JP4614760B2 - 静電偏向器及びそれを用いた電子線装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電子線装置に用いられる電子光学系におけるレンズ、アパーチャなどの静電偏向器に関し、特に、電子線装置に配置されている電子光学系の光学要素を高い位置決め精度で保持できる静電偏向器、およびそれを用いた電子線装置に関する。
一般的に、電子線装置は、電子線を放出する電子銃、電子銃からの電子線を集束して試料に照射するための静電偏向器からなる一次電子光学系、試料からの二次電子を検出器に入射させる二次電子光学系、及び二次電子を検出する装置などを備えている。
従来、上記静電偏向器は、内周には長手方向に沿って、複数の電極部を形成し、該電極部の表面は高精度の真円度及び同軸度で加工されていた。そして、上記電極を精度よく加工する為に、静電偏向器は、高精度のはめあい公差加工された筒状の部品に、高精度に仕上げた複数の光学要素を個々に挿入して、光学要素自体を一段ずつ積み重ねて、段毎の調整を行いながら積み重ねることにより、それぞれの光学要素を相互に高精度に位置決めを行うことで、長尺な静電偏向器を構成するものであった。
しかしながら、上述のような加工精度に頼る方法では要求される精度を現状の機械加工精度で達成することが困難であるという問題、及びはめあい公差を厳しくすると僅かな加工誤差でも筒状の部材から光学要素を組み付けることや、筒状体の部材から光学要素を取り外すことが困難であった。上記方法とは別に、筒状の部材と光学要素とのはめあい公差を緩くして、組立時に半径方向からの位置決め調整を可能とするような方法も考えられるが、そのような調整は手間がかかり非効率的で、個々の光学要素に対して行うことは大きな労力と時間とを要することになる。また、精度を維持できても、メンテナンスを行う必要が生じた際に、分解した後に再組立を行った場合に分解前の精度を再現することは大変困難であった。
一方、近年において、例えば、シリコンウエハに電子線を照射して回路を形成する場合、シリコンウエハ上に描画する線などが、ますます微細化するに従い、描画精度を高精度に制御する電子線装置が要求されるようになっている。
従って、電子線装置に設けられる各光学要素相互の位置決め精度についても極めて高い精度が必要となってきている。しかしながら、上述のような加工精度に頼る方法では、要求される精度を現状の機械加工精度で達成することが困難であるという問題があった。また、はめあい公差を厳しくすると、僅かな加工誤差でも筒状の部材に光学要素を組み付けることや、筒状の部材から光学要素を取り外すことは困難であった。
そこで、これらを解決する方法として、特許文献1には、複数の光学要素を収納する筒体が円周方向に等間隔に3分割して構成するとともに、各分割点を保持する保持器に設けられたボルトによって加工前の光学要素を3点保持した後、光学要素の光軸加工を行うとともに、光学要素をマーキングした後、筒体から光学要素を取り外して電極形成等の後処理を行い、その後、再度、筒体の保持器に光学要素を挿入して3点にて微調整を行う光学要素組立方法が提案されている。
特開2002−341216号公報
しかしながら、上述したように高精度の真円度、同軸度で加工するために、一般的な光学要素の位置決めは、高精度のはめあい公差にて加工された部品に挿入することにより行われ、また、作業者が一段ずつ精度を確認しながら積み上げ式に組み立てるので、各々の光学要素の位置決めに関しては、熟練者による組立技術が必要で、組立にも時間がかかるものであった。
これに対して、位置決め精度を高くしようとすると、高精度のはめあい公差を、より一層厳しくする必要があるが、はめあい公差を厳しくすると、組立や分解の作業時に噛み込みが生じるといった課題があった。また、金属製や樹脂の筒体や光学要素であれば、組立時の変形が懸念されていた。
さらに、近年において、評価されるべき対象物が高度に微細化されることにより、ますます高度な検出精度を有する装置が要求され、単純に熟練者の精度に負うのではなく、誰でもが簡易に組み立てる方法が望まれていた。
上記特許文献1のような光学要素の組立方法によれば、光学要素を保持、光軸加工を経て再度光学要素を筒体に組み込むようにしているために、作業が繁雑となるばかりか、3点で微調整を行うので精度が出ないといった課題があった。また、光学要素の内周面に金属膜などで独立した電極部を形成することは非常に困難であるという課題もあった。
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、電子光学系における複数の光学要素相互の高度な位置決め精度を簡易な構成で実現することができる電子線装置用の光学要素組立体及びその組立方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記のような光学要素組立体を備えた良好な描画精度や検出精度を有する電子線装置を提供することにある。
そこで、本発明の静電偏向器は内周面の長手方向に沿って中心軸側に開口する複数の凹溝が形成された非磁性の導体からなる筒状の支持体と、上記複数の凹溝内にそれぞれ配置され、表面の上記中心軸に向かう部位に導電膜が形成されている電極片とを有する静電偏向器であって、上記凹溝は、上記中心軸に向かうように配置された底部と、該底部の両側に設けられた側壁とを備え、上記凹溝の上記側壁に斜面が形成されているとともに、上記電極片の側壁に上記凹溝の上記斜面に合致する斜面が形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の静電偏向器は、上記凹溝の上記中心軸に向かう開口面積が、上記底部の面積よりも大きいことを特徴とするものである。
さらに、本発明の静電偏向器は、上記凹溝の上記底部と上記電極片との間に微小隙間を有することを特徴とするものである。
またさらに、本発明の静電偏向器は、上記電極片が、アルミナ質焼結体からなる基体の表面に導電膜を形成してなることを特徴とするものである。
そして、本発明の電子線装置は上記静電偏向器を用いたことを特徴とするものである。
本発明の構成によれば、上記凹溝の側壁が傾斜状に形成されるとともに、上記電極片の側壁に上記凹溝の側壁に合致する傾斜部が形成されていることから、組立時間が非常に短縮でき、且つ、分解、組立を繰り返しても精度良く組立ができる。特に複数の電極の位置決め精度を高精度に維持でき、簡易な構成で実現可能な静電偏向器を提供することができる。
また、前記複数の電極の位置決めを容易にすることで、メンテナンスを行う必要が生じる等の理由で、分解した後に再組立を行った場合でも、安定した繰り返し組立と分解を実現でき、熟練者でなくとも作業が容易とすることができる。
また、電極片がアルミナ質焼結体からなる基体を有することから、組立や分解時においても変形することがなく、摩耗による精度劣化が少なく、さらに熱がかかっても変形量を小さく抑えることが可能な静電偏向器を提供することができる。
また、上記凹部の開口面積が、上記凹溝の底部よりも大きく、また、上記電極片が上記外周側に向かう方向に押圧されていることで、内周加工の際に外周方向に負荷をかけることが可能となり、加工精度の向上が得られる。
さらに、上記凹溝の底部と上記電極片との間に微小隙間を有することで、確実に支持体の凹溝側壁と電極片の傾斜部が当接することが可能となる。
また、そのような静電偏向器を備えた電子線装置を提供することによって、良好な描画精度や検出精度を有し、高精度で安価な電子線装置を提供することができる。
以下、本発明の実施するための最良の形態を説明する。
図1、図2は本発明に係る静電偏向器一実施例を示す図であり、図1(a)は斜視図を、図1(b)は分解斜視図をそれぞれ示し、図2(a)は上面図を、図2(b)は同図(a)のX−X線における断面の断面図をそれぞれ示している。
図1、2に示すように、本発明の静電偏向器1は、非磁性の導体からなり、その長手方向に沿って中心軸A側に開口する複数の凹溝4が等間隔に形成された筒状の支持体5と、上記凹溝4内に配置された複数の電極片6とから構成される。
上記支持体5は、その外形が円形、多角形等からなる筒状体であって、加工性から考えると図1に示すような円形が好ましく、円筒研削加工やホーニング加工で精度良く加工することが可能となる。
また、上記支持体5は非磁の導体であればよく、複雑な形状を加工することから放電加工のできる超硬やチタン合金等が好ましい。さらには、組立や分解時においても変形することがなく、摩耗による精度劣化が少ない超硬がより好ましい。
上記電極片6は、アルミナ質焼結体やジルコニア質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体などのいずれか1種からなる非磁性なセラミックスの基体9と、該基体9の中心軸A側の面にCu、Ni、Au、Pt、Ag、TiN、TiC等の金属の1種または複数の金属からなる非磁性の金属膜からなる導電膜7を形成してなる。
基体9は、非磁性、絶縁性であるアルミナ質焼結体、ジルコニア質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体等のセラミックスからなることが好ましく、組立や分解時においても変形することがなく、摩耗による精度劣化が少なく、さらに熱がかかっても変形量を小さく抑えることが可能となる。
また、電極片6は、静電偏向器1の電極として作用するため、中心軸Aと同軸上に且つ同一円周上に2個以上の偶数個が形成され、その面積はほぼ等しいことが望ましい。
ここで、本発明では、上記凹溝4の側壁4aが傾斜状に形成されるとともに、上記電極片6の側壁に上記凹溝4の側壁4aに合致する傾斜部6aを有することが重要である。
これにより、上記凹溝4の側壁4aと上記電極片6の傾斜部6aの間で隙間のない状態で摺り合わせができ、面で受けることが可能となる。その為、繰り返し組立てや分解作業を行っても毎回同じ位置で位置決めを行うことが可能となる。
また、図1、2に示すように、上記凹溝4の開口面積Kが、底部の面積Sよりも大きくなるように傾斜していることが好ましい。
これにより、電極片6が外周側に向かって押圧されて固定しやすくなり、電極片6が支持体5の凹溝4の側壁4aに押圧された状態で位置決めがなされるため、組立や分解を繰り返しても毎回同じ精度を維持した静電偏向器1を提供することが可能となる。
電極片6を押圧して固定する方法としては、図1(b)に示すように、雌ネジ部を電極片6に形成し、また、支持体5に上記雌ネジ部と現合する位置に貫通孔を形成して、支持体5の外周方向からボルト等の雄ネジ10によって、外周側に引っ張り、電極片6の側面が凹溝4の側壁4aに押圧するように固定すればよい。
さらに、凹溝4の開口面積Kは、底部の面積Sに対して、大きくすることが好ましく、好ましい凹溝4の側壁4aや電極片6の傾斜部6aの角度としては3〜45度で形成されれば良い。そして、これらの角度は電極片6の配置によって、肉厚などを考慮して決めれば良く、支持体5の外径と斜面の角度によって面積は決定される。ところで、角度が3度より小さい場合は、組立てや分解時に傾斜部6aと側壁4aの間で隙間を得ることが難しくなってしまう。また、45度よりも角度が大きくなると、電極片6が極端に外径側で先細りとなって強度を損ねてしまう。また、6個以上で電極片6を構成する場合に、隣り合う電極片6と干渉してしまう為、好ましい角度としては3〜45度の範囲が良い。開口面積として大きくすることが好ましいが、大きくする場合に、隣り合う電極片6が干渉して、凹溝4の側壁4aの肉厚があまり薄くならないような面積で形成すればよく、その際の目安としては側壁4aの肉厚が0.5mm以上となるように形成さればよく、好ましくは1mm以上の肉厚で形成することが好ましい。側壁4aの肉厚を確保して面積を大きくなるようにすれば良い。
また、図1のように途中までストレートで形成し、奥の方のみが傾斜となる形状であっても構わない。
また、凹溝4の底部4bと電極片6との間には、微小隙間8を有することが好ましい。
これらの微小隙間8は組み付け時に必要であり、これらの微小隙間が全く無い状態で組付けを行った場合、電極片6が途中で噛み込むなどの不具合を生じやすい。しかしながら、この微小隙間8を設けることで、組み付けや分解時にはこの微小隙間8を極力無くすようにしながら電極片6を支持体5に挿入し、奥まで挿入後に電極片6を押圧すれば、テーパー部でギャップが生じて噛み込みを防止することができる。
また、電極片6は、支持体5へ取り付けられた後、電極片6の略内径は、高精度な円筒度で加工さることが重要で、静電偏向器1の大きさに係わらず、略内径の円筒度は2μm以下で仕上げることが好ましい。また、電極片6の傾斜部6aと凹溝4の側壁4aの角度は、ほぼ隙間のない同程度の角度で仕上げられることが必要である。
また、図3及び図4は、本発明に係る静電偏向器の他の実施例を示す図であり、図3(a)は斜視図を、図3(b)は分解斜視図をそれぞれ示し、図4(a)は上面図を、図4(b)は同図(a)のX−X線における断面の断面図をそれぞれ示している。
図3、図4の実施例では、上記凹溝4の開口面積Kが、底部の面積Sよりも小さくなるように傾斜しており、この場合、電極片6が上記の中心軸A方向に押圧すればよく、押圧する方法としては、雌ネジ部を支持体5の外周部に貫通させて形成し、支持体5の外周方向からボルトなどによって電極片6を押圧して固定すればよい。また、電極片6が、支持体5の側壁4aに押圧された状態で位置決めがなされるので、組立や分解を繰り返しても毎回同じ精度を維持した静電偏向器1を提供することが可能となる。この時、押圧する方向が一方向になるので、調整を必要としない。しかしながら、静電偏向器の内周を仕上げる際に外周側に研削抵抗をかける為、押圧時に固定側に働く、図1及び図2に示すように、凹溝4の開口面積Kが、底部の面積Sよりも大きくなるように傾斜していることが好ましい。
次に、上述した電極片6の基体9を形成するセラミックスの製造方法に関して説明する。 例えば、アルミナ質焼結体としては、アルミナ(Al)99〜99.9質量%に対し、焼結助剤としてシリカ(SiO)、マグネシア(MgO)、カルシア(CaO)を合計で0.1〜1質量%添加して、所望の形状に成形した後、大気雰囲気中や真空雰囲気中にて1500〜1800℃の温度で焼成したものや、アルミナ(Al)92〜99質量%に対し、イットリア(Y)、マグネシア(MgO)、カルシア(CaO)、セリア(CeO)等の安定化剤で安定化あるいは部分安定化されたジルコニアを1〜7質量%添加し、所望の形状に成形した後、大気雰囲気中あるいは水素雰囲気中や窒素雰囲気中にて1500〜1700℃の温度で焼成したものが良い。
また、ジルコニア質焼結体としては、3〜9mol%のイットリア(Y)で部分安定化したジルコニア(ZrO)や、16〜26mol%のマグネシア(MgO)で部分安定化したジルコニア(ZrO)、あるいは8〜12mol%のカルシア(CaO)で部分安定化したジルコニア(ZrO)や8〜16mol%のセリア(CeO)で部分安定化したジルコニア(ZrO)を所望の形状に成形した後、大気雰囲気中あるいは真空雰囲気中にて1400〜1700℃の温度で焼成したものを用いれば良い。
また、炭化珪素質焼結体を用いる場合、SiC90質量%〜99質量%に対し、焼結助剤としてBとC、あるいはAlとYを合計で10質量%〜1質量%添加したものを所望の形状に成形した後、不活性ガス雰囲気中あるいは真空雰囲気中にて1900℃〜2100℃の温度で焼成したものを用いることができる。また、BとCの焼結助剤としては、炭素成分として、カーボンブラック、グラファイト等の他に熱分解により炭素を生成しうるフェノール樹脂やコールタールピッチ等を用いることができる。また、ホウ素成分としては、B4 Cや金属ホウ素等が挙げられる。これら焼結助剤の添加量は、原料粉末中の酸素量に依存し、炭化珪素原料中の酸素量1モルに対して1乃至5モルの炭素および0.15乃至3モルのホウ素を必要とするが、およそ炭素分が1〜3質量%、ホウ素が0.20〜1.5質量%となる量を添加することが望ましい
また、窒化珪素質焼結体としては、Si96質量%〜98質量%に対し、焼結助剤としてAlとYを合計で2質量%〜4質量%添加したものを、所望の形状に成形した後、窒素雰囲気中あるいは真空雰囲気中や不活性雰囲気中にて1800℃〜2000℃の温度で焼成したものを用いれば良い。
次に支持体5の製造方法について説明する。
支持体5は、例えばチタン合金であれば、Ti以外の含有物としてFe0.5質量%以下、N0.07質量%以下、O0.40質量%以下、H0.015質量%以下の合金を用い、超硬であれば非磁性超硬であればよく、放電加工にて製作される。
このように作製された静電偏光器1は、図5に概要を示すような電子線装置20として有効に用いられる。
電子線装置20は、上述した静電偏向器1上に電子銃100を配置するとともに、下側に被加工体用台板101を配置してなる。そして、上述のような高精度に複数の静電偏向器1を用いることで、電子ビームが電子銃100より照射されて、静電偏向器1の内部を通過する際に、光学軸の調整を行い、電子ビームの照射される位置を微調整できるので、被加工体用台板101上の被加工体については良好な描画精度を有するものである。
なお、図5に示すような配置で使用すれば、より高い検出精度を有し、且つメンテナンス等のために分解や組立を繰り返し行ってもその精度を維持することができる電子線装置20が得られる。
このような電子線装置は、良好な描画精度や検出精度を有し、高精度で安価な電子線装置を提供することができる。
次に本発明の実施例について説明する。
図1及び図2に示すような形状で、外径φ40mm、全長130mm、内径に4箇所のテーパーを有した凹溝を形成した非磁性超硬合金製の筒体と、断面形状の寸法がほぼ5mm、13mmの長方形の一部に筒体のテーパー部と同形状の凸テーパーを形成した全長130mmで且つ、前記断面においてテーパー部の反対側に金メッキを施し電極としたアルミナ製の電極片を4個準備し、静電偏向器1の組立を行った。
支持体5の中に電極片6を同形状のテーパー部が当接するように挿入し、雄ネジ10を用いてテーパー部が隙間無く押圧されるように固定した。
静電偏向器1は精度良く同じく加工されているため、組立と分解を繰り返しても毎回同じ値の円筒度の静電偏向器1を得ることができた。
本発明は、電子線装置の電子光学系におけるレンズ等を保持する静電偏向器、及びそれを用いた電子線装置に利用できる。
本発明に係る静電偏向器の一実施例を示す図であり、(a)は斜視図を、(b)は分解斜視図をそれぞれ示している。 本発明に係る静電偏向器の一実施例を示す図であり、(a)は上面図を、(b)は同図(a)のX−X線における断面の断面図をそれぞれ示している。 本発明に係る静電偏向器の一実施例を示す図であり、(a)は斜視図を、(b)は分解斜視図をそれぞれ示している。 本発明に係る静電偏向器の一実施例を示す図であり、(a)は上面図を、(b)は同図(a)のX−X線における断面の断面図をそれぞれ示している。 本発明に係る電子線装置を示す概略図である。
符号の説明
1・・・静電偏向器
4・・・凹溝
4a・・・側壁
5・・・支持体
6・・・電極片
6a・・傾斜部
7・・・導電膜
8・・・微小隙間
9・・・基体
10・・・雄ネジ
20・・・電子線装置
100・・・電子銃
101・・・被加工体用台板

Claims (5)

  1. 内周面の長手方向に沿って中心軸側に開口する複数の凹溝が形成された非磁性の導体からなる筒状の支持体と、上記複数の凹溝内にそれぞれ配置され、表面の上記中心軸に向かう部位に導電膜が形成されている電極片とを有する静電偏向器であって、上記凹溝は、上記中心軸に向かうように配置された底部と、該底部の両側に設けられた側壁とを備え、上記凹溝の上記側壁に斜面が形成されているとともに、上記電極片の側壁に上記凹溝の上記斜面に合致する斜面が形成されていることを特徴とする静電偏向器。
  2. 上記凹溝の上記中心軸に向かう開口面積が、上記底部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の静電偏向器。
  3. 上記凹溝の上記底部と上記電極片との間に微小隙間を有することを特徴とする請求項1または2に記載の静電偏向器。
  4. 上記電極片が、アルミナ質焼結体からなる基体の表面に導電膜を形成してなることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の静電偏向器。
  5. 上記請求項1〜4の何れかの静電偏向器を用いたことを特徴とする電子線装置。
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