JP4578282B2 - アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 - Google Patents
アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4578282B2 JP4578282B2 JP2005069142A JP2005069142A JP4578282B2 JP 4578282 B2 JP4578282 B2 JP 4578282B2 JP 2005069142 A JP2005069142 A JP 2005069142A JP 2005069142 A JP2005069142 A JP 2005069142A JP 4578282 B2 JP4578282 B2 JP 4578282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group iii
- gas
- aluminum
- substrate
- nitride crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 148
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 124
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 86
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 74
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 21
- -1 aluminum halide Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- IZMHKHHRLNWLMK-UHFFFAOYSA-M chloridoaluminium Chemical compound Cl[Al] IZMHKHHRLNWLMK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N aluminum indium Chemical compound [Al].[In] AJGDITRVXRPLBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 1
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1に示される横断面の反応管を用いた。Al系III族ハロゲン化物の供給方法は、特開2003−303774号に従い、金属アルミニウムと塩化水素ガスを反応させることにより三塩化アルミニウムガスを発生させた。したがって、加熱装置にはホットウォールタイプの抵抗加熱装置を用いており、先の三塩化アルミニウムガスを発生させる温度領域と、発生した三塩化アルミニウムガスと窒素源ガスを反応させて窒化アルミニウムを反応させる温度領域の2ゾーンの温度制御が可能な加熱装置を用いた。
次いで、窒素源ガスとしてアンモニアガスをキャリアガスと混合して供給し、窒化アルミニウムの成長を開始した。アンモニアガスの供給分圧は3×10−3atmとした。この状態で、60分間保持して、サファイア基板上に窒化アルミニウムを成長させた。
サファイア基板上に予め三塩化アルミニウムガスを供給する時間を120秒に変更した以外は、実施例1と同様の手順、条件で窒化アルミニウム結晶を成長した。
サファイア基板上に予め三塩化アルミニウムガスを供給する時間を300秒に変更した以外は、実施例1と同様の手順、条件で窒化アルミニウム結晶を成長した。その結果、基板上に成長した窒化アルミニウムの平均膜厚は0.4μmであった。またX線回折装置のロッキングカーブを測定したところ、窒化アルミニウム(100)面の半値幅、すなわちTwist成分は51minであった。
サファイア基板上に予め三塩化アルミニウムガスを供給する時間を600秒に変更した以外は、実施例1と同様の手順、条件で窒化アルミニウム結晶を成長した。その結果、基板上に成長した窒化アルミニウムの平均膜厚は0.4μmであった。またX線回折装置のロッキングカーブを測定したところ、窒化アルミニウム(100)面の半値幅、すなわちTwist成分は74minであった。
サファイア基板上に予め三塩化アルミニウムガスを供給する時間を1200秒に変更した以外は、実施例1と同様の手順、条件で窒化アルミニウム結晶を成長した。その結果、基板上に成長した窒化アルミニウムの平均膜厚は0.3μmであった。またX線回折装置のロッキングカーブを測定したところ、窒化アルミニウム(100)面の半値幅、すなわちTwist成分は76minであった。
図1に示される横断面の反応管を用い、窒素源ガスを先行して基板に供給して、一定時間保持した後、サファイア基板上に窒化アルミニウムをエピタキシャル成長する実験である。III族ハロゲン化物ガスの供給方法、ガス供給量や総流量、窒化アルミニウム成長時の温度や時間等の条件は実施例1〜5に示すものと全く同様である。
比較例2
窒素源ガスを300秒先行して基板に供給した後、三塩化アルミニウムを供給して窒化アルミニウム結晶を成長する以外は、比較例1に示すものと全く同様の手順、条件で窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させた
その結果、基板上に成長した窒化アルミニウムの平均膜厚は0.4μmであった。X線回折装置のロッキングカーブ測定より、窒化アルミニウム(100)面の半値幅、すなわちTwist成分は172minであった。
22 加熱装置
23 サセプタ
24 基板
25 ハロゲン化物ガス供給ノズル
26 バリアノズル
Claims (4)
- ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを基板上で反応させて、ハイドライド気相エピタキシー法により基板上にアルミニウム系III族窒化物結晶を製造する方法において、
ガスを一方向に流すためのキャリアガスとして、水素ガス、又は水素ガスと、窒素ガス、ヘリウムガス、もしくはアルゴンガスとの混合ガスを使用し、
基板表面に予めアルミニウム系III族ハロゲン化物ガスを供給し、次いでIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを供給して反応させて、該基板上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させた後、該アルミニウム系III族窒化物結晶が再分解しないように窒素源ガスを流通させて基板の温度を下げることを特徴とするアルミニウム系窒化物結晶の製造方法。 - 石英ガラスを材質とした反応管内において、ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを基板上で反応させ、かつ、前記アルミニウム系III族ハロゲン化物ガスが三塩化アルミニウムガスである請求項1に記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- 基板表面に予め三塩化アルミニウムガスを供給する時間が30秒以上1200秒以下である請求項2に記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
- アルミニウム系III族窒化物結晶が窒化アルミニウム結晶である請求項1〜3の何れかに記載のアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005069142A JP4578282B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005069142A JP4578282B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006253462A JP2006253462A (ja) | 2006-09-21 |
JP4578282B2 true JP4578282B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=37093611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005069142A Active JP4578282B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4578282B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2009090821A1 (ja) | 2008-01-16 | 2011-05-26 | 国立大学法人東京農工大学 | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
WO2011077541A1 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 創光科学株式会社 | エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法 |
US11049999B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-06-29 | Soko Kagaku Co., Ltd. | Template, nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element, and method of manufacturing template |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005225756A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Technologies & Devices Internatl Inc | クラックフリーiii族窒化物半導体材料の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-11 JP JP2005069142A patent/JP4578282B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005225756A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Technologies & Devices Internatl Inc | クラックフリーiii族窒化物半導体材料の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006253462A (ja) | 2006-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4187175B2 (ja) | 窒化ガリウム系材料の製造方法 | |
JP5263839B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
JP4441415B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶積層基板 | |
US6852161B2 (en) | Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device | |
JP4877712B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶積層基板および窒化アルミニウム単結晶膜の製造方法 | |
JP5234968B2 (ja) | n型導電性窒化アルミニウム半導体結晶及びその製造方法 | |
JP5197283B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶基板、積層体、およびこれらの製造方法 | |
US9297093B2 (en) | Layered body having a single crystal layer | |
TW201108411A (en) | Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy | |
JP4476174B2 (ja) | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 | |
JP2007153664A (ja) | 窒化物系半導体基板及び半導体装置 | |
JP5105258B2 (ja) | 窒化ガリウム系材料及びその製造方法 | |
JP2006290662A (ja) | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置 | |
JP6362378B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
Ichikawa et al. | Metalorganic vapor phase epitaxy of pit-free AlN homoepitaxial films on various semipolar substrates | |
JP4578282B2 (ja) | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法 | |
KR20020065892A (ko) | 3족 질화물 반도체 결정 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 제조 방법, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체, 갈륨나이트라이드-기재 화합물 반도체 발광 소자, 및 반도체발광 소자를 이용한 광원 | |
JP5195731B2 (ja) | 窒化物系半導体基板及び半導体装置 | |
JP5005266B2 (ja) | AlN結晶の作製方法およびAlN厚膜 | |
Luo et al. | Improved surface morphology and crystalline quality of semi-polar (112‾ 2) AlN epilayer with dual moderate-temperature-grown AlN interlayers | |
JP4535935B2 (ja) | 窒化物半導体薄膜およびその製造方法 | |
JP2006240895A (ja) | アルミニウム系窒化物結晶の製造方法および積層基板 | |
JP4481118B2 (ja) | 高結晶性窒化アルミニウム積層基板の製造方法 | |
JP2014179544A (ja) | AlN薄膜の製造方法及びAlN薄膜 | |
JP2006179810A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100615 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100715 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100824 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4578282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |