JP4579232B2 - 強度変調信号の復調のための電気回路、装置および方法 - Google Patents
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Description
(i)ピクセル内に集積化するための低電力データ圧縮部、および
(ii)乗算を必要とし、制約が許せばピクセル内で、あるいは必要条件によってはピクセル外またはチップ外でさえ行うことができる、最終的な振幅および位相の再構築、である。
10 装置
21 第1のチャンネル
22 第2のチャンネル
CA 列アドレス
CAD 列アドレスデコーダ
EV 評価手段
I 入力信号
OA 出力増幅器
OL 出力ライン
OTA 演算トランスコンダクタンス増幅器
PD フォトダイオード
PP 前処理ステージ
RA 行アドレス
RAD 行アドレスデコーダ
RO 読み出しステージ
RSN 読み出し蓄積ノード
S サンプリングステージ
SN 蓄積ノード
SUB1,SUB2 減算ステージ
SUM1,SUM2 合計ステージ
T 変換ステージ
VDDA 供給電圧
VSS グランド電圧
Claims (13)
- 変調周波数により変調された信号(I)であって、変調周期は前記変調周波数の逆数として定義されている信号を、検出するための電気回路(1)であって、
前記変調された信号(I)を電気信号に変換するための変換手段(T)と、
前記電気信号を、前記変調周波数の4倍またはその倍数に等しいサンプリング周波数でサンプリングするためのサンプリング手段(S)と、
前記変調周期の半分だけ離れた2つの第1サンプルの間の第1差異を評価するための第1の減算手段(SUB1)と、
前記変調周期の半分だけ離れた2つの第2サンプルの間の第2差異を評価するための第2の減算手段であって、前記第2サンプルは、前記第1サンプルに対して、4分の1である前記変調周期の所定の割合で、時間シフトされる、第2の減算手段(SUB2)と、
を備えるとともに、
前記第1の減算手段(SUB1)により評価された複数の後続の第1差異の第1合計を評価するための第1合計手段(SUM1)と、
前記第2の減算手段(SUB2)により評価された複数の後続の第2差異の第2合計を評価するための第2合計手段(SUM2)と、
を備えることを特徴とする電気回路。 - 前記変換手段(T)は、フォトダイオード(PD)と、前記フォトダイオードの電気出力信号を増幅させるためのソースフォロワ(MP2、MP3)とを備える、ことを特徴とする請求項1に記載の電気回路(1)。
- 蓄積ノード(SN)が、前記フォトダイオード(PD)と前記ソースフォロワ(MP2、MP3)の間に配置されている、ことを特徴とする請求項2に記載の電気回路(1)。
- 光生成されたDC電流に等しい電流を、前記フォトダイオード(PD)を介して取り込むための電流ソース(MP5)が、前記フォトダイオード(PD)に直列に接続されている、ことを特徴とする請求項2または3に記載の電気回路(1)。
- 前記サンプリング手段(S)は、少なくとも2つのスイッチおよび/または蓄積ノードを備えることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の電気回路(1)。
- 前記変換手段(T)と前記サンプリング手段(S)とが、ドリフト場(drift field)復調ピクセルまたはロックイン(lock-in)原理を用いたピクセルの1つの要素に組み合わされている、ことを特徴とする請求項1に記載の電気回路(1)。
- 前記第1および第2合計手段(SUM1、SUM2)によりそれぞれ評価された前記第1および第2合計を前処理する前処理手段であって、前記第1および第2合計の平方の合計を計算する、または、前記第1および第2合計の比率を計算するための前処理手段(PP)をさらに備える、ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の電気回路(1)。
- 前記電気回路の出力信号を読み出すための読み取り手段(RO)をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の電気回路(1)。
- 複数のピクセル(1.11〜1.nm)を備える1次元または2次元アレイセンサであって、
前記ピクセル(1.11〜1.nm)の少なくとも1つ、および、それぞれが、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電気回路を備える、ことを特徴とする1次元または2次元アレイセンサ。 - 変調された信号(I)を復調するための装置(10)であって、
前記変調された信号(I)を検出するための検出手段と、
エンベロープ振幅および/または時間的位相を、前記検出手段の出力から評価するための評価手段(EV)と、を備え、
前記検出手段は、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電気回路(1.11〜1.nm)を備える、ことを特徴とする装置。 - 前記検出手段は、並列出力を有する複数のピクセル(1.11〜1.nm)を備え、
前記ピクセル(1.11〜1.nm)の少なくとも1つ、および、それぞれが、請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の電気回路を備え、
前記装置(10)は、各電気回路を個別に読み出すための少なくとも1つのオンチップアドレスデコーダ(CAD、RAD)をさらに備える、ことを特徴とする請求項10に記載の装置(10)。 - 変調周波数により変調された信号(I)であって、変調周期は前記変調周波数の逆数として定義されている信号を検出するための方法であって、
前記変調された信号(I)を電気信号に変換するステップと、
前記電気信号を、前記変調周波数の4倍またはその倍数に等しいサンプリング周波数でサンプリングするステップと、
前記変調周期の半分だけ離れた2つの第1サンプルの間の第1差異を評価するステップと、
前記変調周期の半分だけ離れた2つの第2サンプルの間の第2差異を評価するステップであって、前記第2サンプルは、前記第1サンプルに対して、4分の1である前記変調周期の所定の割合で、時間シフトされる、ステップと、
を備えるとともに、
複数の後続の第1差異の第1合計が、評価され、
複数の後続の第2差異の第2合計が、評価される、
ことを特徴とする方法。 - 前記第1および第2合計は、前記変調された信号(I)のエンベロープ振幅および/または時間的位相の評価に使用される前に前処理され、前記第1および第2合計の平方の合計、または、前記第1および第2合計の比率が計算される、ことを特徴とする請求項12に記載の方法。
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