JP4608193B2 - 基板露光方法、基板露光装置および表示パネルの製造方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板露光方法および基板露光装置に関し、詳しくは、液晶パネルの基板露光装置において、小さな液晶基板を複数枚、１枚の露光基板に割付けて露光する複数枚取りの大型液晶基板において、割付けられたそれぞれの基板部分に対するギャップ設定が簡単にでき、露光処理のスループットを向上することができるような基板露光方法に関するものである。

液晶パネルにあっては、透明板にパターンを描いたマスクを原板として、これをガラス基板等の被露光基板に光学的に投影してパターンが複写される。
近年、大型の液晶基板の露光についての歩留まりが向上したことから被割付基板を大型露光基板（複数枚取り露光基板）に割付けて露光を行い、露光後に大型基板から被割付基板を分割して切り出す、いわゆる複数枚取りすることが行われている。
この種の投影露光においては、通常、数十μｍ〜数百μｍのプロキシミティギャップで露光が行われる。このとき、マスク原板と被露光基板とは、微小距離Δｇ隔てて接近した投影位置において両者が平行になることが必要である。そのために複数の光学測定器によりマスクに対する基板の高さ位置をギャップセンサ等により複数個所で測定して、その測定データにより３点の各チルト機構を上下に駆動して基板チャックテーブルを上下方向に移動し、投影位置において両者を平行にする平行出し（ギャップ設定）が行われる。この種の露光装置として出願人による特許文献１が公知である。
なお、複数枚取り液晶基板の露光は、切出す各基板対応に投影露光が行われるので、割付けられた各基板ごとにそれぞれ平行出しをする必要がある。
特開平６−２９１０１２号公報

複数枚取り露光基板を露光する場合に、切出す基板ごとに平行出しをしなければならないことから、切り出す枚数が増えるに応じて露光処理のスループットが低下する問題がある。
この発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決するものであって、被割付基板を複数枚、１枚の露光基板に割付けて露光する複数枚取り露光基板に対して割付けられたそれぞれの基板部分に対するギャップ設定が簡単にでき、露光処理のスループットを向上することができる基板露光方法および基板露光装置を提供することにある。
この発明の他の目的は、前記基板露光方法あるいは基板露光装置を用いる表示パネルの製造方法を提供することにある。

このような目的を達成するためのこの発明の基板露光方法および基板露光装置の特徴は、被割付基板を複数枚、１枚の露光基板に割付けて被割付基板ごとにマスクを介して露光処理をする複数枚取り露光基板の基板露光方法において、
露光基板を少なくとも３個のチルト機構で上下移動可能なテーブルに載置し、載置した第１枚目の露光基板に対してマスクに対する被割付基板の高さ位置を複数個所で測定してこれらの測定値に応じて回帰平面を算出してチルト機構を駆動してマスクに対してギャップ設定を行う被割付基板の平行出しをしてマスクと被割付基板とのギャップを所定値に設定して、平行出ししたときの各被割付基板のチルト機構の高さ位置についてのデータを各被割付基板に対応してメモリに記憶し、テーブルに載置した２枚目以降の露光基板については、複数枚の被割付基板のうち少なくとも１枚（ただし全部を除く）については平行出しをして露光をし、平行出ししたときのチルト機構の高さ位置とこの平行出しした被割付基板に対応する割付位置にある第１枚目の露光基板の被割付基板のチルト機構の高さ位置との差分を算出し、残りの被割付基板については、メモリに記憶されたその被割付基板の割付位置に対応する第１枚目の露光基板の被割付基板についてのチルト機構の高さ位置を前記差分に応じて補正した高さ位置に位置決めして回帰平面を算出をせずにマスクと被割付基板とのギャップの設定を行って、露光をするものである。

このように、この発明は、２枚目以降の露光基板については、大型露光基板の割付けられた少なくとも１枚の被割付基板に対して行うだけで済み、残りの被割付基板は、平行出し処理をすることなく、単に、チルト機構の高さ位置に応じたギャップ設定を行うだけで露光処理に入ることができる。
その結果、平行出し処理が省略できるので、割付けられたそれぞれの基板部分に対するギャップ設定の位置決めが短時間で済み、露光処理のスループットを向上することができる。

図１は、この発明の基板露光方法を適用した複数枚取り露光基板の基板露光装置の説明図、図２は、その複数枚取り露光基板の説明図、図３は、その平行出し処理の説明図、図４は、露光処理順序の説明図、図５は、露光処理のフローチャート、そして図６は、ＬＣＤ基板の製造工程の概略説明図である。
図１において、１０は、基板露光装置の機構部であり、２０は、制御部である。
２は、機構部１０における露光ステージであり、ＸＹθステージ３とＸＹθステージ３上に設けられたチルト装置４（チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃからなる。）と基板チャックテーブル５とからなる。基板チャックテーブル５は、チルト装置４に支持されている。基板チャックテーブル５は、Ｘ方向，Ｙ方向の直線移動と回転とが可能になっていて、さらにチルト装置４による傾斜制御が可能となっている。なお、ＸＹθステージ３は、Ｙステージ３ａとＸステージ３ｂ、そしてθステージ３ｃとからなり、石定盤２ａ上に載置されている。そして、ここでは、前記のチルト装置４がＺステージになっている。
チルト装置４は、図１に示すように、チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃからなり、チルト機構４Ｆがフロント位置Ｆに設けられ、チルト機構４Ｒがリアー位置Ｒに設けられ、チルト機構４Ｃがセンタ位置に設けられ、それぞれが三角形の各頂点となる位置に配置されている（図３（ａ）参照）。

基板チャックテーブル５上には、図２に示す露光基板６が載置される。露光基板６には、６枚の被割付基板（以下セル基板）６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆが割付けられている。
図１に戻り、７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、基板チャックテーブル５上に載置された露光基板６とマスク１とのギャップを測定するギャップセンサである。ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、基板チャックテーブル５のＸＹ移動によりマスク１とともに被割付基板６ａ〜６ｆのそれぞれの上部四隅に順次配置され、図３（ａ）に示されるように、マスク１上の各測定点ＦL （前面左−フロントレフト位置），ＦR（前面右−フロントライト位置） ，ＲL（後面左−リアーレフト位置） ，ＲR（後面右−リアーライト位置）に対応して各測定点（セル基板上の所定の座標位置）のギャップの測定データを発生する。

ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄは、図３（ｂ）に示すように、それぞれ半導体レーザ光源８と一次元ＣＣＤ９とが内部に内蔵され、露光基板６に割付られた６枚のセル基板６ａ〜６ｆの１つの表面からとマスク１の裏面からのそれぞれの反射光とを同時に一次元ＣＣＤ９で受け、その受けた素子の位置によりギャップに対応した信号を発生する。なお、図３（ｂ）では、一次元ＣＣＤ９の受光状態を説明するために、露光基板６とマスク１のギャップをマスク１の厚さｄよりも大きく採っているが、マスク１は、通常数ｍｍであり、ギャップΔｇは数百μｍであるので、ギャップ測定状態では、マスク１の表面からの反射光は、一次元ＣＣＤ９には受光されない。
ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄから得られるギャップ検出信号は、反射光を受けた素子の位置が高いレベルの信号になる。そこで、この信号を二値化回路２４で受けて二値化することで、受光位置が“１”になる信号が発生する。このデジタル値は、制御部２０において、そのインタフェース２２を介してマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）２１に入力される。二値化された“１”、“０”のビットのうち“１”のビットの間隔がギャップ値を表すので、ＭＰＵ２１によりギャップが算出され、ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにより検出されたそれぞれのギャップ値が各測定点ＦL ，ＦR ，ＲL ，ＲR に対応してメモリ２３に記憶される。
そして、ＭＰＵ２１は、インタフェース２２を介して駆動回路２５を駆動し、チルト装置４によりマスク１とセル基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆとのギャップ設定をそれぞれに行う。

ここで、メモリ２３には、ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａ、ギャップ設定マスターデータ記憶プログラム２３ｂ、回帰平面関数算出プログラム２３ｃ、チルト制御値算出プログラム２３ｄ、そしてチルト機構駆動プログラム２３ｅとが設けられている。さらにメモリ２３には、ギャップ設定マスターデータＤＦ（フロント位置チルト機構４Ｆに対応），ＤＲ（リアー位置チルト機構４Ｒに対応），ＤＣ（センタ位置チルト機構４Ｃに対応）等を記憶するパラメータ領域２３ｆが設けられている。
ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａは、ＭＰＵ２１により実行されて、ＭＰＵ２１は、図５のフローチャートに従って、１枚目の複数枚取り露光基板６のセル基板６ａ〜６ｆを露光する際に、セル基板６ａ〜６ｆ（第１セル基板〜第６セル基板）を平行出し、露光処理をする。さらに、この平行出しした際のギャップ設定値をセル基板６ａ〜６ｆのそれぞれに対応してマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとしてパラメータ領域２３ｆに記憶する。
また、２枚目以降の複数枚取り露光基板６のセル基板６ａ〜６ｆを露光する際には、セル基板６ａ（第１セル基板）だけを平行出し、平行出しした際のギャップ設定値と１枚目の露光基板６のセル基板６ａを露光する際のマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとの差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣをパラメータ領域２３ｆに補正値として記憶して、２枚目以降における残りのセル基板６ｂ〜６ｆの平行出しの際には、それぞれのマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣに対して差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣ分だけを補正して平行出しをせずに直接チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃを制御してギャップ設定をし、露光処理に入るものである。

ギャップ設定マスターデータ記憶プログラム２３ｂは、複数枚取り露光基板６を処理するときに、ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａの実行中にコールされて、ＭＰＵ２１により実行されて、ＭＰＵ２１は、セル基板６ａ〜６ｆを平行出しした際のギャップ設定値をそれぞれにマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとしてパラメータ領域２３ｆに記憶する処理をする。
回帰平面関数算出プログラム２３ｃは、ギャップ設定マスターデータ記憶プログラム２３ｂの実行中にコールされて、ＭＰＵ２１により実行されて、後述する平行出しのための回帰面ＳＰ（図３参照）を算出して、チルト制御値算出プログラム２３ｄをコールする。
チルト制御値算出プログラム２３ｄは、回帰平面関数算出プログラム２３ｃの実行中にコールされて、ＭＰＵ２１により実行されて、ＭＰＵ２１は、平行出しのためのチルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃの駆動値を算出して、ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａにリターンする。
チルト機構駆動プログラム２３ｅは、ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａの実行中にコールされて、ＭＰＵ２１により実行されて、ＭＰＵ２１は、チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃを駆動値に応じて制御する。

以下、ＭＰＵ２１がギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａを実行することで行われる露光処理を図５のフローチャートを参照して説明する。
所定の機能キー入力割込みにより、ギャップ直接制御露光処理プログラム２３ａがＭＰＵ２１により実行されると、変数Ｎ，ｍの初期値をＮ＝１，ｍ＝１として設定し（ステップ１０１）、Ｎ枚目（最初はＮ＝１）の複数枚取り露光基板６を基板チャックテーブル５に載置処理をする（ステップ１０２）。Ｎ枚目（最初はＮ＝１）の複数枚取り露光基板６が基板チャックテーブル５に載置されると、次に、ＸＹθステージ３を駆動してセル基板６ａ〜６ｆの第ｍセル基板（ｍ＝１）をマスク１の位置に位置決めする（ステップ１０３）。なお、この場合の移動は、露光基板６とこれに割付られたセル基板の大きさと、その枚数との関係が図２に示す状態となっているので、あらかじめ設定された量のステップ移動により、セル基板のマスク１への位置決めをすることができる。
そして、Ｎ＝１かあるいはｍ＝１かを判定する（ステップ１０４）、最初は、Ｎ＝１であり、ｍ＝１であるので、ここでＹＥＳとなる。そこで、次に、回帰平面関数算出プログラム２３ｃをコールして回帰平面関数算出処理を行う（ステップ１０５）。
ここで、ＭＰＵ２１は、回帰平面関数算出プログラム２３ｃをコールして実行し、ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄで測定されたそれぞれのギャップデータＺFL，ＺFR，ＺRL，ＺRRを読込み、マスク１を基準としたギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄの各測定点ＦL ，ＦR ，ＲL ，ＲR の座標値（ｘFL，ｙFL），（ｘFR，ｙFR），（ｘRL，ｙRL），（ｘRR，ｙRR）と、ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄで測定されたそれぞれのギャップデータＺFL，ＺFR，ＺRL，ＺRRの値を次の式に入れて、
ＺFL＝αｘFL＋βｙFL＋γ，ＺFR＝αｘFR＋βｙFR＋γ
ＺRL＝αｘRL＋βｙRL＋γ，ＺRR＝αｘRR＋βｙRR＋γ
上記式より定数α，βおよびγを求め、パラメータとしてメモリ２３に記憶する処理をいする。

次に、チルト機構の駆動値算出に入る（ステップ１０６）。
チルト機構の駆動値算出は、ＭＰＵ２１がチルト制御値算出プログラム２３ｄをコールしてチルト制御値算出プログラム２３ｄを実行して、α，βおよびγのデータと、チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃのそれぞれの座標値（ｘ，ｙ）を代入して、各チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃの位置における露光基板６のギャップを算出する。そして、目標となるギャップ値Δｇが引かれて各チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃの各駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃを算出する。
そして、次のギャップ設定を行う（ステップ１０７）。
ギャップ設定は、チルト機構駆動プログラム２３ｅがコールされてＭＰＵ２１に実行され、チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃが各駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃで駆動されてギャップ設定が行われる。これにより平行出しが終了する。
なお、ここでの平行出しは、ステップ１０５〜ステップ１０７を経て行われ、ギャップセンサ７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄで測定されたそれぞれのギャップデータＺFL，ＺFR，ＺRL，ＺRRを読込み、再計算された結果、目標となるギャップ値Δｇとなっていないときには、点線で示すように、ステップ１０５へと戻り、ステップ１０５〜ステップ１０７の処理が何回か繰り返される。

次に、、Ｎ＝１かを判定して（ステップ１０８）、最初はＹＥＳとなるので、このときの駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃをギャップ設定のマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとしてパラメータ領域２３ｆの第ｍセル基板（最初はｍ＝１）の記憶位置に記憶する（ステップ１０９）。そして、第ｍセル基板（最初はｍ＝１）についてマスク１とのアライメントマーク認識によるマーク位置決め処理を行って露光処理に入り、第ｍセル基板について露光処理が行われる（ステップ１１０）。
露光処理が終了すると、次に露光基板全体の処理が終了か否かをｍ＞６により判定する（ステップ１１１）。最初は、ＮＯであるので、ｍ＝ｍ＋１としてｍを更新して（ステップ１１２）、ステップ１０３へと戻り、次のセル基板に移る。なお、Ｋは、複数枚取り露光基板６の処理すべき全枚数である。
これにより、図４（ａ）の最初の複数枚取り露光基板６の第１セル基板から第６セル基板まで露光が行われる。この露光が終了すると、斜線で示す第１セル基板〜第６セル基板の平行出しの駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃがマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとしてパラメータ領域２３ｆのそれぞれのセル基板の記憶位置に記憶される。
そして、ステップ１１１の判定がＹＥＳとなると、露光処理全体の処理が終了か否かをＮ＞Ｋにより判定する（ステップ１１３）。最初は、ＮＯであるので、Ｎ＝Ｎ＋１としてＮを更新し（ステップ１１４）、ｍ＝１にセットして（ステップ１０２）へと戻り、次の露光基板の処理に移る。

ステップ１０２でＮ枚目（現在はＮ＝２）の複数枚取り露光基板６が基板チャックテーブル５に載置されると、最初は、ｍ＝１であるので、ステップ１０３，１０４を経てステップ１０５〜１０７で平行出しが行われ、ステップ１０８の判定でＮ＝１ではないので、ここでＮＯとなる。そこで、処理がステップ１０８ａに移って、ここで、先のステップ１０４でｍ＝１か否かが判定され、最初は、ｍ＝１であるので、ステップ１０６で算出した駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃと第１セル基板のマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣとの差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣを補正値として算出し（ステップ１０８ａ）、差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣをパラメータ領域２３ｆに記憶する（ステップ１０９ａ）。そして、ステップ１１０へと戻り、露光処理が行われる。そして、ステップ１１１の判定を経てＮＯのときにはステップ１１２を経てステップ１０３へと戻る。
Ｎ＞１かつｍ＞１のときには、ステップ１０４の判定でＮＯとなるので、ステップ１１５へと移り、現在の露光対象である位置決め位置のｍ枚目（ｍ＞１）のセル基板に対応する１枚目の露光基板６の第ｍセル基板のマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣをパラメータ領域２３ｆから読出して（ステップ１１５）、マスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣを差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣ分補正して補正駆動値Ｇｆ ，Ｇｒ ，Ｇｃを算出する（ステップ１１６）。そして、チルト機構駆動プログラム２３ｅをＭＰＵ２１が実行して各補正駆動値Ｇｆ ，Ｇｒ ，Ｇｃで各チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃをそれぞれ駆動してギャップ設定が行われ（ステップ１１７）、ステップ１１０へと戻り、露光処理が行われる。
そして、ステップ１１１の判定でＮ＞Ｋとなり、ＹＥＳとなると、ここでの露光処理は終了する。
その結果、図４（ｂ）の斜線で示す第１セル基板のみが平行出しされ、それ以外の第２セル基板〜第６セル基板の平行出しを行うことなく露光処理が可能になる。
なお、前記の差ΔＦ，ΔＲ，ΔＣ分による補正駆動値Ｇd ，Ｇe ，Ｇfは、駆動値ｇｆ，ｇｒ，ｇｃがマスターデータＤＦ，ＤＲ，ＤＣより大きいときには加算補正となり、小さいときには減算補正となる。

以上の処理では、Ｎ＞１かつｍ＞１のときに、すなわち、２枚目以降の露光基板６については、第２セル基板〜第６セル基板は、ステップ１０４〜ステップ１０５の平行出し処理はなく、ステップ１１７で単に各チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃを駆動してギャップ設定するだけであるので、露光処理の時間が短縮する。

前記実施例の機構部１０と制御部２０とからなる基板露光装置は、ＬＣＤパネルの製造工程における露光工程において使用される。
図６は、そのＬＣＤパネルの製造工程の概略説明図である。
ＬＣＤパネルは、大きく分けて、ガラス基板にＴＦＴアレイを形成するＴＦＴアレイ基板製造工程とカラーフィルタ基板製造工程とマスク製作工程とからなる。
このうちＴＦＴアレイ基板製造工程とカラーフィルタ基板製造工程にはそれぞれ前記の実施例で説明した基板露光装置が使用される。
以下、これについて説明する。
露光基板６に対応する所定の大きさのガラス基板を製造する基板製造工程（ステップ２０１）を経て、製造された基板が洗浄・乾燥された後に、成膜工程に入り、各種の薄膜形成がされて（ステップ２０２）、その後、洗浄されて（ステップ２０３）、塗布工程でフォトレジスト（感光剤）が塗布される（ステップ２０４）。これにより複数枚取りの露光基板６が製造される。そして、露光基板６に対して前記した実施例の基板露光装置によりギャップ直接制御の露光処理が行われて、ステップ露光によりパターンの露光が各セル基板６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆに対して順次行われる（ステップ２０５）。次に、現像工程に移って露光基板６が現像される（ステップ２０６）。そして、エッチング工程でエッジング処理され（ステップ２０７）、レジスト剥離工程でフォトレジストが剥離されて（ステップ２０８）、洗浄・乾燥後に（ステップ２０９）、ステップ２０２へと戻る。複数回前記の各工程が繰り返された後に、前記の工程の繰り返しで製造されたＴＦＴアレイ基板とカラーフィルタとが、それぞれパネル製造工程（ステップ２１０）に送られ、ここでパネルとして形成されて、検査工程（ステップ２１１）を経てＬＣＤパネルが製造される。
なお、前記実施例の基板露光装置は、このような製造工程のＬＣＤパネルに限定されるものではなく、表示パネル一般に適用可能である。

以上説明してきたが、実施例では、２枚目以降の露光基板６については、第１セル基板に対して平行出し処理を行いギャップ設定をしているが、この平行出し処理を行うセル基板は第１セル基板に限定されるものではない。露光基板に割付られた複数の被割付基板のうちいずれか少なくとも１つのセル基板が平行出しされればよい。さらに、露光基板に割付られた複数の被割付基板の全部の除いて複数枚の平行出しをしてもよいが、この場合には、複数枚の平行出しのときのチルト機構の駆動値の平均値を差値として用いてもよい。
また、実施例では、ギャップセンサによるギャップ測定で、マスクに対するセル基板の高さを測定しているが、この発明は、マスクに対するセル基板の高さは、ギャップセンサによるギャップ測定に限定されるものではない。さらに、チルト機構の駆動量もギャップ設定に対応する駆動値として算出しているが、この発明は、これに限定されるものではなく、ギャップを設定するために特定の高さに設定する駆動値であればどのような駆動値が算出されてもよい。
実施例では、６枚のセル基板が割付けられた例を挙げているが、この発明は、６枚に限定されるものではなく、複数枚割付けられていればよい。
さらに、実施例における第１枚目とは、処理単位をＮ枚として処理する場合には、Ｎ単位（ただしＮは２以上の整数）における第１枚目であってよいことはもちろんである。

図１は、この発明の基板露光方法を適用した複数枚取り露光基板の基板露光装置の説明図である。 図２は、その複数枚取り露光基板の説明図である。 図３は、その平行出し処理の説明図である。 図４は、露光処理順序の説明図である。 図５は、その露光処理のフローチャートである。 図６は、ＬＣＤ基板の製造工程の概略説明図である。

符号の説明

１…マスク、２…露光ステージ、
３…ＸＹθステージ、４…チルト装置４（チルト機構４Ｆ，４Ｒ，４Ｃ）
５…基板チャックテーブル、６…露光基板、
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ…被割付基板（セル基板）、
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ…ギャップセンサ、
１０…基板露光装置の機構部、２０…制御部、
２１…ＭＰＵ、２２…インタフェース、
２３…メモリ、
２３ａ…ギャップ直接制御露光処理プログラム、
２３ｂ…ギャップ設定マスターデータ記憶プログラム、
２３ｃ…回帰平面関数算出プログラム、
２３ｄ…チルト制御値算出プログラム、
２３ｅ…チルト機構駆動プログラム
２３ｆ…パラメータ領域、
２４…二値化回路。

Claims (6)

1. 被割付基板を複数枚、１枚の露光基板に割付けて前記被割付基板ごとにマスクを介して露光処理をする複数枚取り露光基板の基板露光方法において、
   前記露光基板を少なくとも３個のチルト機構で上下移動可能なテーブルに載置し、載置した第１枚目の前記露光基板に対して前記マスクに対する前記被割付基板の高さ位置を複数個所で測定してこれらの測定値に応じて回帰平面を算出して前記チルト機構を駆動して前記マスクに対してギャップ設定を行う前記被割付基板の平行出しをして前記マスクと前記被割付基板とのギャップを所定値に設定して、平行出ししたときの各前記被割付基板の前記チルト機構の高さ位置についてのデータを各前記被割付基板に対応してメモリに記憶し、前記テーブルに載置した２枚目以降の前記露光基板については、前記複数枚の被割付基板のうち少なくとも１枚（ただし全部を除く）については平行出しをして露光をし、平行出ししたときの前記チルト機構の高さ位置とこの平行出しした前記被割付基板に対応する割付位置にある前記第１枚目の露光基板の前記被割付基板の前記チルト機構の高さ位置との差分を算出し、残りの前記被割付基板については、前記メモリに記憶されたその被割付基板の割付位置に対応する前記第１枚目の露光基板の前記被割付基板についての前記チルト機構の高さ位置を前記差分に応じて補正した高さ位置に位置決めして前記回帰平面を算出をせずに前記マスクと前記被割付基板とのギャップの設定を行って、露光をする基板露光方法。
2. 前記被割付基板と前記露光基板は矩形の基板であって、前記露光基板は、縦横に前記被割付基板が複数枚割付けられる大きさである請求項１記載の基板露光方法。
3. 前記マスクに対する前記被割付基板の高さ位置は、前記マスクと前記被割付基板のギャップとしてギャップセンサにより測定され、前記チルト機構の高さ位置についてのデータは、前記ギャップを前記所定値に設定する前記チルト機構の駆動値である請求項２記載の基板露光方法。
4. 請求項１項記載の基板露光方法における少なくとも３個の前記チルト機構と、前記テーブルと、前記メモリを有する制御部とを備え、被割付基板を複数枚、１枚の露光基板に割付けて前記被割付基板ごとにマスクを介して露光処理をする複数枚取り露光基板の基板露光装置であって、
   前記制御部が前記基板露光方法における前記回帰平面を算出して前記平行出しをして前記マスクと前記被割付基板とのギャップを所定値に設定して、前記チルト機構の高さ位置についてのデータを各前記被割付基板に対応して前記メモリに記憶し、前記テーブルに載置した２枚目以降の前記露光基板については、前記制御部が前記複数枚の被割付基板のうち少なくとも１枚（ただし全部を除く）については平行出しをして露光をし、平行出ししたときの前記チルト機構の高さ位置とこの平行出しした前記被割付基板に対応する割付位置にある前記第１枚目の露光基板の前記被割付基板の前記チルト機構の高さ位置との差分を算出し、残りの前記被割付基板については、前記メモリに記憶されたその被割付基板の割付位置に対応する前記第１枚目の露光基板の前記被割付基板についての前記チルト機構の高さ位置を前記差分に応じて補正した高さ位置に位置決めして前記回帰平面を算出をせずに前記マスクと前記被割付基板とのギャップの設定を行う基板露光装置。
5. 請求項４記載の基板露光装置を用いて前記複数枚取り露光基板を露光し、露光した前記複数枚取り露光基板を現像して得られた基板を使用して表示パネルを製造する表示パネルの製造方法。
6. 請求項１〜３項のうちのいずれか１項記載の基板露光方法を用いて前記複数枚取り露光基板を露光し、露光した前記複数枚取り露光基板を現像して得られた基板を使用して表示パネルを製造する表示パネルの製造方法。

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