JP4564897B2 - Electroluminescence element - Google Patents

Electroluminescence element Download PDF

Info

Publication number
JP4564897B2
JP4564897B2 JP2005214029A JP2005214029A JP4564897B2 JP 4564897 B2 JP4564897 B2 JP 4564897B2 JP 2005214029 A JP2005214029 A JP 2005214029A JP 2005214029 A JP2005214029 A JP 2005214029A JP 4564897 B2 JP4564897 B2 JP 4564897B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
organic
photocatalyst
photocatalyst layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2005214029A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007035347A (en
Inventor
智 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2005214029A priority Critical patent/JP4564897B2/en
Publication of JP2007035347A publication Critical patent/JP2007035347A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4564897B2 publication Critical patent/JP4564897B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to an electroluminescence element .

近年、カラーフィルタ基板等の機能基板やエレクトロルミネッセンス素子(以下、「EL素子」と略称する。)等の製造方法として、インクジェット法等の湿式塗布法が注目されている。   In recent years, a wet coating method such as an ink jet method has attracted attention as a method for producing a functional substrate such as a color filter substrate, an electroluminescence element (hereinafter abbreviated as “EL element”), and the like.

湿式塗布法を用いることにより、機能基板やEL素子を安価に製造することができる。しかし、例えば、湿式塗布法を用いてカラーフィルタ基板やEL素子を製造した場合、画素のにじみや画素間の混色が生じやすいという問題がある。このような問題に鑑み、画素間に撥液性の隔壁(バンク)を設けることによって画素のにじみや画素間の混色を抑制する技術が開示されている(例えば、特許文献1等)。
特開平7−35917号公報
By using a wet coating method, a functional substrate and an EL element can be manufactured at low cost. However, for example, when a color filter substrate or an EL element is manufactured using a wet coating method, there is a problem in that pixel bleeding or color mixing between pixels is likely to occur. In view of such a problem, a technique for suppressing pixel bleeding and color mixing between pixels by providing a liquid-repellent partition (bank) between the pixels is disclosed (for example, Patent Document 1).
JP 7-35917 A

しかしながら、画素間に撥液性の隔壁を設けた場合、機能層の層厚ムラが生じやすいという問題がある。具体的には、機能層のうち隔壁に近い部分、すなわち機能層の周縁部分の層厚が中央部分の層厚よりも薄くなってしまうという問題がある。   However, when a liquid-repellent partition wall is provided between the pixels, there is a problem that the layer thickness unevenness of the functional layer tends to occur. Specifically, there is a problem that the layer thickness of the functional layer near the partition wall, that is, the peripheral thickness of the functional layer is thinner than the central layer.

本発明は、係る点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、層厚ムラの少ない機能層を有するEL素子を提供することにある。 The present invention has been made in view of, and has as its object to provide a E L elements that have a less functional layer having thickness unevenness.

本発明に係るEL素子は、基板と、撥液性の隔壁と、i線の光により親液性が付与された二酸化チタンを含有する光触媒層と、機能層と、第2電極とを有する。基板の表面には複数の第1電極が設けられている。隔壁は、基板表面の相隣る第1電極の間に、基板の表面を複数の領域に区画するように形成されている。光触媒層は複数の領域のそれぞれの周縁部分に少なくとも設けられている。機能層は、複数の領域のそれぞれに、周縁部分が光触媒層と接触するように形成されている。第2電極は機能層のそれぞれの上に設けられている。 The EL device according to the present invention includes a substrate, a liquid repellent partition, a photocatalyst layer containing titanium dioxide imparted with lyophilicity by i-line light, a functional layer, and a second electrode . A plurality of first electrodes are provided on the surface of the substrate. Septal wall between the Aitonaru first electrode of the substrate surface, are formed so as to partition the surface of the substrate into a plurality of regions. The photocatalyst layer is provided at least on the peripheral portion of each of the plurality of regions. The functional layer is formed in each of the plurality of regions so that the peripheral edge portion is in contact with the photocatalyst layer. The second electrode is provided on each of the functional layers.

尚、本明細書において、「光触媒」とは、光を照射することによって、湿式塗布法により機能層を形成する際に用いられる機能層形成インクに対して親和する性質(親液性)を発現する触媒のことをいう。光触媒そのものは本来、光が照射されることにより触媒として作用する物質である。触媒は、他の物質の化学反応に関与し、その反応の速度に影響を与えるものである。光触媒に光が照射されると、光触媒の表面構造が変化し、光触媒の表面に空気中の水分が吸着され、光触媒の表面に薄い水の膜が形成される。その結果、光触媒は光の照射により親水性を示すことが一般に知られている。   In this specification, “photocatalyst” expresses a property (lyophilicity) that is compatible with a functional layer forming ink used when forming a functional layer by a wet coating method by irradiating light. Refers to a catalyst that performs The photocatalyst itself is a substance that acts as a catalyst when irradiated with light. The catalyst is involved in the chemical reaction of other substances and affects the rate of the reaction. When light is irradiated to the photocatalyst, the surface structure of the photocatalyst changes, moisture in the air is adsorbed on the surface of the photocatalyst, and a thin water film is formed on the surface of the photocatalyst. As a result, it is generally known that a photocatalyst exhibits hydrophilicity when irradiated with light.

「湿式塗布法」とは機能層を形成するための材料を溶媒(水、有機溶媒等)に溶解させたインクを用いた膜を形成する方法をいう。具体的には、インクジェット法、印刷法、スピンコート法、ディップ法、ノズルコート法等が挙げられる。   The “wet coating method” refers to a method of forming a film using an ink in which a material for forming a functional layer is dissolved in a solvent (water, organic solvent, etc.). Specific examples include an inkjet method, a printing method, a spin coating method, a dip method, and a nozzle coating method.

「親液性」とは機能層形成インクに対する接触角が30度以下(好ましくは20度以下)である性質をいう。尚、「接触角」は協和界面科学株式会社製CA−W(全自動接触角計;Automatic Contact Angle Meter)により測定することができる。   “Lipophilicity” refers to the property that the contact angle to the functional layer forming ink is 30 degrees or less (preferably 20 degrees or less). The “contact angle” can be measured with CA-W (Fully Automatic Contact Angle Meter) manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.

「撥液性」とは、湿式塗布法により機能層を形成するためのインクをはじく性質をいう。詳細には、湿式塗布法により機能層を形成するためのインクが30度より大きい接触角(好ましくは40度以上の接触角)で接触する性質のことをいう。 “Liquid repellency” refers to the property of repelling ink for forming a functional layer by a wet coating method. In particular, the ink is 30 degrees greater than the contact angle for forming the functional layer by a wet coating method (preferably at least 40 degrees of contact angle) will have the property of contact.

、例えば、光触媒層を設けなくても、隔壁全体を親液性にすることで、各領域の周縁部分にも機能層を形成することが可能となる。しかしながら、この場合、機能層形成インクが親液性の隔壁に多く付着してしまう。このため、機能層の周縁部分の層厚が厚くなり、中央部分の層厚が想定した値よりも薄くなってしまう。従って、所望の膜厚を有する機能層を形成することが困難となる。その結果、所望する層厚を有し、膜厚ムラの少ない機能層を実現することができない。 In addition , for example, even if a photocatalyst layer is not provided, a functional layer can be formed also in the peripheral part of each area | region by making the whole partition lyophilic. However, in this case, a large amount of the functional layer forming ink adheres to the lyophilic partition. For this reason, the layer thickness of the peripheral part of the functional layer becomes thick, and the layer thickness of the central part becomes thinner than the assumed value. Therefore, it becomes difficult to form a functional layer having a desired film thickness. As a result, a functional layer having a desired layer thickness and little film thickness unevenness cannot be realized.

本発明に係るEL素子は各領域の周縁部分に設けられた光触媒層を有する。この光触媒層は光(例えば紫外光)を照射することによって親液性となる。このため、湿式塗布法により機能層を形成する工程に先立って光触媒層に光照射を行っておくことで、機能層形成工程において、光触媒層の表面を比較的長時間にわたって親液性に保持することができる。従って、撥液性の隔壁に起因する機能層の層厚ムラの発生(特に機能層の周縁部分が薄くなること)を効果的に抑制することができる。すなわち、本発明に係る、層厚がほぼ均一な機能層を有するEL素子は湿式塗布法を用いることにより容易に作成することができる。 The EL device according to the present invention has a photocatalyst layer provided at the peripheral portion of each region. This photocatalyst layer becomes lyophilic when irradiated with light (for example, ultraviolet light). For this reason, by irradiating the photocatalyst layer with light prior to the step of forming the functional layer by a wet coating method, the surface of the photocatalyst layer is kept lyophilic for a relatively long time in the functional layer formation step. be able to. Therefore, it is possible to effectively suppress the occurrence of layer thickness unevenness of the functional layer due to the liquid repellent partition (particularly, the peripheral portion of the functional layer becomes thin). That is, an EL device having a functional layer with a substantially uniform layer thickness according to the present invention can be easily produced by using a wet coating method.

また、光触媒層が、i線の光により親液性が付与された二酸化チタンを含有することにより、一般的な露光機を用いて光触媒層を親液性にすることができるため、容易且つ安価に光触媒を活性化することができる。 In addition, since the photocatalyst layer contains titanium dioxide to which lyophilicity is imparted by i-line light, the photocatalyst layer can be made lyophilic using a general exposure machine. The photocatalyst can be activated.

また、本発明に係るEL素子では、隣接する領域が撥液性の隔壁によって隔離されている。このため、インクジェット法等の湿式塗布法を用いて作製する場合であっても、隣接する領域間の混色等が抑制される。 In the EL device according to the present invention, adjacent regions are separated by a liquid repellent partition. For this reason, even if it is a case where it produces using wet coating methods, such as an inkjet method, the color mixture etc. between adjacent area | regions are suppressed.

尚、本発明に係るEL素子において、機能層とは発光層、又は発光層と1層以上のバッファ層との積層である。バッファ層とは具体的にホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層である。言い換えれば、機能層は発光層と、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、及び電子輸送層ならなる群のうちの1層又は2層以上とにより構成されていてもよい。In the EL device according to the present invention, the functional layer is a light emitting layer or a laminate of the light emitting layer and one or more buffer layers. Specifically, the buffer layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, or an electron transport layer. In other words, the functional layer may be composed of a light emitting layer and one or more layers in the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer.

また、本発明に係るEL素子では、光触媒層の周縁部分が櫛歯状にパターニングされている。従って、第1電極と機能層との接触面積を増大させることができるため、例えば、機能層が、発光層を有する有機層の場合、当該有機層の発光面積を増大することができる。その結果、高輝度なEL素子を実現することができる。Moreover, in the EL element according to the present invention, the peripheral portion of the photocatalyst layer is patterned in a comb shape. Accordingly, since the contact area between the first electrode and the functional layer can be increased, for example, when the functional layer is an organic layer having a light emitting layer, the light emitting area of the organic layer can be increased. As a result, a high-brightness EL element can be realized.

本発明に係るEL素子では、光触媒層が、基板上の基板表面の相隣る第1電極の間に渡って、両端が相隣る第1電極に接触するように形成されており、隔壁が、触媒層の両端が露出するように、光触媒層上に形成されていてもよい。In the EL device according to the present invention, the photocatalyst layer is formed between the adjacent first electrodes on the surface of the substrate on the substrate so that both ends thereof are in contact with the adjacent first electrodes, and the partition walls are formed. The catalyst layer may be formed on the photocatalyst layer so that both ends of the catalyst layer are exposed.

本発明に係るEL素子では、光触媒層が絶縁性であることが好ましい。そうすることによって、機能層の被覆不良が発生した場合であっても第1電極と第2電極との間の電流リークを効果的に抑制することができる。 In the EL device according to the present invention, the photocatalyst layer is preferably insulating. By doing so, current leakage between the first electrode and the second electrode can be effectively suppressed even when the functional layer is poorly coated.

本発明に係るEL素子では、光触媒層の層厚が20nm以上であることが好ましい。 In the EL device according to the present invention, the layer thickness of the photocatalyst layer is preferably 20 nm or more.

光触媒層の層厚を20nm以上とすることで機能層の層厚ムラを更に効果的に抑制することができる。尚、光触媒層の層厚とは機能層と接触する周縁部分の平均層厚をいう。   By setting the layer thickness of the photocatalyst layer to 20 nm or more, the layer thickness unevenness of the functional layer can be more effectively suppressed. In addition, the layer thickness of the photocatalyst layer means the average layer thickness of the peripheral portion in contact with the functional layer.

本発明に係るEL素子は、光触媒層と基板との間に設けられた絶縁層をさらに有することが好ましい。絶縁層は実質的に二酸化ケイ素からなるものであってもよい。 The EL element according to the present invention preferably further includes an insulating layer provided between the photocatalytic layer and the substrate. The insulating layer may consist essentially of silicon dioxide.

光触媒層と基板との間に絶縁層(例えば、二酸化ケイ素(SiO)層)をさらに設けることにより、光触媒層の触媒活性(親液性)を向上することができる。このため、機能層の層厚ムラを更に効果的に抑制することができる。 Insulating layer between the photocatalyst layer and the substrate (e.g., silicon dioxide (SiO 2) layer) by further providing, it is possible to improve the catalytic activity of the photocatalyst layer (lyophilic). Therefore, Ru can be more effectively suppressed thickness unevenness of the functional layer.

上説明したように、本発明によれば、層厚ムラの少ない機能層を有するEL素子を実現することができる。また、容易且つ安価に光触媒を活性化することができる。また、高輝度なEL素子を実現することができる。 As described on the following, according to the present invention, it is possible to realize an EL device having a low functional layer having thickness unevenness. In addition, the photocatalyst can be activated easily and inexpensively. In addition, a high-brightness EL element can be realized.

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

(実施形態1)図1は本実施形態1に係る有機EL素子1の断面図である。   (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view of an organic EL element 1 according to Embodiment 1. In FIG.

図2は有機EL素子1の平面図である。尚、説明の便宜上、図2には上部共通電極50及び封止基板60は描画していない。   FIG. 2 is a plan view of the organic EL element 1. For convenience of explanation, the upper common electrode 50 and the sealing substrate 60 are not drawn in FIG.

有機EL素子1は、有機エレクトロルミネッセンス基板(以下、「有機EL基板」と略称する。)2と、封止基板60とを有する。有機EL基板2はアクティブマトリクス基板(以下、「AM基板」と略称する。)10とバンク(隔壁)30と、機能層としての有機層40と、第2電極としての上部共通電極50とを有する。   The organic EL element 1 includes an organic electroluminescence substrate (hereinafter abbreviated as “organic EL substrate”) 2 and a sealing substrate 60. The organic EL substrate 2 includes an active matrix substrate (hereinafter abbreviated as “AM substrate”) 10, a bank (partition wall) 30, an organic layer 40 as a functional layer, and an upper common electrode 50 as a second electrode. .

AM基板10は、基板本体11と、基板本体11上にマトリクス状に配置されたスイッチング素子12と、スイッチング素子12の上に形成された平坦化膜13と、平坦化膜13の上にマトリクス状に設けられた、第1電極としての画素電極14とを有する。スイッチング素子12と画素電極14とは平坦化膜13に設けられたスルーホールを経由して電気的に接続されている。   The AM substrate 10 includes a substrate body 11, switching elements 12 arranged in a matrix on the substrate body 11, a planarizing film 13 formed on the switching elements 12, and a matrix on the planarizing film 13. And a pixel electrode 14 as a first electrode. The switching element 12 and the pixel electrode 14 are electrically connected via a through hole provided in the planarizing film 13.

基板本体11は、有機EL素子1の機械的耐久性を担保する機能、及び有機層40等に外部から水分や酸素が進入することを抑制する機能を有する。基板本体11は、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート等のプラスティック基板等であってもよい。及びアルミナ等のセラミックス等の絶縁性材料で形成された基板であってもよい。また、基板本体11はアルミニウムや鉄等からなる金属基板の一方面をSiOや有機絶縁性材料等の絶縁材料でコートした基板、金属基板の表面に陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等であってもよい。尚、有機EL素子1が基板本体11側から光を出射させるボトムエミッション方式である場合は、基板本体11はガラスやプラスティック等の光透過率の高い材料により構成することが好ましい。 The substrate body 11 has a function of ensuring the mechanical durability of the organic EL element 1 and a function of suppressing moisture and oxygen from entering the organic layer 40 and the like from the outside. The substrate body 11 may be a glass substrate, a quartz substrate, a plastic substrate such as polyethylene terephthalate, or the like. And a substrate formed of an insulating material such as ceramics such as alumina. The substrate body 11 is a substrate in which one side of a metal substrate made of aluminum, iron, or the like is coated with an insulating material such as SiO 2 or an organic insulating material, and the surface of the metal substrate is subjected to insulation treatment by a method such as anodization. It may be a substrate or the like. In addition, when the organic EL element 1 is a bottom emission system in which light is emitted from the substrate body 11 side, the substrate body 11 is preferably made of a material having high light transmittance such as glass or plastic.

スイッチング素子12は、例えば薄膜トランジスタ(TFT)やMIM(Metal−Insulator−Metal)ダイオード等によって構成することができる。   The switching element 12 can be configured by, for example, a thin film transistor (TFT), a MIM (Metal-Insulator-Metal) diode, or the like.

平坦化膜13はAM基板10の一方面(画素電極14側の面)を平坦にする。平坦化膜13はアクリル樹脂、ノボラック樹脂、ポリイミド樹脂、又はこれらの混合樹脂等により形成することができる。   The planarizing film 13 planarizes one surface of the AM substrate 10 (surface on the pixel electrode 14 side). The planarizing film 13 can be formed of an acrylic resin, a novolac resin, a polyimide resin, or a mixed resin thereof.

画素電極14は有機層40にホール(正孔)を注入する。画素電極14の材料としては、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等の金属材料、及び、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)等の導電性酸化物等が挙げられる。画素電極14は、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)といった合金であってもよい。 The pixel electrode 14 injects holes into the organic layer 40. The material of the pixel electrode 14 is silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), titanium ( Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF), etc. And conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode 14 includes magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ), lithium (Li ) / Aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or an alloy such as lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al).

画素電極14のホール注入口率をより高くする観点から、上述した画素電極14の材料の中でも、仕事関数の大きな材料がより好ましい。仕事関数の大きな材料としては、インジウムスズ酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等が挙げられる。   From the viewpoint of increasing the hole injection rate of the pixel electrode 14, among the materials of the pixel electrode 14 described above, a material having a large work function is more preferable. Examples of the material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).

また、有機EL素子1が有機層40からの光をAM基板10側から取り出すボトムエミッション方式である場合は、画素電極14がインジウムスズ酸化物(ITO)等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、有機層40からの光の画素電極14による吸収率を低くすることができ、高い輝度を実現することができる。   Further, when the organic EL element 1 is a bottom emission method in which light from the organic layer 40 is extracted from the AM substrate 10 side, the pixel electrode 14 is formed of a light transmissive material such as indium tin oxide (ITO). Preferably it is. According to this configuration, the absorption rate of the light from the organic layer 40 by the pixel electrode 14 can be reduced, and high luminance can be realized.

一方、有機EL素子1が有機層40の発光を上部共通電極50側から取り出すトップエミッション方式である場合は、画素電極14がアルミニウム(Al)等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、有機層40から画素電極14側に向けて出射された光が画素電極14によって上部共通電極50側に高い反射率で反射される。このため、有機層40からの光の出射光率を高くすることができるので、高い輝度を実現することができる。   On the other hand, when the organic EL element 1 is a top emission method in which the light emission of the organic layer 40 is extracted from the upper common electrode 50 side, the pixel electrode 14 is preferably formed of a light reflective material such as aluminum (Al). . According to this configuration, light emitted from the organic layer 40 toward the pixel electrode 14 is reflected by the pixel electrode 14 toward the upper common electrode 50 with a high reflectance. For this reason, since the emitted light rate of the light from the organic layer 40 can be made high, high brightness | luminance is realizable.

画素電極14の層厚は50nm以上500nm以下であることが好ましい。50nmより小さい場合は、所望の膜強度を得ることが困難になる。また、所望の抵抗値を得ることが困難になる。500nmより大きい場合は、画素電極14の剥離が生じる虞が増大する傾向にある。   The layer thickness of the pixel electrode 14 is preferably 50 nm or more and 500 nm or less. If it is smaller than 50 nm, it is difficult to obtain a desired film strength. In addition, it becomes difficult to obtain a desired resistance value. If it is larger than 500 nm, there is a tendency that the possibility that the pixel electrode 14 is peeled off increases.

尚、本実施形態に係る有機EL素子1では、画素電極14が略矩形に形成されているが、画素電極14は円形、楕円形等であってもよい。   In the organic EL element 1 according to this embodiment, the pixel electrode 14 is formed in a substantially rectangular shape, but the pixel electrode 14 may be circular, elliptical, or the like.

画素電極14は親液化処理が施されたものであっても構わない。湿式塗布法(インクジェット法等)により画素電極14の上に有機層40を形成する場合には、画素電極14に親液化処理を施しておくことにより、画素電極14と有機層40との親和性が向上するため、より層厚の均一な有機層40を形成することができるからである。   The pixel electrode 14 may be subjected to a lyophilic process. In the case where the organic layer 40 is formed on the pixel electrode 14 by a wet coating method (inkjet method or the like), the affinity between the pixel electrode 14 and the organic layer 40 is obtained by performing a lyophilic process on the pixel electrode 14. This is because the organic layer 40 having a more uniform layer thickness can be formed.

AM基板10の表面の相隣る画素電極(第1電極)14の間には、格子状に形成された断面略台形の撥液性のバンク30が設けられている。バンク30はAM基板10の表面を複数の領域に区画するように設けられている。図2に示すように、本実施形態1では格子状に形成されたバンク30によりそれぞれに区画された領域は略矩形である。尚、略矩形とは矩形又は角部が鈍角化された矩形のことをいう。ここで、角部を鈍角化するとは、90度を超える角(複数でもよい)又は曲線で角部を構成することをいう。曲線と鈍角との組み合わせによって角部を構成してもよい。   Between adjacent pixel electrodes (first electrodes) 14 on the surface of the AM substrate 10, a liquid-repellent bank 30 having a substantially trapezoidal cross section formed in a lattice shape is provided. The bank 30 is provided so as to partition the surface of the AM substrate 10 into a plurality of regions. As shown in FIG. 2, in the first embodiment, the regions partitioned by the banks 30 formed in a lattice shape are substantially rectangular. In addition, a substantially rectangular shape means a rectangle or a rectangle whose corners are obtuse. Here, making the corner part obtuse means that the corner part is constituted by an angle (a plurality of angles) exceeding 90 degrees or a curve. You may comprise a corner | angular part with the combination of a curve and an obtuse angle.

バンク30はポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂等により形成することができる。これらの樹脂を混合した材料により形成してもよい。ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂は有機材料の中でも耐熱性(熱的安定性)が高く、脱ガス、変色、変質、及び変形等が発生しにくい。従って、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、及びノボラック樹脂からなる群から選ばれた1種類又は2種類以上の樹脂を用いてバンク30を形成することによって、バンク30部分の安定性を向上させることができるので、長い製品寿命を有する有機EL素子1を実現することができる。   The bank 30 can be formed of polyimide resin, acrylic resin, novolac resin, or the like. You may form with the material which mixed these resin. Polyimide resins, acrylic resins, and novolak resins have high heat resistance (thermal stability) among organic materials, and are not easily degassed, discolored, altered, deformed, or the like. Therefore, the stability of the bank 30 portion can be improved by forming the bank 30 using one type or two or more types of resins selected from the group consisting of polyimide resin, acrylic resin, and novolac resin. The organic EL element 1 having a long product life can be realized.

また、バンク30は2層構造であってもよい。具体的には、バンク30の下層にSiO、Si、SiO等の無機絶縁層をさらに形成してもよい。そうすることによって、リーク電流や絶縁破壊をより効果的に抑制することが可能となる。 Further, the bank 30 may have a two-layer structure. Specifically, the lower layer of the bank 30 SiO 2, Si 3 N 4 , an inorganic insulating layer such as SiO N may be further formed. By doing so, it becomes possible to more effectively suppress leakage current and dielectric breakdown.

バンク30の表面は、少なくとも撥液性であることが好ましい。表面を撥液性にすることによって、隣接する有機層40の混色等を効果的に抑制することができる。表面が撥液性であるバンク30を製造する方法としては、撥液性を有する材料によりバンク30を形成する方法、バンク30に撥液性を有する添加物を添加する方法及びバンク30部に撥液化処理を施す方法等が挙げられる。   The surface of the bank 30 is preferably at least liquid repellent. By making the surface liquid-repellent, color mixing of adjacent organic layers 40 can be effectively suppressed. As a method of manufacturing the bank 30 having a liquid repellent surface, a method of forming the bank 30 with a liquid repellent material, a method of adding an additive having a liquid repellent property to the bank 30, and a repellent property of the bank 30 part. Examples include a method for performing liquefaction treatment.

撥液性を有する添加物としては、フッ素系添加物、シリカ系添加物等が挙げられる。具体的に、フッ素系添加物としては、フッ化カルシウム、六フッ化アルミニウムナトリウム、フッ化ナトリウム、モノフルオロリン酸ナトリウム、フルオロエチレン等が挙げられる。シリカ系添加物としては、ポリシラザン、テトラエトキシシラン等が挙げられる。   Examples of the additive having liquid repellency include a fluorine-based additive and a silica-based additive. Specifically, examples of the fluorine-based additive include calcium fluoride, sodium hexafluoride aluminum, sodium fluoride, sodium monofluorophosphate, and fluoroethylene. Examples of the silica-based additive include polysilazane and tetraethoxysilane.

撥液性を有する材料としては、側鎖にメチル基やフッ素基等を導入したポリイミド樹脂等が挙げられる。   Examples of the material having liquid repellency include a polyimide resin in which a methyl group or a fluorine group is introduced into the side chain.

光触媒層20はバンク30により区画された各領域のそれぞれの周縁部分に少なくとも設けられている。具体的には、バンク30と画素電極14との間には、光触媒層20が設けられている。更に具体的には、光触媒層20はAM基板10の表面の相隣る画素電極14の間に渡って、両端がその相隣る画素電極14に接触するように(好ましくは、両端が相隣る画素電極14の端部と重畳するように)形成されている。この光触媒層20によって、撥液性を有するバンク30はAM基板10の表面から隔離されている。   The photocatalyst layer 20 is provided at least at each peripheral portion of each region partitioned by the bank 30. Specifically, the photocatalytic layer 20 is provided between the bank 30 and the pixel electrode 14. More specifically, the photocatalytic layer 20 extends between adjacent pixel electrodes 14 on the surface of the AM substrate 10 so that both ends are in contact with the adjacent pixel electrodes 14 (preferably, both ends are adjacent to each other). The pixel electrode 14 is overlapped with the end of the pixel electrode 14. The photocatalytic layer 20 isolates the liquid repellent bank 30 from the surface of the AM substrate 10.

光触媒層20は光触媒を含有する。光触媒としては、例えば、二酸化チタン(TiO)、酸化亜鉛(ZnO)、チタン酸バリウム(BaTiO)、チタン酸ストロンチウム(SrTiO)、チタン酸カルシウム(CaTiO)、タンタル酸カリウム(KTaO)、二酸化錫(SnO)、又は二酸化ジルコン(ZrO)等が挙げられる。光触媒層20は、これらの光触媒の1種又は2種以上を含有していてもよい。また、これらの光触媒のみによって形成されていてもよい。これらの光触媒の中でも、例えばi線(365nm)の光により親液性を発現する光触媒が特に好ましい。i線(365nm)の光は例えばフォトリソグラフィー露光機等にも用いられる光であり、一般的な露光機を用いて光触媒層20を親液性にすることができるため、容易且つ安価に光触媒を活性化することができる。 The photocatalyst layer 20 contains a photocatalyst. Examples of the photocatalyst include titanium dioxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), barium titanate (BaTiO 3 ), strontium titanate (SrTiO 3 ), calcium titanate (CaTiO 3 ), and potassium tantalate (KTaO 3 ). , Tin dioxide (SnO 2 ), zircon dioxide (ZrO 2 ), and the like. The photocatalyst layer 20 may contain one or more of these photocatalysts. Moreover, you may form only with these photocatalysts. Among these photocatalysts, for example, a photocatalyst that exhibits lyophilicity by i-line (365 nm) light is particularly preferable. The i-line (365 nm) light is also used in, for example, a photolithography exposure machine, and the photocatalyst layer 20 can be made lyophilic using a general exposure machine. Can be activated.

光触媒層20は絶縁性であることが好ましい。光触媒層20を絶縁性にすることにより、例えば、有機層40(特に発光層42)の被覆不良が生じた場合であっても、画素電極14と上部共通電極50との間の電流リークを効果的に抑制することができる。電流リークをより効果的に抑制する観点から光触媒層20の層厚は20nm以上であることが好ましい。   The photocatalyst layer 20 is preferably insulative. By making the photocatalyst layer 20 insulative, for example, current leakage between the pixel electrode 14 and the upper common electrode 50 is effective even when the organic layer 40 (particularly, the light emitting layer 42) is poorly coated. Can be suppressed. From the viewpoint of more effectively suppressing current leakage, the layer thickness of the photocatalyst layer 20 is preferably 20 nm or more.

本実施形態1では、光触媒層20が相隣る画素電極14の間に渡って、両端がその相隣る画素電極14に接触するように形成されている。しかし、本発明は何らこの構成に限定される物ではない。例えば、図3、図4に示すように、光触媒層20を設けてもよい。   In the first embodiment, the photocatalyst layer 20 is formed between adjacent pixel electrodes 14 so that both ends thereof are in contact with the adjacent pixel electrodes 14. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, as shown in FIGS. 3 and 4, a photocatalytic layer 20 may be provided.

図3、図4は光触媒層20の形成例を表す断面図である。   3 and 4 are cross-sectional views illustrating examples of the formation of the photocatalyst layer 20.

図3に示すように、光触媒層20を領域それぞれの周縁部分のみ(バンク30と画素電極14との接触部分近辺のみ)に設けてもよい。また、図4に示すように、バンク30の下に、バンク30と共に略台形となるように光触媒層20を設けてもよい。   As shown in FIG. 3, the photocatalyst layer 20 may be provided only in the peripheral portion of each region (only in the vicinity of the contact portion between the bank 30 and the pixel electrode 14). As shown in FIG. 4, the photocatalytic layer 20 may be provided under the bank 30 so as to be substantially trapezoidal with the bank 30.

また、図5に示すように、光触媒層20の周縁部分を櫛歯状にパターニングしてもよい。   Further, as shown in FIG. 5, the peripheral portion of the photocatalyst layer 20 may be patterned in a comb shape.

図5は光触媒層20の周縁部分を櫛歯状にパターニングした場合を表す部分平面図である。尚、説明の便宜上、図5では、封止基板60、上部共通電極50及び有機層40は描画していない。   FIG. 5 is a partial plan view showing a case where the peripheral portion of the photocatalyst layer 20 is patterned in a comb shape. For convenience of explanation, the sealing substrate 60, the upper common electrode 50, and the organic layer 40 are not drawn in FIG.

図5に示すように、光触媒層20の周縁部分を櫛歯状にパターニングすることによって、画素電極14と有機層40との接触面積を増大させることができる。このため、有機層40の発光面積を増大することができる。従って、高輝度な有機EL素子1を実現することができる。   As shown in FIG. 5, the contact area between the pixel electrode 14 and the organic layer 40 can be increased by patterning the peripheral portion of the photocatalyst layer 20 in a comb shape. For this reason, the light emission area of the organic layer 40 can be increased. Therefore, a high-brightness organic EL element 1 can be realized.

有機層40は周縁部分が光触媒層20と接触するように形成されている。有機層40はホール輸送層41と発光層42とを有する。但し、本発明は何らこの構成に限らず、有機層40を発光層42のみにより構成してもよい。また、有機層40を発光層42とホール注入層、ホール輸送層41、電子輸送層、電子注入層等のバッファ層との積層としてもよい。   The organic layer 40 is formed so that the peripheral portion is in contact with the photocatalyst layer 20. The organic layer 40 has a hole transport layer 41 and a light emitting layer 42. However, the present invention is not limited to this configuration, and the organic layer 40 may be configured by only the light emitting layer 42. Alternatively, the organic layer 40 may be a stack of the light emitting layer 42 and a buffer layer such as a hole injection layer, a hole transport layer 41, an electron transport layer, or an electron injection layer.

ホール輸送層41は、画素電極14から発光層42へのホール輸送効率を向上する。ホール輸送層41を形成するためのホール輸送材料としては、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。   The hole transport layer 41 improves the hole transport efficiency from the pixel electrode 14 to the light emitting layer 42. Examples of the hole transport material for forming the hole transport layer 41 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, Imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, hydrogenated Examples thereof include amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.

発光層42は画素電極14から注入されたホールと上部共通電極50から注入された電子とを再結合させて発光する。   The light emitting layer 42 emits light by recombining holes injected from the pixel electrode 14 and electrons injected from the upper common electrode 50.

発光層42を形成するための発光材料としては、金属オキシノイド化合物[8−ヒドロキシキノリン金属錯体]、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ−p−フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。   As a light emitting material for forming the light emitting layer 42, metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivative, anthracene derivative, diphenylethylene derivative, vinylacetone derivative, triphenylamine derivative, butadiene derivative, coumarin derivative, Benzoxazole derivatives, oxadiazole derivatives, oxazole derivatives, benzimidazole derivatives, thiadiazole derivatives, benzthiazole derivatives, styryl derivatives, styrylamine derivatives, bisstyrylbenzene derivatives, tristyrylbenzene derivatives, perylene derivatives, perinone derivatives, aminopyrene derivatives, pyridine Derivatives, rhodamine derivatives, acuidine derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylene vinylene, Rishiran, and the like.

上部共通電極50はバンク30及び複数の有機層40の全体を覆うように形成されている。上部共通電極50は有機層40に電子を注入する。   The upper common electrode 50 is formed so as to cover the entire bank 30 and the plurality of organic layers 40. The upper common electrode 50 injects electrons into the organic layer 40.

上部共通電極50の材料としては、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等の金属材料、又は、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、又はインジウムスズ酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等の導電性酸化物が挙げられる。上部共通電極50はマグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等の合金により形成されていてもよい。 As the material of the upper common electrode 50, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF) Or metal oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), or conductive oxides such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). The upper common electrode 50 includes magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ), lithium (Li ) / Aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or an alloy such as lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al).

これらの材料の中でも、仕事関数の小さな材料がより好ましい。仕事関数の小さな材料により上部共通電極50を形成することにより、有機層40への電子注入効率を向上させることができるからである。仕事関数が小さい材料としては、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等が挙げられる。   Among these materials, a material having a small work function is more preferable. This is because the electron injection efficiency into the organic layer 40 can be improved by forming the upper common electrode 50 with a material having a small work function. Materials having a low work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / Examples include potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). It is done.

また、有機EL素子1が上部共通電極50側から発光層42の光を取り出すトップエミッション方式である場合は、上部共通電極50がインジウムスズ酸化物(ITO)等の光透過性の材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層42からの光の上部共通電極50による吸収率を低くすることができるので、高い輝度を有する有機EL素子1を実現することができる。   Further, when the organic EL element 1 is a top emission type in which the light of the light emitting layer 42 is extracted from the upper common electrode 50 side, the upper common electrode 50 is formed of a light transmissive material such as indium tin oxide (ITO). It is preferable. According to this configuration, since the absorption rate of the light from the light emitting layer 42 by the upper common electrode 50 can be lowered, the organic EL element 1 having high luminance can be realized.

一方、有機EL素子1がAM基板10側から発光層42の光を取り出すボトムエミッション方式である場合は、上部共通電極50がアルミニウム(Al)等の光反射性材料により形成されていることが好ましい。この構成によれば、発光層42から上部共通電極50側に向けて出射された光が上部共通電極50によって画素電極14側に高い反射率で反射される。そのため、発光層42からの光の出射光率を高くすることができるので、高い輝度を有する有機EL素子1を実現することができる。   On the other hand, when the organic EL element 1 is a bottom emission method in which light from the light emitting layer 42 is extracted from the AM substrate 10 side, the upper common electrode 50 is preferably formed of a light reflective material such as aluminum (Al). . According to this configuration, light emitted from the light emitting layer 42 toward the upper common electrode 50 side is reflected by the upper common electrode 50 toward the pixel electrode 14 side with a high reflectance. Therefore, since the light emission rate of light from the light emitting layer 42 can be increased, the organic EL element 1 having high luminance can be realized.

上部共通電極50の上には封止基板60が設けられている。封止基板60は、周縁部分において、AM基板10に対して、シール材により接着固定されている。この封止基板60を設けることによって、素子内への水分や酸素の進入を効果的に抑制することができる。このため、長い寿命を有する有機EL素子1を実現することができる。   A sealing substrate 60 is provided on the upper common electrode 50. The sealing substrate 60 is bonded and fixed to the AM substrate 10 with a sealing material at the peripheral portion. By providing the sealing substrate 60, it is possible to effectively prevent moisture and oxygen from entering the element. For this reason, the organic EL element 1 having a long lifetime can be realized.

封止基板60はガラス基板や石英基板等により構成することができる。封止基板60を接着するシール材としてはエポキシ樹脂等の酸素透過性及び透湿性の低い接着剤が好ましい。   The sealing substrate 60 can be composed of a glass substrate, a quartz substrate, or the like. As the sealing material for bonding the sealing substrate 60, an adhesive having low oxygen permeability and moisture permeability such as epoxy resin is preferable.

また、より長い寿命を実現する観点から、封止基板60の内側に乾燥剤を設けてもよい。   Moreover, you may provide a desiccant inside the sealing substrate 60 from a viewpoint of implement | achieving a longer lifetime.

以下、有機EL素子1の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element 1 will be described in detail with reference to the drawings.

図6〜10は有機EL素子1の製造工程を表す断面図である。   6 to 10 are cross-sectional views illustrating manufacturing steps of the organic EL element 1.

図6はAM基板10上に光触媒層20を形成する工程を説明する断面図である。   FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the photocatalytic layer 20 on the AM substrate 10.

まず、AM基板10上に光触媒層20を形成する。光触媒層20は例えばリフトオフ法により形成することができる。具体的には、フォトレジストをスピンコート法等により塗布し、フォトマスクを用いて所望のパターンを露光した。現像液で現像し、続いて水洗いすることによりレジストパターンを形成する。例えば高周波マグネトロンスパッタ装置等を用いて、形成されたレジストパターンの上に光触媒を含有する材料を成膜する。その後、剥離液に浸し、続いて水洗いすることによりフォトレジストを剥離させることにより、光触媒層20を形成することができる。   First, the photocatalytic layer 20 is formed on the AM substrate 10. The photocatalyst layer 20 can be formed by, for example, a lift-off method. Specifically, a photoresist was applied by spin coating or the like, and a desired pattern was exposed using a photomask. A resist pattern is formed by developing with a developer and then washing with water. For example, a material containing a photocatalyst is formed on the formed resist pattern using a high-frequency magnetron sputtering apparatus or the like. Thereafter, the photocatalyst layer 20 can be formed by immersing in a stripping solution and subsequently rinsing the photoresist to remove the photoresist.

光触媒層20の上にバンク30を形成する。具体的には、例えば、ポリイミド樹脂等をスピンコート法により成膜する。その後、得られた薄膜をフォトパターニングすることによりバンク30を形成することができる。   A bank 30 is formed on the photocatalyst layer 20. Specifically, for example, a polyimide resin or the like is formed by spin coating. Thereafter, the bank 30 can be formed by photo-patterning the obtained thin film.

バンク30を形成したAM基板10に親液化処理を施し、画素電極14に親液性を付与する。親液化処理としてはUV/O処理等が挙げられる。また、撥液化処理を施すことによりバンク30に撥液性を付与する。撥液化処理としてはCFプラズマ処理が挙げられる。このように、画素電極14を親液性にし、一方バンク30を撥液性とすることにより、後に湿式塗布法により形成される有機層40の層厚の均一性を向上することができる。具体的には、有機層40を形成するためのインクの画素電極14に対する親和性が比較的高いため、インクが画素電極14全面に広がりやすくなる。このため、有機層40を各領域の周縁部分に形成しやすくなる。また、有機層40を形成するためのインクがバンク30に大量に付着することを抑制することができる。このため、有機層40の周縁部分が中央部分に対して厚くなることを抑制することができる。 The AM substrate 10 on which the bank 30 is formed is subjected to a lyophilic process to impart lyophilicity to the pixel electrode 14. Examples of the lyophilic treatment include UV / O 3 treatment. Further, liquid repellency is imparted to the bank 30 by performing a liquid repellency treatment. An example of the liquid repellency treatment is CF 4 plasma treatment. Thus, by making the pixel electrode 14 lyophilic and making the bank 30 lyophobic, the uniformity of the layer thickness of the organic layer 40 to be formed later by a wet coating method can be improved. Specifically, since the ink for forming the organic layer 40 has a relatively high affinity for the pixel electrode 14, the ink tends to spread over the entire surface of the pixel electrode 14. For this reason, it becomes easy to form the organic layer 40 in the peripheral part of each area | region. In addition, it is possible to suppress a large amount of ink for forming the organic layer 40 from adhering to the bank 30. For this reason, it can suppress that the peripheral part of the organic layer 40 becomes thick with respect to a center part.

尚、CFプラズマ処理を施す場合は、バンク30にダメージを与えないように、小さな出力且つ短時間で処理することが好ましい。処理時間は20秒から30分の間であることが好ましく、バンク30の材料により適宜決定することができる。出力は10〜1000W/mの範囲であることが好ましい。また、バンク30に撥液性を有する添加物を添加した場合、撥液性を有する材料によりバンク30を形成した場合はバンク30の撥液化処理を行う必要はない。 In the case of applying the CF 4 plasma treatment, so as not to damage the bank 30, it is preferred to treat small output in a short time. The treatment time is preferably between 20 seconds and 30 minutes, and can be appropriately determined depending on the material of the bank 30. The output is preferably in the range of 10 to 1000 W / m 2 . Further, when an additive having liquid repellency is added to the bank 30, when the bank 30 is formed of a material having liquid repellency, it is not necessary to perform the liquid repellency treatment of the bank 30.

図7は光触媒層20を親液化する工程を表す断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view showing a process of making the photocatalyst layer 20 lyophilic.

バンク30を形成した後、バンク30側から光(例えば、近紫外光、紫外光等)を照射することにより、光触媒層20の表面を親液化する。このようにすることによって、後に湿式塗布法で形成される有機層40が各領域の周縁部分にも好適に形成されるようになる。このため、均一性の高い有機層40を形成することができる。尚、照射する光の波長は用いる光触媒に応じて適宜決定することができる。   After forming the bank 30, the surface of the photocatalyst layer 20 is made lyophilic by irradiating light (for example, near ultraviolet light, ultraviolet light, etc.) from the bank 30 side. By doing in this way, the organic layer 40 formed later with the wet application method is suitably formed also in the peripheral part of each area | region. For this reason, the organic layer 40 with high uniformity can be formed. In addition, the wavelength of the light to irradiate can be suitably determined according to the photocatalyst to be used.

尚、光触媒層20への光照射は水分濃度10%以上の雰囲気中で行うことが好ましい。そうすることによって、活性の高い(言い換えれば、親液性の高い)光触媒層20を実現することができる。   The photocatalyst layer 20 is preferably irradiated with light in an atmosphere having a moisture concentration of 10% or more. By doing so, the photocatalyst layer 20 having high activity (in other words, high lyophilicity) can be realized.

図8は湿式塗布法によりホール輸送層41を形成する工程を表す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the hole transport layer 41 by a wet coating method.

バンク30により区画された複数の領域のそれぞれに湿式塗布法(例えばインクジェット法等)によりホール輸送層41を形成する。具体的には、まずホール輸送材料を溶媒に溶かすことによりホール輸送層形成用インクを調製する。インクの濃度は例えば5重量%とすることができる。   A hole transport layer 41 is formed in each of a plurality of regions partitioned by the bank 30 by a wet coating method (for example, an ink jet method). Specifically, a hole transport layer forming ink is prepared by first dissolving a hole transport material in a solvent. The concentration of the ink can be 5% by weight, for example.

インクの調製に使用可能な溶媒としては、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、ヘミメリテン〔1,2,3−トリメチルベンゼン〕、プソイドクメン〔1,2,4−トリメチルベンゼン〕、メシチレン〔1,3,5−トリメチルベンゼン〕、クメン〔イソプロピルベンゼン〕、プレーニテン〔1,2,3,4−テトラメチルベンゼン〕、イソジュレン〔1,2,3,5−テトラメチルベンゼン〕、ジュレン〔1,2,4,5−テトラメチルベンゼン〕、p−シメン〔イソプロピルトルエン〕、テトラリン〔1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン〕、シクロヘキシルベンゼン、メリテン〔ヘキサメチルベンゼン〕、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール〔IPA;イソプロピルアルコール〕、エチレングリコール〔1,2−エタンジオール〕、ジエチレングリコール、2−メトキシエタノール〔エチレングリコールモノメチルエーテル,メチルセロソルブ〕、2−エトキシエタノール〔エチレングリコールモノエチルエーテル,セロソルブ〕、2−(メトキシメトキシ)エタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、グリセリン、アセトン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、アニソール〔メトキシベンゼン〕、水等が挙げられる。これらの溶媒を混合して用いてもよい。   Solvents that can be used for ink preparation include toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, ethylbenzene, hemimeritene [1,2,3-trimethylbenzene], pseudocumene [1,2,4-trimethylbenzene]. Mesitylene [1,3,5-trimethylbenzene], cumene [isopropylbenzene], planitene [1,2,3,4-tetramethylbenzene], isodurene [1,2,3,5-tetramethylbenzene], durene [1,2,4,5-tetramethylbenzene], p-cymene [isopropyltoluene], tetralin [1,2,3,4-tetrahydronaphthalene], cyclohexylbenzene, melitene [hexamethylbenzene], methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol [IPA; isopropyl Alcohol], ethylene glycol [1,2-ethanediol], diethylene glycol, 2-methoxyethanol [ethylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve], 2-ethoxyethanol [ethylene glycol monoethyl ether, cellosolve], 2- (methoxymethoxy) Ethanol, 2-isopropoxyethanol, 2-butoxyethanol, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, glycerin, acetone, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl- Examples include 2-imidazolidinone, anisole [methoxybenzene], and water. A mixture of these solvents may be used.

次に、調製したインクを各領域に塗布し、100℃〜250℃で0.5分〜120分間程度乾燥させることによりホール輸送層41を形成する。   Next, the hole transport layer 41 is formed by applying the prepared ink to each region and drying at 100 ° C. to 250 ° C. for about 0.5 minutes to 120 minutes.

上述のように、画素電極14及び光触媒層20はホール輸送層形成用インクに対して親液性を有し、バンク30は撥液性を有する。このため、ホール輸送層形成用インクがバンク30に大量に付着することを抑制することができる。また、ホール輸送層41を各領域の隅々にまでほぼ均一な層厚で形成することができる。   As described above, the pixel electrode 14 and the photocatalyst layer 20 are lyophilic with respect to the hole transport layer forming ink, and the bank 30 is lyophobic. For this reason, it is possible to suppress a large amount of the hole transport layer forming ink from adhering to the bank 30. Further, the hole transport layer 41 can be formed with a substantially uniform layer thickness in every corner of each region.

図11は光触媒層20を設けない場合の、湿式塗布法によりホール輸送層を形成する工程を表す断面図である。   FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a hole transport layer by a wet coating method when the photocatalyst layer 20 is not provided.

図11に示すように、光触媒層20を設けていない場合は、バンク30の撥液性に起因して、ホール輸送層形成インクが各領域の隅々にまで塗布されない。このため、均一性の高いホール輸送層41を形成することが困難となる。   As shown in FIG. 11, when the photocatalyst layer 20 is not provided, the hole transport layer forming ink is not applied to every corner of each region due to the liquid repellency of the bank 30. For this reason, it becomes difficult to form the hole transport layer 41 with high uniformity.

図9は湿式塗布法により発光層42を形成する工程を表す断面図である。   FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the light emitting layer 42 by a wet coating method.

ホール輸送層41のそれぞれの上に、湿式塗布法により発光層42を形成する。ホール輸送層41は一般的に発光層を形成するためのインクに対して親液性を示すため、発光層42にも、ホール輸送層41と同様に、ほぼ均一な層厚で形成可能である。   A light emitting layer 42 is formed on each of the hole transport layers 41 by a wet coating method. Since the hole transport layer 41 is generally lyophilic with respect to the ink for forming the light emitting layer, the light emitting layer 42 can be formed with a substantially uniform layer thickness as with the hole transport layer 41. .

このように、ホール輸送層41及び発光層42を各領域の周辺部分にまで高い均一性で形成することができる。言い換えれば、ホール輸送層41及び発光層42の高い被覆性を実現することができる。このため、画素電極14と上部共通電極50との間の電流リークを効果的に実現することができる。   In this manner, the hole transport layer 41 and the light emitting layer 42 can be formed with high uniformity up to the peripheral portion of each region. In other words, high coverage of the hole transport layer 41 and the light emitting layer 42 can be realized. For this reason, current leakage between the pixel electrode 14 and the upper common electrode 50 can be effectively realized.

図10は上部共通電極50を形成する工程を表す断面図である。   FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the upper common electrode 50.

上部共通電極50は例えばスパッタ法や蒸着法等により形成することができる。   The upper common electrode 50 can be formed by, for example, sputtering or vapor deposition.

上部共通電極50形成後、ガラス等からなる封止基板60をシール材によりAM基板10に接着固定することにより、図1及び図2に示す有機EL素子1を完成することができる。封止基板60を封止する工程は不活性ガス(窒素、アルゴン等)雰囲気中で行うことが好ましい。   After the formation of the upper common electrode 50, the sealing substrate 60 made of glass or the like is bonded and fixed to the AM substrate 10 with a sealing material, whereby the organic EL element 1 shown in FIGS. 1 and 2 can be completed. The step of sealing the sealing substrate 60 is preferably performed in an inert gas (nitrogen, argon, etc.) atmosphere.

(実施形態2)図12は本実施形態2に係る有機EL素子3の断面図である。   (Embodiment 2) FIG. 12 is a sectional view of an organic EL element 3 according to Embodiment 2. In FIG.

本実施形態2に係る有機EL素子3は、光触媒層20とAM基板10との間に光触媒層20に積層するように形成された絶縁層70が設けられている点で実施形態1に係る有機EL素子1と異なる。ここでは、絶縁層70に焦点を当てて説明する。   The organic EL element 3 according to the second embodiment is an organic EL element according to the first embodiment in that an insulating layer 70 formed so as to be stacked on the photocatalyst layer 20 is provided between the photocatalyst layer 20 and the AM substrate 10. Different from EL element 1. Here, description will be given focusing on the insulating layer 70.

尚、実施形態2において、実施形態1と実質的に同じ機能を有する構成要素を共通に参照符号で説明し、説明を省略する。   In the second embodiment, components having substantially the same functions as those in the first embodiment are commonly described with reference numerals, and description thereof is omitted.

実施形態2に係る有機EL素子3では、相隣る画素電極14の間に渡って、両端がその相隣る画素電極14に接触するように絶縁層70が設けられている。そして、その絶縁層70の表面を覆うように光触媒層20が設けられている。   In the organic EL element 3 according to the second embodiment, the insulating layer 70 is provided between the adjacent pixel electrodes 14 so that both ends thereof are in contact with the adjacent pixel electrodes 14. And the photocatalyst layer 20 is provided so that the surface of the insulating layer 70 may be covered.

このように、光触媒層20に接触するように絶縁層70を設けることによって光触媒層20の触媒活性を向上することができる。言い換えれば、光触媒層20の親液性を向上することができる。   Thus, the catalytic activity of the photocatalyst layer 20 can be improved by providing the insulating layer 70 so as to be in contact with the photocatalyst layer 20. In other words, the lyophilicity of the photocatalyst layer 20 can be improved.

尚、絶縁層70は、例えば二酸化ケイ素(SiO)、窒化シリコン(Si)、シリコン酸化窒化膜(SiON)等によって形成することができる。特に光触媒として二酸化チタン(TiO)を使用する場合は、絶縁層70として二酸化ケイ素層を形成することが好ましい。二酸化ケイ素と二酸化チタンとを組み合わせることにより、光触媒層20の親液性をより効果的に向上することができる。 The insulating layer 70 can be formed of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), silicon oxynitride film (SiON), or the like. In particular, when titanium dioxide (TiO 2 ) is used as a photocatalyst, it is preferable to form a silicon dioxide layer as the insulating layer 70. By combining silicon dioxide and titanium dioxide, the lyophilicity of the photocatalytic layer 20 can be improved more effectively.

以上、アクティブマトリクス方式の有機EL素子1及び2を例として本発明の適用例を説明したが、本発明は何らこれに限定される物ではない。本発明は例えばパッシブマトリクス方式の有機EL素子にも適用される。また、カラーフィルタ基板、機能層として導電層を有する回路基板、機能層として有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ基板、機能層としてレンズ層を有するマイクロレンズアレイ基板等に代表される機能基板に一般的に適用されるものである。   The application examples of the present invention have been described above by taking the active matrix type organic EL elements 1 and 2 as examples. However, the present invention is not limited thereto. The present invention is also applied to, for example, a passive matrix organic EL element. Also generally used for functional substrates represented by color filter substrates, circuit substrates having conductive layers as functional layers, organic thin film transistor substrates having organic semiconductor layers as functional layers, microlens array substrates having lens layers as functional layers, etc. Applicable.

実施例及び比較例として光触媒層20の層厚を種々変化させて実施形態1で説明した有機EL素子1と同形態の有機EL素子を作製、評価した。   As an example and a comparative example, the layer thickness of the photocatalyst layer 20 was changed variously, and the organic EL element of the same form as the organic EL element 1 demonstrated in Embodiment 1 was produced and evaluated.

まず、インジウムスズ酸化物(ITO)からなる画素電極14がマトリクス状に形成されたAM基板10を用意した。AM基板10上に、リフトオフ法を用いて、二酸化チタン(TiO)膜を形成、パターニングすることにより光触媒層20を形成した。成膜条件は、Tiターゲットを用い、Ar/Oガスの分圧比を50:50として、ガス圧2Paとした。 First, an AM substrate 10 in which pixel electrodes 14 made of indium tin oxide (ITO) were formed in a matrix was prepared. A photocatalyst layer 20 was formed on the AM substrate 10 by forming and patterning a titanium dioxide (TiO 2 ) film using a lift-off method. The film forming conditions were a Ti target, an Ar / O 2 gas partial pressure ratio of 50:50, and a gas pressure of 2 Pa.

光触媒層20の上にポリイミド樹脂をスピンコート法により成膜し、フォトパターニングすることによりバンク30を形成した。   A polyimide resin film was formed on the photocatalyst layer 20 by spin coating, and a bank 30 was formed by photo-patterning.

バンク30を形成したAM基板10にUV/O処理を施し、画素電極14に親液性を付与した。また、CFプラズマ処理を施すことによりバンク30に撥液性を付与した。 The AM substrate 10 on which the bank 30 was formed was subjected to UV / O 3 treatment to impart lyophilicity to the pixel electrode 14. Further, liquid repellency was imparted to the bank 30 by performing CF 4 plasma treatment.

バンク30を形成した後、バンク30側から光(波長365nm)を10分間照射することにより、光触媒層20の表面を親液化した。   After forming the bank 30, the surface of the photocatalyst layer 20 was made lyophilic by irradiating light (wavelength 365 nm) for 10 minutes from the bank 30 side.

バンク30により区画された複数の領域のそれぞれにインクジェット法によりホール輸送層41を形成した。ホール輸送材料としてポリチオフェン及びポリマー酸を用いた。溶媒はキシレンを用いた。調製したインクの濃度は5重量%であった。インク滴下量は0.01L/mであった。インク滴下後、200℃で10分間焼成することによりホール輸送層41を形成した。 A hole transport layer 41 was formed in each of a plurality of regions partitioned by the bank 30 by an inkjet method. Polythiophene and polymer acid were used as the hole transport material. Xylene was used as the solvent. The concentration of the prepared ink was 5% by weight. The ink dripping amount was 0.01 L / m 2 . After the ink was dropped, the hole transport layer 41 was formed by baking at 200 ° C. for 10 minutes.

ホール輸送層41のそれぞれの上に、湿式塗布法により発光層42を形成した。発光材料としてPPV誘導体《ポリ{2,5−ビスヘキシルオキシ−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)}》を使用し、溶媒はキシレンを使用した。調製したインクの濃度は5重量%であった。インク滴下量は0.01L/mであった。インク滴下後、200℃で10分間焼成することによりホール輸送層41を形成した。 A light emitting layer 42 was formed on each of the hole transport layers 41 by a wet coating method. A PPV derivative << poly {2,5-bishexyloxy-1,4-phenylene- (1-cyanovinylene)}} was used as a luminescent material, and xylene was used as a solvent. The concentration of the prepared ink was 5% by weight. The ink dripping amount was 0.01 L / m 2 . After the ink was dropped, the hole transport layer 41 was formed by baking at 200 ° C. for 10 minutes.

次に、蒸着法を用いて、層厚100nmのアルミニウム層と層厚5nmのカルシウム層との積層を形成することにより、上部共通電極50を形成した。   Next, an upper common electrode 50 was formed by forming a stack of an aluminum layer having a layer thickness of 100 nm and a calcium layer having a layer thickness of 5 nm by using an evaporation method.

最後に、封止基板60として、ガラス基板を窒素雰囲気中でエポキシ樹脂により接着固定することにより実施例及び比較例に係る有機EL素子を完成させた。   Finally, as a sealing substrate 60, an organic EL device according to Examples and Comparative Examples was completed by bonding and fixing a glass substrate with an epoxy resin in a nitrogen atmosphere.

実施例として、光触媒層20の層厚が20nmである有機EL素子、50nmである有機EL素子、100nmである有機EL素子を作製した。比較例として、光触媒層20の層厚が10nmである有機EL素子を作製した。   As examples, an organic EL element having a photocatalyst layer 20 having a thickness of 20 nm, an organic EL element having a thickness of 50 nm, and an organic EL element having a thickness of 100 nm were produced. As a comparative example, an organic EL element having a photocatalyst layer 20 having a thickness of 10 nm was produced.

これらの有機EL素子の電流リークの有無と素子耐圧性を評価した。電流リークの有無は素子に逆バイアス電圧(画素電極14にマイナス電圧、上部共通電極50にプラス電圧の直流電圧)を1V印加した時に0.01mA/cmよりも多く流れる場合にリーク電流が有ると判定した(×)。一方、電流が0.01mA/cm以下の場合にリーク電流がないと判定した(○)。素子耐圧性(V)は、有機EL素子に0Vから20Vまでゆっくりと順バイアス電圧(画素電極14にプラス電圧、上部共通電極50にマイナス電圧の直流電圧)を印加していき、瞬間的に10A/cm以上流れたときの電圧値をモニターすることにより測定した。素子耐圧性(V)が15V未満のときを不良とし、15V以上のときを良品とした。下記表1にその結果を示す。 The presence or absence of current leakage and device pressure resistance of these organic EL devices were evaluated. The presence or absence of current leakage is present when a reverse bias voltage (a negative voltage is applied to the pixel electrode 14 and a positive DC voltage is applied to the upper common electrode 50) is applied to the element when the current flows more than 0.01 mA / cm 2. (×). On the other hand, it was determined that there was no leakage current when the current was 0.01 mA / cm 2 or less (◯). The element withstand voltage (V) is 10A instantaneously applied by applying a forward bias voltage (a positive voltage to the pixel electrode 14 and a negative voltage to the upper common electrode 50) to the organic EL element slowly from 0V to 20V. It was measured by monitoring the voltage value when flowing at / cm 2 or more. When the element pressure resistance (V) was less than 15V, it was judged as defective, and when it was 15V or more, it was judged as good. The results are shown in Table 1 below.

Figure 0004564897
Figure 0004564897

表1に示すように、光触媒層20の層厚が20nm以上である場合に、電流リークがなく、優れた素子耐圧性の有機EL素子が得られることがわかった。
光触媒層20の層厚が20nmよりも薄い場合は電流リークの発生確率が高くなり、素子耐圧性が低下する傾向にあった。
As shown in Table 1, it was found that when the layer thickness of the photocatalyst layer 20 was 20 nm or more, there was no current leakage and an organic EL device having excellent device pressure resistance was obtained.
When the layer thickness of the photocatalyst layer 20 is thinner than 20 nm, the probability of occurrence of current leakage increases and the device pressure resistance tends to decrease.

以上説明したように、本発明に係るEL素子は、層厚ムラの少ない機能層を有するため、液晶表示装置、有機・無機EL表示装置等の表示装置等の部材として有用である。 As described above, since the EL element according to the present invention has a functional layer with little layer thickness unevenness, it is useful as a member of a display device such as a liquid crystal display device or an organic / inorganic EL display device.

本実施形態1に係る有機EL素子1の断面図である。1 is a cross-sectional view of an organic EL element 1 according to Embodiment 1. FIG. 有機EL素子1の平面図である。1 is a plan view of an organic EL element 1. FIG. 光触媒層20の形成例を表す断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a formation example of a photocatalyst layer 20. FIG. 光触媒層20の形成例を表す断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a formation example of a photocatalyst layer 20. FIG. 光触媒層20の周縁部分を櫛歯状にパターニングした場合を表す部分平面図である。It is a fragmentary top view showing the case where the peripheral part of the photocatalyst layer 20 is patterned in a comb-tooth shape. AM基板10上に光触媒層20を形成する工程を説明する断面図である。3 is a cross-sectional view illustrating a process of forming a photocatalytic layer 20 on the AM substrate 10. FIG. 光触媒層20を親液化する工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the process of making the photocatalyst layer 20 lyophilic. 湿式塗布法により発光層42を形成する工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the process of forming the light emitting layer 42 by the wet apply | coating method. 湿式塗布法により発光層42を形成する工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the process of forming the light emitting layer 42 by the wet apply | coating method. 上部共通電極50を形成する工程を表す断面図である。5 is a cross-sectional view illustrating a process of forming an upper common electrode 50. FIG. 光触媒層20を設けない場合の、湿式塗布法によりホール輸送層を形成する工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the process of forming a hole transport layer by the wet apply | coating method when not providing the photocatalyst layer. 実施形態2に係る有機EL素子3の断面図である。5 is a cross-sectional view of an organic EL element 3 according to Embodiment 2. FIG.

1、3 有機EL素子
2 有機EL基板
10 AM基板
11 基板本体
12 スイッチング素子
13 平坦化膜
14 画素電極
20 光触媒層
30 バンク
40 有機層
41 ホール輸送層
42 発光層
50 上部共通電極
60 封止基板
70 絶縁層
1, 3 Organic EL elements
2 Organic EL substrate
10 AM substrate
11 Board body
12 Switching element
13 Planarization film
14 Pixel electrode
20 Photocatalyst layer
30 banks
40 Organic layer
41 hole transport layer
42 Light emitting layer
50 Upper common electrode
60 sealing substrate
70 Insulating layer

Claims (6)

表面に設けられた複数の第1電極を有する基板と、
上記基板表面の相隣る第1電極の間に形成され、該基板の表面を複数の領域に区画する撥液性の隔壁と、
上記複数の領域のそれぞれの周縁部分に少なくとも設けられ、i線の光により親液性が付与された二酸化チタンを含有する光触媒層と、
上記複数の領域のそれぞれに、周縁部分が上記光触媒層と接触するように形成された機能層と、
上記機能層のそれぞれの上に設けられた第2電極と、
を有するエレクトロルミネッセンス素子であって、
上記光触媒層の周縁部分が櫛歯状にパターニングされているエレクトロルミネッセンス素子。
A substrate having a plurality of first electrodes provided on the surface ;
A liquid-repellent partition wall formed between adjacent first electrodes on the substrate surface and partitioning the surface of the substrate into a plurality of regions;
A photocatalyst layer containing titanium dioxide provided at least in the peripheral portion of each of the plurality of regions, and having lyophilic properties imparted by i-line light;
In each of the plurality of regions, a functional layer formed so that a peripheral portion is in contact with the photocatalyst layer;
A second electrode provided on each of the functional layers;
An electroluminescent device comprising:
An electroluminescence element in which a peripheral portion of the photocatalyst layer is patterned in a comb shape.
請求項1に記載されたエレクトロルミネッセンス素子において、
上記光触媒層は、上記基板上の上記基板表面の相隣る第1電極の間に渡って、両端が該相隣る第1電極に接触するように形成されており、
上記隔壁は、上記光触媒層の上記両端が露出するように、上記光触媒層上に設けられているエレクトロルミネッセンス素子。
In electroluminescent device of claim 1,
The photocatalytic layer is formed between the first electrodes adjacent to each other on the substrate surface on the substrate so that both ends thereof are in contact with the adjacent first electrodes,
The partition is an electroluminescence element provided on the photocatalyst layer such that the both ends of the photocatalyst layer are exposed.
請求項1に記載されたエレクトロルミネッセンス素子において、
上記光触媒層は絶縁性であるエレクトロルミネッセンス素子
The electroluminescent device according to claim 1,
An electroluminescence device in which the photocatalyst layer is insulating.
請求項3に記載されたエレクトロルミネッセンス素子において、
上記光触媒層の層厚が20nm以上であるエレクトロルミネッセンス素子
The electroluminescent device according to claim 3,
An electroluminescence device wherein the photocatalyst layer has a thickness of 20 nm or more.
請求項1に記載されたエレクトロルミネッセンス素子において、
上記光触媒層と上記基板との間に、上記光触媒層に積層するように形成された絶縁層をさらに有するエレクトロルミネッセンス素子
The electroluminescent device according to claim 1,
An electroluminescence device further comprising an insulating layer formed so as to be laminated on the photocatalyst layer between the photocatalyst layer and the substrate.
請求項5に記載されたエレクトロルミネッセンス素子において、
上記絶縁層は実質的に二酸化ケイ素からなるエレクトロルミネッセンス素子
The electroluminescent device according to claim 5,
The insulating layer is an electroluminescence element substantially made of silicon dioxide.
JP2005214029A 2005-07-25 2005-07-25 Electroluminescence element Active JP4564897B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005214029A JP4564897B2 (en) 2005-07-25 2005-07-25 Electroluminescence element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005214029A JP4564897B2 (en) 2005-07-25 2005-07-25 Electroluminescence element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007035347A JP2007035347A (en) 2007-02-08
JP4564897B2 true JP4564897B2 (en) 2010-10-20

Family

ID=37794364

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005214029A Active JP4564897B2 (en) 2005-07-25 2005-07-25 Electroluminescence element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4564897B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008091072A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Seiko Epson Corp Electro-optical device and its manufacturing method
JP4967926B2 (en) * 2007-08-23 2012-07-04 大日本印刷株式会社 Organic electroluminescence device and method for producing the same
JP5974245B2 (en) * 2012-03-27 2016-08-23 株式会社Joled Organic EL device and manufacturing method thereof
JP6111487B2 (en) * 2013-03-04 2017-04-12 株式会社Joled EL display device
CN110875357B (en) * 2018-08-31 2022-05-24 京东方科技集团股份有限公司 Pixel defining structure, display panel, preparation method of display panel and display device
JP2020180274A (en) * 2019-04-23 2020-11-05 住友化学株式会社 Mixed composition
CN117062484B (en) * 2023-08-31 2024-10-15 惠科股份有限公司 Display panel and preparation method thereof

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007458A (en) * 2001-06-20 2003-01-10 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing electroluminescent element
JP2003229255A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescence device
JP2004310053A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Seiko Epson Corp Manufacturing method of electro-optical device, electro-optical device and electronic equipment
JP2005116313A (en) * 2003-10-07 2005-04-28 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device and manufacturing method and electronic equipment
JP2005174906A (en) * 2003-11-11 2005-06-30 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003007458A (en) * 2001-06-20 2003-01-10 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing electroluminescent element
JP2003229255A (en) * 2002-02-04 2003-08-15 Sanyo Electric Co Ltd Manufacturing method of organic electroluminescence device
JP2004310053A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Seiko Epson Corp Manufacturing method of electro-optical device, electro-optical device and electronic equipment
JP2005116313A (en) * 2003-10-07 2005-04-28 Seiko Epson Corp Organic electroluminescent device and manufacturing method and electronic equipment
JP2005174906A (en) * 2003-11-11 2005-06-30 Seiko Epson Corp Electro-optical device and electronic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007035347A (en) 2007-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5105877B2 (en) Functional board
JP4647708B2 (en) Organic EL device and manufacturing method thereof
JP4280301B2 (en) Organic EL device and method for manufacturing the same
US10720478B2 (en) Organic EL display panel, organic EL display device, and organic EL display panel manufacturing method
JP4564897B2 (en) Electroluminescence element
JP4857688B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP5574456B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP5658256B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP5677432B2 (en) ORGANIC EL ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE
JP2008098106A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP5572920B2 (en) SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING THEM
JP2006278101A (en) Manufacturing method of organic el device, manufacturing method of device
JP2007242592A (en) Light emitting device, its manufacturing method, exposure device and electronic apparatus
JP2007109629A (en) Manufacturing method of electroluminescent element, and electroluminescent element
JP2008004290A (en) Organic el display device and manufacturing method of organic el display device
JP2008147072A (en) Manufacturing method of organic electroluminescent element
JP2009141077A (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method thereof, and display device
JP6232660B2 (en) Method for forming functional layer of organic light emitting device and method for manufacturing organic light emitting device
JP2008251270A (en) Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof
JP5620495B2 (en) LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE HAVING LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LIGHT EMITTING ELEMENT MANUFACTURING METHOD
JP4760037B2 (en) Manufacturing method of organic EL device
JP2005158584A (en) Pattern formation method and manufacturing method of display device
WO2011118654A1 (en) Method for manufacturing light-emitting device
JP2007095595A (en) Forming method of functional layer, organic semiconductor element, light emitting element, and electronic equipment
JP2007280899A (en) Organic luminescent display, and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070907

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100209

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100427

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100608

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100706

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100802

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4564897

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150