JP4542051B2 - 多孔質膜の形成方法 - Google Patents
多孔質膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4542051B2 JP4542051B2 JP2006044935A JP2006044935A JP4542051B2 JP 4542051 B2 JP4542051 B2 JP 4542051B2 JP 2006044935 A JP2006044935 A JP 2006044935A JP 2006044935 A JP2006044935 A JP 2006044935A JP 4542051 B2 JP4542051 B2 JP 4542051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- supercritical
- porous
- medium
- film
- organic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 59
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 39
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 26
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 18
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 16
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 5
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000000352 supercritical drying Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000000517 particles from gas-saturated solution Methods 0.000 description 3
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000001046 rapid expansion of supercritical solution Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 235000015842 Hesperis Nutrition 0.000 description 1
- 235000012633 Iberis amara Nutrition 0.000 description 1
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000011240 wet gel Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
上述したフッ素化合物は酸素を含んでいるため、特に極性溶剤との界面張力が低く、有機溶剤と容易に混和させることが可能である。
Claims (6)
- シリコン及び金属の少なくとも1つが含まれる有機材料が分散された媒質を加熱することで前記有機材料を重合させて多孔質膜が形成された状態とする第1工程と、
前記媒質で湿潤された状態の前記多孔質膜をフッ素化合物よりなる超臨界処理液が充填された高圧容器に収容し、前記多孔質膜が前記超臨界処理液に浸漬された状態とする第2工程と、
前記多孔質膜に含まれている前記媒質を前記超臨界処理液に置換する第3工程と、
前記超臨界処理液を超臨界状態とすることで前記多孔質膜が超臨界流体に浸漬された状態とする第4工程と、
前記高圧容器の内部の圧力を低下させることで前記超臨界流体を気化させて前記多孔質膜が乾燥された状態とする第5工程と
を少なくとも備え、
前記フッ素化合物は、大気圧下の常温状態で液体であるハイドロフルオロエーテルおよびハイドロフルオロエステルの少なくとも1つであることを特徴とする多孔質膜の形成方法。 - 有機材料が溶解した媒質を基板の上に塗布することで、前記基板の上に前記有機材料よりなる塗布膜が形成された状態とする第1工程と、
前記媒質が含まれている状態の前記塗布膜をフッ素化合物よりなる超臨界処理液が充填された高圧容器に収容し、前記塗布膜が前記超臨界処理液に浸漬された状態とする第2工程と、
前記塗布膜に含まれている前記媒質を前記超臨界処理液に置換する第3工程と、
加熱することで前記超臨界処理液を超臨界状態とするとともに、前記塗布膜を構成している前記有機材料が重合されて前記基板の上に多孔質膜が形成された状態とし、前記多孔質膜が超臨界流体に浸漬された状態とする第4工程と、
前記高圧容器の内部の圧力を低下させることで前記超臨界流体を気化させて前記多孔質膜が乾燥された状態とする第5工程と
を少なくとも備え、
前記フッ素化合物は、大気圧下の常温状態で液体であるハイドロフルオロエーテルおよびハイドロフルオロエステルの少なくとも1つであることを特徴とする多孔質膜の形成方法。 - 請求項1又は2記載の多孔質膜の形成方法において、
前記超臨界処理液は、前記フッ素化合物に加えて前記有機材料を溶解する有機溶剤を含み、前記フッ素化合物と前記有機溶剤との共沸状態の組成に形成されている
ことを特徴とする多孔質膜の形成方法。 - フッ素化合物を含む媒質に有機材料が溶解した樹脂溶液を高圧容器の内部に収容する第1工程と、
前記高圧容器に収容された樹脂溶液を構成する前記媒質を超臨界状態とする第2工程と、
前記有機材料が溶解して超臨界状態とされた前記媒質を、前記高圧容器に設けられたノズルより外部に噴出させて基板の上に吹き付け、前記有機材料からなる複数に微粒子から構成された多孔質膜が前記基板の上に形成された状態とする第3工程と
を少なくとも備え、
前記フッ素化合物は、大気圧下の常温状態で液体であるハイドロフルオロエーテルおよびハイドロフルオロエステルの少なくとも1つであることを特徴とする多孔質膜の形成方法。 - 請求項4記載の多孔質膜の形成方法において、
前記媒質は、前記フッ素化合物に加えて前記有機材料を溶解する有機溶剤を含み、前記フッ素化合物と前記有機溶剤との共沸状態の組成に形成されている
ことを特徴とする多孔質膜の形成方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の多孔質膜の形成方法において、
前記ハイドロフルオロエーテルは、HCF2CF2OCH2CF3,CF3CHFCF2OCH2CF3,及びCF3CHFCF2OCH2CF2CF3の少なくとも1つである
ことを特徴とする多孔質膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006044935A JP4542051B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 多孔質膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006044935A JP4542051B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 多孔質膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007227511A JP2007227511A (ja) | 2007-09-06 |
JP4542051B2 true JP4542051B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=38549056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006044935A Active JP4542051B2 (ja) | 2006-02-22 | 2006-02-22 | 多孔質膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4542051B2 (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000154273A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質体およびその製造方法 |
JP2001028368A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Kobe Steel Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2001060575A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Kobe Steel Ltd | 超臨界乾燥装置 |
JP2001072408A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | シリカエアロゲル及びその製造方法 |
JP2002367984A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Jsr Corp | シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置 |
JP2003532513A (ja) * | 1999-10-29 | 2003-11-05 | アライドシグナル インコーポレイテッド | ハイドロフルオロカーボン化合物及び/又はハイドロクロロフルオロカーボン化合物を用いた洗浄方法 |
JP2003316296A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
JP2004186305A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2004193612A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Eastman Kodak Co | 可動基板上にパターン化されたデポジションを製作するシステム |
JP2004273874A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Kobe Steel Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜 |
JP2005252234A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 物品を処理するための方法及び装置 |
-
2006
- 2006-02-22 JP JP2006044935A patent/JP4542051B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000154273A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多孔質体およびその製造方法 |
JP2001028368A (ja) * | 1999-05-12 | 2001-01-30 | Kobe Steel Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2001060575A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Kobe Steel Ltd | 超臨界乾燥装置 |
JP2001072408A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-21 | Matsushita Electric Works Ltd | シリカエアロゲル及びその製造方法 |
JP2003532513A (ja) * | 1999-10-29 | 2003-11-05 | アライドシグナル インコーポレイテッド | ハイドロフルオロカーボン化合物及び/又はハイドロクロロフルオロカーボン化合物を用いた洗浄方法 |
JP2002367984A (ja) * | 2001-06-11 | 2002-12-20 | Jsr Corp | シリカ膜の形成方法、シリカ膜、絶縁膜および半導体装置 |
JP2003316296A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
JP2004186305A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
JP2004193612A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Eastman Kodak Co | 可動基板上にパターン化されたデポジションを製作するシステム |
JP2004273874A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Kobe Steel Ltd | 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜 |
JP2005252234A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-09-15 | Air Products & Chemicals Inc | 物品を処理するための方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007227511A (ja) | 2007-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112266427B (zh) | 一种疏水琼脂糖气凝胶微球及其制备方法 | |
US6214746B1 (en) | Nanoporous material fabricated using a dissolvable reagent | |
JP4503831B2 (ja) | セラミック発泡体を製造する方法 | |
EP3626680A1 (en) | Manufacturing method for silica aerogel blanket and manufacturing apparatus therefor | |
JP2015061073A (ja) | 処理前の多孔質基板の保護 | |
US10639606B2 (en) | Aerogel particle and method of producing the same | |
JP5976009B2 (ja) | 割れ目の無いエアロゲルを備える光学素子 | |
JP2010189212A (ja) | 多孔質シリカ膜およびその製造方法 | |
TW200404742A (en) | Method for modifying porous film, modified porous film and use of same | |
KR102117617B1 (ko) | 소수성 실리카 에어로겔의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 소수성 실리카 에어로겔 | |
JP4542051B2 (ja) | 多孔質膜の形成方法 | |
JP2023156350A (ja) | シリカエアロゲルブランケット | |
CN112292347A (zh) | 二氧化硅湿凝胶毡的超临界干燥方法 | |
JP4427647B2 (ja) | 配向膜の製造方法、及び多孔膜の製造方法 | |
JP7083048B2 (ja) | シリカ湿潤ゲルブランケットの超臨界乾燥方法 | |
US9117666B2 (en) | Method for activating a porous layer surface | |
JP2013212973A (ja) | メソ構造体、メソ構造体の製造方法、メソポーラス膜の製造方法、機能性シリカメソ構造体膜の製造方法、シリカメソ構造体膜、メソポーラスシリカ膜 | |
JP2006040969A (ja) | 超臨界処理方法 | |
TWI235432B (en) | Method for forming inorganic porous film | |
JP4133468B2 (ja) | 多孔質膜の形成方法及びその方法によって形成された多孔質膜 | |
KR20200131025A (ko) | 에어로겔 단열재료 제조방법 및 이에 의해 제조된 에어로겔 단열재료 | |
WO2020014828A1 (en) | Methods for forming aerogels | |
KR100295583B1 (ko) | 입자형태의 유기 겔의 제조방법 | |
CN115427352B (zh) | 气凝胶毡的制造方法 | |
JP2002321910A (ja) | エアロゲル薄膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100622 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4542051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140702 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |