JP2008251270A - Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof - Google Patents

Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof Download PDF

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慶介 橋本
Norito Ito
範人 伊藤
Tomoyuki Tachikawa
智之 立川
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of an organic EL element which carries out patterning of an organic EL layer by using a photolithography method, and which is superior in light-emitting characteristics and life characteristics. <P>SOLUTION: When carrying out the patterning of the organic EL layer by using the photolithography method, by installing a conductive protection layer between the organic EL layer and a photoresist layer, objectives are achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、フォトリソグラフィー法を用いた有機エレクトロルミネッセンス(以下、エレクトロルミネッセンスをELと略す場合がある。)素子の製造方法、およびそれにより得られるエレクトロルミネッセンス素子に関するものである。   The present invention relates to a method for producing an organic electroluminescence element (hereinafter, electroluminescence may be abbreviated as EL) element using a photolithography method, and an electroluminescence element obtained thereby.

EL素子は、対向する2つの電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機EL素子は、印加電圧が10V弱であっても高輝度な発光を実現できるなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能であり、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。   In the EL element, holes and electrons injected from two opposing electrodes are combined in the light emitting layer, and the fluorescent material in the light emitting layer is excited by the energy to emit light of a color corresponding to the fluorescent material. Therefore, it has been attracting attention as a self-luminous planar display element. Among them, an organic EL element using an organic substance as a light emitting material has high luminous efficiency, such as being able to realize high luminance light emission even when an applied voltage is less than 10 V, and can emit light with a simple element structure. It is expected to be applied to advertisements that display these patterns in light emission and other simple display displays at low cost.

一般に、有機EL素子を用いたディスプレイの製造にあっては、発光層等のパターニングがなされている。発光層のパターニング方法としては、発光材料をシャドウマスクを介して蒸着する方法、インクジェット法により塗り分ける方法、フォトリソグラフィー法等が提案されている。   In general, in manufacturing a display using an organic EL element, a light emitting layer and the like are patterned. As a patterning method of the light emitting layer, a method of evaporating a light emitting material through a shadow mask, a method of separately coating by an ink jet method, a photolithography method, and the like have been proposed.

これらの方法の中でも、フォトリソグラフィー法では、蒸着によるパターニング方法と比較すると、高精度のアライメント機構を備えた真空設備等が不要であることから、比較的容易にかつ安価に有機EL素子を製造することができる。また、フォトリソグラフィー法は、インクジェット法によるパターニング方法と比較すると、パターニングを補助する構造物や基板に対する前処理等を行うことがない点で好ましい。さらに、インクジェットヘッドの吐出精度との関係から、フォトリソグラフィー法の方がより高精細なパターンの形成に対して有利である。   Among these methods, the photolithography method does not require a vacuum facility or the like having a highly accurate alignment mechanism as compared with the patterning method by vapor deposition, so that an organic EL element is manufactured relatively easily and inexpensively. be able to. In addition, the photolithography method is preferable in that it does not perform a pretreatment or the like on a structure or a substrate that assists patterning, as compared with a patterning method using an inkjet method. Furthermore, from the relationship with the ejection accuracy of the inkjet head, the photolithography method is more advantageous for the formation of a higher definition pattern.

フォトリソグラフィー法によって有機EL層をパターニングする際に、有機EL層上にフォトレジストを塗布する場合には、有機EL層に用いられる有機材料が、フォトレジスト溶媒だけでなく、フォトレジスト現像液、剥離液およびリンス液等に不溶であることが必要とされる。しかしながら、一般的に有機EL層に用いられる有機材料は多くの溶剤に可溶であるため、有機EL層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成するのが困難であった。   When patterning an organic EL layer by photolithography, when applying a photoresist on the organic EL layer, the organic material used for the organic EL layer is not only a photoresist solvent but also a photoresist developer, a peeling It is required to be insoluble in the liquid and the rinse liquid. However, since the organic material generally used for the organic EL layer is soluble in many solvents, it is difficult to form a photoresist layer by applying a photoresist on the organic EL layer.

そこで、例えば、基板上の全面に陽極、有機EL層、陰極および保護層を形成し、保護層上にフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層を所望の形状にパターニングし、その後、反応性イオンエッチング(RIE)によりフォトレジスト層が除去された部分の陰極、保護層および有機EL層を連続してエッチングすることにより、有機EL層をパターニングする方法が開示されている(特許文献1および特許文献2参照)。この方法では、有機EL層上にフォトレジスト層を形成する必要がない。しかしながら、この方法を用いて3色の発光層をパターニングするには、有機EL層上に陰極および保護層を真空成膜し、保護層上にフォトレジスト層を形成して、その後、陰極、保護層および有機EL層をエッチングし、フォトレジスト層を除去するという工程を繰り返し行うため、工程が非常に複雑であり、製造コストが増加するという問題がある。   Therefore, for example, an anode, an organic EL layer, a cathode, and a protective layer are formed on the entire surface of the substrate, a photoresist layer is formed on the protective layer, this photoresist layer is patterned into a desired shape, and then reactive. A method of patterning an organic EL layer by successively etching the cathode, the protective layer, and the organic EL layer where the photoresist layer has been removed by ion etching (RIE) is disclosed (Patent Document 1 and Patent). Reference 2). In this method, it is not necessary to form a photoresist layer on the organic EL layer. However, in order to pattern the light emitting layer of three colors using this method, a cathode and a protective layer are vacuum-deposited on the organic EL layer, a photoresist layer is formed on the protective layer, and then the cathode and protective layer are formed. Since the steps of etching the layer and the organic EL layer and removing the photoresist layer are repeated, there is a problem that the process is very complicated and the manufacturing cost increases.

さらに、特許文献2では、陰極の配線を設けるために、パターン状の有機EL層、陰極および保護層が設けられた基板上の全面に、再度、陰極および保護層を形成し、パターニングしている。この方法では、工程がさらに複雑になり、製造コストがさらに増加するだけでなく、有機EL層上に保護層が2層積層されることになるため、発光特性等の性能の低下につながるという問題がある。   Further, in Patent Document 2, in order to provide a cathode wiring, the cathode and the protective layer are again formed and patterned on the entire surface of the substrate on which the patterned organic EL layer, the cathode and the protective layer are provided. . In this method, the process is further complicated and the manufacturing cost is further increased. In addition, two protective layers are stacked on the organic EL layer, which leads to deterioration in performance such as light emission characteristics. There is.

また、発光材料や、正孔もしくは電子輸送材性料等の有機材料と、感光性樹脂とを混合した材料を用いて有機EL層を形成し、パターン露光して、未露光部分の有機EL層を除去することにより、有機EL層をパターニングする方法が開示されている(特許文献3参照)。この方法においても、有機EL層上にフォトレジスト層を形成する必要がない。しかしながら、特に上記の文献では発光材料を感光性樹脂中に混合する必要があり、発光の失活サイトが多くなり、特性低下が著しい。   In addition, an organic EL layer is formed using a material obtained by mixing a light-emitting material, an organic material such as a hole or electron transport material, and a photosensitive resin, pattern exposure is performed, and an organic EL layer in an unexposed portion is formed. A method of patterning an organic EL layer by removing the film is disclosed (see Patent Document 3). In this method, it is not necessary to form a photoresist layer on the organic EL layer. However, particularly in the above-mentioned documents, it is necessary to mix a light-emitting material in a photosensitive resin, and the number of deactivation sites of light emission increases, and the characteristic deterioration is remarkable.

さらに、発光材料や正孔輸送性材料等の有機材料と、熱硬化性樹脂とを混合した材料を用いて有機EL層を形成し、加熱硬化処理により有機EL層を硬化させた後に、有機EL層上にフォトレジスト層を形成して、有機EL層をパターニングする方法が開示されている(特許文献4参照)。この方法によれば、有機EL層上にフォトレジスト層を容易に形成することができる。
また、上記特許文献4では、1色目の発光層をドライエッチングによりパターニングした後に、一度フォトレジスト層を剥離し、1色目の発光層を完全に硬化させ、1色目の発光層の表面が露出した状態で、2色目の発光層を形成している。この方法では、1色目の発光層の表面が、2色目の発光層をパターニングするためのドライエッチングにさらされて、ダメージを受ける。そのため、発光特性が低下するという問題がある。
Further, an organic EL layer is formed using a material in which an organic material such as a light emitting material or a hole transporting material is mixed with a thermosetting resin, and the organic EL layer is cured by heat curing, and then the organic EL layer is cured. A method of patterning an organic EL layer by forming a photoresist layer on the layer is disclosed (see Patent Document 4). According to this method, a photoresist layer can be easily formed on the organic EL layer.
In Patent Document 4, after the first color light emitting layer is patterned by dry etching, the photoresist layer is peeled off once, and the first color light emitting layer is completely cured to expose the surface of the first color light emitting layer. In the state, the light emitting layer of the second color is formed. In this method, the surface of the light emitting layer of the first color is exposed to damage by dry etching for patterning the light emitting layer of the second color. Therefore, there is a problem that the light emission characteristics are deteriorated.

さらに、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液および剥離液等に対して、有機EL層に用いられる有機材料の溶解度を適切に調整することにより、有機EL層上にフォトレジスト層を形成して、有機EL層をパターニングする方法が提案されている(特許文献5参照)。この方法では、まず、1色目の発光層上にフォトレジスト層を形成し、所望の形状にパターニングし、フォトレジスト層が除去された部分の1色目の発光層をエッチングする。その後、フォトレジスト層を除去することなく、2色目の発光層を形成し、2色目の発光層上にさらにフォトレジスト層を形成し、所望の形状にパターニングし、フォトレジスト層が除去された部分の2色目の発光層をエッチングする。そして、このような工程を繰り返し行って、複数色の発光層をパターニングした後に、各フォトレジスト層を除去する。この方法によれば、2色目の発光層形成時にも、1色目の発光層上にはフォトレジスト層が残されており、1色目の発光層が2色目の発光層を形成するための塗工液および2色目の発光層をパターニングするためのドライエッチングから保護されるので、ダメージを低減することができる。この方法においては、有機EL層上にフォトレジストを直接塗布している。   Furthermore, the photoresist layer is formed on the organic EL layer by appropriately adjusting the solubility of the organic material used for the organic EL layer with respect to the photoresist solvent, the photoresist developer, the stripping solution, and the like. A method for patterning an EL layer has been proposed (see Patent Document 5). In this method, first, a photoresist layer is formed on the light emitting layer of the first color, patterned into a desired shape, and the light emitting layer of the first color in the portion where the photoresist layer has been removed is etched. Then, without removing the photoresist layer, a light emitting layer of the second color is formed, a photoresist layer is further formed on the light emitting layer of the second color, patterned into a desired shape, and the portion where the photoresist layer is removed The second color light emitting layer is etched. And after repeating such a process and patterning the light emitting layer of multiple colors, each photoresist layer is removed. According to this method, even when the second color light emitting layer is formed, the photoresist layer remains on the first color light emitting layer, and the first color light emitting layer is applied to form the second color light emitting layer. Since it is protected from dry etching for patterning the liquid and the light emitting layer of the second color, damage can be reduced. In this method, a photoresist is directly applied on the organic EL layer.

特開平9−293589号公報JP-A-9-293589 特開2000−113982号公報JP 2000-113982 A 特開平10−69981号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-69981 特開2001−237075号公報JP 2001-237075 A 特開2004−6231号公報JP 2004-6231 A

しかしながら、有機EL層上にフォトレジストを直接塗布すると、発光特性や寿命特性等が低下することがあった。これは、フォトレジスト層の剥離後もフォトレジスト成分が有機EL層表面にわずかに付着しており、この微量のフォトレジスト成分が発光特性や寿命特性等に何らかの影響を及ぼしていると思料される。   However, when a photoresist is directly applied on the organic EL layer, the light emission characteristics, life characteristics, and the like may be deteriorated. This is because the photoresist component is slightly adhered to the surface of the organic EL layer even after the photoresist layer is peeled off, and it is thought that this small amount of the photoresist component has some influence on the light emission characteristics and life characteristics. .

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー法を用いて有機EL層をパターニングする有機EL素子の製造方法であって、発光特性および寿命特性に優れる有機EL素子の製造方法を提供することを主目的とする。さらには、その有機EL素子の製造方法により得られる有機EL素子を提供することを主目的とする。   This invention is made | formed in view of the said problem, and is a manufacturing method of the organic EL element which patterns an organic EL layer using a photolithographic method, Comprising: Manufacturing of the organic EL element which is excellent in a light emission characteristic and a lifetime characteristic The main purpose is to provide a method. Furthermore, it aims at providing the organic EL element obtained by the manufacturing method of the organic EL element.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、有機EL層上にフォトレジストを直接塗布した場合に発光特性や寿命特性を低下させる原因として、フォトレジスト成分の残留物に着目した。一般に、フォトレジストは、主成分である樹脂と感光剤と塗工性等を改善するための種々の添加剤とを含有するものである。また、主成分である樹脂は、現像性および剥離性を向上させるために、低分子量化等の工夫がなされている。このようなフォトレジストを有機EL層上に直接塗布した場合、フォトレジスト層の剥離後もフォトレジスト成分が有機EL層表面にわずかに残留し、この微量のフォトレジスト成分の残留物が発光特性や寿命特性等に悪影響を与えることがある。そこで、本発明者らは、有機EL層とフォトレジストとが直接接しないように、有機EL層とフォトレジスト層との間に導電保護層を設けることにより、発光特性や寿命特性等を改善できることを見出し、本発明を完成させた。   As a result of diligent studies to solve the above problems, the present inventors pay attention to the residue of the photoresist component as a cause of deteriorating the light emission characteristics and life characteristics when the photoresist is directly applied on the organic EL layer. did. In general, a photoresist contains a resin as a main component, a photosensitive agent, and various additives for improving coating properties and the like. Further, the resin as the main component has been devised such as lowering the molecular weight in order to improve developability and peelability. When such a photoresist is applied directly on the organic EL layer, a slight amount of the photoresist component remains on the surface of the organic EL layer even after the photoresist layer is peeled off. May adversely affect life characteristics. Therefore, the present inventors can improve the light emission characteristics, life characteristics, etc. by providing a conductive protective layer between the organic EL layer and the photoresist layer so that the organic EL layer and the photoresist are not in direct contact with each other. The present invention was completed.

すなわち、本発明は、第1電極層が形成された基板上に、少なくとも発光層を含む有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記有機EL層上に、無機導電性材料を含有する導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、上記導電保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の上記導電保護層および上記有機EL層を除去することにより、上記導電保護層および上記有機EL層をパターニングする有機EL層パターニング工程と、残存する上記フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に露出した上記導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とする有機EL素子の製造方法を提供する。   That is, the present invention includes an organic EL layer forming step of forming an organic EL layer including at least a light emitting layer on a substrate on which a first electrode layer is formed, and an inorganic conductive material on the organic EL layer. Conductive protective layer forming step of forming a conductive protective layer, applying a photoresist on the conductive protective layer, forming a photoresist layer, forming a photoresist layer, pattern exposing the photoresist layer, and developing A photoresist layer patterning step of patterning the photoresist layer, and removing the conductive protective layer and the organic EL layer in a portion where the photoresist layer has been removed, whereby the conductive protective layer and the organic EL layer are removed. An organic EL layer patterning process for patterning, a peeling process for peeling the remaining photoresist layer, and the peeling process To provide a method of manufacturing the organic EL element characterized in that a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on the conductive protective layer exposed after.

本発明によれば、有機EL層上に導電保護層を形成し、この導電保護層上にフォトレジスト層を形成するので、さらには、導電保護層上に形成されたフォトレジスト層のみを剥離するので、有機EL層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができる。また、導電保護層を剥離せずに、この導電保護層上に第2電極層を形成するので、例えば第2電極層をスパッタリング法等により成膜する場合には、第2電極層成膜時の有機EL層のダメージを緩和することができる。したがって本発明においては、発光特性に優れ、長寿命の有機EL素子を製造することが可能である。   According to the present invention, the conductive protective layer is formed on the organic EL layer, and the photoresist layer is formed on the conductive protective layer. Further, only the photoresist layer formed on the conductive protective layer is peeled off. Therefore, the organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component. Further, since the second electrode layer is formed on the conductive protective layer without peeling off the conductive protective layer, for example, when the second electrode layer is formed by sputtering or the like, the second electrode layer is formed. The damage of the organic EL layer can be alleviated. Therefore, in the present invention, it is possible to produce an organic EL element having excellent light emission characteristics and a long lifetime.

また本発明は、N色(Nは2以上の整数)の発光層をパターン状に形成する有機EL素子の製造方法であって、第1電極層が形成され、第1色発光層を少なくとも含む第1色目の有機EL層から第(N−1)色発光層を少なくとも含む第(N−1)色目の有機EL層までがそれぞれパターン状に形成され、上記各有機EL層の表面にそれぞれ無機導電性材料を含有する導電保護層およびフォトレジスト層がこの順に積層された基板上に、少なくとも第N色発光層を含む第N色目の有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記第N色目の有機EL層上に、無機導電性材料を含有する第N色用導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、上記第N色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第N色用フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記第N色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第N色発光領域の上記第N色用フォトレジスト層が残存するように上記第N色用フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記第N色用フォトレジスト層が除去された部分の上記第N色用導電保護層および上記第N色目の有機EL層を除去することにより、上記第N色用導電保護層および上記第N色目の有機EL層をパターニングする有機EL層パターニング工程と、残存する上記各フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に露出した上記各導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とする有機EL素子の製造方法を提供する。   The present invention is also a method for manufacturing an organic EL element in which a light emitting layer of N colors (N is an integer of 2 or more) is formed in a pattern, wherein the first electrode layer is formed and includes at least the first color light emitting layer. The first color organic EL layer to the (N-1) th color organic EL layer including at least the (N-1) th color light-emitting layer are formed in a pattern, respectively, and the surface of each organic EL layer is inorganic. An organic EL layer forming step of forming an organic EL layer of the Nth color including at least the Nth color light emitting layer on a substrate on which a conductive protective layer containing a conductive material and a photoresist layer are laminated in this order; A conductive protective layer forming step of forming an N-th color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the N-color organic EL layer; and applying a photoresist on the N-th color conductive protective layer; Photo forming N color photoresist layer The Nth color photoresist layer is formed, and the Nth color photoresist layer remains in the Nth color light emitting region by pattern exposure and development of the Nth color photoresist layer. A photoresist layer patterning step of patterning the layer, and removing the N-th color conductive protective layer and the N-th color organic EL layer in a portion where the N-th color photoresist layer is removed. An organic EL layer patterning step for patterning the N-color conductive protective layer and the N-th color organic EL layer, a peeling step for peeling the remaining photoresist layers, and the conductive protective layers exposed after the peeling step The manufacturing method of the organic EL element characterized by having a 2nd electrode layer formation process which forms a 2nd electrode layer on it.

本発明によれば、第N色目の有機EL層上に第N色用導電保護層を形成するので、第N色目の有機EL層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、第N色目の有機EL層をパターニングする際には、パターニングされた第1色目から第(N−1)色目までの有機EL層の表面にはそれぞれ導電保護層およびフォトレジスト層がこの順に積層されており、その上にさらに第N色目の有機EL層および第N色用導電保護層を形成し、この第N色用導電保護層上にフォトレジストを塗布するので、第1色目から第(N−1)色目までの有機EL層が第N色用フォトレジスト層と接触することもない。また、各導電保護層上に形成された各フォトレジスト層のみを剥離するので、各有機EL層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができる。
さらに、上述したように、第N色目の有機EL層をパターニングする際には、パターニングされた第1色目から第(N−1)色目までの有機EL層の表面にはそれぞれ導電保護層およびフォトレジスト層がこの順に積層されており、その上にさらに第N色目の有機EL層および第N色用導電保護層を形成するので、第N色目の有機EL層のエッチング時の第1色目から第(N−1)色目までの有機EL層へのダメージを低減することができる。
また、各フォトレジスト層を剥離した後は、各導電保護層上に第2電極層を形成するので、例えば第2電極層をスパッタリング法等により成膜する場合には、第2電極層成膜時の有機EL層のダメージを緩和することができる。
したがって本発明においては、発光特性に優れ、長寿命の有機EL素子を製造することが可能である。
According to the present invention, since the Nth color conductive protective layer is formed on the Nth color organic EL layer, the photoresist is not directly applied on the Nth color organic EL layer. When patterning the organic EL layer of the Nth color, a conductive protective layer and a photoresist layer are arranged in this order on the surfaces of the patterned organic EL layers from the first color to the (N-1) th color, respectively. The N-th color organic EL layer and the N-th color conductive protective layer are further formed thereon, and a photoresist is applied on the N-th color conductive protective layer. The (N-1) color organic EL layer does not come into contact with the Nth color photoresist layer. Moreover, since only each photoresist layer formed on each conductive protective layer is peeled off, each organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component.
Furthermore, as described above, when patterning the organic EL layer of the Nth color, the conductive protective layer and the photo are formed on the surfaces of the patterned organic EL layers from the first color to the (N-1) th color, respectively. The resist layers are stacked in this order, and the Nth color organic EL layer and the Nth color conductive protective layer are further formed thereon, so that the Nth color organic EL layer is etched from the first color when the Nth color organic EL layer is etched. (N-1) The damage to the organic EL layer up to the color can be reduced.
In addition, since the second electrode layer is formed on each conductive protective layer after each photoresist layer is peeled off, for example, when the second electrode layer is formed by sputtering or the like, the second electrode layer is formed. The damage of the organic EL layer at the time can be reduced.
Therefore, in the present invention, it is possible to produce an organic EL element having excellent light emission characteristics and a long lifetime.

上記発明においては、上記N色の発光層が3色の発光層であることが好ましい。一般的に、カラー表示には赤・緑・青の3色の発光層が用いられるからである。   In the above invention, the N-color light-emitting layer is preferably a three-color light-emitting layer. This is because, generally, light emitting layers of three colors of red, green, and blue are used for color display.

また本発明においては、上記各導電保護層形成工程にて、真空蒸着法により、上記各導電保護層を形成することが好ましい。真空蒸着法は、気体となった物質のもつ運動エネルギーが低いので、有機EL層に対して与えるエネルギーが小さいからである。   Moreover, in this invention, it is preferable to form each said conductive protective layer by a vacuum evaporation method in each said conductive protective layer formation process. This is because, in the vacuum deposition method, the energy given to the organic EL layer is small because the kinetic energy of the gas substance is low.

さらに本発明においては、上記第2電極層形成工程にて、スパッタリング法により、上記第2電極層を形成することが好ましい。スパッタリング法は、成膜エネルギーが高いために、In−Zn−O(IZO)やIn−Sn−O(ITO)等の融点が高い材料も成膜することができ、さらに成膜効率が良いからである。   Furthermore, in the present invention, it is preferable that the second electrode layer is formed by a sputtering method in the second electrode layer forming step. Since the sputtering method has high film formation energy, a material having a high melting point such as In—Zn—O (IZO) or In—Sn—O (ITO) can be formed, and the film formation efficiency is further improved. It is.

また本発明においては、上記各有機EL層形成工程が、上記各発光層を含む2層以上の有機層を形成する工程であって、下層形成用塗工液を塗布して、下層の有機層を形成する下層形成工程と、上記下層の有機層上に上層形成用塗工液を塗布して、上層の有機層を形成する上層形成工程とを有しており、上記下層の有機層が上記上層形成用塗工液に含まれる溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、各有機層を安定して積層することができるからである。   In the present invention, each organic EL layer forming step is a step of forming two or more organic layers including each light emitting layer, and a lower layer organic layer is applied by applying a lower layer forming coating solution. And an upper layer forming step of forming an upper organic layer by applying an upper layer forming coating liquid on the lower organic layer, and the lower organic layer is It is preferably insoluble in the solvent contained in the upper layer forming coating solution. This is because each organic layer can be laminated stably.

この際、上記下層形成用塗工液が硬化性バインダを含有しており、上記下層形成工程にて、上記下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に硬化処理を行ってもよい。これにより、上層の有機層形成時に、下層の有機層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができるからである。   At this time, the coating solution for forming the lower layer contains a curable binder, and the coating film obtained by applying the coating solution for forming the lower layer may be subjected to a curing process in the lower layer forming step. . This is because the organic material contained in the lower organic layer can be prevented from eluting when the upper organic layer is formed.

また、上記下層形成用塗工液が、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有しており、上記下層形成工程にて、上記下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に熱エネルギーを付与または放射線を照射して、上記塗膜の溶解性を変化させてもよい。上記の場合と同様に、これにより、上層の有機層形成時に、下層の有機層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができるからである。   Further, the lower layer forming coating solution contains a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation, and is obtained by applying the lower layer forming coating solution in the lower layer forming step. You may change the solubility of the said coating film by providing a coating film with thermal energy or irradiating a radiation. This is because, as in the case described above, this prevents the organic material contained in the lower organic layer from being eluted when the upper organic layer is formed.

さらに本発明においては、上記各有機EL層パターニング工程にて、ドライエッチングにより、上記各フォトレジスト層が除去された部分の上記各導電保護層および上記各有機EL層を除去することが好ましい。ドライエッチングでは、混色等が生じにくく、より高精細なパターンの形成が可能となるからである。   Furthermore, in this invention, it is preferable to remove each said conductive protective layer and each said organic EL layer of the part from which each said photoresist layer was removed by dry etching at each said organic EL layer patterning process. This is because in dry etching, color mixing or the like hardly occurs and a higher definition pattern can be formed.

また、本発明は、基板と、上記基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上にパターン状に形成され、少なくとも発光層を含む有機EL層と、上記有機EL層上にパターン状に形成され、無機導電性材料を含有する導電保護層と、上記導電保護層上に形成された第2電極層とを有しており、上記有機EL層のパターン形状と、上記導電保護層のパターン形状とが同一であることを特徴とする有機EL素子を提供する。   In addition, the present invention provides a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, an organic EL layer formed in a pattern on the first electrode layer and including at least a light emitting layer, and the organic EL layer A conductive protective layer containing an inorganic conductive material and a second electrode layer formed on the conductive protective layer, the pattern shape of the organic EL layer, and the conductive layer Provided is an organic EL device characterized in that the protective layer has the same pattern shape.

本発明によれば、有機EL層上に導電保護層が形成され、有機EL層および導電保護層のパターン形状が同一であるので、本発明の有機EL素子をフォトリソグラフィー法を用いて作製する場合には、積層された有機EL層および導電保護層の上にフォトレジスト層を形成して、有機EL層および導電保護層を同時にパターニングすることで、有機EL素子を得ることができる。この場合、導電保護層上にフォトレジスト層を形成するので、有機EL層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐことができる。
また、導電保護層上に第2電極層が形成されているので、例えば第2電極層をスパッタリング法等により成膜した場合には、第2電極層成膜時の有機EL層への衝撃を緩和することができる。
したがって本発明においては、発光特性に優れ、長寿命の有機EL素子とすることができる。
According to the present invention, the conductive protective layer is formed on the organic EL layer, and the organic EL layer and the conductive protective layer have the same pattern shape. Therefore, when the organic EL element of the present invention is manufactured using a photolithography method. The organic EL element can be obtained by forming a photoresist layer on the laminated organic EL layer and the conductive protective layer and simultaneously patterning the organic EL layer and the conductive protective layer. In this case, since the photoresist layer is formed on the conductive protective layer, the organic EL layer can be prevented from being exposed to the photoresist component.
In addition, since the second electrode layer is formed on the conductive protective layer, for example, when the second electrode layer is formed by sputtering or the like, the impact on the organic EL layer at the time of forming the second electrode layer is reduced. Can be relaxed.
Therefore, in this invention, it can be set as the organic electroluminescent element which is excellent in the light emission characteristic and was long-lived.

上記発明においては、上記有機EL層が、上記発光層を含む2層以上の有機層を有しており、隣接する2層の有機層のうち、下層の有機層が硬化性バインダを含有していてもよい。これにより、上層の有機層形成時に、下層の有機層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができるからである。   In the said invention, the said organic EL layer has two or more organic layers containing the said light emitting layer, and the lower organic layer contains the curable binder among the adjacent two organic layers. May be. This is because the organic material contained in the lower organic layer can be prevented from eluting when the upper organic layer is formed.

また、上記発明においては、上記有機EL層が、上記発光層を含む2層以上の有機層を有しており、隣接する2層の有機層のうち、下層の有機層が、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有していてもよい。上記の場合と同様に、これにより、上層の有機層形成時に、下層の有機層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができるからである。   In the above invention, the organic EL layer has two or more organic layers including the light emitting layer, and of the adjacent two organic layers, the lower organic layer has thermal energy or radiation. A material whose solubility is changed by the action of may be contained. This is because, as in the case described above, this prevents the organic material contained in the lower organic layer from being eluted when the upper organic layer is formed.

本発明においては、有機EL層上に導電保護層を形成することより、有機EL層がフォトレジスト成分にさらされるのを防ぐとともに、第2電極層成膜時の衝撃から有機EL層を保護することができ、発光特性および寿命特性を改善することができるという効果を奏する。   In the present invention, by forming a conductive protective layer on the organic EL layer, the organic EL layer is prevented from being exposed to a photoresist component, and the organic EL layer is protected from impact during the formation of the second electrode layer. Thus, the light emission characteristic and the life characteristic can be improved.

以下、本発明の有機EL素子の製造方法および有機EL素子について詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL element and the organic EL element of the present invention will be described in detail.

A.有機EL素子の製造方法
まず、本発明の有機EL素子の製造方法について説明する。
本発明の有機EL素子の製造方法には、少なくとも1色の発光層をパターン状に形成する場合、および、N色(Nは2以上の整数)の発光層をパターン状に形成する場合の2つの態様がある。以下、各態様について説明する。
A. First, the manufacturing method of the organic EL device of the present invention will be described.
The method for producing an organic EL device of the present invention includes a case where at least one light emitting layer is formed in a pattern and a case where an N color (N is an integer of 2 or more) light emitting layer is formed in a pattern. There are two aspects. Hereinafter, each aspect will be described.

I.第1態様
本発明の有機EL素子の製造方法の第1態様は、第1電極層が形成された基板上に、少なくとも発光層を含む有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記有機EL層上に、無機導電性材料を含有する導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、上記導電保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、上記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記フォトレジスト層が除去された部分の上記導電保護層および上記有機EL層を除去することにより、上記導電保護層および上記有機EL層をパターニングする有機EL層パターニング工程と、残存する上記フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に露出した上記導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。
I. 1st aspect The 1st aspect of the manufacturing method of the organic EL element of this invention is the organic EL layer formation process which forms the organic EL layer containing at least a light emitting layer on the board | substrate with which the 1st electrode layer was formed, and said organic A conductive protective layer forming step of forming a conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the EL layer; a photoresist layer forming step of applying a photoresist on the conductive protective layer to form a photoresist layer; The photoresist layer is subjected to pattern exposure and development, whereby a photoresist layer patterning step for patterning the photoresist layer, and the conductive protective layer and the organic EL layer in a portion where the photoresist layer is removed are removed. An organic EL layer patterning step of patterning the conductive protective layer and the organic EL layer, and the remaining photoresist layer And a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on the conductive protective layer exposed after the peeling step.

本態様の有機EL素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本態様の有機EL素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板1上に第1電極層2をパターン状に形成し、この第1電極層2のパターン間に絶縁層3を形成し、第1電極層2および絶縁層3の上に正孔注入層4および発光層5を形成し、有機EL層6とする(図1(a)、有機EL層形成工程)。次いで、発光層5上に導電保護層7を形成する(図1(b)、導電保護層形成工程)。
次に、導電保護層7上にポジ型フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層8を形成する(図1(c)、フォトレジスト層形成工程)。次いで、少なくとも発光領域10のフォトレジスト層8が残存するように、フォトマスク11を介してフォトレジスト層8をパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状のフォトレジスト層8´を形成する(図1(d)および(e)、フォトレジスト層パターニング工程)。
次に、フォトレジスト層の除去により露出した部分の導電保護層、発光層および正孔注入層を除去することにより、パターン状の導電保護層7´、発光層5´および正孔注入層4´を形成する(図1(f)、有機EL層パターニング工程)。
次いで、最上層に位置するフォトレジスト層8´を剥離する(図1(g)、剥離工程)。
最後に、導電保護層7´上に第2電極層9を形成する(図1(h)、第2電極層形成工程)。
The manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated referring drawings.
FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for producing an organic EL element of this embodiment. First, the first electrode layer 2 is formed in a pattern on the substrate 1, the insulating layer 3 is formed between the patterns of the first electrode layer 2, and holes are injected onto the first electrode layer 2 and the insulating layer 3. The layer 4 and the light emitting layer 5 are formed to obtain the organic EL layer 6 (FIG. 1A, organic EL layer forming step). Next, the conductive protective layer 7 is formed on the light emitting layer 5 (FIG. 1B, conductive protective layer forming step).
Next, a positive photoresist is applied on the conductive protective layer 7 to form a photoresist layer 8 (FIG. 1C, a photoresist layer forming step). Next, the photoresist layer 8 is subjected to pattern exposure through a photomask 11 so that at least the photoresist layer 8 in the light emitting region 10 remains, and then developed with a photoresist developer and washed to obtain a patterned photo resist. A resist layer 8 ′ is formed (FIGS. 1D and 1E, a photoresist layer patterning step).
Next, by removing the portions of the conductive protective layer, the light emitting layer and the hole injection layer exposed by removing the photoresist layer, the patterned conductive protective layer 7 ', the light emitting layer 5' and the hole injection layer 4 'are removed. (FIG. 1F, organic EL layer patterning step).
Next, the photoresist layer 8 'positioned at the uppermost layer is peeled off (FIG. 1 (g), peeling step).
Finally, the second electrode layer 9 is formed on the conductive protective layer 7 '(FIG. 1 (h), second electrode layer forming step).

本態様においては、パターニングされる有機EL層上に導電保護層を形成するので、有機EL層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、有機EL層のパターニング後には、導電保護層上に形成されたフォトレジスト層のみを剥離するので、フォトレジスト成分が有機EL層に全く接触しないように、フォトレジスト層を剥離することができる。すなわち、導電保護層によって、有機EL層表面が、フォトレジスト成分、例えば、感光剤、添加剤、樹脂等によって汚染されるのを防ぐことができる。したがって、フォトレジスト成分による有機EL層の発光特性および寿命特性等の低下を回避することができる。   In this aspect, since the conductive protective layer is formed on the organic EL layer to be patterned, a photoresist is not directly applied on the organic EL layer. In addition, after patterning the organic EL layer, only the photoresist layer formed on the conductive protective layer is peeled off, so that the photoresist layer can be peeled off so that the photoresist component does not contact the organic EL layer at all. . That is, the conductive protective layer can prevent the surface of the organic EL layer from being contaminated with a photoresist component, for example, a photosensitive agent, an additive, a resin, or the like. Accordingly, it is possible to avoid a decrease in the light emission characteristics and life characteristics of the organic EL layer due to the photoresist component.

また、本態様においては、導電保護層上に第2電極層を形成するので、第2電極層をスパッタリング法等により成膜する場合には、第2電極成膜時の有機EL層への衝撃を緩和することができる。   Further, in this embodiment, since the second electrode layer is formed on the conductive protective layer, when the second electrode layer is formed by sputtering or the like, the impact on the organic EL layer at the time of forming the second electrode Can be relaxed.

従来、例えば、第2電極層をスパッタリング法により有機EL層上に成膜する場合、有機EL層が、数百ボルトで高エネルギー量のAr、スパッタリングされた粒子および電離した電子等による衝撃を受けるため、有機EL層の構造が変化し、正孔もしくは電子注入において、有機EL層と第2電極層との界面で無放射消光が引き起こされ、発光特性が低下することがあった。また例えば、第2電極層をスパッタリング法により有機EL層上に成膜する場合であって、発光層と第2電極層との間にアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含有する電子注入層を形成する場合、これらの金属が酸化されやすいので、第2電極層成膜時の酸素導入またはターゲットからの酸素放出により、上記の金属が酸化し、電子注入機能が失われることがあった。 Conventionally, for example, when a second electrode layer is formed on an organic EL layer by a sputtering method, the organic EL layer is subjected to an impact caused by Ar + , a sputtered particle, an ionized electron, and the like with a high energy amount at several hundred volts. Therefore, the structure of the organic EL layer is changed, and in the injection of holes or electrons, non-radiative quenching is caused at the interface between the organic EL layer and the second electrode layer, and the light emission characteristics may be deteriorated. For example, when the second electrode layer is formed on the organic EL layer by sputtering, an electron injection layer containing an alkali metal or an alkaline earth metal is formed between the light emitting layer and the second electrode layer. In this case, since these metals are easily oxidized, the introduction of oxygen during the formation of the second electrode layer or the release of oxygen from the target may oxidize the metal and lose the electron injection function.

これに対し、本態様においては、導電保護層上に第2電極層を形成するので、第2電極層をスパッタリング法により成膜する場合であっても、スパッタ時のプラズマガスイオン、スパッタリングされた粒子および電離した電子等による有機EL層への衝撃を緩和することができる。これにより、第2電極層成膜時の衝撃による発光特性等の素子特性および電子注入特性等の有機EL層の特性の低下を抑制することができる。   In contrast, in this embodiment, since the second electrode layer is formed on the conductive protective layer, even when the second electrode layer is formed by a sputtering method, plasma gas ions during sputtering are sputtered. The impact on the organic EL layer due to particles, ionized electrons, and the like can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in the characteristics of the organic EL layer such as the element characteristics such as the light emission characteristics and the electron injection characteristics due to the impact when forming the second electrode layer.

したがって、本態様においては、有機EL層上に導電保護層を形成することにより、発光特性および寿命特性等の素子特性、ならびに電子注入特性等の有機EL層の特性に優れる有機EL素子を製造することが可能である。   Therefore, in this embodiment, by forming a conductive protective layer on the organic EL layer, an organic EL element having excellent element characteristics such as light emission characteristics and lifetime characteristics, and organic EL layer characteristics such as electron injection characteristics is manufactured. It is possible.

さらに、本態様における導電保護層は、無機導電性材料を含有しており、比較的電気抵抗が低いので、良好な電流−電圧特性を示す有機EL素子を得ることができる。
以下、本態様の有機EL素子の製造方法の各工程について説明する。
Furthermore, since the conductive protective layer in this embodiment contains an inorganic conductive material and has a relatively low electrical resistance, an organic EL element exhibiting good current-voltage characteristics can be obtained.
Hereinafter, each process of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated.

1.有機EL層形成工程
本態様における有機EL層形成工程は、第1電極層が形成された基板上に、少なくとも発光層を含む有機EL層を形成する工程である。
以下、有機EL層、第1電極層および基板について説明する。
1. Organic EL Layer Forming Step The organic EL layer forming step in this embodiment is a step of forming an organic EL layer including at least a light emitting layer on the substrate on which the first electrode layer is formed.
Hereinafter, the organic EL layer, the first electrode layer, and the substrate will be described.

(1)有機EL層
本態様における有機EL層は、少なくとも発光層を含む1層もしくは複数層の有機層から構成されるものである。すなわち、有機EL層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層1層以上の層をいう。通常、湿式法で有機EL層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、1層もしくは2層の有機層を形成する場合が多いが、溶媒への溶解性が異なるように有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
(1) Organic EL layer The organic EL layer in this embodiment is composed of one or more organic layers including at least a light emitting layer. That is, the organic EL layer is a layer including at least a light emitting layer, and the layer configuration is a layer having one or more organic layers. Usually, when an organic EL layer is formed by a wet method, it is difficult to stack a large number of layers in relation to the solvent, so that one or two organic layers are often formed. It is possible to further increase the number of layers by devising organic materials so as to have different solubility in water or by combining vacuum deposition methods.

発光層以外の有機EL層を構成する有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等を挙げることができる。この正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合が多い。また、有機EL層を構成する有機層としては、正孔ブロック層や電子ブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、さらに励起子の拡散を防止して発光層内に励起子を閉じ込めることにより、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。   Examples of the organic layer constituting the organic EL layer other than the light emitting layer include a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. This hole transport layer is often integrated with the hole injection layer by imparting a hole transport function to the hole injection layer. In addition, as an organic layer constituting the organic EL layer, holes or electrons such as a hole blocking layer and an electron blocking layer are prevented from penetrating, and further, exciton diffusion is prevented and excitons are placed in the light emitting layer. By confining, a layer for increasing the recombination efficiency can be cited.

有機EL層の構成としては、一般的な構成であればよく、発光層のみ、正孔注入層/発光層、正孔注入層/発光層/電子注入層、正孔注入層/電子ブロック層/発光層/電子注入層、正孔注入層/発光層/電子輸送層などを例示することができる。   The structure of the organic EL layer may be a general structure, and only the light emitting layer, hole injection layer / light emitting layer, hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer, hole injection layer / electron blocking layer / Examples thereof include a light emitting layer / electron injection layer, a hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer, and the like.

発光層を含む複数の有機層を積層する場合、例えば、発光層、または、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングした後に、パターン状の発光層上に、電子輸送層や電子注入層等を真空蒸着法によりパターン状に形成してもよい。また、例えば、正孔注入層を真空蒸着法によりパターン状に形成した後に、パターン状の正孔注入層上に発光層を成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよい。   When laminating a plurality of organic layers including a light emitting layer, for example, after patterning the light emitting layer or the hole injection layer and the light emitting layer by a photolithography method, an electron transport layer or an electron injection is formed on the patterned light emitting layer. A layer or the like may be formed in a pattern by a vacuum deposition method. Further, for example, after the hole injection layer is formed in a pattern by a vacuum deposition method, a light emitting layer may be formed on the pattern hole injection layer and patterned by a photolithography method.

また、有機EL層として、正孔注入層および発光層を形成する場合、基板上の全面に正孔注入層および発光層を形成した後に、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよく、発光層のみをフォトリソグラフィー法によりパターニングしてもよい。中でも、正孔注入層の導電性が高い場合には、素子のダイオード特性を保ち、クロストークを防ぐために、正孔注入層および発光層をフォトリソグラフィー法によりパターニングすることが好ましい。一方、正孔注入層の抵抗が高い場合には、正孔注入層をパターニングしてもよく、パターニングしなくてもよい。   When forming a hole injection layer and a light emitting layer as an organic EL layer, after forming the hole injection layer and the light emitting layer on the entire surface of the substrate, the hole injection layer and the light emitting layer are patterned by a photolithography method. Alternatively, only the light emitting layer may be patterned by a photolithography method. In particular, when the conductivity of the hole injection layer is high, the hole injection layer and the light emitting layer are preferably patterned by a photolithography method in order to maintain the diode characteristics of the device and prevent crosstalk. On the other hand, when the resistance of the hole injection layer is high, the hole injection layer may be patterned or not patterned.

ここで、一般的に、膜の溶解性は、膜中の固体成分を溶剤に溶解した場合の溶解度(100×溶解した固形分重量/(溶解した固形分重量+溶剤量))で定義される。このような定義では、溶解度が0.1%を下回るような場合には、難溶もしくは不溶と判断されることが多い。しかしながら、上記定義において難溶もしくは不溶であると判断される溶剤を使用しても、膜を溶剤に浸漬した場合に、膜が溶解して膜減りが発生する。
特に、有機EL素子では、有機EL層の膜厚が非常に薄く、一般的に有機EL層を構成する有機層1層の膜厚は100nm以下である。このため、上記定義において溶解度が0.1%以下であり、難溶もしくは不溶であると判断された溶剤に膜を浸漬した場合でも、100nm程度の膜厚であれば厚みが容易に減少してしまう。
Here, the solubility of the membrane is generally defined by the solubility when the solid components in the membrane are dissolved in a solvent (100 × weight of dissolved solid content / (weight of dissolved solid content + solvent amount)). . In such a definition, when the solubility is less than 0.1%, it is often determined that the solubility is insoluble or insoluble. However, even when a solvent that is determined to be hardly soluble or insoluble in the above definition is used, when the film is immersed in the solvent, the film dissolves and film loss occurs.
In particular, in the organic EL element, the film thickness of the organic EL layer is very thin, and generally the film thickness of one organic layer constituting the organic EL layer is 100 nm or less. For this reason, even when the film is immersed in a solvent whose solubility is 0.1% or less in the above definition and is hardly soluble or insoluble, the thickness is easily reduced if the film thickness is about 100 nm. End up.

そこで、本発明においては、膜の溶解性について、基板上に膜を形成し十分に乾燥させて、その膜を25℃で1分間溶剤に浸漬させた後、浸漬前後での膜厚を測定し、その差(浸漬前の膜厚−浸漬後の膜厚)により、以下のように定義することとした。
膜減り量が1nm以下/minの場合 … 不溶性
膜減り量が1nm超/min〜20nm以下/minの場合 … 難溶性
膜減り量が20nm超/min〜100nm以下/minの場合 … 可溶性
膜減り量が100nm超/minの場合 … 易溶性
なお、膜の溶解性の定義については、有機EL層だけでなく、導電保護層およびフォトレジスト層等にも適用される。
Therefore, in the present invention, regarding the solubility of the film, a film is formed on the substrate and sufficiently dried, and the film is immersed in a solvent at 25 ° C. for 1 minute, and then the film thickness before and after the immersion is measured. Depending on the difference (film thickness before immersion-film thickness after immersion), it was defined as follows.
When the film loss is 1 nm or less / min ... Insoluble When the film loss is more than 1 nm / min to 20 nm or less / min ... Insoluble When the film loss is more than 20 nm / min to 100 nm or less / min ... Soluble Film reduction Is more than 100 nm / min .... Easily soluble In addition, the definition of the solubility of the film is applied not only to the organic EL layer but also to a conductive protective layer and a photoresist layer.

例えば、後述するように、有機EL層上に、無機導電性材料を含有する導電保護層形成用塗工液を塗布して導電保護層を形成する場合には、有機EL層を構成する有機層のうち、最上層の有機層は、この導電保護層形成用塗工液の溶媒に難溶または不溶であることが好ましく、特に不溶であることが好ましい。
以下、有機EL層の各構成について説明する。
For example, as will be described later, when forming a conductive protective layer by applying a conductive protective layer-forming coating solution containing an inorganic conductive material on the organic EL layer, the organic layer constituting the organic EL layer Among them, the uppermost organic layer is preferably hardly soluble or insoluble in the solvent of the conductive protective layer forming coating solution, and particularly preferably insoluble.
Hereinafter, each structure of the organic EL layer will be described.

(i)2層の有機層
本態様においては、有機EL層が、発光層を含む2層以上の有機層を有する場合であって、下層形成用塗工液を塗布して下層の有機層を形成し、この下層の有機層上に、上層形成用塗工液を塗布して上層の有機層を形成する場合、下層の有機層が上層形成用塗工液に含まれる溶媒に対して不溶であることが好ましい。すなわち、有機EL層形成工程が、発光層を含む2層以上の有機層を形成する工程であって、下層形成用塗工液を塗布して、下層の有機層を形成する下層形成工程と、下層の有機層上に上層形成用塗工液を塗布して、上層の有機層を形成する上層形成工程とを有する場合には、下層の有機層が上層形成用塗工液に含まれる溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、上層の有機層の成膜の際に、上層形成用塗工液の溶媒が下層の有機層に接触しても、下層の有機層は溶解されないので、安定して上層の有機層を積層することができるからである。
(I) Two organic layers In this embodiment, the organic EL layer has two or more organic layers including a light emitting layer, and the lower organic layer is applied by applying a lower layer forming coating solution. When forming an upper organic layer by applying an upper layer forming coating liquid on this lower organic layer, the lower organic layer is insoluble in the solvent contained in the upper layer forming coating liquid. Preferably there is. That is, the organic EL layer forming step is a step of forming two or more organic layers including a light emitting layer, and a lower layer forming step of applying a lower layer forming coating liquid to form a lower organic layer; An upper layer forming step of applying an upper layer forming coating solution on the lower organic layer and forming an upper organic layer, and the lower organic layer is used as a solvent contained in the upper layer forming coating solution. It is preferably insoluble. As a result, when the upper organic layer is formed, even if the solvent of the upper layer forming coating solution contacts the lower organic layer, the lower organic layer is not dissolved. It is because it can laminate.

下層の有機層を上層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするには、下層の有機層に、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を用いるか、あるいは、下層の有機層および上層の有機層にそれぞれ溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the lower organic layer insoluble in the solvent of the upper layer forming coating solution, a curable binder or a material whose solubility is changed by the action of heat energy or radiation is added to the lower organic layer. Alternatively, materials having different solubility may be used for the lower organic layer and the upper organic layer.

また、下層の有機層を上層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、下層の有機層に、光開始剤等を含有させてもよい。例えば、Applied physics letter, Vol 81, (2002)に記載されているような光開始剤等を、上記導電性高分子に混合することにより、紫外線照射によって硬化させることができる。   Further, in order to make the lower organic layer insoluble in the solvent of the upper layer forming coating solution, the lower organic layer may contain a photoinitiator or the like. For example, a photoinitiator as described in Applied physics letter, Vol 81, (2002) can be cured by ultraviolet irradiation by mixing with the conductive polymer.

中でも、下層の有機層を上層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするには、下層の有機層が、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等である場合には、下層の有機層に、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を用いることが好ましい。すなわち、下層形成用塗工液が、硬化性バインダ、または、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有することが好ましい。また、下層の有機層が発光層である場合には、下層の有機層に、熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を用いることが好ましい。すなわち、下層形成用塗工液が熱エネルギーもしくは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有することが好ましい。下層の有機層が上層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であれば、上層の有機層形成時に下層の有機層に含まれる有機材料等が溶出するのを防ぐことができ、下層の有機層の特性が低下するのを抑制することができる。   Above all, in order to make the lower organic layer insoluble in the solvent of the upper layer forming coating solution, the lower organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, etc. In this case, it is preferable to use a curable binder or a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation in the lower organic layer. That is, the lower layer forming coating liquid preferably contains a curable binder or a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation. When the lower organic layer is a light emitting layer, it is preferable to use a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation for the lower organic layer. That is, the lower layer forming coating liquid preferably contains a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation. If the lower organic layer is insoluble in the solvent of the upper layer forming coating solution, the organic material contained in the lower organic layer can be prevented from eluting when the upper organic layer is formed. It can suppress that the characteristic of a layer falls.

以下、下層の有機層が、硬化性バインダを含有する場合と、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有する場合とに分けて説明する。   Hereinafter, the case where the lower organic layer contains a curable binder and the case where a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation will be described separately.

(硬化性バインダ)
下層の有機層に用いられる硬化性バインダとしては、熱エネルギーまたは放射線の作用により硬化するものであることが好ましく、例えば、ゾルゲル反応液、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂を挙げることができる。なお、ゾルゲル反応液とは、硬化後にゲル化する反応液をいう。
(Curing binder)
The curable binder used in the lower organic layer is preferably one that is cured by the action of thermal energy or radiation, and examples thereof include a sol-gel reaction liquid, a photocurable resin, and a thermosetting resin. Note that the sol-gel reaction liquid refers to a reaction liquid that gels after curing.

中でも、硬化性バインダは、オルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。このオルガノポリシロキサンとしては、例えば特開2000−249821号公報に記載されているもの等を用いることができる。   Especially, it is preferable that a sclerosing | hardenable binder contains organopolysiloxane. As this organopolysiloxane, for example, those described in JP-A 2000-249821 can be used.

下層の有機層が、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等である場合には、下層の有機層は、上記硬化性バインダと、正孔もしくは電子注入性材料、または正孔もしくは電子輸送性材料とを含有することが好ましい。このような下層の有機層は、正孔もしくは電子の注入効率が良く、また硬化されたものとすることができ、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等として良好に機能するからである。   When the lower organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, or the like, the lower organic layer includes the curable binder and a hole or electron injection material, Or it is preferable to contain a hole or electron transport material. Such a lower organic layer has good hole or electron injection efficiency and can be cured, and is good as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, etc. Because it works.

下層形成用塗工液は、上記の硬化性バインダと、正孔もしくは電子注入性材料、または正孔もしくは電子輸送性材料等とを、溶媒に分散もしくは溶解して調製される。例えば、硬化性バインダがオルガノポリシロキサンを含む場合には、溶媒としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系が好ましく用いられる。
下層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法等が挙げられる。
The lower layer forming coating solution is prepared by dispersing or dissolving the above curable binder and a hole or electron injecting material or a hole or electron transporting material in a solvent. For example, when the curable binder contains an organopolysiloxane, an alcohol such as ethanol or isopropanol is preferably used as the solvent.
Examples of the coating method for the lower layer forming coating liquid include spin coating, spray coating, dip coating, roll coating, and bead coating.

下層の有機層は、下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に硬化処理を行うことにより、形成することができる。
硬化処理としては、熱エネルギーの付与、または放射線の照射が挙げられる。
The lower organic layer can be formed by performing a curing treatment on a coating film obtained by applying a lower layer forming coating solution.
Examples of the curing treatment include application of thermal energy or irradiation with radiation.

(熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料)
ここで、材料の溶解性が変化するとは、材料の主成分が溶解もしくは分散する溶媒の極性が変化することをいう。熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有する層に対して、熱エネルギーを付与または放射線を照射することにより、材料の溶解性を変化させると、その層を形成するために用いた塗工液の溶媒と、熱エネルギー付与または放射線照射後の層が溶解する溶媒とでは、極性が異なるものとなる。
(Material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation)
Here, the change in the solubility of the material means that the polarity of the solvent in which the main component of the material is dissolved or dispersed is changed. When a layer containing a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation is changed by applying thermal energy or irradiating the material with radiation, the layer is used to form the layer. The solvent of the applied coating solution and the solvent in which the layer after application of heat energy or radiation is dissolved have different polarities.

材料の溶解性が変化する程度としては、熱エネルギー付与または放射線照射後の下層の有機層が、下層形成用塗工液に用いた溶媒に、実質的に溶解したり混和したりしない程度であればよい。具体的には、熱エネルギー付与または放射線照射後の下層の有機層が下層形成用塗工液に不溶であればよい。   The degree to which the solubility of the material changes is such that the lower organic layer after application of heat energy or irradiation is not substantially dissolved or mixed in the solvent used in the lower layer forming coating solution. That's fine. Specifically, it suffices if the lower organic layer after application of thermal energy or irradiation is insoluble in the lower layer forming coating solution.

下層の有機層に用いられる、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料としては、例えば、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換されたものであり、かつ、熱エネルギーまたは放射線の作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻るものが好適に用いられる。   Examples of the material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation used for the lower organic layer are, for example, those in which a part or all of the hydrophilic group of the hydrophilic organic material is converted into a lipophilic group. In addition, those in which part or all of the lipophilic group returns to the hydrophilic group by the action of thermal energy or radiation are preferably used.

上記の材料においては、親水性有機材料の親水性基のすべてが親油性基に変換されている必要はない。親水性基が親油性基に変換されている割合としては、一般的な非水系有機溶剤に対して、所望の濃度以上の溶解性を保持し得る程度であればよい。具体的には、水、アルコール系溶剤に溶解もしくは分散する親水性有機材料が、一般的な非水系溶剤である、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に0.5質量%以上溶解する程度に、親水性基が親油性基に変換されていることが好ましい。   In the above materials, it is not necessary that all the hydrophilic groups of the hydrophilic organic material are converted into lipophilic groups. The ratio at which the hydrophilic group is converted to the lipophilic group may be a level that can maintain solubility at a desired concentration or higher in a general non-aqueous organic solvent. Specifically, the hydrophilic organic material that dissolves or disperses in water or an alcohol-based solvent is dissolved to 0.5% by mass or more in a general non-aqueous solvent such as toluene, xylene, ethyl acetate, or cyclohexanone. The hydrophilic group is preferably converted to a lipophilic group.

また、上記の材料においては、親油性基のすべてが親水性基に戻る必要はない。親油性基が親水性基に戻る割合としては、下層の有機層が上層形成用塗工液の溶媒に溶解しない程度であればよい。具体的には、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に0.5質量%以上溶解する材料が、トルエン、キシレン、酢酸エチル、シクロヘキサノン等に不溶もしくは難溶になる程度に、親油性基が親水性基に戻ることが好ましい。この際、完全に当初の親水性有機材料に戻らなくてもよい。   Further, in the above material, it is not necessary for all of the lipophilic groups to return to the hydrophilic groups. The ratio of the lipophilic group returning to the hydrophilic group may be such that the lower organic layer does not dissolve in the solvent of the upper layer forming coating solution. Specifically, the lipophilic group is hydrophilic to such an extent that a material that dissolves 0.5% by mass or more in toluene, xylene, ethyl acetate, cyclohexanone, etc. becomes insoluble or hardly soluble in toluene, xylene, ethyl acetate, cyclohexanone, etc. It is preferable to return to the sex group. At this time, it is not necessary to completely return to the original hydrophilic organic material.

上記親水性有機材料としては、親水性基を有し、水に分散もしくは溶解するものであればよく、下層の有機層に求められる機能に応じて適宜選択される。例えば、正孔注入層(下層の有機層)上に発光層(上層の有機層)を形成する場合、正孔注入層に用いられる親水性有機材料としては、例えば特開2006−318876号公報に記載されているもの等を挙げることができる。   The hydrophilic organic material is not particularly limited as long as it has a hydrophilic group and can be dispersed or dissolved in water, and is appropriately selected according to the function required for the lower organic layer. For example, when a light emitting layer (upper organic layer) is formed on a hole injection layer (lower organic layer), as a hydrophilic organic material used for the hole injection layer, for example, JP-A-2006-318876 What is described can be mentioned.

親水性有機材料における親水性基を親油性基に変換する方法としては、熱エネルギーまたは放射線の作用により親油性基の一部または全部が親水性基に戻ることから、保護反応を利用する方法であることが好ましい。ここで、保護反応とは、親水性基を誘導体化して、一時的に親水性基に保護基を導入する反応をいう。保護反応としては、例えば特開2006−318876号公報に記載されているもの等を挙げることができる。   As a method of converting a hydrophilic group in a hydrophilic organic material into a lipophilic group, a part of or all of the lipophilic group returns to the hydrophilic group by the action of heat energy or radiation. Preferably there is. Here, the protective reaction refers to a reaction in which a hydrophilic group is derivatized and a protective group is temporarily introduced into the hydrophilic group. Examples of the protective reaction include those described in JP-A-2006-318876.

下層形成用塗工液は、上記の親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料を、溶媒に分散もしくは溶解することにより調製することができる。この際、溶媒としては、親油性の材料を分散もしくは溶解できるものが用いられる。このような溶媒としては、例えば特開2006−318876号公報に記載されているもの等を用いることができる。
また、下層形成用塗工液中の、親水性有機材料の親水性基の一部または全部が親油性基に変換された材料の濃度としては、材料の成分または組成によって異なるものではあるが、通常、0.1質量%以上で設定され、好ましくは1質量%〜5質量%程度である。
The coating solution for forming the lower layer can be prepared by dispersing or dissolving a material in which a part or all of the hydrophilic group of the hydrophilic organic material is converted into a lipophilic group in a solvent. At this time, a solvent that can disperse or dissolve a lipophilic material is used. As such a solvent, for example, those described in JP 2006-318876 A can be used.
In addition, the concentration of the material in which part or all of the hydrophilic groups of the hydrophilic organic material in the lower layer forming coating liquid are converted to lipophilic groups varies depending on the component or composition of the material, Usually, it is set at 0.1% by mass or more, preferably about 1% by mass to 5% by mass.

下層の有機層は、上記下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に、熱エネルギーを付与または放射線を照射して、塗膜の溶解性を変化させることにより、得ることができる。上記下層形成用塗工液の塗布後には、乾燥を行ってもよい。熱エネルギーの付与および放射線の照射については、例えば特開2006−318876号公報に記載されている条件とすることができる。
なお、熱エネルギーまたは放射線の作用により材料の溶解性が変化するメカニズムについては、特開2006−318876号公報に詳しく記載されている。
The lower organic layer can be obtained by applying thermal energy or irradiating a coating film obtained by applying the lower layer forming coating solution to change the solubility of the coating film. After the application of the lower layer forming coating solution, drying may be performed. Regarding the application of thermal energy and the irradiation of radiation, for example, the conditions described in JP-A-2006-318876 can be used.
Note that the mechanism by which the solubility of the material changes due to the action of thermal energy or radiation is described in detail in JP-A-2006-318876.

(ii)発光層
本態様における発光層に用いられる発光材料としては、蛍光または燐光を発する材料を含み、発光するものであれば特に限定されるものではなく、発光機能と正孔輸送機能もしくは電子輸送機能とを兼ねていてもよい。
(Ii) Light emitting layer The light emitting material used for the light emitting layer in this embodiment is not particularly limited as long as it includes a material that emits fluorescence or phosphorescence and emits light. It may also serve as a transport function.

例えば、発光層上に導電保護層形成用塗工液を塗布して導電保護層を形成する場合には、発光材料が、導電保護層形成用塗工液の溶媒に不溶であることが好ましく、さらにフォトレジスト剥離液に不溶であることが好ましい。   For example, when forming a conductive protective layer by applying a conductive protective layer-forming coating solution on the light-emitting layer, the luminescent material is preferably insoluble in the solvent of the conductive protective layer-forming coating solution, Further, it is preferably insoluble in the photoresist stripping solution.

発光材料としては、色素系発光材料、金属錯体系発光材料、および高分子系発光材料を挙げることができる。   Examples of the light-emitting material include a dye-based light-emitting material, a metal complex-based light-emitting material, and a polymer-based light-emitting material.

色素系発光材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。   Examples of dye-based luminescent materials include cyclopentamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazol derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds. Pyridine ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.

金属錯体系発光材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体、あるいは、中心金属に、Al、Zn、Be等またはTb、Eu、Dy等の希土類金属を有し、配位子に、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。   Examples of the metal complex light emitting material include an aluminum quinolinol complex, a benzoquinolinol beryllium complex, a benzoxazole zinc complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethyl zinc complex, a porphyrin zinc complex, a europium complex, or a central metal such as Al, Zn, Examples thereof include a metal complex having a rare earth metal such as Be or the like or Tb, Eu or Dy, and having a oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like as a ligand.

高分子系発光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等、あるいは、上記の色素系発光材料や金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。   Examples of the polymer-based light emitting material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, and the like, or the above-described dye-based light emitting materials and metal complexes. Examples include those obtained by polymerizing a system light emitting material.

後述するように、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合には、フォトリソグラフィー法によって発光層を精度良くパターニングすることができるという利点を活かすという観点から、発光材料として、上記高分子系発光材料を用いることが好ましい。   As will be described later, in the case of forming a light emitting layer by applying a light emitting layer forming coating solution, from the viewpoint of taking advantage of the fact that the light emitting layer can be accurately patterned by a photolithography method, It is preferable to use the above polymeric light emitting material.

また、上記発光材料には、種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、上記発光材料には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。   Further, various additives can be added to the light emitting material. For example, a doping agent may be added to the light emitting material for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such doping agents include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone, quinoxaline derivatives, carbazole derivatives, fluorene derivatives. Can be mentioned.

本態様においては、少なくとも1色の発光層をパターン状に形成するものであり、発光層の色としては、例えば、フルカラーディスプレイの場合、赤・緑・青の3色、赤・緑・青・黄の4色、赤・緑・青・白の4色、赤・緑・青・黄・シアンの5色等とすることができる。また、エリアカラーディスプレイの場合、発光色の色には、表示させたい色を自由に組み合わせて用いることができる。   In this embodiment, at least one light emitting layer is formed in a pattern, and for example, in the case of a full-color display, the light emitting layer has three colors of red, green, and blue, red, green, blue, Four colors of yellow, four colors of red, green, blue, and white, five colors of red, green, blue, yellow, and cyan can be used. Further, in the case of an area color display, the color to be displayed can be freely combined with the color of the luminescent color.

発光層の形成方法としては、上記発光材料等を含む発光層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。中でも、製造コスト低減の観点から、発光層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。   As a method for forming the light emitting layer, a method of applying a light emitting layer forming coating solution containing the above light emitting material or the like, or a vacuum deposition method or the like can be used. Among these, from the viewpoint of reducing manufacturing costs, a method of applying a light emitting layer forming coating solution is preferable.

本態様において、後述する正孔注入層を形成する場合であって、正孔注入層上に発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合には、発光層の成膜の際に、正孔注入層を形成する材料が発光層形成用塗工液に混合したり溶解したりするのを防ぐとともに、発光材料本来の発光特性を保つために、発光層形成用塗工液には、正孔注入層を溶解しない溶媒を用いることが好ましい。   In this embodiment, when a hole injection layer to be described later is formed and a light emitting layer is formed by applying a light emitting layer forming coating solution on the hole injection layer, the light emitting layer is formed. In order to prevent the material forming the hole injection layer from being mixed or dissolved in the light emitting layer forming coating solution, and to maintain the original light emitting characteristics of the light emitting material, the light emitting layer forming coating solution is used. It is preferable to use a solvent that does not dissolve the hole injection layer.

例えば、後述する正孔注入層を形成する材料が水系溶媒やジメチルホルムアミド(DMF)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アルコール等の極性溶媒に溶解する場合には、上記溶媒としては、例えば特開2006−40741号公報に記載のものを用いることができる。   For example, when a material for forming a hole injection layer described later is dissolved in a polar solvent such as an aqueous solvent, dimethylformamide (DMF), dimethyl sulfoxide (DMSO), or alcohol, examples of the solvent include, for example, JP-A-2006- No. 40741 can be used.

また、発光層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。   Examples of the application method of the light emitting layer forming coating liquid include a dip coating method, a roll coating method, a blade coating method, a spin coating method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a wire bar coating method. , Casting method, flexographic printing method and the like.

上記発光層形成用塗工液の塗布後は、乾燥を行ってもよい。   You may dry after application | coating of the said light emitting layer forming coating liquid.

本態様における発光層は硬化剤を含まないものであり、また発光層形成時には硬化・架橋処理を行わない。このため、発光層は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶な状態のままとなっている。   The light emitting layer in this embodiment does not contain a curing agent, and no curing / crosslinking treatment is performed when the light emitting layer is formed. For this reason, the light emitting layer remains soluble in the solvent of the light emitting layer forming coating solution.

発光層の膜厚としては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には10nm〜500nm程度とすることができる。   The thickness of the light emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field between electrons and holes, and specifically 10 nm to 500 nm. Can be about.

(iii)正孔注入層
本態様における正孔注入層は、発光層に正孔の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間に設けられるものである。
(Iii) Hole Injecting Layer The hole injecting layer in this embodiment is provided between the anode and the light emitting layer so that holes can be easily injected into the light emitting layer.

正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではない。この正孔注入層に用いられる正孔注入性材料としては、例えば、アリールアミン類、フタロシアニン類、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンおよびこれらの誘導体等の導電性高分子などを挙げることができる。導電性高分子は、酸によりドーピングされていてもよい。具体的には、ビス(N−(1−ナフチル−N−フェニル)ベンジジン(α−NPD)、4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)等が挙げられる。   The material used for the hole injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of holes into the light emitting layer. Examples of the hole-injecting material used for the hole-injecting layer include arylamines, phthalocyanines, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, titanium oxide and other oxides, amorphous carbon, polyaniline, polythiophene And conductive polymers such as polyphenylene vinylene and derivatives thereof. The conductive polymer may be doped with an acid. Specifically, bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine (α-NPD), 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (MTDATA), poly (3 , 4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonic acid (PEDOT / PSS).

また、正孔注入層上に発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成する場合には、正孔注入層を形成する材料は、発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。
なお、正孔注入層を発光層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとすることについては、上記「(i)2層の有機層」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
In the case of forming a light emitting layer by applying a light emitting layer forming coating solution on the hole injecting layer, the material for forming the hole injecting layer is the same as the solvent of the light emitting layer forming coating solution. It is preferably insoluble.
In addition, about making a hole injection layer insoluble with respect to the solvent of the coating liquid for light emitting layer formation, since it described in the above-mentioned item of "(i) Two organic layers", explanation here Is omitted.

正孔注入層の形成方法としては、上記の正孔注入性材料等を含む正孔注入層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。中でも、製造コスト低減の観点から、正孔注入層形成用塗工液を塗布する方法が好ましい。   As a method for forming the hole injection layer, a method of applying a coating solution for forming a hole injection layer containing the above hole injecting material or the like, a vacuum deposition method, or the like can be used. Among these, from the viewpoint of reducing manufacturing costs, a method of applying a hole injection layer forming coating solution is preferable.

正孔注入層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上記の正孔注入性材料が分散もしくは溶解するものであれば特に限定されるものではなく、例えば特開2006−40741号公報に記載のものを用いることができる。   The solvent used in the coating solution for forming the hole injection layer is not particularly limited as long as the above-described hole injection material is dispersed or dissolved, and is described in, for example, JP-A-2006-40741. Can be used.

なお、正孔注入層形成用塗工液の塗布方法については、発光層形成用塗工液の塗布方法と同様とすることができる。   In addition, about the coating method of the hole injection layer forming coating liquid, it can be made to be the same as that of the coating method of the light emitting layer forming coating liquid.

また、正孔注入層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではなく、具体的には0.5nm〜1000nm程度とすることができ、中でも10nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。   In addition, the thickness of the hole injection layer is not particularly limited as long as the thickness of the hole injection layer is sufficiently exhibited. Specifically, the thickness of the hole injection layer can be about 0.5 nm to 1000 nm. It is preferable to be within a range of ˜500 nm.

(iv)電子輸送層
本態様における電子輸送層は、発光層に電子の輸送が容易に行われるように、陰極と発光層との間に設けられるものである。
(Iv) Electron Transport Layer The electron transport layer in this embodiment is provided between the cathode and the light emitting layer so that electrons can be easily transported to the light emitting layer.

電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することができる材料であれば特に限定されるものではない。この電子輸送層に用いられる電子輸送性材料としては、例えば、オキサジアゾール類、トリアゾール類、バソキュプロイン、バソフェナントロリン等のフェナントロリン類、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq)等のアルミキノリノール錯体などが挙げられる。 The material used for the electron transport layer is not particularly limited as long as it is a material that can transport electrons injected from the cathode into the light emitting layer. Examples of the electron transporting material used in the electron transporting layer include oxadiazoles, triazoles, bathocuproin, phenanthrolines such as bathophenanthroline, and aluminum quinolinol complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ). Etc.

電子輸送層の形成方法としては、上記の電子輸送性材料等を含む電子輸送層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。   As a method for forming the electron transport layer, a method of applying an electron transport layer forming coating solution containing the above electron transport material or the like, or a vacuum deposition method or the like can be used. Usually, a vacuum deposition method is used.

電子輸送層の厚みとしては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。   The thickness of the electron transport layer is not particularly limited as long as the thickness of the electron transport layer is sufficiently exerted.

(v)電子注入層
本態様における電子注入層は、発光層に電子の注入が容易に行われるように、陰極と発光層との間に設けられるものである。
(V) Electron Injection Layer The electron injection layer in this embodiment is provided between the cathode and the light emitting layer so that electrons can be easily injected into the light emitting layer.

電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミリチウム合金、リチウム、セシウム等のアルカリ金属やその合金;フッ化リチウム、フッ化セシウム等のアルカリ金属のハロゲン化物;ストロンチウム、カルシウム等のアルカリ土類金属;フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム等のアルカリ土類金属のハロゲン化物;酸化マグネシウム、酸化ストロンチウム、酸化アルミニウム等の酸化物;などが挙げられる。また、電子注入層に用いられる材料として、ポリメチルメタクリレートポリスチレンスルホン酸ナトリウム等を挙げることができる。   The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer. For example, an alkali metal such as an aluminum lithium alloy, lithium, or cesium is used. Alkaline metal halides such as lithium fluoride and cesium fluoride; alkaline earth metals such as strontium and calcium; alkaline earth metals such as magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, and barium fluoride And oxides such as magnesium oxide, strontium oxide, and aluminum oxide. Examples of the material used for the electron injection layer include sodium polymethyl methacrylate polystyrene sulfonate.

電子注入層の形成方法としては、上記の材料等を含む電子注入層形成用塗工液を塗布する方法、あるいは、真空蒸着法等を用いることができる。通常は、真空蒸着法が用いられる。   As a method for forming the electron injection layer, a method for applying a coating solution for forming an electron injection layer containing the above materials or the like, a vacuum deposition method, or the like can be used. Usually, a vacuum deposition method is used.

電子注入層の膜厚としては、その機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されるものではない。   The thickness of the electron injection layer is not particularly limited as long as the thickness of the electron injection layer is sufficiently exhibited.

(2)第1電極層
本態様に用いられる第1電極層は、陽極であってもよく陰極であってもよい。一般に、有機EL素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機EL素子を作製することができることから、第1電極層が陽極であることが好ましい。
(2) First electrode layer The first electrode layer used in this embodiment may be an anode or a cathode. In general, when an organic EL element is produced, it is preferable that the first electrode layer is an anode because the organic EL element can be stably produced by laminating from the anode side.

陽極には、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料が好ましく用いられる。一方、陰極には、電子が注入し易いように仕事関数の小さな導電性材料が好ましく用いられる。導電性材料としては、一般に金属材料が用いられるが、有機物や無機化合物を用いてもよい。また、第1電極層には、複数の材料を混合して用いてもよい。   For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. On the other hand, a conductive material having a small work function is preferably used for the cathode so that electrons can be easily injected. As the conductive material, a metal material is generally used, but an organic substance or an inorganic compound may be used. A plurality of materials may be mixed and used for the first electrode layer.

また、第1電極層は、透明性を有していても有さなくてもよく、光の取り出し面に応じて適宜選択される。例えば図1(h)に示す有機EL素子においてボトムエミッション型とする場合、第1電極層2は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図1(h)に示す有機EL素子においてトップエミッション型とする場合、第1電極層2に透明性は要求されない。また、例えば図1(h)に示す有機EL素子において両面から光を取り出す場合には、第1電極層2は透明性を有することが好ましい。   The first electrode layer may or may not have transparency, and is appropriately selected depending on the light extraction surface. For example, when the bottom emission type is used in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the first electrode layer 2 preferably has transparency. On the other hand, for example, when the top emission type is used in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the first electrode layer 2 is not required to be transparent. For example, when light is extracted from both sides in the organic EL element shown in FIG. 1H, the first electrode layer 2 preferably has transparency.

透明性を有する導電性材料としては、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、Zn−O−Al、Zn−Sn−O等を好ましいものとして例示することができる。また、透明性が要求されない場合、導電性材料としては、金属を用いることができ、具体的にはAu、Ta、W、Pt、Ni、Pd、Cr、あるいは、Al合金、Ni合金、Cr合金等を挙げることができる。   As a conductive material having transparency, In—Zn—O (IZO), In—Sn—O (ITO), Zn—O—Al, Zn—Sn—O, and the like can be exemplified as preferable examples. Further, when transparency is not required, a metal can be used as the conductive material, specifically, Au, Ta, W, Pt, Ni, Pd, Cr, or Al alloy, Ni alloy, Cr alloy. Etc.

第1電極層が陽極および陰極のいずれであっても、抵抗が比較的小さいことが好ましい。   Whether the first electrode layer is an anode or a cathode, the resistance is preferably relatively small.

第1電極層の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法等を挙げることができる。また、第1電極層のパターニング方法としては、フォトリソグラフィー法を挙げることができる。   As a method for forming the first electrode layer, a general electrode forming method can be used, and examples thereof include a sputtering method, an ion plating method, and a vacuum deposition method. An example of the patterning method for the first electrode layer is a photolithography method.

(3)基板
本態様に用いられる基板は、透明性を有していても有さなくてもよい。例えば図1(h)に示す有機EL素子においてボトムエミッション型とする場合、基板1は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図1(h)に示す有機EL素子においてトップエミッション型とする場合、基板1に透明性は要求されない。また、例えば図1(h)に示す有機EL素子において両面から光を取り出す場合には、基板1は透明性を有することが好ましい。
透明性を有する基板には、例えば、ガラス等の無機材料や、透明樹脂などを用いることができる。
(3) Substrate The substrate used in this embodiment may or may not have transparency. For example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the substrate 1 preferably has transparency. On the other hand, for example, when the top emission type is used in the organic EL element shown in FIG. For example, when light is extracted from both sides in the organic EL element shown in FIG. 1H, the substrate 1 preferably has transparency.
For the transparent substrate, for example, an inorganic material such as glass, a transparent resin, or the like can be used.

上記透明樹脂としては、フィルム状に成形可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高いことが好ましい。このような透明樹脂としては、例えば、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリフッ化ビニル(PFV)、ポリアクリレート(PA)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレン(PE)、非晶質ポリオレフィン、またはフッ素系樹脂等が挙げられる。   The transparent resin is not particularly limited as long as it can be formed into a film shape, but preferably has high transparency, relatively high solvent resistance and heat resistance. Examples of such transparent resins include polyether sulfone, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyether ether ketone (PEEK), polyvinyl fluoride (PFV), polyacrylate (PA), and polypropylene (PP). , Polyethylene (PE), amorphous polyolefin, or fluorine-based resin.

2.導電保護層形成工程
本態様における導電保護層形成工程は、有機EL層上に導電保護層を形成する工程である。
2. Conductive protective layer forming step The conductive protective layer forming step in this embodiment is a step of forming a conductive protective layer on the organic EL layer.

本態様においては、導電保護層上にフォトレジスト層を形成するので、導電保護層は、フォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶であることが好ましい。一方、導電保護層がフォトレジスト溶媒に可溶である場合には、導電保護層の膜厚を比較的厚くすることにより、フォトレジスト成分が有機EL層表面に到達するのを防ぐことができる。また、この場合には、導電保護層上に、フォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶であり、フォトレジスト成分を含まない層を形成してもよい。   In this embodiment, since the photoresist layer is formed on the conductive protective layer, the conductive protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent. On the other hand, when the conductive protective layer is soluble in the photoresist solvent, it is possible to prevent the photoresist component from reaching the surface of the organic EL layer by making the conductive protective layer relatively thick. In this case, a layer that is insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent and does not contain the photoresist component may be formed on the conductive protective layer.

また、導電保護層は、フォトレジスト現像液に不溶もしくは難溶であることが好ましい。これにより、フォトレジスト層を安定にパターニングすることができ、また高解像度のディスプレイを作製することができるからである。一方、導電保護層がフォトレジスト現像液に可溶である場合であっても、フォトレジスト現像液にさらされる導電保護層の露出部の面積は比較的小さいため、特に問題にはならない。   The conductive protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist developer. This is because the photoresist layer can be stably patterned and a high-resolution display can be manufactured. On the other hand, even when the conductive protective layer is soluble in the photoresist developer, there is no particular problem because the area of the exposed portion of the conductive protective layer exposed to the photoresist developer is relatively small.

さらに、導電保護層は、フォトレジスト剥離液に不溶もしくは難溶であることが好ましい。   Furthermore, the conductive protective layer is preferably insoluble or hardly soluble in the photoresist stripping solution.

また、導電保護層は、透明性を有していても有さなくてもよく、光の取り出し面に応じて適宜選択される。例えば図1(h)に示す有機EL素子においてトップエミッション型とする場合、導電保護層7´は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図1(h)に示す有機EL素子においてボトムエミッション型とする場合、導電保護層7´に透明性は要求されない。また、例えば図1(h)に示す有機EL素子において両面から光を取り出す場合、導電保護層7´は透明性を有することが好ましい。   Moreover, the conductive protective layer may or may not have transparency, and is appropriately selected according to the light extraction surface. For example, when the top emission type is used in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the conductive protective layer 7 ′ preferably has transparency. On the other hand, for example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the conductive protective layer 7 ′ does not require transparency. For example, when light is extracted from both sides in the organic EL element shown in FIG. 1H, the conductive protective layer 7 ′ preferably has transparency.

具体的には、導電保護層が透明性を有する場合には、可視光領域(380nm〜780nm)における平均透過率が10%以上であることが好ましく、より好ましくは40%以上である。導電保護層の平均透過率が上記範囲であれば、トップエミッション型に適した有機EL素子とすることができるからである。
なお、上記平均透過率は、紫外可視分光光度計((株)島津製作所製 UV−2200A)を用い、室温、大気中で測定した値とする。
Specifically, when the conductive protective layer has transparency, the average transmittance in the visible light region (380 nm to 780 nm) is preferably 10% or more, and more preferably 40% or more. This is because when the average transmittance of the conductive protective layer is in the above range, an organic EL element suitable for a top emission type can be obtained.
In addition, let the said average transmittance | permeability be the value measured in room temperature and air | atmosphere using the ultraviolet visible spectrophotometer (Shimadzu Corporation UV-2200A).

さらに、後述する第2電極層形成工程にて、第2電極層をスパッタリング法等により成膜する場合には、第2電極層成膜時の衝撃から有機EL層を保護するために、導電保護層は、第2電極層成膜時の衝撃を緩和する機能(衝撃緩和機能)を有していることが好ましい。   Furthermore, when the second electrode layer is formed by a sputtering method or the like in the second electrode layer forming step, which will be described later, in order to protect the organic EL layer from the impact at the time of forming the second electrode layer, conductive protection It is preferable that the layer has a function (impact mitigation function) for mitigating an impact at the time of forming the second electrode layer.

また、導電保護層は、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜されるものであることが好ましい。すなわち、無機導電性材料は、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであることが好ましい。   The conductive protective layer is preferably formed by a film forming method that does not impact the organic EL layer. That is, the inorganic conductive material is preferably one that can be deposited by a deposition method that does not impact the organic EL layer.

本態様においては、有機EL層、導電保護層および第2電極層の順に積層するので、無機導電性材料の仕事関数は、有機EL層を構成する有機層のうち、最も第2電極層側に配置されている有機層を形成する材料の仕事関数と、第2電極層を形成する材料の仕事関数と、の間の値をとることが好ましい。   In this aspect, since the organic EL layer, the conductive protective layer, and the second electrode layer are laminated in this order, the work function of the inorganic conductive material is closest to the second electrode layer among the organic layers constituting the organic EL layer. It is preferable to take a value between the work function of the material forming the disposed organic layer and the work function of the material forming the second electrode layer.

このような導電保護層に用いられる無機導電性材料としては、導電保護層に要求される性質および機能に応じて適宜選択される。例えば、透明性を有する導電保護層に用いられる無機導電性材料としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであることが好ましい。このような無機導電性材料としては、具体的に、金属または合金、金属酸化物、金属ハロゲン化物、半導体、金属がドープされた無機材料、炭素を主成分とする材料等を挙げることができる。   The inorganic conductive material used for such a conductive protective layer is appropriately selected according to the properties and functions required of the conductive protective layer. For example, as an inorganic conductive material used for a conductive protective layer having transparency, a film forming method that has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and does not give an impact to the organic EL layer It is preferable that the film can be formed by. Specific examples of such inorganic conductive materials include metals or alloys, metal oxides, metal halides, semiconductors, inorganic materials doped with metals, and materials mainly composed of carbon.

金属または合金としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。このような金属または合金としては、例えば、Li、Mg、Ca、Ba、Al、Cu、Ag、Au、Cr、Fe、Ni、Pt、Pd、Zn、Sn等、あるいはこれらの組み合わせてできる合金を例示することができる。   The metal or alloy is particularly limited as long as it has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and can be formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer. is not. As such a metal or alloy, for example, Li, Mg, Ca, Ba, Al, Cu, Ag, Au, Cr, Fe, Ni, Pt, Pd, Zn, Sn, etc., or an alloy formed by a combination thereof can be used. It can be illustrated.

金属酸化物としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。このような金属酸化物としては、上記の金属の酸化物を例示することができる。   The metal oxide is particularly limited as long as it has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and can be formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer. is not. Examples of such metal oxides include the above metal oxides.

金属ハロゲン化物としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。このような金属ハロゲン化物としては、上記の金属のハロゲン化物を例示することができる。   The metal halide is particularly limited as long as it has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and can be formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer. is not. Examples of such metal halides include the metal halides described above.

半導体としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。このような半導体としては、周期表の2族および6族の元素から構成される化合物等の広いバンドギャップ半導体を挙げることができ、例えば、ZnSe、ZnS、ZnSSe1−x等が挙げられる。 The semiconductor is not particularly limited as long as it has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and can be formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer. . Examples of such semiconductors include wide band gap semiconductors such as compounds composed of Group 2 and Group 6 elements of the periodic table, such as ZnSe, ZnS, ZnS x Se 1-x, and the like. .

金属がドープされた無機材料としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。ドープされる金属としては、例えば、Li、Cs、Ba、Sr、Ca、Be、Mg、Sc、Y、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Ti、Sn、Pb、Bi等が挙げられる。また、これらの金属がドープされる無機材料としては、例えば、上記の金属または半導体の酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、およびこれらの混合物等が挙げられる。この場合、導電保護層中の金属ドーパントの含有量(金属濃度)としては、体積率で金属ドーパントの含有量が30%以下であることが好ましい。金属ドーパントの含有量が多すぎると、導電保護層が不透明になるおそれがあるからである。   As the inorganic material doped with metal, it is particularly preferable if it has transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact relaxation function and can be formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer. It is not limited. Examples of the metal to be doped include Li, Cs, Ba, Sr, Ca, Be, Mg, Sc, Y, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc, Re, and Fe. , Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Ti, Sn, Pb, Bi, and the like. Examples of the inorganic material doped with these metals include oxides, nitrides, fluorides, sulfides, and mixtures of the above metals or semiconductors. In this case, the content (metal concentration) of the metal dopant in the conductive protective layer is preferably 30% or less in terms of volume ratio. It is because there exists a possibility that a conductive protective layer may become opaque when there is too much content of a metal dopant.

炭素を主成分とする材料としては、衝撃緩和機能を得るために必要な膜厚において透明性を有するものであり、有機EL層に衝撃を与えない成膜方法により成膜できるものであれば特に限定されるものではない。このような炭素を主成分とする材料からなる導電保護層としては、ダイヤモンドライクカーボン膜、アモルファスカーボン膜、フラーレン類の膜、カーボンナノチューブ類の膜等を用いることができる。
なお、ダイヤモンドライクカーボン膜とは、炭素のSP結合成分およびSP結合成分ならびにポリマー成分を含有する非晶質炭素膜をいう。ダイヤモンドライクカーボン膜は、高い硬度を有し、化学的に不活性であり、可視光から赤外線に対して透明であり、高い平滑性を有し、緻密な構造を有する。そのため、外部からの水分、酸素の侵入を防ぐことができる。特に、電子注入層がアルカリ金属やアルカリ土類金属を含有する場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属は酸素による影響を受けやすいが、炭素を主成分とする材料からなる導電保護層は化学的に不活性であるため、電子注入層を効果的に保護することができる。
As a material mainly composed of carbon, a material having transparency at a film thickness necessary for obtaining an impact mitigating function and particularly capable of being formed by a film forming method that does not give an impact to the organic EL layer can be used. It is not limited. As the conductive protective layer made of such a carbon-based material, a diamond-like carbon film, an amorphous carbon film, a fullerene film, a carbon nanotube film, or the like can be used.
The diamond-like carbon film refers to an amorphous carbon film containing an SP 2 bonding component and an SP 3 bonding component of carbon and a polymer component. The diamond-like carbon film has high hardness, is chemically inert, is transparent to visible light to infrared light, has high smoothness, and has a dense structure. Therefore, it is possible to prevent moisture and oxygen from entering from the outside. In particular, when the electron injection layer contains an alkali metal or alkaline earth metal, the alkali metal or alkaline earth metal is easily affected by oxygen, but the conductive protective layer made of a carbon-based material is chemically Since it is inactive, the electron injection layer can be effectively protected.

また、炭素を主成分とする材料は、実質的に炭素のみを含むものであってもよく、炭素以外の金属を含んでいてもよい。炭素と組み合わせて使用することが可能な金属としては、特に限定されるものではなく、仕事関数、透過率、成膜方法等に応じて適宜選択される。例えば、炭素を主成分とする材料が、炭素と、Li、Na、K等のアルカリ金属、または、Mg、Ca、Sr等のアルカリ土類金属とを含有する場合、キャリアドープ効果および電気伝導度を向上させることができる。   Moreover, the material which has carbon as a main component may contain only carbon substantially, and may contain metals other than carbon. The metal that can be used in combination with carbon is not particularly limited, and is appropriately selected depending on the work function, transmittance, film forming method, and the like. For example, when the material containing carbon as a main component contains carbon and an alkali metal such as Li, Na, or K, or an alkaline earth metal such as Mg, Ca, or Sr, the carrier doping effect and electrical conductivity Can be improved.

さらに、化学的気相成長法により炭素を主成分とする材料からなる導電保護層を成膜する場合、原料ガスとして使用する炭化水素系ガスの配合割合を制御することによって、炭素を主成分とする材料の仕事関数を調整することができる。
なお、炭素を主成分とする材料からなる導電保護層については、特開2004−335206公報を参考にすることができる。
Furthermore, when a conductive protective layer made of a material containing carbon as a main component is formed by chemical vapor deposition, carbon is used as the main component by controlling the blending ratio of the hydrocarbon-based gas used as the source gas. The work function of the material to be adjusted can be adjusted.
Note that Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2004-335206 can be referred to for a conductive protective layer made of a material containing carbon as a main component.

また、導電保護層に透明性が要求されない場合においても、上述の無機導電性材料を用いることができる。   In addition, even when the conductive protective layer does not require transparency, the above-described inorganic conductive material can be used.

導電保護層は、単一層であってもよく、2層以上が積層されたものであってもよい。   The conductive protective layer may be a single layer or may be a laminate of two or more layers.

導電保護層の膜厚としては、導電保護層に要求される性質および機能(透明性、導電性、衝撃緩和機能等)、無機導電性材料の種類、ならびに、導電保護層の成膜方法に応じて適宜設定される。   The thickness of the conductive protective layer depends on the properties and functions required for the conductive protective layer (transparency, conductivity, impact mitigation function, etc.), the type of inorganic conductive material, and the method of forming the conductive protective layer. Is set as appropriate.

例えば、導電保護層がフォトレジスト溶媒に不溶もしくは難溶である場合、導電保護層の膜厚は0.5nm以上であることが好ましい。一方、導電保護層がフォトレジスト溶媒に可溶である場合、導電保護層の膜厚は100nm以上であることが好ましい。   For example, when the conductive protective layer is insoluble or hardly soluble in the photoresist solvent, the thickness of the conductive protective layer is preferably 0.5 nm or more. On the other hand, when the conductive protective layer is soluble in a photoresist solvent, the thickness of the conductive protective layer is preferably 100 nm or more.

また例えば、導電保護層が透明性を有する場合、導電保護層の膜厚としては、衝撃緩和機能が発揮され、上記の透過率を満たし、所定の導電性を満たす厚みであることが好ましく、無機導電性材料の種類や、導電保護層の成膜方法に応じて適宜設定される。具体的には、導電保護層が金属または合金からなる層である場合、導電保護層の膜厚は1nm〜30nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは5nm〜20nmの範囲内である。また、導電保護層が、半導体からなる層、あるいは、金属がドープされた無機材料からなる層である場合、導電保護層の膜厚は0.5nm〜1000nmの範囲内であることが好ましく、より好ましくは50nm〜500nmの範囲内である。一方、導電保護層に透明性が要求されない場合、導電保護層の膜厚としては、所定の導電性を満たす厚みであれば、上述の範囲よりも厚くてもよい。   Further, for example, when the conductive protective layer has transparency, the thickness of the conductive protective layer is preferably a thickness that exhibits an impact mitigating function, satisfies the above transmittance, and satisfies a predetermined conductivity. It is set as appropriate according to the type of the conductive material and the method for forming the conductive protective layer. Specifically, when the conductive protective layer is a layer made of a metal or an alloy, the thickness of the conductive protective layer is preferably in the range of 1 nm to 30 nm, and more preferably in the range of 5 nm to 20 nm. Further, when the conductive protective layer is a layer made of a semiconductor or a layer made of an inorganic material doped with a metal, the thickness of the conductive protective layer is preferably in the range of 0.5 nm to 1000 nm. Preferably it exists in the range of 50 nm-500 nm. On the other hand, when the conductive protective layer is not required to be transparent, the thickness of the conductive protective layer may be larger than the above range as long as the thickness satisfies the predetermined conductivity.

導電保護層の成膜方法としては、有機EL層に衝撃を与えない方法であることが好ましい。このような成膜方法としては、例えば、化学的気相成長法(CVD法)や、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法(PVD法)が挙げられる。中でも、CVD法、真空蒸着法が好ましい。CVD法や真空蒸着法では、気体となった物質のもつ運動エネルギーが低いので、有機EL層に対して与えるエネルギーが小さいからである。   The method for forming the conductive protective layer is preferably a method that does not impact the organic EL layer. Examples of such a film forming method include chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD) such as vacuum deposition, sputtering, and ion plating. Of these, the CVD method and the vacuum deposition method are preferable. This is because, in the CVD method or the vacuum deposition method, the energy given to the organic EL layer is small because the kinetic energy of the gas substance is low.

また、導電保護層の成膜方法としては、上記の無機導電性材料を含有する導電保護層形成用塗工液を塗布する方法を用いることもできる。さらに、導電保護層がフィルム状に成形されている場合は、直接または粘着剤を介して、有機EL層上に導電保護層を積層または転写することもできる。   Moreover, as a film-forming method of a conductive protective layer, the method of apply | coating the coating liquid for conductive protective layer formation containing said inorganic conductive material can also be used. Furthermore, when the conductive protective layer is formed into a film shape, the conductive protective layer can be laminated or transferred onto the organic EL layer directly or via an adhesive.

特に、導電保護層の成膜方法としては真空蒸着法が好適である。真空蒸着法では、上述した利点があるだけではなく、酸素等の反応性を有する気体が導入されないからである。このため、電子注入層がアルカリ金属やアルカリ土類金属等の反応性の高い金属を含有する場合であっても、この金属の酸化を回避することができる。
したがって、CVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法を用いる場合においても、酸素等の反応性を有する気体を導入せず、希ガス等の反応性のない気体を導入することが好ましい。
In particular, a vacuum deposition method is suitable as a method for forming the conductive protective layer. This is because the vacuum deposition method not only has the above-described advantages but also does not introduce a reactive gas such as oxygen. For this reason, even when the electron injection layer contains a highly reactive metal such as an alkali metal or an alkaline earth metal, oxidation of the metal can be avoided.
Therefore, even when the CVD method, the sputtering method, or the ion plating method is used, it is preferable to introduce a non-reactive gas such as a rare gas without introducing a reactive gas such as oxygen.

真空蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、フラッシュ蒸着法、アーク蒸着法、レーザー蒸着法、高周波加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法等を挙げることができる。   Examples of the vacuum deposition method include a resistance heating deposition method, a flash deposition method, an arc deposition method, a laser deposition method, a high frequency heating deposition method, and an electron beam deposition method.

また、有機EL層上に導電保護層形成用塗工液を塗布して導電保護層を形成する場合、この導電保護層形成用塗工液に用いられる溶媒は、有機EL層を構成する有機層のうち、最上層の有機層を溶解しないものであることが好ましい。例えば、有機EL層として正孔注入層および発光層が形成されており、発光層上に導電保護層を形成する場合、上記溶媒は、発光層を溶解しないものであることが好ましい。この場合、上記溶媒は、正孔注入層を溶解するものであってもよく、溶解しないものであってもよい。   Moreover, when apply | coating the coating liquid for conductive protective layer formation on an organic EL layer, and forming a conductive protective layer, the solvent used for this coating liquid for conductive protective layer formation is the organic layer which comprises an organic EL layer. Among them, it is preferable that the uppermost organic layer is not dissolved. For example, when a hole injection layer and a light emitting layer are formed as the organic EL layer, and the conductive protective layer is formed on the light emitting layer, the solvent is preferably one that does not dissolve the light emitting layer. In this case, the solvent may dissolve the hole injection layer or may not dissolve it.

このような溶媒としては、上記の無機導電性材料を溶解もしくは分散することができ、上記の性質を満たすものであればよく、例えば、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、2種類以上を混合して用いてもよい。   Such a solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the above-described inorganic conductive material and satisfies the above-mentioned properties. Examples thereof include alcohols, ketones, ethers, esters, and the like. Can do. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

また、導電保護層形成用塗工液が、最上層の有機層を溶解する溶媒を含んでいる場合であっても、最上層の有機層がその溶媒に難溶もしくは不溶であればよい。   Further, even when the conductive protective layer forming coating solution contains a solvent that dissolves the uppermost organic layer, the uppermost organic layer may be insoluble or insoluble in the solvent.

導電保護層形成用塗工液の塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスティング法、フレキソ印刷法等を挙げることができる。   As a coating method of the conductive protective layer forming coating solution, for example, dip coating method, roll coating method, blade coating method, spin coating method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, wire bar coating method, Examples thereof include a casting method and a flexographic printing method.

3.フォトレジスト層形成工程
本態様におけるフォトレジスト層形成工程は、導電保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成する工程である。
3. Photoresist Layer Forming Step The photoresist layer forming step in this embodiment is a step of forming a photoresist layer by applying a photoresist on the conductive protective layer.

本態様に用いられるフォトレジストは、ポジ型およびネガ型のいずれであってもよい。中でも、フォトレジストの剥離し易さを考慮すると、ポジ型フォトレジストが好ましい。フォトレジストとしては、一般的なものを用いることができ、例えば、ノボラック系樹脂、ゴム+ビスアジド系樹脂等を挙げることができる。   The photoresist used in this embodiment may be either a positive type or a negative type. Among these, considering the ease of peeling off the photoresist, a positive photoresist is preferable. As a photoresist, a general thing can be used, For example, a novolak-type resin, rubber | gum + bis azide-type resin etc. can be mentioned.

また、フォトレジストに用いられるフォトレジスト溶媒としては、導電保護層上にフォトレジストを塗布した際に導電保護層がフォトレジストに混合したり溶解したりするのを防ぐために、無機導電性材料等を溶解しないものであることが好ましい。このようなフォトレジスト溶媒としては、例えば特開2006−318876号公報に記載のものを用いることができる。   In addition, as a photoresist solvent used for the photoresist, an inorganic conductive material or the like is used to prevent the conductive protective layer from being mixed or dissolved in the photoresist when the photoresist is applied on the conductive protective layer. It is preferable that it does not dissolve. As such a photoresist solvent, for example, those described in JP-A-2006-318876 can be used.

フォトレジストの塗布方法としては、基板上の全面に塗布することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビアコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷法等が用いられる。   The method for applying the photoresist is not particularly limited as long as it can be applied to the entire surface of the substrate. For example, the spin coating method, the casting method, the dip coating method, the bar coating method, and the blade coating method. Roll coating method, gravure coating method, spray coating method, flexographic printing method and the like are used.

フォトレジスト層の膜厚は、特に限定されるものではないが、後述する有機EL層パターニング工程にて、導電保護層および有機EL層をドライエッチングする場合には、0.1μm〜10μmの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは0.5μm〜5μmの範囲内である。フォトレジスト層の膜厚が上記範囲であれば、レジスト機能を保ったまま、加工精度の高いドライエッチングが可能となるからである。   The film thickness of the photoresist layer is not particularly limited, but is 0.1 μm to 10 μm when the conductive protective layer and the organic EL layer are dry-etched in the organic EL layer patterning step described later. Preferably, it is in the range of 0.5 μm to 5 μm. This is because if the thickness of the photoresist layer is in the above range, dry etching with high processing accuracy can be performed while maintaining the resist function.

4.フォトレジスト層パターニング工程
本態様におけるフォトレジスト層パターニング工程は、フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、発光領域のフォトレジスト層が残存するようにフォトレジスト層をパターニングする工程である。
4). Photoresist Layer Patterning Step The photoresist layer patterning step in this embodiment is a step of patterning the photoresist layer so that the photoresist layer in the light emitting region remains by pattern exposure and development of the photoresist layer.

フォトレジスト層をパターン露光する方法としては、例えば、フォトマスクを介して露光する方法、レーザー描画法など、一般的な方法を用いることができる。   As a method for pattern exposure of the photoresist layer, for example, a general method such as a method of exposing through a photomask or a laser drawing method can be used.

パターン露光の際、ポジ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が非露光領域となるように露光し、ネガ型フォトレジストを用いた場合には、少なくとも発光領域が露光領域となるように露光する。   At the time of pattern exposure, when a positive photoresist is used, exposure is performed so that at least the light emitting region is a non-exposed region, and when a negative photoresist is used, at least the light emitting region is an exposed region. To expose.

本態様に用いられるフォトレジスト現像液としては、無機導電性材料等を溶解しないものであれば特に限定されるものではない。このようなフォトレジスト現像液としては、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できる。また、フォトレジスト現像液として、無機アルカリ系現像液や、第1色用フォトレジスト層の現像が可能な水溶液を使用することもできる。   The photoresist developer used in this embodiment is not particularly limited as long as it does not dissolve the inorganic conductive material or the like. As such a photoresist developer, a generally used organic alkaline developer can be used. Further, as the photoresist developer, an inorganic alkaline developer or an aqueous solution capable of developing the first color photoresist layer can also be used.

また、フォトレジスト層を現像した後は、水で洗浄するのが好ましい。   Moreover, it is preferable to wash with water after developing the photoresist layer.

5.有機EL層パターニング工程
本態様における有機EL層パターニング工程は、フォトレジスト層が除去された部分の導電保護層および有機EL層を除去することにより、導電保護層および有機EL層をパターニングする工程である。
5. Organic EL layer patterning step The organic EL layer patterning step in this embodiment is a step of patterning the conductive protective layer and the organic EL layer by removing the portion of the conductive protective layer and the organic EL layer from which the photoresist layer has been removed. .

導電保護層および有機EL層の除去方法としては、導電保護層および有機EL層を溶解する溶媒を用いるウェットエッチング、およびドライエッチングのいずれも用いることができる。中でも、混色等が生じにくく、また高精細なパターニングが可能であることから、ドライエッチングが好ましい。   As a method for removing the conductive protective layer and the organic EL layer, both wet etching using a solvent that dissolves the conductive protective layer and the organic EL layer, and dry etching can be used. Among these, dry etching is preferable because color mixing or the like hardly occurs and high-definition patterning is possible.

ウェットエッチングでは、フォトレジスト層を溶解することなく、導電保護層および有機EL層を溶解することができる溶媒を用いて、フォトレジスト層が除去された部分の導電保護層および有機EL層を溶解して除去する。この際に使用できる溶媒としては、上述した発光層形成用塗工液、正孔注入層形成用塗工液、導電保護層形成用塗工液等に用いられる溶媒を例示することができる。   In the wet etching, the conductive protective layer and the organic EL layer of the portion from which the photoresist layer has been removed are dissolved using a solvent that can dissolve the conductive protective layer and the organic EL layer without dissolving the photoresist layer. To remove. Examples of the solvent that can be used in this case include the solvents used in the above-described light emitting layer forming coating solution, hole injection layer forming coating solution, and conductive protective layer forming coating solution.

また、ウェットエッチングでは、超音波浴中で導電保護層および有機EL層の除去を行ってもよい。超音波浴を用いることにより、例えば発光層のパターンの線幅が細くなったり、発光層から発光材料等が流出したりするのを防ぐことができ、高精度のパターニングが可能となるからである。また、短時間で高精度のパターニングが可能となる点でも好ましい。   In wet etching, the conductive protective layer and the organic EL layer may be removed in an ultrasonic bath. By using an ultrasonic bath, for example, it is possible to prevent the line width of the light emitting layer pattern from being narrowed or to prevent the light emitting material or the like from flowing out of the light emitting layer, thereby enabling highly accurate patterning. . Further, it is also preferable in that high-precision patterning can be performed in a short time.

この超音波浴に用いる超音波の条件は、25℃、20〜100KHzの発振周波数で、0.1〜60秒間が好ましい。このような条件とすることで、短時間で精度の高いパターニングが可能となるからである。   The ultrasonic conditions used for this ultrasonic bath are preferably at an oscillation frequency of 25 ° C. and 20 to 100 KHz, and 0.1 to 60 seconds. This is because such a condition enables high-precision patterning in a short time.

また、ドライエッチングでは、フォトレジスト層の膜厚が導電保護層および有機EL層よりもかなり厚いことから、基板に対して全体的にドライエッチングを行うことにより、フォトレジスト層が除去された部分の導電保護層および有機EL層を除去することができる。ドライエッチングを用いれば、エッチングの端部をよりシャープとすることができるため、導電保護層および有機EL層のパターンの端部に存在する膜厚不均一領域をより狭くすることができ、その結果、より高精細なパターニングが可能となる。   In dry etching, the thickness of the photoresist layer is considerably thicker than that of the conductive protective layer and the organic EL layer. Therefore, by performing dry etching on the entire substrate, the portion of the photoresist layer removed is removed. The conductive protective layer and the organic EL layer can be removed. If dry etching is used, the edge of the etching can be made sharper, so that the non-uniform film thickness region existing at the edge of the pattern of the conductive protective layer and the organic EL layer can be made narrower. Higher definition patterning is possible.

ドライエッチングの方法としては、例えば、大気圧プラズマエッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、不活性ガスによるプラズマエッチング、レーザー、イオンビーム等によるエッチングなどを用いることができる。   As a dry etching method, for example, atmospheric pressure plasma etching, reactive ion etching (RIE), plasma etching using an inert gas, etching using a laser, an ion beam, or the like can be used.

反応性イオンエッチングでは、有機膜が化学的に反応を受け、分子量の小さい化合物となることにより、気化・蒸発して除去される。このため、反応性イオンエッチングを用いた場合には、エッチング精度が高く、短時間での加工が可能となる。   In reactive ion etching, an organic film undergoes a chemical reaction to become a compound having a low molecular weight, which is removed by vaporization and evaporation. For this reason, when reactive ion etching is used, etching accuracy is high and processing in a short time is possible.

また、大気圧プラズマエッチングを用いた場合には、真空装置を要することがなく、処理時間の短縮およびコストの低減が可能である。大気圧プラズマエッチングでは、プラズマ化した大気中の酸素によって有機物が酸化分解することを利用する。この際、ガスの置換および循環によって、反応雰囲気のガス組成を任意に調整してもよい。   In addition, when atmospheric pressure plasma etching is used, a vacuum apparatus is not required, and the processing time and cost can be reduced. Atmospheric pressure plasma etching utilizes the fact that organic substances are oxidatively decomposed by oxygen in the atmosphere that has been turned into plasma. At this time, the gas composition of the reaction atmosphere may be arbitrarily adjusted by gas replacement and circulation.

さらに、ドライエッチングに際して、酸素単体または酸素を含むガスを用いてもよい。酸素単体または酸素を含むガスを用いることで、有機膜の酸化反応による分解除去が可能であり、不要な有機物を除去することができるからである。   Further, in dry etching, oxygen alone or a gas containing oxygen may be used. This is because by using oxygen alone or a gas containing oxygen, the organic film can be decomposed and removed by an oxidation reaction, and unnecessary organic substances can be removed.

6.剥離工程
本態様における剥離工程は、残存するフォトレジスト層を剥離する工程である。
6). Stripping Step The stripping step in this embodiment is a step of stripping the remaining photoresist layer.

フォトレジスト層を剥離する方法としては、フォトレジスト剥離液に基板を浸漬させる方法、フォトレジスト剥離液をシャワー状に基板に噴出する方法等を用いることができる。   As a method of peeling the photoresist layer, a method of immersing the substrate in a photoresist stripping solution, a method of spraying the photoresist stripping solution on the substrate in a shower shape, or the like can be used.

フォトレジスト剥離液は、導電保護層および有機EL層を溶解せずに、フォトレジスト層を溶解することができるものであれば特に限定されるものではなく、使用するフォトレジストおよび無機導電性材料の組み合わせ等により異なるものであり、適宜選択される。   The photoresist stripping solution is not particularly limited as long as it can dissolve the photoresist layer without dissolving the conductive protective layer and the organic EL layer, and the photoresist and the inorganic conductive material to be used are not limited. It differs depending on the combination and the like, and is appropriately selected.

このようなフォトレジスト剥離液としては、上述したフォトレジスト溶媒を使用することができる。また、ポジ型フォトレジストを用いた場合は、フォトレジスト現像液をフォトレジスト剥離液として用いることができる。さらに、フォトレジスト剥離液として、例えば特開2006−318876号公報に記載のものを用いてもよい。   As such a photoresist stripping solution, the above-described photoresist solvent can be used. When a positive photoresist is used, a photoresist developer can be used as the photoresist stripping solution. Further, as the photoresist stripping solution, for example, the one described in JP-A-2006-318876 may be used.

7.第2電極層形成工程
本態様における第2電極層形成工程は、上記剥離工程後に露出した導電保護層上に第2電極層を形成する工程である。
7). Second electrode layer forming step The second electrode layer forming step in this aspect is a step of forming the second electrode layer on the conductive protective layer exposed after the peeling step.

本態様に用いられる第2電極層は、陽極であってもよく陰極であってもよい。一般に、有機EL素子を製造する際には、陽極側から積層する方が安定して有機EL素子を作製することができることから、第2電極層が陰極であることが好ましい。   The second electrode layer used in this embodiment may be an anode or a cathode. In general, when an organic EL element is produced, it is preferable that the second electrode layer is a cathode because the organic EL element can be stably produced by laminating from the anode side.

また、第2電極層は、透明性を有していても有さなくてもよく、光の取り出し面に応じて適宜選択される。例えば図1(h)に示す有機EL素子においてトップエミッション型とする場合、第2電極層9は透明性を有することが好ましい。一方、例えば図1(h)に示す有機EL素子においてボトムエミッション型とする場合、第2電極層9に透明性は要求されない。また、例えば図1(h)に示す有機EL素子において両面から光を取り出す場合には、第2電極層9は透明性を有することが好ましい。   The second electrode layer may or may not have transparency, and is appropriately selected according to the light extraction surface. For example, in the case of the top emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the second electrode layer 9 preferably has transparency. On the other hand, for example, in the case of the bottom emission type in the organic EL element shown in FIG. 1 (h), the second electrode layer 9 is not required to be transparent. For example, when light is extracted from both sides in the organic EL element shown in FIG. 1H, the second electrode layer 9 preferably has transparency.

第2電極層には、上記有機EL層形成工程の第1電極層の項に記載した導電性材料を用いることができる。中でも、本態様においては、導電保護層によって第2電極層成膜時の衝撃による有機EL層へのダメージを緩和することができることから、第2電極層に用いられる導電性材料としては、融点が高く、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等のような成膜時のエネルギーが高い成膜方法によって成膜できるものであることが好ましい。   For the second electrode layer, the conductive material described in the section of the first electrode layer in the organic EL layer forming step can be used. In particular, in this embodiment, since the conductive protective layer can reduce damage to the organic EL layer due to impact during film formation of the second electrode layer, the conductive material used for the second electrode layer has a melting point. It is preferable that the film can be formed by a film forming method that is high and has high energy during film formation, such as a sputtering method or an ion plating method.

このような導電性材料としては、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、Zn−O−Al、Zn−Sn−O等の無機酸化物、または、Ag等の反応性の比較的低い金属を挙げることができる。特に、上記導電性材料としては、上記無機酸化物が好ましい。無機酸化物は、スパッタリング法またはイオンプレーティング法等により成膜可能であり、緻密な膜を得ることができるからである。   As such a conductive material, an inorganic oxide such as In—Zn—O (IZO), In—Sn—O (ITO), Zn—O—Al, Zn—Sn—O, or a reaction such as Ag is used. Mention may be made of metals with relatively low properties. In particular, as the conductive material, the inorganic oxide is preferable. This is because the inorganic oxide can be formed by a sputtering method, an ion plating method, or the like, and a dense film can be obtained.

また、第2電極層の厚みとしては、特に限定されるものではなく、用いる導電性材料に応じて適宜設定される。具体的には、第2電極層の厚みとしては、無機酸化物を用いた場合は40nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、金属を用いた場合は1nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。第2電極層の厚みが薄すぎると、抵抗が高くなり、第2電極層の厚みが厚すぎると、透過率が低くなる場合があるからである。   Further, the thickness of the second electrode layer is not particularly limited, and is appropriately set according to the conductive material to be used. Specifically, the thickness of the second electrode layer is preferably within a range of 40 nm to 500 nm when an inorganic oxide is used, and within a range of 1 nm to 500 nm when a metal is used. preferable. This is because if the thickness of the second electrode layer is too thin, the resistance will be high, and if the thickness of the second electrode layer is too thick, the transmittance may be low.

第2電極層の成膜方法としては、例えばCVD法、または真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のPVD法が挙げられる。中でも、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が好ましい。これらの方法は、成膜エネルギーが高いために、上記無機酸化物等の融点が高い材料も成膜することができ、さらに成膜効率が良いからである。   Examples of the method for forming the second electrode layer include a CVD method or a PVD method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method. Of these, sputtering and ion plating are preferred. This is because these methods have high film formation energy, so that a material having a high melting point such as the above-described inorganic oxide can be formed, and the film formation efficiency is further improved.

8.その他の工程
本態様の有機EL素子の製造方法は、少なくとも1色の発光層をパターン状に形成するものであり、上記の有機EL層形成工程、導電保護層形成工程、フォトレジスト層形成工程、フォトレジスト層パターニング工程、および有機EL層パターニング工程を複数回繰り返し行うことにより、2色、3色、4色または5色の発光層をパターン状に形成することができる。
8). Other Steps The method for producing an organic EL device of this aspect is to form at least one color light emitting layer in a pattern, and the organic EL layer forming step, the conductive protective layer forming step, the photoresist layer forming step, By repeating the photoresist layer patterning step and the organic EL layer patterning step a plurality of times, it is possible to form light emitting layers of two colors, three colors, four colors, or five colors in a pattern.

また、本態様においては、上記剥離工程後に、導電保護層の表面を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。これにより、導電保護層表面に残留する成分を取り除くことができるからである。   Moreover, in this aspect, you may perform the washing | cleaning process which wash | cleans the surface of a conductive protective layer after the said peeling process. This is because components remaining on the surface of the conductive protective layer can be removed.

洗浄工程においては、洗浄液を用いて、導電保護層表面を洗浄する。洗浄液としては、フォトレジスト層を溶解し、かつ、導電保護層および有機EL層を溶解しない溶剤を用いることができる。このような洗浄液としては、上述のフォトレジスト剥離液を用いることができる。   In the cleaning step, the conductive protective layer surface is cleaned using a cleaning liquid. As the cleaning liquid, a solvent that dissolves the photoresist layer and does not dissolve the conductive protective layer and the organic EL layer can be used. As such a cleaning liquid, the above-described photoresist stripping liquid can be used.

さらに、本態様においては、上記剥離工程後に、導電保護層の表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行ってもよい。これにより、導電保護層表面に残留する成分を取り除くことができるからである。   Furthermore, in this aspect, you may perform the plasma processing process which plasma-processes the surface of a conductive protective layer after the said peeling process. This is because components remaining on the surface of the conductive protective layer can be removed.

プラズマ処理の際に用いられる導入ガスとしては、一般的に用いられているガスを使用することが可能である。中でも、フォトレジスト残渣のみを除去し、導電保護層および有機EL層への影響が少ないガスであることが好ましい。このようなガスとしては、フッ素またはフッ素化合物を含んだガス、塩素または塩素化合物を含んだガス、酸素、アルゴン、窒素等が挙げられる。導入ガスとして、2種類以上の混合ガスを用いてもよい。   As the introduced gas used in the plasma treatment, a generally used gas can be used. Especially, it is preferable that it is a gas which removes only a photoresist residue and has little influence on a conductive protective layer and an organic EL layer. Examples of such a gas include a gas containing fluorine or a fluorine compound, a gas containing chlorine or a chlorine compound, oxygen, argon, nitrogen, and the like. Two or more kinds of mixed gases may be used as the introduction gas.

II.第2態様
本発明の有機EL素子の製造方法の第2態様は、N色(Nは2以上の整数)の発光層をパターン状に形成する有機EL素子の製造方法であって、第1電極層が形成され、第1色発光層を少なくとも含む第1色目の有機EL層から第(N−1)色発光層を少なくとも含む第(N−1)色目の有機EL層までがそれぞれパターン状に形成され、上記各有機EL層の表面にそれぞれ無機導電性材料を含有する導電保護層およびフォトレジスト層がこの順に積層された基板上に、少なくとも第N色発光層を含む第N色目の有機EL層を形成する有機EL層形成工程と、上記第N色目の有機EL層上に、無機導電性材料を含有する第N色用導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、上記第N色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第N色用フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、上記第N色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第N色発光領域の上記第N色用フォトレジスト層が残存するように上記第N色用フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、上記第N色用フォトレジスト層が除去された部分の上記第N色用導電保護層および上記第N色目の有機EL層を除去することにより、上記第N色用導電保護層および上記第N色目の有機EL層をパターニングする有機EL層パターニング工程と、残存する上記各フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に露出した上記各導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。
II. 2nd aspect The 2nd aspect of the manufacturing method of the organic EL element of this invention is a manufacturing method of the organic EL element which forms the light emitting layer of N color (N is an integer greater than or equal to 2) in pattern, Comprising: 1st electrode Layers are formed, and each of the first color organic EL layer including at least the first color light emitting layer to the (N-1) th color organic EL layer including at least the (N-1) color light emitting layer is patterned. An organic EL of the Nth color including at least the Nth color light emitting layer on a substrate formed and laminated with a conductive protective layer and a photoresist layer containing an inorganic conductive material on the surface of each organic EL layer in this order. An organic EL layer forming step of forming a layer, a conductive protective layer forming step of forming an Nth color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the Nth organic EL layer, and the Nth color Apply a photoresist on the conductive protective layer for A photoresist layer forming step for forming an N-color photoresist layer, and pattern exposure of the N-th color photoresist layer and development to leave the N-th color photoresist layer in the N-color light emitting region A photoresist layer patterning step of patterning the Nth color photoresist layer, and the Nth color conductive protective layer and the Nth color organic layer in a portion where the Nth color photoresist layer is removed. By removing the EL layer, an organic EL layer patterning step for patterning the N-th color conductive protective layer and the N-th color organic EL layer, a peeling step for peeling off each remaining photoresist layer, and And a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on each of the conductive protective layers exposed after the peeling step.

本態様の有機EL素子の製造方法は、第N色発光層をパターニングする工程を表現したものであるが、第2色から第(N−1)色までの発光層についても上記の第N色発光層をパターニングする工程と同様にしてパターニングすることができる。また、第1色発光層についても上記の第N色発光層をパターニングする工程と同様にしてパターニングすることができる。
以下、具体例として、3色の発光層をパターン状に形成する有機EL素子の製造方法について説明する。
The manufacturing method of the organic EL element of this aspect expresses the step of patterning the Nth color light emitting layer, but the Nth color is also applied to the light emitting layers from the second color to the (N-1) th color. Patterning can be performed in the same manner as the step of patterning the light emitting layer. The first color light emitting layer can also be patterned in the same manner as the patterning process of the Nth color light emitting layer.
Hereinafter, as a specific example, a method for manufacturing an organic EL element in which three color light emitting layers are formed in a pattern will be described.

すなわち、本態様の3色の発光層をパターン状に形成する有機EL素子の製造方法は、第1電極層が形成された基板上に、少なくとも第1色発光層を含む第1色目の有機EL層を形成する第1色目の有機EL層形成工程と、上記第1色目の有機EL層上に、無機導電性材料を含有する第1色用導電保護層を形成する第1色用導電保護層形成工程と、上記第1色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第1色用フォトレジスト層を形成する第1色用フォトレジスト層形成工程と、上記第1色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第1色発光領域の上記第1色用フォトレジスト層が残存するように上記第1色用フォトレジスト層をパターニングする第1色用フォトレジスト層パターニング工程と、上記第1色用フォトレジスト層が除去された部分の上記第1色用導電保護層および上記第1色目の有機EL層を除去することにより、上記第1色目の有機EL層パターニング工程と、上記第1色目の有機EL層、上記第1色用導電保護層および上記第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第2色発光層を含む第2色目の有機EL層を形成する第2色目の有機EL層形成工程と、上記第2色目の有機EL層上に、無機導電性材料を含有する第2色用導電保護層を形成する第2色用導電保護層形成工程と、上記第2色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第2色用フォトレジスト層を形成する第2色用フォトレジスト層形成工程と、上記第2色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第2色発光領域の上記第2色用フォトレジスト層が残存するように上記第2色用フォトレジスト層をパターニングする第2色用フォトレジスト層パターニング工程と、上記第2色用フォトレジスト層が除去された部分の上記第2色用導電保護層および上記第2色目の有機EL層を除去することにより、上記第2色用導電保護層および上記第2色目の有機EL層をパターニングする第2色目の有機EL層パターニング工程と、上記第1色目の有機EL層、上記第1色用導電保護層および上記第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに上記第2色目の有機EL層、上記第2色用導電保護層および上記第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第3色発光層を含む第3色目の有機EL層を形成する第3色目の有機EL層形成工程と、上記第3色目の有機EL層上に、無機導電性材料を含有する第3色用導電保護層を形成する第3色用導電保護層形成工程と、上記第3色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第3色用フォトレジスト層を形成する第3色用フォトレジスト層形成工程と、上記第3色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第3色発光領域の上記第3色用フォトレジスト層が残存するように上記第3色用フォトレジスト層をパターニングする第3色用フォトレジスト層パターニング工程と、上記第3色用フォトレジスト層が除去された部分の上記第3色用導電保護層および上記第3色目の有機EL層を除去することにより、上記第3色用導電保護層および上記第3色目の有機EL層をパターニングする第3色目の有機EL層パターニング工程と、残存する上記第1色用フォトレジスト層、上記第2色用フォトレジスト層および上記第3色用フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に露出した上記第1色用導電保護層、上記第2色用導電保護層および上記第3色用導電保護層の上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程とを有することを特徴とするものである。   That is, in the method for manufacturing an organic EL element in which the three color light emitting layers of this aspect are formed in a pattern, the first color organic EL including at least the first color light emitting layer on the substrate on which the first electrode layer is formed. A first color organic EL layer forming step for forming a layer, and a first color conductive protective layer for forming a first color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the first color organic EL layer Forming a photoresist layer on the first color conductive protective layer to form a first color photoresist layer; and forming the first color photoresist layer. A first color photoresist layer patterning step of patterning the first color photoresist layer so that the first color photoresist layer remains in the first color light emitting region by pattern exposure and development; Photo for the first color The first color organic EL layer patterning step and the first color organic EL layer are removed by removing the first color conductive protective layer and the first color organic EL layer from which the dyst layer has been removed. A second color organic EL layer including at least a second color light emitting layer is formed on a substrate on which the first color conductive protective layer and the first color photoresist layer are formed in a pattern. A color organic EL layer forming step, a second color conductive protective layer forming step of forming a second color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the second color organic EL layer; A photoresist is applied on the two-color conductive protective layer, a second-color photoresist layer forming step for forming a second-color photoresist layer, and pattern-exposing and developing the second-color photoresist layer. Of the second color light emitting region The second-color photoresist layer patterning step for patterning the second-color photoresist layer so that the second-color photoresist layer remains, and the portion where the second-color photoresist layer is removed Patterning the second color organic EL layer by removing the second color conductive protective layer and the second color organic EL layer to pattern the second color conductive protective layer and the second color organic EL layer And a first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are formed in a pattern, and the second color organic EL layer and the second color are formed. A third color organic EL layer that forms a third color organic EL layer including at least a third color light-emitting layer on a substrate on which a conductive protective layer and a second color photoresist layer are formed in a pattern. A layer forming step, a third color conductive protective layer forming step of forming a third color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the third color organic EL layer, and the third color conductive layer. A third color photoresist layer forming step of applying a photoresist on the protective layer to form a third color photoresist layer, pattern exposing the third color photoresist layer, and developing the third color photoresist layer. A third-color photoresist layer patterning step of patterning the third-color photoresist layer so that the third-color photoresist layer in the three-color light emitting region remains, and the third-color photoresist layer is removed; The third color conductive protective layer and the third color organic EL layer are removed by removing the third color conductive protective layer and the third color organic EL layer. The organic L layer patterning step, stripping step for stripping the remaining first color photoresist layer, the second color photoresist layer and the third color photoresist layer, and the first exposed after the stripping step. And a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on the color conductive protective layer, the second color conductive protective layer, and the third color conductive protective layer. .

本態様の有機EL素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図2〜図4は、本態様の有機EL素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板1上に第1電極層2をパターン状に形成し、この第1電極層2のパターン間に絶縁層3を形成し、第1電極層2および絶縁層3の上に第1色用正孔注入層4aおよび第1色発光層5aを形成し、第1色目の有機EL層6aとする(図2(a)、第1色目の有機EL層形成工程)。次いで、第1色発光層5a上に第1色用導電保護層7aを形成する(図2(b)、第1色用導電保護層形成工程)。次に、第1色用導電保護層7a上にポジ型フォトレジストを塗布して、第1色用フォトレジスト層8aを形成する(図2(c)、第1色用フォトレジスト層形成工程)。次いで、少なくとも第1色発光領域10aの第1色用フォトレジスト層8aが残存するように、フォトマスク11を介して第1色用フォトレジスト層8aをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第1色用フォトレジスト層8a´を形成する(図2(d)および(e)、第1色用フォトレジスト層パターニング工程)。次に、第1色用フォトレジスト層の除去により露出した部分の第1色用導電保護層、第1色発光層および第1色用正孔注入層を除去することにより、パターン状の第1色用導電保護層7a´、第1色発光層5a´および第1色用正孔注入層4a´を形成する(図2(f)、第1色目の有機EL層パターニング工程)。
The manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated referring drawings.
2-4 is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect. First, the first electrode layer 2 is formed in a pattern on the substrate 1, the insulating layer 3 is formed between the patterns of the first electrode layer 2, and the first color is formed on the first electrode layer 2 and the insulating layer 3. The positive hole injection layer 4a and the first color light emitting layer 5a are formed to form the first color organic EL layer 6a (FIG. 2A, the first color organic EL layer forming step). Next, a first color conductive protective layer 7a is formed on the first color light emitting layer 5a (FIG. 2B, first color conductive protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the first color conductive protective layer 7a to form a first color photoresist layer 8a (FIG. 2C, first color photoresist layer forming step). . Next, the first color photoresist layer 8a is subjected to pattern exposure through the photomask 11 so that at least the first color photoresist layer 8a in the first color light emitting region 10a remains, and then developed with a photoresist developer. Then, a patterned first color photoresist layer 8a 'is formed by washing (FIGS. 2D and 2E, first color photoresist layer patterning step). Next, by removing the first color conductive protective layer, the first color light emitting layer, and the first color hole injection layer exposed by the removal of the first color photoresist layer, the patterned first The color conductive protective layer 7a ′, the first color light emitting layer 5a ′, and the first color hole injection layer 4a ′ are formed (FIG. 2F, the first color organic EL layer patterning step).

次に、パターン状の第1色用フォトレジスト層8a´、第1色用導電保護層7a´、第1色発光層5a´および第1色用正孔注入層4a´が形成された基板1上に、第2色用正孔注入層4bおよび第2色発光層5bを形成し、第2色目の有機EL層6bとする(図2(g)、第2色目の有機EL層形成工程)。次いで、第2色発光層5b上に第2色用導電保護層7bを形成する(図2(h)、第2色用導電保護層形成工程)。次に、第2色用導電保護層7b上にポジ型フォトレジストを塗布して、第2色用フォトレジスト層8bを形成する(図3(a)、第2色用フォトレジスト層形成工程)。次いで、少なくとも第2色発光領域10bの第2色用フォトレジスト層8bが残存するように、フォトマスク11を介して第2色用フォトレジスト層8bをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第2色用フォトレジスト層8b´を形成する(図3(b)および(c)、第2色用フォトレジスト層パターニング工程)。次に、第2色用フォトレジスト層の除去により露出した部分の第2色用導電保護層、第2色発光層および第2色用正孔注入層を除去することにより、パターン状の第2色用導電保護層7b´、第2色発光層5b´および第2色用正孔注入層4b´を形成する(図3(d)、第2色目の有機EL層パターニング工程)。   Next, the substrate 1 on which the patterned first color photoresist layer 8a ′, the first color conductive protective layer 7a ′, the first color light emitting layer 5a ′, and the first color hole injection layer 4a ′ are formed. A second color hole injection layer 4b and a second color light emitting layer 5b are formed thereon to form a second color organic EL layer 6b (FIG. 2G, second color organic EL layer forming step). . Next, the second color conductive protective layer 7b is formed on the second color light emitting layer 5b (FIG. 2H, second color conductive protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the second color conductive protective layer 7b to form a second color photoresist layer 8b (FIG. 3A, second color photoresist layer forming step). . Next, the second color photoresist layer 8b is subjected to pattern exposure through the photomask 11 so that at least the second color photoresist layer 8b in the second color light emitting region 10b remains, and then developed with a photoresist developer. Then, by washing, a patterned second color photoresist layer 8b 'is formed (FIGS. 3B and 3C, second color photoresist layer patterning step). Next, by removing the second color conductive protective layer, the second color light emitting layer, and the second color hole injection layer exposed by the removal of the second color photoresist layer, the patterned second layer is removed. A color conductive protective layer 7b ′, a second color light emitting layer 5b ′, and a second color hole injection layer 4b ′ are formed (FIG. 3D, organic EL layer patterning step of the second color).

次に、パターン状の第1色用フォトレジスト層8a´、第1色用導電保護層7a´、第1色発光層5a´および第1色用正孔注入層4a´、ならびにパターン状の第2色用フォトレジスト層8b´、第2色用導電保護層7b´、第2色発光層5b´および第2色用正孔注入層4b´が形成された基板1上に、第3色用正孔注入層4cおよび第3色発光層5cを形成し、第3色目の有機EL層6cとする(図3(e)、第3色目の有機EL層形成工程)。次いで、第3色発光層5c上に第3色用導電保護層7cを形成する(図3(f)、第3色用導電保護層形成工程)。次に、第3色用導電保護層7c上にポジ型フォトレジストを塗布して、第3色用フォトレジスト層8cを形成する(図3(g)、第3色用フォトレジスト層形成工程)。次いで、少なくとも第3色発光領域10cの第3色用フォトレジスト層8cが残存するように、フォトマスク11を介して第3色用フォトレジスト層8cをパターン露光した後、フォトレジスト現像液により現像し、洗浄することにより、パターン状の第3色用フォトレジスト層8c´を形成する(図4(a)および(b)、第3色用フォトレジスト層パターニング工程)。次に、第3色用フォトレジスト層の除去により露出した部分の第3色用導電保護層、第3色発光層および第3色用正孔注入層を除去することにより、パターン状の第3色用導電保護層7c´、第3色発光層5c´および第3色用正孔注入層4c´を形成する(図4(c)、第2色目の有機EL層パターニング工程)。   Next, a patterned first color photoresist layer 8a ', a first color conductive protective layer 7a', a first color light emitting layer 5a ', a first color hole injection layer 4a', and a patterned first color For the third color on the substrate 1 on which the two-color photoresist layer 8b ', the second color conductive protective layer 7b', the second color light emitting layer 5b 'and the second color hole injection layer 4b' are formed. The hole injection layer 4c and the third color light emitting layer 5c are formed to form the third color organic EL layer 6c (FIG. 3E, the third color organic EL layer forming step). Next, a third color conductive protective layer 7c is formed on the third color light emitting layer 5c (FIG. 3F, a third color conductive protective layer forming step). Next, a positive photoresist is applied on the third color conductive protective layer 7c to form a third color photoresist layer 8c (FIG. 3G, third color photoresist layer forming step). . Next, the third color photoresist layer 8c is subjected to pattern exposure through the photomask 11 so that at least the third color photoresist layer 8c in the third color light emitting region 10c remains, and then developed with a photoresist developer. Then, a patterned third color photoresist layer 8c ′ is formed by washing (FIGS. 4A and 4B, a third color photoresist layer patterning step). Next, by removing the third color conductive protective layer, the third color light emitting layer, and the third color hole injection layer exposed by the removal of the third color photoresist layer, the patterned third layer is removed. A color conductive protective layer 7c ′, a third color light emitting layer 5c ′, and a third color hole injection layer 4c ′ are formed (FIG. 4C, organic EL layer patterning step of the second color).

次いで、最上層に位置する第1色用フォトレジスト層8a´、第2色用フォトレジスト層8b´および第3色用フォトレジスト層8c´を剥離する(図4(d)、剥離工程)。
最後に、第1色用導電保護層7a´、第2色用導電保護層7b´および第3色用導電保護層7c´の上に第2電極層9を形成する(図4(e)、第2電極層形成工程)。
Next, the first-color photoresist layer 8a ′, the second-color photoresist layer 8b ′, and the third-color photoresist layer 8c ′ located in the uppermost layer are stripped (FIG. 4D, stripping step).
Finally, the second electrode layer 9 is formed on the first color conductive protective layer 7a ′, the second color conductive protective layer 7b ′, and the third color conductive protective layer 7c ′ (FIG. 4E). Second electrode layer forming step).

本態様においては、各フォトレジスト層を形成する前に、パターニングされる各有機EL層上に各導電保護層を形成するので、各有機EL層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、第2色目の有機EL層をパターニングする際には、パターニングされた第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層の上に、第2色目の有機EL層および第2色用導電保護層が形成され、この第2色用導電保護層上にフォトレジストが塗布されるので、第1色目の有機EL層が第2色用フォトレジスト層と接触することもない。さらに、第3色目の有機EL層をパターニングする際にも、同様に、第1色目の有機EL層および第2色目の有機EL層が第3色用フォトレジスト層と接触することがない。また、すべての有機EL層のパターニング後に、各フォトレジスト層を剥離するので、パターニングされた各有機EL層の表面が、フォトレジスト成分、例えば、感光剤、添加剤、樹脂等にさらされるのを防ぐことができる。したがって、各導電保護層によって、フォトレジスト成分が各有機EL層に接触するのを防止することができ、フォトレジスト成分による発光特性等の低下を回避することができる。   In this aspect, since each conductive protective layer is formed on each organic EL layer to be patterned before each photoresist layer is formed, the photoresist is not directly applied on each organic EL layer. When patterning the second color organic EL layer, the second color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are formed on the second color organic EL layer. Since the organic EL layer and the second color conductive protective layer are formed and the photoresist is applied on the second color conductive protective layer, the first color organic EL layer is in contact with the second color photoresist layer. I don't have to. Further, when the third color organic EL layer is patterned, similarly, the first color organic EL layer and the second color organic EL layer do not come into contact with the third color photoresist layer. Moreover, since each photoresist layer is peeled after patterning of all organic EL layers, the surface of each patterned organic EL layer is exposed to a photoresist component, for example, a photosensitive agent, an additive, a resin, or the like. Can be prevented. Therefore, each conductive protective layer can prevent the photoresist component from coming into contact with each organic EL layer, and can prevent a decrease in light emission characteristics and the like due to the photoresist component.

また、上述したように、第2色目の有機EL層をパターニングする際には、パターニングされた第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層の上に、第2色目の有機EL層および第2色用導電保護層が形成されるので、第2色目の有機EL層を除去するときの第1色目の有機EL層へのダメージを低減することができる。また、第3色目の有機EL層をパターニングする際にも、同様に、第3色目の有機EL層を除去するときの第1色目の有機EL層および第2色目の有機EL層へのダメージを低減することができる。   Further, as described above, when patterning the organic EL layer of the second color, the patterned first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are formed. Since the second color organic EL layer and the second color conductive protective layer are formed, damage to the first color organic EL layer when the second color organic EL layer is removed can be reduced. . Similarly, when patterning the organic EL layer of the third color, damage to the organic EL layer of the first color and the organic EL layer of the second color when the organic EL layer of the third color is removed similarly. Can be reduced.

さらに、本態様においては、各導電保護層上に第2電極層を形成するので、第2電極層をスパッタリング法により成膜する場合であっても、スパッタ時のプラズマガスイオン、スパッタリングされた粒子および電離した電子等による有機EL層への衝撃を緩和することができる。これにより、第2電極層成膜時の衝撃による発光特性等の素子特性および電子注入特性等の有機EL層の特性の低下を抑制することができる。   Further, in this embodiment, since the second electrode layer is formed on each conductive protective layer, even when the second electrode layer is formed by sputtering, plasma gas ions at the time of sputtering, sputtered particles In addition, the impact on the organic EL layer due to ionized electrons or the like can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in the characteristics of the organic EL layer such as the element characteristics such as the light emission characteristics and the electron injection characteristics due to the impact when forming the second electrode layer.

したがって、本態様においては、発光特性および寿命特性等の素子特性、ならびに電子注入特性等の有機EL層の特性に優れる有機EL素子を製造することが可能である。   Therefore, in this embodiment, it is possible to produce an organic EL element that is excellent in element characteristics such as light emission characteristics and lifetime characteristics, and organic EL layer characteristics such as electron injection characteristics.

また、第2色用フォトレジスト層パターニング工程にて、第2色発光領域の第2色用フォトレジスト層が残存するように第2色用フォトレジスト層をパターニングするので、パターニングされた第1色目の有機EL層上に、第2色用フォトレジスト層が残存することがない。すなわち、パターニングされた第1色目の有機EL層上に積層されているフォトレジスト層は第1色用フォトレジスト層のみである。さらに、第2色用フォトレジスト層の除去により露出した部分の第2色目の有機EL層も、第2色目の有機EL層パターニング工程にて、除去されることから、第1色目の有機EL層上に、第2色目の有機EL層が残存することもない。したがって、パターニングされた第1色目の有機EL層上に、余分な層が積層されている状態を回避することができる。これにより、複数の層を積層することから生じる膜厚ムラ等を解消することが可能となる。   Further, in the second color photoresist layer patterning step, the second color photoresist layer is patterned so that the second color photoresist layer in the second color light emitting region remains, so the patterned first color The second color photoresist layer does not remain on the organic EL layer. In other words, the photoresist layer laminated on the patterned first color organic EL layer is only the first color photoresist layer. Further, the portion of the second color organic EL layer exposed by the removal of the second color photoresist layer is also removed in the second color organic EL layer patterning step, so that the first color organic EL layer is removed. On top of this, the organic EL layer of the second color does not remain. Therefore, it is possible to avoid a state in which an extra layer is stacked on the patterned first-color organic EL layer. As a result, it is possible to eliminate film thickness unevenness caused by stacking a plurality of layers.

さらに、第1色用導電保護層上には、剥離工程にて剥離される第1色用フォトレジスト層が積層されているだけであり、この第1色用フォトレジスト層は、各有機EL層パターニング工程後において、最上層に位置することとなる。したがって、第1色用フォトレジスト層を容易に速やかに剥離することができる。また、第2色用フォトレジスト層および第3色用フォトレジスト層も、同様に、各有機EL層パターニング工程後において、最上層に位置するものであり、容易に速やかに剥離することができる。   Further, only the first color photoresist layer to be peeled off in the peeling step is laminated on the first color conductive protective layer, and this first color photoresist layer is formed by each organic EL layer. After the patterning step, it will be located in the uppermost layer. Therefore, the first color photoresist layer can be easily and quickly peeled off. Similarly, the second-color photoresist layer and the third-color photoresist layer are positioned in the uppermost layer after each organic EL layer patterning step, and can be easily and quickly peeled off.

また、本態様における導電保護層は、無機導電性材料を含有しており、比較的電気抵抗が低いので、良好な電流−電圧特性を示す有機EL素子を得ることができる。   In addition, since the conductive protective layer in this embodiment contains an inorganic conductive material and has a relatively low electric resistance, an organic EL element exhibiting good current-voltage characteristics can be obtained.

なお、第1色用フォトレジスト層パターニング工程、第1色目の有機EL層パターニング工程、第2色用フォトレジスト層パターニング工程、第2色目の有機EL層パターニング工程、第3色用フォトレジスト層パターニング工程、第3色目の有機EL層パターニング工程、剥離工程および第2電極層形成工程については、上記第1態様のフォトレジスト層パターニング工程、有機EL層パターニング工程、剥離工程および第2電極層形成工程とそれぞれ同様であるので、ここでの説明は省略する。
以下、本態様の有機EL素子の製造方法の上記以外の各工程について説明する。
The first color photoresist layer patterning step, the first color organic EL layer patterning step, the second color photoresist layer patterning step, the second color organic EL layer patterning step, and the third color photoresist layer patterning step. The process, the third color organic EL layer patterning step, the peeling step, and the second electrode layer forming step are the photoresist layer patterning step, the organic EL layer patterning step, the peeling step, and the second electrode layer forming step of the first aspect. Since these are the same as each other, description thereof is omitted here.
Hereafter, each process other than the above of the manufacturing method of the organic EL element of this aspect is demonstrated.

1.第1色目の有機EL層形成工程
本態様における第1色目の有機EL層形成工程は、第1電極層が形成された基板上に、少なくとも第1色発光層を含む第1色目の有機EL層を形成する工程である。
1. First Color Organic EL Layer Forming Step In the first color organic EL layer forming step, the first color organic EL layer including at least a first color light emitting layer on the substrate on which the first electrode layer is formed. Is a step of forming.

本態様においては、複数回にわたりフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、複数色の発光層をパターン状に形成することができる。したがって、第1色目、第2色目および第3色目の有機EL層形成工程では、それぞれ異なる種類の発光材料が用いられる。この際、製造コスト低減の観点から、発光層形成用塗工液を塗布して発光層を形成することが好ましい。   In this embodiment, the light emitting layer of a plurality of colors can be formed in a pattern by patterning a plurality of times using a photolithography method. Therefore, different types of light emitting materials are used in the first, second, and third color organic EL layer forming steps. At this time, from the viewpoint of reducing manufacturing costs, it is preferable to form a light emitting layer by applying a light emitting layer forming coating solution.

第1色目の有機EL層が第1色用正孔注入層および第1色発光層から構成されている場合であって、後述する第2色目の有機EL層形成工程にて、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第2色用正孔注入層を形成する場合には、第1色用正孔注入層は、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、第2色用正孔注入層の成膜の際に、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第1色用正孔注入層のパターンの端部に接触しても、第1色用正孔注入層は溶解されないので、安定して第2色用正孔注入層を積層することができるからである。   The first color organic EL layer is composed of a first color hole injection layer and a first color light emitting layer. In the second color organic EL layer forming step described later, A second color hole injection layer forming coating solution is applied onto the substrate on which the organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are formed in a pattern, and the second color is applied. When forming the positive hole injection layer, the first color positive hole injection layer is preferably insoluble in the solvent of the second color positive hole injection layer forming coating solution. As a result, during the formation of the second color hole injection layer, the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution comes into contact with the edge of the pattern of the first color hole injection layer. However, since the first color hole injection layer is not dissolved, the second color hole injection layer can be stably laminated.

また、第1色目の有機EL層が第1色用正孔注入層および第1色発光層から構成されている場合であって、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第3色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第3色用正孔注入層を形成する場合には、第1色用正孔注入層は、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。   Further, the first color organic EL layer is composed of a first color hole injection layer and a first color light emitting layer. In the third color organic EL layer forming step described later, A third color hole injection layer forming coating solution is applied onto a substrate on which a colored organic EL layer, a first color conductive protective layer and a first color photoresist layer are formed in a pattern. When forming the three-color hole injection layer, the first color hole injection layer is preferably insoluble in the solvent of the third-color hole injection layer forming coating solution.

なお、第1色用正孔注入層を第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒または第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとすることについては、上記第1態様の有機EL層形成工程の「(1)有機EL層 (i)2層の有機層」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   The first color hole injection layer is insoluble in the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution or the solvent of the third color hole injection layer forming coating solution. This is the same as that described in the section “(1) Organic EL layer (i) Two organic layers” in the organic EL layer forming step of the first aspect, and the description thereof is omitted here. .

第1色目の有機EL層が第1色用正孔注入層および第1色発光層から構成されている場合であって、後述する第2色目の有機EL層形成工程にて、上記第2色用正孔注入層上に、第2色発光層形成用塗工液を塗布して第2色発光層を形成する場合には、第1色発光層は、第2色発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第2色発光層形成前において、第1色発光層は、第2色用正孔注入層によって覆われているため、第2色発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The first color organic EL layer is composed of a first color hole injection layer and a first color light emitting layer. In the second color organic EL layer forming step described later, the second color When a second color light emitting layer forming coating solution is applied onto the hole injection layer for forming a second color light emitting layer, the first color light emitting layer is applied to the second color light emitting layer forming coating. It may be insoluble, hardly soluble or soluble in the liquid solvent. Before the second color light emitting layer is formed, the first color light emitting layer is covered with the second color hole injection layer, and thus is soluble in the solvent of the second color light emitting layer forming coating solution. However, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、第1色目の有機EL層が第1色用正孔注入層および第1色発光層から構成されている場合であって、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、上記第3色用正孔注入層上に、第3色発光層形成用塗工液を塗布して第3色発光層を形成する場合には、第1色発光層は、第3色発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。   The first color organic EL layer is composed of a first color hole injection layer and a first color light emitting layer. In the third color organic EL layer forming step described later, When the third color light-emitting layer is formed by applying the third color light-emitting layer forming coating solution on the three-color hole injection layer, the first color light-emitting layer is used for forming the third color light-emitting layer. It may be insoluble, hardly soluble or soluble in the solvent of the coating solution.

なお、第1色目の有機EL層形成工程のその他の点については、上記第1態様の有機EL層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the organic EL layer formation process of the said 1st aspect about the other point of the organic EL layer formation process of the 1st color, description here is abbreviate | omitted.

2.第1色用導電保護層形成工程
本態様における第1色用導電保護層形成工程は、第1色目の有機EL層上に第1色用導電保護層を形成する工程である。
2. First color conductive protective layer forming step The first color conductive protective layer forming step in this aspect is a step of forming a first color conductive protective layer on the first color organic EL layer.

後述する第2色目の有機EL層形成工程にて、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第2色用正孔注入層を形成する場合には、第1色用導電保護層は、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、第2色用正孔注入層の成膜の際に、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第1色用導電保護層のパターンの端部に接触しても、第1色用導電保護層は溶解されないので、安定して第2色用正孔注入層を積層することができるからである。   In the second-color organic EL layer forming step described later, the second-color organic EL layer, the first-color conductive protective layer, and the first-color photoresist layer are formed on the substrate in a pattern. When the second color hole injection layer is formed by applying the color hole injection layer forming coating solution, the first color conductive protective layer is applied to the second color hole injection layer forming coating. It is preferably insoluble in the solvent of the working solution. Thus, when the second color hole injection layer is formed, the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution comes into contact with the end of the pattern of the first color conductive protective layer. This is because, since the first color conductive protective layer is not dissolved, the second color hole injection layer can be stably laminated.

第1色用導電保護層を第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするためには、第1色用導電保護層および第2色用正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the first color conductive protective layer insoluble in the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution, the first color conductive protective layer and the second color hole injection A material having different solubility may be used for the layer.

さらに、後述する第2色用導電保護層形成工程にて、第2色目の有機EL層上に第2色用導電保護層形成用塗工液を塗布して第2色用導電保護層を形成する場合には、第1色用導電保護層は、第2色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第2色用導電保護層形成前において、第1色用導電保護層は、第2色目の有機EL層によって覆われているため、第2色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Further, in the second color conductive protective layer forming step described later, a second color conductive protective layer forming coating solution is applied onto the second color organic EL layer to form a second color conductive protective layer. In this case, the first color conductive protective layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the solvent of the second color conductive protective layer forming coating solution. Before the second color conductive protective layer is formed, the first color conductive protective layer is covered with the organic EL layer of the second color. This is because even if it is soluble, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第1色用導電保護層形成工程のその他の点については、上記第1態様の導電保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, since it is the same as that of what was described in the term of the conductive protective layer formation process of the said 1st aspect about the other point of the conductive protective layer formation process for 1st colors, description here is abbreviate | omitted.

3.第1色用フォトレジスト層形成工程
本態様における第1色用フォトレジスト層形成工程は、第1色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第1色用フォトレジスト層を形成する工程である。
本態様においては、フォトレジスト層に第1色用、第2色用および第3色用の3種類を用いているが、いずれも便宜上使い分けているだけであり、すべて同様のフォトレジスト層であってもよい。
3. First Color Photoresist Layer Formation Step The first color photoresist layer formation step in this aspect is a step of applying a photoresist on the first color conductive protective layer to form a first color photoresist layer. is there.
In this embodiment, three types of first color, second color, and third color are used for the photoresist layer, but these are all used for convenience and are all the same photoresist layer. May be.

後述する第2色目の有機EL層形成工程にて、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第2色用正孔注入層を形成する場合には、第1色用フォトレジスト層は、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、第2色用正孔注入層の成膜の際に、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第1色用フォトレジスト層に接触しても、第1色用フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第2色用正孔注入層を積層することができるからである。   In the second-color organic EL layer forming step described later, the second-color organic EL layer, the first-color conductive protective layer, and the first-color photoresist layer are formed on the substrate in a pattern. When the color hole injection layer forming coating solution is applied to form the second color hole injection layer, the first color photoresist layer is applied to the second color hole injection layer forming coating. It is preferably insoluble in the solvent of the working solution. Thus, when the second color hole injection layer is formed, even if the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution contacts the first color photoresist layer, the first color This is because the second photoresist hole injection layer can be stably laminated because the photoresist layer for use is not dissolved.

第1色用フォトレジスト層を第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第1色用フォトレジスト層および第2色用正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the first color photoresist layer insoluble in the solvent of the coating solution for forming the second color hole injection layer, the first color photoresist layer and the second color hole injection layer are used. In this case, materials having different solubility may be used.

さらに、第1色用フォトレジスト層は、第2色用フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第2色用フォトレジスト層形成前において、第1色用フォトレジスト層は、第2色目の有機EL層および第2色用導電保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Further, the first color photoresist layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the photoresist solvent used in the second color photoresist layer forming step. Before forming the second color photoresist layer, the first color photoresist layer is covered with the second color organic EL layer and the second color conductive protective layer, and is therefore soluble in the photoresist solvent. However, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第1色用フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第1態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the first color photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

4.第2色目の有機EL層形成工程
本態様における第2色目の有機EL層形成工程は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第2色発光層を含む第2色目の有機EL層を形成する工程である。
4). Second color organic EL layer forming step In the second color organic EL layer forming step in this embodiment, the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are patterned. In this step, an organic EL layer of the second color including at least the second color light emitting layer is formed on the formed substrate.

第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第2色用正孔注入層を形成する場合には、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。これは、第2色用正孔注入層の成膜の際に、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層に接触するためである。具体的には、第2色用正孔注入層の成膜の際に、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第1色目の有機EL層および第1色用導電保護層のパターンの端部、ならびに、第1色用フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する。   On the substrate on which the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are formed in a pattern, a second color hole injection layer forming coating solution is applied. When the second color hole injection layer is formed, the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution is the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color. It is preferable that the one-color photoresist layer is not dissolved. This is because when the second color hole injection layer is formed, the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution is the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer. This is because it comes into contact with the first color photoresist layer. Specifically, during the formation of the second color hole injection layer, the solvent of the second color hole injection layer forming coating solution is changed to the first color organic EL layer and the first color conductive layer. The edge of the pattern of the protective layer and the surface and edge of the pattern of the first color photoresist layer are contacted.

上記の場合、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第1色用フォトレジスト層のパターンの表面および端部に接触する面積に比べて、第1色目の有機EL層および第1色用導電保護層のパターンの端部に接触する面積は非常に小さい。このため、第2色用正孔注入層を安定に積層する、あるいは、1画素の最小寸法値が100μmよりも小さい部分を有する場合には、第2色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が、第1色目の有機EL層および第1色用導電保護層を溶解しないことが非常に有効である。   In the above case, the organic EL layer of the first color is compared with the area where the solvent of the coating solution for forming the hole injection layer for the second color is in contact with the surface and end of the pattern of the first color photoresist layer. And the area which contacts the edge part of the pattern of the electrically conductive protective layer for 1st colors is very small. Therefore, when the hole injection layer for the second color is stably laminated, or when the minimum dimension value of one pixel is smaller than 100 μm, the coating solution for forming the hole injection layer for the second color It is very effective that the solvent does not dissolve the first color organic EL layer and the first color conductive protective layer.

また、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色発光層形成用塗工液を塗布して第2色発光層を形成する場合には、第2色発光層形成用塗工液の溶媒は、第1色用フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。   In addition, a second color light emitting layer forming coating solution is applied onto a substrate on which a first color organic EL layer, a first color conductive protective layer, and a first color photoresist layer are formed in a pattern. When the second color light emitting layer is formed, the solvent of the second color light emitting layer forming coating solution is preferably one that does not dissolve the first color photoresist layer.

例えば、第1色用フォトレジスト層に一般的なノボラック系ポジ型フォトレジストを用いた場合、上記溶媒としては、上記第1態様の有機EL層形成工程の項に記載した、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒が好ましく用いられる。   For example, when a general novolak positive photoresist is used for the first color photoresist layer, the solvent may be the light emitting layer forming coating described in the organic EL layer forming step of the first aspect. The solvent used for the working liquid is preferably used.

第2色目の有機EL層が第2色用正孔注入層および第2色発光層から構成されている場合であって、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第2色用正孔注入層を形成する場合には、第2色用正孔注入層は、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。   The second color organic EL layer is composed of a second color hole injection layer and a second color light emitting layer. In the third color organic EL layer forming step described later, A second color hole injection layer forming coating solution is applied onto the substrate on which the organic EL layer, the second color conductive protective layer, and the second color photoresist layer are formed in a pattern, and the second color is applied. When forming the positive hole injection layer, the second color hole injection layer is preferably insoluble in the solvent of the third color positive hole injection layer forming coating solution.

なお、第2色用正孔注入層を第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとすることについては、上記第1態様の有機EL層形成工程の「(1)有機EL層 (i)2層の有機層」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   In addition, about making the hole injection layer for 2nd colors insoluble with respect to the solvent of the coating liquid for 3rd color hole injection layer formation, the organic electroluminescent layer formation process of the said 1st aspect WHEREIN: Since it is the same as that described in the section of (1) Organic EL layer (i) Two organic layers, description thereof is omitted here.

また、第2色目の有機EL層が第2色用正孔注入層および第2色発光層から構成されている場合であって、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、上記第3色用正孔注入層上に、第3色発光層形成用塗工液を塗布して第3色発光層を形成する場合には、第2色発光層は、第3色発光層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第3色発光層形成前において、第2色発光層は、第3色用正孔注入層によって覆われているため、第3色発光層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The second color organic EL layer is composed of a second color hole injection layer and a second color light emitting layer. In the third color organic EL layer forming step described later, When the third color light emitting layer is formed by applying the third color light emitting layer forming coating solution on the three color hole injection layer, the second color light emitting layer is used for forming the third color light emitting layer. It may be insoluble, hardly soluble or soluble in the solvent of the coating solution. Before the formation of the third color light emitting layer, the second color light emitting layer is covered with the third color hole injection layer, so that it is soluble in the solvent of the third color light emitting layer forming coating solution. However, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、第2色目の有機EL層形成工程のその他の点については、上記第1態様の有機EL層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   The other points of the second color organic EL layer forming step are the same as those described in the section of the organic EL layer forming step of the first aspect, and the description thereof is omitted here.

5.第2色用導電保護層形成工程
本態様における第2色用導電保護層形成工程は、第2色目の有機EL層上に第2色用導電保護層を形成する工程である。
5. Second color conductive protective layer forming step The second color conductive protective layer forming step in this aspect is a step of forming a second color conductive protective layer on the second color organic EL layer.

第2色目の有機EL層上に、第2色用導電保護層形成用塗工液を塗布して第2色用導電保護層を形成する場合には、第2色用導電保護層形成用塗工液の溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第2色用導電保護層形成前において、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層は、第2色目の有機EL層によって覆われているため、第2色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   In the case of forming the second color conductive protective layer by applying the second color conductive protective layer forming coating liquid on the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer forming coating is applied. The solvent of the working solution may or may not dissolve the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer. Before forming the second color conductive protective layer, the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are covered with the second color organic EL layer. This is because even if it is soluble in the solvent of the coating solution for forming the second color conductive protective layer, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第3色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第3色用正孔注入層を形成する場合には、第2色用導電保護層は、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、第3色用正孔注入層の成膜の際に、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第2色用導電保護層のパターンの端部に接触しても、第2色用導電保護層は溶解されないので、安定して第3色用正孔注入層を積層することができるからである。   Further, in the third color organic EL layer forming step to be described later, on the substrate on which the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer, and the second color photoresist layer are formed in a pattern, When the third color hole injection layer forming coating liquid is applied to form the third color hole injection layer, the second color conductive protective layer is formed by forming the third color hole injection layer. It is preferably insoluble in the solvent of the coating liquid for coating. Thus, when the third color hole injection layer is formed, the solvent of the third color hole injection layer forming coating solution comes into contact with the end of the pattern of the second color conductive protective layer. This is because the second color conductive protective layer is not dissolved, and thus the third color hole injection layer can be stably laminated.

第2色用導電保護層を第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第2色用導電保護層および第3色用正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the second color conductive protective layer insoluble in the solvent of the third color hole injection layer forming coating solution, the second color conductive protective layer and the third color hole injection layer are used. In this case, materials having different solubility may be used.

さらに、後述する第3色用導電保護層形成工程にて、第3色目の有機EL層上に第3色用導電保護層形成用塗工液を塗布して第3色用導電保護層を形成する場合には、第2色用導電保護層は、第3色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第3色用導電保護層形成前において、第2色用導電保護層は、第3色目の有機EL層によって覆われているため、第3色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Further, a third color conductive protective layer is formed by applying a third color conductive protective layer forming coating liquid on the third color organic EL layer in the third color conductive protective layer forming step described later. In this case, the second color conductive protective layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the solvent of the third color conductive protective layer forming coating solution. Before the third color conductive protective layer is formed, the second color conductive protective layer is covered with the third color organic EL layer. This is because even if it is soluble, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第2色用導電保護層形成工程のその他の点については、上記第1態様の導電保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   The other points of the second color conductive protective layer forming step are the same as those described in the section of the first aspect of the conductive protective layer forming step, and the description thereof is omitted here.

6.第2色用フォトレジスト層形成工程
本態様における第2色用フォトレジスト層形成工程は、第2色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第2色用フォトレジスト層を形成する工程である。
6). Second Color Photoresist Layer Forming Step The second color photoresist layer forming step in this embodiment is a step of applying a photoresist on the second color conductive protective layer and forming a second color photoresist layer. is there.

本工程に用いられるフォトレジスト溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第2色用フォトレジスト層形成前において、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層は、第2色目の有機EL層および第2色用導電保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The photoresist solvent used in this step may or may not dissolve the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer. . Before forming the second color photoresist layer, the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are the second color organic EL layer and the second color conductive protective layer. Because it is covered with a layer, even if it is soluble in a photoresist solvent, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

また、後述する第3色目の有機EL層形成工程にて、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第3色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第3色用正孔注入層を形成する場合には、第2色用フォトレジスト層は、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶であることが好ましい。これにより、第3色用正孔注入層の成膜の際に、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒が第2色用フォトレジスト層に接触しても、第2色用フォトレジスト層は溶解されないので、安定して第3色用正孔注入層を積層することができるからである。   Further, in the third color organic EL layer forming step to be described later, on the substrate on which the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer, and the second color photoresist layer are formed in a pattern, When the third color hole injection layer is formed by applying the third color hole injection layer forming coating solution, the second color photoresist layer is formed by forming the third color hole injection layer. It is preferably insoluble in the solvent of the coating liquid for coating. Thus, when the third color hole injection layer is formed, even if the solvent of the third color hole injection layer forming coating solution contacts the second color photoresist layer, the second color This is because the third photoresist layer can be stably laminated because the photoresist layer for use is not dissolved.

第2色用フォトレジスト層を第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒に対して不溶なものとするために、第2色用フォトレジスト層および第3色用正孔注入層に溶解性が異なる材料を用いればよい。   In order to make the second color photoresist layer insoluble in the solvent of the third color hole injection layer forming coating solution, the second color photoresist layer and the third color hole injection layer are used. In this case, materials having different solubility may be used.

さらに、第2色用フォトレジスト層は、第3色用フォトレジスト層形成工程にて用いられるフォトレジスト溶媒に対して、不溶、難溶および可溶のいずれであってもよい。第3色用フォトレジスト層形成前において、第2色用フォトレジスト層は、第3色目の有機EL層および第3色用導電保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   Further, the second color photoresist layer may be insoluble, hardly soluble or soluble in the photoresist solvent used in the third color photoresist layer forming step. Before the formation of the third color photoresist layer, the second color photoresist layer is covered with the third color organic EL layer and the third color conductive protective layer, so that it is soluble in the photoresist solvent. However, it does not come into contact with the solvent and does not dissolve.

なお、第2色用フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第1態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the second color photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

7.第3色目の有機EL層形成工程
本態様における第3色目の有機EL層形成工程は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、少なくとも第3色発光層を含む第3色目の有機EL層を形成する工程である。
7). Step of forming organic EL layer of third color In the step of forming organic EL layer of the third color in this aspect, the first color of organic EL layer, the first color conductive protective layer, and the first color photoresist layer are patterned. And a third color light emitting layer including at least a third color light emitting layer on the substrate on which the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer, and the second color photoresist layer are formed in a pattern. This is a step of forming an organic EL layer.

第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層および第1色用フォトレジスト層がパターン状に形成され、さらに第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層がパターン状に形成された基板上に、第3色用正孔注入層形成用塗工液を塗布して第3色用正孔注入層を形成する場合には、第3色用正孔注入層形成用塗工液の溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層、第1色用フォトレジスト層、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層を溶解しないものであることが好ましい。   The first color organic EL layer, the first color conductive protective layer and the first color photoresist layer are formed in a pattern, and the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer and the second color are formed. When the third color hole injection layer is formed by applying the third color hole injection layer forming coating solution on the substrate on which the photoresist layer for the pattern is formed in a pattern, the third color The solvent of the coating solution for forming the hole injection layer for the first color is the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, the first color photoresist layer, the second color organic EL layer, and the second color. It is preferable that the conductive protective layer and the second color photoresist layer are not dissolved.

なお、第3色目の有機EL層形成工程のその他の点については、上記第1態様の有機EL層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the third color organic EL layer forming step are the same as those described in the section of the organic EL layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

8.第3色用導電保護層形成工程
本発明における第3色用導電保護層形成工程は、第3色目の有機EL層上に第3色用導電保護層を形成する工程である。
8). Step of forming a third color conductive protective layer The step of forming a third color conductive protective layer in the present invention is a step of forming a third color conductive protective layer on the third color organic EL layer.

第3色目の有機EL層上に、第3色用導電保護層形成用塗工液を塗布して第3色用導電保護層を形成する場合には、第3色用導電保護層形成用塗工液の溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層、第1色用フォトレジスト層、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第2色用導電保護層形成前において、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層、第1色用フォトレジスト層、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層は、第3色目の有機EL層によって覆われているため、第3色用導電保護層形成用塗工液の溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   When the third color conductive protective layer is formed by applying the third color conductive protective layer forming coating solution on the third color organic EL layer, the third color conductive protective layer forming coating is applied. The solvent of the working solution is the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, the first color photoresist layer, the second color organic EL layer, the second color conductive protective layer, and the second color. The photoresist layer may be dissolved or may not be dissolved. Before forming the second color conductive protective layer, the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, the first color photoresist layer, the second color organic EL layer, and the second color conductive protective layer. Since the second color photoresist layer is covered with the third color organic EL layer, even if it is soluble in the solvent of the third color conductive protective layer forming coating solution, the solvent It is because it does not contact and does not melt.

なお、第3色用導電保護層形成工程のその他の点については、上記第1態様の導電保護層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the third color conductive protective layer forming step are the same as those described in the section of the conductive protective layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

9.第3色用フォトレジスト層形成工程
本発明における第3色用フォトレジスト層形成工程は、第3色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第3色用フォトレジスト層を形成する工程である。
9. Third Color Photoresist Layer Forming Step The third color photoresist layer forming step in the present invention is a step of forming a third color photoresist layer by applying a photoresist on the third color conductive protective layer. is there.

本工程に用いられるフォトレジスト溶媒は、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層、第1色用フォトレジスト層、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層を溶解するものであってもよく溶解しないものであってもよい。第2色用フォトレジスト層形成前において、第1色目の有機EL層、第1色用導電保護層、第1色用フォトレジスト層、第2色目の有機EL層、第2色用導電保護層および第2色用フォトレジスト層は、第3色目の有機EL層および第3色用導電保護層によって覆われているため、フォトレジスト溶媒に対して可溶であっても、その溶媒に接触することがなく、溶解しないからである。   The photoresist solvent used in this step includes a first color organic EL layer, a first color conductive protective layer, a first color photoresist layer, a second color organic EL layer, a second color conductive protective layer, and The second color photoresist layer may or may not dissolve. Before forming the second color photoresist layer, the first color organic EL layer, the first color conductive protective layer, the first color photoresist layer, the second color organic EL layer, and the second color conductive protective layer. Since the second color photoresist layer is covered with the third color organic EL layer and the third color conductive protective layer, even if it is soluble in the photoresist solvent, it comes into contact with the solvent. This is because it does not dissolve.

なお、第3色用フォトレジスト層形成工程のその他の点については、上記第1態様のフォトレジスト層形成工程の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。   Since the other points of the third color photoresist layer forming step are the same as those described in the section of the photoresist layer forming step of the first aspect, description thereof is omitted here.

10.その他の工程
本態様においては、上記剥離工程後、各導電保護層の表面を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。また、上記剥離工程後、各導電保護層の表面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を行ってもよい。
なお、洗浄工程およびプラズマ処理工程については、上記第1態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
10. Other Steps In this embodiment, after the peeling step, a cleaning step for cleaning the surface of each conductive protective layer may be performed. Moreover, you may perform the plasma processing process which plasma-processes the surface of each conductive protective layer after the said peeling process.
Note that the cleaning process and the plasma treatment process are the same as those described in the section of the first aspect, and thus the description thereof is omitted here.

B.有機EL素子
次に、本発明の有機EL素子について説明する。
本発明の有機EL素子は、基板と、上記基板上に形成された第1電極層と、上記第1電極層上にパターン状に形成され、少なくとも発光層を含む有機EL層と、上記有機EL層上にパターン状に形成され、無機導電性材料を含有する導電保護層と、上記導電保護層上に形成された第2電極層とを有しており、上記有機EL層のパターン形状と、上記導電保護層のパターン形状とが同一であることを特徴とするものである。
B. Organic EL Element Next, the organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention includes a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, an organic EL layer formed in a pattern on the first electrode layer and including at least a light emitting layer, and the organic EL A conductive protective layer formed in a pattern on the layer and containing an inorganic conductive material, and a second electrode layer formed on the conductive protective layer, and a pattern shape of the organic EL layer; The conductive protective layer has the same pattern shape.

本発明の有機EL素子について、図面を参照しながら説明する。図5は、本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図である。図5に例示するように、有機EL素子20においては、基板21上に第1電極層22がパターン状に形成され、この第1電極層22のパターン間に絶縁層23が形成され、第1電極層22上に、パターン状の正孔注入層24および発光層25から構成される有機EL層26と、パターン状の導電保護層27とが順に積層され、導電保護層27上に第2電極層29が形成されている。また、有機EL層26のパターン形状と、導電保護層27のパターン形状とは同一である。   The organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention. As illustrated in FIG. 5, in the organic EL element 20, the first electrode layer 22 is formed in a pattern on the substrate 21, and the insulating layer 23 is formed between the patterns of the first electrode layer 22. On the electrode layer 22, an organic EL layer 26 composed of a patterned hole injection layer 24 and a light emitting layer 25, and a patterned conductive protective layer 27 are sequentially laminated, and a second electrode is formed on the conductive protective layer 27. Layer 29 is formed. The pattern shape of the organic EL layer 26 and the pattern shape of the conductive protective layer 27 are the same.

本発明においては、有機EL層上に導電保護層が形成されており、有機EL層および導電保護層のパターンの形状が同一であるので、本発明の有機EL素子をフォトリソグラフィー法を用いて作製する場合には、例えば、上記「A.有機EL素子の製造方法」の項に記載した図1に示すような工程により、有機EL素子を得ることができる。   In the present invention, since the conductive protective layer is formed on the organic EL layer, and the patterns of the organic EL layer and the conductive protective layer have the same shape, the organic EL element of the present invention is produced using a photolithography method. In this case, for example, an organic EL element can be obtained by the process as shown in FIG. 1 described in the above-mentioned section “A. Manufacturing method of organic EL element”.

図1に例示するような工程により有機EL素子を作製した場合には、有機EL層および導電保護層の上にフォトレジスト層が形成されるので、有機EL層上にフォトレジストを直接塗布することがない。また、有機EL層のパターニング後には、導電保護層上に形成されているフォトレジスト層のみを剥離するので、フォトレジスト成分が有機EL層に接触するのを防ぐことができる。これにより、有機EL層表面が、フォトレジスト成分、例えば、感光剤、添加剤、樹脂等によって汚染されるのを防ぐことができる。したがって、有機EL素子をフォトリソグラフィー法を用いて作製する場合には、本発明の構成とすることにより、フォトレジスト成分による有機EL層の発光特性および寿命特性等の低下を回避することができる。   When an organic EL element is produced by the process illustrated in FIG. 1, a photoresist layer is formed on the organic EL layer and the conductive protective layer, so that a photoresist is directly applied on the organic EL layer. There is no. Further, after patterning the organic EL layer, only the photoresist layer formed on the conductive protective layer is peeled off, so that the photoresist component can be prevented from coming into contact with the organic EL layer. Thereby, it can prevent that the organic EL layer surface is contaminated with a photoresist component, for example, a photosensitizer, an additive, a resin or the like. Therefore, when the organic EL element is manufactured by using a photolithography method, the configuration of the present invention can avoid a decrease in the light emission characteristics, life characteristics, and the like of the organic EL layer due to the photoresist component.

また、本発明においては、有機EL層と第2電極層との間に導電保護層が形成されているので、第2電極層がスパッタリング法等により成膜された場合には、スパッタ時のプラズマガスイオン、スパッタリングされた粒子および電離した電子等による有機EL層への衝撃を緩和することができる。これにより、第2電極層成膜時の衝撃による発光特性等の素子特性および電子注入特性等の有機EL層の特性の低下を抑制することができる。   In the present invention, since the conductive protective layer is formed between the organic EL layer and the second electrode layer, when the second electrode layer is formed by sputtering or the like, plasma during sputtering is used. The impact on the organic EL layer due to gas ions, sputtered particles, and ionized electrons can be reduced. As a result, it is possible to suppress a decrease in the characteristics of the organic EL layer such as the element characteristics such as the light emission characteristics and the electron injection characteristics due to the impact when forming the second electrode layer.

したがって本発明においては、有機EL層上に導電保護層が形成されていることにより、発光特性および寿命特性等の素子特性、ならびに電子注入特性等の有機EL層の特性に優れる有機EL素子とすることが可能である。   Therefore, in the present invention, by forming a conductive protective layer on the organic EL layer, an organic EL element having excellent characteristics of the organic EL layer such as element characteristics such as light emission characteristics and lifetime characteristics and electron injection characteristics is obtained. It is possible.

さらに、本発明における導電保護層は、無機導電性材料を含有しており、比較的電気抵抗が低いので、電流−電圧特性を良好に保ちつつ、有機EL層を保護することができる。   Furthermore, since the conductive protective layer in the present invention contains an inorganic conductive material and has a relatively low electrical resistance, the organic EL layer can be protected while maintaining good current-voltage characteristics.

また、上述したように、導電保護層は無機導電性材料を含有するので比較的導電性が高いが、導電保護層のパターン形状が有機EL層のパターン形状と同一であるので、導電保護層の面方向に漏れ電流が流れて、隣接する有機EL層のパターン間にてクロストークが発生するのを回避することができる。   In addition, as described above, the conductive protective layer contains an inorganic conductive material and thus has a relatively high conductivity. However, since the pattern shape of the conductive protective layer is the same as the pattern shape of the organic EL layer, It is possible to avoid the occurrence of crosstalk between the patterns of the adjacent organic EL layers due to leakage current flowing in the surface direction.

本発明の有機EL素子は、ボトムエミッション型、トップエミッション型、および両面発光型のいずれであってもよい。中でも、トップエミッション型または両面発光型が好ましい。一般に、IZOやITO等の透明電極はスパッタリング法やイオンプレーティング法等の成膜エネルギーの高い方法で成膜されるものである。本発明においては、導電保護層により、第2電極層成膜時の有機EL層への衝撃を緩和することができるので、第2電極層が透明電極である場合に有用である。   The organic EL element of the present invention may be any of a bottom emission type, a top emission type, and a dual emission type. Among these, a top emission type or a double-sided emission type is preferable. In general, a transparent electrode such as IZO or ITO is formed by a method having a high film formation energy such as a sputtering method or an ion plating method. In the present invention, the conductive protective layer can mitigate the impact on the organic EL layer during the formation of the second electrode layer, which is useful when the second electrode layer is a transparent electrode.

なお、導電保護層、有機EL層、第1電極層、第2電極層および基板については、上記「A.有機EL素子の製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。   Since the conductive protective layer, the organic EL layer, the first electrode layer, the second electrode layer, and the substrate are described in the above section “A. Method for manufacturing organic EL element”, description thereof is omitted here.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、これら実施例により本発明が制限されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not restrict | limited by these Examples.

[実施例1]
(第1色用正孔注入層の成膜)
6インチ□、板厚0.7mmのパターン済みITOガラス基板を洗浄し、基板および第1電極とした。この基板上に下記組成の第1色用正孔注入層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、150℃、10分間の加熱・乾燥処理を行い、硬化させ、膜厚80nmの透明な第1色用正孔注入層を得た。
<第1色用正孔注入層形成用塗工液の組成>
・脱イオン水 96.7wt%
・PEDOT/PSS(Bayer社製) 3wt%
・オルガノアルコキシシラン(東芝シリコーン(株)社製TSL8350) 0.3wt%
[Example 1]
(Film formation of hole injection layer for first color)
A patterned ITO glass substrate having a thickness of 6 inches and a thickness of 0.7 mm was washed to obtain a substrate and a first electrode. A coating solution for forming a hole injection layer for the first color having the following composition is applied onto this substrate by a spin coater, heated and dried at 150 ° C. for 10 minutes, cured, and transparent with a thickness of 80 nm. A hole injection layer for one color was obtained.
<Composition of coating liquid for forming hole injection layer for first color>
・ Deionized water 96.7 wt%
・ PEDOT / PSS (manufactured by Bayer) 3wt%
-Organoalkoxysilane (TSL8350 manufactured by Toshiba Silicone Co., Ltd.) 0.3wt%

(第1色発光層の成膜)
第1色発光層として、第1色用正孔注入層上に下記組成の第1色発光層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、130℃、10分間の間加熱・乾燥処理を行い、膜厚80nmの発光層を得た。
<第1色発光層形成用塗工液の組成>
・モノクロロベンゼン 97.98wt%
・ポリビニルカルバゾール 1.4wt%
・オキサジアゾール 0.6wt%
・ジシアノメチレンピラン誘導体 0.02wt%
(Deposition of first color light emitting layer)
As a first color light emitting layer, a first color light emitting layer forming coating solution having the following composition is applied onto the first color hole injection layer by a spin coater, and heated and dried at 130 ° C. for 10 minutes. A light emitting layer having a thickness of 80 nm was obtained.
<Composition of coating liquid for forming first color light emitting layer>
・ Monochlorobenzene 97.98wt%
・ Polyvinylcarbazole 1.4wt%
・ Oxadiazole 0.6wt%
・ Dicyanomethylenepyran derivative 0.02wt%

(第1色用導電保護層の成膜)
第1色発光層上に、Ca:Ag混合膜(10nm)/Ag(40nm)を真空蒸着法により成膜した。
(Formation of conductive protective layer for first color)
A Ca: Ag mixed film (10 nm) / Ag (40 nm) was formed on the first color light emitting layer by a vacuum deposition method.

(第1色用フォトレジスト層の成膜)
第1色用導電保護層上に、ポジ型フォトレジスト溶液(東京応化工業(株)社製 OFPR−800)を滴下し、スピンコーターにより塗布し、さらに110℃で5分間プリベイクを行い、膜厚約1.5μmのフォトレジスト層を得た。
(Formation of first color photoresist layer)
A positive photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is dropped on the conductive protective layer for the first color, applied by a spin coater, and further prebaked at 110 ° C. for 5 minutes. A photoresist layer of about 1.5 μm was obtained.

(第1色発光部パターニング)
その後、アライメント露光機に露光マスクと共に設置し、第1色発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線照射した。レジスト現像液(東京応化工業(株)社製 NMD−3)でレジストを現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。110℃で5分間ポストベイクし、アルゴンガスを用いたプラズマエッチングによりフォトレジスト層が除去された部分の第1色用導電保護層を除去し、さらに酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第1色用正孔注入層、第1色発光層を除去した。これにより、第1色発光部がパターン状に形成された基板を得た。
(First color light emitting part patterning)
Then, it installed in the alignment exposure machine with the exposure mask, and irradiated the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than a 1st color light emission part. The resist was developed with a resist developer (NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and then washed with water to remove the photoresist in the exposed area. Post-baking at 110 ° C. for 5 minutes, the first color conductive protective layer where the photoresist layer has been removed is removed by plasma etching using argon gas, and then the first color is etched by reactive ion etching using oxygen plasma. The positive hole injection layer and the first color light emitting layer were removed. Thereby, the board | substrate with which the 1st color light emission part was formed in pattern shape was obtained.

(第2色用正孔注入層の成膜)
上記により得られた基板上に、第1色用正孔注入層形成用塗工液と同じ組成の第2色用正孔注入層形成用塗工液を同様に滴下し、スピンコートにより塗布し、加熱・乾燥処理を行って硬化させ、膜厚80nmの透明な第2色用正孔注入層を得た。第1色用正孔注入層形成時と第2色用正孔注入層形成時で同じ塗工液を用いたが、第1色用正孔注入層が硬化されているため、第2色用正孔注入層形成用塗工液を塗布しても第1色用正孔注入層が第2色用正孔注入層形成用塗工液に溶出することはなかった。
(Deposition of second color hole injection layer)
A second color hole injection layer forming coating solution having the same composition as the first color hole injection layer forming coating solution is similarly dropped onto the substrate obtained as described above, and applied by spin coating. Then, the film was cured by heating and drying to obtain a transparent second color hole injection layer having a thickness of 80 nm. The same coating liquid was used when the first color hole injection layer was formed and when the second color hole injection layer was formed. However, since the first color hole injection layer was cured, the second color Even when the hole injection layer forming coating solution was applied, the first color hole injection layer was not eluted into the second color hole injection layer forming coating solution.

(第2色発光層の成膜)
第2色発光層として、第2色用正孔注入層上に下記組成の第2色発光層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、130℃、10分間の間加熱・乾燥処理を行い、膜厚80nmの発光層を得た。
<第2色発光層形成用塗工液の組成>
・モノクロロベンゼン 97.98wt%
・ポリビニルカルバゾール 1.4wt%
・オキサジアゾール 0.6wt%
・クマリン誘導体 0.02wt%
(Deposition of second color light emitting layer)
As a second color light emitting layer, a second color light emitting layer forming coating solution having the following composition is applied onto the second color hole injection layer by a spin coater, and heated and dried at 130 ° C. for 10 minutes. A light emitting layer having a thickness of 80 nm was obtained.
<Composition of coating liquid for forming second color light emitting layer>
・ Monochlorobenzene 97.98wt%
・ Polyvinylcarbazole 1.4wt%
・ Oxadiazole 0.6wt%
・ Coumarin derivative 0.02wt%

(第2色用導電保護層の成膜)
第2色発光層上に、Ca:Ag混合膜(10nm)/Ag(40nm)を真空蒸着法により成膜した。
(Deposition of conductive protective layer for second color)
On the second color light emitting layer, a Ca: Ag mixed film (10 nm) / Ag (40 nm) was formed by vacuum deposition.

(第2色用フォトレジスト層の成膜)
第2色用導電保護層上に、ポジ型フォトレジスト溶液(東京応化工業(株)社製 OFPR−800)を滴下し、スピンコーターにより塗布し、さらに110℃で5分間プリベイクを行い、膜厚約1.5μmのフォトレジスト層を得た。
(Deposition of second color photoresist layer)
A positive photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is dropped on the conductive protective layer for the second color, applied by a spin coater, and further prebaked at 110 ° C. for 5 minutes. A photoresist layer of about 1.5 μm was obtained.

(第2色発光部パターニング)
その後、アライメント露光機に露光マスクと共に設置し、第2色発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線照射した。レジスト現像液(東京応化工業(株)社製 NMD−3)でレジストを現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。110℃で5分間ポストベイクし、アルゴンガスを用いたプラズマエッチングによりフォトレジスト層が除去された部分の第2色用導電保護層を除去し、さらに酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第2色用正孔注入層、第2色発光層を除去した。これにより、第1色発光部および第2色発光部がパターン状に形成された基板を得た。
(Second color light emitting part patterning)
Then, it installed in the alignment exposure machine with the exposure mask, and irradiated the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than a 2nd color light emission part. The resist was developed with a resist developer (NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and then washed with water to remove the photoresist in the exposed area. Post-baked at 110 ° C. for 5 minutes, the second color conductive protective layer where the photoresist layer was removed by plasma etching using argon gas was removed, and then the second color was etched by reactive ion etching using oxygen plasma. The positive hole injection layer and the second color light emitting layer were removed. Thereby, the board | substrate with which the 1st color light emission part and the 2nd color light emission part were formed in pattern shape was obtained.

(第3色用正孔注入層の成膜)
上記により得られた基板上に、第1および第2色用正孔注入層形成用塗工液と同じ組成の第3色用正孔注入層形成用塗工液を同様に滴下し、スピンコートにより塗布し、加熱・乾燥処理を行って硬化させ、膜厚80nmの透明な第3色用正孔注入層を得た。第1および第2色用正孔注入層形成時と第3色用正孔注入層形成時で同じ塗工液を用いたが、第1および第2色用正孔注入層が硬化されているため、第3色用正孔注入層形成用塗工液を塗布しても第1色用正孔注入層および第2色用正孔注入層が第3色用正孔注入層形成用塗工液に溶出することはなかった。
(Deposition of hole injection layer for third color)
A third color hole injection layer forming coating solution having the same composition as the first and second color hole injection layer forming coating solution is similarly dropped onto the substrate obtained as described above, and spin coating is performed. Was applied and cured by heating and drying to obtain a transparent third color hole injection layer having a thickness of 80 nm. The same coating solution was used when forming the first and second color hole injection layers and when forming the third color hole injection layers, but the first and second color hole injection layers were cured. Therefore, even if the third color hole injection layer forming coating liquid is applied, the first color hole injection layer and the second color hole injection layer are applied to form the third color hole injection layer. It did not elute into the liquid.

(第3色発光層の成膜)
第3色発光層として、第3色用正孔注入層上に下記組成の第3色発光層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、130℃、10分間の間加熱・乾燥処理を行い、膜厚80nmの発光層を得た。
<第3色発光層形成用塗工液の組成>
・モノクロロベンゼン 97.98wt%
・ポリビニルカルバゾール 1.4wt%
・オキサジアゾール 0.6wt%
・ペリレン誘導体 0.02wt%
(Deposition of third color light emitting layer)
As a third color light emitting layer, a third color light emitting layer forming coating solution having the following composition is applied on the third color hole injection layer by a spin coater, and heated and dried at 130 ° C. for 10 minutes. A light emitting layer having a thickness of 80 nm was obtained.
<Composition of third color light emitting layer forming coating solution>
・ Monochlorobenzene 97.98wt%
・ Polyvinylcarbazole 1.4wt%
・ Oxadiazole 0.6wt%
・ Perylene derivative 0.02wt%

(第3色用導電保護層の成膜)
第3色発光層上に、Ca:Ag混合膜(10nm)/Ag(40nm)を真空蒸着法により成膜した。
(Formation of conductive protective layer for third color)
A Ca: Ag mixed film (10 nm) / Ag (40 nm) was formed on the third color light emitting layer by a vacuum deposition method.

(第3色用フォトレジスト層の成膜)
第3色用導電保護層上に、ポジ型フォトレジスト溶液(東京応化工業(株)社製 OFPR−800)を滴下し、スピンコーターにより塗布し、さらに110℃で5分間プリベイクを行い、膜厚約1.5μmのフォトレジスト層を得た。
(Deposition of third color photoresist layer)
A positive photoresist solution (OFPR-800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is dropped on the conductive protective layer for the third color, applied by a spin coater, and further prebaked at 110 ° C. for 5 minutes. A photoresist layer of about 1.5 μm was obtained.

(第3色発光部パターニング)
その後、アライメント露光機に露光マスクと共に設置し、第3色発光部以外の発光層を除去したい部分に紫外線照射した。レジスト現像液(東京応化工業(株)社製 NMD−3)でレジストを現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。110℃で5分間ポストベイクし、アルゴンガスを用いたプラズマエッチングによりフォトレジスト層が除去された部分の第3色用導電保護層を除去し、さらに酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第3色用正孔注入層、第3色発光層を除去した。これにより、第1色発光部、第2色発光部および第3色発光部がパターン状に形成された基板を得た。
(Third-color light emitting part patterning)
Then, it installed in the alignment exposure machine with the exposure mask, and irradiated the ultraviolet-ray to the part which wants to remove light emitting layers other than a 3rd color light emission part. The resist was developed with a resist developer (NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and then washed with water to remove the photoresist in the exposed area. After baking at 110 ° C. for 5 minutes, the third color conductive protective layer where the photoresist layer has been removed is removed by plasma etching using argon gas, and then the third color is obtained by reactive ion etching using oxygen plasma. The positive hole injection layer and the third color light emitting layer were removed. Thereby, the board | substrate with which the 1st color light emission part, the 2nd color light emission part, and the 3rd color light emission part were formed in pattern shape was obtained.

(フォトレジスト剥離)
基板をアセトンで洗浄し、フォトレジスト層を除去し、パターニングされた有機EL層を得た。その後、130℃で1時間乾燥させた。
(Photoresist peeling)
The substrate was washed with acetone, the photoresist layer was removed, and a patterned organic EL layer was obtained. Then, it was dried at 130 ° C. for 1 hour.

(第2電極の形成)
さらに、得られた基板上に第2電極層としてCaを10nm、保護電極としてAgを300nm真空蒸着法により成膜して、有機EL素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Further, on the obtained substrate, Ca was formed as a second electrode layer with a thickness of 10 nm and Ag as a protective electrode with a thickness of 300 nm by vacuum evaporation to produce an organic EL element.

[実施例2]
第1色用導電保護層、第2色用導電保護層および第3色用導電保護層の成膜において、フッ化リチウムを真空蒸着法で3nm成膜し、また、第2電極としてCa(10nm)/Ag(300nm)を真空蒸着法により成膜した以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 2]
In the formation of the first color conductive protective layer, the second color conductive protective layer, and the third color conductive protective layer, lithium fluoride was formed to a thickness of 3 nm by vacuum deposition, and Ca (10 nm) was used as the second electrode. ) / Ag (300 nm) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the film was formed by vacuum deposition.

[評価]
実施例1および実施例2で作製した有機EL素子において、第1電極(ITO電極)を電源の正極、第2電極(Ag保護電極)を電源の負極に接続し、直流電圧を印加した。その結果、正電圧印加時に第1色、第2色、第3色発光部より発光が確認された。実施例1および実施例2において、各種導電保護層を用いて、発光層を高精細にパターニングした有機EL素子を比較的容易に作製することができた。
[Evaluation]
In the organic EL elements produced in Example 1 and Example 2, the first electrode (ITO electrode) was connected to the positive electrode of the power source, the second electrode (Ag protective electrode) was connected to the negative electrode of the power source, and a DC voltage was applied. As a result, light emission was confirmed from the first color, second color, and third color light emitting sections when a positive voltage was applied. In Example 1 and Example 2, an organic EL element in which the light emitting layer was patterned with high definition using various conductive protective layers could be produced relatively easily.

[実施例3]
実施例1の有機EL素子の性能を簡易的に評価するための有機EL素子を作製した。
(正孔注入層の成膜)
1インチ□、板厚0.7mmのパターン済みITOガラス基板を洗浄し、基板および第1電極とした。この基板上に実施例1で用いた第1色用正孔注入層形成用塗工液と同じ組成の正孔注入層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、150℃、10分間の加熱・乾燥処理を行い、硬化させ、膜厚80nmの透明な正孔注入層を得た。
[Example 3]
An organic EL element for simply evaluating the performance of the organic EL element of Example 1 was produced.
(Hole injection layer deposition)
A patterned ITO glass substrate having a thickness of 1 inch and a thickness of 0.7 mm was washed to obtain a substrate and a first electrode. On this substrate, a hole injection layer forming coating solution having the same composition as the first color hole injection layer forming coating solution used in Example 1 was applied by a spin coater and heated at 150 ° C. for 10 minutes. A drying treatment was performed and cured to obtain a transparent hole injection layer having a thickness of 80 nm.

(発光層の成膜)
発光層として、正孔注入層上に実施例1で用いた第1色発光層形成用塗工液と同じ組成の発光層形成用塗工液をスピンコーターにより塗布し、130℃、10分間の間加熱・乾燥処理を行い、膜厚80nmの発光層を得た。
(Light-emitting layer deposition)
As the light emitting layer, a light emitting layer forming coating solution having the same composition as the first color light emitting layer forming coating solution used in Example 1 was applied on the hole injection layer by a spin coater, and the coating was performed at 130 ° C. for 10 minutes. An intermediate heating / drying treatment was performed to obtain a light emitting layer having a thickness of 80 nm.

(導電保護層の成膜)
発光層上に、Ca:Ag混合膜(10nm)/Ag(40nm)を真空蒸着法により成膜した。
(Deposition of conductive protective layer)
A Ca: Ag mixed film (10 nm) / Ag (40 nm) was formed on the light-emitting layer by a vacuum deposition method.

(フォトレジスト層の成膜)
導電保護層上に、ポジ型フォトレジスト溶液(東京応化工業(株)社製 OFPR−800)を滴下し、スピンコーターにより塗布し、さらに110℃で5分間プリベイクを行い、膜厚約1.5μmのフォトレジスト層を得た。
(Deposition of photoresist layer)
A positive photoresist solution (OFPR-800, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is dropped on the conductive protective layer, applied by a spin coater, and further prebaked at 110 ° C. for 5 minutes, with a film thickness of about 1.5 μm. A photoresist layer was obtained.

(有機EL層パターニング)
その後、アライメント露光機に露光マスクと共に設置し、発光層を除去したい部分に紫外線照射した。レジスト現像液(東京応化工業(株)社製 NMD−3)でレジストを現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。110℃で5分間ポストベイクし、アルゴンガスを用いたプラズマエッチングによりフォトレジスト層が除去された部分の導電保護層を除去し、さらに酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより正孔注入層、発光層を除去した。
(Organic EL layer patterning)
Then, it installed in the alignment exposure machine with the exposure mask, and irradiated the ultraviolet-ray to the part which wants to remove a light emitting layer. The resist was developed with a resist developer (NMD-3 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) and then washed with water to remove the photoresist in the exposed area. Post-baked at 110 ° C. for 5 minutes, the conductive protective layer where the photoresist layer has been removed is removed by plasma etching using argon gas, and the hole injection layer and light emitting layer are further removed by reactive ion etching using oxygen plasma. Was removed.

(フォトレジスト剥離)
基板をアセトンで洗浄し、フォトレジスト層を除去し、パターニングされた有機EL層を得た。その後、130℃で1時間乾燥させた。
(Photoresist peeling)
The substrate was washed with acetone, the photoresist layer was removed, and a patterned organic EL layer was obtained. Then, it was dried at 130 ° C. for 1 hour.

(第2電極の形成)
さらに、得られた基板上に第2電極層としてCaを10nm、保護電極としてAgを300nmマスク真空蒸着法により成膜して、有機EL素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Further, on the obtained substrate, Ca was formed as a second electrode layer by 10 nm and Ag as a protective electrode was formed by a 300 nm mask vacuum vapor deposition method to produce an organic EL element.

[比較例1]
上記実施例3において、導電保護層の成膜、フォトレジスト層の成膜、有機EL層パターニング、およびフォトレジスト剥離を行わないこと以外は全く同様に、有機EL層がパターニングされていない通常の有機EL素子を作製した。
[Comparative Example 1]
In Example 3 above, a normal organic layer in which the organic EL layer is not patterned is exactly the same except that the conductive protective layer is formed, the photoresist layer is formed, the organic EL layer is patterned, and the photoresist is not peeled off. An EL element was produced.

[比較例2]
上記実施例3において、導電保護層の成膜を行わないこと以外は全く同様に有機EL素子を作製した。
[Comparative Example 2]
In Example 3 above, an organic EL element was produced in exactly the same manner except that no conductive protective layer was formed.

[評価]
実施例3および比較例1,2の性能比較として、比較例1の値を100としたときの、ある輝度における相対的な効率、輝度半減時間を表に示す。
[Evaluation]
As a performance comparison between Example 3 and Comparative Examples 1 and 2, the relative efficiency and luminance half time at a certain luminance when the value of Comparative Example 1 is set to 100 are shown in the table.

Figure 2008251270
Figure 2008251270

この結果より、特に寿命に関しては、有機EL層がパターニングされていない通常の素子である比較例1に対して、従来のフォトリソグラフィーによる製造法の素子である比較例2と、本発明による製造法の素子である実施例3とを比較すると、実施例3の方が寿命の特性に優れており、本発明による導電保護層の挿入により大幅に改善されることがわかった。また、効率の極端な低下は起こらなかった。   From this result, in particular, regarding the lifetime, Comparative Example 2 which is an element of a conventional manufacturing method by photolithography and Comparative Example 1 which is a conventional element in which the organic EL layer is not patterned, and the manufacturing method according to the present invention In comparison with Example 3 which is the element of Example 3, it was found that Example 3 was superior in lifetime characteristics and was greatly improved by the insertion of the conductive protective layer according to the present invention. In addition, an extreme reduction in efficiency did not occur.

[実施例4]
実施例2の有機EL素子の性能を簡易的に評価するための有機EL素子を作製した。
導電保護層の成膜において、フッ化リチウムを真空蒸着法で3nm成膜し、また、第2電極としてCa(10nm)/Ag(300nm)を真空蒸着法により成膜した以外は、実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。
[Example 4]
An organic EL element for simply evaluating the performance of the organic EL element of Example 2 was produced.
In the formation of the conductive protective layer, Example 3 was carried out except that lithium fluoride was formed into a film with a thickness of 3 nm by a vacuum evaporation method, and Ca (10 nm) / Ag (300 nm) was formed as a second electrode by a vacuum evaporation method. In the same manner, an organic EL device was produced.

[比較例3]
上記実施例4において、導電保護層の成膜、フォトレジスト層の成膜、有機EL層パターニング、およびフォトレジスト剥離を行わないこと以外は全く同様に、有機EL層がパターニングされていない通常の有機EL素子を作製した。
[Comparative Example 3]
In Example 4 above, a normal organic layer in which the organic EL layer is not patterned is exactly the same except that the conductive protective layer is formed, the photoresist layer is formed, the organic EL layer is patterned, and the photoresist is not peeled off. An EL element was produced.

[比較例4]
上記実施例4において、導電保護層の成膜を行わないこと以外は全く同様に有機EL素子を作製した。
[Comparative Example 4]
In Example 4 above, an organic EL element was produced in exactly the same manner except that no conductive protective layer was formed.

[評価]
実施例4および比較例3,4の性能比較として、比較例3の値を100としたときの、ある輝度における相対的な効率、輝度半減時間を表に示す。
[Evaluation]
As a performance comparison between Example 4 and Comparative Examples 3 and 4, the table shows the relative efficiency and luminance half time at a certain luminance when the value of Comparative Example 3 is 100.

Figure 2008251270
Figure 2008251270

この結果より、特に寿命に関しては、有機EL層がパターニングされていない通常の素子である比較例3に対して従来のフォトリソグラフィーによる製造法の素子である比較例4と、本発明による製造法の素子である実施例4を比較すると、実施例4の方が優れた寿命特性を示し、本発明による導電保護層の挿入により大幅に改善されることがわかった。また、効率の極端な低下は起こらなかった。   From this result, in particular, regarding the lifetime, Comparative Example 4 which is an element of a conventional photolithography manufacturing method compared to Comparative Example 3 which is a normal element in which the organic EL layer is not patterned, and the manufacturing method according to the present invention. When Example 4 which is an element was compared, it was found that Example 4 exhibited superior lifetime characteristics and was greatly improved by the insertion of a conductive protective layer according to the present invention. In addition, an extreme reduction in efficiency did not occur.

本発明の有機EL素子の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の製造方法の他の例を示す工程図である。It is process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the organic EL element of this invention. 本発明の有機EL素子の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of the organic EL element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1、21 … 基板
2、22 … 第1電極層
3、23 … 絶縁層
4、4´、24 … 正孔注入層
5、5´、25 … 発光層
6、26 … 有機EL層
7、7´、27 … 導電保護層
8、8´ … フォトレジスト層
9、29 … 第2電極層
10 … 発光領域
20 … 有機EL素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 21 ... Substrate 2, 22 ... 1st electrode layer 3, 23 ... Insulating layer 4, 4 ', 24 ... Hole injection layer 5, 5', 25 ... Light emitting layer 6, 26 ... Organic EL layer 7, 7 ' , 27 ... Conductive protective layer 8, 8 '... Photoresist layer 9, 29 ... Second electrode layer 10 ... Light emitting region 20 ... Organic EL element

Claims (12)

第1電極層が形成された基板上に、少なくとも発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、無機導電性材料を含有する導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、
前記導電保護層上にフォトレジストを塗布し、フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、前記フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、
前記フォトレジスト層が除去された部分の前記導電保護層および前記有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記導電保護層および前記有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
残存する前記フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、
前記剥離工程後に露出した前記導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
An organic electroluminescence layer forming step of forming an organic electroluminescence layer including at least a light emitting layer on the substrate on which the first electrode layer is formed;
A conductive protective layer forming step of forming a conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the organic electroluminescence layer;
A photoresist layer forming step of applying a photoresist on the conductive protective layer to form a photoresist layer;
A photoresist layer patterning step of patterning the photoresist layer by pattern exposing and developing the photoresist layer; and
An organic electroluminescent layer patterning step of patterning the conductive protective layer and the organic electroluminescent layer by removing the conductive protective layer and the organic electroluminescent layer in a portion where the photoresist layer is removed;
A peeling step of peeling off the remaining photoresist layer;
And a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on the conductive protective layer exposed after the peeling step.
N色(Nは2以上の整数)の発光層をパターン状に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
第1電極層が形成され、第1色発光層を少なくとも含む第1色目の有機エレクトロルミネッセンス層から第(N−1)色発光層を少なくとも含む第(N−1)色目の有機エレクトロルミネッセンス層までがそれぞれパターン状に形成され、前記各有機エレクトロルミネッセンス層の表面にそれぞれ無機導電性材料を含有する導電保護層およびフォトレジスト層がこの順に積層された基板上に、少なくとも第N色発光層を含む第N色目の有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
前記第N色目の有機エレクトロルミネッセンス層上に、無機導電性材料を含有する第N色用導電保護層を形成する導電保護層形成工程と、
前記第N色用導電保護層上にフォトレジストを塗布し、第N色用フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
前記第N色用フォトレジスト層をパターン露光し、現像することにより、第N色発光領域の前記第N色用フォトレジスト層が残存するように前記第N色用フォトレジスト層をパターニングするフォトレジスト層パターニング工程と、
前記第N色用フォトレジスト層が除去された部分の前記第N色用導電保護層および前記第N色目の有機エレクトロルミネッセンス層を除去することにより、前記第N色用導電保護層および前記第N色目の有機エレクトロルミネッセンス層をパターニングする有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程と、
残存する前記各フォトレジスト層を剥離する剥離工程と、
前記剥離工程後に露出した前記各導電保護層上に第2電極層を形成する第2電極層形成工程と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
An organic electroluminescent element manufacturing method for forming a light emitting layer of N color (N is an integer of 2 or more) in a pattern,
From the first-color organic electroluminescence layer including at least the first-color light-emitting layer to the (N-1) -th color organic electroluminescence layer including at least the (N-1) -color light-emitting layer. Are formed in a pattern, and include at least an Nth color light emitting layer on a substrate in which a conductive protective layer and a photoresist layer each containing an inorganic conductive material are stacked in this order on the surface of each organic electroluminescent layer. An organic electroluminescence layer forming step of forming an Nth organic electroluminescence layer;
A conductive protective layer forming step of forming an Nth color conductive protective layer containing an inorganic conductive material on the organic electroluminescent layer of the Nth color;
A photoresist layer forming step of applying a photoresist on the Nth color conductive protective layer to form an Nth color photoresist layer;
A photoresist for patterning the Nth color photoresist layer so that the Nth color photoresist layer remains in the Nth color light emitting region by pattern exposure and development of the Nth color photoresist layer. A layer patterning step;
The Nth color conductive protective layer and the Nth color conductive protective layer are removed by removing the Nth color conductive protective layer and the Nth color organic electroluminescent layer in the portion where the Nth color photoresist layer is removed. An organic electroluminescence layer patterning step of patterning a colored organic electroluminescence layer;
A peeling step of peeling off each of the remaining photoresist layers;
And a second electrode layer forming step of forming a second electrode layer on each of the conductive protective layers exposed after the peeling step.
前記N色の発光層が3色の発光層であることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   3. The method of manufacturing an organic electroluminescence element according to claim 2, wherein the N-color light-emitting layer is a three-color light-emitting layer. 前記各導電保護層形成工程にて、真空蒸着法により、前記各導電保護層を形成することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The method for manufacturing an organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the conductive protective layers is formed by a vacuum deposition method in each of the conductive protective layer forming steps. 前記第2電極層形成工程にて、スパッタリング法により、前記第2電極層を形成することを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   5. The method of manufacturing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein, in the second electrode layer forming step, the second electrode layer is formed by a sputtering method. 前記各有機エレクトロルミネッセンス層形成工程が、前記各発光層を含む2層以上の有機層を形成する工程であって、下層形成用塗工液を塗布して、下層の有機層を形成する下層形成工程と、前記下層の有機層上に上層形成用塗工液を塗布して、上層の有機層を形成する上層形成工程とを有しており、前記下層の有機層が前記上層形成用塗工液に含まれる溶媒に対して不溶であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   Each organic electroluminescence layer forming step is a step of forming two or more organic layers including each light emitting layer, and applying a lower layer forming coating liquid to form a lower organic layer And an upper layer forming step of forming an upper organic layer by applying an upper layer forming coating liquid on the lower organic layer, wherein the lower organic layer is the upper layer forming coating. The method for producing an organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the organic electroluminescent element is insoluble in a solvent contained in the liquid. 前記下層形成用塗工液が硬化性バインダを含有しており、前記下層形成工程にて、前記下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に硬化処理を行うことを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The lower layer forming coating solution contains a curable binder, and the coating film obtained by applying the lower layer forming coating solution is subjected to a curing process in the lower layer forming step. Item 7. A method for producing an organic electroluminescent element according to Item 6. 前記下層形成用塗工液が、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有しており、前記下層形成工程にて、前記下層形成用塗工液を塗布して得られる塗膜に熱エネルギーを付与または放射線を照射して、前記塗膜の溶解性を変化させることを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   The lower layer forming coating solution contains a material whose solubility is changed by the action of thermal energy or radiation, and a coating film obtained by applying the lower layer forming coating solution in the lower layer forming step The manufacturing method of the organic electroluminescent element according to claim 6, wherein the solubility of the coating film is changed by applying thermal energy to the film or irradiating with radiation. 前記各有機エレクトロルミネッセンス層パターニング工程にて、ドライエッチングにより、前記各フォトレジスト層が除去された部分の前記各導電保護層および前記各有機エレクトロルミネッセンス層を除去することを特徴とする請求項1から請求項8までのいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。   2. The conductive protection layer and the organic electroluminescence layer in a portion where the photoresist layer has been removed are removed by dry etching in the organic electroluminescence layer patterning step. The manufacturing method of the organic electroluminescent element in any one of Claim 8. 基板と、前記基板上に形成された第1電極層と、前記第1電極層上にパターン状に形成され、少なくとも発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上にパターン状に形成され、無機導電性材料を含有する導電保護層と、前記導電保護層上に形成された第2電極層とを有しており、前記有機エレクトロルミネッセンス層のパターン形状と、前記導電保護層のパターン形状とが同一であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。   A substrate, a first electrode layer formed on the substrate, an organic electroluminescent layer formed in a pattern on the first electrode layer and including at least a light emitting layer, and a pattern on the organic electroluminescent layer A conductive protective layer formed and containing an inorganic conductive material; and a second electrode layer formed on the conductive protective layer; and a pattern shape of the organic electroluminescent layer; and An organic electroluminescence device having the same pattern shape. 前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記発光層を含む2層以上の有機層を有しており、隣接する2層の有機層のうち、下層の有機層が硬化性バインダを含有することを特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence layer has two or more organic layers including the light emitting layer, and of the two adjacent organic layers, the lower organic layer contains a curable binder. The organic electroluminescent element according to claim 10. 前記有機エレクトロルミネッセンス層が、前記発光層を含む2層以上の有機層を有しており、隣接する2層の有機層のうち、下層の有機層が、熱エネルギーまたは放射線の作用により溶解性が変化する材料を含有することを特徴とする請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence layer has two or more organic layers including the light emitting layer, and the lower organic layer of the two adjacent organic layers is soluble by the action of thermal energy or radiation. The organic electroluminescent device according to claim 10, comprising a material that changes.
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