JP4585094B2 - Gm−Cフィルタにおける容量回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、書き込み可能なCD(コンパクト・ディスク)やDVDのリードチャネル用LSIのイコライザフィルタ、および携帯電話用LSIの中間周波数フィルタ等に使用されるGm−Cフィルタに関し、特にそのGm−Cフィルタおける容量回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、この種のGm−Cフィルタの一例としては、図5に示すようなものが知られている。
このGm−Cフィルタは、図5に示すように、トランスコンダクタンス増幅器1とキャップバンク回路(以下、容量回路という)2とから構成されている。
【0003】
容量回路2は、複数(この例では6個)のコンデンサC1〜C6と、これらと一対をなすNMOS型からなるスイッチ用のトランジスタQ1〜Q6とを有している。そして、各コンデンサC1〜C6と、これらと一対をなす各トランジスタQ1〜Q6とは、トランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3とアースとの間にそれぞれ直列に接続されている。
【0004】
ここで、コンデンサC1〜C6の静電容量はコンデンサC1が最大で、C1>C2>C3…>C6の関係を満たすようになっている。また、トランジスタQ1〜Q6のトランジスタサイズはトランジスタQ1が最大で、Q1>Q2>Q3…>Q6の関係を満たすようになっている。
このような容量回路2を持つGm−Cフィルタでは、トランジスタQ1〜Q6をオンオフ制御することによりコンデンサC1〜C6を選択し、フィルタとしての所望の周波数特性を持たせるようにしている。
【0005】
すなわち、従来のGm−Cフィルタは、低速信号を処理する場合には、静電容量の大きなコンデンサC1、C2等を選択するために、トランジスタQ1、Q2をオンにし、高速信号を処理する場合には、トランジスタQ1〜Q6を全てオフにしてトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3の寄生容量のみを利用し、これにより所望の周波数特性を得るようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の容量回路では、低速信号を処理するために設けているトランジスタQ1、Q2等は大きな拡散容量を持ち、この拡散容量がトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3の寄生容量となる。このため、従来のGm−Cフィルタでは、高速設定時において周波数帯域が制限されてしまうという不都合があった。
【0007】
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、低速度に対応するとともに、トランスコンダクタンス増幅器の出力に接続される容量回路のトランジスタによる寄生容量を低減することにより、広帯域化に適応できるGm−Cフィルタにおける容量回路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、本発明の目的を達成するために、請求項1に記載の発明は以下のように構成した。
すなわち、請求項1に記載の発明は、トランスコンダクタンス増幅器の出力側に、n個のコンデンサと、その各コンデンサを選択するn個の第1スイッチ素子とを有するGm−Cフィルタにおける容量回路において、前記n個のコンデンサのうちの関連する少なくとも2つのコンデンサと、その各コンデンサに対応する少なくとも2つの前記第1のスイッチ素子とを1つに束ねて結束回路を形成するとともに、前記結束回路と前記トランスコンダクタンス増幅器の出力ノードとの間に、前記結束回路を選択する第2のスイッチ素子を設け、前記結束回路の少なくとも2つの第1のスイッチ素子は対応する制御信号により開閉制御され、その各制御信号を論理和処理した信号により前記第2のスイッチ素子を開閉制御するようになっていることを特徴とするものである。
【0010】
このような構成からなる本発明では、トランスコンダクタンス増幅器の出力側の寄生容量を低減できるので、低速から高速までの広い範囲にわたって周波数特性を調整できるGm−Cフィルタが実現できる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の第1実施形態について、図1の回路図を参照して説明する。
この第1実施形態にかかるGm−Cフィルタは、図1に示すように、トランスコンダクタンス増幅器1と、このトランスコンダクタンス増幅器1の出力側に接続される容量回路2Aとを備えている。
【0012】
容量回路2Aは、図1に示すように、コンデンサC1〜C3等を1つに束ねた第1結束回路21と、コンデンサC4、C5等を1つに束ねた第2結束回路22とを有している。
第1結束回路21にはスイッチ用のトランジスタQ11が直列に接続され、第2結束回路22にはスイッチ用のトランジスタQ12が直列に接続され、かつ、コンデンサC6にはトランジスタQ6が直列に接続されている。そして、このように直列接続された各回路が、トランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3とアースとの間に並列に接続されている。
【0013】
第1結束回路21は、図5におけるトランジスタQ1〜3とコンデンサC1〜C3を1つに束ねたものである。すなわち、第1結束回路21では、各コンデンサC1〜C3と、これらと一対となる各トランジスタQ1〜Q3とが直列に接続されている。そして、トランジスタQ1〜Q3の各ドレインが共通接続され、その共通接続部がNMOS型のトランジスタQ11を経てトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3に接続されている。さらに、コンデンサC1〜C3の接地側の各端子が共通接続されて接地されている。
【0014】
第1結束回路21のトランジスタQ1〜Q3の各ゲートには、トランジスタQ1〜Q3をオンオフ制御する各制御信号S1〜S3が印加されるようになっている。また、その制御信号S1〜S3は、オアゲート(論理和回路)31を経由してトランジスタQ11のゲートにも印加されるようになっている。
第2結束回路22は、図5におけるトランジスタQ4、Q5とコンデンサC4、C5を1つに束ねたものである。すなわち、第2結束回路22では、各コンデンサC4、C5と、これらと一対となる各トランジスタQ4、Q5とが直列に接続されている。そして、トランジスタQ4、Q5の各ドレインが共通接続され、その共通接続部がNMOS型のトランジスタQ12を経てトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3に接続されている。さらに、コンデンサC4、C5の接地側の各端子が接地されている。
【0015】
第2結束回路22のトランジスタQ4、Q5の各ゲートには、トランジスタQ4、Q5をオンオフ制御する各制御信号S4、S5が印加されるようになっている。また、その制御信号S4、S5は、オアゲート32を経由してトランジスタQ12のゲートにも印加されるようになっている。さらに、トランジスタQ6のゲートに、トランジスタQ6をオンオフ制御する制御信号S6が印加されるようになっている。
【0016】
次に、このように構成される第1実施形態の動作の一例について説明する。
例えば、低速動作の場合には、容量回路2Aの静電容量の大きなコンデンサC1、C2を選択して使用する必要がある。この場合には、制御信号S1、S2によりトランジスタQ1、Q2がオンにされるとともに、その制御信号S1、S2がオアゲート31に経てトランジスタQ11がオンにされる。
【0017】
この結果、コンデンサC1、C2が、トランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3とアースとの間に並列接続され、容量回路2Aが所望の周波数特性を持つことになる。
また、このような構成からなる第1実施形態では、第1結束回路21や第2結束回路22を形成し、トランジスタQ1、Q2 等が持つ拡散容量がトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3の寄生容量として表れるのを減少できるようにしたので、この理由について従来回路と比較しながら説明する。
【0018】
図2は従来回路の場合であり、図3は第1実施形態の回路であり、ここでは説明を簡略化するためにコンデンサC1、C2とトランジスタQ1、Q2を1つに束ねて結束回路21Cを形成している。
図2において、いま、トランジスタQ1、Q2のオン抵抗をそれぞれ5kΩ、10kΩ、コンデンサC1、C2の静電容量の関係をC1=2×C2とする。この場合に、トランジスタQ1をオンにしてコンデンサC1を選ぶときには、オン抵抗(5kΩ)が見えることになる。また、トランジスタQ2をオンにしてコンデンサC2を選ぶときには、オン抵抗(10kΩ)が見えることになる。
【0019】
これに対して、図3の場合において、トランジスタQ1、Q2のオン抵抗をそれぞれ1kΩ、6kΩ、トランジスタQ11のオン抵抗を4kΩとする。この場合において、トランジスタQ1、Q11をオンにしてコンデンサC1を選ぶときには、オン抵抗は1kΩ+4kΩ=5kΩとなり、トランジスタとコンデンサの関係は従来回路と同じ関係が得られる。また、トランジスタQ2、Q11をオンにしてコンデンサC2を選ぶときには、オン抵抗は6kΩ+4kΩ=10kΩとなり、トランジスタとコンデンサの関係は従来回路と同じ関係が得られる。
【0020】
従って、図3に示す第1実施形態の回路では、トランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3に接続されるのは、オン抵抗が4kΩのトランジスタQ11で足りる。これに対して、図2に示す従来回路では、オン抵抗が5kΩのトランジスタQ1とオン抵抗が10kΩのトランジスタQ2とが必要となる。
このため、従来回路のオン抵抗が10kΩのトランジスタQ2のサイズを1とすると、第1実施形態の回路のオン抵抗が4kΩのトランジスタQ3のトランジスタサイズは、10kΩ/4kΩ=2.5となる。これに対して、従来回路に必要なオン抵抗が5kΩのトランジスタQ1とオン抵抗が10kΩのトランジスタQ2のトランジスタサイズは、10kΩ/5kΩ+10kΩ/10kΩ=2+1=3となる。
【0021】
従って、従来回路では、トランジスタQ1、Q2が持つ拡散容量がトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3の寄生容量となり、第1実施形態にかかる回路ではトランジスタQ11の持つ拡散容量がその寄生容量となり、その寄生容量はトランジスタのサイズに比例する。このため、第1実施形態の回路は、従来回路に比較してトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3の寄生容量を減少できるので、低域の性能を変えずに高域まで周波数特性を広げることができ、広帯域化が実現できる。
【0022】
以上述べたように、この第1実施形態では、コンデンサC1、C2等と、これらと対となるトランジスタQ1、Q2等を結束回路21、22により1つに束ね、この結束回路をトランジスタQ11等を経てトランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード3に接続するようにした。このため、この第1実施形態によれば、トランスコンダクタンス増幅器1の出力側の寄生容量を低減でき、低速から高速までの広い範囲にわたって周波数特性を調整できる。
【0023】
次に、本発明の第2実施形態の構成について、図4の回路図を参照して説明する。
この第2実施形態は、図1のトランスコンダクタンス増幅器1を差動型のトランスコンダクタンス増幅器1Aに代え、これに伴って容量回路2Bを図4に示すように第1結束回路21A等により構成したものである。
【0024】
第1結束回路21Aは、図1の結束回路21に相当する回路であり、その違いは、コンデンサC1〜C3を選択するために、トランジスタQ1〜Q3の他にトランジスタQ21〜Q23を設けるようにした点である。すなわち、トランジスタQ1、コンデンサC1、及びトランジスタQ21を直列に接続し、トランジスタQ2、コンデンサC2、及びトランジスタQ22を直列に接続し、かつ、トランジスタQ3、コンデンサC3、及びトランジスタQ23を直列に接続するようにした。そして、その各直列回路を並列に接続し、これにより第1結束回路21Aを形成するようにした。
【0025】
そして、トランジスタQ1〜Q3の各ドレインが共通接続され、その共通接続部がトランジスタQ11を経てトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノード5に接続されている。さらに、トランジスタQ21〜Q23の各ソースが共通接続され、その共通接続部がトランジスタQ31を経てトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノード6に接続されている。
【0026】
第1結束回路21AのトランジスタQ1、Q21、トランジスタQ2、Q22及びトランジスタQ3、Q23の各ゲートには、それらオンオフ制御する制御信号S1〜S3が印加されるようになっている。また、その制御信号S1〜S3は、オアゲート31を経由してトランジスタQ11、Q31のゲートにも印加されるようになっている。
【0027】
第2結束回路22Aは、図1の第2結束回路22に相当する回路であり、その違いは、コンデンサC4、C5を選択するために、トランジスタQ4、Q5の他にトランジスタQ24、Q25を設けるようにした点である。すなわち、トランジスタQ4、コンデンサC4、及びトランジスタQ24を直列に接続するとともに、トランジスタQ5、コンデンサC5、及びトランジスタQ25を直列に接続するようにした。そして、その各直列回路を並列に接続し、これにより第2結束回路22Aを形成するようにした。
【0028】
そして、トランジスタQ4、Q5の各ドレインが共通接続され、その共通接続部がトランジスタQ12を経てトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノード5に接続されている。さらに、トランジスタQ24、Q25の各ソースが共通接続され、その共通接続部がトランジスタQ32を経てトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノード6に接続されている。
【0029】
第2結束回路22AのトランジスタQ4、Q24、及びトランジスタQ5、Q25の各ゲートには、それらをオンオフ制御する制御信号S4、S5が印加されるようになっている。また、その制御信号S4、S5は、オアゲート32を経由してトランジスタQ12、Q32のゲートにも印加されるようになっている。
さらに、トランジスタQ6、コンデンサC6、及びトランジスタQ26が直列に接続され、これがトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノード5と出力ノード6との間に接続されている。また、トランジスタQ6のゲートに、それをオンオフ制御する制御信号S6が印加されるようになっている。
【0030】
次に、このように構成される第2実施形態の動作の一例について説明する。
例えば、低速動作の場合には、容量回路2Bの静電容量の大きなコンデンサC1、C2を選択して使用する必要がある。この場合には、制御信号S1、S2によりトランジスタQ1、Q21、及びトランジスタQ2、Q22がそれぞれオンされるとともに、その制御信号S1、S2がオアゲート31に経てトランジスタQ11、Q31をオンにする。
【0031】
この結果、コンデンサC1、C2が、トランスコンダクタンス増幅器1の出力ノード5と出力ノード6との間に並列接続され、容量回路2Bが所望の周波数特性を持つことになる。
以上述べたように、この第2実施形態では、コンデンサC1、C2等と、これらと一対となるトランジスタQ1、Q2等を結束回路21A、22Aにより1つに束ね、この結束回路をトランジスタを経てトランスコンダクタンス増幅器1Aの出力ノードに接続するようにした。このため、この第2実施形態によれば、トランスコンダクタンス増幅器1Aの出力側の寄生容量を低減でき、低速から高速までの広い範囲にわたって周波数特性を調整できる。
【0032】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、トランスコンダクタンス増幅器の出力側の寄生容量を低減できるので、低速から高速までの広い範囲にわたって周波数特性を調整できるGm−Cフィルタが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態の構成を示す回路図である。
【図2】第1実施形態の効果を比較するために従来回路の一部を抜き出した回路図である。
【図3】第1実施形態の効果を比較するために第1実施形態の一部を抜き出した回路図である。
【図4】本発明の第2実施形態の構成を示す回路図である。
【図5】従来回路の回路図である。
【符号の説明】
Q1〜Q6 MOSトランジスタ
Q11、Q12 MOSトランジスタ
C1〜C6 コンデンサ
S1〜S6 制御信号
1、1A トランスコンダクタンス増幅器
2A、2B 容量回路
3、5、6 出力ノード
21、21A 第1結束回路
22、22A 第2結束回路
31、32 オアゲート
Claims (1)
- トランスコンダクタンス増幅器の出力側に、n個のコンデンサと、その各コンデンサを選択するn個の第1スイッチ素子とを有するGm−Cフィルタにおける容量回路において、
前記n個のコンデンサのうちの関連する少なくとも2つのコンデンサと、その各コンデンサに対応する少なくとも2つの前記第1のスイッチ素子とを1つに束ねて結束回路を形成するとともに、
前記結束回路と前記トランスコンダクタンス増幅器の出力ノードとの間に、前記結束回路を選択する第2のスイッチ素子を設け、
前記結束回路の少なくとも2つの第1のスイッチ素子は対応する制御信号により開閉制御され、その各制御信号を論理和処理した信号により前記第2のスイッチ素子を開閉制御するようになっていることを特徴とするGm−Cフィルタにおける容量回路。
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