JP4589918B2 - Euvリソグラフィ用反射型半導体マスク及びその製法ならびに当該半導体マスクを用いるフォトレジストのパターニング方法 - Google Patents
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Description
プの金属を含む。3つの層の内の中間層は他の2つの層よりも小さい消光係数(extinction coefficient)を有する。第1タイプの金属がタンタルの場合、本実施形態の中間層はタンタルシリコン酸化物であり、そして他の2つの層はタンタルシリコン窒化物である。任意選択の形で、誘電体層を3つの金属含有層を覆うように配置することができる。この様子は図及び次の記述を参照することにより一層深く理解することができる。
する際の窒素流量も、窒素流量が1.2SCCMであることを除いて同じプロセスによるものであった。SiONはPECVDにより堆積させた。
、クロムはタンタルよりも横方向にずっと大きくエッチングされる。これによってパターンサイズを維持することが難しくなる。タングステンは、不所望の応力を生じさせるという問題がある。タングステン膜の応力を制御するために多大な労力が費やされているが、ほとんどの目的に関して十分な成果が得られていない。
Claims (4)
- 基板と、
極紫外線(EUV)リソグラフィ用反射型半導体マスクによって光を反射させるために基板を覆う反射層と、
前記反射層の上に選択的に形成され、複数の層からなる吸収積層体と、前記吸収積層体のうちの1つは、タンタル、タングステン又はクロムから選択される所定の金属を含有することと、
前記吸収積層体のうち、前記反射層から最も離隔した位置に設けられる上部層を覆う複数の反射防止層とを備え、前記反射防止層のうちの第1の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなり、第2の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに酸素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には酸化クロムからなり、及び第3の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなる、EUVリソグラフィ用反射型半導体マスク。 - 半導体ウェハ上のフォトレジストをパターニングするための方法であって、
半導体基板を設ける工程と、
極紫外線(EUV)リソグラフィ用反射型半導体マスクを形成する工程であって、前記EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクは、
マスク基板と、
EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクによって光を反射させるためにマスク基板を覆う反射層と、
前記反射層の上に選択的に形成され、複数の層からなる吸収積層体と、前記吸収積層体のうちの1つは、タンタル、タングステン又はクロムから選択される所定の金属を含有することと、
前記吸収積層体のうち、前記反射層から最も離隔した位置に設けられる上部層を覆う複数の反射防止層とを備え、前記反射防止層のうちの第1の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなり、第2の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに酸素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には酸化クロムからなり、及び第3の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなる、EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクの形成工程と、
入射照射光を前記EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクに投影する工程と、
前記EUVリソグラフィ用反射型マスクの反射部分が反射する入射光を反射照射光として反射させる工程と、
半導体ウェハ上のフォトレジストを反射照射光により照射する工程とを備える、パターニング方法。 - 極紫外線(EUV)リソグラフィ用反射型半導体マスクを形成するための方法であって、
基板を設ける工程と、
EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクによって光を反射させるために基板を覆う反射層を形成する工程と、
前記反射層の上に選択的に形成され、複数の層からなる吸収積層体と、前記吸収積層体のうちの1つは、タンタル、タングステン又はクロムから選択される所定の金属を含有する、前記吸収積層体を形成する工程と、
前記吸収積層体のうち、前記反射層から最も離隔した位置に設けられる上部層を覆う複数の反射防止層を形成する工程とを備え、前記反射防止層のうちの第1の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなり、第2の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに酸素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には酸化クロムからなり、及び第3の層は前記所定の金属がタンタル又はタングステンの場合には前記所定の金属のシリサイドに窒素を取り込んだ組成を有し、前記所定の金属がクロムの場合には窒化クロムからなる、極紫外線(EUV)リソグラフィ用反射型半導体マスクの製造方法。 - 半導体ウェハ上のフォトレジストをパターニングするための方法であって、
半導体基板を設ける工程と、
極紫外線(EUV)リソグラフィ用反射型半導体マスクを形成する工程であって、前記EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクは、
マスク基板と、
EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクによって光を反射させるためにマスク基板を覆う反射層と、
前記反射層の上に選択的に形成され、複数の層からなる吸収積層体と、前記吸収積層体のうちの1つは、タンタルシリサイドからなることと、
吸収積層体の上部層を覆う少なくとも3層からなる反射防止層であって、前記3層はそれぞれ窒素、酸素、及び窒素をタンタルシリサイドに取り込むことにより設けられる、反射防止層とを備えるEUVリソグラフィ用反射型半導体マスクの形成工程と、
入射照射光をEUVリソグラフィ用反射型半導体マスクに投影する工程と、
EUVリソグラフィ用反射型半導体マスクの反射部分が反射する入射光を反射照射光として反射させる工程と、
半導体ウェハ上のフォトレジストを反射照射光により照射する工程とを備える、パターニング方法。
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US8658333B2 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
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US9612521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
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US20140272684A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor |
US9081288B2 (en) * | 2013-07-31 | 2015-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet (EUV) mask, method of fabricating the EUV mask and method of inspecting the EUV mask |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US651778A (en) * | 1899-07-31 | 1900-06-12 | Fred Leslie Brown | Cigar-maker's bunch-roller. |
JP2545905B2 (ja) * | 1987-12-29 | 1996-10-23 | キヤノン株式会社 | 反射型マスクならびにこれを用いた露光方法 |
DE3856054T2 (de) * | 1987-02-18 | 1998-03-19 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Reflexionsmaske |
JP3037763B2 (ja) * | 1991-01-31 | 2000-05-08 | ホーヤ株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法 |
US5286581A (en) * | 1991-08-19 | 1994-02-15 | Motorola, Inc. | Phase-shift mask and method for making |
US5399719A (en) * | 1993-06-28 | 1995-03-21 | Steritech, Inc. | Compounds for the photodecontamination of pathogens in blood |
US6316167B1 (en) * | 2000-01-10 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof |
US6274280B1 (en) | 1999-01-14 | 2001-08-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Multilayer attenuating phase-shift masks |
US6410193B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-06-25 | Intel Corporation | Method and apparatus for a reflective mask that is inspected at a first wavelength and exposed during semiconductor manufacturing at a second wavelength |
KR20010070403A (ko) | 2000-01-05 | 2001-07-25 | 카나가와 치히로 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상시프트 마스크의 제조 방법 |
TW480367B (en) | 2000-02-16 | 2002-03-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
US6479195B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Intel Corporation | Mask absorber for extreme ultraviolet lithography |
US6500587B1 (en) * | 2001-02-02 | 2002-12-31 | Advanced Micro Devices, Inc. | Binary and attenuating phase-shifting masks for multiple wavelengths |
US6583068B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
US6673520B2 (en) * | 2001-08-24 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method of making an integrated circuit using a reflective mask |
US6905801B2 (en) | 2002-12-28 | 2005-06-14 | Intel Corporation | High performance EUV mask |
US7118832B2 (en) | 2003-01-08 | 2006-10-10 | Intel Corporation | Reflective mask with high inspection contrast |
US6875546B2 (en) | 2003-03-03 | 2005-04-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of patterning photoresist on a wafer using an attenuated phase shift mask |
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