JP4590497B2 - アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 - Google Patents
アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4590497B2 JP4590497B2 JP2005131067A JP2005131067A JP4590497B2 JP 4590497 B2 JP4590497 B2 JP 4590497B2 JP 2005131067 A JP2005131067 A JP 2005131067A JP 2005131067 A JP2005131067 A JP 2005131067A JP 4590497 B2 JP4590497 B2 JP 4590497B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- emitting device
- iii
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Description
III−V族化合物半導体の二種類以上の超格子バッファ層を用いることによりガラス基板上に発光ダイオードを成長させることを特徴とする。
2・・・ITO透明薄膜層
3,3’・・・CuGaS2層
4,4’,4’’・・・ZnIn2S4層
5・・・InGaAlN
6・・・図1に示したバッファ層
7・・・n−InAlGaNクラッド層
8・・・InGaN TQW活性層
9・・・p−InAlGaNクラッド層
10・・・SiO2酸化膜
11・・・Ni/Au2層の金属電極
12・・・Au−Ge−Niの金属合金電極
13・・・Cu(放熱体)
Claims (6)
- 発光素子においてアモルファス材料基板に超格子構造からなるバッファ層を形成し、その上に形成したダブルヘテロ構造を有することを特徴とする発光素子
- 上記請求項1において発光素子の基板としてガラスを用いることを特徴とする発光素子
- 上記請求項1においてバッファ層としてII−VI、III−V、I−III−VI、II−III−VI、II−III−V族化合物半導体の少なくとも二種類の化合物結晶の超格子構造と、その上に形成したInGaAlNを活性層とするダブルヘテロ構造を有することを特徴とする発光素子
- 上記請求項3においてガラス基板とバッファ層との間にITOやIn2S3などの透明電極膜を形成することを特徴とする発光素子
- 上記請求項1においてバッファ層としてIII−V族化合物半導体の少なくとも二種類の化合物結晶の超格子構造と、その上に形成したInGaAlPを活性層とするダブルヘテロ構造を有することを特徴とする発光素子
- 上記請求項5においてガラス基板とバッファ層との間にITOやIn2S3などの透明電極膜を形成することを特徴とする発光素子
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005131067A JP4590497B2 (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005131067A JP4590497B2 (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006310527A JP2006310527A (ja) | 2006-11-09 |
JP4590497B2 true JP4590497B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=37477083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005131067A Expired - Fee Related JP4590497B2 (ja) | 2005-04-28 | 2005-04-28 | アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4590497B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2010100942A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2012-09-06 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット |
WO2023032583A1 (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | アモルファス基板上の窒化ガリウム系半導体デバイス |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62249495A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPH08139361A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 化合物半導体発光素子 |
-
2005
- 2005-04-28 JP JP2005131067A patent/JP4590497B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62249495A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPH08139361A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Toshiba Corp | 化合物半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006310527A (ja) | 2006-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI413279B (zh) | Iii族氮化物半導體發光元件及其製造方法、以及燈 | |
KR101629343B1 (ko) | 에피택시 구조체 및 나노 패턴화 기판의 제조 방법 | |
TWI458120B (zh) | 發光二極體、發光二極體燈及照明裝置 | |
JP4852755B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
US20110059564A1 (en) | Led having vertical structure and method for fabricating the same | |
JP2010205988A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
JP2008047860A (ja) | 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 | |
JP2007049063A (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
CN101183697A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法 | |
JP2005101533A (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
JP4148846B2 (ja) | 発光ダイオード素子の製造方法および発光ダイオード素子 | |
JP2009141093A (ja) | 発光素子及び発光素子の製造方法 | |
CN103681996A (zh) | 一种紫外发光二极管及其制备方法 | |
JP2009283620A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ | |
US20080142812A1 (en) | LED and method for marking the same | |
CN102064250B (zh) | 一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法 | |
JP4590497B2 (ja) | アモルファス材料基板を用いた発光素子及びその製造方法 | |
JP4508021B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2005123585A (ja) | InGaN発光ダイオード構造 | |
CN105098008A (zh) | 一种含三元超晶格的GaN基LED外延结构及其制备方法 | |
CN101304063A (zh) | 发光二极管的制作方法 | |
KR20130021931A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
JP2008071803A (ja) | 化合物混晶半導体発光装置。 | |
KR101180414B1 (ko) | 고휘도 엘이디 용 기판 구조 및 그 기판에서의 에피택시 기반층 성장방법 | |
JP2005129876A (ja) | 化合物半導体材料の積層方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090713 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090904 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091218 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100323 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100702 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |