このことは、切替えタイミングとして(a)が選択されていないこと、及び/又は変数が“0”でないことを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP200に移って、切替えタイミングとして、(b)パターン描画工程が行われる数工程前、が選択されているか否かを判定する。
ステップSP200において肯定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP210に移って、変数xが、プロセスフローマスタ100に登録された工程数以下か否かを判定する。
ステップSP210において肯定結果が得られると、このことは現時点から装置の切替え対象であるパターン描画工程までの間に存在する工程の数が、プロセスフローマスタ100に登録された工程数以下であることを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP160に移って、上述のように、登録されたマスクが、クリーンルーム20に搬入されているか否かを判定する。
ロット進捗制御部190は、ステップSP160において肯定結果が得られると、ステップSP170に移って、生産計画管理データベース220の処理区分をメイン処理に設定し、ステップSP160において否定結果が得られると、ステップSP180に移って、生産計画管理データベース220の処理区分をサブ処理に設定する。
なお、本実施の形態の場合、ロット進捗制御部190は、変数xが、プロセスフローマスタ100に登録された工程数に一致する場合だけでなく、当該工程数より小さい場合にも、マスク80が搬入されているか否かを判定する(ステップSP210)。
これにより、ロット進捗制御部190は、生産計画管理データベース220の処理区分をメイン処理からサブ処理に切り替えた後、装置の切替え対象であるパターン描画工程を行うまでの間に、マスク80がクリーンルーム20に搬入された場合には、生産計画管理データベース220の処理区分をサブ処理から元のメイン処理に戻し、露光装置40によってパターン描画工程を行わせる。
ステップSP210において否定結果が得られると、このことは現時点から装置の切替え対象であるパターン描画工程までの間に存在する工程の数が、プロセスフローマスタ100に登録された工程数より大きいことを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP190に移って、メイン/サブ変更判断処理手順RT20を終了する。
ところでステップSP200において否定結果が得られると、このことは、切替えタイミングとして(a)が選択されていないこと、及び/又は変数が“0”でないこと、に加えてさらに切替えタイミングとして(b)が選択されていないこと、を表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP220に移って、切替えタイミングとして、(c)パターン描画工程が行われる数日前、が選択されているか否かを判定する。
ステップSP220において肯定結果が得られると、ロット進捗制御部190は、ステップSP230に移って、ロット進捗管理データベース200から(n−1)番目の工程(n−1)の処理終了日時を取得し、さらにステップSP240に移って、生産計画管理データベース220から(n+x)番目の工程(n+x)の処理予定日時を取得する。
ステップSP250において、ロット進捗制御部190は、(n+x)番目の工程(n+x)の処理予定日時から(n−1)番目の工程(n−1)の処理終了日時を減算することにより、差の日数を算出し、続くステップSP260に移って、当該差の日数が、プロセスフローマスタ100に登録された日数以下か否かを判定する。
ステップSP260において肯定結果が得られると、このことは現時点から装置の切替え対象であるパターン描画工程を行うまでの日数が、プロセスフローマスタ100に登録された日数以下であることを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP160に移って、上述のように、登録されたマスクが、クリーンルーム20に搬入されているか否かを判定する。
ロット進捗制御部190は、ステップSP160において肯定結果が得られると、ステップSP170に移って、生産計画管理データベース220の処理区分をメイン処理に設定し、ステップSP160において否定結果が得られると、ステップSP180に移って、生産計画管理データベース220の処理区分をサブ処理に設定する。
なお、この場合、ステップSP210と同様に、ステップSP260において、ロット進捗制御部190は、差の日数が、プロセスフローマスタ100に登録された日数に一致する場合だけでなく、当該日数より小さい場合にも、マスク80が搬入されているか否かを判定する。
ステップSP260において否定結果が得られると、このことは現時点から装置の切替え対象であるパターン描画工程を行うまでの日数が、プロセスフローマスタ100に登録された日数より大きいことを表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP190に移って、メイン/サブ変更判断処理手順RT20を終了する。
ところでステップSP220において否定結果が得られると、このことは、切替えタイミングとして(a)が選択されていないこと、及び/又は変数が“0”でないこと、に加えて切替えタイミングとして(b)及び(c)のいずれも選択されていないこと、を表しており、このときロット進捗制御部190は、ステップSP190に移って、メイン/サブ変更判断処理手順RT20を終了する。
このように本実施の形態によれば、露光装置40がパターン描画工程を行う前に、マスク80がクリーンルーム20に搬入されていないことによって、パターン描画工程を行うことができないことを防止することができ、従って半導体製造のスループットが低下することを抑制することができる。
なお、上述の実施の形態は一例であって、本発明を限定するものではない。例えば露光装置40又は電子線直接描画装置50において描画処理を行って、レジストにゲートパターンを描画するのではなく、配線パターンなど他の回路パターンを描画することも可能である。
本発明の実施の形態による半導体製造装置の構成を示すブロック図である。 マスクマスタのデータ内容を示す説明図である。 プロセスフローマスタ登録画面を示す説明図である。 ロット進捗管理データベースのデータ内容を示す説明図である。 生産計画管理データベースのデータ内容を示す説明図である。 進捗制御処理手順を示すフローチャートである。 メイン/サブ変更判断処理手順を示すフローチャートである。
符号の説明
10 半導体製造装置
20 クリーンルーム
30 半導体生産管理システム
40 露光装置
50 電子線直接描画装置
70 マスク登録部
80 マスク
100 プロセスフローマスタ
150 マスクマスタ
160 プロセスフローマスタ作成部
190 ロット進捗制御部
200 ロット進捗管理データベース
210 生産計画制御部
220 生産計画管理データベース
300 プロセスフローマスタ登録画面

Claims (5)

  1. 半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するステップと、
    前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定するステップと
    を備えることを特徴とする半導体製造方法。
  2. 前記プロセスフロー情報を生成するステップでは、前記パターン描画工程を行う装置を設定するタイミングとして、前記パターン描画工程を行う前、又は前記パターン描画工程より所望の工程数前のいずれかを登録し、
    前記パターン描画工程を行う装置を設定するステップでは、前記登録されたタイミングで、前記マスクが前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その判定結果に応じて、前記パターン描画工程を前記露光装置又は前記電子線直接描画装置によって行うように設定することを特徴とする請求項1記載の半導体製造方法。
  3. 前記パターン描画工程を行う装置を設定するステップでは、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定した後、前記マスクが前記露光装置に設置された場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように再設定し直すことを特徴とする請求項1記載の半導体製造方法。
  4. 半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するステップと、
    前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定するステップと、
    前記マスクが前記露光装置に設置された場合には、前記露光装置によって前記パターン描画工程を行わせることにより、半導体基板に所望の回路パターンを描画するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記電子線直接描画装置によって前記パターン描画工程を行わせることにより、前記半導体基板に前記回路パターンを描画するステップと
    を備えることを特徴とする半導体製造方法。
  5. 半導体製造工程における各工程の処理条件を順次登録することにより、プロセスフロー情報を生成する際、前記工程がパターン描画工程である場合には、前記パターン描画工程を行う装置として露光装置を登録すると共に、前記露光装置の代替用の装置として電子線直接描画装置を登録するプロセスフロー情報生成部と、
    前記各工程を行う前に、前記プロセスフロー情報に基づいて、次に行われる工程以降の各工程の中から、前記パターン描画工程を検索し、前記検索された前記パターン描画工程を行う前記露光装置に使用される前記マスクが、前記露光装置に設置されているか否かを判定し、その結果、前記マスクが前記露光装置に設置されている場合には、前記パターン描画工程を前記露光装置によって行うように設定するのに対して、前記マスクが前記露光装置に設置されていない場合には、前記パターン描画工程を前記電子線直接描画装置によって行うように設定する制御部と
    を備えることを特徴とする半導体製造装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080097804A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-24 Soltero Richard A System and method for developing and managing a manufacturing process
JP7413081B2 (ja) * 2020-02-28 2024-01-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118049A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2003092250A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03238808A (ja) 1990-02-15 1991-10-24 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JPH0729797A (ja) * 1993-07-13 1995-01-31 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体回路製造工程管理システム
JPH09115241A (ja) * 1995-06-30 1997-05-02 Sony Corp データ記録装置及び方法、データ再生装置及び方法、並びに記録媒体
JPH1140475A (ja) 1997-07-18 1999-02-12 Nec Corp 露光描画装置、露光描画方法及び露光描画処理プログラムを記録した記録媒体
JP2005209850A (ja) 2004-01-22 2005-08-04 Toshiba Corp 半導体装置の設計システムと製造システム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118049A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JP2003092250A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法

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